JP4985177B2 - 高速製品の試験方法及び装置 - Google Patents

高速製品の試験方法及び装置 Download PDF

Info

Publication number
JP4985177B2
JP4985177B2 JP2007193091A JP2007193091A JP4985177B2 JP 4985177 B2 JP4985177 B2 JP 4985177B2 JP 2007193091 A JP2007193091 A JP 2007193091A JP 2007193091 A JP2007193091 A JP 2007193091A JP 4985177 B2 JP4985177 B2 JP 4985177B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
signal
clock
test
waveform
clk
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP2007193091A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2009032310A (ja
Inventor
義博 前崎
寛 勅使河原
幸彦 小平
尚枝 関口
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Fujitsu Ltd filed Critical Fujitsu Ltd
Priority to JP2007193091A priority Critical patent/JP4985177B2/ja
Publication of JP2009032310A publication Critical patent/JP2009032310A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4985177B2 publication Critical patent/JP4985177B2/ja
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Landscapes

  • Tests Of Electronic Circuits (AREA)
  • For Increasing The Reliability Of Semiconductor Memories (AREA)

Description

メモリーICなどの試験品の試験を行う場合、それと同等の試験周波数以上のメモリー試験機を使用して、メモリーICの機能試験を行っていた。ところが、メモリーICなどの試験品の動作周波数が、メモリー試験機の動作周波数を超えた場合、新たに高額な設備導入が必要になってくる。本発明は、メモリー試験機等の試験装置の試験周波数が、試験品(メモリーIC等の高速製品)の動作周波数よりも遅くても、機能試験を実現することができるようにした高速製品の試験方法及び装置に関する。
従来例を試験品として、メモリであるSDRAM(Synchronous Dynamic Random Access Memory)を例にとり、試験品の重要な信号のみをピックアップして説明する。
SDRAMは、CLK(クロック信号) を基準クロックとして、素子の内部回路が動作している。したがって、試験機(試験装置)の動作周波数は、試験品のクロック(CLK)信号の周波数と同じスピードで機能試験を行う必要がある。動作周波数が10(MHz)であるSDRAMの試験品を測定する場合、最大試験周波数が10(MHz)以上の試験機で測定を行なう必要があった。
図8は従来の試験ブロックの説明図である。図8において、従来方法の10(MHz)の試験機1と10(MHz)の試験品3との波形伝送関係を表したものである。試験機1には、波形生成部(CLK信号)10、波形生成部(RAS信号)11、波形生成部(CAS信号)12、波形生成部(WE信号)13が設けてある。試験品3には、CLK信号が入力される端子であるCLK、RAS信号が入力される端子であるRAS、CAS信号の入力が入力される端子であるCAS、WE信号が入力される端子であるWEが設けてある。
波形生成部(CLK信号)10は、クロック信号の波形を生成する波形生成手段であり、この例では10(MHz)のクロック信号である。波形生成部(RAS信号)11は、行アドレス指定信号であるRAS(Row Address Strobe)信号の波形を生成する波形生成手段である。波形生成部(CAS信号)12は、列アドレス指定信号であるCAS(Column Address Strobe )信号の波形を生成する波形生成手段である。波形生成部(WE信号)13は、ライトイネーブル信号であるWE(Write Enable)信号の波形を生成する波形生成手段である。
試験機1は、信号の種類毎に波形生成を行い、試験品の各々の該当する端子へ1対1接続で、任意の波形信号を印加して試験を行う。
図9は従来の波形タイミングの説明図である。図9において、試験品がSDRAMでの書込み動作を行なう時の波形タイミングを表したものである。SDRAMへの書き込みは、先ず、タイミングT1でアクティブ動作としてクロック信号の立ち上がりにRAS信号(Low=0)を与え、タイミングT2でライト動作としてクロック信号の立ち上がりにCAS信号(Low=0)とWE信号(Low=0)を与え、タイミングT3でプリチャージ動作としてクロック信号の立ち上がりにRAS信号(Low=0)とWE信号(Low=0)を与えている。
