JP5003675B2 - 光記録ヘッド及び光記録装置 - Google Patents

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Description

本発明は、光記録ヘッド及び光記録装置に関する。
磁気記録方式では、記録密度が高くなると磁気ビットが外部温度等の影響を顕著に受けるようになる。このため高い保磁力を有する記録媒体が必要になるが、そのような記録媒体を使用すると記録時に必要な磁界も大きくなる。記録ヘッドによって発生する磁界は飽和磁束密度によって上限が決まるが、その値は材料限界に近づいており飛躍的な増大は望めない。そこで、記録時に記録媒体を局所的に加熱して磁気軟化を生じさせ、保磁力が小さくなった状態で記録し、その後に加熱を止めて自然冷却することにより、記録した磁気ビットの安定性を保証する方式が提案されている。この方式は熱アシスト磁気記録方式と呼ばれている。
熱アシスト磁気記録方式では、記録媒体の加熱を瞬間的に行うことが望ましい。また、加熱する機構と記録媒体とが接触することは許されない。このため、加熱は光の吸収を利用して行われるのが一般的であり、加熱に光を用いる方式は光アシスト式と呼ばれている。光アシスト式で超高密度記録を行う場合、必要なスポット径は20nm程度になるが、通常の光学系では回折限界があるため、光をそこまで集光することはできない。
そのため、高屈折率のシリコンをソリッドイマージョンレンズに用いた光ヘッドに特定波長のレーザー光を照射することにより微小なスポット径を得る方法が提案されている(例えば、特許文献1参照)。
また、入射光波長以下のサイズの光学的開口から発生する近接場光を利用する近接場光ヘッドも利用されているが、従来の近接場光ヘッドは光効率が悪い、という課題があった。
そのため、基板上に形成された透明なスライダに、レンズとプラズモン発生用の金属格子を設けて光の利用効率を上げる方法が提案されている(例えば、特許文献2参照)。
この方式では適当な波長のレーザー光を光学系によって集光し、数十nmの大きさの金属(プラズモンプローブと呼ばれる。)に照射して近接場光を発生させ、その近接場光を加熱手段として用いている。
特開2000−90475号公報 特開2003−6913号公報
しかしながら、特許文献1で開示されている方法は、ソリッドイマージョンレンズを用いた構成であるので、光ヘッドの上方から光を入射させる必要がある。そのため、光ヘッドの高さが非常に高くなるという課題がある。
一方、特許文献2で開示されている方法は、光源からの光をプラズモン発生用金属回折格子に導くための偏向素子による光損失が大きく、光の利用効率が悪かった。また、シリコン基板と透明スライダの間に光ファイバーを配置する構成なので、光ヘッドの高さが高くなるという課題があった。
本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであって、高い効率で微小なスポットに集光できる、薄型の光記録ヘッド及び光記録装置を提供することを課題とする。
本発明の課題は、下記構成により解決することができる。
1.記録媒体に対して光による情報記録を行う光記録ヘッドにおいて、
光を射出する光源部と、
前記光源部から入射した光束を射出するための光学素子と、
情報記録を行う記録媒体上を、前記記録媒体に対して相対的に移動するスライダと、
前記スライダと別体で形成され、前記スライダの上部に取り付けられた支持体と、
前記支持体の上部に設けられ、前記光源部を所定の位置に支持する支持部と、
前記支持体の内部に設けられ、前記光学素子から前記支持体に入射した光束を全反射させる反射面と、を備え、
前記反射面で反射された光束は、光導波路の端面に入射されることを特徴とする光記録ヘッド。
.前記光学素子は、回折光学素子であることを特徴とする1に記載の光記録ヘッド。
3.前記光導波路は、前記スライダの前記記録媒体に対する相対的な移動方向に交差する方向に沿って前記スライダを貫くように前記スライダに設けられていることを特徴とする請求項1または2に記載の光記録ヘッド。
.前記支持体は、シリコンからなることを特徴とする1乃至の何れか1項に記載の光記録ヘッド。
