KR20180042014A - 배관 구조체 및 배관 구조체를 포함하는 반도체 모듈 테스트 장치 - Google Patents

배관 구조체 및 배관 구조체를 포함하는 반도체 모듈 테스트 장치 Download PDF

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Abstract

예시적 실시예에 따른 반도체 모듈 테스트 장치는 테스트 보드의 상면 상에 상기 상면과 평행한 제1 방향으로 연장되고, 상기 상면과 평행하되 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향으로 이격되어 배치된 복수개의 배관 구조체들, 이웃한 두 개의 상기 배관 구조체들 사이에 배치된 반도체 모듈용 소켓들 및 상기 복수개의 배관 구조체에 형성되어 상기 복수개의 배관 구조체들의 상기 제1 방향과 평행한 중심축에 대한 측방향으로 유체를 사출할 수 있도록 구성된 노즐들을 포함할 수 있다. 이에 따라 테스트 되는 반도체 모듈들의 온도 편차를 최소화하여 신뢰성 있는 반도체 모듈 테스트 장치를 제공할 수 있다.

Description

배관 구조체 및 배관 구조체를 포함하는 반도체 모듈 테스트 장치{Pipe structure and Semiconductor module test equipment comprising the same}
본 발명의 기술적 사상은 반도체 모듈 테스트 장치에 관한 것으로서 보다 상세하게는, 가열 및 냉각용 유체를 제공할 수 있도록 구성된 배관 구조체 및 그 배관 구조체를 포함하는 반도체 모듈 테스트 장치에 관한 것이다.
반도체 모듈 등의 제조과정의 일부로서 최종적으로 제조된 반도체 모듈의 고온 및 저온 성능을 테스트할 수 있는 장치가 필요하다. 종래 반도체 모듈 테스트 장치는 히터(heater) 및 팬(fan)을 이용하여 챔버 내부 공기를 설정된 테스트 온도로 가열하고 온도센서를 통하여 챔버 내부의 온도를 감지하며 세팅된 온도를 유지하도록 히터와 팬을 제어한다.
테스트의 효율과 신뢰성을 향상시키기 위하여 반도체 모듈 테스트 장치 내부에 배치된 피측정 반도체 모듈 자체의 온도를 테스트 기준온도에 가깝게 유지시키는 것이 요구되나, 피측정 반도체 모듈들이 테스트 동작에 의해 자체 발열하게 되면 챔버 내부의 온도분포를 정확하고 균일하게 유지하기 어렵다.
본 발명의 기술적 사상이 해결하고자 하는 기술적 과제는 테스트의 효율과 신뢰성이 제고된 반도체 모듈 테스트 장치를 제공하는 것이다.
본 발명의 기술적 사상이 해결하고자 하는 기술적 과제는 테스트의 효율과 신뢰성이 제고된 반도체 모듈 테스트 장치에 포함될 수 있는 배관 구조체를 제공하는 것이다.
본 발명의 기술적 사상이 해결하고자 하는 또 다른 기술적 과제는 피측정 반도체 모듈들 간의 온도 편차를 최소화할 수 있는 반도체 모듈 테스트 장치를 제공하는 것이다.
본 발명의 기술적 사상이 해결하고자 하는 과제는 이상에서 언급한 과제들에 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
상술한 과제를 해결하기 위한, 예시적 실시예에 따른 반도체 모듈 테스트 장치는 테스트 보드의 상면 상에 상기 상면과 평행한 제1 방향으로 연장되고, 상기 상면과 평행하되 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향으로 이격되어 배치된 복수개의 배관 구조체들, 이웃한 두 개의 상기 배관 구조체들 사이에 배치된 반도체 모듈용 소켓들, 및 상기 복수개의 배관 구조체에 형성되어 상기 복수개의 배관 구조체들의 상기 제1 방향과 평행한 중심축에 대한 측방향으로 유체를 사출할 수 있도록 구성된 복수개의 노즐들을 포함할 수 있다.
예시적인 실시예들에 배관 구조체는 유체를 측방향으로 사출할 수 있도록 구성된 복수 개의 노즐들을 포함하는 적어도 하나의 노즐 어레이를 포함하고, 제1 방향으로 연장하는 반도체 모듈용 소켓들을 포함하는 테스트 보드의 이웃하는 두 상기 반도체 모듈용 소켓들 사이 및/또는 최외곽의 상기 반도체 모듈용 소켓의 바깥 측부에 배치될 수 있도록 구성될 수 있다.
본 발명의 기술적 사상에 따르면, 피측정 반도체 모듈들 간의 온도 편차를 최소화하여 신뢰성이 제고된 반도체 모듈 테스트 장치를 제공할 수 있다.
도 1은 예시적인 실시예들에 따른 반도체 모듈 테스트 장치를 포함하는 반도체 모듈 테스트 시스템을 설명하기 위한 개략도이다.
도 2는 예시적인 실시예들에 따른 반도체 모듈 테스트 장치를 설명하기 위한 사시도이다.
도 3는 예시적인 실시예들에 따른 반도체 모듈 테스트 장치를 설명하기 위한 분해 사시도이다.
도 4는 예시적인 실시예들에 따른 반도체 모듈 테스트 장치에 포함되는 테스트 보드를 설명하기 위한 사시도이다.
도 5는 예시적인 실시예들에 따른 반도체 모듈 테스트 장치에 포함될 수 있는 탑 플레이트를 설명하기 위한 사시도이다.
도 6는 예시적인 실시예들에 따른 반도체 모듈 테스트 장치에 포함될 수 있는 반도체 모듈들을 도시한 사시도이다.
도 7은 예시적인 실시예들에 따른 반도체 모듈 테스트 장치를 설명하기 위한 사시도이다.
도 8a는 예시적인 실시예들에 따른 반도체 모듈 테스트 장치에 포함될 수 있는 배관 구조체들을 설명하기 위한 사시도이다.
도 8b는 도8a의 절단선 8I-8I'에 따라 취해진 단면도이다.
도 9은 예시적인 실시예들에 따른 반도체 모듈 테스트 장치를 설명하기 위한 사시도이다.
도 10a는 예시적인 실시예들에 따른 반도체 모듈 테스트 장치에 포함될 수 있는 배관 구조체들을 설명하기 위한 사시도이다.
도 10b는 도10a의 절단선 10I-10I'에 따라 취해진 단면도이다.
도 11a 내지 도 11c는 예시적인 실시예들에 따른 반도체 모듈 테스트 장치에 포함될 수 있는 탑 플레이트를 설명하기 위한 도면들로서, 각각 순서대로 사시도, 상면도 및 하면도이다.
도 12a 및 도 12b는 도 11b의 절단선 11I-11I` 및 11II-11II`을 따라 취해진단면도들이다.
도 13a 내지 도 13d는 예시적인 실시예들에 따른 반도체 모듈 테스트 장치에 포함될 수 있는 배관 구조체의 구조를 설명하기 위해 배관 구조체의 일부를 확대한 도면 들이다.
도 14a 및 도 14b는 예시적인 실시예들에 따른 반도체 모듈 테스트 장치에 포함될 수 있는 노즐 플러그를 설명하기 위한 사시도 및 상면도(top view)이다.
도 14c 내지 도 14e는 각각 순서대로 도 14a의 절취선 14I-14I`, 14II-14II`, 14III-4III`를 따라 취해진 단면도들이다.
도 14f는 예시적인 실시예들에 따른 반도체 모듈 테스트 장치에 포함될 수 있는 노즐 플러그의 단면도로서 도 14c에 대응되는 도면이다
도 15a 및 도 15b는 예시적인 실시예들에 따른 반도체 모듈 테스트 장치에 포함될 수 있는 노즐 플러그들을 설명하기 위한 사시도들이다.
도 16는 예시적인 실시예들에 따른 반도체 모듈 테스트 장치에 포함될 수 있는 따른 노즐 플러그를 설명하기 위한 사시도 및 상면도이다.
도 17은 예시적인 실시예들에 따른 반도체 모듈 테스트 장치에 포함될 수 있는 조절 나사를 설명하기 위한 단면도이다.
도 18은 예시적인 실시예들에 따른 냉각 또는 가열용 유체의 흐름을 설명하기 위한 개략도도이다.
도 19a은 예시적인 실시예들에 따른 반도체 모듈 테스트 장치를 설명하기 위한 결합 사시도이다.
도 19b 내지 19c는 도 19a의 절취선 19I-19I` 및 19II-19II`을 따라 취한 단면도들이다.
이하, 첨부 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 상세히 설명한다. 도면상의 동일한 구성요소에 대해서는 동일한 참조부호를 사용하고, 이들에 대한 중복된 설명은 생략한다.
도 1은 예시적인 실시예들에 따른 반도체 모듈 테스트 장치(1000)를 포함하는 반도체 모듈 테스트 시스템(10)을 설명하기 위한 개략도이다. 도 2는 예시적인 실시예들에 따른 배관 구조체가 설치될 수 있는 반도체 모듈 테스트 장치(1000)를 설명하기 위한 사시도이다. 도 3은 도2에 대응되는 분해 사시도이다.
도1 내지 도3을 참조하면 반도체 모듈 테스트 시스템(10)은 반도체 모듈 테스트 장치(1000), 온도 제어부(2000), 유체 공급로(3000), 제어 인터페이스(4000) 및 테스트 장치 실장부(5000)를 포함할 수 있다.
반도체 모듈 테스트 장치(1000)는 복수개의 반도체 모듈용 소켓(120, 도 3 참조)이 배치된 테스트 보드(110)가 설치되고 테스트 보드(110) 상부에 탑 플레이트(1200)가 배치된다.
