JP4995306B2 - 成膜基板ホルダ及び成膜装置 - Google Patents
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Description
本発明は成膜基板ホルダ及び成膜装置に関し、特に、物理蒸着法あるいは化学蒸着法などに用いられる成膜基板ホルダ及び成膜装置に関するものである。
スパッタリング法や真空蒸着法などのＰＶＤ（Physical Vapor Deposition）法は、例えば反射防止膜、絶縁膜あるいは導電膜などの種々の機能薄膜を形成する方法として広く用いられている。
図１０は従来例に係る成膜装置である真空蒸着装置の模式構成図である。
例えば、成膜チャンバー１２０に、排気管１２１及び真空ポンプ１２２が接続されており、内部が所定の圧力に減圧可能となっている。
真空蒸着による成膜時における成膜チャンバー１２０内の背圧は、例えば１０−２〜１０−５Ｐａ程度である。
例えば、成膜チャンバー１２０に、排気管１２１及び真空ポンプ１２２が接続されており、内部が所定の圧力に減圧可能となっている。
真空蒸着による成膜時における成膜チャンバー１２０内の背圧は、例えば１０−２〜１０−５Ｐａ程度である。
例えば、成膜チャンバー１２０の内部に蒸着材料１２３が配置される。
真空蒸着法の場合、例えば、蒸着材料１２３は不図示の抵抗加熱ボート上に戴置され、抵抗加熱ボートを介して蒸着材料１２３が加熱される。あるいは、例えば、成膜チャンバー１２０の内部に不図示の電子ビーム照射部が設けられており、電子ビームが蒸着材料１２３に照射して蒸着材料１２３が加熱される。成膜チャンバー１２０中の背圧が十分に低く、加熱された蒸発材料１２３の蒸気圧がそれより大きくなれば蒸発材料１２３が蒸発し、気化した蒸発材料が得られる。
また、スパッタリング法の場合、蒸着材料１２３にイオン化したアルゴンなどの不活性ガスを衝突させ、蒸着材料１２３の原子をはじき飛ばす。これにより、気化した蒸発材料が得られる。
真空蒸着法の場合、例えば、蒸着材料１２３は不図示の抵抗加熱ボート上に戴置され、抵抗加熱ボートを介して蒸着材料１２３が加熱される。あるいは、例えば、成膜チャンバー１２０の内部に不図示の電子ビーム照射部が設けられており、電子ビームが蒸着材料１２３に照射して蒸着材料１２３が加熱される。成膜チャンバー１２０中の背圧が十分に低く、加熱された蒸発材料１２３の蒸気圧がそれより大きくなれば蒸発材料１２３が蒸発し、気化した蒸発材料が得られる。
また、スパッタリング法の場合、蒸着材料１２３にイオン化したアルゴンなどの不活性ガスを衝突させ、蒸着材料１２３の原子をはじき飛ばす。これにより、気化した蒸発材料が得られる。
成膜チャンバー１２０内には、蒸発材料１２３と対向する位置に成膜対象である成膜基板を保持する成膜基板ホルダ１１０が設けられている。
成膜基板ホルダ１１０には、成膜基板の成膜しようとする表面が蒸発材料１２３に臨むように、成膜基板が保持される。
上記の気化した蒸発材料が成膜基板の表面に達して固化すると、成膜基板の表面に蒸発材料の薄膜が形成される。
上記の従来の成膜方法では、成膜基板の全面へ成膜を行うことが一般的である。
成膜基板ホルダ１１０には、成膜基板の成膜しようとする表面が蒸発材料１２３に臨むように、成膜基板が保持される。
上記の気化した蒸発材料が成膜基板の表面に達して固化すると、成膜基板の表面に蒸発材料の薄膜が形成される。
上記の従来の成膜方法では、成膜基板の全面へ成膜を行うことが一般的である。
例えば、蒸発材料１２３として酸化シリコンと窒化シリコンなど用いてこれらを交互に積層させることで反射防止膜が形成される。
また、例えば蒸発材料１２３として酸化シリコンあるいは窒化シリコンなどの絶縁材料を用いることで絶縁膜が形成される。
また、例えば蒸発材料１２３として金属などの導電材料など用いることで導電膜が形成される。
また、例えば蒸発材料１２３として酸化シリコンあるいは窒化シリコンなどの絶縁材料を用いることで絶縁膜が形成される。
また、例えば蒸発材料１２３として金属などの導電材料など用いることで導電膜が形成される。
図１１は従来例に係るバッチ式成膜装置で用いられる円形の成膜基板ホルダの平面図である。
成膜基板ホルダ１１０には、例えば複数枚の矩形形状の成膜基板が保持される。
成膜基板１は、成膜しようとする表面である成膜領域２を有している。
ここで、成膜基板ホルダ１１０に、成膜領域２が蒸発材料１２３に臨むように成膜基板ホルダ１１０上に配置されて保持される。
上記のようにして成膜基板１の成膜領域２が蒸発材料に臨むように保持された状態で、上記のように気化した蒸発材料に晒されると、蒸発材料の薄膜が成膜領域の表面に形成される。
図１１の従来例に係る成膜基板ホルダ１１０においては、成膜基板１同士が接しないように互いに十分に離間して、例えば円形の成膜基板ホルダ１１０上に放射状に配置され、保持される。
上記の成膜方法は、蒸発材料の上側に成膜基板ホルダに保持された成膜基板が配置されたデポアップと称せられる方式の成膜方法である。
成膜基板ホルダ１１０には、例えば複数枚の矩形形状の成膜基板が保持される。
成膜基板１は、成膜しようとする表面である成膜領域２を有している。
ここで、成膜基板ホルダ１１０に、成膜領域２が蒸発材料１２３に臨むように成膜基板ホルダ１１０上に配置されて保持される。
上記のようにして成膜基板１の成膜領域２が蒸発材料に臨むように保持された状態で、上記のように気化した蒸発材料に晒されると、蒸発材料の薄膜が成膜領域の表面に形成される。
図１１の従来例に係る成膜基板ホルダ１１０においては、成膜基板１同士が接しないように互いに十分に離間して、例えば円形の成膜基板ホルダ１１０上に放射状に配置され、保持される。
上記の成膜方法は、蒸発材料の上側に成膜基板ホルダに保持された成膜基板が配置されたデポアップと称せられる方式の成膜方法である。
図１２は従来例に係るインライン型の成膜装置で用いられる成膜基板ホルダの平面図である。
例えば成膜しようとする表面である成膜領域２を有する矩形形状の複数枚の成膜基板１が成膜基板ホルダ１１４に保持される。
