JP4981396B2 - 半導体メモリ素子の温度情報出力装置及びその実行方法 - Google Patents
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Description
1200 温度感知部
1400 比較部
1420 電圧比較部
1440 コードカウンタ部
1600 電位レベル調整部
1620 調整部
1640 デジタル−アナログ変換部
1700 第1デコード部
Claims (20)
- 温度の変化に応答して、第1電圧の電位レベルを変動させて出力する温度感知部と、
前記第1電圧を第2電圧の電位レベルと比較した値に応答し、設定されたデジタルコード値を増加又は減少させて調整コードとして出力する比較部と、
前記調整コードに応答して、前記第2電圧が最大に変動し得る電位レベルと最小に変動し得る電位レベルを決定し、決定された前記第2電圧が最大に変動し得る電位レベルと温度制御コードとに応じて前記第2電圧の電位レベルを調整して出力する電位レベル調整部と
を備えることを特徴とする半導体素子の温度情報出力装置。 - 設定された温度コードをデコードして温度制御コードとして出力するデコード部をさらに備えることを特徴とする請求項1に記載の半導体素子の温度情報出力装置。
- 前記電位レベル調整部が、
前記調整コードに応答し、設定された基準電圧に応じて前記第2電圧が最大に変動し得る電位レベルを有する最大変動電圧、及び最小に変動し得る電位レベルを有する最小変動電圧を生成する調整部と、
前記温度制御コードに応答して、アナログ値である前記第2電圧の電位レベルを調整し、前記第2電圧の電位レベルが、前記最小電位レベルと前記最大電位レベルとの間で調整されるデジタル−アナログ変換調整部と
を備えることを特徴とする請求項1又は2に記載の半導体素子の温度情報出力装置。 - 前記調整部が、
前記調整コードを受信してデコードすることにより、変動調整コードを生成するデコード部と、
前記変動調整コードに応答して、前記最大変動電圧及び最小変動電圧の電位レベルを調整し、前記最大変動電圧及び最小変動電圧の電位レベルに対応して分配電圧の電位レベルを調整する電位調整部と、
前記基準電圧と分配電圧とを比較して、その結果に応じて前記電位調整部を制御する比較制御部と
を備えることを特徴とする請求項3に記載の半導体素子の温度情報出力装置。 - 前記電位調整部が、
前記比較制御部の出力信号に応答して、前記最大変動電圧及び最小変動電圧の生成を制御する出力制御部と、
前記変動調整コードに応答して、前記最大変動電圧及び最小変動電圧の電位レベルを調整する変動電圧調整部と、
前記最大変動電圧及び最小変動電圧の電位レベルに対応して、前記分配電圧の電位レベルを調整する分配電圧調整部と
を備えることを特徴とする請求項4に記載の半導体素子の温度情報出力装置。 - 前記出力制御部が、
ゲートで受信した前記比較制御部の出力信号に応答して、ドレイン・ソース経路に接続した電源電圧と、前記変動電圧調整部とが接続されることを制御するトランジスタを備えることを特徴とする請求項5に記載の半導体素子の温度情報出力装置。 - 前記変動電圧調整部が、
直列に接続した複数の抵抗と、
前記変動調整コードに応答してオン/オフ制御され、前記複数の抵抗と一対一で並列接続した複数のスイッチング部と
を備えることを特徴とする請求項5に記載の半導体素子の温度情報出力装置。 - 前記比較部が、
前記第1電圧の電位レベルと前記第2電圧の電位レベルとを比較した値に応答して、コード制御信号を出力する電圧比較部と、
前記コード制御信号に応答して設定されたデジタルコード値を減少又は増加させることにより、調整コードとして出力するコードカウンタ部と
を備えることを特徴とする請求項3に記載の半導体素子の温度情報出力装置。 - 温度の変化に応答して、第1電圧の電位レベルを変動させて出力する温度感知部と、
前記第1電圧を第2電圧の電位レベルと比較した値に応答し、設定されたデジタルコード値を変動させて、第1テストモード時に第1調整コードとして出力するか、または第2テストモード時に温度情報コードとして出力する比較部と、
前記第1テストモード時に設定された温度コードをデコードするか、または前記第2テストモード時に前記温度情報コードを選択してデコードして、温度制御コードとして出力するデコード選択部と、
前記第1テストモード時に前記第1調整コードに応答するか、または前記第2テストモード時に設定された第2調整コードに応答して、前記第2電圧が最大に変動し得る電位レベル及び最小に変動し得る電位レベルを決定し、決定された前記第2電圧が最大に変動し得る電位レベルと最小に変動し得る電位レベルと前記温度制御コードとに応じて前記第2電圧の電位レベルを調整して出力する電位レベル調整部と、
を備えることを特徴とする半導体素子の温度情報出力装置。 - 前記電位レベル調節部が、