반도체 모듈 테스트 장치(1000)에 제공된 테스트 보드 상에는, 반도체 스택들 및 또는 반도체 모듈 테스트 장치(1000) 내부의 온도를 실시간으로 계측하기 위한 복수개의 온도 센서들이 포함될 수 있다. 또는, 반도체 모듈 테스트 장치(1000)에 의해 테스트되는 반도체 모듈(300)은 내부에 자체 온도센서가 제공된 반도체 스택을 포함할 수 있다. 예컨대 반도체 스택은 RTD(Resistance Temperature Device)를 포함할 수 있다.
온도 제어부(2000)는 소정의 온도 제어 프로그램을 수행하여 반도체 모듈 테스트 장치(1000) 내부 온도 및 반도체 모듈들(300)의 온도를 사전에 프로그래밍 된 목표 온도로 가열 및 냉각 시키도록 유체 공급로(3000)를 제어할 수 있다.
온도 제어부(2000)는 복수개의 온도 센서들(미도시)과 연결되어, 복수개의 온도 센서들에 의해 측정된 온도를 목표 온도와 비교하여 반도체 모듈 테스트 장치(1000) 내부 및 반도체 스택들(320)을 냉각 시킬지 또는 가열 시킬지의 여부 결정한다. 이어서 유체 공급로(3000)를 구동시켜, 반도체 모듈 테스트 장치(1000)에 냉각 또는 가열용 유체(FL)를 공급한다. 유체 공급로(3000)에서 공급된 냉각 또는 가열용 유체(FL)는 배관 구조체들(230, 도 6 참조)과 연결된 노즐들(nz, 도 6 참조)을 통해 각각의 반도체 스택들(320)을 향하여 사출될 수 있다.
제어 인터페이스(4000)는 퍼스널 컴퓨터 또는 중앙 컴퓨터 등을 포함할 수 있다. 제어 인터페이스(4000)는 온도에 따른 소자의 동작 성능을 테스트 하기 위한 테스트 명령을 피측정 소자들에 제공할 수 있다. 제어 인터페이스(4000)는 테스트 방법(test recipe)에 해당하는 테스트용 소프트웨어를 온도 제어부(2000)에 입력, 업데이트 및 수정할 수 있다. 또는 제어 인터페이스(4000)는 테스트 상황에 따른 개별 명령을 제공할 수 있다. 또는 온도센서에 의해 측정된 온도 데이터를 전송 받아 저장할 수 있다.
테스트 장치 실장부(5000)는 반도체 모듈 테스트 시스템(10)의 각 구성요소들을 지지하고 연결하도록 구성될 수 있다. 테스트 장치 실장부(5000)는 반도체 모듈 테스트 장치(1000)가 실장될 수 있는 있도록 구성된다. 반도체 테스트 장치 실장부(5000)는 실장된 반도체 모듈 테스트 장치(1000)가 외부 이물질이나 충격에 노출되지 않도록 반도체 모듈 테스트 장치의 측면 및 하부를 커버할 수 있다. 모듈 테스트 장치 실장부(5000)는 개별 반도체 모듈 테스트 장치(1000)를 제어할 수 있도록 개별 반도체 모듈 테스트 장치에 대응되는 CPU 보드 등을 포함할 수 있다. 도 1을 참조하면 모듈 테스트 장치 실장부(5000)는 14개의 반도체 모듈 테스트 장치(1000)를 실장할 수 있는 것으로 도시되었으나 이에 제한되는 것은 아니다.
반도체 모듈 테스트 장치(1000)는 복수의 반도체 모듈용 소켓들(120)을 포함하는 테스트 보드(100)를 포함 할 수 있다. 테스트 보드(100) 상에 테스트 보드(100)를 외부 이물질 또는 외부의 충격 등으로부터 보호 할 수 있는 탑 플레이트(1200)가 제공될 수 있다. 탑 플레이트(1200)는 테스트 보드(100) 상에서 테스트 보드(100)와 결합하되, 반도체 모듈용 소켓들(120)의 내부 공간에 의해 정의된 삽입부들을 노출시킨다. 노출된 삽입부들에 반도체 모듈들(300)이 삽입될 수 있다.
테스트 보드(100)의 상면에 기판 상면에 평행하면서 서로 교차하는 두 방향을 각각 제1 방향(x방향) 및 제2 방향(y방향)으로, 실질적으로 수직인 방향을 제3 방향(z방향)으로 정의한다. 예를 들면, 제1 방향(x방향) 및 제2 방향(y방향)은 실질적으로 서로 수직으로 교차할 수 있다. 제1 방향(x방향) 및 제2 방향(y방향)은 실질적으로 제3 방향(z방향)에 대하여 수직인 방향들이다. 특별한 언급이 없는 경우, 도면상에 화살표로 표시된 방향과 이의 반대 방향은 동일 방향으로 설명한다. 전술한 방향에 대한 정의는 이후 모든 도면들에서 동일하다. 또한 테스트 보드(100)와 결합하기 전의 각 구성 요소를 설명하는 경우에도, 테스트 보드(100)와의 결합 후를 고려하여, 상술된 내용과 동일하게 방향을 지칭하도록 한다.
도 4는 예시적인 실시예들에 따른 반도체 모듈 테스트 장치에 포함될 수 있는 테스트 보드를 설명하기 위한 사시도이다.
테스트 보드(100) 상에 제1 방향(x방향)을 따라 연장되고 제2 방향(y방향)에 따라 소정의 거리만큼 이격된 복수개의 반도체 모듈용 소켓들(120)이 배치될 수 있다. 테스트 보드(100)는 반도체 모듈 테스트 장치(1000, 도 1 참조)의 기본회로와 부품들을 실장하고 있다. 테스트 보드(100)는 메모리 모듈 테스트 장치(1000, 도 1 참조) 전체를 지지하면서 메모리 모듈 테스트 장치(1000, 도 1 참조)가 안정적으로 구동하도록 할 수 있다.
반도체 모듈용 소켓들(120)은 테스트하고자 하는 반도체 모듈을 테스트 보드(100)에 장착하기 위해, 테스트 보드(100) 상에 형성되는 장치로서, 이러한 반도체 모듈용 소켓들(120)에 반도체 모듈(300, 도 4 참조)과 같은 요소가 삽입되어 테스트 보드(100)에 장착될 수 있다. 도시되지 않았으나, 반도체 모듈용 소켓들(120)내부에는 삽입되는 반도체 모듈(300)의 외부 접속 단자(330, 도6 참조) 들에 대응하여 다수의 핀들이 형성될 수 있다.
도 5는 예시적인 실시예들에 따른 반도체 모듈 테스트 장치에 포함될 수 있는 탑 플레이트를 설명하기 위한 사시도들이다.
도 5를 참조하면, 탑 플레이트(200)는 테스트 보드(100) 상에서 테스트 보드(100)와 결합함으로써 테스트 보드(100)를 외부의 충격 및 이물질 등으로부터 보호할 수 있다. 탑 플레이트(200)의 바디부(210)에는 반도체 모듈들(300)이 테스트 보드(100, 도4 참조)의 모듈용 소켓(120, 도4 참조)들에 결합될 수 있도록 모듈 결합용 홀들(240)을 포함할 수 있다. 바디부(210)에는 복수개의 결합홈(211)들이 형성되어 탑 플레이트(200)가 테스트 보드(100) 상에 배치된 후 상호 안정적으로 결합될 수 있도록 한다. 탑 플레이트(200)는 플라스틱 기판, 반도체 기판 또는 금속 기판을 포함할 수 있으나 이에 제한되는 것은 아니다. 바디부(210)의 제1 방향(x방향)에 따른 양단에 고정용 핸들(220)을 포함할 수 있다. 고정용 핸들(220)은 핸들 지지부(222), 핸들 암(224) 및 핸들 헤드(226)를 포함할 수 있다. 핸들 지지부(222)는 고정용 핸들(220)과 탑플레이트(200)가 안정적으로 상호결합되도록 구성될 수 있다. 핸들 암(224)은 핸들 지지부(222)와 결합하되, 핸들 지지부(222)의 일단을 축으로 하여 연결되어 전후 회전할 수 있도록 구성된다. 핸들 헤드(226)는 핸들 암(224)의 핸들 지지부(222)와 이격된 말단에 결합될 수 있다. 핸들 헤드(226)는 핸들 암(224)에 의해 이동함으로써, 테스트 보드(100) 상에 탑 플레이트(200) 및 반도체 모듈들(300)이 배치된 후에 반도체 모듈(300)이 안정적으로 결합될 수 있도록 고정하는 역할을 할 수 있다. 핸들 헤드(226)는 반도체 모듈(300)과 접하여 누름 지지해주는 브릿지 부분(228)을 포함할 수 있다.
도 6은 예시적인 실시예들에 따른 반도체 모듈 테스트 장치에 포함될 수 있는 반도체 모듈(300)을 설명하기 위한 사시도이다. 도 5를 참조하면, 반도체 모듈(300)은 직사각형 플레이트 형상의 인쇄회로기판(310)과, 인쇄회로기판(310) 상에 탑재된 복수의 반도체 스택들(320)을 포함한다. 인쇄회로기판(310)의 양 표면 하단부에는 복수의 외부 접속 단자(330)가 인쇄회로기판(310)의 제1 방향(x방향)으로 배열되어 있고, 인쇄회로기판(310)의 제1 방향(x방향)에 따른 양단부에는 전술한 반도체 모듈용 소켓(120, 도 2 참조)에 결합되는 소켓 결착부(340)가 형성될 수 있다. 또, 소켓 결착부(340) 사이에 반도체 모듈(300)과 반도체 모듈용 소켓(120)과의 결합을 더욱 안정적으로 할 수 있는 후크 삽입홈(350)이 형성될 수 있다.
반도체 모듈들(300)은 메모리 모듈을 포함한다. 구체적으로 예컨대 반도체 모듈은 DIMM(Dual Inline Memory Module), SO-DIMM(Small Outline DIMM), Unbuffered-DIMM 또는 FB-DIMM(Fully Buffered DIMM)등을 포함할 수 있다.
인쇄회로기판(310)은 복수의 반도체 스택들(320)이 탑재된 기판으로서, PCB(Printed Circuit Board) Card, 플라스틱 기판, 또는 다른 구조의 반도체 기판일 수 있다. 인쇄회로기판(310)은 다수의 금속 배선층들과 다수의 절연층들이 교대로 적층된 구조를 가질 수 있다.
인쇄회로기판(310)에 탑재되는 복수의 반도체 스택들(320)은 PC 또는 모바일 장치에 사용되는 반도체 소자들을 포함할 수 있다. 반도체 소자들은 전기적으로 데이터의 소거(erase) 및 프로그램(program)이 가능하고 전원이 차단되어도 데이터가 유지되는 비휘발성 반도체 소자(non-volatile memory device)일 수 있다. 일 실시예에 따르면, 비휘발성 반도체 소자로서 대용량 및 고속의 저장 능력을 가지는 낸드 플래시 메모리(NAND-type Flash memory)가 제공될 수 있다. 이와 달리, 반도체 소자들은 PRAM, MRAM, ReRAM, FRAM, NOR 플래시 메모리 등을 포함할 수도 있다. 또한, 반도체 소자들은 DRAM, 및 SRAM 등과 같이, 전원이 차단되면 데이터가 손실되는 휘발성 반도체 소자(volatile memory device)일 수도 있다.
경우에 따라, 반도체 모듈(300)은 레지스터를 더 포함할 수 있다. 레지스터는 극히 소량의 데이터나 처리중인 중간 결과를 일시적으로 기억해 두는 고속의 전용 영역 이다. 레지스터는 1비트 또는 복수의 비트를 유지하는 기억장치나 회로로서 지정의 목적에 사용되며 수시로 저장된 데이터를 액세스 할 수 있도록 구성된다. 레지스터는 누산기(accumulator), 연산 레지스터(arithmetic register), 명령 레지스터(instruction register), 자리 이동 레지스터(shift register), 지표 레지스터(index register)등을 포함할 수 있다.
인쇄회로기판(310)의 하단부에는 인쇄회로기판(310)의 길이 방향인 X방향으로 복수의 외부 접속 단자(330)가 일렬로 배열되어 있다. 외부 접속 단자(330)는 주로 신호 단자로서 이용된다. 신호 단자는 어드레스 신호가 입력되는 어드레스 단자, 커맨드 신호가 입력되는 커맨드 단자, 클록(clock) 신호가 입력되는 클록 단자, 데이터가 입력 또는 출력 되는 데이터 단자를 포함할 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 외부 접속 단자(330)는 패드(pad), 핀(pin) 또는 탭(tab)을 포함하는 단자 중 어느 하나로 이루어질 수 있다.
도 7은 예시적인 실시예들에 따른 배관 구조체들(250a, 250b, 250c)을 포함하는 반도체 모듈 테스트 장치(1000)를 설명하기 위한 도면들이다. 배관 구조체들(250a, 250b, 250c)은 제1 방향(x방향)으로 연장되되, 제2 방향(y방향)으로 이격되어 배치될 수 있다. 배관 구조체들(250a, 250b, 250c)은 반도체 모듈용 소켓들(120)과 평행하게 연장될 수 있다. 또는 배관 구조체들(250a, 250b, 250c)은 반도체 모듈들(300)과 평행하게 연장될 수 있다. 반도체 모듈용 소켓들(120)은 이웃하는 두 배관 구조체들(250a, 250b, 250c)의 사이에 배치될 수 있다. 반도체 모듈용 소켓들(120)에 삽입되는 반도체 모듈들(300)이 DIMM 등에 해당하는 경우, 반도체 모듈들(300)은 양 측면에 반도체 스택(320)을 포함한다. 예컨대 반도체 모듈들(300)의 도면상 xz평면과 실질적으로 평행한 두 측면 상에 각각 반도체 스택(320)이 형성될 수 있다. 따라서 양 측면에 배치된 반도체 스택(320)에 대응하여 반도체 모듈들(300)의 양측 면에 배관 구조체들(250a, 250b, 250c)이 배치될 수 있다. 또는 각각의 반도체 모듈용 소켓들(120)의 양 측에 하나씩 두 개의 배관 구조체들(250a, 250b, 250c)이 배치될 수 있다. 여기서 반도체 모듈용 소켓들(120)의 양측에 배치된다 함은 이웃한 두 개의 배관 구조체들(250a, 250b, 250c)이 반도체 모듈용 소켓들(120)을 사이에 두고 제2 방향(y방향)을 따라 이격되어 배치됨을 의미한다.
도 7에서는 네 개의 배관 구조체들(250a, 250b, 250c), 세 개의 반도체 모듈들(300)이 하나의 테스트 그룹(TG)에 포함되고, 하나의 반도체 모듈 테스트 장치(1000)에 두 개의 테스트 그룹들(TG)이 포함된 것으로 도시 되어있다. 하지만 이는 설명의 편의를 위해 예시적으로 도시한 것일 뿐 반도체 모듈 테스트 장치(1000)의 구성이 이에 제한되는 것은 아니다. 예컨대, 하나의 테스트 그룹(TG)에 둘 또는 네 개 이상의 반도체 모듈들(300)이 포함될 수 있고, 하나의 반도체 모듈 테스트 장치(1000)에 하나 또는 세 개 이상의 테스트 그룹(TG)이 포함될 수 있다. 배관 구조체들(250a, 250b, 250c)는 유체들이 그 내부를 통해 이동할 수 있도록 내부 공간이 형성되어 있다. 제1 방향(x방향)에 따른 일단에 유체 주입구(257)가 있어, 유체 공급로(3000)에서 공급된 유체가 유체 분배기(미도시)를 분배된 후, 유체 주입구들(257a, 257b, 257c, 도 8a 참조)을 통해 각각의 배관 구조체들(250a, 250b, 250c)로 제공될 수 있다. 이어서 냉각 또는 가열용 유체들이 각각의 배관 구조체들(250a, 250b, 250c)의 내부공간에 연결된 노즐들(nz)을 통하여 메모리 모듈을 향하여 사출될 수 있다.
도 8a는 하나의 테스트 그룹(TG)에 포함될 수 있는 4개의 배관 구조체들을 도시한 사시도이다. 도 8b는 도 8a의 절단선 8I-8I`를 따라 취해진 단면도이다.
도 8a 및 도 8b를 참조하면 배관 구조체들(250a, 250b, 250c)의 배관 측벽들(251a, 251b, 251c), 배관 상면(253a, 253b, 253c) 및 배관 하면(255a, 255b, 255c)에 의해 배관 구조체들(250a, 250b, 250c) 내부의 유체와 배관 구조체들(250a, 250b, 250c) 외부의 유체가 구분될 수 있다. 배관 측벽들(251a, 251b, 251c)은 제1 방향(x방향)을 따라 연장되되 탑 플레이트(200)상에 탑 플레이트(200)의 상면과 실질적으로 수직하게 배치될 수 있는 면을 말한다. 배관 측벽들(251a, 251b, 251c)은 도면상 제1 방향(x방향) 및 제 3방향(z방향)에 따라 연장 되어, 제2 방향 (y방향)에 수직인 부분을 포함할 수 있다. 또한 배관 상면(253a, 253b, 253c) 및 배관 하면(255a, 255b, 255c)들은 제1 방향(x방향)을 따라 연장되되 탑 플레이트(200) 상에 탑 플레이트(200)의 상면과 평행하 배치될 수 있다. 배관 상면(253a, 253b, 253c) 및 배관 하면(255a, 255b, 255c)은 도면상 제1 방향(x방향) 및 제2 방향(y방향)을 따라 연장되어 제3 방향(z방향)에 수직인 부분을 포함할 수 있다. 배관 구조체들(250a, 250b, 250c)은 양단이 구부러진 구조를 하여 고정용 핸들(220)의 브릿지들(228) 사이 또는 브릿지들(228)의 외측으로 통과하도록 구성될 수 있다. 예컨대 배관 구조체들(250a, 250b, 250c)은 양단에 각각 서로 다른 방향을 향하여 굽은 형상을 지닌 구절부(拘折部)를 포함할 수 있다. 하지만 이에 제한되는 것은 아니고, 경우에 따라 배관 구조체들(250a, 250b, 250c)은 실질적으로 직선형일 수 있다.
노즐들(nz)은 배관 측벽들(251a, 251b, 251c)로부터 배관 구조체들(250a, 250b, 250c)의 내부와 연결되어 형성될 수 있다. 노즐들(nz)은 배관 측벽들(251a, 251b, 251c)상에 제1 방향(x방향)을 따라 정렬되되, 소정의 간격만큼 이격되어 형성될 수 있다. 하지만 이에 제한되는 것은 아니고, 노즐들(nz)은 배관 상면(253a, 253b, 253c) 상에 형성될 수도 있다. 이상 속이 빈 직육면체 형상의 배관 구조체를 기준으로 설명하였으나, 본 발명의 기술적 사상이 이에 제한되는 것은 아니다. 예컨대, 파이프 형태, 속이 빈 원기둥이나 속이 빈 타원 기둥 등 다양한 형태의 배관 구조체가 제공될 수 있다.
노즐들(nz)은 배관 구조체들(250a, 250b, 250c) 상에 1 방향(x방향)을 따라 이격되어 배치되고 제2 방향(y방향) 및 제3 방향(z방향)으로 정렬될 수 있다. 전술했듯, 네 개의 배관 구조체들(250a, 250b, 250c)이 하나의 테스트 그룹(TG)에 포함될 수 있다. 배관 구조체들(250a, 250b, 250c)은 제2 방향에 따른 양단에 배치된 한 쌍의 제1 및 제2 배관 구조체들(250a, 250b)과 제1 및 제2 배관 구조체들(250a, 250b) 사이에 개재된 두 개의 내부 배관 구조체(250c)를 포함할 수 있다. 하지만 이에 제한되는 것은 아니고, 테스트 그룹(TG)에 포함되는 반도체 모듈들(300)의 개수에 따라 두 개 그 이상 또는 두 개 이하의 내부 배관 구조체(250c)를 포함할 수 있다.
제1 및 제2 배관 구조체들(250a, 250b)은 배관 측벽(251a, 251b) 중 어느 하나에 노즐 어레이(nzar)가 형성될 수 있다. 예컨대, 서로 대향하는 두 배관 측벽(251a, 251b) 중 반도체 모듈(300)에 더 인접하게 배치된 배관 측벽(251a, 251b)에 노즐 어레이(nzar)가 형성될 수 있다. 제1 및 제2 배관 구조체들(250a, 250b)은 하나의 반도체 모듈이 대응되기 때문에 이에 대응 하는 배관 측벽(251a, 251b)에 노즐 어레이(nzar)가 형성될 수 있다. 노즐 어레이(nzar)는 반도체 모듈(300)의 한쪽 측면에 형성된 반도체 스택들(320)에 대응될 수 있다. 도 8a를 참조하면 하나의 배관 측벽(251a, 251b)에 하나의 노즐 어레이(nzar)를 포함하는 것으로 도시되었으나, 이에 제한되는 것이 아니다. 구체적으로 각 노즐들(nz)로부터 사출되는 유체의 유속, 유량, 흐름 방향등을 조절하여 소정의 테스트 환경을 구현하기 위해 하나의 배관 측벽(251a, 251b)에 제 3 방향으로 이격된 복수개의 노즐 어레이(nzar)를 포함할 수 있다.
도 8a에 도시된 것과 달리 제1 및 제2 배관 구조체들(250a, 250b)의 배관 상면들(253a, 253b)에 노즐 어레이(nzar)가 형성되는 경우, 각 노즐들(nz)의 프로파일은 노즐(nz)에서 사출된 유체가 가장 인접하게 배치된 반도체 스택(320)을 향하도록 구성될 수 있다.
내부 배관 구조체(250c)에 대하여 대향하는 배관 측벽(251c)에 각각 노즐 어레이(nzar)가 형성될 수 있다. 내부 배관 구조체는 대향하는 배관 측벽(251c) 각각에 반도체 모듈이 대응되기 때문에, 각각의 배관 측벽(251c)에 노즐 어레이(nzar)가 형성될 수 있다. 각각의 노즐 어레이(nzar)는 반도체 모듈(300)의 한쪽 측면 상의 반도체 스택들(320)에 대응될 수 있다. 경우에 따라, 내부 배관 구조체(250c)도 제1 및 제2 외부 배관 구조체들(250a, 250b)과 마찬가지로 배관 측벽(251c)에 제 3 방향(z방향)으로 이격된 복수개의 노즐 어레이(nzar)를 포함할 수 있다.
내부 배관 구조체(250c)의 배관 상면들(253a, 253b, 253c)에 노즐 어레이(nzar)가 형성되는 경우, 제2 방향(y방향)을 따라 이격되어 배치된 복수개의 노즐 어레이(nzar)를 포함할 수 있다. 복수개의 노즐 어레이(nzar)의 적어도 일부는 제2 방향(y방향)의 일측에 배치된 반도체 스택(320)을 향하여 유체를 사출하도록 구성된다. 복수개의 노즐 어레이(nzar)의 다른 적어도 일부는 제2 방향(y방향)의 타측에 배치된 반도체 스택(320)을 향하여 유체를 사출하도록 구성된다. 도 8a 및 도 8b에 도시된 것과 달리 노즐들(nz)은 제1 방향(x방향)으로 연장되는 라인형일 수 있다. 이에 따라 냉각 및 가열용 유체는 노즐들(nz)들로부터 반도체 스택(320)을 향하여 균일하게 사출될 수 있다.
제 1 방향(x방향)에 대하여 수직한 단면의 관점에서, 제1 배관 구조체(250a)에 형성된 노즐들(nz)은 제3 방향(z방향)에 대하여 제1 노즐 지향각(θ1)을 가질 수 있다. 제2 배관 구조체(250b)에 형성된 노즐들(nz)은 제3 방향(z방향)에 대하여 제2 노즐 지향각(θ2)을 가질 수 있다. 내부 배관 구조체(250c)의 제1 배관 구조체(250a)에 인접한 배관 측벽(251c)에 형성된 노즐들(nz)은 제3 방향(z방향)에 대하여 제3 노즐 지향각(θ3)을 가질 수 있다. 내부 배관 구조체(250c)의 제2 배관 구조체(250b)에 인접한 배관 측벽(251c)에 형성된 노즐들(nz)은 제3 방향(z방향)에 대하여 제4 노즐 지향각(θ4)을 가질 수 있다. 경우에 따라 제1 내지 제4 지향각(θ1, θ2, θ3, θ4)의 크기는 실질적으로 동일할 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. 제1 내지 제4 지향각(θ1, θ2, θ3, θ4)이 소정의 각도 보다 더 작게 형성되는 경우, 노즐들(nz)은 배관 상면(253a, 253b, 253c)에 형성될 수 있다. 제1 내지 제4 지향각(θ1, θ2, θ3, θ4)의 보다 더 크게 형성되는 경우, 노즐들(nz)은 배관 하면(255a, 255b, 255c)에 형성될 수 있다. 제1 내지 제4 지향각(θ1, θ2, θ3, θ4)에 따라 반도체 스택(320)에 대한 배관 구조체들(250a, 250b, 250c)의 상대 위치가 결정될 수 있다. 예컨대 제1 내지 제4 지향각(θ1, θ2, θ3, θ4)이 90°이상인 경우 배관 구조체들은 반도체 스택(320)에 비해 낮은 레벨에 배치될 수 있다. 제1 내지 제4 지향각(θ1, θ2, θ3, θ4)이 90°이하인 경우 배관 구조체들은 반도체 스택(320)에 비해 높은 레벨에 배치될 수 있다. 제1 내지 제4 지향각(θ1, θ2, θ3, θ4)이 90°이하인 경우 배관 구조체들은 반도체 스택(320)에 비해 높은 레벨에 배치될 수 있다.
내부 배관 구조체(250c)의 배관 상면(253c)에 노즐 어레이(nzar)가 형성되는 경우, 배관 상면(255c)에 두 개의 노즐 어레이(nzar)가 형성될 수 있다. 경우에 따라 각각의 노즐 어레이(nzar)는 제1 방향(x방향)에 따라 연장되는 한 쌍의 가장자리에 각각 하나씩 대응되어, 대응되는 가장 자리에 더 인접하게 형성될 수 있다. 각각의 노즐 어레이(nzar)는 대응되는 가장자리에 더 인접한 반도체 모듈(300)을 향하여 유체를 사출할 수 있다. 하지만 이에 제한 되는 것은 아니고, 배관 상면(253c)에 하나 또는 셋 이상의 노즐 어레이가 형성될 수 있다.
노즐들(nz)이 원형 홀의 형상을 포함할 경우 노즐들(nz)의 크기는 노즐 직경을 통해 정의될 수 있다. 제1 배관 구조체(250a)에 형성된 노즐들(nz)은 제1 노즐 직경(r1)을 가질 수 있고 제2 배관 구조체(250b)에 형성된 노즐들(nz)은 제2 노즐 직경(r2)을 가질 수 있다. 내부 배관 구조체(250c)의 제1 배관 구조체(250a)에 인접한 배관 측벽(251c)에 형성된 노즐들(nz)은 제3 노즐 직경(r3)을 가질 수 있고, 제2 배관 구조체(250b)에 인접한 배관 측벽(251c)에 형성된 노즐들(nz)은 제4 노즐 직경(r4)을 가질 수 있다. 예컨대 제1 내지 제4 노즐 직경(r1, r2, r3, r4)은 0.1mm 내지 0.3mm에 해당하는 값을 가질 수 있으나 이에 제한되지 않는다. 경우에 따라 제1 내지 제4 노즐 직경(r1, r2, r3, r4)은 실질적으로 동일할 수 있으나 이에 제한되는 것은 아니다. 경우에 따라 노즐들(nz)은 라인형으로 형성될 수 있고, 이 경우 노즐들(nz)의 크기는 제1 방향(x방향)에 따른 연장 길이 및 제3 방향(y방향)에 따른 폭에 의해 정의될 수 있다.
냉각 또는 가열용 유체들은 각각의 배관 구조체들(250a, 250b, 250c)에 연결된 노즐들(nz)을 통하여 메모리 모듈을 향하여 사출될 수 있다. 경우에 따라 반도체 모듈들(300)에 포함된 반도체 스택들(320) 중 선택된 어느 하나에 노즐들(nz) 중 선택된 어느 하나가 대응 되는 일대일 대응(one to one correspondence) 방식으로 노즐들(nz)과 반도체 스택들(320)을 매칭시킬 수 있다. 또는, 이웃한 노즐들(nz)의 제1 방향(x방향)에 따른 거리는 이웃한 반도체 스택들(320)의 중심간의 제1 방향(x방향)에 따른 거리와 실질적으로 동일할 수 있다. 하지만 이에 제한되는 것은 아니고, 하나의 반도체 스택(320)에 둘 이상의 노즐들(nz)이 대응될 수 있다. 또는 하나의 이상의 노즐(nz)에 둘 반도체 스택들(320) 이 대응될 수 있다.