.前記支持体は、前記支持体の上部に設けられ、前記光学素子を支持する光学素子支持部を有することを特徴とする請求項1乃至の何れか1項に記載の光記録ヘッド。
.前記支持部は、V字溝形状であることを特徴とする1乃至の何れか1項に記載の光記録ヘッド。
.磁気による情報記録を行う磁気記録素子を備えたことを特徴とする1乃至の何れか1項に記載の光記録ヘッド。
.記録媒体と、
1乃至の何れか1項に記載の光記録ヘッドと、
前記光記録ヘッドを制御する制御部と、を備えたことを特徴とする光記録装置。
.記録媒体に対して光による情報記録を行う光記録ヘッドにおいて、
光を射出する光源部と、
前記光源部から入射した光束を射出するための光学素子と、
情報記録を行う記録媒体上を、前記記録媒体に対して相対的に移動するスライダと、
前記スライダと別体で形成され、前記スライダの上部に取り付けられた支持体と、
前記支持体の上部に設けられ、前記光学素子を所定の位置に支持する支持部と、
前記支持体の内部に設けられ、前記光学素子から前記支持体に入射した光束を全反射させる反射面と、を備え、
前記反射面で反射された光束は、光導波路の端面に入射されることを特徴とする光記録
ヘッド。
10.前記光学素子は、回折光学素子であることを特徴とするに記載の光記録ヘッド。
11.前記光導波路は、前記スライダの前記記録媒体に対する相対的な移動方向に交差する方向に沿って前記スライダを貫くように前記スライダに設けられていることを特徴とする請求項または10に記載の光記録ヘッド。
12.前記支持体は、シリコンからなることを特徴とする乃至11の何れか1項に記載の光記録ヘッド。
13.前記支持体は、前記支持体の上部に設けられ、前記光源部を所定の位置に支持する支持部を有することを特徴とする乃至12の何れか1項に記載の光記録ヘッド。
14.磁気による情報記録を行う磁気記録素子を備えたことを特徴とする乃至13の何れか1項に記載の光記録ヘッド。
15.記録媒体と、
乃至14の何れか1項に記載の光記録ヘッドと、
前記光記録ヘッドを制御する制御部と、を備えたことを特徴とする光記録装置。
16.記録媒体に対して光による情報記録を行う光記録ヘッドにおいて、
光を射出する光源部と、
前記光源部から入射した光束を射出するための光学素子と、
情報記録を行う記録媒体上を、前記記録媒体に対して相対的に移動するスライダと、
前記スライダと別体で形成され、前記スライダの上部に取り付けられた支持体と、
前記支持体の上部に設けられ、前記光源部および前記光学素子を所定の位置に支持する支持部と、
前記支持体の内部に設けられ、前記光学素子から前記支持体に入射した光束を全反射させる反射面と、を備え、
前記反射面で反射された光束は、光導波路の端面に入射されることを特徴とする光記録ヘッド。
本発明によれば、光源からの光束を光学素子で集光し、反射面で反射してスポット光にする光記録ヘッドで、光源あるいは光学素子を所定の位置に支持する支持部と、光束を反射させるための反射面とを支持体として一体的に形成し、反射面で反射された光束が光導波路の端面に入射されるようにしたので、位置決め等が不要で、高い効率で微小なスポットに集光でき、高さの低い光記録ヘッド及び光記録装置を提供することができる。
光アシスト式磁気記録装置の概略構成例を示す斜視図である。 光記録ヘッドの実施例1を示す断面図である。 光記録ヘッドの実施例2を示す断面図である。 光記録ヘッドの実施例3を示す断面図である。 球レンズ15を用いた支持体13の製造工程を説明する説明図である。 回折光学素子を用いた支持体13の製造工程を説明する説明図である。 支持体13に回折光学素子40に取り付ける状態を説明する説明図である。 支持体とスライダを一体にした例を説明する説明図である。
符号の説明
1 筐体
2 ディスク
3 光記録ヘッド
10 磁気記録装置
11 スライダ
12A 導波路
12B 磁気記録部
12C 磁気再生部
13 支持体
13c 全反射面
14 光ファイバー(光源部)
15 球レンズ(光学系)
16 半球レンズ(光学系)
30 平凸レンズ(光学系)
40 回折光学素子(光学系)
41 半導体レーザ(光源部)
