JP5016294B2 - 基板処理装置及び該装置の分析方法 - Google Patents
基板処理装置及び該装置の分析方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5016294B2 JP5016294B2 JP2006305844A JP2006305844A JP5016294B2 JP 5016294 B2 JP5016294 B2 JP 5016294B2 JP 2006305844 A JP2006305844 A JP 2006305844A JP 2006305844 A JP2006305844 A JP 2006305844A JP 5016294 B2 JP5016294 B2 JP 5016294B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gas
- concentration
- substrate
- storage chamber
- processing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
- H01L22/20—Sequence of activities consisting of a plurality of measurements, corrections, marking or sorting steps
- H01L22/26—Acting in response to an ongoing measurement without interruption of processing, e.g. endpoint detection, in-situ thickness measurement
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Description
・チャンバ10内のデポ量の推定
・エッチング処理の終点の検知
・シーズニング処理の終点の検知
・大気リークの検知
・ヘリウムガスリークの検知
・チャンバ10内の水分の検知
・チャンバ10内の汚染の検知
・プロセスパラメータの変化予測、異常検知
・ウエハWの特性の予測、異常検知
・チャンバ内パーツの消耗量の推定
・チャンバ10の個体差やプロセスモジュール2の個体差の診断
次に、上述した発光強度の校正方法を用いた本実施の形態に係る基板処理装置の分析方法としてのプラズマ処理終点検知方法について説明する。以下も、連続した複数のウエハWのプラズマ処理において、処理空間通過後ガス分析ユニット34が処理空間Sを通過した処理ガスの原子又は分子の発光強度を測定した結果、観測窓40に曇が発生するような状況を想定している。
・プラズマ処理前のウエハWに吸着されている吸着物の成分の検出
・ウエハWからの水分や処理ガス(例えば、CF系ガス)のパージの終点の検出
・大気リーク等の検知
また、ロードロックモジュールガス分析ユニット36はロードロックモジュール排気系32に接続される。これにより、ロードロックモジュールガス分析ユニット36をチャンバ30内から隔離することができ、もって、ロードロックモジュールガス分析ユニット36での分析処理がロードロックモジュール5のチャンバ30内に影響を及ぼすのを防止することができる。
W ウエハ
1 基板処理システム
2 プロセスモジュール
5 ロードロックモジュール
13 整流リング
14 マニホールド
16 TMP
23 処理ガス導入管
32 ロードロックモジュール排気系
34 処理空間通過後ガス分析ユニット
35 導入前ガス分析ユニット
36 ロードロックモジュールガス分析ユニット
37 サブチャンバ
39 高周波電源
40 観測窓
41 分光分析器
Claims (16)
- 基板を収容する収容室と、該収容室にガスを導入するガス導入装置とを備え、前記収容室は前記基板に前記ガスを用いて所定の処理を施す処理空間を有する基板処理装置において、
前記収容室導入前のガスの原子濃度又は分子濃度を分析する導入前ガス分析装置と、
前記処理空間を通過して前記収容室から排出されるガスの原子濃度又は分子濃度を分析する通過後ガス分析装置と、
前記導入前ガス分析装置により分析された前記収容室導入前のガスの原子濃度又は分子濃度及び前記通過後ガス分析装置により分析された前記処理空間通過後のガスの原子濃度又は分子濃度に基づいて前記収容室内の状態を検知する状態検知装置とを備え、
該状態検知装置は、
前記収容室において複数の基板に前記所定の処理を施す前における前記収容室導入前のガスの原子濃度又は分子濃度に対する前記処理空間通過後のガスの原子濃度又は分子濃度の比である第1の比を算出し、前記複数の前記基板に前記所定の処理を施した後における前記収容室導入前のガスの原子濃度又は分子濃度に対する前記処理空間通過後のガスの原子濃度又は分子濃度の比である第2の比を算出し、
前記第1の比と前記第2の比とが同じになるように、前記複数の前記基板に前記所定の処理を施した後における前記処理空間通過後のガスの原子濃度又は分子濃度を補正する補正値を算出し、
前記収容室において基板に前記所定の処理を施す際に、該算出された補正値を用いて前記処理空間通過後のガスの原子濃度又は分子濃度を校正し、該校正されたガスの原子濃度又は分子濃度に基づいて前記所定の処理の終点を検出することを特徴とする基板処理装置。 - 前記収容室内を排気する排気系を有し、前記通過後ガス分析装置は前記排気系に配置されることを特徴とする請求項1記載の基板処理装置。
- 前記収容室は前記処理空間のプラズマの下流への流出を防止する排気板を有し、前記排気系は高分子真空ポンプを有し、前記通過後ガス分析装置は前記排気板及び前記高分子真空ポンプの間に配置されることを特徴とする請求項2記載の基板処理装置。
- 前記通過後ガス分析装置は前記収容室に配置されることを特徴とする請求項1記載の基板処理装置。
- 前記導入前ガス分析装置及び前記通過後ガス分析装置の少なくとも一方は、ガスを取り込むガス取込室と、該ガス取込室内にプラズマを発生させるプラズマ発生装置と、前記プラズマによって励起された前記ガス中の原子又は分子の発光を分光して発光強度を測定する分光測定装置とを有することを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項に記載の基板処理装置。
- 前記導入前ガス分析装置及び前記通過後ガス分析装置の少なくとも一方は、質量分析器であることを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項に記載の基板処理装置。
- 前記導入前ガス分析装置及び前記通過後ガス分析装置の少なくとも一方は、フーリエ変換赤外分光光度計であることを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項に記載の基板処理装置。
- 前記導入前ガス分析装置及び前記通過後ガス分析装置の少なくとも一方は、前記ガスが流れるガス管と、該ガス管内にプラズマを発生させるプラズマ発生装置と、前記ガス管内におけるプラズマ発生中心部より下流のアフタグローを分光して発光強度を測定する分光測定装置とを備えることを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項に記載の基板処理装置。
- 前記基板処理装置には、前記基板を該基板処理装置に搬出入する基板搬送装置が接続され、
該基板搬送装置は、該基板搬送装置内のガスを分析するガス分析装置を有することを特徴とする請求項1乃至8のいずれか1項に記載の基板処理装置。 - 前記基板搬送装置は、該基板搬送装置内のガスを排気する第2の排気系を有し、前記ガス分析装置は該第2の排気系に配置されることを特徴とする請求項9記載の基板処理装置。
- 前記基板搬送装置は前記基板を一旦収容する第2の収容室を有し、前記ガス分析装置は前記第2の収容室に配置されることを特徴とする請求項9記載の基板処理装置。
- 基板を収容する収容室と、該収容室にガスを導入するガス導入装置とを備え、前記収容室は前記基板に前記ガスを用いて所定の処理を施す処理空間を有する基板処理装置において、
前記収容室導入前のガスの原子濃度又は分子濃度を分析する導入前ガス分析装置と、
前記処理空間を通過して前記収容室から排出されるガスの原子濃度又は分子濃度を分析する通過後ガス分析装置と、
前記収容室導入前のガスの原子濃度又は分子濃度及び前記処理空間通過後のガスの原子濃度又は分子濃度に基づいて前記収容室内の状態を検知する状態検知装置とを備え、
該状態検知装置は、前記収容室のメンテナンス前後における前記収容室導入前のガスの原子濃度又は分子濃度が同じになる場合に、前記収容室のメンテナンス前後での前記処理空間通過後のガスの原子濃度又は分子濃度の変動量を算出し、前記収容室において基板に前記所定の処理を施す際に、該算出された変動量を用いて前記処理空間通過後のガスの原子濃度又は分子濃度を校正し、該校正されたガスの原子濃度又は分子濃度に基づいて前記所定の処理の終点を検出することを特徴とする基板処理装置。 - 前記収容室のメンテナンスには、部品交換、部品洗浄又は前記収容室内のドライクリーニングが該当することを特徴とする請求項12記載の基板処理装置。
- 基板を収容する収容室と、該収容室にガスを導入するガス導入装置とを備え、前記収容室は前記基板に前記ガスを用いて所定の処理を施す処理空間を有する基板処理装置の分析方法であって、
前記収容室導入前のガスの原子濃度又は分子濃度を分析する導入前ガス分析ステップと、
前記処理空間を通過して前記収容室から排出されるガスの原子濃度又は分子濃度を分析する通過後ガス分析ステップと、
前記導入前ガス分析ステップで分析された前記収容室導入前のガスの原子濃度又は分子濃度及び前記通過後ガス分析ステップで分析された前記処理空間通過後のガスの原子濃度又は分子濃度に基づいて前記収容室内の状態を検知する状態検知ステップとを有し、
該状態検知ステップでは、前記収容室において複数の基板に前記所定の処理を施す前における前記収容室導入前のガスの原子濃度又は分子濃度に対する前記処理空間通過後のガスの原子濃度又は分子濃度の比である第1の比を算出し、前記複数の前記基板に前記所定の処理を施した後における前記収容室導入前のガスの原子濃度又は分子濃度に対する前記処理空間通過後のガスの原子濃度又は分子濃度の比である第2の比を算出し、前記第1の比と前記第2の比とが同じになるように、前記複数の前記基板に前記所定の処理を施した後における前記処理空間通過後のガスの原子濃度又は分子濃度を補正する補正値を算出し、前記収容室において基板に前記所定の処理を施す際に、該算出された補正値を用いて前記処理空間通過後のガスの原子濃度又は分子濃度を校正し、該校正されたガスの原子濃度又は分子濃度に基づいて前記所定の処理の終点を検出することを特徴とする分析方法。 - 基板を収容する収容室と、該収容室にガスを導入するガス導入装置とを備え、前記収容室は前記基板に前記ガスを用いて所定の処理を施す処理空間を有する基板処理装置の分析方法であって、
前記収容室導入前のガスの原子濃度又は分子濃度を分析する導入前ガス分析ステップと、
前記処理空間を通過後して前記収容室から排出されるガスの原子濃度又は分子濃度を分析する通過後ガス分析ステップと、
前記収容室導入前のガスの原子濃度又は分子濃度及び前記処理空間通過後のガスの原子濃度又は分子濃度に基づいて前記収容室内の状態を検知する状態検知ステップとを有し、
該状態検知ステップでは、前記収容室のメンテナンス前後における前記収容室導入前のガスの原子濃度又は分子濃度が同じになる場合に、前記収容室のメンテナンス前後での前記処理空間通過後のガスの原子濃度又は分子濃度の変動量を算出し、前記収容室において基板に前記所定の処理を施す際に、該算出された変動量を用いて前記処理空間通過後のガスの原子濃度又は分子濃度を校正し、該校正されたガスの原子濃度又は分子濃度に基づいて前記所定の処理の終点を検出することを特徴とする分析方法。 - 前記収容室のメンテナンスには、部品交換、部品洗浄又は前記収容室内のドライクリーニングが該当することを特徴とする請求項15記載の基板処理装置の分析方法。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006305844A JP5016294B2 (ja) | 2006-11-10 | 2006-11-10 | 基板処理装置及び該装置の分析方法 |
CNB2007101675381A CN100543932C (zh) | 2006-11-10 | 2007-10-26 | 基板处理装置和该装置的分析方法 |
US11/931,145 US7637143B2 (en) | 2006-11-10 | 2007-10-31 | Substrate processing apparatus and analysis method therefor |
KR1020070113701A KR100938012B1 (ko) | 2006-11-10 | 2007-11-08 | 기판 처리 장치 및 그 장치의 분석 방법 |
TW096142478A TW200839869A (en) | 2006-11-10 | 2007-11-09 | Substrate processing apparatus and analysis method therefor |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006305844A JP5016294B2 (ja) | 2006-11-10 | 2006-11-10 | 基板処理装置及び該装置の分析方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008124216A JP2008124216A (ja) | 2008-05-29 |
JP5016294B2 true JP5016294B2 (ja) | 2012-09-05 |
Family
ID=39405199
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006305844A Expired - Fee Related JP5016294B2 (ja) | 2006-11-10 | 2006-11-10 | 基板処理装置及び該装置の分析方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5016294B2 (ja) |
KR (1) | KR100938012B1 (ja) |
CN (1) | CN100543932C (ja) |
TW (1) | TW200839869A (ja) |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5338467B2 (ja) * | 2009-05-11 | 2013-11-13 | コニカミノルタ株式会社 | プラズマ測定装置 |
KR101169764B1 (ko) | 2010-10-15 | 2012-07-30 | (주)쎄미시스코 | 공정챔버의 실시간 모니터링 시스템 |
CN105405735B (zh) * | 2014-08-22 | 2017-07-25 | 中微半导体设备(上海)有限公司 | 等离子体处理装置及等离子体处理工艺的监测方法 |
KR20220078725A (ko) * | 2016-06-30 | 2022-06-10 | 가부시키가이샤 코쿠사이 엘렉트릭 | 기판 처리 장치, 반도체 장치의 제조 방법 및 기록 매체 |
US11988966B2 (en) | 2018-06-13 | 2024-05-21 | Cymer, Llc | Gas monitoring system |
US11036202B2 (en) * | 2018-12-13 | 2021-06-15 | Lam Research Corporation | Real-time health monitoring of semiconductor manufacturing equipment |
Family Cites Families (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6353927A (ja) * | 1986-08-25 | 1988-03-08 | Hitachi Ltd | プラズマプロセス装置 |
JPH02170981A (ja) * | 1988-12-21 | 1990-07-02 | Fujitsu Ltd | Cvd装置 |
JPH11265878A (ja) * | 1998-01-27 | 1999-09-28 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | 残留ガス分析により終点検出を提供する方法及び装置 |
JP4387573B2 (ja) * | 1999-10-26 | 2009-12-16 | 東京エレクトロン株式会社 | プロセス排気ガスモニタ装置及び方法、半導体製造装置、及び半導体製造装置管理システム及び方法 |
JP2001250812A (ja) | 2000-03-08 | 2001-09-14 | Sony Corp | プラズマ処理の終点検出方法及び終点検出装置 |
JP2001338967A (ja) * | 2000-05-29 | 2001-12-07 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理装置 |
JP3634734B2 (ja) * | 2000-09-22 | 2005-03-30 | 株式会社日立製作所 | プラズマ処理装置および処理方法 |
JP2002151467A (ja) * | 2000-11-15 | 2002-05-24 | Nec Corp | 排ガス再利用装置及び排ガス再利用方法 |
US6791692B2 (en) * | 2000-11-29 | 2004-09-14 | Lightwind Corporation | Method and device utilizing plasma source for real-time gas sampling |
JP2003179035A (ja) * | 2001-12-13 | 2003-06-27 | Ulvac Japan Ltd | プラズマ応用機器におけるエンドポイント検出方法 |
JP2004039952A (ja) * | 2002-07-05 | 2004-02-05 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理装置の監視方法およびプラズマ処理装置 |
JP4385086B2 (ja) * | 2003-03-14 | 2009-12-16 | パナソニック株式会社 | Cvd装置のクリーニング装置およびcvd装置のクリーニング方法 |
-
2006
- 2006-11-10 JP JP2006305844A patent/JP5016294B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2007
- 2007-10-26 CN CNB2007101675381A patent/CN100543932C/zh not_active Expired - Fee Related
- 2007-11-08 KR KR1020070113701A patent/KR100938012B1/ko active IP Right Grant
- 2007-11-09 TW TW096142478A patent/TW200839869A/zh unknown
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2008124216A (ja) | 2008-05-29 |
TWI358768B (ja) | 2012-02-21 |
CN100543932C (zh) | 2009-09-23 |
KR20080042717A (ko) | 2008-05-15 |
CN101179008A (zh) | 2008-05-14 |
KR100938012B1 (ko) | 2010-01-21 |
TW200839869A (en) | 2008-10-01 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5016294B2 (ja) | 基板処理装置及び該装置の分析方法 | |
JP6033453B2 (ja) | 多変量解析を用いたプラズマエンドポイント検出 | |
US7813895B2 (en) | Methods for plasma matching between different chambers and plasma stability monitoring and control | |
EP0768525B1 (en) | Method of detecting a gas phase molecular species in the chamber effluent of a semiconductor processing chamber, and semiconductor processing system incorporating the same | |
US20100084544A1 (en) | Method and apparatus for calibrating optical path degradation useful for decoupled plasma nitridation chambers | |
US8393197B2 (en) | Method and apparatus for the measurement of atmospheric leaks in the presence of chamber outgassing | |
TWI296828B (ja) | ||
US7940395B2 (en) | Method and apparatus for identifying the chemical composition of a gas | |
USRE43652E1 (en) | Substrate processing control method and storage medium | |
US20060269691A1 (en) | Plasma treatment apparatus and plasma treatment method | |
US20060100825A1 (en) | Method of resetting substrate processing apparatus, storage medium storing program for implementing the method, and substrate processing apparatus | |
US7637143B2 (en) | Substrate processing apparatus and analysis method therefor | |
JPH11354509A (ja) | プラズマエッチングの終点検出方法及びプラズマエッチング装置 | |
TW201907150A (zh) | 半導體處理中自由基濃度之量測 | |
JP2006140237A (ja) | 基板処理装置の復帰方法、該装置の復帰プログラム、及び基板処理装置 | |
JP4220378B2 (ja) | 処理結果の予測方法および処理装置 | |
JP4792369B2 (ja) | 基板処理装置、及び基板処理の終点検出方法 | |
JP4544459B2 (ja) | パーティクル検出方法及びパーティクル検出プログラム | |
US20070004051A1 (en) | Processing method and device | |
US20050037500A1 (en) | Method and apparatus for detecting a leak of external air into a plasma reactor | |
JPH085555A (ja) | 元素分析用プラズマトーチ及びこれを用いた元素分析方法 | |
US20080090310A1 (en) | Substrate processing apparatus and substrate processing termination detection method | |
US20240192055A1 (en) | Methods for calibrating an optical emission spectrometer | |
WO2023223845A1 (ja) | 膜厚計測方法及び基板処理装置 | |
KR101939634B1 (ko) | 플라즈마 반응기 벽면 상태 진단 방법 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20090825 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20100210 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120313 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120514 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20120605 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20120608 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150615 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Ref document number: 5016294 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |