JP7484825B2 - 洗浄工程及び乾燥工程の評価方法 - Google Patents
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Description
単結晶シリコンウェーハをフッ酸により洗浄する工程、
前記洗浄後に、前記単結晶シリコンウェーハを乾燥する工程、
前記乾燥後の単結晶シリコンウェーハに、水素ベークせずに、シリコンを成膜する工程、
前記成膜後にヘイズのウェーハ面内分布を評価する工程、
を含むことを特徴とする洗浄工程及び乾燥工程の評価方法を提供する。
単結晶シリコンウェーハをフッ酸により洗浄する工程、
前記洗浄後に、前記単結晶シリコンウェーハを乾燥する工程、
前記乾燥後の単結晶シリコンウェーハに、水素ベークせずに、シリコンを成膜する工程、
前記成膜後にヘイズのウェーハ面内分布を評価する工程、
を含むことを特徴とする洗浄工程及び乾燥工程の評価方法である。
ここで、基板の製造方法は特に限定されない。チョクラルスキー法(Czochralski Method:以下CZ法という)により製造された基板を用いても良いし、フローティングゾーン法(Floating Zone Method:以下FZ法という)により製造された基板を用いても良い。また、CZ法及びFZ法により製造された単結晶シリコン基板上に単結晶シリコンをエピタキシャル成長させた基板を用いても良い。
乾燥は大気中で実施してもよいし、不活性ガス雰囲気で実施してもよい。また、乾燥時の温度は、例えば、室温以上かつ300℃以下とすることができる。室温以上であれば確実に乾燥する。また、300℃以下とすることで、汎用的な加熱装置を用いることができる。
ヘイズの評価は汎用的なレーザー散乱光により欠陥を検出する欠陥検査装置で行うことができる。例えば、KLA-Tencor社製のSurfScanシリーズで評価できる。
準備した単結晶シリコンウェーハの導電型、直径、結晶面方位及びヘイズの最大値は以下の通りである。
ウェーハの導電型:p型
直径:300mm
結晶面方位:(100)
ヘイズの最大値:0.5ppm
比較例1では、バッチ式の装置で洗浄後、シリコンの成膜を行わなかったこと以外は実施例1-1と同様の手順で、比較例1の評価対象の単結晶シリコンウェーハを得た。
実施例1-1、実施例1-2、比較例1及び比較例2の評価対象の単結晶シリコンウェーハについて、その後、KLA-Tencor社製のSurfScan SP5のDW2(Darkfield Wide)モードでヘイズを測定した。その結果を図2に示す。
Claims (4)
- 単結晶シリコンウェーハの洗浄工程及び乾燥工程の評価方法であって、
単結晶シリコンウェーハをフッ酸により洗浄する工程、
前記洗浄後に、前記単結晶シリコンウェーハを乾燥する工程、
前記乾燥後の単結晶シリコンウェーハに、水素ベークせずに、シリコンを成膜する工程、
前記成膜後にヘイズのウェーハ面内分布を評価する工程、
を含むことを特徴とする洗浄工程及び乾燥工程の評価方法。 - 洗浄する前記単結晶シリコンウェーハとして、ヘイズの最大値が100ppm以下のものを準備することを特徴とする請求項1に記載の洗浄工程及び乾燥工程の評価方法。
- 前記成膜工程におけるシリコン成膜層の厚さを0.01μm以上かつ10μm以下とすることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の洗浄工程及び乾燥工程の評価方法。
- 前記成膜工程では、450℃以上かつ800℃以下の温度で前記シリコンを成膜することを特徴とする請求項1から請求項3のいずれか一項に記載の洗浄工程及び乾燥工程の評価方法。
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