以下、本発明に係る光記録ヘッドの一例としての光アシスト式の磁気記録ヘッドと、それを備えた磁気記録装置を、図面を参照しつつ説明するが、本発明はこの例に限定されるものではない。なお、各実施の形態の相互で同一の部分や相当する部分には同一の符号を付して重複説明を適宜省略する。
図1に、光アシスト式の磁気記録ヘッドを搭載した磁気記録装置の一例として、ハードディスク装置の概略構成図を示す。この磁気記録装置10は、記録用のディスク(磁気記録媒体)2と、支軸5を支点として矢印A方向(トラッキング方向)に回転可能に設けられたサスペンション4と、サスペンション4に取り付けられたトラッキング用のアクチュエータ6と、サスペンション4の先端部に取り付けられた光アシスト式の磁気記録ヘッド3と、ディスク2を矢印B方向に回転させるモータ(不図示)と、を筐体1内に備えており、磁気記録ヘッド3がディスク2上で浮上しながら相対的に移動しうるように構成されている。磁気記録装置10は、さらに制御部20を備え、上述した光アシスト式の磁気記録ヘッド3および磁気記録装置10の各部の動作は、制御部20によって制御される。
図2、図3、図4に示す磁気記録ヘッド3は、ディスク2に対する情報記録に光を利用する本発明の実施形態である光記録ヘッドであって、図1に示すような半導体レーザ41と光ファイバー14等から成る光源部と、ディスク2の被記録部分を近赤外レーザー光でスポット加熱するための導波路12Aを備えた光アシスト部と、光源部からの近赤外レーザー光を光アシスト部に導く光学系と、ディスク2の被記録部分に対して磁気情報の書き込みを行う磁気記録部12Bと、ディスク2に記録されている磁気情報の読み取りを行う磁気再生部12Cと、を備えている。光源部を構成している半導体レーザ41は近赤外光源であり、半導体レーザ41から射出した近赤外波長(1550nm、1310nm等)のレーザー光は、光ファイバー14で所定位置まで導光される。光源部から射出した近赤外レーザー光は、光学系により導波路12Aに導光され、光入射側端面から入射した光が導波路12Aを通って反対側の端面を経て磁気記録ヘッド3から射出する。導波路12Aから射出した近赤外レーザー光が微小な光スポットとしてディスク2に照射されると、ディスク2の照射部分の温度が一時的に上昇してディスク2の保磁力が低下する。その保磁力の低下した状態の照射部分に対して、磁気記録部12Bにより磁気情報が書き込まれる。この磁気記録ヘッド3の詳細を以下に説明する。
図2、図3および図4に、磁気記録ヘッド3の具体的な光学構成(光学面形状,光路等)を、それぞれ実施例1、2および3として光学断面で示し、また、実施例1〜3のコンストラクションデータを以下に挙げる。各実施例のコンストラクションデータにおいて、ri(i=0,1,2,3,...)は光源部側から数えてi番目の面Si(i=0,1,2,3,...)の曲率半径(nm)、di(i=0,1,2,3,...)は光源部側から数えてi番目の軸上面間隔(nm)をそれぞれ示しており、Ni(i=0,1,2,3,...)は光源部側から数えてi番目の媒質の使用波長に対する屈折率を示しており、X軸傾きai(i=0,1,2,3,...)とy軸偏心bi(i=0,1,2,3,...)は互いに直交するXY座標系における面Siの傾き角度(°)と偏心量(nm)をそれぞれ示している。なお、光源位置は光ファイバー14の射出端面に相当する。また、光源のNA(numetrial aperture)及び使用波長をあわせて示す。
《実施例1》
光源のNA=0.08333
使用波長:1.31(μm)
《実施例2》
光源のNA=0.08333
使用波長:1.31(μm)
《実施例3》
光源のNA=0.08333
使用波長:1.31(μm)
実施例1〜3(図2〜図4)は光路中に全反射のあるタイプの磁気記録ヘッドであり、図1中の磁気記録ヘッド3に相当するものである。図2〜図4において、11はスライダ、12Aは光導波路、12Bは磁気記録部、12Cは磁気再生部、13は支持体、14は光ファイバー、15は球レンズである。また、図3、図4において16は半球レンズである。なお、球レンズ15、半球レンズ16は本発明の光学素子である。