ここで、成膜基板ホルダ１１４に、成膜基板１の成膜領域２が蒸発材料１２３に臨むように配置されて保持される。
図１２の従来例に係る成膜基板ホルダ１１４においては、成膜基板１同士が接しないように互いに十分に離間して、例えば矩形形状の成膜基板の辺同士が隣接するように配置され、保持される。
上記の成膜方法は、上記と同様のデポアップと称せられる方式の成膜方法である。
例えば成膜しようとする表面である成膜領域２を有する矩形形状の複数枚の成膜基板１が成膜基板ホルダ１１４に保持される。
ここで、成膜基板ホルダ１１４に、成膜基板１の成膜領域２が蒸発材料１２３に臨むように配置されて保持される。
図１２の従来例に係る成膜基板ホルダ１１４においては、成膜基板１同士が接しないように互いに十分に離間して、例えば矩形形状の成膜基板の辺同士が隣接するように配置され、保持される。
上記の成膜方法は、上記と同様のデポアップと称せられる方式の成膜方法である。
図１３（ａ）は従来例に係るバッチ式の成膜装置で用いられるドラム型の成膜基板ホルダの上面図であり、図１３（ｂ）は模式的断面図である。図１３（ｃ）は２枚の成膜基板を保持する部分における成膜基板ホルダの平面図である。
例えば成膜しようとする表面である成膜領域２を有する矩形形状の複数枚の成膜基板１が成膜基板ホルダ１１５に保持される。
ここで、成膜基板ホルダ１１５に、成膜基板１の成膜領域２が蒸発材料１２３に臨むように配置されて保持される。
図１３（ａ）〜図１３（ｃ）の従来例に係る成膜基板ホルダ１１５においては、成膜基板１同士が接しないように互いに十分に離間して、例えば矩形形状の成膜基板の辺同士が隣接するように配置され、保持される。
上記の成膜方法は、蒸発材料の側部に成膜基板ホルダに保持された成膜基板が配置されたデポサイドと称せられる方式の成膜方法である。
例えば成膜しようとする表面である成膜領域２を有する矩形形状の複数枚の成膜基板１が成膜基板ホルダ１１５に保持される。
ここで、成膜基板ホルダ１１５に、成膜基板１の成膜領域２が蒸発材料１２３に臨むように配置されて保持される。
図１３（ａ）〜図１３（ｃ）の従来例に係る成膜基板ホルダ１１５においては、成膜基板１同士が接しないように互いに十分に離間して、例えば矩形形状の成膜基板の辺同士が隣接するように配置され、保持される。
上記の成膜方法は、蒸発材料の側部に成膜基板ホルダに保持された成膜基板が配置されたデポサイドと称せられる方式の成膜方法である。
上記の従来例に係る成膜装置では、成膜基板同士が接しないように成膜基板ホルダの面上で互いに離間して配置されるため、成膜基板ホルダに対する成膜基板の大きさが成膜の生産性の限界を決めていた。
特に、成膜基板の大きさに対して成膜領域が十分に小さい場合でも、成膜基板ホルダ上で１枚の成膜基板はその大きさの面積を占めてしまうため、成膜領域以外に対する成膜材料の消費量が大きく、生産コストが高くなり、生産性を高めることが困難であるという不利益があった。
特に、成膜基板の大きさに対して成膜領域が十分に小さい場合でも、成膜基板ホルダ上で１枚の成膜基板はその大きさの面積を占めてしまうため、成膜領域以外に対する成膜材料の消費量が大きく、生産コストが高くなり、生産性を高めることが困難であるという不利益があった。
例えば、特許文献１〜４には、上記の従来例に係る成膜装置が開示されている。
解決しようとする課題は、特に成膜基板の大きさに対して成膜領域が十分に小さい場合に、成膜領域以外に対する成膜材料の消費量が大きく、生産コストが高くなり、生産性を高めることが困難であるということである。
本発明の成膜基板ホルダは、成膜領域を有する複数枚の成膜基板を保持する成膜基板ホルダであって、複数枚の前記成膜基板の前記成膜領域を露出するための複数個の開口部が形成され、前記成膜領域を除く領域をマスクする部材となるホルダ基体と、前記ホルダ基体の一方の面上に設けられ、前記開口部から前記ホルダ基体の他方の面側に前記成膜領域が露出し、前記成膜領域を除く部分において他の成膜基板と重なり領域を有し、かつ前記他の成膜基板と接しないように前記ホルダ基体に対して所定の傾きを有するように、複数枚の前記成膜基板を前記ホルダ基体の前記一方の面上に保持する保持部材とを有する。
上記の本発明の成膜基板ホルダは、成膜領域を有する複数枚の成膜基板を保持する成膜基板ホルダであって、ホルダ基体と保持部材を有する。
ホルダ基体は、複数枚の成膜基板の成膜領域を露出するための複数個の開口部が形成され、成膜領域を除く領域をマスクする部材となる。
保持部材は、ホルダ基体の一方の面上に設けられ、開口部からホルダ基体の他方の面側に成膜領域が露出し、成膜領域を除く部分において他の成膜基板と重なり領域を有し、かつ他の成膜基板と接しないようにホルダ基体に対して所定の傾きを有するように、複数枚の成膜基板をホルダ基体の一方の面上に保持する。
ホルダ基体は、複数枚の成膜基板の成膜領域を露出するための複数個の開口部が形成され、成膜領域を除く領域をマスクする部材となる。
保持部材は、ホルダ基体の一方の面上に設けられ、開口部からホルダ基体の他方の面側に成膜領域が露出し、成膜領域を除く部分において他の成膜基板と重なり領域を有し、かつ他の成膜基板と接しないようにホルダ基体に対して所定の傾きを有するように、複数枚の成膜基板をホルダ基体の一方の面上に保持する。
上記の本発明の成膜基板ホルダは、好適には、前記開口部の外周縁部における前記ホルダ基体と前記成膜基板の間隙に設けられ、前記成膜領域を露出し、前記成膜領域の外周縁部において前記成膜基板を保持する補助マスク部材をさらに有する。
上記の本発明の成膜基板ホルダは、好適には、前記ホルダ基体がリング状の形状または円形形状である。
上記の本発明の成膜基板ホルダは、好適には、径が異なる複数個のリング状の形状の成膜基板ホルダを組み合わせて構成され、より大きいホルダの内径より内側の領域に、より小さいホルダの少なくとも前記開口部が配置されるように、前記径が異なるリング状のホルダが同心円状に配置されている。
上記の本発明の成膜基板ホルダは、好適には、前記複数枚の成膜基板に順次連続的に成膜を行うための成膜基板ホルダであり、前記ホルダ基体が一の方向に延伸するベルト状の形状である。
上記の本発明の成膜基板ホルダは、好適には、前記ホルダ基体が円筒形形状であり、前記保持部材が前記円筒形形状の前記ホルダ基体の内壁面上に設けられ、前記開口部から前記ホルダ基体の外壁面側に前記成膜領域が露出するように複数枚の前記成膜基板を前記ホルダ基体の前記内壁面上に保持する。
本発明の成膜装置は、成膜チャンバーと、前記成膜チャンバー内に設けられた成膜領域を有する複数枚の成膜基板を保持する成膜基板ホルダと、前記成膜基板に成膜する材料を供給する材料供給部とを有し、前記成膜基板ホルダは、複数枚の前記成膜基板の前記成膜領域を露出するための複数個の開口部が形成され、前記成膜領域を除く領域をマスクする部材となるホルダ基体と、前記ホルダ基体の一方の面上に設けられ、前記開口部から前記ホルダ基体の他方の面側に前記成膜領域が露出し、前記成膜領域を除く部分において他の成膜基板と重なり領域を有し、かつ前記他の成膜基板と接しないように前記ホルダ基体に対して所定の傾きを有するように、複数枚の前記成膜基板を前記ホルダ基体の前記一方の面上に保持する保持部材とを有する。
上記の本発明の成膜装置は、成膜チャンバーと、成膜チャンバー内に設けられた成膜領域を有する複数枚の成膜基板を保持する成膜基板ホルダと、成膜基板に成膜する材料を供給する材料供給部とを有する。
上記の成膜基板ホルダは、成膜領域を有する複数枚の成膜基板を保持する成膜基板ホルダであって、ホルダ基体と保持部材を有する。
ホルダ基体は、複数枚の成膜基板の成膜領域を露出するための複数個の開口部が形成され、成膜領域を除く領域をマスクする部材となる。
保持部材は、ホルダ基体の一方の面上に設けられ、開口部からホルダ基体の他方の面側に成膜領域が露出し、成膜領域を除く部分において他の成膜基板と重なり領域を有し、かつ他の成膜基板と接しないようにホルダ基体に対して所定の傾きを有するように、複数枚の成膜基板をホルダ基体の一方の面上に保持する。
上記の成膜基板ホルダは、成膜領域を有する複数枚の成膜基板を保持する成膜基板ホルダであって、ホルダ基体と保持部材を有する。
ホルダ基体は、複数枚の成膜基板の成膜領域を露出するための複数個の開口部が形成され、成膜領域を除く領域をマスクする部材となる。
保持部材は、ホルダ基体の一方の面上に設けられ、開口部からホルダ基体の他方の面側に成膜領域が露出し、成膜領域を除く部分において他の成膜基板と重なり領域を有し、かつ他の成膜基板と接しないようにホルダ基体に対して所定の傾きを有するように、複数枚の成膜基板をホルダ基体の一方の面上に保持する。
上記の本発明の成膜装置は、好適には、前記成膜基板ホルダは、前記開口部の外周縁部における前記ホルダ基体と前記成膜基板の間隙に設けられ、前記成膜領域を露出し、前記成膜領域の外周縁部において前記成膜基板を保持する補助マスク部材をさらに有する。
上記の本発明の成膜装置は、好適には、前記成膜基板ホルダは、前記ホルダ基体がリング状の形状または円形形状である。
上記の本発明の成膜装置は、好適には、前記成膜基板ホルダは、径が異なる複数個のリング状の形状の成膜基板ホルダを組み合わせて構成され、より大きいホルダの内径より内側の領域に、より小さいホルダの少なくとも前記開口部が配置されるように、前記径が異なるリング状のホルダが同心円状に配置されている。
上記の本発明の成膜装置は、好適には、前記成膜基板ホルダは、前記複数枚の成膜基板に順次連続的に成膜を行うための成膜基板ホルダであり、前記ホルダ基体が一の方向に延伸するベルト状の形状である。
上記の本発明の成膜装置は、好適には、前記成膜基板ホルダは、前記ホルダ基体が円筒形形状であり、前記保持部材が前記円筒形形状の前記ホルダ基体の内壁面上に設けられ、前記開口部から前記ホルダ基体の外壁面側に前記成膜領域が露出するように複数枚の前記成膜基板を前記ホルダ基体の前記内壁面上に保持する。
本発明の成膜基板ホルダによれば、特に成膜基板の大きさに対して成膜領域が十分に小さい場合に、成膜領域以外に対する成膜材料の消費量を低減し、生産コストを抑制し、生産性を高めることができる。
本発明の成膜装置によれば、特に成膜基板の大きさに対して成膜領域が十分に小さい場合に、成膜領域以外に対する成膜材料の消費量を低減し、生産コストを抑制し、生産性を高めることができる。
以下に、本発明の成膜基板ホルダ及びそれを用いた成膜装置の実施の形態について、図面を参照して説明する。
＜第１実施形態＞
［成膜装置の構成］
図１は本実施形態に係る成膜装置である真空蒸着装置の模式構成図である。
例えば、成膜チャンバー２０に、排気管２１及び真空ポンプ２２が接続されており、内部が所定の圧力に減圧可能となっている。真空蒸着による成膜時における成膜チャンバー２０内の背圧は、例えば１０−２〜１０−５Ｐａ程度である。
［成膜装置の構成］
図１は本実施形態に係る成膜装置である真空蒸着装置の模式構成図である。
例えば、成膜チャンバー２０に、排気管２１及び真空ポンプ２２が接続されており、内部が所定の圧力に減圧可能となっている。真空蒸着による成膜時における成膜チャンバー２０内の背圧は、例えば１０−２〜１０−５Ｐａ程度である。
例えば、成膜チャンバー２０の内部に蒸着材料２３が配置される。
真空蒸着法の場合、例えば、蒸着材料２３は不図示の抵抗加熱ボート上に戴置され、抵抗加熱ボートを介して蒸着材料２３が加熱される。あるいは、例えば、成膜チャンバー２０の内部に不図示の電子ビーム照射部が設けられており、電子ビームが蒸着材料２３に照射して蒸着材料２３が加熱される。成膜チャンバー２０中の背圧が十分に低く、加熱された蒸発材料２３の蒸気圧がそれより大きくなれば蒸発材料２３が蒸発し、気化した蒸発材料が得られる。
また、スパッタリング法の場合、蒸着材料２３にイオン化したアルゴンなどの不活性ガスを衝突させ、蒸着材料２３の原子をはじき飛ばす。これにより、気化した蒸発材料が得られる。
真空蒸着法の場合、例えば、蒸着材料２３は不図示の抵抗加熱ボート上に戴置され、抵抗加熱ボートを介して蒸着材料２３が加熱される。あるいは、例えば、成膜チャンバー２０の内部に不図示の電子ビーム照射部が設けられており、電子ビームが蒸着材料２３に照射して蒸着材料２３が加熱される。成膜チャンバー２０中の背圧が十分に低く、加熱された蒸発材料２３の蒸気圧がそれより大きくなれば蒸発材料２３が蒸発し、気化した蒸発材料が得られる。
また、スパッタリング法の場合、蒸着材料２３にイオン化したアルゴンなどの不活性ガスを衝突させ、蒸着材料２３の原子をはじき飛ばす。これにより、気化した蒸発材料が得られる。
成膜チャンバー２０内には、蒸発材料２３と対向する位置に成膜対象である成膜基板を保持する成膜基板ホルダ１０が設けられている。
成膜基板ホルダ１０は後述の構成を有し、成膜基板の成膜しようとする表面が蒸発材料２３に臨むように、成膜基板が保持される。
上記の気化した蒸発材料が成膜基板の表面に達して固化すると、成膜基板の表面に蒸発材料の薄膜が形成される。
成膜基板ホルダ１０は後述の構成を有し、成膜基板の成膜しようとする表面が蒸発材料２３に臨むように、成膜基板が保持される。
上記の気化した蒸発材料が成膜基板の表面に達して固化すると、成膜基板の表面に蒸発材料の薄膜が形成される。
例えば、蒸発材料２３として酸化シリコンと窒化シリコンなど用いてこれらを交互に積層させることで反射防止膜が形成される。
また、例えば蒸発材料２３として酸化シリコンあるいは窒化シリコンなどの絶縁材料を用いることで絶縁膜が形成される。
また、例えば蒸発材料２３として金属などの導電材料など用いることで導電膜が形成される。
また、例えば蒸発材料２３として酸化シリコンあるいは窒化シリコンなどの絶縁材料を用いることで絶縁膜が形成される。
また、例えば蒸発材料２３として金属などの導電材料など用いることで導電膜が形成される。
［成膜基板の構成］
図２は本実施形態に係る成膜装置の成膜対象である成膜基板の平面図である。
成膜基板１は、例えば矩形の平板形状を有しており、成膜しようとする表面である成膜領域２を有している。
図２は本実施形態に係る成膜装置の成膜対象である成膜基板の平面図である。
成膜基板１は、例えば矩形の平板形状を有しており、成膜しようとする表面である成膜領域２を有している。
［成膜基板ホルダの構成］
図３（ａ）〜図３（ｃ）は本発明の第１実施形態に係るバッチ式成膜装置で用いられるリング状の成膜基板ホルダの平面図である。
本実施形態の成膜基板ホルダ１０は、成膜領域を有する複数枚の成膜基板を保持する。
本実施形態においては、径が異なる複数個のリング状の形状の成膜基板ホルダを組み合わせて構成されている。より径の大きいほうから、第１の成膜基板ホルダ１１、第２の成膜基板ホルダ１２、第３の成膜基板ホルダ１３を有する。
図３（ａ）〜図３（ｃ）は本発明の第１実施形態に係るバッチ式成膜装置で用いられるリング状の成膜基板ホルダの平面図である。
本実施形態の成膜基板ホルダ１０は、成膜領域を有する複数枚の成膜基板を保持する。
本実施形態においては、径が異なる複数個のリング状の形状の成膜基板ホルダを組み合わせて構成されている。より径の大きいほうから、第１の成膜基板ホルダ１１、第２の成膜基板ホルダ１２、第３の成膜基板ホルダ１３を有する。
図３（ａ）に示すように、第１の成膜基板ホルダ１１は、ホルダ基体１１ａと、保持部材１１ｂ，１１ｃを有する。
ホルダ基体１１ａは、複数枚の成膜基板の成膜領域を露出するための複数個の開口部１１ｂが形成され、成膜領域を除く領域をマスクする部材となる。成膜時のマスクとするために、ホルダ基体１１ａは例えば金属材料で形成されている。
保持部材１１ｃ、１１ｄは、ホルダ基体の一方の面上に設けられ、開口部１１ｂからホルダ基体１１ａの他方の面側に成膜領域２が露出し、成膜領域２を除く部分において他の成膜基板１と重なり領域を有し、かつ他の成膜基板２と接しないようにホルダ基体１１ａに対して所定の傾きを有するように、複数枚の成膜基板１をホルダ基体１１ａの一方の面上に保持する。
ホルダ基体１１ａは、複数枚の成膜基板の成膜領域を露出するための複数個の開口部１１ｂが形成され、成膜領域を除く領域をマスクする部材となる。成膜時のマスクとするために、ホルダ基体１１ａは例えば金属材料で形成されている。
保持部材１１ｃ、１１ｄは、ホルダ基体の一方の面上に設けられ、開口部１１ｂからホルダ基体１１ａの他方の面側に成膜領域２が露出し、成膜領域２を除く部分において他の成膜基板１と重なり領域を有し、かつ他の成膜基板２と接しないようにホルダ基体１１ａに対して所定の傾きを有するように、複数枚の成膜基板１をホルダ基体１１ａの一方の面上に保持する。
図３（ｂ）に示すように、第２の成膜基板ホルダ１２は、開口部１２ｂが形成され、成膜領域を除く領域をマスクする部材となるホルダ基体１２ａの一方の面上に、上記と同様の保持部材１２ｃ，１２ｄが設けられている。
図３（ｃ）に示すように、第３の成膜基板ホルダ１３は、複数個の開口部１３ｂが形成され、成膜領域を除く領域をマスクする部材となるホルダ基体１３ａの一方の面上に、上記と同様の保持部材１３ｃ，１３ｄが設けられている。
保持部材１１ｃ，１１ｄ，１２ｃ，１２ｄ，１３ｃ，１３ｄの詳細な構成は後述する。
保持部材１１ｃ，１１ｄ，１２ｃ，１２ｄ，１３ｃ，１３ｄの詳細な構成は後述する。
図１に示すように、上記の径が異なる３個のリング状の形状の成膜基板ホルダ１１，１２，１３は、より大きいホルダの内径より内側の領域に、より小さいホルダの少なくとも開口部が配置されるように、同心円状に配置されている。
成膜基板１は、各第１〜第３成膜基板ホルダ１１，１２，１３の開口部１１ｂ，１２ｂ，１３ｂから成膜領域２が蒸発材料２３に臨むように、成膜領域２の形成面側から、各第１〜第３成膜基板ホルダ１１，１２，１３上に配置されて保持される。
上記のようにして成膜基板１の成膜領域２が蒸発材料に臨むように保持された状態で、上記のように気化した蒸発材料に晒されると、蒸発材料の薄膜が成膜領域の表面に形成される。
上記のようにして成膜基板１の成膜領域２が蒸発材料に臨むように保持された状態で、上記のように気化した蒸発材料に晒されると、蒸発材料の薄膜が成膜領域の表面に形成される。
図４は本実施形態に係るバッチ式成膜装置で用いられるリング状の成膜基板ホルダの模式的断面図である。特に成膜基板の成膜領域を含む断面図としている。
また、図５は本実施形態に係るバッチ式成膜装置で用いられるリング状の成膜基板ホルダの一部拡大した平面図である。
また、図６（ａ）及び図６（ｂ）は本実施形態に係るバッチ式成膜装置で用いられるリング状の成膜基板ホルダの一部拡大した模式的断面図である。
上記の図４〜図６においては、第１〜第３の成膜基板ホルダから代表して第１の成膜基板ホルダ１１を示している。
また、図５は本実施形態に係るバッチ式成膜装置で用いられるリング状の成膜基板ホルダの一部拡大した平面図である。
また、図６（ａ）及び図６（ｂ）は本実施形態に係るバッチ式成膜装置で用いられるリング状の成膜基板ホルダの一部拡大した模式的断面図である。
上記の図４〜図６においては、第１〜第３の成膜基板ホルダから代表して第１の成膜基板ホルダ１１を示している。
第１の成膜基板ホルダ１１は、ホルダ基体１１ａと、保持部材１１ｃ，１１ｄを有する。
ホルダ基体１１ａは、複数枚の成膜基板の成膜領域を露出するための複数個の開口部１１ｂが形成され、成膜領域を除く領域をマスクする部材となる。
保持部材１１ｃ、１１ｄは、ホルダ基体の一方の面上に設けられ、開口部１１ｂからホルダ基体１１ａの他方の面側に成膜領域２が露出し、成膜領域２を除く部分において他の成膜基板１と重なり領域を有するように成膜基板１を位置決めする。
ホルダ基体１１ａは、複数枚の成膜基板の成膜領域を露出するための複数個の開口部１１ｂが形成され、成膜領域を除く領域をマスクする部材となる。
保持部材１１ｃ、１１ｄは、ホルダ基体の一方の面上に設けられ、開口部１１ｂからホルダ基体１１ａの他方の面側に成膜領域２が露出し、成膜領域２を除く部分において他の成膜基板１と重なり領域を有するように成膜基板１を位置決めする。
ここで、保持部材１１ｃ，１１ｄには、補助保持部材１１ｅ，１１ｆ，１１ｇ，１１ｈが形成されている。
補助保持部材１１ｅ，１１ｆは、成膜基板をホルダ基体１１ａ側に抑える部材である。成膜基板１が振動などにより成膜基板ホルダ上で揺れるのを抑制する。
補助保持部材１１ｇ，１１ｈは、成膜基板をホルダ基体１１ａから所定の距離離間させる部材である。成膜基板１がホルダ基体１１ａに対して所定の傾きを有するように保持する。
上記のように成膜基板がホルダ基体１１ａに対して所定の傾きを有するので、成膜基板とホルダ基体１１ａの間に空間が生じる。本実施形態では、この空間内に他の成膜基板が重なり領域を有するように入り込むようにレイアウトされる。
上記の構成により、成膜基板が、成膜領域２を除く部分において他の成膜基板１と重なり領域を有し、かつ他の成膜基板２と接しないようにして、複数枚の成膜基板１をホルダ基体１１ａの一方の面上に保持することができる。
補助保持部材１１ｅ，１１ｆは、成膜基板をホルダ基体１１ａ側に抑える部材である。成膜基板１が振動などにより成膜基板ホルダ上で揺れるのを抑制する。
補助保持部材１１ｇ，１１ｈは、成膜基板をホルダ基体１１ａから所定の距離離間させる部材である。成膜基板１がホルダ基体１１ａに対して所定の傾きを有するように保持する。
上記のように成膜基板がホルダ基体１１ａに対して所定の傾きを有するので、成膜基板とホルダ基体１１ａの間に空間が生じる。本実施形態では、この空間内に他の成膜基板が重なり領域を有するように入り込むようにレイアウトされる。
上記の構成により、成膜基板が、成膜領域２を除く部分において他の成膜基板１と重なり領域を有し、かつ他の成膜基板２と接しないようにして、複数枚の成膜基板１をホルダ基体１１ａの一方の面上に保持することができる。
補助保持部材１１ｅ，１１ｆ，１１ｇ，１１ｈとしては、上記においては１枚の成膜基板に対して４箇所設けているが、成膜基板の形状及び重心位置などにより揺れが少ない場合などにおいて、適宜補助保持部材の数を少なくすることができる。例えば、成膜基板をホルダ基体１１ａ側に抑える補助保持部材を１つ、成膜基板をホルダ基体１１ａから所定の距離離間させる補助保持部材を１つ有する構成としてもよい。
本実施形態の成膜基板ホルダによれば、特に成膜基板の大きさに対して成膜領域が十分に小さい場合に、成膜領域以外に対する成膜材料の消費量を低減し、生産コストを抑制し、生産性を高めることができる。
本実施形態の成膜装置によれば、特に成膜基板の大きさに対して成膜領域が十分に小さい場合に、成膜領域以外に対する成膜材料の消費量を低減し、生産コストを抑制し、生産性を高めることができる。
上記の第１〜第３成膜基板ホルダを構成するホルダ基体の形状は、リング状ではなく、円形形状でもよい。この場合には、当然ながら、上記のように３個の径の異なる成膜基板ホルダを組み合わせるのではなく、単独で用いられる。
［成膜方法］
次に、本実施形態に係る有機膜形成用蒸着材料を用いた真空蒸着方法について説明する。
例えば、上述の本実施形態に係る真空蒸着装置を用いて行う。
まず、例えば、成膜基板ホルダ１０に成膜対象である成膜基板を保持して成膜チャンバー２０内に配置する。
また、成膜チャンバー２０内に蒸発材料２３を配置する。例えば、抵抗加熱ボートなどの上に配置する。
次に、本実施形態に係る有機膜形成用蒸着材料を用いた真空蒸着方法について説明する。
例えば、上述の本実施形態に係る真空蒸着装置を用いて行う。
まず、例えば、成膜基板ホルダ１０に成膜対象である成膜基板を保持して成膜チャンバー２０内に配置する。
また、成膜チャンバー２０内に蒸発材料２３を配置する。例えば、抵抗加熱ボートなどの上に配置する。
ここで、成膜基板は、ホルダ基体に設けられた開口部からホルダ基体の他方の面側に成膜領域が露出し、成膜領域を除く部分において他の成膜基板と重なり領域を有し、かつ他の成膜基板と接しないようにホルダ基体に対して所定の傾きを有するように、複数枚の成膜基板をホルダ基体の一方の面上に保持する。
次に、例えば、成膜チャンバー２０の内部を所定の圧力に減圧し、抵抗加熱ボートを介して蒸着材料２３を加熱し、あるいは、例えば、成膜チャンバー２０の内部に設けられた不図示の電子ビーム照射部により電子ビームを照射し、蒸発材料２３を加熱して、蒸発材料を気化させる。
あるいは、スパッタリング法の場合、蒸着材料２３にイオン化したアルゴンなどの不活性ガスを衝突させ、蒸着材料２３の原子をはじき飛ばし、蒸発材料を気化させる。
あるいは、スパッタリング法の場合、蒸着材料２３にイオン化したアルゴンなどの不活性ガスを衝突させ、蒸着材料２３の原子をはじき飛ばし、蒸発材料を気化させる。
上記のようにして成膜基板１の成膜領域２が蒸発材料に臨むように保持された状態で、上記のように気化した蒸発材料に晒すことで、蒸発材料の薄膜を成膜領域の表面に形成する。
例えば、蒸発材料２３として酸化シリコンと窒化シリコンなど用いてこれらを交互に積層させることで反射防止膜を形成できる。
また、例えば蒸発材料２３として酸化シリコンあるいは窒化シリコンなどの絶縁材料を用いることで絶縁膜を形成できる。
また、例えば蒸発材料２３として金属などの導電材料など用いることで導電層を形成できる。
また、例えば蒸発材料２３として酸化シリコンあるいは窒化シリコンなどの絶縁材料を用いることで絶縁膜を形成できる。
また、例えば蒸発材料２３として金属などの導電材料など用いることで導電層を形成できる。
上記の本実施形態に係る成膜方法は、蒸発材料の上側に成膜基板ホルダに保持された成膜基板が配置されたデポアップと称せられる方式の成膜方法である。
＜第２実施形態＞
図７は本実施形態に係るバッチ式成膜装置で用いられるリング状の成膜基板ホルダの模式的断面図である。特に成膜基板の成膜領域を含む断面図としている。
本実施形態に係る成膜装置は、成膜基板ホルダの構成を除いて第１実施形態と同様である。
また、成膜対象である成膜基板の構成も第１実施形態と同様である。
図７は本実施形態に係るバッチ式成膜装置で用いられるリング状の成膜基板ホルダの模式的断面図である。特に成膜基板の成膜領域を含む断面図としている。
本実施形態に係る成膜装置は、成膜基板ホルダの構成を除いて第１実施形態と同様である。
また、成膜対象である成膜基板の構成も第１実施形態と同様である。
図７においては、第１実施形態における第１〜第３の成膜基板ホルダから代表して第１の成膜基板ホルダ１１を示している。
図７に示すように、本実施形態の成膜基板ホルダは、開口部１１ｂの外周縁部におけるホルダ基体１１ａと成膜基板１の間隙に、成膜領域２を露出し、成膜領域２の外周縁部において成膜基板１を保持する補助マスク部材１１ｉが設けられている。補助マスク部材１１ｉは、ホルダ基体１１ａと同様の金属材料で形成されている。
図７に示すように、本実施形態の成膜基板ホルダは、開口部１１ｂの外周縁部におけるホルダ基体１１ａと成膜基板１の間隙に、成膜領域２を露出し、成膜領域２の外周縁部において成膜基板１を保持する補助マスク部材１１ｉが設けられている。補助マスク部材１１ｉは、ホルダ基体１１ａと同様の金属材料で形成されている。
本実施形態の成膜基板ホルダによれば、特に成膜基板の大きさに対して成膜領域が十分に小さい場合に、成膜領域以外に対する成膜材料の消費量を低減し、生産コストを抑制し、生産性を高めることができる。
本実施形態の成膜装置によれば、特に成膜基板の大きさに対して成膜領域が十分に小さい場合に、成膜領域以外に対する成膜材料の消費量を低減し、生産コストを抑制し、生産性を高めることができる。
特に、補助マスク部材１１ｉを有するので、成膜基板の保持能力がさらに高まり、成膜時のマスクとしての機能も高められ、より成膜領域の境界を明確にして成膜することが可能となる。
＜第３実施形態＞
図８は本実施形態に係るインライン型の成膜装置で用いられる成膜基板ホルダの平面図である。
本実施形態に係る成膜装置は、成膜基板ホルダの構成を除いて第１実施形態と同様である。
また、成膜対象である成膜基板の構成も第１実施形態と同様である。
図８は本実施形態に係るインライン型の成膜装置で用いられる成膜基板ホルダの平面図である。
本実施形態に係る成膜装置は、成膜基板ホルダの構成を除いて第１実施形態と同様である。
また、成膜対象である成膜基板の構成も第１実施形態と同様である。
本実施形態の成膜基板ホルダは、複数枚の成膜基板に順次連続的に成膜を行うインライン型の成膜装置のための成膜基板ホルダである。
図８に示すように、例えば成膜しようとする表面である成膜領域２を有する矩形形状の複数枚の成膜基板１が成膜基板ホルダ１４に保持される。
成膜基板ホルダ１４は、ホルダ基体１４ａと、不図示の保持部材を有する。
ホルダ基体１４ａは、複数枚の成膜基板の成膜領域を露出するための複数個の開口部１４ｂが形成され、成膜領域を除く領域をマスクする部材となる。
保持部材は、ホルダ基体の一方の面上に設けられ、開口部１４ｂからホルダ基体１４ａの他方の面側に成膜領域２が露出し、成膜領域２を除く部分において他の成膜基板１と重なり領域を有し、かつ他の成膜基板２と接しないようにホルダ基体１４ａに対して所定の傾きを有するように、複数枚の成膜基板１をホルダ基体１４ａの一方の面上に保持する。
上記のように、成膜基板ホルダ１４には、成膜基板１の成膜領域２に相当する領域を開口する開口部１４ａが形成されており、成膜基板１は、開口部１４ａから成膜領域２が蒸発材料２３に臨むように配置されて保持される。
図８に示すように、例えば成膜しようとする表面である成膜領域２を有する矩形形状の複数枚の成膜基板１が成膜基板ホルダ１４に保持される。
成膜基板ホルダ１４は、ホルダ基体１４ａと、不図示の保持部材を有する。
ホルダ基体１４ａは、複数枚の成膜基板の成膜領域を露出するための複数個の開口部１４ｂが形成され、成膜領域を除く領域をマスクする部材となる。
保持部材は、ホルダ基体の一方の面上に設けられ、開口部１４ｂからホルダ基体１４ａの他方の面側に成膜領域２が露出し、成膜領域２を除く部分において他の成膜基板１と重なり領域を有し、かつ他の成膜基板２と接しないようにホルダ基体１４ａに対して所定の傾きを有するように、複数枚の成膜基板１をホルダ基体１４ａの一方の面上に保持する。
上記のように、成膜基板ホルダ１４には、成膜基板１の成膜領域２に相当する領域を開口する開口部１４ａが形成されており、成膜基板１は、開口部１４ａから成膜領域２が蒸発材料２３に臨むように配置されて保持される。
ここで、上記のようにインライン型の成膜装置であることに対応して、成膜基板ホルダを構成するホルダ基体１４ａは、一の方向に延伸するベルト状の形状である。
上記の成膜方法は、上記と同様のデポアップと称せられる方式の成膜方法である。
本実施形態の成膜基板ホルダによれば、特に成膜基板の大きさに対して成膜領域が十分に小さい場合に、成膜領域以外に対する成膜材料の消費量を低減し、生産コストを抑制し、生産性を高めることができる。
本実施形態の成膜装置によれば、特に成膜基板の大きさに対して成膜領域が十分に小さい場合に、成膜領域以外に対する成膜材料の消費量を低減し、生産コストを抑制し、生産性を高めることができる。
＜第４実施形態＞
図９（ａ）は本実施形態に係るバッチ式の成膜装置で用いられるドラム型の成膜基板ホルダの上面図であり、図９（ｂ）は模式的断面図である。図９（ｃ）は２枚の成膜基板を保持する部分における成膜基板ホルダの平面図である。
本実施形態に係る成膜装置は、成膜基板ホルダの構成を除いて第１実施形態と同様である。
また、成膜対象である成膜基板の構成も第１実施形態と同様である。
図９（ａ）は本実施形態に係るバッチ式の成膜装置で用いられるドラム型の成膜基板ホルダの上面図であり、図９（ｂ）は模式的断面図である。図９（ｃ）は２枚の成膜基板を保持する部分における成膜基板ホルダの平面図である。
本実施形態に係る成膜装置は、成膜基板ホルダの構成を除いて第１実施形態と同様である。
また、成膜対象である成膜基板の構成も第１実施形態と同様である。
図９（ａ）〜図９（ｃ）に示すように、例えば成膜しようとする表面である成膜領域２を有する矩形形状の複数枚の成膜基板１が成膜基板ホルダ１５に保持される。
成膜基板ホルダ１５は、ホルダ基体１５ａと、不図示の保持部材を有する。
ホルダ基体１５ａは、複数枚の成膜基板の成膜領域を露出するための複数個の開口部１５ｂが形成され、成膜領域を除く領域をマスクする部材となる。
ここで、本実施形態においてはホルダ基体１５ａが円筒形形状であり、保持部材が円筒形形状のホルダ基体１５ａの内壁面上に設けられ、開口部１５ｂからホルダ基体１５ａの外壁面側に成膜領域２が露出するように複数枚の成膜基板１をホルダ基体１５ａの内壁面上に保持する。
上記のように、成膜基板ホルダ１５には、成膜基板１の成膜領域２に相当する領域を開口する開口部１５ａが形成されており、成膜基板１は、開口部１５ａから成膜領域２が蒸発材料２３に臨むように配置されて保持される。
成膜基板ホルダ１５は、ホルダ基体１５ａと、不図示の保持部材を有する。
ホルダ基体１５ａは、複数枚の成膜基板の成膜領域を露出するための複数個の開口部１５ｂが形成され、成膜領域を除く領域をマスクする部材となる。
ここで、本実施形態においてはホルダ基体１５ａが円筒形形状であり、保持部材が円筒形形状のホルダ基体１５ａの内壁面上に設けられ、開口部１５ｂからホルダ基体１５ａの外壁面側に成膜領域２が露出するように複数枚の成膜基板１をホルダ基体１５ａの内壁面上に保持する。
上記のように、成膜基板ホルダ１５には、成膜基板１の成膜領域２に相当する領域を開口する開口部１５ａが形成されており、成膜基板１は、開口部１５ａから成膜領域２が蒸発材料２３に臨むように配置されて保持される。
上記の成膜方法は、蒸発材料の側部に成膜基板ホルダに保持された成膜基板が配置されたデポサイドと称せられる方式の成膜方法である。
本実施形態の成膜基板ホルダによれば、特に成膜基板の大きさに対して成膜領域が十分に小さい場合に、成膜領域以外に対する成膜材料の消費量を低減し、生産コストを抑制し、生産性を高めることができる。
本実施形態の成膜装置によれば、特に成膜基板の大きさに対して成膜領域が十分に小さい場合に、成膜領域以外に対する成膜材料の消費量を低減し、生産コストを抑制し、生産性を高めることができる。
本発明は上記の説明に限定されない。
例えば、第１実施形態において３個の径の異なるリング状の成膜基板ホルダを組み合わせているが、基本的には１個のリング状の成膜基板ホルダのみの構成であってもよい。
成膜基板としては、矩形形状のものを例示しているが、これに限らず、例えば円形形状の成膜基板に対しても適用可能である。
上記の実施形態においては、真空蒸着法あるいはスパッタリング法に関する成膜装置を示しており、成膜チャンバー内に蒸発材料を配置している。しかし、これに限定されることはなく、成膜基板に成膜する材料を供給する材料供給部を有していればＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法などの上記以外の成膜方法にも適用可能である。例えば、ＣＶＤ法では、原料ガスを成膜チャンバー内に導入し、成膜チャンバー内で化学反応を生じさせて得られる材料を成膜基板上に堆積させて成膜する。
その他、本発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の変更が可能である。
例えば、第１実施形態において３個の径の異なるリング状の成膜基板ホルダを組み合わせているが、基本的には１個のリング状の成膜基板ホルダのみの構成であってもよい。
成膜基板としては、矩形形状のものを例示しているが、これに限らず、例えば円形形状の成膜基板に対しても適用可能である。
上記の実施形態においては、真空蒸着法あるいはスパッタリング法に関する成膜装置を示しており、成膜チャンバー内に蒸発材料を配置している。しかし、これに限定されることはなく、成膜基板に成膜する材料を供給する材料供給部を有していればＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法などの上記以外の成膜方法にも適用可能である。例えば、ＣＶＤ法では、原料ガスを成膜チャンバー内に導入し、成膜チャンバー内で化学反応を生じさせて得られる材料を成膜基板上に堆積させて成膜する。
その他、本発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の変更が可能である。
１…成膜基板
２…成膜領域
１０…成膜基板ホルダ
１１…第１の成膜基板ホルダ
１１ａ…基体ホルダ
１１ｂ…開口部
１１ｃ，１１ｄ…保持部材
１１ｅ，１１ｆ，１１ｇ，１１ｈ…補助保持部材
１１ｉ…補助マスク部材
１２…第２の成膜基板ホルダ
１２ａ…基体ホルダ
１２ｂ…開口部
１２ｃ，１２ｄ…保持部材
１３…第３の成膜基板ホルダ
１３ａ…基体ホルダ
１３ｂ…開口部
１３ｃ，１３ｄ…保持部材
１４…成膜基板ホルダ
１４ａ…基体ホルダ
１４ｂ…開口部
１５…成膜基板ホルダ
１５ａ…基体ホルダ
１５ｂ…開口部
２０…成膜チャンバー
２１…排気管
２２…真空ポンプ
２３…蒸着材料
２…成膜領域
１０…成膜基板ホルダ
１１…第１の成膜基板ホルダ
１１ａ…基体ホルダ
１１ｂ…開口部
１１ｃ，１１ｄ…保持部材
１１ｅ，１１ｆ，１１ｇ，１１ｈ…補助保持部材
１１ｉ…補助マスク部材
１２…第２の成膜基板ホルダ
１２ａ…基体ホルダ
１２ｂ…開口部
１２ｃ，１２ｄ…保持部材
１３…第３の成膜基板ホルダ
１３ａ…基体ホルダ
１３ｂ…開口部
１３ｃ，１３ｄ…保持部材
１４…成膜基板ホルダ
１４ａ…基体ホルダ
１４ｂ…開口部
１５…成膜基板ホルダ
１５ａ…基体ホルダ
１５ｂ…開口部
２０…成膜チャンバー
２１…排気管
２２…真空ポンプ
２３…蒸着材料
Claims (12)
- 成膜領域を有する複数枚の成膜基板を保持する成膜基板ホルダであって、
複数枚の前記成膜基板の前記成膜領域を露出するための複数個の開口部が形成され、前記成膜領域を除く領域をマスクする部材となるホルダ基体と、
前記ホルダ基体の一方の面上に設けられ、前記開口部から前記ホルダ基体の他方の面側に前記成膜領域が露出し、前記成膜領域を除く部分において他の成膜基板と重なる領域を有し、かつ前記他の成膜基板と接しないように前記ホルダ基体に対して所定の傾きを有するように、複数枚の前記成膜基板を前記ホルダ基体の前記一方の面上に保持する保持部材と
を有し、
前記開口部から前記ホルダ基体の他方の面側に前記成膜領域が露出するように、前記複数枚の前記成膜基板を前記ホルダ基体の前記一方の面上に保持する
成膜基板ホルダ。 - 前記開口部の外周縁部における前記ホルダ基体と前記成膜基板の間隙に設けられ、前記成膜領域を露出し、前記成膜領域の外周縁部において前記成膜基板を保持する補助マスク部材をさらに有する
請求項１に記載の成膜基板ホルダ。 - 前記ホルダ基体がリング状の形状または円形形状である
請求項１または２に記載の成膜基板ホルダ。 - 径が異なる複数個のリング状の形状の成膜基板ホルダを組み合わせて構成され、より大きいホルダの内径より内側の領域に、より小さいホルダの少なくとも前記開口部が配置されるように、前記径が異なるリング状のホルダが同心円状に配置されている
請求項１または２に記載の成膜基板ホルダ。 - 前記複数枚の成膜基板に順次連続的に成膜を行うための成膜基板ホルダであり、
前記ホルダ基体が一の方向に延伸するベルト状の形状である
請求項１または２に記載の成膜基板ホルダ。 - 前記ホルダ基体が円筒形形状であり、前記保持部材が前記円筒形形状の前記ホルダ基体の内壁面上に設けられ、前記開口部から前記ホルダ基体の外壁面側に前記成膜領域が露出するように複数枚の前記成膜基板を前記ホルダ基体の前記内壁面上に保持する
請求項１または２に記載の成膜基板ホルダ。 - 成膜チャンバーと、
前記成膜チャンバー内に設けられた成膜領域を有する複数枚の成膜基板を保持する成膜基板ホルダと、
前記成膜基板に成膜する材料を供給する材料供給部と
を有し、
前記成膜基板ホルダは、
複数枚の前記成膜基板の前記成膜領域を露出するための複数個の開口部が形成され、前記成膜領域を除く領域をマスクする部材となるホルダ基体と、
前記ホルダ基体の一方の面上に設けられ、前記開口部から前記ホルダ基体の他方の面側に前記成膜領域が露出し、前記成膜領域を除く部分において他の成膜基板と重なり領域を有し、かつ前記他の成膜基板と接しないように前記ホルダ基体に対して所定の傾きを有するように、複数枚の前記成膜基板を前記ホルダ基体の前記一方の面上に保持する保持部材と
を有し、
前記開口部から前記ホルダ基体の他方の面側に前記成膜領域が露出するように、前記複数枚の前記成膜基板を前記ホルダ基体の前記一方の面上に保持する
成膜装置。 - 前記成膜基板ホルダは、前記開口部の外周縁部における前記ホルダ基体と前記成膜基板の間隙に設けられ、前記成膜領域を露出し、前記成膜領域の外周縁部において前記成膜基板を保持する補助マスク部材をさらに有する
請求項７に記載の成膜装置。 - 前記成膜基板ホルダは、前記ホルダ基体がリング状の形状または円形形状である
請求項７または８に記載の成膜装置。 - 前記成膜基板ホルダは、径が異なる複数個のリング状の形状の成膜基板ホルダを組み合わせて構成され、より大きいホルダの内径より内側の領域に、より小さいホルダの少なくとも前記開口部が配置されるように、前記径が異なるリング状のホルダが同心円状に配置されている
請求項７または８に記載の成膜装置。 - 前記成膜基板ホルダは、前記複数枚の成膜基板に順次連続的に成膜を行うための成膜基板ホルダであり、前記ホルダ基体が一の方向に延伸するベルト状の形状である
請求項７または８に記載の成膜装置。 - 前記成膜基板ホルダは、前記ホルダ基体が円筒形形状であり、前記保持部材が前記円筒形形状の前記ホルダ基体の内壁面上に設けられ、前記開口部から前記ホルダ基体の外壁面側に前記成膜領域が露出するように複数枚の前記成膜基板を前記ホルダ基体の前記内壁面上に保持する
請求項７または８に記載の成膜装置。
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