JP5006112B2 - フォトレジスト除去方法 - Google Patents
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Description
以下、さらに本発明に係るフォトレジスト除去方法について、その作用機序を図2に示す化学反応で詳細に説明する。ここでのフォトレジストは、ノボラック樹脂系フォトレジストとする。
このような最適化について、以下さらに説明する。剥離速度に影響を与えるものとして、オゾン濃度、オゾン水注流速度、エキシマー光強度、ウェハ(基板)回転数、反応温度、の5つが考えられる。これらのパラメーターを適宜、調整することにより最大剥離速度を求めることが可能となる。
本発明に係るフォトレジスト除去方法は、さらに、図4に示すようなフォトレジスト除去装置1を使用することで、フォトレジストが残存付着した基板9上に高濃度オゾン水の薄液膜を形成可能とし、同時にエキシマー光照射することで、基板に残存付着したフォトレジストを、より均一にかつ効果的に除去可能とする。
本発明者らが、本発明に係るフォトレジスト除去装置1を使用し、フォトレジストの除去の実験を行った。この実験例について以下説明する。この実験例では、回転支持台3上に基板9としてシリコンウェハを載置し、フォトレジストが残存付着したシリコンウェハ上に高濃度オゾン水を注水するとともに、エキシマー光を照射し、シリコンウェハ上のフォトレジストを除去し、残存フォトレジストの厚さ(膜厚)を測定して除去効果を評価した。
(1)オゾン水の注水とエキシマー光の照射を同時並行的に行う場合(実験結果を示す図5中、◇…300rpm+Parallel、◆…600rpm+Parallel)と、
(2)エキシマー光を照射後、オゾン水を注水する場合(図5中、□…300rpm+Separate、灰色□…600rpm+Separate)について、それぞれ測定及び評価を行った。
さらに、
(3)シリコンウェハの回転数を600rpmとして、エキシマー光を照射しない場合(図5中、*…600rpm)について測定及び評価を行った。
2 モータ
3 回転支持台
4 高濃度オゾン水供給装置
5 支持アーム
6 ネジ
7 洗浄ノズル
8 エキシマー光照射源
9 基板
11 円筒管
12 注水口
13 透明円盤
13 透明円盤
14 隙間(細隙)
15 薄液膜
d 隙間の間隔寸法
Claims (5)
- フェノール樹脂から成るフォトレジストが残存付着している基板の表面に、高濃度オゾン水を注水しながら、紫外光を照射することによって、
前記紫外光が、高濃度オゾン水のオゾンの一部からOHラジカルを生成し、
該生成されたOHラジカルが、フェノール樹脂の水酸化反応をおこして前記フォトレジストをポリフェノール化し、
該ポリフェノール化されたフォトレジストに、前記高濃度オゾン水の残存オゾンを反応させてポリマー主鎖のC−C結合を切断して断片化し、前記基板表面から剥離することを特徴とするフォトレジスト除去方法。 - 前記紫外光は、エキシマー光であることを特徴とする請求項1記載のフォトレジスト除去方法。
- 前記フェノール樹脂から成るフォトレジストは、ノボラック樹脂系フォトレジストであることを特徴とする請求項1又は2記載のフォトレジスト除去方法。
- 前記エキシマー光の光強度と高濃度オゾン水の濃度をそれぞれ変えることにより、前記基板表面から残存付着しているフォトレジストを剥離する速度を変えられることを特徴とする請求項1、2又は3記載のフォトレジスト除去方法。
- 高濃度オゾン水の濃度とは、オゾン水濃度が80mg/L以上の濃度を特徴とする請求項1、2又は3記載のフォトレジスト除去方法。
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