第1テストモード時に前記第1調整コードに応答するか、または第2テストモード時に前記第2調整コードに応答して、設定された基準電圧に応じて前記第1電圧をトラッキングするために、前記第2電圧が最大に変動し得る電位レベルを有する最大変動電圧、及び最小に変動し得る電位レベルを有する最小変動電圧を生成する調整部と、
前記温度制御コードに応答して、前記第2電圧の電位レベルを調整し、前記第2電圧の電位レベルが、前記最小電位レベルと前記最大電位レベルとの間で調整されるデジタル−アナログ変換調整部と
を備えることを特徴とする請求項9に記載の半導体素子の温度情報出力装置。 - 前記調整部が、
第1テストモード時に前記第1調整コードをデコードするか、または第2テストモード時に前記第2調整コードをデコードして、変動調整コードを生成するデコード部と、
前記変動調整コードに応答して、前記最大変動電圧及び最小変動電圧の電位レベルを調整し、前記最大変動電圧及び最小変動電圧の電位レベルに対応して、分配電圧の電位レベルを調整する電位調整部と、
前記基準電圧と分配電圧とを比較して、その結果に応じて前記電位調整部を制御する比較制御部と
を備えることを特徴とする請求項10に記載の半導体素子の温度情報出力装置。 - 前記電位調整部が、
前記比較制御部の出力信号に応答して、前記最大変動電圧及び最小変動電圧の生成を制御する出力制御部と、
前記変動調整コードに応答して、前記最大変動電圧及び最小変動電圧の電位レベルを調整する変動電圧調整部と、
前記最大変動電圧及び最小変動電圧の電位レベルに対応して、前記分配電圧の電位レベルを調整する分配電圧調整部と
を備えることを特徴とする請求項11に記載の半導体素子の温度情報出力装置。 - 前記出力制御部が、
ゲートで受信した前記比較制御部の出力信号に応答して、ドレイン・ソース経路に接続した電源電圧と、前記変動電圧調整部とが接続されることを制御するPMOSトランジスタを備えることを特徴とする請求項12に記載の半導体素子の温度情報出力装置。 - 前記変動電圧調整部が、
直列に接続した複数の抵抗と、
前記変動調整コードに応答してオン/オフ制御され、前記複数の抵抗と一対一で並列接続した複数のスイッチング部と
を備えることを特徴とする請求項12に記載の半導体素子の温度情報出力装置。 - 前記比較部が、
前記第1電圧の電位レベルと前記第2電圧の電位レベルとを比較した値に応答して、コード制御信号を出力する電圧比較部と、
前記コード制御信号に応答して、設定されたデジタルコード値を減少又は増加させることにより、第1テストモード時に第1調整コードとして出力するか、または第2テストモード時に温度情報コードとして出力するコードカウンタ部と
を備えることを特徴とする請求項9に記載の半導体素子の温度情報出力装置。 - 前記デコード選択部が、
選択信号に応答して、設定された温度コード又は前記温度情報コードのうちのいずれかのコードを選択して出力するマルチプレクス部と、
前記選択信号に応答して、第1テストモード時に前記第1調整コードを前記電位レベル調節部に出力するか、または第2テストモード時に前記温度情報コードを前記マルチプレクス部に出力するデマルチプレクス部と、
前記マルチプレクス部から出力されるコードをデコードして、前記温度制御コードとして出力するデコード部と
を備えることを特徴とする請求項9に記載の半導体素子の温度情報出力装置。 - 前記選択信号が、
第1テストモード時にアクティブになり、第2テストモード時に非アクティブになることを特徴とする請求項16に記載の半導体素子の温度情報出力装置。 - 温度が変わることを感知した値に応答して、第1電圧の電位レベルを変動させて出力する第1ステップと、
前記第1電圧の電位レベルと第2電圧の電位レベルとを比較し、その値に応答して設定されたデジタルコード値を増加又は減少させて調整コードとして出力する第2ステップと、
前記調整コードに応答して、前記第2電圧が最大に変動し得る電位レベルを有する最大変動電圧、及び最小に変動し得る電位レベルを有する最小変動電圧を生成する第3ステップと、
前記最大変動電圧及び前記最小変動電圧に応じて、前記第2電圧の電位レベルが前記第1電圧の電位レベルと等しくなるように前記第2電圧の電位レベルを変動させる第4ステップと
を含むことを特徴とする半導体素子の温度情報出力方法。 - 前記第1ステップと第2ステップとの間に、
設定された温度コードをデコードしたコードに応答して、第2電圧の初期電位レベルを決定して出力するステップをさらに含むことを特徴とする請求項18に記載の半導体素子の温度情報出力方法。 - 前記第2ステップないし第4ステップが、前記第1電圧と前記第2電圧とが同じ電位レベルになるまで繰り返されることを特徴とする請求項19に記載の半導体素子の温度情報出力方法。
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