JP5002439B2 - ウォーターマークの評価方法及び評価装置 - Google Patents
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Description
本願の発明者が、洗浄あるいは乾燥条件が不適切なウエハを評価したところ、光学顕微鏡などによる評価では差がなかった。しかし、上述のようにシリコンウエハを酸素析出欠陥に対して高選択比の異方性エッチングを行ったところ、エッチング前のSiウエハ表面と同じ高さの円錐状エッチング残渣が形成された(図5参照)。
Claims (8)
- 半導体基板表面に形成されたウォーターマークの評価方法であって、
ウォーターマークに対するエッチング速度が基板材料よりも遅い高選択比の異方性エッチングによって半導体基板をエッチングし、
エッチング表面に露出した突起状のエッチング残渣のうち、前記半導体基板に対するエッチング深さと等しい高さのエッチング残渣を抽出し、
前記抽出したエッチング残渣の先端形状に基づいて前記ウォーターマークを頂点として形成されたエッチング残渣以外の残渣を除外し、
前記抽出したエッチング残渣の内の残ったエッチング残渣に基づいてウォーターマークを評価することを特徴とするウォーターマークの評価方法。 - 請求項1に記載のウォーターマークの評価方法において、
前記抽出したエッチング残渣の内の残ったエッチング残渣の先端形状、前記残ったエッチング残渣の配列、または該エッチング残渣の大きさに基づいて前記ウォーターマークを評価することを特徴とするウォーターマークの評価方法。 - 請求項1又は請求項2に記載のウォーターマークの評価方法において、
前記ウォーターマークを頂点としたエッチング残渣を高選択比異方性エッチングする前に、前記基板表面に形成されている自然酸化膜を除去することを特徴とするウォーターマークの評価方法。 - 請求項1〜請求項3のいずれか一項に記載のウォーターマークの評価方法において、
前記抽出されたエッチング残渣の先端形状が、結晶欠陥に基づく特異形状に一致するかどうかを判定し、一致した場合には前記結晶欠陥に基づくエッチング残渣として、前記抽出されたエッチング残渣から除外することを特徴とするウォーターマークの評価方法。 - 請求項1〜請求項4のいずれか一項に記載のウォーターマークの評価方法において、
前記抽出されたエッチング残渣の先端形状が、所定の不定形状であるかを判定し、一致した場合には前記基板表面に付着したゴミに基づくエッチング残渣として、前記抽出されたエッチング残渣から除外することを特徴とするウォーターマークの評価方法。 - 半導体基板表面に形成されたウォーターマークの評価装置であって、
ウォーターマークに対するエッチング速度が基板材料よりも遅い高選択比の異方性エッチングによって半導体基板をエッチングした観察対象の半導体基板に対し、エッチング表面に露出した突起状のエッチング残渣を撮像し、得られた画像データに基づいて検出されたエッチング残渣のうち、前記半導体基板に対するエッチング深さと等しい高さのエッチング残渣を抽出するための高さ判定部と、
前記抽出されたエッチング残渣の先端形状に基づいて前記ウォーターマーク以外に起因して形成されたエッチング残渣を除外する除外判定部と、
前記抽出したエッチング残渣の内の残ったエッチング残渣に基づいてウォーターマークを評価する評価部と、
を備えることを特徴とするウォーターマークの評価装置。 - 請求項6に記載のウォーターマークの評価装置において、
前記除外判定部では、前記エッチング残渣の先端形状が結晶欠陥に基づく特異形状に一致するかどうかを判定し、一致した場合には前記結晶欠陥に基づくエッチング残渣として、前記抽出されたエッチング残渣から除外することを特徴とするウォーターマークの評価装置。 - 請求項6又は請求項7のいずれかに記載のウォーターマークの評価装置において、
前記除外判定部では、前記エッチング残渣の先端形状が所定の不定形状であるかを判定し、一致した場合には前記基板表面に付着したゴミに基づくエッチング残渣として、前記抽出されたエッチング残渣から除外することを特徴とするウォーターマークの評価装置。
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