光ファイバー14と球レンズ15とを所定の位置に支持する支持体13は、シリコンから形成された透明な部材であり、入射した光束を全反射する全反射面13cを有している。なお、実施例1〜3の支持体13はシリコンを用いているが、シリコン以外の材料でもよい。具体的には、光学ガラス(例えばSF6等)や光学樹脂(例えばアクリル、ポリカーボネートまたはシクロオレフィン系(商品名ZEONEX:日本ゼオン)樹脂等)でもよい。光学ガラスの場合は母材を金型内で再加熱して成型する方法を、光学樹脂の場合はインジェクションモールド法で作成する方法を用いることができ、いずれの場合も、安価に大量に安定して作成することができる。
中でも、シリコンは光学ガラスや光学樹脂と比べると屈折率が非常に大きいので、支持体13としてシリコンを用いることで、全反射角度の設定が容易であったり、光学素子の曲率を小さくすることができるために、誤差感度を低くすることができたりという利点がある。
実施例1〜3において、磁気記録部12Bはディスク2に対して磁気情報の書き込みを行う磁気記録素子であり、磁気再生部12Cはディスク2に記録されている磁気情報の読み取りを行う磁気再生素子であり、導波路12Aはディスク2の被記録部分を近赤外レーザー光でスポット加熱するための光アシスト素子である。
光アシスト式で超高密度記録を行う場合に必要なスポット径が20nm程度であり、一方、光の利用効率を考えると、導波路12Aの入口におけるモードフィールド径(MFD)は0.3μm程度が望ましい。そのままの大きさでは光入射が困難であるため、スポット径を5μm程度から数100nmまで小さくするスポットサイズ変換を行う必要がある。導波路12Aは本発明のスポット変換導波路であり、光入力側のモードフィールド径をスポットサイズ変換して、光出力側のモードフィールド径を小さくしている。例えば、モードフィールド径を小さくするために、導波路12内部のコアの形状は光入力側から光出力側にかけて徐々に広くなっている。
なお、各実施例ではディスク2の記録領域の進入側から退出側にかけて、磁気再生部12C、導波路12A、磁気記録部12Bの順に配置されているが、配置順はこれに限らない。導波路12Aの退出側直後に磁気記録部12Bが位置すればよいので、例えば、導波路12A、磁気記録部12B、磁気再生部12Cの順に配置してもよい。
実施例1の磁気記録ヘッド3は、光ファイバー14を含む光源部と、その光ファイバー14からの近赤外レーザー光を導波路12Aに導くための球レンズ15及び支持体13の全反射面13cから成る光学系と、光源部及び光学系が取り付けられる支持体13と、支持体13が取り付けられた状態でディスク2上で浮上しながら相対的に移動するスライダ11と、で構成されている。
スライダ11はディスク2上を浮上しながら相対的に移動するが、ディスク2に付着したごみが存在する場合や、ディスク2に欠陥がある場合には、ディスク2に接触する可能性がある。その場合に発生するスライダ11の摩耗を低減するため、スライダ11の材質には耐摩耗性の高い硬質の材料を用いることが望ましい。例えば、Al203を含むセラミック材料、例えばAlTiCやジルコニア、TiNなどを用いれば良い。また、摩耗防止処理として、スライダ11のディスク2側の面に耐摩耗性を増すために表面処理を行っても良い。例えば、DLC(Diamond Like Carbon)被膜を用いると、近赤外光の透過率も高く、ダイヤモンドに次ぐHv=3000以上の硬度が得られる。
実施例2、3の磁気記録ヘッド3は、光ファイバー14を含む光源部と、その光ファイバー14からの近赤外レーザー光を導波路12Aに導くための球レンズ15、半球レンズ16及び支持体13の全反射面13cから成る光学系と、光源部及び光学系が取り付けられる支持体13と、支持体13が取り付けられた状態でディスク2上で浮上しながら相対的に移動するスライダ11と、で構成されている。実施例1〜3におけるスライダ11内には、導波路12A、磁気記録部12B及び磁気再生部12Cがスライダ11と一体化された状態で設けられている。導波路12Aはスライダの移動方向に対して交差する方向にスライダを貫くように構成されている。また、実施例1〜3において光学素子から支持体13に入射した光束は、支持体13の全反射面13cで全反射した後に集光するように構成されている。
実施例1(図2)の光学構成を説明する。支持体13には異方性エッチングでV溝(不図示)が設けられており、そのV溝に直径125μmの光ファイバー14が設置されている。光ファイバー14の光射出側端面は、光束が光ファイバー14から右下方に射出した後、球レンズ15に入射するように斜めに形成されている。球レンズ15は、直径15μmのサファイアガラス球から成る等倍光学系であり、球レンズ15を通過した光束は、支持体13に入射し、支持体13に形成された全反射面13cでの全反射により偏向される。全反射面13cはシリコン単結晶にエッチング溶液を作用させる異方性エッチング法により形成されている。全反射面13cの頂角は約70°である。支持体13の構成及び製造工程については後に詳しく説明する。
全反射面13cで偏向された光束は、支持体13の端面に集光し、直下の導波路12Aとの結合が完了する。光ファイバー14のモードフィールド径は約10μmであり、導波路12Aのモードフィールド径も約10μmであるため、この光学系の倍率は1:1である。導波路12Aから射出した光束が微小な光スポットとしてディスク2に照射されると、ディスク2の照射部分の温度が一時的に上昇してディスク2の保磁力が低下する。その保磁力の低下した状態の照射部分に対して、磁気記録部12Bにより磁気情報の書き込みが行われる。
実施例2(図3)の光学構成を説明する。支持体13には異方性エッチングで溝(不図示)が設けられており、そのV溝に直径125μmの光ファイバー14が設置されている。光ファイバー14の光射出側端面は、光束が光ファイバー14から右方に射出した後、球レンズ15に入射するように斜めに形成されている。球レンズ15は直径0.15mmのガラス球(BK7)から成り、光束は球レンズ15で略コリメートされる。球レンズ15を通過した光束は、半球レンズ16に入射する。半球レンズ16は直径0.013285mmのガラス半球(BK7)から成り、支持体13の球レンズ15に対向する面に接着されている。球レンズ15から射出した略コリメート光束は、半球レンズ16で集光された後、全反射面13cでの全反射により偏向される。全反射面13cは頂角が約70°であり、異方性エッチングにより形成されている。全反射面13cで偏向された光束は、支持体13の端面に集光し、直下の導波路12Aとの結合が完了する。光ファイバー14のモードフィールド径は約10μmであり、導波路12Aのモードフィールド径も約10μmであるため、この光学系の倍率は1:1である。導波路12Aから射出した光束が微小な光スポットとしてディスク2(図1)に照射されると、ディスク2の照射部分の温度が一時的に上昇してディスク2の保磁力が低下する。その保磁力の低下した状態の照射部分に対して、磁気記録部12Bにより磁気情報の書き込みが行われる。
このように、入射光を全反射面13cで反射させてから導波路12Aに入射させるため、光記録ヘッドの高さを低くすることができる。また、全反射を利用しているので、反射面にミラーコーティング等の処理が不要であり、安定性が高く、コスト面でも優れている。また、シリコンを素材として偏向素子を形成すると、屈折率が高いので全反射を利用できる角度の範囲が広く、設計の自由度を増すことができる。また、このような構成にすると比較的ヘッドの作製が容易で、光学素子の安定性も良くなる。
特に、実施例2のようにファイバー端の研磨角度が逆テーパーとなる構成にする場合には、支持体13の厚みを薄くすることができる。
次に、光学系の倍率が1:1以外の実施例について説明する。
図4は第3の実施例であり、光学系の倍率が1:2の構成例である。
実施例3(図4)の光学構成を説明する。支持体13には異方性エッチングで作られたV溝(不図示)が設けられており、そのV溝に直径125μmの光ファイバー14が設置されている。光ファイバー14の光射出側端面は、光束が光ファイバー14から右上方に射出した後、球レンズ15に入射するように斜めに構成されている。球レンズ15は直径0.15mmのガラス球(BK7)から成り、光束は球レンズ15で略コリメートされる。半球レンズ16は直径0.045mmのガラス半球(BK7)から成り、支持体13の球レンズ15に対向する面に接着されている。球レンズ15から射出した略コリメート光束は、半球レンズ16で集光された後、全反射面13cでの全反射により偏向される。全反射面13cは頂角が約70°であり、異方性エッチングにより形成されている。全反射面13cで偏向された光束は、直下の導波路12Aに対して集光され、光導波路との結合が完了する。光ファイバー14のモードフィールド径は約10μmであり、導波路12Aのモードフィールド径は約5μmであるため、この光学系の倍率は1:2である。