また、従来、試験機より動作速度が速い試験品を試験するものとして次のものがあった。
(1) クロック信号が低速なLSIテスタによって動作周波数が高速であるLSIの評価を可能とする評価用測定装置がある。この評価用測定装置は、高速パルスを発生する信号発生器と高速パルスを抽出し被測定装置へ出力するパルス抽出回路を備えている。そして、この両者を交換することにより、様々な高速LSIを評価可能にするものがあった(特許文献1参照)。
(2) 測定装置から供給されるクロック信号の周波数を逓倍するクロック信号逓倍回路を介挿し高速試験に対応したICテスタがあった(特許文献2参照)。
(3) 同じクロックで動作する2台の試験装置を使い、基本クロックの位相を180度ずらして発生させて、それらのクロックを合成し基本クロックの2倍の周波数のクロックとして高速で動作するメモリ試験方法があった(特許文献3参照)。
特開平5−288805号公報 特開2001−101894号公報 特開2005−174428号公報
上記従来のものは次のような課題があった。
試験品つまりSDRAMのCLK(クロック)信号が20MHzの場合、10MHzの試験周波数を装備する試験機では、試験不可になっていた。この試験不可の理由は、10MHzの試験周波数を装備する試験機では、20MHzのクロック信号を生成することができないためである。また、動作周波数が20MHz以上の試験機は、1台あたりの単価も高価であり、新規に導入は困難である。
また、従来の試験機より動作速度が速い試験品を試験するものは、自動で波形のスキューを調整することができるクロック信号調整部を備えていないため、高速な試験製品の正確な試験が行えないものであった。
本発明は、波形のスキュー(位相)を調整することができるクロック信号調整部を備え、現有の試験周波数の遅い試験機でも、高速の試験品の機能試験を可能とすることを目的とする。
図1は本発明の試験装置の説明図である。図1中、1は試験機、2は高速波形器、3は試験品(高速製品)、11は波形生成部(RAS信号)、12は波形生成部(CAS信号)、13は波形生成部(WE信号)、21は高速波形生成部(CLK信号)、22は波形同期部(同期信号)、23はCLK信号調整部である。
本発明は、上記の課題を解決するため次のように構成した。
(1):試験品3のクロック周波数より低い試験品の試験を行う試験機1と、前記試験品3のクロック周波数と同じクロック信号を発生できる高速波形生成部21と、前記高速波形生成部21の発生したクロック信号の位相を調整するクロック信号調整部23とを備え、前記クロック信号調整部23で、前記試験機1からの信号と前記高速波形生成部21のクロック信号との位相を比較し、前記クロック信号を指定の位相に調整し、該調整したクロック信号を前記試験品3に入力し、前記試験機1で前記試験品3の機能試験を行う。このため、試験周波数の遅い試験機で、高速の試験品の機能試験が可能になり、また、高額になる新規導入設備費用が、削減できる。
本発明によれば次のような効果がある。
(1):クロック信号調整部で、試験機からの信号と高速波形生成部のクロック信号との位相を比較し、前記クロック信号を指定の位相に調整し、該調整したクロック信号を試験品に入力し、前記試験機で前記試験品の機能試験を行うため、試験周波数の遅い試験機で高速の試験品の機能試験が可能になり、また、高額になる新規導入設備費用が削減できる。
本発明は、高速波形器を新たに設けることにより、10(MHz)の試験機でも、CLK(クロック)動作周波数が20(MHz)のSDRAM等の高速製品の機能試験を実現するものである。
(1):試験装置の説明
図1は、本発明の試験装置の説明図である。図1において、試験装置には、速度の遅い10(MHz)の試験機1と20(MHz)の高速波形器2を備え、CLK(クロック)動作周波数が20(MHz)のSDRAM等の高速製品(試験品)3の試験を行うものである。試験機1には、波形生成部(RAS信号)11、波形生成部(CAS信号)12、波形生成部(WE信号)13が設けてある。高速波形器2には、高速波形生成部(CLK信号)21、波形同期部(同期信号)22、CLK信号調整部23が設けてある。
高速波形生成部(CLK信号)21は、高速のクロック信号(この例では20(MHz))の波形を生成するものである。波形同期部(同期信号)22は、RAS信号、CAS信号、WE信号と同期させる(この例では10(MHz))同期信号を作成して、試験機1に入力するものである。CLK信号調整部23は、高速のクロック信号(この例では20(MHz))の立ち上がりエッジが適正な位置になるようにスキュー(位相)調整を行うCLK信号調整手段である。
試験装置の動作は、高速波形生成部(CLK信号)21で生成したクロック信号を波形同期部(同期信号)22で試験機1の試験周波数の同期信号を作成し、該同期信号を試験機1に入力する。試験機1では、この同期信号に同期したRAS信号、CAS信号、WE信号を各波形生成部11、12、13で生成する。生成したRAS信号は、試験品3のRAS端子に入力するとともにCLK信号調整部23にも入力する。また、CAS信号は試験品3のCAS端子に入力し、WE信号は試験品3のWE端子に入力する。一方、CLK信号調整部23では、高速波形生成部(CLK信号)21からのクロック信号を試験機1からのRAS信号により立ち上がりエッジが適正な位置になるようにスキュー調整を行い、調整後のクロック信号を試験品3のCLK端子に入力する。