종래의 외부에 설치된 팬(Fan)이나 히터(Heater)를 이용하여 반도체 모듈의 일단 또는 양단에서 메모리 모듈의 연장 방향을 따라 냉각 또는 가열용 유체를 공급하는 방식에서는 반도체 스택들(320)의 발열에 의해 와류 등이 공급하여 유체의 흐름이 바뀔 수 있다. 특히 반도체 스택들(320)의 발열에 의한 불균일한 온도 분포에 의해 공급되는 냉각 또는 가열용 유체의 흐름이 테스트 보드 면에 대한 수직 위 방향으로 왜곡될 수 있다. 이에 따라 반도체 스택들(320)의 일부에는 냉각 또는 가열용 유체가 충분히 공급되지 못하여 온도에 따른 반도체 모듈의 동작 성능 테스트의 신뢰도에 문제가 발생할 수 있다.
예시적인 실시예들에 따르면, 반도체 스택들(320)을 향하여 냉각 또는 가열용 유체가 직접 분사되는 방식이다. 이로 인해, 반도체 스택들(320)간의 동작 차이 등으로 온도 차이가 발생하는 경우에도 냉각 또는 가열용 유체의 흐름 방향이 왜곡되는 것을 방지할 수 있다. 따라서 반도체 스택들(320)에 충실히 가열/냉각용 유체를 공급하여 반도체 모듈 테스트 시스템 내부의 온도를 균일하게 유지함으로써 반도체 모듈 테스트의 신뢰도를 향상시킬 수 있다,
도 7 내지 도8b에 도시된 배관 구조체들의 제1 방향(x방향)에 따른 단면은 내부가 빈 직사각형 일 수 있다. 하지만 이에 제한된 것은 아니고, 배관 구조체의 제1 방향(x방향)에 따른 단면은 내부가 빈 원형, 타원형, 기타 다각형들을 포함할 수 있다.
도 9는 예시적인 실시예들에 따른 배관 구조체들을 포함하는 반도체 모듈 테스트 장치를 설명하기 위한 도면이다.
이하에서는 도 7 내지 도 8b를 이용하여 설명한 것과 중복되는 것을 제외하고, 차이점을 위주로 기술하기로 한다.
도 9를 참조하면 두 개의 배관 구조체들(450), 세 개의 반도체 모듈들(300)이 하나의 테스트 그룹(TG`)에 포함되고, 하나의 반도체 모듈 테스트 장치(1000)에 두 개의 테스트 그룹들(TG`)이 포함된 것으로 도시 되어있다. 하나의 테스트 그룹(TG`)에 포함된 두 개의 배관 구조체들(450)은 각각 반도체 모듈들(300)의 일부에 대응할 수 있다. 예컨대, 하나의 배관 구조체(450)가 반도체 모듈들(300)의 중심부로부터 제1 방향(x방향)에 따른 일측 말단에 대응되는 경우, 다른 하나의 배관 구조체(450)는 이 반도체 모듈들(300)의 중심부로부터 제1 방향(x방향)에 따른 타측 말단에 대응될 수 있다.
도 10a는 도 9의 반도체 모듈 테스트 장치에 포함될 수 있는 배관 구조체를 설명하기 위한 사시도이다. 도 10b는 도 10a의 절단선 10I-10I`를 따라 취해진 단면도이다.
배관 구조체(450)는 제2 방향에 따른 양단에 배치된 제1 및 제2 배관(450a, 450b)과 제1 및 제2 배관(450a, 450b) 사이에 개재된 내부 배관(450c)을 포함한다. 배관 구조체(450)의 반도체 모듈의 말단과 대응되는 위치에 고정용 핸들러 결합 홀들(455b)이 형성될 수 있다. 고정용 핸들러 결합 홀(455b)들은 고정용 핸들(220)과 배관 구조체(450)가 얼라인되어 안정적으로 결합할 수 있도록 할 수 있다. 고정용 핸들러 결합 홀(455b)에 회전축 부재(미도시) 및 핸들러 암(미도시)이 결합될 수 있다. 반도체 모듈들(300)이 모듈용 소켓들(120)에 결합된 후 고정용 핸들(220)이 전진하여 반도체 모듈들(300)이 모듈용 소켓들(120)에 안정적으로 결합되도록 할 수 있다.
배관 구조체(450)의 제1 방향(x방향)에 따른 양단에 복수개의 탑 플레이트 결합 홀(453b)이 포함될 수 있다. 배관 구조체(450)가 탑 플레이트(200) 상에 정렬된 후 탑 플레이트 결합 홀(453b)에 결합용 부재(미도시)가 결합됨으로써 배관 구조체(450)가 탑 플레이트(200)에 의해 더욱 견고하게 지지받고 안정적으로 결합될 수 있다.
배관 구조체(450)는 제1 및 제2 배관(450a, 450b), 그리고 제1 및 제2 배관(450a, 450b)의 사이에 배치된 내부 배관들(450c)을 포함할 수 있다. 제1 및 제2 배관은 도 7 내지 도 8b를 이용하여 설명한 제1 및 제2 배관 구조체들(250a, 250b)에 대응된다. 따라서 가장 인접한 하나의 반도체 스택(320)에만 대응되는 노즐 어레이(nzar)를 포함할 수 있다.
내부 배관(450c)은 도 7 내지 도 8b를 이용하여 내부 배관 구조체들(250c)과 대응하여 두 개의 반도체 스택(320)에 대응되는 노즐 어레이들(nzar)을 포함할 수 있다. 제1, 제2 및 내부 배관들(450a, 450b, 450c)의 일단에는 유체 주입구들(457a, 457b, 457c)가 형성되어 유체 공급로(3000, 도1 참조)에서 공급한 냉각 및 가열 유체들이 제공될 수 있다.
도 10b를 참조하면, 제1 배관(450a)에 형성된 노즐들(nz)은 제3 방향(z방향)에 대하여 제5 노즐 지향각(θ5)을 가질 수 있다. 제1 배관(450b)에 형성된 노즐들(nz)은 제3 방향(z방향)에 대하여 제6 노즐 지향각(θ6)을 가질 수 있다. 내부 배관(450c)에 형성되되, 제1 배관(450a)에 더 인접하게 형성된 노즐들(nz)은 제3 방향(z방향)에 대하여 제7 노즐 지향각(θ7)을 가질 수 있다. 내부 배관(450c) 에 형성되되, 제2 배관(450b)에 더 인접하게 형성된 노즐들(nz)은 제3 방향(z방향)에 대하여 제8 노즐 지향각(θ8)을 가질 수 있다. 경우에 따라 제5 내지 제8 지향각(θ5, θ6, θ7, θ8)의 크기는 실질적으로 동일할 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
노즐들(nz)의 원형 홀의 형상 포함할 경우 노즐들(nz)의 크기는 노즐의 직경을 통해 정의될 수 있다. 제1 배관(450a)에 형성된 노즐들(nz)은 제5 노즐 직경(r5)을 가질 수 있고 제2 배관(450b)에 형성된 노즐들(nz)은 제6 노즐 직경(r6)을 가질 수 있다. 내부 배관(450c)에 형성되되, 제1 배관(450a)에 인접하여 형성된 노즐들(nz)은 제7 노즐 직경(r7)을 가질 수 있고, 제2 배관(450b)에 인접하여 형성된 노즐들(nz) 형성된 노즐들(nz)은 제8 노즐 직경(r8)을 가질 수 있다. 경우에 따라 제1 내지 제4 노즐 직경(r1, r2, r3, r4)은 실질적으로 동일할 수 있으나 이에 제한되는 것은 아니다. 예컨대 제5 내지 제8 노즐 직경(r5, r6, r7, r8)은 0.1mm 내지 0.3mm에 해당하는 값을 가질 수 있다. 경우에 따라 노즐들(nz)은 라인형으로 형성될 수 있고, 이 경우 노즐들(nz)의 크기는 제1 방향(x방향)에 따른 연장 길이 및 제3 방향(y방향)에 따른 폭에 의해 정의될 수 있다.
도 10b를 참조하면 제1 내지 제3 배관(450a, 450b, 450c)들은 원기둥 형태의 내부 공간을 포함할 수 있다. 하지만 이에 제한된 것은 아니고, 제1 내지 제3 배관(450a, 450b, 450c)들에 형성된 내부공간은 타원형, 기타 다각형들을 포함할 수 있다.
이하에서 설명하는 테스트 보드(100) 및 반도체 모듈들(300)은 각각 도 3 및 도 4를 이용하여 설명한 것과 실질적으로 동일한 바 이에 대한 자세한 설명은 생략하도록 한다.
도 11a 내지 도 11c는 예시적인 실시예들에 따른 반도체 모듈 테스트 장치에 포함될 수 있는 탑 플레이트(1200)를 설명하기 위한 도면들로서, 각각 탑 플레이트(1200)의 사시도 및 상면도 및 하면도이다. 도 12a 및 도 12b는 각각 순서대로 도 11b의 절단선 11I-11I` 및 11II-11II`을 따라 취한 단면도들로서 조절용 부재(1220)의 동작을 설명하기 위한 단면도들이다.
도 11a 내지 도 11c를 참조하여 이하 설명하는 탑 플레이트(1200)는 도 2에 도시된 탑 플레이트(200)에 대응 되는 구성요소로서, 탑 플레이트(1200)는 테스트 보드(100) 상에서 테스트 보드(100)와 결합하되, 반도체 모듈용 소켓들(120)의 내부 공간에 의해 정의된 삽입부들을 노출시킨다. 노출된 삽입부들에 반도체 모듈들(300) 등이 삽입될 수 있다.
탑 플레이트(1200)는 테스트 보드(100)와 결합함으로써 테스트 보드(100)를 이물질로부터 보호할 수 있고, 테스트 보드(100)의 기계적인 강도를 제고할 수 있다. 탑 플레이트(1200)는 바디부(1210), 배관 구조체들(1230), 조절용 부재(1220) 유체 주입구(1260), 유체 분배기(1250)를 포함할 수 있다. 탑 플레이트(1200)는 플라스틱 기판, 반도체 기판 또는 금속 기판을 포함할 수 있으나 이에 제한되는 것은 아니다. 유체 주입구(1260)는 경우에 따라 유체 주입 배관(1261) 및 주입구 조절 부재(1263)를 포함할 수 있다. 외부로부터 유체 주입구(1260)로 주입된 유체들은 유체 분배기(1250)를 통해 각 배관 구조체들(1230)로 분배 된 후, 각 노즐(nz)에 의해 반도체 모듈들(300)에 포함된 반도체 스택들(320)을 향해 사출될 수 있다.
바디부(1210)는 탑 플레이트(1200)의 몸체가 되는 부분으로서 탑 플레이트(1200) 전체를 지지하고, 탑 플레이트(1200)에 포함 되는 각 구성들이 안정적으로 결합되도록 할 수 있다. 탑 플레이트(1200)와 테스트 보드(100)의 안정적 결합을 위하여 볼트, 너트 등의 결합 부재들이 결합될 수 있는 복수개의 결합 홈들(1211)을 포함할 수 있다.
바디부(1210)의 제1 방향(x방향)에 따른 양단에 고정용 핸들(1270)을 포함할 수 있다. 고정용 핸들(1270)은 핸들 지지부(1272), 핸들 암(1274) 및 핸들 헤드(1276)를 포함할 수 있다. 고정용 핸들(1270)은 도 5를 참조하여 설명한 고정용 핸들(220)과 실질적으로 동일하다.
탑 플레이트(1200)는, 바디부(1210)의 하면 하에 배치되되 제1 방향(x방향)으로 연장되고, 제2 방향(y방향)을 따라 이격된 복수개의 배관 구조체들(1230)을 포함할 수 있다. 도면상, 총 8개의 서로 평행한 배관 구조체들(1230)이 제공된 것으로 도시되었으나, 이에 제한되는 것은 아니다. 배관 구조체들(1230)은 테스트 보드(100) 상의 반도체 모듈의 소켓의 개수 및 배치에 따라 적절한 개수 및 배치를 가질 수 있다.
이웃하되 서로 이격된 배관 구조체들(1230)에 의해 소켓 결합용 홈들(1240)이 정의될 수 있다. 즉 서로 이격된 배관 구조체들(1230) 사이로 소켓들(120)이 삽입됨으로써 테스트 보드(100)와 탑 플레이트(1200)가 결합될 수 있다.
탑 플레이트(1200)는 제1 방향(x방향)으로 연장되고, 제3 방향(z방향)으로 탑 플레이트(1200)를 관통하는 소켓 결합용 홈들(1240)과 연결되는 반도체 모듈 결합용 홀들(1245)을 포함할 수 있다. 이 경우 반도체 모듈 결합용 홀들(1245)은 탑 플레이트(1200) 반도체 모듈용 소켓들(120)의 내부로 정의된 삽입부들을 노출시킨다. 즉 반도체 모듈들(300)을 반도체 모듈용 소켓들(120)에 삽입하는 경우 탑 플레이트(1200)는 반도체 모듈들(300)에 의해 관통될 수 있다.
배관 구조체들(1230) 상에는 조절용 부재(1220)가 배치될 수 있다. 조절용 부재(1220)는 노즐 플러그들(1221) 및 조절 나사(1225)를 포함할 수 있다. 배관 구조체와 마찬가지로, 노즐 플러그들(1221)은 제1 방향(x방향)으로 연장되며 제2 방향(y방향)에 따라 소정의 거리만큼 이격되어 배치될 수 있다.
도 12a 및 도 12b를 참조하여 조절용 부재(1220)가 노즐의 크기 또는 프로파일을 조절하는 기작(mechanism)을 설명하고자 한다. 조절용 부재(1220)는 노즐 플러그들(1221)과 조절 나사(1225)를 포함할 수 있다. 노즐 플러그들(1221)과 조절 나사(1225)는 제3 방향(z방향)에 대해 서로 고정되어 상대 운동하지 않는다. 조절 나사(1225)는 노즐 플러그(1221)를 기준으로 제3 방향(z방향)의 축을 회전축으로 하여 회전할 수 있다. 조절 나사(1225)는 바디부(1210)에 대하여 외부 조작에 의해 상하 운동을 할 수 있다. 이에 따라 노즐 플러그들(1221)이 상하 운동을 하면서 노즐(nz)의 크기 및 프로파일을 조정할 수 있다. 구체적으로 도 12a는 조절용 부재(1220)가 최대로 상승하여 노즐(nz)이 완전히 개방된 상태이고 도 12b는 조절용 부재(1220)가 최대로 하강하여 노즐(nz)이 닫힌 상태이다.
이외에도 조절 나사(1225)의 바디부(1210)에 대한 상대 높이를 다양한 노즐(nz)의 크기 및 프로파일을 구현할 수 있고, 이에 따라 노즐(nz)로부터 사출되는 유체의 유량, 흐름 방향 및 유속등을 조정할 수 있다. 예컨대 노즐(nz)이 작아지는 경우 유속이 증가 할 수 있고, 노즐(nz)의 크기가 커지는 경우 유속이 감소할 수 있다. 또한 노즐(nz)의 프로파일을 조정함으로써 노즐(nz)의 제3 방향(z방향)에 대한 각도를 조정함으로써 사출되는 유체의 지향각을 조정할 수 있다. 구체적으로 조절용 부재(1220)가 상승하는 경우, 노즐의 지향각이 낮아지는 바 사출되는 유체의 지향각이 낮아 질 수 있다. 유체의 지향각이 낮아졌다 함은, 흐름 방향 벡터를 고려했을 때, 수직 방향(z방향) 성분에 비해 수평 방향(x, y방향) 성분의 비가 커지는 의미할 수 있다. 또, 조절용 부재(1220)가 하강하는 경우, 노즐의 지향각이 커지는바, 사출되는 유체의 지향각이 커질 수 있다. 유체의 지향각이 낮아졌다 함은 흐름 방향 벡터를 고려했을 때 수평 방향(x, y방향) 성분에 비해 수직 방향(z방향) 성분의 비가 커지는 것을 의미할 수 있다. 경우에 따라 도 12b에 도시되었듯이 노즐(nz)을 완전히 닫음으로써 밸브의 역할을 할 수도 있다. 따라서 조절용 부재(1220)가 조절함으로써 소정의 반도체 모듈의 테스트 환경에 적합한 가열 및 냉각 환경을 조성할 수 있다. 또한 노즐들(nz)의 형태가 대롱형일때 노즐들(nz)로부터 사출되는 유체가 조절용 부재와 부딪힌 다음 메모리 모듈로 사출되는바, 메모리 모듈의 한 점에 집중되지 않고 하나의 메모리 모듈에 대해 전체에 고르게 사출될 수 있다.
도 13a 내지 도 13d는 배관 구조체의 구조를 설명하기 위해 배관 구조체의 일부를 확대한 도면들이다.
배관 구조체들의 하부 실링(1233), 배관 측벽(1231) 및 상부 실링(1235)에 의해 배관 구조체들(1230) 내부(H1)의 유체는 노즐들(nz)이 형성되는 부분을 제외하고 외부로부터 격리될 수 있다. 배관 구조체의 상부 실링(1235)은 노즐들(nz)을 포함할 수 있다. 즉, 상부 실링(1235)이 형성되지 않는 영역들에 의해 노즐들(nz)이 정의될 수 있다.
노즐들(nz)은 배관 구조체들(1230)과 연결되어 배관 구조체들(1230) 내의 유체들이 외부로 사출되는 개구들(open holes)이다. 노즐들(nz)은 제2 방향(y방향)을 따라 형성될 수 있다. 이에 따라 노즐들(nz)로부터 사출된 유체들이 배관 구조체들(1230)의 중심으로부터 멀어지도록 측 방향, 즉 도면상 제2 방향(y방향)으로 사출될 수 있다. 최외곽에 위치한 배관 구조체들(1230)은 일측면에만 노즐들이 형성된다. 다른 배관 구조체들(1230), 즉 내각에 위치한 배관 구조체들(1230)은 노즐들(nz)은 양 측면에 하나씩 두 개의 이웃한 반도체 모듈이 배치 되는바 양측면에 노즐들(nz)이 형성될 수 있다. 즉 두 개의 노즐들(nz)이 하나의 쌍(pair)을 이뤄 형성될 수 있다. 이때 한 쌍의 노즐들(nz)을 이은 연장 선상의 상부 실링이 개방될 수 있다. 하지만 이에 제한되는 것은 아니고, 도 13e처럼 상부 실링의 노즐(nz) 부분만 개방될 수 있다. 하지만 노즐의 형태가 이에 제한되는 것은 아니고, 노즐로부터 사출되는 유체의 흐름이 테스트 환경에 적합하도록 다양하게 변형될 수 있다. 예컨대 도 13b에서 도시된 것처럼, 노즐(nz1)은 제1 방향(x방향)에 따른 라인형일 수 있다. 또는 도 13c에서 도시된 것처럼 노즐(nz2)의 단면 프로파일은 변곡점 또는 꼭지점을 포함할 수 있다. 또는 도 13d에서 도시된 것처럼 노즐(nz3)의 단면 프로파일은 원 또는 타원의 일부일 수 있다.
도 14a 및 도 14b는 예시적인 실시예들에 따른 노즐 플러그(1221)를 설명하기 위한 사시도 및 상면도(top view)이다. 도 14c 내지 도 14e는 각각 순서대로 도 14a의 절단선 14I-14I`, 14II-14II`, 14III-14III`를 따라 취해진 단면도들이다.
도 14a 내지 도14e를 참조하면, 노즐 플러그(1221)는 제1 방향(x방향)으로 연장되고 제1 방향(x방향)에 따른 양단에 인접하게 조절 나사(1225)가 결합될 수 있도록 구성된 오픈 영역(OP)을 포함할 수 있다. 노즐 플러그(1221)는 노즐(nz)들에 대응하는 제1 영역들(R1), 조절 나사들(1225)이 결합하는 제2 영역들(R2) 및 제1 영역들에 의해 정의되어 노즐들 사이에 배치될 수 있는 제3 영역들(R3)을 포함할 수 있다.
노즐 플러그(1221)의 제1 영역들(R1)의 제2 방향(y방향)에 따른 단면은 예컨대, 사다리꼴일 수 있다. 단면인 사다리꼴의 평행한 두 변 중 어느 한 변이 배관 구조체들(1230)에 가장 가깝게 배치될 수 있다. 또는 단면인 사다리꼴의 평행한 두 변이 제2 방향을 따라 연장되도록 배치될 수 있다. 단면인 사다리꼴의 평행한 두 변 중 노즐(nz)로부터 더 멀리 이격된 변의 길이를 제2 길이(w2) 나머지 변의 길이를 제1 길이(w1)라고 할 때, 제1 길이(w1)는 제2 길이(w2)보다 더 작을 수 있다. 노즐 플러그의 제1 영역들(R1)은 수직 방향, 즉 제3 방향(z방향)으로 제1 높이(h1)를 가질 수 있다. 제1 영역들(R1)의 제1 방향(x방향)에 따른 길이는 노즐(nz)의 크기에 대응되도록 정해질 수 있다. 제1 길이(w1) 및 제1 높이(h1)에 의해 정의되는 직사각형으로부터 돌출된 영역을 날개부(WR)라고 정의할 때, 제1 영역들(R1)은 2개의 날개부(WR)를 가질 수 있다. 제1 길이(w1), 제2 길이(w2) 및 제1 높이(h1)의 각각의 값에 따라 정의되는 제1 영역들(R1)의 단면 프로파일은 노즐들(nz)의 프로파일에 대응되도록 정해질 수 있다. 전술했듯 제1 영역들(R1)은 노즐들(nz)에 대응하는 영역으로서, 제2 방향(y방향)에 있어서 서로 반대 방향에 배치된 두 개의 노즐에 하나의 제1 영역들(R1)이 대응한다. 예컨대 하나의 배관 구조체(1230)가 2n개의 노즐을 포함하는 경우, 노즐 플러그(1221)는 n개의 제1 영역들(R1)을 포함할 수 있다. 이때 전술했듯 노즐 플러그들(1221)의 제1 영역들(R1)은 노즐(nz)의 크기 또는 프로파일을 조절할 수 있도록 구성된 바, 제1 영역들(R1)의 제1 방향(x방향) 길이는 노즐들(nz)의 제1 방향(x방향) 길이와 실질적으로 동일하다,
노즐 플러그(1221)의 제2 영역들(R2)은 구체적으로 노즐 플러그(1221)의 제1 방향(x방향)에 따른 양단에 위치한 영역들일 수 있다. 제2 영역들(R2)의 제2 방향(y방향)에 따른 단면은 예컨대, 오픈 영역(OP)에 의해 관통된 직사각형 내지는 오픈 영역(OP)에 의해 두 개의 분리된 직사각형의 형상일 수 있다. 이때 제2 영역들(R2)의 제2 방향(y방향)에 따른 길이는 제3 길이(w3)일 수 있다. 이때 제3 길이(w3)는 제2 길이(w2)보다 실질적으로 작을 수 있다. 또, 제3 길이(w3)는 제1 길이(w1)와 실질적으로 동일할 수 있다. 노즐 플러그(1221)의 제2 영역들(R2)은 수직 방향, 즉 제3 방향(z방향)으로 제2 높이(h2)를 가질 수 있다. 이때 제2 높이(h2)는 제1 높이(h1)보다 더 작을 수 있다.
노즐 플러그(1221)의 제3 영역들(R3)은 구체적으로 이웃한 두 제1 영역들(R1) 사이에 개재된 영역들일 수 있다. 제3 영역들(R3)의 제2 방향(y방향)에 따른 단면은 예컨대, 직사각형일 수 있다. 이때 제3 영역들(R3)의 제2 방향(y방향)에 따른 길이는 제4 길이(w4)일 수 있다. 이때 제3 길이(w3)는 제2 길이(w2)보다 실질적으로 더 작을 수 있다. 또, 제3 길이(w3)는 제1 길이(w1)와 실질적으로 동일할 수 있다. 또, 제4 길이(w4)는 제3 길이(w3)와 실질적으로 동일할 수 있다. 노즐 플러그의 제3 영역들(R3)은 수직 방향, 즉 제3 방향(z방향)으로 제3 높이(h3)를 가질 수 있다. 이때 제3 높이(h3)는 제1 높이(h1)보다 더 작을 수 있다. 또 제3 높이(h3)는 제2 높이(h2)와 실질적으로 동일할 수 있다.
도 14f는 다른 예시적인 실시예들에 따른 제1 영역들(R1)의 단면도로서 도 14c에 대응되는 도면이다. 이하 도 14c에서 설명한 것과 차이점을 위주로 기술한다.
도 14f를 참조하면, 제1 영역들(R1)의 날개부(WR)는 도 14c와 실질적으로 동일할 수 있다. 단 도 14c와는 달리 도 14f에서 사다리꼴의 짧은 변에 인접한 부분이 함입된 구조일 수 있다. 구체적으로 노즐 플러그(1221)의 제1 영역들(R1)은 직각 삼각형 형태의 두개의 날개부(WR)와 이를 잇는 브릿지부(BR)를 포함할 수 있다. 브릿지부(BR)의 상면과 날개부(WR)의 상면이 동일 레벨에 형성되어 공면을 이룰 수 있다. 도시하지 않았으나, 본 실시예에서 이에 대응하여 배관 구조체에서 노즐(nz)을 제외한 다른 모든 부분이 상부 실링에 의해 봉인될 수 있다. 본 실시예는 전술한 도 13e에 도시된 배관 구조체와 대응될 수 있다.
도 15a 및 도 15b는 노즐 플러그들(1221) 중 최외곽에 배치되는 두 노즐 플러그들(1223)을 설명하기 위한 사시도들이다.
도 15a 및 도 15b를 참조하면 최외곽, 예컨대 제2 방향에 따른 양단에 배치된 노즐 플러그들(1221)은 그 사이에 개재된 노즐 플러그들(1221)과 다른 형상을 할 수 있다. 구체적으로 최외곽에 배치된 배관 구조체들(1230)에는 두 개의 측면 중 하나의 측면에만 노즐(nz)이 형성되는 바 노즐 플러그들(1221)에도 이에 대응하여 하나의 측면에만 날개부(WR)를 포함할 수 있다. 즉 최외곽에 배치된 두 배관 구조체들(1230)에는 모듈용 소켓들과 대향하는 측면에 노즐(nz)이 형성되는 바 노즐 플러그들(1221)에도 이에 대응하여 모듈용 소켓들과 대향하는 측면에만 날개부(WR)를 포함할 수 있다. 노즐 플러그들(1221)의 제2 방향 및 제3 방향에 따른 평면, 즉 도면상 yz평면에 의한 단면은 세 개의 직각을 포함하는 사다리꼴 형태일 수 있다. 경우에 따라 y방향에 따라 양단에 배치된 두 노즐 플러그들(1221)은 서로 거울상일 수 있다. 즉 최외곽의 노즐 플러그들(1221)에 대응되는 배관 구조체(1230)가 n개의 노즐을 포함하는 경우, 노즐 플러그(1221)는 n개의 제1 영역들(R1)을 포함할 수 있다.
도 16은 다른 예시적인 실시예들에 따른 노즐 플러그(1421)를 설명하기 위한 사시도 및 상면도이다.
도 16을 참조하면 노즐 플러그(1421)는 노즐(nz)들에 대응하는 제1 영역들(R1), 조절 나사들(1225)이 결합하는 제2 영역들(R2)을 포함할 수 있다. 이때 노즐 플러그(1421)는 제2 방향(y방향)에 있어서 서로 반대 방향에 배치된 한 쌍의 노즐(nz)에 대응될 수 있다. 이 경우 한 쌍의 노즐(nz)에 하나의 노즐 플러그(1421)가 대응되어 한 쌍의 노즐(nz)마다 크기 및 프로파일을 독립적으로 조정할 수 있는바 소자 발열 특성에 더욱 적합한 가열 및 냉각 환경을 제공할 수 있다. 예컨대, 노즐(nz)이 유체 주입구(1260)로부터 멀리 배치될수록 유압이 감소하여 사출되는 유체의 속도가 감소되는바, 해당 노즐(nz)의 크기를 줄임으로써 사출되는 유체의 속도를 높일 수 있다.
도 17은 예시적인 실시예들에 따른 조절 나사(1225)를 설명하기 위한 단면도이다.
도 17을 참조하면, 조절 나사(1225)는 상부 고정부(1226), 관통부(1227) 하부 고정부(1228) 및 나사부(1229)를 포함할 수 있다. 관통부(1227)는 오픈 영역(OP)과 결합하여 노즐 플러그들(1221)을 관통할 수 있다. 관통부(1227)는 수직 방향으로 제4 높이(h4)를 가질 수 있는데, 제3 높이와 제4 높이는 실질적으로 동일할 수 있다. 오픈 영역(OP)의 상단 및 하단에 각각 상부 고정부(1226) 및 하부 고정부(1228)가 배치되어 노즐 플러그들(1221)은 조절 나사(1225)에 대하여 제3 방향(z방향)으로 고정될 수 있다. 또한 조절 나사(1225)는 노즐 플러그들(1221)에 대해 제3 방향(z방향)을 축으로 하여 회전이 가능하다. 상부 고정부(1226)는 드라이버 등으로 높이를 조절할 수 있도록 십자 홈 또는 일자 홈 등의 홈을 포함할 수 있으나 이에 제한된 것은 아니다.
하부 고정부(1228)의 하면 하에 형성된 나사부(1229)는 나선 형상을 포함할 수 있다. 조절 나사(1225)가 회전하면서 몸체부에 미리 형성된 나선홈을 따라 나사부가 하강함으로써 노즐 플러그(1221)를 상승 또는 하강시킬 수 있다. 이에 따라 노즐(nz)의 크기 또는 프로파일을 조정할 수 있다.
이상에서 노즐 플러그들(1221)의 상승 또는 하강을 위한 구성요소로서 나사 형태의 상하 조절 부재를 설명했으나 이에 제한된 것은 아니다. 예컨대 유압을 이용한 조절 부재, 자기장을 이용한 조절 부재, 전기장을 이용한 조절 부재, 억지 결합이나 끼움 결합, 탄성에 의해 지지되는 결합 등, 탈착식의 기계적 결합을 이용한 조절 부재등이 사용될 수 있다.
도 18은 예시적인 실시예들에 따른 냉각 또는 가열용 유체의 흐름을 설명하기 위한 개략도이다. 도 18에서는 설명의 편의를 위하여, 유체 주입구(1260), 유체 분배기(1250), 배관 구조체들(1230) 및 반도체 모듈들(300)을 개략적으로 도시하도록 한다.
도 18을 참조하면 유체 주입구(1260)으로 주입된 냉각 또는 가열용 유체가 유체 분배기(1250)를 따라 흐르면서 각각 배관 구조체들(1230)로 주입될 수 있다. 화살표(FL)들은 유체의 흐름을 나타내기 위해 개념적으로 도시한 것이다. 이어서 냉각 또는 가열용 유체들이 각각의 배관 구조체들(1230)에 연결된 노즐들(nz)을 통하여 메모리 모듈을 향하여 사출될 수 있다. 경우에 따라 반도체 모듈들(300)에 포함된 반도체 스택들(320) 중 선택된 어느 하나에 노즐(nz)들 중 선택된 어느 하나가 대응 되는 일 대 일 대응 방식으로 노즐들(nz)과 반도체 스택들(320)을 매칭시킬 수 있다. 하지만 이에 제한되는 것은 아니고, 노즐들(nz)의 개수가 반도체 스택들보다 많거나 적을 수 있다. 반도체 스택들(320) 하나에 노즐(nz) 하나가 대응되는 방식이므로 가열/냉각 효율 및 신뢰성이 향상될 수 있다. 본 발명에서는 가열/냉각용 유체가 반도체 스택들(320)에 직접 분사되는 방식으로서, 반도체 스택들(320)간의 동작 차이 등으로 온도 차이가 발생하는 경우에도 각 반도체 스택들(320)에 충분히 가열/냉각용 유체를 공급할 수 있다.
도 19a는 예시적인 실시예들에 따른 반도체 모듈 테스트 장치를 설명하기 위한 결합 사시도이다. 도 19b 내지 도 19c는 예시적인 실시예들에 따른 반도체 모듈 테스트 장치 노즐 조작을 설명하기 위하여 도 19a의 절단선 19I-19I` 및 19II-19II`을 따라 취한 단면도들로서, 노즐의 개방 정도에 따른 효과를 설명하기 위한 도면들이다.
도 19a를 참조하면, 테스트 보드(100) 상에 탑 플레이트(1200)가 결합할 수 있고, 반도체 모듈용 소켓들(120)에 반도체 모듈들(300)이 삽입될 수 있다.
도 19b를 참조하면 조절용 부재(1220)가 완전히 상승되어 노즐들(nz)이 완전히 개방된 상태이다. 이에 따라 노즐들(nz)로부터 사출되는 유체의 유량이 최대가될 수 있다.
도 19c를 참조하면, 조절용 부재(1220)가 완전히 하강한 상태이다. 조절 나사(1225)가 바디에 형성된 나사홈을 따라 하강하면서 이에 조절 나사(1225)에 상하 고정된 노즐 플러그들(1221)이 함께 하강할 수 있다. 이에 따라 노즐들(nz)이 완전히 닫힐 수 있고, 배관 구조체들(1230)에 제공된 유체들은 이웃한 반도체 스택들(320)에 사출되지 않는다.
또는, 조절용 부재(1220)는 도 19b에 비해 하강하되, 도 19c에 비해 상승될 수 있다. 즉 노즐들(nz)이 일부 열린 상태에 해당할 수 있다. 이 경우 노즐들(nz)의 크기가 도 19b의 경우에 비해 작을 수 있다. 따라서 도 19b의 경우에 비해 사출되는 유체의 유속이 더 빠를 수 있다. 또는 도 19b의 경우에 비해 사출되는 유체의 지향각이 더 커질 수 있다.
이상, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시 예를 설명하였지만, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시 예에는 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다.
10: 반도체 모듈 테스트 시스템
100: 테스트 보드, 120: 반도체 모듈용 소켓
200, 1200: 탑 플레이트
220: 고정용 핸들
250a, 250b, 250c: 배관 구조체
450: 배관 구조체
300:반도체 모듈
1220: 조절용 부재, 1221: 노즐 플러그, 1225: 조절 나사
w1, w2, w3, w4: 제1 내지 제4 길이
h1, h2, h3: 제1 높이 제3높이
R1, R2, R3: 제1 영역 내지 제3 영역
1230 배관 구조체, 1231: 배관 측벽, 1233: 하부 실링, 1235: 상부 실링
300 반도체 모듈, 310: 인쇄회로기판, 330: 외부 접속 단자
1000: 반도체 모듈 테스트 장치, 2000: 온도 제어부, 3000: 유체 공급로

Claims (10)

  1. 테스트 보드의 상면 상에 상기 상면과 평행한 제1 방향으로 연장되고, 상기 상면과 평행하되 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향으로 이격되어 배치된 복수개의 배관 구조체들;
    이웃한 두 개의 상기 배관 구조체들 사이에 배치된 반도체 모듈용 소켓들;및
    상기 복수개의 배관 구조체에 형성되어 상기 복수개의 배관 구조체들의 상기 제1 방향과 평행한 중심축에 대한 측방향으로 유체를 사출할 수 있도록 구성된 복수개의 노즐들을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 모듈 테스트 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 반도체 모듈용 소켓들은 상기 제1 방향을 따라 연장된 것을 특징으로 하는 반도체 모듈 테스트 장치.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 복수개의 배관 구조체들은 상기 제2 방향의 양단에 위치한 제1 및 제2 배관 구조체들 및 상기 제1 및 제2 배관 구조체들 사이에 배치된 내부 배관 구조체들을 포함하되, 상기 내부 배관 구조체들은 상기 제1 방향으로 이격되어 정렬된 상기 노즐들로 구성된 제1 노즐 어레이 및 제2 노즐 어레이를 포함하고, 상기 제1 노즐 어레이 및 상기 제2 노즐 어레이는 서로 평행하되 상기 제2 방향으로 이격되며 이웃한 반도체 모듈용 소켓들 중 각각 더 인접한 것에 대응하는 것을 특징으로 하는 반도체 모듈 테스트 장치.
  4. 제4항에 있어서,
    상기 제1 배관 구조체 및 상기 제2 배관 구조체는 각각 가장 인접한 반도체 모듈용 소켓에 대응되는 제3 노즐 어레이를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 모듈 테스트 장치.
  5. 1항에 있어서,
    상기 반도체 모듈용 소켓들은 상기 제1 방향으로 연장되며 복수개의 반도체 스택들을 포함하는 반도체 모듈을 장착할 수 있도록 구성되고, 상기 반도체 모듈이 장착된 후 상기 노즐들은 유체를 상기 반도체 스택들을 향하여 사출할 수 있도록 구성된 것을 특징으로 하는 반도체 모듈 테스트 장치.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 반도체 모듈은 DIMM(dual in-line memory module)인 것을 특징으로 하는 반도체 모듈 테스트 장치.
  7. 제5항에 있어서,
    상기 노즐들은 상기 반도체 스택들에 각각 일대일로 대응하는 것을 특징으로 반도체 모듈 테스트 장치.
  8. 제5항에 있어서,
    이웃한 두 개의 상기 반도체 스택들의 중심 간의 제1 방향에 따른 거리와, 이에 대응하는 상기 이웃한 두 개의 상기 반도체 스택들에 대응하는 이웃한 두 개의 상기 노즐들의 상기 제1 방향에 따른 거리가 실질적으로 동일한 것을 특징으로 하는 반도체 모듈 테스트 장치.
  9. 유체를 측방향으로 사출할 수 있도록 구성된 복수 개의 노즐들을 포함하는 적어도 하나의 노즐 어레이를 포함하고,
    제1 방향으로 연장하는 반도체 모듈용 소켓들을 포함하는 테스트 보드의 이웃하는 두 상기 반도체 모듈용 소켓들 사이 및/또는 최외곽의 상기 반도체 모듈용 소켓의 바깥 측부에 배치될 수 있도록 구성된 배관 구조체.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 배관 구조체는 상기 반도체 모듈용 소켓의 중심부로부터 일측 단부에 대응되는 제1 서브 배관 구조체 및 상기 중심부로부터 타측 단부에 대응되는 제2 서브 배관 구조체를 포함하는 것을 특징으로 하는 배관 구조체.
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