このように、光ファイバー14(光源部)から光学素子に入射した光束は、支持体13の内部を透過して全反射面13cで全反射して、支持体の下部端面に集光するので、磁気記録ヘッド3の高さを低くすることができる。また、支持体13が偏向素子の機能も備えているので、部品点数を削減でき、小型、軽量化、低価格化することができる。
また、実施例3では類似の光学構成を持つ実施例2と比べて、小さな光スポットサイズを得ることができる。さらに、半球レンズ16と支持体13を小型化することができるので、磁気記録ヘッド3全体を小型化できる。
次に、光記録ヘッドの支持体13の製造方法と構成について、図5を用いて詳細を説明する。図5は、光学系に球レンズ15を用いた光記録ヘッドにおける支持体13の製造工程を説明する説明図である。
図5の(1−a)〜(5−a)は正面図、(1−b)〜(5−b)は側面図である。図
5(1−a)、(1−b)から順に工程に沿って説明する。
図5(1−a)、(1−b)は、支持体13の材料である直方体のシリコン単結晶にマスク30aをパターンニングした状態を示している。シリコン単結晶の大きさは、一例として図に示す記号D=1.2mm、記号W=1.0mm、記号H=0.3mm程度である。このようにマスク30aをパターンニングした後、RIE(反応性イオンエッチング)やイオンミリングなどの方法でエッチングを行う。
図5(2−b)は、前工程でエッチングを行った結果、シリコン単結晶の一部が剥離して段差ができた状態を示している。支持体13の右側面、左側面をエッチングするため、図5(2−a)、(2−b)のように支持体13にマスク30bが貼り付けられている。
図5(2−a)、(2−b)の状態で、エッチング溶液を作用させて異方性エッチングを行う。異方性エッチングを用いると、1ミクロン以下の精度で形状の加工ができるので、精度良く加工することができる。
図5(3−a)、(3−b)は、前工程で異方性エッチングを行った結果、右側面と左側面に斜面が形成された状態を示している。右側面の斜面は全反射面13cである。さらにV溝13aと取り付け穴13bをエッチングするため、図5(3−a)、(3−b)のようにマスク30cが支持体13にパターンニングされる。その後、エッチング溶液を作用させて異方性エッチングを行う。
図5(4−a)、(4−b)は、前工程で異方性エッチングを行った結果、支持体13にV溝13aと取り付け穴13bが形成された状態を示している。このように、異方性エッチングを用いて製作したので、支持体13上に精度良くV溝13aと取り付け穴13bが形成できる。
図5(5−a)、(5−b)は光ファイバー14をV溝13aに、球レンズ15を取り付け穴13bに取り付け接着した状態を示している。このように構成された光学系の光源に赤外光を用いると、異方性エッチングで加工した支持体13の製造誤差が、光源の波長と比較して十分に小さいので調整を行う必要がない。また、光源に赤外光を用いるもう一つの理由は、1.2μm以上の波長の光は、シリコンから成る支持体内を透過しやすく、光の利用効率が高いからである。
光ファイバー14から射出した近赤外の光束は、図5(5−a)、(5−b)の右方向に射出した後、球レンズ15に入射する。球レンズ15は、直径0.15mmのサファイアガラス球から成る等倍光学系であり、球レンズ15を通過した光束は、支持体13に入射し、支持体13に形成された全反射面13cでの全反射により偏向される。全反射面13cで偏向された光束は、支持体13の端面に集光される。
このように、光束は、支持体13の端面に集光するまで高屈折率のシリコンから成る支持体13内を透過するので、スポット径を小さくすることができる。シリコンの屈折率は例えば3.5程度であり、例えば屈折率1.7のガラス材料などを用いる場合と比べてスポット径を約1/2にすることができる。
次に、光学系に回折光学素子を用いた光記録ヘッドにおける支持体13の製造方法と構成について、図6を用いて図5と異なる点を説明する。図6は、光学系に回折光学素子を用いた光記録ヘッドにおける支持体13の製造工程を説明する説明図である。
図6の(1−a)〜(5−a)は正面図、(1−b)〜(5−b)は側面図である。
図6(1−a)、(1−b)、(2−a)、(2−b)は図5(1−a)、(1−b)、(2−a)、(2−b)と同じ工程であり説明を省略する。
図6(3−a)、(3−b)は前工程で異方性エッチングを行った結果、右側面と左側面に斜面が形成された状態を示している。右側面の斜面は全反射面13cである。本実施形態では取り付け穴13dと取り付け穴13eをエッチングするため、図6(3−a)、(3−b)のようにマスク30dが支持体13にパターンニングされる。その後、エッチング溶液を作用させて異方性エッチングを行う。
図6(4−a)、(4−b)は前工程で異方性エッチングを行った結果、支持体13に取り付け穴13dと取り付け穴13eが形成された状態を示している。このように、異方性エッチングを用いて制作したので、支持体13上に1ミクロン以下の精度で取り付け穴13dと取り付け穴13eが形成できる。
図6(5−a)、(5−b)において41は近赤外光を発光する半導体レーザ、40は回折光学素子である。回折光学素子40はシリコン材料からLSI製造技術で量産加工できるので安価であり、形状も非常に小さい。図6(5−a)、(5−b)のように、半導体レーザ41を取り付け穴13dに、回折光学素子40を取り付け穴13eに取り付け接着した状態を示している。
半導体レーザ41から射出した近赤外の光束は図6(5−a)、(5−b)の右方向に射出した後、回折光学素子40に入射する。回折光学素子40は、直径125μmのシリコンから成る等倍光学系であり、回折光学素子40を通過した光束は、支持体13に入射し、支持体13に形成された全反射面13cでの全反射により偏向される。全反射面13cで偏向された光束は、支持体13の端面に集光される。
図7は支持体13に回折光学素子40に取り付ける状態を説明する説明図である。
図7では、取り付け穴13dに半導体レーザ41がすでに取り付けられ、取り付け穴13eに回折光学素子40を取り付けようとする状態を示している。このように、異方性エッチングで精度良く形成された取り付け穴に、各部品を取り付けるので調整等が不要であり、製造工程を簡略化できる。
次に、支持体13とスライダ11を一体にした実施形態について説明する。
図8は支持体とスライダを一体にした例を説明する説明図である。図2の実施例1で説明した光記録ヘッドと光学系の構成は全く同一であるが、スライダ部分が支持体13とシリコン材料から一体に形成されている点が異なる。
支持体13の光源と光学素子を支持する面は、図5、図6で説明したエッチング工程を繰り返すことにより所望の形状が得られる。同様に、導波路12A、磁気記録部12B、磁気再生部12Cを形成する穴も、エッチング工程により形成する。
図8の45は被膜であり、ディスク2に対する対摩耗性を増すように設けている。例えば、DLC(Diamond Like Carbon)被膜を用いると、赤外光の透過率も高く、ダイヤモンドに次ぐHv=3000以上の硬度が得られる。
以上に述べたように、本発明によれば、光源からの光束を光学素子で集光し、反射面で反射してスポット光にする光記録ヘッドで、光源あるいは光学素子を所定の位置に支持する支持部と、光束を反射させるための反射面とを支持体として一体的に形成し、反射面で反射された光束が光導波路の端面に入射されるようにしたので、位置決め等が不要で、高い効率で微小なスポットに集光でき、高さの低い光記録ヘッド及び光記録装置を提供することができる。
尚、本発明に係る光記録ヘッドおよび光記録装置を構成する各構成の細部構成および細部動作に関しては、本発明の趣旨を逸脱することのない範囲で適宜変更可能である。

Claims (16)

  1. 記録媒体に対して光による情報記録を行う光記録ヘッドにおいて、
    光を射出する光源部と、
    前記光源部から入射した光束を射出するための光学素子と、
    情報記録を行う記録媒体上を、前記記録媒体に対して相対的に移動するスライダと、
    前記スライダと別体で形成され、前記スライダの上部に取り付けられた支持体と、
    前記支持体の上部に設けられ、前記光源部を所定の位置に支持する支持部と、
    前記支持体の内部に設けられ、前記光学素子から前記支持体に入射した光束を全反射させる反射面と、を備え、
    前記反射面で反射された光束は、光導波路の端面に入射されることを特徴とする光記録ヘッド。
  2. 前記光学素子は、回折光学素子であることを特徴とする請求項1に記載の光記録ヘッド。
  3. 前記光導波路は、前記スライダの前記記録媒体に対する相対的な移動方向に交差する方向に沿って前記スライダを貫くように前記スライダに設けられていることを特徴とする請求項1または2に記載の光記録ヘッド。
  4. 前記支持体は、シリコンからなることを特徴とする請求項1乃至3の何れか1項に記載の光記録ヘッド。
  5. 前記支持体は、前記支持体の上部に設けられ、前記光学素子を支持する光学素子支持部を有することを特徴とする請求項1乃至4の何れか1項に記載の光記録ヘッド。
  6. 前記支持部は、V字溝形状であることを特徴とする請求項1乃至5の何れか1項に記載の光記録ヘッド。
  7. 磁気による情報記録を行う磁気記録素子を備えたことを特徴とする請求項1乃至6の何れか1項に記載の光記録ヘッド。
  8. 記録媒体と、
    請求項1乃至7の何れか1項に記載の光記録ヘッドと、
    前記光記録ヘッドを制御する制御部と、を備えたことを特徴とする光記録装置。
  9. 記録媒体に対して光による情報記録を行う光記録ヘッドにおいて、
    光を射出する光源部と、
    前記光源部から入射した光束を射出するための光学素子と、
    情報記録を行う記録媒体上を、前記記録媒体に対して相対的に移動するスライダと、
    前記スライダと別体で形成され、前記スライダの上部に取り付けられた支持体と、
    前記支持体の上部に設けられ、前記光学素子を所定の位置に支持する支持部と、
    前記支持体の内部に設けられ、前記光学素子から前記支持体に入射した光束を全反射させる反射面と、を備え、
    前記反射面で反射された光束は、光導波路の端面に入射されることを特徴とする光記録ヘッド。
  10. 前記光学素子は、回折光学素子であることを特徴とする請求項9に記載の光記録ヘッド。
  11. 前記光導波路は、前記スライダの前記記録媒体に対する相対的な移動方向に交差する方向に沿って前記スライダを貫くように前記スライダに設けられていることを特徴とする請求項9または10に記載の光記録ヘッド。
  12. 前記支持体は、シリコンからなることを特徴とする請求項9乃至11の何れか1項に記載の光記録ヘッド。
  13. 前記支持体は、前記支持体の上部に設けられ、前記光源部を所定の位置に支持する支持部を有することを特徴とする請求項9乃至12の何れか1項に記載の光記録ヘッド。
  14. 磁気による情報記録を行う磁気記録素子を備えたことを特徴とする請求項9乃至13の何れか1項に記載の光記録ヘッド。
  15. 記録媒体と、
    請求項9乃至14の何れか1項に記載の光記録ヘッドと、
    前記光記録ヘッドを制御する制御部と、を備えたことを特徴とする光記録装置
  16. 記録媒体に対して光による情報記録を行う光記録ヘッドにおいて、
    光を射出する光源部と、
    前記光源部から入射した光束を射出するための光学素子と、
    情報記録を行う記録媒体上を、前記記録媒体に対して相対的に移動するスライダと、
    前記スライダと別体で形成され、前記スライダの上部に取り付けられた支持体と、
    前記支持体の上部に設けられ、前記光源部および前記光学素子を所定の位置に支持する支持部と、
    前記支持体の内部に設けられ、前記光学素子から前記支持体に入射した光束を全反射させる反射面と、を備え、
    前記反射面で反射された光束は、光導波路の端面に入射されることを特徴とする光記録ヘッド。
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