JP5001957B2 - 半導体装置及び半導体装置実装基板 - Google Patents
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Description
ウエハ2として、通常の方法により表面に厚み50μmの回路1(TEG)が形成されたシリコンウエハ(大きさ8インチ、厚み300μm)を用いた。なお、ウエハ2の回路形成面には位置決めマーク13を3箇所設けた。
実施例1で製造した図1(c)に示す半導体装置を用いて、ビルドアップ法を使用することによって、多層化された半導体装置(4層回路)を製造した。
ウエハ2として、図2に示すように裏面にバックコート層10が形成されたものを用いるようにした以外は、実施例1と同様にして半導体装置(2層回路)を製造した。バックコート層10は、シリカを65質量%含有するエポキシ樹脂組成物(クレゾールノボラック型エポキシ樹脂(住友化学(株)製「ESCN195XL4」)10質量%、ビスフェノールF型エポキシ樹脂(東都化成(株)製「YDF8170」)10質量%、硬化剤であるフェノールノボラック樹脂(群栄化学工業(株)製「タマノール752」)14.4質量%、硬化促進剤(トリフェニルホスフィン)0.1質量%、フィラー表面処理剤(エポキシシラン)0.5質量%)がシート状に成形されたバックコートシート12(厚み50μm)を用い、まずこのバックコートシート12を70℃に設定したラミネートロールでウエハ2の裏面にラミネートした後、これを150℃に設定したオーブンで30分間加熱することによって形成した。
樹脂シート6として、アルミナを90質量%含有するエポキシ樹脂組成物(多官能ビスフェノールA型エポキシ樹脂(三井化学(株)製「VG3101」)3質量%、ビスフェノールF型エポキシ樹脂(東都化成(株)製「YDF8170」)3質量%、硬化剤であるフェノールノボラック樹脂(群栄化学工業(株)製「タマノール752」)3質量%、硬化促進剤(トリフェニルホスフィン)0.2質量%、フィラー表面処理剤(エポキシシラン)0.8質量%)を2枚のPETフィルム(厚み20μm)の間に半硬化状態でシート状に成形したものであって、導電性ペーストビア5を有するものを用いるようにした以外は、実施例1と同様にして半導体装置(2層回路)を製造した。なお、樹脂シート6の厚みは100μmであり、熱伝導率は5W/mkである。
2 ウエハ
3 貫通孔
4 導電性ペースト
5 導電性ペーストビア
6 樹脂シート
7 回路
8 転写箔
9 樹脂層
10 バックコート層
11 回路基板
Claims (7)
- 回路が表面に形成されたウエハと、貫通孔に導電性ペーストを充填して形成された導電性ペーストビアを有する樹脂シートと、転写用の回路が表面に形成された転写箔とを用いて形成された半導体装置であって、前記ウエハの回路形成面には位置決めマークが複数設けられ、前記樹脂シートには、前記ウエハに設けられた位置決めマークに対応する箇所において厚み方向に位置決め穴が複数貫通して設けられ、前記転写箔には、前記ウエハに設けられた位置決めマークに対応する箇所において厚み方向に位置決め穴が複数貫通して設けられ、前記ウエハの回路形成面に設けられた位置決めマークと、前記樹脂シートの厚み方向に設けられた位置決め穴を対応させるように重ねると共に、前記樹脂シートの位置決め穴と前記転写箔の厚み方向に設けられた位置決め穴を対応させるように前記転写箔の回路形成面を重ね、これを加熱加圧成形して積層一体化した後に、前記樹脂シートが硬化して形成された樹脂層から転写箔を剥離することによって形成されていることを特徴とする半導体装置。
- 転写箔を剥離して露出した樹脂層に新たに樹脂シートを重ねると共に、この樹脂シートに新たに転写箔の回路形成面を重ね、これを加熱加圧成形して積層一体化した後に、前記転写箔を剥離するという方法を少なくとも1回以上使用して形成されていることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。
- ウエハの回路形成面と反対側の面にバックコート層が形成されていることを特徴とする請求項1又は2に記載の半導体装置。
- 転写箔として、ステンレス箔が用いられていることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載の半導体装置。
- 樹脂シートとして、フィラーを60〜95質量%含有する熱硬化性樹脂組成物がシート状に成形されたものが用いられていることを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項に記載の半導体装置。
- フィラーとして、アルミナ、BN、シリカ、AlN、MgO、SiCから選ばれるものが用いられていると共に、樹脂シートの熱伝導率が3W/mk以上であることを特徴とする請求項5に記載の半導体装置。
- 請求項1乃至6のいずれか1項に記載の半導体装置を個片化したものを回路基板に実装して形成されていることを特徴とする半導体装置実装基板。
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