図2は波形タイミングの説明図である。図2において、波形CLKは、CLK信号調整部23から試験品3のCLK端子に入力される20(MHz)のクロック信号である。RASの波形は、波形同期部(同期信号)22の信号に同期したRAS信号である。CASの波形は、波形同期部(同期信号)22の信号に同期したCAS信号である。WEの波形は、波形同期部(同期信号)22の信号に同期したWE信号である。同期信号の波形は、波形同期部(同期信号)22からの10(MHz)の信号である。
図2のタイミングT1において、同期信号の立ち上がりに同期してRAS信号(Low=0)が試験品3に入力され、タイミングT2において、同期信号の立ち上がりに同期してCAS信号(Low=0)とWE信号(Low=0)が試験品3に入力され、タイミングT3において、同期信号の立ち上がりに同期してRAS信号(Low=0)とWE信号(Low=0)が試験品3に入力されている。
(セットアップ時間およびホールド時間の説明)
高速波形器2から試験品3のCLK(クロック)信号へ、20(MHz)の信号を入力する際、CLK信号の立ち上がりエッジとRAS信号、CAS信号、WE信号間にセットアップ時間およびホールド時間を設定する必要がある。このため、高速波形器2のCLK信号調整部23で、CLK信号の立ち上がりエッジが、適正な位置になるようにスキュー調整を行なうものである。
図2のタイミングT3において、RAS信号(Low=0)が立下がってからCLK信号の立ち上がりエッジまでの時間がセットアップ時間となる。CLK信号の立ち上がりエッジからRAS信号(Low=0)が立ち上がるまでの時間がホールド時間となる。なお、同期しているのでタイミングT1、T2においても同じである。
(2):クロック(CLK)信号調整部の説明
図3はクロック信号調整部の説明図である。図3において、クロック信号調整部23には、位相変更部30、論理値比較部31、演算部32が設けてある。位相変更部30には、位相選択部33、位相加算部34、位相減算部35が設けてある。
位相変更部30は、高速波形生成部21からのクロック信号の位相を変更する位相変更手段である。論理値比較部31は、RAS信号とクロック信号の論理値を比較する論理値比較手段である。演算部32は、クロック信号のパルス幅等の演算を行う演算手段である。位相選択部33は、位相加算部34、位相減算部35のどちらかを選択する位相選択手段である。位相加算部34は、クロック信号の位相を加算する位相加算手段である。位相減算部35は、クロック信号の位相を減算する位相減算手段である。
(クロック信号の調整の説明)
図4はクロック信号のタイミング調整の説明図である。このタイミング調整では、RAS信号の波形の立下りからクロック(CLK)信号の波形の立ち上がりの時間を5NS(ナノセカンド)にしたい場合、すなわち、図4のクロック信号のタイミング調整のように、調整前のクロック(CLK) 信号から調整後のクロック(CLK) 信号へ変更する場合の方法を説明する。
RAS信号の波形の立下りの地点を基準点とし、時間軸を±0NSとする。クロック(CLK) 信号の波形で、ハイ(論理値が「1」)の時のパルス幅をTWとし、パルス幅TWを25NSとする。演算部32で、クロック(CLK) 信号のパルス幅TW(25NS)を2で割った値をHW(12.5NS)とする。論理値比較部31で、基準点に対して、クロック(CLK) 信号が、−HW(−12.5NS)の位置及び基準点の位置で、ハイ(論理値が「1」)または、ロー(論理値が「0」)のどちらかを比較する。
(ケース1の説明)
クロック(CLK) 信号の−HW(−12.5NS)のポイントが、ハイ(論理値が「1」)で、+HW(+12.5NS)のポイントが、ロー(論理値が「0」)であり、クロック(CLK) 信号のパルス幅TWが、RAS信号の波形の立下りよりも左側に大部分が存在している場合について説明する。
位相変更部30で、クロック(CLK) 信号のパルス幅TWが、RAS信号の波形の立下りよりも早く存在する場合は、位相選択部33が位相加算部34を選択する。クロック(CLK) 信号のパルス幅TWが、RAS信号の波形の立下りよりも遅く存在する場合(−HWの位置と基準点で論理値が「0」の場合)は、位相選択部33が位相減算部35を選択する。
クロック(CLK) 信号のパルス幅TWの大部分が、RAS信号の波形の立下りよりも早く存在しており、クロック(CLK) 信号の位相を変更する方法を説明する。図5はクロック(CLK) 信号の位相変更タイミングの説明図である。図5において、位相加算部34で、RAS信号の立下りの地点が基準点である±0NSの方向へクロック(CLK) 信号の波形の位相を+1NS遅らせる。
論理値比較部31で、RAS信号の立下りの地点が基準点である±0NSの地点で、クロック(CLK) 信号の論理値を比較し、論理値が「1」であれば、位相加算部34で、RAS信号の立下りの地点が基準点である±0NSの方向へクロック(CLK) 信号の波形の位相を、更に+1NS遅らせる。
このように、RAS信号の立下りの地点が基準点である±0NSの地点で、クロック(CLK) 信号の論理値を比較し、論理値が「0」になるまでクロック(CLK) 信号の波形の位相を+1NSづつ遅らせる動作を繰り返す。
論理値比較部31で、RAS信号の立下りの地点が基準点である±0NSの地点で、クロック(CLK) 信号の論理値を比較し、論理値が「0」であれば、クロック(CLK) 信号の波形の位相を+1NSづつ遅らせる動作を終了する。
これらの動作を実行した結果、クロック(CLK) 信号の波形の立ち上がり部分が、RAS信号の立下りの地点が基準点である±0NSの地点にあることになる。つぎに、位相加算部34で、RAS信号の波形の立下りからクロック(CLK) 信号の波形の立ち上がりの時間を+5NS遅らせることにより、調整後のクロック(CLK) 信号の波形を生成することができる。
なお、位相選択部33が位相減算部35を選択したときは、クロック(CLK) 信号の波形の位相を+1NSづつ進める動作を行い、クロック(CLK) 信号の波形の立ち上がり部分が、RAS信号の立下りの地点が基準点である±0NSの地点に来た(すなわち、基準点の論理値が「1」になる)後、位相加算部34でRAS信号の波形の立下りからクロック(CLK) 信号の波形の立ち上がりの時間を+5NS遅らせることになる。
(ケース2の説明)
クロック(CLK)信号の−HW(−12.5NS)のポイントが、ハイ(論理値が「1」)で、+HW(+12.5NS)のポイントもハイ(論理値が「1」)であり、クロック(CLK) 信号のパルス幅TWの中心が、RAS信号の波形の立下りに存在している(基準点での論理値も「1」)場合について、つぎに説明する。図6はクロック(CLK) 信号の−HWおよび+HWが論理値「1」のタイミングの説明図である。この場合は、位相変更部30の位相加算部34を選択した後、クロック(CLK) 信号の波形の立ち上がりの時間を+HW(+12.5NS)遅らせ、基準点である±0NSの地点へ移動させる。つぎに、位相加算部34で、RAS信号の波形の立下りからクロック(CLK) 信号の波形の立ち上がりの時間を更に+5NS遅らせることにより、調整後のクロック(CLK) 信号の波形を生成することができる。この場合は、2回の調整動作で終わることになる。
ここでクロック(CLK) 信号の波形の位相を+1NSずつ遅らせる(又は進める)説明をしたが、+0.1NSずつ遅らせる(又は進める)ように、遅らせる幅(又は進める幅)を小さくすればより正確に位相調整を行うことができる。
このようにして、自動でクロック(CLK) 信号の位相を調整することができる。また、クロック(CLK) 信号の位相が判らなくても、調整することができる。クロック(CLK) 信号の位相が基準点に対して、プラス側、又は、マイナス側のどちらにずれていても調整することができる。
(3):フローチャートによる説明
図7は位相調整処理フローチャートである。以下、例として、RAS信号の波形の立下りからクロック(CLK) 信号の波形の立ち上がりの時間を5NSにしたい場合を図7の処理S1〜S8にしたがって説明する。
S1:クロック信号調整部23は、位相調整を開始し、処理S2に移る。
S2:クロック信号調整部23は、RAS信号の波形の立下りの地点を0NSとし、基準点とし、処理S3に移る。
S3:クロック信号調整部23は、クロック(CLK) 信号のハイを論理値「1」とし、ハイ部分の幅をTWとし、処理S4に移る。
S4:クロック信号調整部23は、演算部32で、TWを2で割った値をHWとし、処理S5に移る。
S5:クロック信号調整部23は、クロック(CLK) 信号が−HWの位置及び基準点の位置で、論理値比較部31が論理値を比較する。この比較で、−HWの位置と基準点の位置の両方又は一方が論理値「1」の場合は処理S6に移り、両方とも論理値「0」の場合は位相減算部35での処理を行う(位相減算部35での処理は省略)。
S6:クロック信号調整部23は、位相加算部34がクロック(CLK) 信号を基準点の方向へ+1NS移動させ、処理S7に移る。
S7:クロック信号調整部23は、クロック(CLK) 信号が基準点の位置で、論理値比較部31が論理値を比較する。この比較で、論理値「1」の場合は処理S6に戻り、論理値「0」の場合は処理S8に移る。
S8:クロック信号調整部23は、位相加算部34でクロック(CLK) 信号を+5NS移動させ、クロック(CLK) 信号の位相調整を完了する。
このようにして、本発明は、現有の試験周波数の遅い試験機でも、高速の試験品の機能試験が可能になる。また、高額になる新規導入設備費用が、削減できる。高速波形器は回路が簡単なため、開発費用が安価で実現できる。自動で、クロック(CLK) 信号の位相を調整することができ、クロック(CLK) 信号の位相が判らなくても、調整することができる。クロック(CLK) 信号の位相が、基準点に対して、プラス側または、マイナス側のどちらにずれていても、調整することができる。
本発明の試験装置の説明図である。 本発明の波形タイミングの説明図である。 本発明のクロック信号調整部の説明図である。 本発明のクロック信号のタイミング調整の説明図である。 本発明のクロック(CLK) 信号の位相変更タイミングの説明図である。 本発明のクロック(CLK) 信号の−HWおよび+HWが論理値「1」のタイミングの説明図である。 本発明の位相調整処理フローチャートである。 従来の試験ブロックの説明図である。 従来の波形タイミングの説明図である。
符号の説明
1 試験機
2 高速波形器
3 試験品(高速製品)
11 波形生成部(RAS信号)
12 波形生成部(CAS信号)
13 波形生成部(WE信号)
21 高速波形生成部(CLK信号)
22 波形同期部(同期信号)
23 CLK信号調整部

Claims (2)

  1. 試験品のクロック周波数より低い試験品の試験を行う試験機と、
    前記試験品のクロック周波数と同じクロック信号を発生できる高速波形生成部と、
    前記高速波形生成部の発生したクロック信号の位相を調整するクロック信号調整部とを備え、
    前記クロック信号調整部で、前記試験機からの信号と前記高速波形生成部のクロック信号との位相を比較し、前記クロック信号を指定の位相に調整し、該調整したクロック信号を前記試験品に入力し、
    前記試験機で前記試験品の機能試験を行うことを特徴とした高速製品の試験方法。
  2. 試験品のクロック周波数より低い試験品の試験を行う試験機と、
    前記試験品のクロック周波数と同じクロック信号を発生できる高速波形生成部と、
    前記高速波形生成部の発生したクロック信号の位相を調整するクロック信号調整部とを備え、
    前記クロック信号調整部は、前記試験機からの信号と前記高速波形生成部のクロック信号との位相を比較し、前記クロック信号を指定の位相に調整し、該調整したクロック信号を前記試験品に入力し、前記試験機で前記試験品の機能試験を行うことを特徴とした高速製品の試験装置。
JP2007193091A 2007-07-25 2007-07-25 高速製品の試験方法及び装置 Expired - Fee Related JP4985177B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2007193091A JP4985177B2 (ja) 2007-07-25 2007-07-25 高速製品の試験方法及び装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2007193091A JP4985177B2 (ja) 2007-07-25 2007-07-25 高速製品の試験方法及び装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2009032310A JP2009032310A (ja) 2009-02-12
JP4985177B2 true JP4985177B2 (ja) 2012-07-25

Family

ID=40402682

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2007193091A Expired - Fee Related JP4985177B2 (ja) 2007-07-25 2007-07-25 高速製品の試験方法及び装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP4985177B2 (ja)

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0211035A (ja) * 1988-06-29 1990-01-16 Sony Corp 位相差吸収回路
JP2993621B2 (ja) * 1991-08-09 1999-12-20 株式会社アドバンテスト タイミング校正装置
JP3044956B2 (ja) * 1993-01-12 2000-05-22 日本電気株式会社 高速ディジタル信号処理回路
JPH07140207A (ja) * 1993-11-15 1995-06-02 Hitachi Ltd 半導体装置及びその試験方法
JP4451189B2 (ja) * 2004-04-05 2010-04-14 株式会社アドバンテスト 試験装置、位相調整方法、及びメモリコントローラ
JP4703997B2 (ja) * 2004-09-28 2011-06-15 富士通セミコンダクター株式会社 半導体集積回路

Also Published As

Publication number Publication date
JP2009032310A (ja) 2009-02-12

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7512872B2 (en) Test apparatus and test method
JP4785465B2 (ja) インタフェース回路及び半導体装置
US7975162B2 (en) Apparatus for aligning input data in semiconductor memory device
US8115529B2 (en) Device and control method of device
TWI404954B (zh) 同步測試訊號的測試裝置以及測試方法
JP4251800B2 (ja) 試験装置
KR102165231B1 (ko) 스큐를 보정하는 리시버 회로, 이를 포함하는 반도체 장치 및 시스템
US6032282A (en) Timing edge forming circuit for IC test system
US8143927B2 (en) Pulse control device
JP3618524B2 (ja) 二重エッジクロックを使用した集積回路素子の検査方法
US8754656B2 (en) High speed test circuit and method
JP6273856B2 (ja) メモリコントローラ及び情報処理装置
JP5301787B2 (ja) 半導体装置
JPH08146099A (ja) 半導体ic試験装置のタイミングエッジ生成回路
JP2011017604A (ja) 試験装置および試験方法
JP4985177B2 (ja) 高速製品の試験方法及び装置
US9331676B2 (en) Pulse signal generation circuit and operating method thereof
US9721627B2 (en) Method and apparatus for aligning signals
US20070061654A1 (en) Semiconductor integrated circuit and test method
KR19980041606A (ko) 가변 억세스 타임을 보장하는 동기형 반도체 메모리 장치
KR101069727B1 (ko) 동기 커맨드 신호 생성 장치 및 어드레스 신호 생성 장치
JP4811244B2 (ja) 半導体試験装置
KR20070023570A (ko) 인터페이스 회로 및 반도체 장치
KR20080043577A (ko) 반도체 메모리 장치의 클럭 공급 회로 및 방법
KR20140139395A (ko) 반도체 장치와 이를 이용한 반도체 시스템

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20100416

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20120403

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20120416

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150511

Year of fee payment: 3

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees