CN101179008A - 基板处理装置和该装置的分析方法 - Google Patents

Abstract

本发明提供能够正确地检知收容室内的状态的基板处理装置的分析方法。在处理模块(2)中，测定在腔室内零件即将更换前的导入腔室前的处理气体的发光强度(42)和通过腔室内后的处理气体的发光强度(43)，在腔室内零件刚更换后，导入腔室前的处理气体的发光强度(44)与发光强度(42)一致的情况下，测定通过腔室内后的处理气体的发光强度(45)，计算该发光强度(45)和发光强度(43)的变动量(47)，在对晶片(W)的等离子体处理开始后，测定通过腔室内后的处理气体的发光强度(48)，从该发光强度(48)之中除去所述发光强度的变动量(47)，计算真正反映腔室(10)内的状态的发光强度(49)，并由该发光强度(49)检知等离子体处理的终点。

Description

基板处理装置和该装置的分析方法

技术领域

本发明涉及基板处理装置和该装置的分析方法，特别是涉及用气体分析装置内的状态等的基板处理装置。

背景技术

在半导体晶片等的基板上实施等离子体处理的基板处理装置，包括收容基板的收容室(腔室)，通过在该腔室内产生的等离子体在基板上实施等离子体处理。在基板上实施适当的等离子体处理，重要的是检测腔室内的状态和等离子体处理的终点。

作为检测腔室内的状态和等离子体处理的终点的方法，已知有以下方法：在腔室的侧壁上嵌入有由石英玻璃构成的窗，以与该窗相对的方式配置有等离子体分光分析器，通过该分光分析器分光分析腔室内的等离子体发光(例如参照专利文献1)。

专利文献1：日本特开2004-319961号公报(段落0038)

发明内容

但是，腔室的窗存在随着时间的流逝变得模糊不清的情况。此外，经过规定的使用时间也有必要更换具有分光分析器的感光传感器，更换前的传感器和更换后的传感器在感光性能上存在个体差异。在分光分析器分光分析的结果中，包含这些腔室的窗的模糊不清和传感器的更换的影响。

此外，若更换腔室内的零件，例如屏蔽环和聚焦环，即使与即将更换前的方案(处理条件)相同，也存在即将更换前的等离子体发光的状态与刚更换后的等离子体发光的状态不同的情况。即，存在等离子体发光因腔室内的零件更换而受到影响的情况。因此，在分光分析器分光分析的结果中，也包含腔室内的零件更换的影响。

以上，分光分析器分光分析的结果不是纯粹地反映腔室内的状态，也反映其他的变动要因(腔室的窗的模糊不清、传感器的更换或腔室内的零件更换的影响)，因此不能正确地检知腔室内的状态。

本发明的目的在于提供能够正确地检知收容室内的状态的基板处理装置和该装置的分析方法。

为了达成上述目的，本发明第一方面的基板处理装置，其包括收容基板的收容室和向该收容室内导入气体的气体导入装置，上述收容室具有在上述基板上用上述气体实施规定的处理的处理空间，上述基板处理装置的特征在于，包括：分析导入上述收容室前的气体的导入前气体分析装置；分析通过上述处理空间后的气体的通过后气体分析装置；和根据导入上述收容室前的气体分析结果和通过上述处理空间后的气体分析结果来检知上述收容室内的状态的状态检知装置。该状态检知装置，对在多个上述基板上实施上述规定的处理之前的通过上述处理空间后的气体分析结果对导入上述收容室前的气体分析结果的比进行计算，对在多个上述基板上实施上述规定的处理之后的通过上述处理空间后的气体分析结果对导入上述收容室前的气体分析结果的比进行计算，以使得在上述多个上述基板上实施上述规定的处理之前的比与在上述多个上述基板上实施上述规定的处理之后的比相同的方式，计算用于对在上述多个上述基板上实施上述规定的处理之后的通过上述处理空间后的气体分析结果进行校正分析结果校正值，用该算出的分析结果校正值来校正通过上述处理空间后的气体分析结果。

本发明第二方面的基板处理装置，其特征在于：在本发明第一方面的基板处理装置中，上述状态检知装置根据上述校正过的通过上述处理空间后的气体分析结果来检测上述规定的处理的终点。

本发明第三方面的基板处理装置，其特征在于：在本发明第一方面或第二方面的基板处理装置中，具有对上述收容室内进行排气的排气系统，在上述排气系统上配置有上述通过后气体分析装置。

本发明第四方面的基板处理装置，其特征在于：在本发明第三方面的基板处理装置中，上述收容室具有防止上述处理空间的等离子体向下游流出的排气板，上述排气系统具有高分子真空泵，在上述排气板和上述高分子真空泵之间配置有上述通过后气体分析装置。

本发明第五方面的基板处理装置，其特征在于：在本发明第一方面或第二方面的基板处理装置中，在上述收容室上配置有上述通过后气体分析装置。

本发明第六方面的基板处理装置，其特征在于：在本发明第一方面～第五方面中任一方面的基板处理装置中，上述导入前气体分析装置和上述通过后气体分析装置的至少一方包括：引入气体的气体引入室；在该气体引入室内使等离子体产生的等离子体产生装置；对由上述等离子体激发的上述气体中的原子或分子的发光进行分光并测定发光强度的分光测定装置。

本发明第七方面的基板处理装置，其特征在于：在本发明第一方面～第五方面中任一方面的基板处理装置中，上述导入前气体分析装置和上述通过后气体分析装置的至少一方为质量分析器。

本发明第八方面的基板处理装置，其特征在于：在本发明第一方面～第五方面中任一方面的基板处理装置中，上述导入前气体分析装置和上述通过后气体分析装置的至少一方为傅里叶变换红外分光光度计。

本发明第九方面的基板处理装置，其特征在于：在本发明第一方面～第五方面中任一方面的基板处理装置中，上述导入前气体分析装置和上述通过后气体分析装置的至少一方包括：上述气体流动的气体管；在该气体管内使等离子体产生的等离子体产生装置；对上述气体管内的等离子体产生中心部的下游的余辉进行分光并测定发光强度的分光测定装置。

本发明第十方面的基板处理装置，其特征在于：在本发明第一方面～第九方面中任一方面的基板处理装置中，上述基板处理装置与将上述基板向该基板处理装置搬入搬出的基板搬送装置连接，该基板搬送装置具有分析该基板搬送装置内的气体的气体分析装置。

本发明第十一方面的基板处理装置，其特征在于：在本发明第十方面的基板处理装置中，上述基板搬送装置具有对该基板搬送装置内的气体进行排气的第二排气系统，上述气体分析装置配置在该第二排气系统上。

本发明第十二方面的基板处理装置，其特征在于：在本发明第十方面的基板处理装置中，上述基板搬送装置具有暂时收容上述基板的第二收容室，上述气体分析装置配置在上述第二收容室上。

为了达成上述目的，本发明第十三方面的基板处理装置，其包括收容基板的收容室和向该收容室内导入气体的气体导入装置，上述收容室具有在上述基板上用上述气体实施规定的处理的处理空间，上述基板处理装置的特征在于，包括：分析导入上述收容室前的气体的导入前气体分析装置；分析通过上述处理空间后的气体的通过后气体分析装置；和根据导入上述收容室前的气体分析结果和通过上述处理空间后的气体分析结果来检知上述收容室内的状态的状态检知装置。该状态检知装置，在上述收容室的维修保养前后的导入上述收容室前的气体分析结果相同的情况下，计算上述收容室的维修保养前后间的通过上述处理空间后的气体分析结果的变动量，用该算出的变动量来校正通过上述处理空间后的气体分析结果。

本发明第十四方面的基板处理装置，其特征在于：在本发明第十三方面的基板处理装置中，部件更换、部件清洗或上述收容室的干洗相当于上述收容室的维修保养。

为了达成上述目的，本发明第十五方面的基板处理装置的分析方法，上述基板处理装置包括收容基板的收容室和向该收容室内导入气体的气体导入装置，上述收容室具有在上述基板上用上述气体实施规定的处理的处理空间，上述分析方法的特征在于，包括：分析导入上述收容室前的气体的导入前气体分析步骤；分析通过上述处理空间后的气体的通过后气体分析步骤；和根据导入上述收容室前的气体分析结果和通过上述处理空间后的气体分析结果来检知上述收容室内的状态的状态检知步骤。该状态检知步骤，对在多个上述基板上实施上述规定的处理之前的通过上述处理空间后的气体分析结果对导入上述收容室前的气体分析结果的比进行计算，并对在多个上述基板上实施上述规定的处理之后的通过上述处理空间后的气体分析结果对导入上述收容室前的气体分析结果的比进行计算，以使得在上述多个上述基板上实施上述规定的处理之前的比与在上述多个上述基板上实施上述规定的处理之后的比相同的方式，计算用于对在上述多个上述基板上实施上述规定的处理之后的通过上述处理空间后的气体分析结果进行校正的分析结果校正值，用该算出的分析结果校正值来校正通过上述处理空间后的气体分析结果。

本发明第十六方面的基板处理装置的分析方法，其特征在于：在本发明第十五方面的基板处理装置中，在上述状态检知步骤中，根据上述校正过的通过上述处理空间后的气体分析结果来检测上述规定的处理的终点。

为了达成上述目的，本发明第十七方面的基板处理装置的分析方法，上述基板处理装置包括收容基板的收容室和向该收容室内导入气体的气体导入装置，上述收容室具有在上述基板上用上述气体实施规定的处理的处理空间，上述分析方法的特征在于，包括：分析导入上述收容室前的气体的导入前分析步骤；分析通过上述处理空间后的气体的通过后气体分析步骤；和根据导入上述收容室前的气体分析结果和通过上述处理空间后的气体分析结果来检知上述收容室内的状态的状态检知步骤。在该状态检知步骤中，在上述收容室的维修保养前后的导入上述收容室前的气体分析结果相同的情况下，计算上述收容室的维修保养前后间的通过上述处理空间后的气体分析结果的变动量，用该算出的变动量来校正通过上述处理空间后的气体分析结果。

本发明第十八方面的基板处理装置的分析方法，其特征在于：在本发明第十七方面的基板处理装置中，部件更换、部件清洗或上述收容室的干洗相当于上述收容室的维修保养。

根据本发明第一方面的基板处理装置和本发明第十五方面的基板处理装置的分析方法，对在多个基板上实施规定的处理之前的通过处理空间后的气体分析结果对导入收容室前的气体分析结果的比进行计算，并对在多个基板上实施规定的处理之后的通过处理空间后的气体分析结果对导入收容室前的气体分析结果的比进行计算，以使得在多个基板上实施规定的处理之前的比与在多个基板上实施规定的处理之后的比相同的方式，计算用于对在多个基板上实施规定的处理之后的通过处理空间后的气体分析结果进行校正的分析结果校正值，用该算出的分析结果校正值来校正通过处理空间后的气体分析结果，检知收容室内的状态。分析结果的校正值与分析导入收容室前的气体的导入前气体分析装置的劣化的影响和导入的气体的波动的影响相对应。因此，能够从通过处理空间后的气体分析结果中除去导入前气体分析装置的劣化的影响和气体的波动的影响，能够使气体分析结果仅反映收容室内的状态。其结果，能够正确地检知收容室内的状态。

根据本发明第二方面的基板处理装置和本发明第十六方面的基板处理装置的分析方法，根据校正过的通过处理空间后的气体分析结果检测规定的处理的终点。因为校正过的通过处理空间后的气体分析结果仅反映收容室内的状态，所以能够正确地检测规定的处理的终点。

根据本发明第三方面的基板处理装置，在对收容室内的气体进行排气的排气系统上配置有通过后气体分析装置。由此，能够将通过后气体分析装置从收容室内隔离，从而能够防止在通过后气体分析装置中的分析处理受到收容室内的规定的处理等的影响。

根据本发明第四方面的基板处理装置，在防止收容室中的处理空间的等离子体向下游流出的排气板与排气系统中的高分子真空泵之间配置有通过后气体分析装置。高分子真空泵为了进行排气，有必要向该泵的下游供给氮气，但因为通过后气体分析装置配置在高分子真空泵的上游，所以在通过处理空间后的气体分析结果中不反映供给的氮气的影响，另外因为通过后气体分析装置配置在排气板的下游，所以在通过处理空间后的气体分析结果中不反映等离子体的影响。因此，能够更正确地检知收容室内的状态。

根据本发明第五方面的基板处理装置，在收容室上配置有通过后气体分析装置。由此，通过后气体分析装置能够容易地引入收容室内的气体，其结果，能够更容易地检知收容室内的状态。

根据本发明第六方面的基板处理装置，产生激发气体中的原子或分子的等离子体，对由该等离子体激发的气体中的原子或分子的发光进行分光并测定发光强度。因此，能够从发光强度测定气体的原子浓度或分子浓度，从而能够正确地进行气体分析。

根据本发明第七方面的基板处理装置，用质量分析器能够更正确地进行气体分析。

根据本发明第八方面的基板处理装置，用傅里叶变换红外分光光度计能够更正确地进行气体分析。

根据本发明第九方面的基板处理装置，对气体管中的等离子体产生中心部的下游的余辉进行分光并测定发光强度。因此，能够正确地测定发光强度，并且不必要引入气体的引入室，因此能够以廉价的结构进行气体分析。

根据本发明第十方面的基板处理装置，分析与基板处理装置连接的基板搬送装置内的气体，因此能够检知基板搬送装置内的状态。

根据本发明第十一方面的基板处理装置，在对基板搬送装置内的气体进行排气的第二排气系统上配置有气体分析装置。由此，能够将气体分析装置从基板搬送装置内隔离，从而能够防止在气体分析装置中的分析处理对基板处理装置内的影响。

根据本发明第十二方面的基板处理装置，气体分析装置配置在基板搬送装置的第二收容室上。由此，气体分析装置能够容易地引入第二收容室内的气体，其结果，能够容易地检知第二收容室内的状态。

根据本发明第十三方面的基板处理装置和本发明第十七方面的基板处理装置的分析方法，在收容室的维修保养前后的导入收容室前的气体分析结果相同的情况下，计算收容室的维修保养前后间的通过处理空间后的气体分析结果的变动量，用该算出的变动量来校正通过处理空间后的气体分析结果，检知收容室内的状态。在收容室的维修保养前后的导入收容室前的气体分析结果相同的情况下，收容室的维修保养前后间的通过处理空间后的气体分析结果的变动量与传感器的更换和收容室内的零件更换的影响相对应。因此，通过用算出的变动量来校正通过处理空间后的气体分析结果，能够使气体分析结果仅反映收容室内的状态，其结果，能够正确地检知收容室内的状态。

附图说明

图1为表示适用本发明的第一实施方式涉及的基板处理装置的基板处理系统的概略结构的截面图。

图2为表示图1中的通过处理空间后气体分析单元等的概略结构的模式图。

图3为作为本实施方式涉及的基板处理装置的分析方法的等离子体处理终点检知方法的流程图。

图4为用于说明本发明的第二实施方式涉及的基板处理装置的处理气体的发光强度的校正方法的图，图4(A)为表示通过处理空间的处理气体的发光强度因腔室内零件更换而引起的变动部分的图，图4(B)为表示使用图4(A)中的变动部分得到的校正后的处理气体的发光强度的图。

图5为作为本实施方式涉及的基板处理装置的分析方法的等离子体处理终点检知方法的流程图。

图6为表示图2的通过处理空间后气体分析单元等的变形例的概略结构的模式图。

符号说明

S  处理空间

W  晶片

1  基板处理系统

2  处理模块

5  负载锁定模块(load lock module)

13 整流环

14 歧管(manifold)

16 TMP

23 处理气体导入管

32 负载锁定模块排气系统

34 通过处理空间后气体分析单元

35 导入前气体分析单元

36 负载锁定模块气体分析单元

37 副腔室

39 高频电源

40 观测窗

41 分光分析器

具体实施方式

下面，参照附图对本发明的实施方式进行说明。

首先，对适用本发明的第一实施方式涉及的基板处理装置的基板处理系统进行说明。

图1为表示适用本实施方式涉及的基板处理装置的基板处理系统的概略结构的截面图。

在图1中，基板处理系统1包括：对作为基板的半导体用晶片W(以下简称“晶片W”)单片地实施成膜处理、扩散处理、蚀刻处理等各种等离子体处理的处理模块2(基板处理装置)；从容纳规定片数的晶片W的晶片盒3中取出晶片W的装载模块(loader module)4；和配置在该装载模块4和处理模块2之间，从装载模块4向处理模块2，或者从处理模块2向装载模块4搬送晶片W的负载锁定模块5(基板搬送装置)。

处理模块2和负载锁定模块5的内部为可真空吸引的结构，平时将装载模块4的内部维持在大气压。此外，处理模块2与负载锁定模块5，以及负载锁定模块5与装载模块4分别通过闸阀6、7连接。此外，负载锁定模块5的内部和装载模块4的内部，通过在途中配置有自由开闭的阀8的连通管9而连通。

处理模块2具有金属制例如铝或不锈钢制的圆筒型腔室10(收容室)，在该腔室10内，配置有例如作为载置直径为300mm的晶片W的载置台的圆柱形的基座11。

在腔室10的侧壁和基座11之间，形成有作为将后面阐述的处理空间S的气体向腔室10的外部排出的流路而发挥作用的排气通路12。在该排气通路12的途中配置有环状的整流环13(排气板)，作为与排气通路12的整流环13相比的下游的空间的歧管14，与作为可变式蝶阀的自动压力控制阀(Automatic Pressure Control Value)(下面称“APC阀”)15连通。APC阀15与作为真空吸引用的排气泵的涡轮分子泵(下面称“TMP”)16连接。在此，整流环13防止在处理空间S内产生的等离子体流出到歧管14。APC阀15进行腔室10内的压力控制，TMP16对腔室10内进行减压，使其为几乎真空状态为止。歧管14、APC阀15和TMP16构成处理模块排气系统。在该处理模块排气系统中，在歧管14上连接有后面阐述的通过处理空间后气体分析单元34(通过后气体分析装置)。

基座11上通过匹配器18连接有高频电源17，高频电源17向基座11供给高频电力。由此，基座11作为下部电极发挥作用。此外，匹配器18降低来自基座11的高频电力的反射，使该高频电力向基座11的供给效率最大。

在基座11上，配置有用于利用库伦力或约翰逊-拉别克(Johnsen-Rahbek)力吸附晶片W的电极板(未图示)。由此，晶片W被吸附保持在基座11的上面。此外，在基座11的上部配置有由硅(Si)等构成的圆环状的聚焦环19，该聚焦环19使在基座11和后面阐述的喷头20之间的处理空间S内产生的等离子体向晶片W收聚。

此外，在基座11的内部设置有环状的冷媒室(未图示)。在该冷媒室中，循环供给规定温度的冷媒，例如冷却水，利用该冷媒的温度调整基座11上的晶片W的处理温度。而且，向晶片W和基座11之间供给氦气，该氦气将晶片W的热量传导至基座11。

在腔室10的顶部设置有圆板状的喷头20。喷头20通过匹配器22与高频电源21连接，高频电源21向喷头20供给高频电力。由此，喷头20作为上部电极发挥作用。其中，匹配器22的功能和匹配器18的功能相同。

此外，喷头20与供给处理气体，例如CF系的气体和其他种类的气体的混合气体的处理气体导入管23连接，喷头20将从处理气体导入管23供给的处理气体导入到处理空间S。在该处理气体导入管23上连接有后面阐述的导入前气体分析单元35(导入前气体分析装置)。

在该处理模块2的腔室10内的处理空间S中，被供给高频电力的基座11和喷头20向处理空间S施加高频电力，使处理空间S中由处理气体产生高密度的等离子体。产生的等离子体，通过聚焦环19被收聚在晶片W的表面，例如对晶片W的表面进行物理的或化学的蚀刻。

装载模块4具有载置晶片盒3的晶片盒载置台24和搬送室25。晶片盒3等间距地多段地载置并收容例如25片晶片W。此外，搬送室25为长方体的箱状物，在其内部具有搬送晶片W的分级式(scalar type)的搬送臂26。

搬送臂26具有可伸缩构成的多关节状的搬送臂腕部27和安装在该搬送臂腕部27的前端的拾取器28，该拾取器28以直接载置晶片W的方式构成。搬送臂26以自由旋转的方式构成，并且利用搬送臂腕部27自由弯曲，因此能够在晶片盒3和负载锁定模块5之间自由地搬送载置在拾取器28上的晶片W。

负载锁定模块5包括：配置有构成为伸缩和旋转自由的移载臂29的腔室30(第二收容室)、向该腔室30内供给氮气的氮气供给系统31、和对腔室30内进行排气的负载锁定模块排气系统32。在该负载锁定模块排气系统32上连接有后面阐述的负载锁定模块气体分析单元36(气体分析装置)。在此，移载臂29为由多个腕部构成的分级式的搬送臂，其具有安装在其前端的拾取器33，该拾取器33以直接载置晶片W的方式构成。

在将晶片W从装载模块4向处理模块2搬入的情况下，打开闸阀7时，移载臂29从搬送室25内的搬送臂26接收晶片W，打开闸阀6时，移载臂29进入到处理模块2的腔室10内，将晶片W载置在基座11上。此外，在将晶片W从处理模块2向装载模块4搬入的情况下，打开闸阀6时，移载臂29进入到处理模块2的腔室10内，从基座11接收晶片W，打开闸阀7时，移载臂29向搬送室25内的搬送臂26交接晶片W。

通过作为基板处理系统1具备的控制装置的计算机(状态检知装置)(未图示)、或作为与基板处理系统1连接的控制装置的外部服务器(状态检知装置)(未图示)等，控制构成基板处理系统1的处理模块2、装载模块4和负载锁定模块5的各构成要素的动作。此外，通过处理空间后气体分析单元34、导入前气体分析单元35和负载锁定模块气体分析单元36与上述计算机或外部服务器连接。

图2为表示图1中的通过处理空间后气体分析单元等的概略结构的模式图。其中，通过处理空间后气体分析单元34、导入前气体分析单元35和负载锁定模块气体分析单元36具有相同的结构，因此下面对导入前气体分析单元35的结构进行说明。

在图2中，导入前气体分析单元35包括：引入流经处理气体导入管23的处理气体的副腔室37(气体引入室)、缠绕在该副腔室37的周围的线圈38、与线圈38连接的高频电源39(等离子体产生装置)；嵌入在副腔室37的壁面上的由石英玻璃构成的观测窗40、与该观测窗40相对配置的分光分析器41(分光测定装置)、向副腔室37内供给氩气的气体供给装置(未图示)、和对副腔室37内进行排气的排气装置(未图示)。

在导入前气体分析单元35中，高频电源39为了使副腔室37内产生等离子体，在线圈38中流过高频电流，从副腔室37内的氩气产生等离子体。该产生的等离子体激发副腔室37内的处理气体中的原子或分子，使原子或分子发光。分光分析器41隔着观测窗40感光原子或分子的发光，将该发光分光并测定原子或分子的发光强度，基于该测定的发光强度测定处理气体的原子浓度或分子浓度。即，导入前气体分析单元35测定流经处理气体导入管23的处理气体(导入收容室前的气体)中的原子浓度或分子浓度。

此外，通过处理空间后气体分析单元34和负载锁定模块气体分析单元36，由于具有与导入前气体分析单元35相同的结构，分别测定通过处理空间S流经歧管14的处理气体(通过处理空间后的气体)中的原子浓度或分子浓度，测定流经负载锁定模块排气系统32的气体(基板搬送装置内的气体)中的原子浓度或分子浓度。

然而，在处理模块2中通过处理空间S的处理气体，根据处理空间S的状态，乃至腔室10内的状态，某特定的气体(例如CF系的气体)等离子化而被消耗等，使构成该处理气体的各种气体的质量比等发生变化。其结果，在通过处理空间S的处理气体中构成各种气体的原子浓度或分子浓度也发生变化。因此，通过分析通过处理空间S的处理气体并测定该处理气体的浓度，能够检知腔室10内的状态。

但是，如果更换配置在腔室10内的零件(下面称“腔室内零件”)，即使为相同的等离子体处理条件，也存在处理空间S的等离子体状态不同于零件即将更换前的等离子体状态，各种气体的消耗形态发生变化的情况。因此，即使为相同的等离子体处理条件，在腔室内零件即将更换前和刚更换后，存在通过处理空间S的处理气体的原子浓度或分子浓度发生变化的情况。换言之，通过处理空间S的处理气体的原子浓度或分子浓度因腔室内零件的更换而受到影响。其结果，通过处理空间后气体分析单元34在通过处理空间S的处理气体的发光强度中，包含腔室内零件的更换的影响。

此外，在通过处理空间后气体分析单元34中，为了检知等离子体处理的终点等，在腔室10的整个等离子体处理中测定通过处理空间S的处理气体的原子或分子的发光强度。即，有必要长时间使副腔室37内产生等离子体，因此多少由等离子体等在观测窗40上产生模糊不清。此外，分光分析器41的传感器在经过规定的使用时间后也有必要进行更换。因此，在通过处理空间后气体分析单元34测定的发光强度中，包含观测窗40的模糊不清和传感器更换的影响。

然后，为了正确地检知腔室10内的状态，有必要从分光分析器41测定的发光强度之中除去上述的腔室内零件的更换、观测窗40的模糊不清和传感器更换的影响。

另一方面，在导入前气体分析单元35中，因为不过是检知被导入处理空间S的处理气体的成分等，所以仅进行短时间的发光强度的测定。即，在副腔室37内产生等离子体的时间为短时间，因此不存在经过长时间在观测窗40上产生模糊不清，也没必要更换分光分析器41的传感器。因此，导入前气体分析单元35测定的发光强度，几乎不含观测窗40的模糊不清和传感器更换的影响，能经过长时间作为基准值有效地利用。

在本实施方式涉及的基板处理装置中，与此相对应，用导入前气体分析单元35的流经气体导入管23的处理气体的发光强度，来校正通过处理空间后气体分析单元34的通过处理空间S的处理气体的发光强度。

首先，设想在腔室10中连续对多个晶片W实施等离子体处理的情况，对在该情况下的本实施方式涉及的基板处理装置的处理气体的发光强度的校正方法进行说明。

在本实施方式中，设想在对多个晶片W连续实施等离子体处理中，通过处理空间后气体分析单元34测定的通过处理空间S的处理气体的原子或分子的发光强度的结果是，在观测窗40上产生模糊不清的情况。

在上述这种状况下，随着时间的流逝在观测窗40上产生模糊不清，因此在通过处理空间后气体分析单元34所测定的发光强度(下面称“通过处理空间后发光强度”)中，确实包含观测窗40的模糊不清的影响。

此外，在通过处理空间后气体分析单元34的观测窗40上产生模糊不清的这样的长时间下，存在因被导入处理空间S的处理气体的成分或导入量的波动而多少引起变化的情况，在通过处理空间后发光强度中，不仅包含观测窗40的模糊不清的影响，还有可能包含被导入处理空间S的处理气体的成分等的波动(下面称“处理气体的波动”)的影响。其中，处理气体的波动的影响与在上述长时间的前后的导入前气体分析单元35所测定的发光强度(下面称“导入前发光强度”)相对应。

在本实施方式中，为了除去观测窗40的模糊不清的影响和处理气体的波动的影响，利用在规定片数的晶片W的等离子体处理前后的导入前发光强度和通过处理空间后发光强度。

具体地说，首先，在某一片晶片W的等离子体处理开始时，测定与某波长对应的导入前发光强度和通过处理空间后发光强度，并将通过处理空间后发光强度对导入前发光强度的比(下面称“初期强度比”)设定为初期值。

接着，在多片晶片W的等离子体处理后，测定与上述某波长对应的导入前发光强度和通过处理空间后发光强度，计算通过处理空间后发光强度对导入前发光强度的比(下面称“经时强度比”)。此时，存在在通过处理空间后气体分析单元34中产生观测窗40的模糊不清，并且被导入处理空间S的处理气体的成分等多少发生变化的可能性，因此经时强度比与初期强度比不同。在此，计算用于校正在多片晶片W的等离子体处理后的通过处理空间后发光强度的校正值(下面称“通过处理空间后发光强度校正值”)，以使得初期强度比与经时强度比变为相同。

经时强度比与初期强度比的差的主要原因是观测窗40的模糊不清的影响和处理气体的波动的影响，但通过用通过处理空间后发光强度校正值能使经时强度比变为和初期强度比相同，因此通过处理空间后发光强度校正值与观测窗40的模糊不清的影响和处理气体的波动的影响相对应。而且，通过以通过处理空间后发光强度校正值校正通过处理空间后发光强度，能够在以后的观测中除去观测窗40的模糊不清的影响和处理气体的波动的影响。

其中，上述初期强度比和经时强度比的比较，以及通过处理空间后发光强度校正值的计算关于各波长而进行。

然后，在与进行腔室10内的状态的检知的情况相对应的等离子体处理条件下，测定通过处理空间后发光强度。该通过处理空间后发光强度包含观测窗40的模糊不清的影响和处理气体的波动的影响，但通过以通过处理空间后发光强度校正值校正通过处理空间后发光强度，能够除去观测窗40的模糊不清的影响和处理气体的波动的影响，能够求得真正反映腔室10内的状态的发光强度。

其中，已知基于真正反映腔室10内的状态的发光强度能够进行以下的检知、推定。由接收到来自通过处理空间后气体分析单元34和导入前气体分析单元35的发光强度的电信号的计算机或外部服务器执行以下的检知、推定。

·腔室10内的沉积物(デポ)成分的推定

·腔室10内的沉积物量的推定

·蚀刻处理的终点的检知

·风干(seasoning)处理的终点的检知

·大气泄漏的检知

·氦气泄漏的检知

·腔室10内的水分的检知

·腔室10内的污染的检知

·处理参数的变化预测、异常检知

·晶片W的特性的预测、异常检知

·腔室内零件的消耗量的推定

·腔室10的个体差异和处理模块2的个体差异的诊断。

接着，用上述的发光强度的校正方法对作为本实施方式的基板处理装置的分析方法的等离子体终点检知方法进行说明。以下，也设想在连续的多个晶片W的等离子体处理中，通过处理空间后气体分析单元34所测定的通过处理空间S的处理气体的原子或分子的发光强度的结果是，在观测窗40上产生模糊不清的情况。

图3为作为本实施方式涉及的基板处理装置的分析方法的等离子体处理终点检知方法的流程图。

在图3中，首先，在某一片晶片W的等离子体处理开始时，测定与各波长对应的导入前发光强度和通过处理空间后发光强度，并设定这些初期强度比(步骤S301)。

接着，对多片晶片W进行等离子体处理(步骤S302)，其后测定与各波长对应的导入前发光强度和通过处理空间后发光强度，计算这些的经时强度比(步骤S303)，然后，关于各波长进行上述的初期强度比和经时强度比的比较，和通过处理空间后发光强度校正值的计算(步骤S304)。

接着，在与进行腔室10内的状态的检知的情况相对应的等离子体处理条件下，开始等离子体处理(步骤S305)，测定与各波长对应的通过处理空间后发光强度(步骤S306)，通过以算出的通过处理空间后发光强度校正值来校正该通过处理空间后发光强度(步骤S307)，由此关于各波长计算真正反映腔室10内的状态的发光强度。

接着，基于该发光强度检知等离子体处理的终点(步骤S308)，结束本处理。

根据图3的处理，测定在多片晶片W的等离子体处理前后的导入前发光强度和通过处理空间后发光强度，计算通过处理空间后发光强度校正值，以算出的通过处理空间后发光强度校正值来校正通过处理空间后发光强度。通过处理空间后发光强度校正值，如上所述，因为与观测窗40的模糊不清的影响和处理气体的波动的影响相对应，由此能够从通过处理空间后发光强度中除去观测窗40的模糊不清的影响和处理气体的波动的影响，计算真正反映腔室10内的状态的发光强度。其结果，能够正确地检知腔室10内的状态，能够正确地检测等离子体处理的终点。

接下来，对适用本发明第二实施方式涉及的基板处理装置的基板处理系统进行说明。

本实施方式，其结构和作用与上述的第一实施方式概念性地相同，仅设想的情况不同。因此，省略说明同样的结构，以下仅对与第一实施方式不同的结构和作用进行说明。

在本实施方式中，仅设想腔室内的零件的即将更换前、刚更换后的情况(收容室的维修保养前后)，不设想观测窗40的模糊不清的产生前后和分光分析器41的传感器更换前后的情况。以下，对上述情况中的本实施方式涉及的基板处理装置的处理气体的发光强度的校正方法进行说明。

图4为用于说明本实施方式涉及的基板处理装置的处理气体的发光强度的校正方法的图，图4(A)为表示因通过处理空间的处理气体的发光强度的腔室内零件更换而引起的变动部分的图，图4(B)为表示用图4(A)中的变动部分得到的校正后的处理气体的发光强度的图。

如图4(A)所示，首先，在腔室内零件的即将更换前，使处理空间S内产生等离子体，利用导入前气体分析单元35测定流经处理气体导入管23的处理气体的发光强度42，并且利用通过处理空间后气体分析单元34测定通过处理空间S的处理气体的发光强度43。

然后，在腔室内零件的刚更换后，利用导入前气体分析单元35测定流经处理气体导入管23的处理气体的发光强度44，兵器利用通过处理空间后气体分析单元34测定通过处理空间S的处理气体的发光强度45。

在此，因为流经处理气体导入管23的处理气体未通过处理空间S，所以流经处理气体导入管23的处理气体的原子浓度或分子浓度不受腔室内零件的更换而带来的影响。因此，在发光强度44与发光强度42相同的情况下，一定是腔室内零件的刚更换后的等离子体处理条件与腔室内零件的即将更换前的等离子体处理条件相一致的情况。此外，在发光强度44与发光强度42不相同的情况下，相当于被导入处理空间S的处理气体的成分或导入量发生异常的情况，或是在导入前气体分析单元35中的分光分析器41发生故障的情况。

在发光强度44与发光强度42相同的情况下，利用通过处理空间后气体分析单元34测定的腔室内零件刚更换后的发光强度45与腔室内零件即将更换前的发光强度43的差值，由于在腔室内零件的即将更换前、刚更换后，几乎不能发生通过处理空间后气体分析单元34的经时变化(观测窗40的模糊不清和分光分析器41的传感器更换)，因此是与由腔室内零件更换的影响相对应的变动量47。即，在利用导入前气体分析单元35测定的发光强度44和发光强度42相同的情况下，能够求得与腔室内零件更换带来的影响相对应的发光强度的变动量47。

然后，如4(B)所示，在与进行腔室10内的状态的检知的情况相对应的等离子体处理条件下，利用通过处理空间气体分析单元34测定通过处理空间S的处理气体的发光强度48。由于该发光强度48包括与腔室内零件更换带来的影响相对应的发光强度的变动量47，因此通过从发光强度48之中除去上述发光强度的变动量47，能够求得真正反映腔室10内的状态的发光强度49。

即使在进行过分光分析器41的传感器更换的情况下，通过测定传感器即将更换前、刚更换后的发光强度42、43、44、45，同样能求得与这些的影响相对应的发光强度的变动量47。其结果，能够求得真正反映腔室10内的状态的发光强度49。

接着，对作为使用上述发光强度的校正方法的本实施方式涉及的基板处理装置的分析方法的等离子体处理终点检知方法进行说明。以下也仅设想腔室内的零件即将更换前、刚更换后的情况，不设想观测窗40的模糊不清产生前后和分光分析器41的传感器更换前后的情况。

图5为作为本实施方式涉及的基板处理装置的分析方法的等离子体处理终点检知方法的流程图。

在图5中，首先，在腔室内零件的即将更换前使处理空间S内产生等离子体，利用导入前气体分析单元35测定流经处理气体导入管23的处理气体的发光强度42，并且利用通过处理空间后气体分析单元34测定通过处理空间S的处理气体的发光强度43(步骤S501)。

接着，更换腔室内零件(例如屏蔽环或聚焦环19)(步骤S502)，紧接其后使处理空间S内产生等离子体，利用导入前气体分析单元35测定流经处理气体导入管23的处理气体的发光强度44(步骤S503)。

接着，判定在步骤S503中测定的发光强度44与在步骤S501中测定的发光强度42是否一致(步骤S504)，在不一致的情况下，将其作为被导入处理空间S的处理气体相关的异常或其中的分光分析器41发生故障而结束本处理，在一致的情况下，利用通过处理空间后气体分析单元34测定通过处理空间S的处理气体的发光强度45(步骤S505)，计算该测定的发光强度45与在步骤S501中测定的发光强度43的差值(步骤S506)。如上述那样，该差值为与腔室内零件更换带来的影响相对应的变动量47。

接着，在腔室10内收容晶片W，在规定的等离子体处理条件下开始对晶片W的等离子体处理(步骤S507)，利用通过处理空间后气体分析单元34测定通过处理空间S的处理气体的发光强度48(步骤S508)，通过从该发光强度48之中除去上述发光强度的变动量47(步骤S509)，计算真正反映腔室10内的状态的发光强度49。

接着，基于该发光强度49检知等离子体处理的终点(步骤S510)，结束本处理。

根据图5的处理，在腔室内零件的即将更换前、刚更换后所测定的流经处理气体导入管23的处理气体的发光强度42、44一致的情况下，计算在腔室内零件的即将更换前、刚更换后的通过处理空间S的处理气体的发光强度43、45的变动量47，从晶片W的等离子体处理中的通过处理空间S的处理气体的发光强度48中除去上述变动量47，计算真正反映腔室10内的状态的发光强度49。

在腔室内零件的即将更换前、刚更换后所测定的发光强度42、44一致的情况下，利用通过处理空间后气体分析单元34测定的腔室内零件刚更换后的发光强度45与腔室内零件即将更换前的发光强度43之间的变动量47，与腔室内零件更换的影响相对应。因此，通过从在晶片W的等离子体处理中测定的发光强度48之中除去上述变动量47，能够计算真正反映腔室10内的状态的发光强度49，其结果，能够正确地检知腔室10内的状态，能够正确地检测等离子体处理的终点。

此外，即使在进行过分光分析器41的传感器更换的情况下、在进行过腔室内零件的清洗的情况下、或进行过腔室10内的干洗的情况下，根据图5的处理也能够求得真正反映腔室10内的状态的发光强度49，能够正确地检知腔室10内的状态。

在上述的图1的基板处理系统1中，处理模块排气系统中的歧管14与通过处理空间后气体分析单元34连接。由此，能够将通过处理空间后气体分析单元34从腔室10内隔离，从而能够防止通过处理空间后气体分析单元34的分析处理，例如等离子体的产生处理影响腔室10内的等离子体处理等。

此外，连接通过处理空间后气体分析单元34的歧管14，在处理模块排气系统中，为较整流环13的下游的空间，较TMP16的上游的空间。TMP16为了进行排气有必要向该TMP16的下游供给氮气，但因为通过处理空间后气体分析单元34配置在TMP16的上游，所以在作为通过处理空间S的处理气体的原子浓度或分子浓度而测定的发光强度48中不反映供给的氮气的影响，此外，因为通过处理空间后气体分析单元34配置在整流环13的下游，所以在上述发光强度48中不反映等离子体的影响。因此，能够更正确地检知腔室10内的状态。

此外，在通过处理空间后气体分析单元34和导入前气体分析单元35中，在副腔室37内产生等离子体，该产生的等离子体激发从歧管14或处理气体导入管23引入的处理气体中的原子或分子，使原子或分子发光，分光该发光并测定原子或分子的发光强度。因此，能够测定处理气体的原子浓度或分子浓度。

因为用于使通过处理空间后气体分析单元34或导入前气体分析单元35中产生等离子体所必要的高频电力弱，例如为几瓦特的程度，因此难以产生观测窗40的模糊不清或劣化。因此，通过使用通过处理空间后气体分析单元34等，能够正确地测定原子或分子的发光强度。

此外，在通过处理空间后气体分析单元34或导入前气体分析单元35中，由于副腔室37内利用排气装置进行排气，因此能够防止分光分析的处理气体滞留在副腔室37内，从而能够更正确地测定在处理气体中的原子或分子的发光强度。

再者，由于通过处理空间后气体分析单元34等的分光分析所需要的时间没必要与腔室10内的等离子体处理所需要的时间相同，因此能够将副腔室37内发生等离子体的时间抑制为必要的最小限度，能够将线圈38中流经高频电流的时间抑制为必要的最小限度。

此外，在上述基板处理系统1中，负载锁定模块5的腔室30内的气体流经负载锁定模块5的负载锁定模块排气系统32，负载锁定模块气体分析单元36引入流经负载锁定模块排气系统32的气体，根据该气体中的原子或分子的发光强度来测定气体的原子浓度或分子浓度。腔室30内的气体的原子浓度或分子浓度反映腔室30内的状态。因此，能够检知负载锁定模块5的腔室30内的状态。

此外，可知根据腔室30内的气体的发光强度能够进行以下的检知、推定。接收来自负载锁定模块气体分析单元36的上述发光强度的电信号的计算机或外部服务器执行以下的检知、推定。

·从处理模块2向负载锁定模块5的腔室30流入的处理气体的成分、浓度的检测

·吸附在等离子体处理前的晶片W上的吸附物的成分的检测

·来自晶片W的水分和处理气体(例如CF系气体)的吹扫(purge)的终点的检测

·大气泄漏等的检知

此外，负载锁定模块气体分析单元36与负载锁定模块排气系统32连接。由此，能够将负载锁定模块气体分析单元36从腔室30内隔离，从而能够防止负载锁定模块气体分析单元36中的分析处理对负载锁定模块5的腔室30内产生影响。

在上述基板处理系统1中，通过处理空间后气体分析单元34与歧管14连接，但是与通过处理空间后气体分析单元34连接的地方并不限定于此，可以是处理模块排气系统的任何地方，并且，也可与腔室10连接。由此，通过处理空间后气体分析单元34能容易地引入通过处理空间S的处理气体，其结果，能够容易地检知腔室10内的状态。

此外，负载锁定模块气体分析单元36与负载锁定模块排气系统32连接，但负载锁定模块气体分析单元36也可与腔室30连接。由此，负载锁定模块气体分析单元36能容易地引入腔室30内的气体，其结果，能够容易地检知腔室30内的状态。

上述通过处理空间后气体分析单元34、导入前气体分析单元35和负载锁定模块气体分析单元36具备在内部使等离子体产生的副腔室37，但通过处理空间后气体分析单元34等的结构并不限定于此。作为通过处理空间后气体分析单元34，也可使用气体的质量分析器或傅里叶变换红外分光光度计(FTIR)，由此，能够更好精度地测定处理气体和腔室30内的气体的原子浓度或分子浓度。

此外，通过处理空间后气体分析单元34也可以不具有副腔室而使等离子体产生。具体地说，如图6所示，通过处理空间后气体分析单元34’包括：流动处理气体的弯曲状的曲管50(气体管)(例如处理模块排气系统的一部分)、在该曲管50内使等离子体产生的等离子体产生装置51、嵌入在曲管50的壁面的由石英玻璃构成的观测窗52、和相对该观测窗52配置的分光分析器53(分光测定装置)。

在该通过处理空间后气体分析单元34’中，分光分析器53隔着观测窗52接收并且分光曲管50中的等离子体产生中心部50a的下游的余辉，测定发光强度。然后，基于该测定的结果测定气体的原子浓度或分子浓度。

利用通过处理空间后气体分析单元34’，分光曲管50中的等离子体产生中心部50a的下游的余辉，测定发光强度。因此，能够正确地测定发光强度，同时由于不需要引入处理气体的副腔室，因此能够以廉价的结构进行处理气体分析。此外，导入前气体分析单元35或负载锁定模块气体分析单元36也可以具有与通过处理空间后气体分析单元34’同样的结构。

此外，也能够在装载模块4或晶片盒3内的状态的检知中使用具有与负载锁定模块气体分析单元36同样的结构的气体分析单元。

使用上述发光强度的校正方法的本实施方式涉及的基板处理装置的分析方法，适用于等离子体的终点检知，但适用的终点检知的对象并不限定于此，也可以为COR(Chemical Oxide Remove)处理或PHT(Post Heat Treatment)处理。

此外，通过向计算机或外部服务器供给存储有实现上述实施方式的功能的软件的程序代码的存储介质，由计算机等的CPU读出并执行存储在存储介质中的程序代码，也可以达成本发明的目的。

在这种情况下，变成从存储介质中读出的程序代码自身实现上述实施方式的功能，程序代码和存储该程序代码的存储介质构成本发明。

此外，作为用于供给程序代码的存储介质，可以为例如RAM、NV-RAM、软(注册商标)盘、硬盘、光磁盘、CD-ROM、CD-R、CD-RW、DVD(DVD-ROM、DVD-RAM、DVD-RW、DVD+RW)等的光盘，磁带、非易失性的存储卡、其他的ROM等能够存储上述程序代码的存储介质。或者，上述程序代码也可以通过从与英特网、商用网络、或局域网等连接的未图示的其他计算机或数据库等上进行下载而供给计算机等。

此外，除了通过执行计算机等读出的程序代码，实现上述实施方式的功能，还包括以下情况：基于该程序代码的指示，在CPU上运作的OS(Operating System：操作系统)等进行实际的处理的一部分或全部，通过该处理实现上述实施方式的功能。

再者，还包括以下情况：从存储介质读出的程序代码，被写入插入在计算机等的功能扩展板或与计算机等连接的功能扩展单元中具备的存储器后，基于该程序代码的指示，该功能扩展板或功能扩展单元具备的CPU等进行实际处理的一部分或全部，通过该处理实现上述实施方式的功能。

上述程序代码的方式可以由目标代码(Object code)、通过解释程序(Interpreter)执行的程序代码、供给OS的脚本数据(Script data)等方式构成。

Claims (18)

1.一种基板处理装置，其包括收容基板的收容室和向该收容室导入气体的气体导入装置，所述收容室具有在所述基板上用所述气体实施规定的处理的处理空间，所述基板处理装置的特征在于，包括：

分析导入所述收容室前的气体的导入前气体分析装置；

分析通过所述处理空间后的气体的通过后气体分析装置；和

根据导入所述收容室前的气体分析结果和通过所述处理空间后的气体分析结果来检知所述收容室内的状态的状态检知装置，

该状态检知装置，对在多个所述基板上实施所述规定的处理之前的通过所述处理空间后的气体分析结果对导入所述收容室前的气体分析结果的比进行计算，并对在多个所述基板上实施所述规定的处理之后的通过所述处理空间后的气体分析结果对导入所述收容室前的气体分析结果的比进行计算，以使得在所述多个所述基板上实施所述规定的处理之前的比与在所述多个所述基板上实施所述规定的处理之后的比相同的方式，计算用于对在所述多个所述基板上实施所述规定的处理之后的通过所述处理空间后的气体分析结果进行校正的分析结果校正值，用该算出的分析结果校正值来校正通过所述处理空间后的气体分析结果。

2.如权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于：

所述状态检知装置根据所述校正过的通过所述处理空间后的气体分析结果来检测所述规定的处理的终点。

3.如权利要求1或2所述的基板处理装置，其特征在于：

其具有对所述收容室内进行排气的排气系统，在所述排气系统中配置有所述通过后气体分析装置。

4.如权利要求3所述的基板处理装置，其特征在于：

所述收容室具有防止所述处理空间的等离子体向下游流出的排气板，所述排气系统具有高分子真空泵，在所述排气板和所述高分子真空泵之间配置有所述通过后气体分析装置。

5.如权利要求1或2所述的基板处理装置，其特征在于：

在所述收容室上配置有所述通过后气体分析装置。

6.如权利要求1～5中任一项所述的基板处理装置，其特征在于：

所述导入前气体分析装置和所述通过后气体分析装置中的至少一方包括：引入气体的气体引入室、在该气体引入室内使等离子体产生的等离子体产生装置、对由所述等离子体激发的所述气体中的原子或分子的发光进行分光并测定发光强度的分光测定装置。

7.如权利要求1～5中任一项所述的基板处理装置，其特征在于：

所述导入前气体分析装置和所述通过后气体分析装置的至少一方为质量分析器。

8.如权利要求1～5中任一项所述的基板处理装置，其特征在于：

所述导入前气体分析装置和所述通过后气体分析装置的至少一方为傅里叶变换红外分光光度计。

9.如权利要求1～5中任一项所述的基板处理装置，其特征在于：

所述导入前气体分析装置和所述通过后气体分析装置的至少一方包括：所述气体流动的气体管、在该气体管内使等离子体产生的等离子体产生装置、对所述气体管内的等离子体产生中心部的下游的余辉进行分光并测定发光强度的分光测定装置。

10.如权利要求1～9中任一项所述的基板处理装置，其特征在于：

所述基板处理装置与将所述基板向该基板处理装置搬入搬出的基板搬送装置连接，

该基板搬送装置具有分析该基板搬送装置内的气体的气体分析装置。

11.如权利要求10所述的基板处理装置，其特征在于：

所述基板搬送装置具有对该基板搬送装置内的气体进行排气的第二排气系统，所述气体分析装置配置在该第二排气系统上。

12.如权利要求10所述的基板处理装置，其特征在于：

所述基板搬送装置具有暂时收容所述基板的第二收容室，所述气体分析装置配置在所述第二收容室上。

13.一种基板处理装置，其包括收容基板的收容室和向该收容室导入气体的气体导入装置，所述收容室具有在所述基板上用所述气体实施规定的处理的处理空间，所述基板处理装置的特征在于，包括：

分析导入所述收容室前的气体的导入前气体分析装置；

分析通过所述处理空间后的气体的通过后气体分析装置；和

根据导入所述收容室前的气体分析结果和通过所述处理空间后的气体分析结果来检知所述收容室内的状态的状态检知装置，

该状态检知装置，在所述收容室的维修保养前后的导入所述收容室前的气体分析结果相同的情况下，计算所述收容室的维修保养前后间的通过所述处理空间后的气体分析结果的变动量，用该算出的变动量来校正通过所述处理空间后的气体分析结果。

14.如权利要求13所述的基板处理装置，其特征在于：

部件更换、部件清洗或所述收容室内的干洗相当于所述收容室的维修保养。

15.一种基板处理装置的分析方法，所述基板处理装置包括收容基板的收容室和向该收容室导入气体的气体导入装置，所述收容室具有在所述基板上用所述气体实施规定的处理的处理空间，所述分析方法的特征在于，包括：

分析导入所述收容室前的气体的导入前气体分析步骤；

分析通过所述处理空间后的气体的通过后气体分析步骤；和

根据导入所述收容室前的气体分析结果和通过所述处理空间后的气体分析结果来检知所述收容室内的状态的状态检知步骤，

在该状态检知步骤中，对在多个所述基板上实施所述规定的处理之前的通过所述处理空间后的气体分析结果对导入所述收容室前的气体分析结果的比进行计算，并对在多个所述基板上实施所述规定的处理之后的通过所述处理空间后的气体分析结果对导入所述收容室前的气体分析结果的比进行计算，以使得在所述多个所述基板上实施所述规定的处理之前的比与在所述多个所述基板上实施所述规定的处理之后的比相同的方式，计算用于对在所述多个所述基板上实施所述规定的处理之后的通过所述处理空间后的气体分析结果进行校正的分析结果校正值，用该算出的分析结果校正值来校正通过所述处理空间后的气体分析结果。

16.如权利要求15所述的基板处理装置的分析方法，其特征在于：

在所述状态检知步骤中，根据所述校正过的通过所述处理空间后的气体分析结果来检测所述规定的处理的终点。

17.一种基板处理装置的分析方法，所述基板处理装置包括收容基板的收容室和向该收容室导入气体的气体导入装置，所述收容室具有在所述基板上用所述气体实施规定的处理的处理空间，所述分析方法的特征在于，包括：

分析导入所述收容室前的气体的导入前分析步骤；

分析通过所述处理空间后的气体的通过后气体分析步骤；和

根据导入所述收容室前的气体分析结果和通过所述处理空间后的气体分析结果来检知所述收容室内的状态的状态检知步骤，

在该状态检知步骤中，在所述收容室的维修保养前后的导入所述收容室前的气体分析结果相同的情况下，计算所述收容室的维修保养前后间的通过所述处理空间后的气体分析结果的变动量，用该算出的变动量来校正通过所述处理空间后的气体分析结果。

18.如权利要求17所述的基板处理装置的分析方法，其特征在于：

部件更换、部件清洗或所述收容室内的干洗相当于所述收容室的维修保养。

Images