JP4980555B2 - 成形ナノ結晶粒子およびその製造方法 - Google Patents
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Description
本出願は、2001年11月30日に出願された米国特許仮出願第60/335,435号に基づくものである。この米国特許仮出願は、本明細書にその全体がすべての目的で参考として組み込まれる。
本明細書において説明され請求されている発明は、一部、米国エネルギー省とカリフォルニア大学評議員間の契約第DE-AC03-76SF000-98に基づき米国エネルギー省から提供された資金を利用して行なわれた。政府は、本発明に対し一定の権利を有する。
無機ナノ結晶粒子の形状を体系的に操作する能力は、未だ近代の材料化学の最終目的であり続けている。無機ナノ結晶粒子の形状およびサイズにより、大きく変化する電気特性および光学特性が制御される。形状制御を達成する1つの手段とは、静的鋳型を使用して、1つの結晶面上におけるもう1つの結晶面の成長速度を増強させることにある。例えば、基板上に望ましいエピタキシーが存在する場合、2次元フィルムが得られる(Cho, J. Cryst.、Growth、202:1-7(1999))。GaAs上のInAsの成長(Leonら、Science、267;1966-1968(1995))およびSi上のGeの成長(Liuら、Phys. Rev. Lett.、84;1958-1961(2000))の場合のように、成長するクリスタライトとエピタキシャル基板の間にひずみが存在する場合には、ピラミッド形の「ドット」が得られる。
本発明の態様は、成形ナノ結晶粒子および成形ナノ結晶粒子の製造方法を目的とする。成形ナノ結晶粒子は、有枝状(例えばテトラポッド形)であるか、涙滴または矢の形状でありうる。
(a)第1の結晶構造を有するコアを溶液中に供給する段階;および
(b)溶液中で第2の結晶構造を有するコアから延びるアームを形成する段階
を含む、ナノ結晶粒子を形成する方法であって、ナノ結晶粒子が、第IV族半導体、第III-V族半導体、金属、誘電材料、または、O、S、TeおよびPoからなる群より選択されるうちの少なくとも1つの第VI族元素ならびに少なくとも1つの第II族元素を含む第II-VI族半導体を含む、ナノ結晶粒子を形成する方法を目的とする。
テトラポッド形状の半導体ナノ結晶粒子の成長を促進できる界面活性剤混合物中に半導体ナノ結晶粒子前駆物質を導入する段階;および
テトラポッド形状の半導体ナノ結晶粒子を形成する段階
を含む半導体ナノ結晶粒子を形成するための方法であって、ナノ結晶粒子がそれぞれ、第IV族半導体、第III-V族半導体、金属、誘電材料、または、O、S、TeおよびPoからなる群より選択されるうちの少なくとも1つの第VI族元素ならびに少なくとも1つの第II族元素を含む第II-VI族半導体を含む、ナノ結晶粒子を形成する方法を目的とする。
第1の結晶構造を持つコア、および第2の結晶構造を有するコアから延びる少なくとも1本のアーム
を含むナノ結晶粒子であって、第IV族半導体、第III-V族半導体、金属、誘電材料、または、O、S、TeおよびPoからなる群より選択されるうちの少なくとも1つの第VI族元素ならびに少なくとも1つの第II族元素を含む第II-VI族半導体を含む、ナノ結晶粒子を目的とする。
コア;
コアから延びる少なくとも1つの第1のアーム;および
コアから延びかつ第1のアームに対して1つの分枝を形成する少なくとも1つの第2のアーム
を含む有枝ナノ結晶粒子であって、第IV族半導体、第III-V族半導体、金属、誘電材料、または、O、S、TeおよびPoからなる群より選択されるうちの少なくとも1つの第VI族元素ならびに少なくとも1つの第II族元素を含む第II-VI族半導体を含む、有枝ナノ結晶粒子を目的とする。
第1の結晶構造を有するコア;
コアから延びる第1のアーム;
コアから延びる第2のアーム;
コアから延びる第3のアーム;および
コアから延びる第4のアーム
を含む、テトラポッド形状のナノ結晶粒子であって、第1、第2、第3、および第4のアームが第2の結晶構造を有し、第1の結晶構造が第2の結晶構造と異なり、かつ、ナノ結晶粒子が、第IV族半導体、第III-V族半導体、金属、誘電材料、または、O、S、TeおよびPoからなる群より選択されるうちの少なくとも1つの第VI族元素ならびに少なくとも1つの第II族元素を含む第II-VI族半導体を含む、テトラポッド形状のナノ結晶粒子を目的とする。
(a)半導体前駆物質と界面活性剤混合物を混合して溶液を形成する段階;および
(b)溶液中でナノ結晶粒子を形成する段階
を含み、ナノ結晶粒子が涙滴または矢の形状であり、かつ、ナノ結晶粒子が、第IV族半導体、第III-V族半導体、金属、誘電材料、または、O、S、TeおよびPoからなる群より選択されるうちの少なくとも1つの第VI族元素ならびに少なくとも1つの第II族元素を含む第II-VI族半導体を含む、方法を目的とする。
第1の結晶構造を有するコア、コアから延びる第1のアーム、コアから延びる第2のアーム、コアから延びる第3のアーム、コアから延びる第4のアーム
を含むテトラポッド形状のナノ結晶粒子を含む、光起電装置であって、第1、第2、第3および第4のアームが第2の結晶構造を有し、第1の結晶構造が第2の結晶構造と異なっている、光起電装置を目的とする。
本発明の態様においては、コロイド半導体ナノ結晶粒子の形状は、界面活性剤の高温混合物中の有機金属前駆物質の熱分解を用いて、体系的に変化させることができる。界面活性剤の高温混合物は、例えばトリオクチルホスフィンオキシド(TOPO)およびアルキルホスホン酸を含むことができる。高温トリオクチルホスフィンオキシド中の球形CdSeナノ結晶粒子の成長と同様に、界面活性剤は、成長中のクリスタライトに動的に吸着し、結晶化度を高くするために原子を加減させる。これにより、成長中のクリスタライトは、粒子の凝集を抑制しながらアニールでき、優れた結晶化度がもたらされる。
高度の分枝を伴って固体が形成される身近な例としては雪片がある。雪の結晶の分枝は、平衡を遥かに超えた、高い過飽和レベルでの水の成長に起因するものである。成長中の雪の結晶が落下するのに従って、異なる温度および部分圧の水の領域に供される、より高いレベルの複雑性が生じ、これにより異なる結晶ファセットの相対的成長速度が変化する。
ファセット16において終結されているウルツ鉱アーム14(a)、14(b)、14(c)、14(d)を各々突出させている4つの±{111}ファセット18をもつ亜鉛-閃亜鉛鉱コア12を有する。図1においては、1本のアーム14(a)の立体展開図は、それぞれコアおよびアームの±(111)亜鉛-閃亜鉛鉱(ZB)および
ウルツ鉱(WZ)ファセットの同一の性質を例示している。ホスホン酸分子16は、図中で示唆されているように(明確にするため、2つのファセットのみがカバーされて示されている)、アーム14(a)-14(d)の側方ファセットに選択的に結合し、これらのファセット上の成長を阻害する。高解像度のTEM分析が、立方核の形状およびテトラポッドのさまざまなアーム間の相対的方向性をさらに明確化すると考えられる。
本発明の態様には、有枝ナノ結晶粒子を形成する方法が含まれている。1つの態様においては、本方法は、溶液中で第1の結晶構造を有するコアを形成する段階を含む。コアは、立方結晶構造(例えば亜鉛-閃亜鉛鉱構造)またはその他の任意の適切な結晶構造を有することができる。このとき、コアから同時にまたは逐次的に一つまたは複数のアームが形成し得る。アームは、コアとは異なる結晶構造を有することができる。テトラポッドが形成される場合、テトラポッドは、コアから延びる六方結晶構造を各々伴う第1、第2、第3および第4のアームを有することができる。
本発明のその他の態様においては、矢形のナノ結晶粒子が形成され得る。ある例示的態様においては、前駆物質が界面活性剤混合物中に導入されて溶液を形成する。前述のように、界面活性剤の混合物は高温であってよく、前駆物質は、注入プロセスを用いて導入され得る。前駆物質および界面活性剤を一緒に混合したら、溶液中に矢形のナノ結晶粒子が形成されうる。「矢形」のナノ結晶粒子には、松の木形のナノ結晶粒子などの樹状のナノ結晶粒子が含まれうるということが理解される。
面の成長速度がずっと増大していることに起因すると理解することができる。結晶成長において、最も速い成長面は、場合によってより低速の成長面によって置換され、このようにして、基本の矢形(例えば図6b〜図6e内の矢を参照のこと)が形成される。矢の{101}面は、
面よりもさらにゆっくりと成長し、かつ、
がきわめて急速に成長している高HPA限界においては、場合によって(101)等価面によって置換される。速度論領域内では、絶対成長速度(固有の面の成長が増強されているかまたはその他すべての面の成長速度がHPAにより遅延されているかのどちらか)にかかわらず、これらの形状変化はさまざまな面の差次的成長速度に起因すると考えられる。
面の成長速度はほぼ一定である。ある時間における異なる粒子形状の平均長は、互いの約2%以内であり得り、これは、C軸に沿った成長速度がナノ結晶粒子の側面上の付加的成長により影響されないということを表わしている。
面上のCd原子は3つのダングリングボンドを有する。HPAの存在下では、
面の相対的成長速度がその他の面の速度よりもはるかに高いように見える。
本発明のその他の態様は、涙滴形状のナノ結晶粒子を目的とする。涙滴形状のナノ結晶粒子は、半導体前駆物質と界面活性剤混合物を混合して溶液を形成することによって、形成可能である。前駆物質、溶剤、界面活性剤および処理条件(例えば注入速度、処理温度など)の例は上述されており、ここでくり返す必要はない。これらのうちのいずれも、涙滴形状のナノ結晶粒子の形成の際に使用するのに適している。
A. CdSeナノ結晶粒子の合成
ジメチルカドミウム(Cd(CH3)2、97%)およびトリ-n-ブチルホスフィン(C12H27PまたはTBP、99%)をStremから購入した。Cd(CH3)2を真空移送し、アルゴン下で-35℃で保管した。セレン(Se)(99.999%)、トリ-n-オクチルホスフィンオキシド(C24H51OPまたはTOPO、99%)およびヘキシルホスホンジクロリド(C6H13Cl2OP、95%)をAldrichから購入した。使用したすべての溶剤は無水であり、Aldrichから購入し、さらなる精製を全く行わずに使用した。ヘキシルホスホン酸(C6H15O3PまたはHPA)を、標準手順に従ってヘキシルホスホンジクロリドから調製した(Andriano, Kaら、Zhurnal Obshchei Khimii、40;1565-&(1970))。
低HPA濃度実験のために、3.88gのTOPOおよび0.12gのHPAをAr下で3口フラスコ内で混合し、次につねに撹拌しながら360℃まで加熱した。この混合物は、HPAが3重量%、モル濃度8%である。中濃度の実験は、8重量%のHPA(20モル%)であり、3.68gのTOPOと0.32gのHPAを使用した。高濃度実験は20重量%(58モル%)のHPAで、3.20gのTOPOと0.80gのHPAを使用した。以下、TOPO中のHPAの全濃度は、特記しない限り、(HPAおよびTOPO界面活性剤の合計量に基づいた)モル濃度で示す。これらの実験の各々について、約20ml/秒の速度で溶液中に2.0mlの原液Aを注入した。注入から4分、10分および30分後にアリコートを採取した。30分後に、トルエンで溶液をクエンチすることによって、反応を停止させた。これらの実験を各々3回くり返した。ロッド実験中に観察された温度低下は360℃から約300℃までであり、特記しない限り、温度を300℃に維持した。
涙滴形状のナノ結晶粒子を形成するために、原液Aを1.0ml、速度10ml/秒で、20%HPAを含む360℃のTOPO内に注入した。温度を328℃に保った。高温および低単量体濃度は、ナノ結晶粒子のオストワルド熟成を促進した。原液A2.0mlの付加的な低速注入を1分後に開始した。この注入は4分を要した。低速注入を完了してから20分後に、合成を停止させた。
上述の合成により(サイズおよび形状両方が)単分散の試料が生成された場合、さらなるサイズ選択は全く適用しなかった。長さおよび形状の分布が観察された場合、それらを分離するために以下の手順を用いた。ナノ結晶粒子がすべて沈殿してしまうまで、ナノ結晶溶液にメタノールを添加した。この沈殿物をメタノールで2回洗浄して、残留TOPO、TBPおよびHPAを除去し、トルエン中に再度溶解させた。この溶液を30分間遠心分離に供した。沈殿物(1)がバイアルの底面に生じた場合、上清(2)をもう1つのバイアルに移し、クロロホルム中に沈殿物(1)を溶解させた。この溶液(1)は、最長のロッドを含んでいた。ロッドが長い(40nm以上)場合、すべての沈殿物がクロロホルム中で可溶ではなく、分散は、少量のドデシルアミン(100mgの沈殿物に対して1mg〜2mg)を添加した後、透明になった。上清(2)に対して、溶液が曇るまで、常時撹拌しながらメタノールを滴下した。次に、溶液を遠心分離し、沈殿物(3)をトルエンまたはクロロホルム中で溶解させた。この手順を反復して行ない、その後の各々の沈殿物中でテトラポッドおよび短いロッドを得た。上述の場合すべてにおいて、最終生成物を0.2umのPTFEフィルタを通してろ過し、存在しうるすべての非ナノスケール材料を除去した。
a. UV-Vis吸光分光分析
解像度2.0nmの重水素ランプを備えたHewlett Packard 8453UV可視ダイオードアレイ分光計を用いて、吸光スペクトルを作成した。注射器を介して少量の試料(約10μl)を除去し、トルエンまたはクロロホルムのいずれかを加えることによって光学密度0.1〜0.5の間まで希釈した。注入直後の吸光スペクトル内の励起子ピークは広く、600nm〜620nmの間である。成長全体を通してモニタリングした場合、励起子ピークは560nm前後までブルーシフトし、その後狭くなる。これは、注入時にはロッド長のサイズ分布が広いために起こる。ロッドが長く成長するにつれて、長軸は、閉じ込め領域を超えて成長し、励起子ピークはロッドの短軸(直径)にのみ左右される。サイズが増大するにつれてピークがレッドシフトする標準的ナノ結晶合成とは異なり、ロッドはブルーシフトする。長さが閉じ込め領域を超えて増大するにつれて、励起子ピークは短軸にのみ左右される。短軸(3nm〜4nm)は、当初長かったロッドよりも小さく、従って、ロッドの長さが増大したとしても、励起子ピークはブルーシフトする。
ローレンス・バークレー研究所(Lawrence Berkeley Laboratory)の国立電子顕微鏡センター(National Center for Electron Microscopy)において、トプコン(Topcon)EM002B電子顕微鏡上で、TEMにより、ナノ結晶サイズ、形態および構造を測定した。顕微鏡は、試料に対するビームの損傷を最小限にするため、加速電圧120kVで動作させた。
Co Kα放射線(1.79026Å)を用いて、Bruker-AXS D8汎用部域検出器回折システム(general area detector diffraction system;GADDS)上で、粉末X線回折を実施した。2次元パターンを角度統合させ、表示されたパターンを得た。計器解像度は、2θ内で0.07°であり、各試料に対する蓄積時間は少なくとも20分であった。使用される2θの範囲は、Ω角15°で20°〜65°(Q=1.5〜4.0Å-1、Q=(4πsinθ)/λ)であった。石英プレート上で数滴のナノ結晶溶液を蒸発させることによってXRD試料を調製した。測定に先立ち、試料をメタノールで洗浄して余剰の有機材料を除去し乾燥させた。
固定された注入条件について、TOPO/HPA比の変化は、ナノ結晶形状を体系的に制御する。このことは、図5および表1中の低解像度のTEM画像において明確に見られる。
図8a〜図8bから、粒子成長は、ロッドの一結晶面上で選択的に発生し、したがってこれにより、ほぼ涙滴形の粒子が形成されると思われる。2つの面上で成長が発生する粒子を示す、図8cに見られるような例外も存在する。HRTEMを用いてこれらの場合を特徴決定すると、これらが、主として亜鉛-閃亜鉛鉱の構造、欠陥またはこの2つの組合せを伴うナノ結晶粒子を表わしていることが判明した。純粋ウルツ鉱であったすべての結晶は、ナノ結晶の
面上でより有意に成長し、涙滴を形成した。
一貫して得ることのできるもう1つのナノ結晶形状は、図9aに示されているようなテトラポッド形ナノ結晶粒子である。結晶全体を通して格子フリンジが存在し、これは、中心およびアームの両方における結晶性を表わしている。ロッド形成を導く合成中にテトラポッドが観察された場合、上述されたようなサイズ/形状選択的沈殿を介してそれらを選択することができる。粒子のサイズおよび形状とその溶解度の間にはある関係が存在する。一般に、粒子が大きくなればなるほど、その溶解度は低くなる(界面活性剤によるコーティングは同じと仮定する)。ロッドと同じくらい長いアームをもつテトラポッドとロッドの混合物が存在する場合には、テトラポッドの溶解度がさらに低くなり、ロッドの前に沈殿すると考えられる。
面の成長速度を選択的に増大させるので、その結果、密な関係をもつ亜鉛-閃亜鉛鉱{111}面も同じくその二成分界面活性剤混合物中で急速に増大すると考えられる。亜鉛-閃亜鉛鉱構造内のCdSeナノ結晶がウルツ鉱構造ではなく亜鉛-閃亜鉛鉱構造内で核形成するときに、テトラポッドが形成される。その後、ウルツ鉱アームは、図11記載のように、4面体亜鉛-閃亜鉛鉱コアの4つの(111)等価面から成長する。上述のように、注入プロセス内で形成された亜鉛-閃亜鉛鉱対ウルツ鉱の核の相対量を選択的に調整する方法がいくつか存在する可能性がある。
1. 材料
Aldrichから、カドミウムオキシド(CdO)(99.99+%)、テルル(Te)(99.8%、200メッシュ)およびトリ-n-オクチルホスフィンオキシド(C24H51OPまたはTOPO、99%)を購入した。Oryza Laboratories, Inc.から、n-オクタデシルホスホン酸(C18H39O3PまたはODPA、99%)を購入した。Flukaから、トリオクチルホスフィン(TOP)(90%)を購入した。使用したすべての溶剤は無水であり、Aldrichから購入し、さらなる精製を行わずに使用した。
すべての操作を、空気不使用の技術により実施した。Cd/Teモル比を1:1〜5:1まで変化させ、Cd/ODPAモル比を1:2から1:5まで変化させた。TOP中にテルル粉末を溶解させることによってTe前駆物質溶液(Te濃度10重量%)を調製した。混合物を250℃で30分間撹拌した後冷却し、遠心分離して残留するすべての不溶性粒子を除去した。CdTeテトラポッドの標準的合成においては、リービッヒ冷却管に連結された50ml 3口フラスコ内、120℃で20分間、ODPA、TOPOおよびCdOの混合物を脱ガスした。それを、CdOが分解し溶液が無色透明になるまで、Ar下でゆっくりと加熱した。次に1.5gのトリオクチルホスフィン(TOP)を添加し、温度をさらに320℃まで上昇させた。その後Te:TOP前駆物質溶液を急速に注入した。温度を315℃まで低下させ、合成の間この値に維持した。加熱用マントルを除去しフラスコを急速に冷却させることによって、5分後にすべての合成を停止させた。溶液を70℃まで冷却した後、3〜4mlの無水トルエンをフラスコに添加し、分散液をArドライボックスに移した。遠心分離後にナノ結晶粒子を沈殿させるために用いた最少量の無水メタノールを、分散液に添加した。このようにして、Cd-ホスホン酸塩複合体の潜在的共沈を防止した。上清を除去した後、沈殿物をトルエン中で2回再溶解させ、メタノールで再沈殿させた。上清を除去した後、ドライボックス内に最終沈殿物を保管した。得られたすべてのCdTeテトラポッドは、クロロホルムまたはトルエンなどの溶剤中で容易に可溶性であった。
TEMを介して、CdTeナノ結晶粒子の構造およびサイズを測定した。UCバークレー電子顕微鏡研究所(UC Berkeley Electron Microscope Lab)において、FEI Tecnai 12電子顕微鏡を使用した。顕微鏡を加速電圧100keVで作動させた。合成の成長速度を評価するために、フラスコから注射器で少量の試料(〜0.1ml)を1分毎にとり出し、無水トルエン中に混合した。アリコートをドライボックスに移し、メタノールで一回洗浄した。沈殿したナノ結晶粒子をトルエン中で再度溶解させ、400メッシュの銅格子により支持された無定形炭素の3nm〜4nm厚のフィルム上で、希釈溶液から沈殿させた。ナノ結晶溶液を含むトルエンを1滴、格子上に被着させ、蒸発させた。解像度1.0nmの重水素ランプを備えたHewlett-Packard 8453 UV可視ダイオードアレイ分光計を用いて、UV-Vis吸光スペクトルを測定した。
表3は、CdTeテトラポッド合成の際の試薬量を示す。(注入中の損失を補完するため、Te:TOPの記録量は、引用されたCd/Te比に対応するものをわずかに上回る。)
ファセット)の端部の溶解により局所的単量体濃度が増大され、これを犠牲にして側方ファセットが成長でき、その結果、丸く太いアーム端部が得られる。より低い成長速度によってオストワルド熟成領域がさらに長時間遅延されるため、この効果は、より低い(1:5)Cd/ODPA比で成長した試料内では見られない。
(図2) 図2Aは、同程度のアーム長をもつが直径が異なる一連のテトラポッドについての吸光スペクトルを全体として示している。図2Bは、同程度のアーム直径をもつが長さが異なる一連のテトラポッドについての吸光スペクトルを全体として示している。
(図3) 図3aは、本発明の一態様によるテトラポッドの概略図を示す。図3bは、本発明の一態様による有枝テトラポッドの概略図を示す。図3cは、本発明の一態様による無機デンドリマーの概略図を示す。
(図4) 図4a〜図4cは、有枝テトラポッドがどのように形成されるかの3次元概略図を示す。
(図5) TOPO中の60%のHPAを用いて作製されたナノ結晶粒子の透過型電子顕微鏡写真(TEM)を示す。矢形状のナノ結晶粒子が示されている。
(図6) 図6a〜図6eは、60モル%のHPAを用いて作製されたナノ結晶粒子の透過型電子顕微鏡写真(TEM)を示す(図6a)。高解像度TEM(HRTEM)画像は、(図6b)鉛筆形〜(図6c)細い矢形〜(図6d)松の木形のナノ結晶粒子までの成長段階を示している。図6eでは、[001]方向(または長軸)を見おろす松の木形ナノ結晶も示されている。HRTEMの特徴決定は、ナノ結晶の各形状が主にウルツ鉱であることおよび、傾斜した矢形のファセットが(101)面であることを示している。
(図7) ウルツ鉱と亜鉛-閃亜鉛鉱構造との間の関係を示す2次元図を示す。ウルツ鉱は、ABAB積層であり、一方、亜鉛-閃亜鉛鉱はABCABC積層である。亜鉛-閃亜鉛鉱の(111)面およびウルツ鉱の
面は両方とも、Cd原子およびSe原子で交互に構成された平面をもつ。2つの構造は、積層欠陥により関係づけされている。
(図8) 図8a〜図8cは、(図8a)標準的涙滴形ナノ結晶粒子の透過型電子顕微鏡写真(TEM)を示している。高解像度TEM(HRTEM)画像(図8b)は、涙滴形状である粒子のウルツ鉱構造を示す。図8cは、付加的な注入の後に(001)および
面の両方の上で成長を示す、ナノ結晶のHRTEM画像を示している。この粒子の中心は、亜鉛-閃亜鉛鉱構造である。
(図9) 図9aおよび図9bは、テトラポッドナノ結晶粒子の高解像度透過型電子顕微鏡(HRTEM)画像を示している。図9aは、1本のアームの[001]方向を見おろす標準的なテトラポッド形状のCdSeナノ結晶粒子を示している。格子間隔により、4本のアームすべてがウルツ鉱構造に由来することが確認される。図9bは、各アームの外まで成長した分枝をもつテトラポッドを示す。もとのアームの端部近くには亜鉛-閃亜鉛鉱層があり、分枝は、いくつかの積層欠陥を伴うウルツ鉱である。
(図10) (001)と
面との間の差を示すウルツ鉱構造内のCdSeの原子モデルを示す。(001)面上では、Cd原子は、たった1つのダングリングボンドしか有さず、一方
面上では、Cd原子は不動態化の必要がある3つのダングリングボンドを有する。
(図11) テトラポッドの構造を示す2次元図を示す。核は、亜鉛-閃亜鉛鉱構造であり、ウルツ鉱アームが(111)と同等な4つの面の各々から成長している。3つが示され、第4番目は、図面頁から読者に向かっている。
(図12) さまざまな反応条件下で成長したCdTeテトラポッドの透過型電子顕微鏡(TEM)を示す。
(図13) 同じCd/Te比(5:1)で、ただし異なる2つのCd/ODPA比(1:2および1:5)で実施された2つの合成についての、同じ合成のそれぞれ1分目および5分目に抽出されたCdTeテトラポッドのTEMを示している。
(図14) CdTeテトラポッド試料の標準的な粉末X線回折(XRD)を示す(ピークを有する非垂直線)。CdTeウルツ鉱のバルクXRDパターンも同様に示されている(垂直線)。
Claims (49)
- 第1の結晶構造を有するコアと、コアから延びかつ第2の結晶構造を有するアームを含む成形ナノ結晶粒子を形成する方法であって、
(a)第1の結晶構造を有するコアを溶液中に供給する段階;および
(b)溶液中でコアから延びかつ第2の結晶構造を有するアームを形成する段階
を含み、かつ
成形ナノ結晶粒子が、CdTeからなる、成形ナノ結晶粒子を形成する方法。 - アームが第1のアームである請求項1記載の方法であって、以下の段階をさらに含む方法:
溶液中のコアから延びる少なくとも1つの第2のアームを形成する段階であって、第2のアームが第2の結晶構造を有する段階。 - アームが第1のアームである請求項1記載の方法であって、以下の段階をさらに含む方法:
溶液中のコアから延びる少なくとも1つの第2のアームを形成する段階であって、第2のアームが第2の結晶構造を有する段階;
溶液中のコアから延びる少なくとも1つの第3のアームを形成する段階であって、第3のアームが第2の結晶構造を有する段階;および
溶液中のコアから延びる少なくとも1つの第4のアームを形成する段階であって、第4のアームが第2の結晶構造を有する段階。 - 第1、第2、第3および第4のアームが同時に形成される、請求項3記載の方法。
- 第1、第2、第3および第4のアームが異なる時点で形成される、請求項3記載の方法。
- 第1、第2、第3および第4のアームが同じ長さを有する、請求項3記載の方法。
- 第1、第2、第3および第4のアームが異なる長さを有する、請求項3記載の方法。
- 成形ナノ結晶粒子がモノポッドである、請求項1記載の方法。
- 第1の結晶構造が立方結晶構造であり、第2の結晶構造が六方晶構造である、請求項1記載の方法。
- テトラポッド形の成形ナノ結晶粒子を形成するようにコアから延びる第2、第3および第4のアームを形成する段階をさらに含む、請求項1記載の方法。
- アームが第1のアームである請求項1記載の方法であって、以下の段階をさらに含む方法:
コアから延びる第2のアームを形成する段階であって、第2のアームが第2の結晶構造を有し、第1および第2のアームが同時に形成される段階。 - コアおよびアームが界面活性剤混合物を用いて形成される、請求項1記載の方法。
- コアおよびアームが界面活性剤の混合物を使用して形成され、界面活性剤の混合物が、アルキルホスホン酸、アルキルホスフィン酸、アルキルホスフィンオキシド、アルキルホスフィン、アルキルアミンおよびカルボン酸からなる群より選択されるうちの少なくとも2つを含む、請求項1記載の方法。
- コアが、第1のコアであり、アームが、第1コアに近い近位端部および第1コアから遠い遠位端部を含む第1のアームである、請求項1記載の方法であって、以下の段階をさらに含む方法:
(d)第1のアームの遠位端部において第2コアを形成する段階;ならびに
(e)第2コアから延びる付加的アームを形成する段階。 - コアおよび第1のアームが界面活性剤混合物中で形成され、ナノ結晶粒子を形成するために使用される前駆物質が高温界面活性剤混合物内に順次注入される、請求項1記載の方法。
- 請求項1記載の方法によって作製された、成形ナノ結晶粒子。
- 請求項16記載の成形ナノ結晶粒子を含む、光起電装置。
- 第1の結晶構造を有するコアと、コアから延びかつ第2の結晶構造を有するアームを含む半導体成形ナノ結晶粒子を形成する方法であって、
テトラポッド形状の半導体成形ナノ結晶粒子の成長を促進できる界面活性剤混合物中に半導体成形ナノ結晶粒子前駆物質を導入する段階;および
テトラポッド形状の半導体成形ナノ結晶粒子を形成する段階
をさらに含み、かつ
半導体成形ナノ結晶粒子が、それぞれ、CdTeからなる、半導体成形ナノ結晶粒子を形成する方法。 - 半導体成形ナノ結晶粒子が有枝テトラポッド形状を有する、請求項18記載の方法。
- 前駆物質が20℃〜360℃の間の温度で混合物中に導入される、請求項18記載の方法。
- 異なる前駆物質を、加熱した界面活性剤混合物中に別々に添加することによって、界面活性剤混合物中に前駆物質が導入される、請求項18記載の方法。
- 異なる前駆物質を、加熱した界面活性剤混合物中に一緒に添加することによって、界面活性剤混合物中に前駆物質が導入される、請求項18記載の方法。
- 界面活性剤の混合物が、アルキルホスホン酸、アルキルホスフィン酸、アルキルホスフィンオキシド、アルキルホスフィン、アルキルアミンおよびカルボン酸からなる群より選択されるうちの少なくとも2つを含む、請求項18記載の方法。
- 請求項18記載の方法によって作製される、半導体成形ナノ結晶粒子。
- 第1の結晶構造を持つコア;および
コアから延びかつ第2の結晶構造を有する少なくとも1つのアーム
を含む成形ナノ結晶粒子であって、CdTeからなる、成形ナノ結晶粒子。 - アームが第1のアームである、請求項25記載の成形ナノ結晶粒子であって、以下をさらに含む成形ナノ結晶粒子:
コアから延びかつ第2の結晶構造を有する、少なくとも1つの第2のアーム。 - アームが第1のアームである請求項25記載の成形ナノ結晶粒子であって、以下をさらに含む成形ナノ結晶粒子:
コアから延びかつ第2の結晶構造を有する、少なくとも1つの第2のアーム;および
コアから延びかつ第2の結晶構造を有する、少なくとも1つの第3のアーム。 - アームが第1のアームである請求項25記載の成形ナノ結晶粒子であって、以下をさらに含む成形ナノ結晶粒子:
コアから延びかつ第2の結晶構造を有する、少なくとも1つの第2のアーム;
コアから延びかつ第2の結晶構造を有する、少なくとも1つの第3のアーム;および
コアから延びかつ第2の結晶構造を有する、少なくとも1つの第4のアーム。 - アームの表面に結合した両親媒性分子をさらに含む、請求項25記載の成形ナノ結晶粒子。
- コアから延びる第2、第3、第4のアームをさらに含み、かつテトラポッド形状の成形ナノ結晶粒子である、請求項25記載の成形ナノ結晶粒子。
- コアが第1のコアであり、アームが、第1コアに近い近位端部および第1コアから遠い遠位端部を有する第1のアームである、請求項25記載の成形ナノ結晶粒子であって、以下をさらに含む成形ナノ結晶粒子:
第1のアームの遠位端部にある第2のコアおよび第2のコアから延びる付加的なアーム。 - 第1の結晶構造が亜鉛-閃亜鉛鉱の結晶構造であり、第2の結晶構造がウルツ鉱の結晶構造である、請求項25記載の成形ナノ結晶粒子。
- コアが3〜4ナノメートルの直径を有し、アームが4〜100ナノメートルの長さを有する、請求項25記載の成形ナノ結晶粒子。
- 請求項25記載の成形ナノ結晶粒子を含む、光起電装置。
- 第1の結晶構造を持つコア;
コアから延びかつ第2の結晶構造を有する少なくとも1つの第1のアーム;および
コアから延びかつ第2の結晶構造を有する少なくとも1つの第2のアームを含む有枝成形ナノ結晶粒子であって、CdTeからなる、有枝成形ナノ結晶粒子。 - コアから延びる第3のアームおよびコアから延びる第4のアームをさらに含む、請求項35記載の有枝成形ナノ結晶粒子であって、第1、第2、第3および第4のアームならびにコアがテトラポッドを形成する、有枝成形ナノ結晶粒子。
- コアが第1コアであり、第1のアームが第1コアに近い近位端部および第1コアから遠い遠位端部を含む、請求項35記載の有枝成形ナノ結晶粒子であって、以下をさらに含む有枝成形ナノ結晶粒子:
第1のナノ結晶粒子の遠位端部にある第2のコア;および
第2コアから延びる付加的なアーム。 - コア、第1のアームまたは第2のアームの表面に結合した界面活性剤分子をさらに含む、請求項35記載の有枝成形ナノ結晶粒子。
- コアが3nm〜4nmの直径を有し、第1および第2のアームがそれぞれ4nm〜100nmの長さを有する、請求項35記載の有枝成形ナノ結晶粒子。
- コアが第1の結晶構造を有し、第1および第2のアームが第2の結晶構造を有する、請求項35記載の有枝成形ナノ結晶粒子。
- コアが亜鉛-閃亜鉛鉱の結晶構造を有し、第1および第2のアームがウルツ鉱の結晶構造を有する、請求項35記載の有枝成形ナノ結晶粒子。
- 第1の結晶構造を有するコア;
コアから延びる第1のアーム;
コアから延びる第2のアーム;
コアから延びる第3のアーム;および
コアから延びる第4のアーム
を含む、テトラポッド形状の成形ナノ結晶粒子であって、
第1、第2、第3、および第4のアームが第2の結晶構造を有し、
第1の結晶構造が第2の結晶構造と異なり、かつ
成形ナノ結晶粒子が、CdTeからなる、テトラポッド形状の成形ナノ結晶粒子。 - コアが3〜4ナノメートルの直径を有し、第1、第2、第3および第4のアームが各々4〜100ナノメートルの長さを有する、請求項42記載のテトラポッド形状の成形ナノ結晶粒子。
- 第1の結晶構造が立方結晶構造であり、第2の結晶構造が六方晶構造である、請求項42記載のテトラポッド形状の成形ナノ結晶粒子。
- 第1の結晶構造が亜鉛-閃亜鉛鉱結晶構造であり、第2の結晶構造がウルツ鉱の結晶構造である、請求項42記載のテトラポッド形状の成形ナノ結晶粒子。
- 第1、第2、第3または第4のアームのうちの少なくとも1つの表面に結合した界面活性剤分子をさらに含む、請求項42記載のテトラポッド形状の成形ナノ結晶粒子。
- 第1、第2、第3または第4のアームがそれぞれ1.0を上回るアスペクト比を有する、請求項42記載のテトラポッド形状の成形ナノ結晶粒子。
- 第1、第2、第3および第4のアームが各々同じ長さを有する、請求項42記載のテトラポッド形状の成形ナノ結晶粒子。
- 請求項42記載のテトラポッド形状の成形ナノ結晶粒子を含む、光起電装置。
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US7135054B2 (en) * | 2001-09-26 | 2006-11-14 | Northwestern University | Nanoprisms and method of making them |
US7777303B2 (en) * | 2002-03-19 | 2010-08-17 | The Regents Of The University Of California | Semiconductor-nanocrystal/conjugated polymer thin films |
US7515333B1 (en) | 2002-06-13 | 2009-04-07 | Nanosy's, Inc. | Nanotechnology-enabled optoelectronics |
US7335908B2 (en) | 2002-07-08 | 2008-02-26 | Qunano Ab | Nanostructures and methods for manufacturing the same |
WO2004023527A2 (en) * | 2002-09-05 | 2004-03-18 | Nanosys, Inc. | Nanostructure and nanocomposite based compositions and photovoltaic devices |
US20050126628A1 (en) * | 2002-09-05 | 2005-06-16 | Nanosys, Inc. | Nanostructure and nanocomposite based compositions and photovoltaic devices |
US7294417B2 (en) * | 2002-09-12 | 2007-11-13 | The Trustees Of Boston College | Metal oxide nanostructures with hierarchical morphology |
JP2007501525A (ja) * | 2003-08-04 | 2007-01-25 | ナノシス・インコーポレイテッド | ナノワイヤ複合体およびこれらに由来する電子基板を作製するためのシステムおよび方法 |
US7160489B2 (en) * | 2003-10-10 | 2007-01-09 | The Board Of Trustees Of The University Of Illinois | Controlled chemical aerosol flow synthesis of nanometer-sized particles and other nanometer-sized products |
US7662706B2 (en) * | 2003-11-26 | 2010-02-16 | Qunano Ab | Nanostructures formed of branched nanowhiskers and methods of producing the same |
EP1704585B1 (en) | 2003-12-19 | 2017-03-15 | The University Of North Carolina At Chapel Hill | Methods for fabricating isolated micro- and nano- structures using soft or imprint lithography |
US9040090B2 (en) * | 2003-12-19 | 2015-05-26 | The University Of North Carolina At Chapel Hill | Isolated and fixed micro and nano structures and methods thereof |
US7645397B2 (en) * | 2004-01-15 | 2010-01-12 | Nanosys, Inc. | Nanocrystal doped matrixes |
EP1733077B1 (en) * | 2004-01-15 | 2018-04-18 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Nanocrystal doped matrixes |
US20050167646A1 (en) * | 2004-02-04 | 2005-08-04 | Yissum Research Development Company Of The Hebrew University Of Jerusalem | Nanosubstrate with conductive zone and method for its selective preparation |
US20050214190A1 (en) * | 2004-03-25 | 2005-09-29 | Seoul National University | Method of synthesizing nanorods by reaction of metal-surfactant complexes injected using a syringe pump |
US20050218398A1 (en) * | 2004-04-06 | 2005-10-06 | Availableip.Com | NANO-electronics |
US7019391B2 (en) | 2004-04-06 | 2006-03-28 | Bao Tran | NANO IC packaging |
US7862624B2 (en) * | 2004-04-06 | 2011-01-04 | Bao Tran | Nano-particles on fabric or textile |
US20050218397A1 (en) * | 2004-04-06 | 2005-10-06 | Availableip.Com | NANO-electronics for programmable array IC |
US7330369B2 (en) * | 2004-04-06 | 2008-02-12 | Bao Tran | NANO-electronic memory array |
CN1232608C (zh) * | 2004-04-06 | 2005-12-21 | 中国科学院长春应用化学研究所 | 在液-液界面上纳米半导体发光材料的合成方法 |
US7746681B2 (en) | 2005-01-07 | 2010-06-29 | Invisage Technologies, Inc. | Methods of making quantum dot films |
US7773404B2 (en) | 2005-01-07 | 2010-08-10 | Invisage Technologies, Inc. | Quantum dot optical devices with enhanced gain and sensitivity and methods of making same |
US7326908B2 (en) | 2004-04-19 | 2008-02-05 | Edward Sargent | Optically-regulated optical emission using colloidal quantum dot nanocrystals |
US7742322B2 (en) | 2005-01-07 | 2010-06-22 | Invisage Technologies, Inc. | Electronic and optoelectronic devices with quantum dot films |
US20060052947A1 (en) * | 2004-05-17 | 2006-03-09 | Evelyn Hu | Biofabrication of transistors including field effect transistors |
US7557028B1 (en) * | 2004-07-28 | 2009-07-07 | Nanosys, Inc. | Process for group III-V semiconductor nanostructure synthesis and compositions made using same |
JP2008521623A (ja) * | 2004-11-10 | 2008-06-26 | ザ レジェンツ オブ ザ ユニバーシティー オブ カリフォルニア | 機能化ナノロッドを作成する方法 |
US20060112983A1 (en) * | 2004-11-17 | 2006-06-01 | Nanosys, Inc. | Photoactive devices and components with enhanced efficiency |
US20060148535A1 (en) * | 2004-12-30 | 2006-07-06 | Schaefer Bradley R | Call setup for a wireless mobile network and supporting method, apparatus, and readable medium |
CA2519608A1 (en) | 2005-01-07 | 2006-07-07 | Edward Sargent | Quantum dot-polymer nanocomposite photodetectors and photovoltaics |
US7635518B1 (en) * | 2005-02-04 | 2009-12-22 | University Of Louisiana At Lafayette | Dendritic magnetic nanostructures and method for making same |
US7671398B2 (en) * | 2005-02-23 | 2010-03-02 | Tran Bao Q | Nano memory, light, energy, antenna and strand-based systems and methods |
US7531209B2 (en) * | 2005-02-24 | 2009-05-12 | Michael Raymond Ayers | Porous films and bodies with enhanced mechanical strength |
US20060225162A1 (en) * | 2005-03-30 | 2006-10-05 | Sungsoo Yi | Method of making a substrate structure with enhanced surface area |
WO2006110341A2 (en) * | 2005-04-01 | 2006-10-19 | North Carolina State University | Nano-structured photovoltaic solar cells and related methods |
JP4870383B2 (ja) * | 2005-05-06 | 2012-02-08 | 富士フイルム株式会社 | ナノ粒子の濃縮方法 |
JP4993875B2 (ja) * | 2005-05-06 | 2012-08-08 | 富士フイルム株式会社 | 凝集ナノ粒子の分散方法 |
KR20080018178A (ko) * | 2005-05-06 | 2008-02-27 | 후지필름 가부시키가이샤 | 나노입자의 농축 방법 및 응집 나노입자의 분산 방법 |
US8283395B2 (en) | 2005-05-09 | 2012-10-09 | Fujifilm Corporation | Method of producing organic-particles-dispersion liquid |
US8845927B2 (en) | 2006-06-02 | 2014-09-30 | Qd Vision, Inc. | Functionalized nanoparticles and method |
US9297092B2 (en) | 2005-06-05 | 2016-03-29 | Qd Vision, Inc. | Compositions, optical component, system including an optical component, devices, and other products |
EP1962348B1 (en) | 2005-08-12 | 2013-03-06 | Cambrios Technologies Corporation | Nanowires-based transparent conductors |
US7528060B1 (en) | 2005-10-27 | 2009-05-05 | University Of Puerto Rico | Branched nanostructures and method of synthesizing the same |
US8148276B2 (en) | 2005-11-28 | 2012-04-03 | University Of Hawaii | Three-dimensionally reinforced multifunctional nanocomposites |
US7658870B2 (en) * | 2005-12-20 | 2010-02-09 | University Of Hawaii | Polymer matrix composites with nano-scale reinforcements |
JP2009521389A (ja) * | 2005-12-21 | 2009-06-04 | ザ・リサーチ・ファウンデーション・オブ・ステイト・ユニバーシティ・オブ・ニューヨーク | 非球形半導体ナノ結晶およびそれらの作製方法 |
US7394094B2 (en) * | 2005-12-29 | 2008-07-01 | Massachusetts Institute Of Technology | Semiconductor nanocrystal heterostructures |
WO2008002333A2 (en) | 2006-01-12 | 2008-01-03 | University Of Arkansas Technology Development Foundation | Tio2 nanostructures, membranes and films, and methods of making same |
US8084685B2 (en) * | 2006-01-12 | 2011-12-27 | Heliovolt Corporation | Apparatus for making controlled segregated phase domain structures |
US20070160763A1 (en) * | 2006-01-12 | 2007-07-12 | Stanbery Billy J | Methods of making controlled segregated phase domain structures |
US7408366B2 (en) * | 2006-02-13 | 2008-08-05 | Georgia Tech Research Corporation | Probe tips and method of making same |
US8849087B2 (en) * | 2006-03-07 | 2014-09-30 | Qd Vision, Inc. | Compositions, optical component, system including an optical component, devices, and other products |
WO2007143028A2 (en) | 2006-05-31 | 2007-12-13 | Roskilde Semiconductor Llc | Low dielectric constant materials prepared from soluble fullerene clusters |
US7883742B2 (en) * | 2006-05-31 | 2011-02-08 | Roskilde Semiconductor Llc | Porous materials derived from polymer composites |
US7875315B2 (en) * | 2006-05-31 | 2011-01-25 | Roskilde Semiconductor Llc | Porous inorganic solids for use as low dielectric constant materials |
US7919188B2 (en) | 2006-05-31 | 2011-04-05 | Roskilde Semiconductor Llc | Linked periodic networks of alternating carbon and inorganic clusters for use as low dielectric constant materials |
US9212056B2 (en) | 2006-06-02 | 2015-12-15 | Qd Vision, Inc. | Nanoparticle including multi-functional ligand and method |
US7393699B2 (en) | 2006-06-12 | 2008-07-01 | Tran Bao Q | NANO-electronics |
US20080181958A1 (en) * | 2006-06-19 | 2008-07-31 | Rothrock Ginger D | Nanoparticle fabrication methods, systems, and materials |
US20100055459A1 (en) * | 2006-08-30 | 2010-03-04 | Liquidia Technologies, Inc. | Nanoparticles Having Functional Additives for Self and Directed Assembly and Methods of Fabricating Same |
WO2008033303A2 (en) * | 2006-09-11 | 2008-03-20 | President And Fellows Of Harvard College | Branched nanoscale wires |
US7872318B2 (en) * | 2006-09-29 | 2011-01-18 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Sensing devices and methods for forming the same |
CN102324462B (zh) | 2006-10-12 | 2015-07-01 | 凯博瑞奥斯技术公司 | 基于纳米线的透明导体及其应用 |
US8018568B2 (en) * | 2006-10-12 | 2011-09-13 | Cambrios Technologies Corporation | Nanowire-based transparent conductors and applications thereof |
US20100116326A1 (en) * | 2006-10-19 | 2010-05-13 | The Regents Of The University Of California | Hybrid Solar Cells with 3-Dimensional Hyperbranched Nanocrystals |
WO2008063657A2 (en) * | 2006-11-21 | 2008-05-29 | Qd Vision, Inc. | Light emitting devices and displays with improved performance |
WO2008063652A1 (en) * | 2006-11-21 | 2008-05-29 | Qd Vision, Inc. | Blue emitting semiconductor nanocrystals and compositions and devices including same |
WO2008063658A2 (en) | 2006-11-21 | 2008-05-29 | Qd Vision, Inc. | Semiconductor nanocrystals and compositions and devices including same |
WO2008063653A1 (en) | 2006-11-21 | 2008-05-29 | Qd Vision, Inc. | Semiconductor nanocrystals and compositions and devices including same |
US20080216894A1 (en) * | 2007-01-08 | 2008-09-11 | Plextronics, Inc. | Quantum dot photovoltaic device |
WO2008118861A2 (en) * | 2007-03-23 | 2008-10-02 | The University Of North Carolina At Chapel Hill | Discrete size and shape specific organic nanoparticles designed to elicit an immune response |
US8313714B2 (en) * | 2007-04-13 | 2012-11-20 | William Marsh Rice University | Synthesis of uniform nanoparticle shapes with high selectivity |
US20090321364A1 (en) | 2007-04-20 | 2009-12-31 | Cambrios Technologies Corporation | Systems and methods for filtering nanowires |
US8034317B2 (en) * | 2007-06-18 | 2011-10-11 | Heliovolt Corporation | Assemblies of anisotropic nanoparticles |
JP2011519331A (ja) * | 2008-03-24 | 2011-07-07 | ザ リージェンツ オブ ザ ユニバーシティ オブ カリフォルニア | 異なる領域を有する複合体ナノロッド |
US9525148B2 (en) | 2008-04-03 | 2016-12-20 | Qd Vision, Inc. | Device including quantum dots |
CN102047098B (zh) | 2008-04-03 | 2016-05-04 | Qd视光有限公司 | 包括量子点的发光器件 |
US7960715B2 (en) * | 2008-04-24 | 2011-06-14 | University Of Iowa Research Foundation | Semiconductor heterostructure nanowire devices |
EP2271490B1 (en) * | 2008-04-30 | 2019-10-09 | Nanosys, Inc. | Non-fouling surfaces for reflective spheres |
DE102008029782A1 (de) * | 2008-06-25 | 2012-03-01 | Siemens Aktiengesellschaft | Photodetektor und Verfahren zur Herstellung dazu |
US8449673B2 (en) * | 2008-08-22 | 2013-05-28 | Babak NIKOOBAKHT | Method and apparatus for producing nanocrystals |
US8840863B2 (en) * | 2008-09-04 | 2014-09-23 | The Hong Kong University Of Science And Technology | Method for synthesising a nano-product |
CN101431148B (zh) * | 2008-10-13 | 2010-06-02 | 同济大学 | 一种提高CdTe纳米复合薄膜发光强度的方法 |
US8540889B1 (en) | 2008-11-19 | 2013-09-24 | Nanosys, Inc. | Methods of generating liquidphobic surfaces |
KR101014861B1 (ko) * | 2008-12-12 | 2011-02-15 | 포항공과대학교 산학협력단 | 양자점 덴드리머 및 그의 합성방법 |
GB2467161A (en) | 2009-01-26 | 2010-07-28 | Sharp Kk | Nitride nanoparticles |
GB2467162A (en) | 2009-01-26 | 2010-07-28 | Sharp Kk | Fabrication of nitride nanoparticles |
CA2740363A1 (en) * | 2009-02-04 | 2010-08-12 | Heliovolt Corporation | Method of forming an indium-containing transparent conductive oxide film, metal targets used in the method and photovoltaic devices utilizing said films |
US8618411B2 (en) * | 2009-04-08 | 2013-12-31 | David M. Schwartz | Method of making photovoltaic cell |
JP6236202B2 (ja) | 2009-05-01 | 2017-11-22 | ナノシス・インク. | ナノ構造の分散のための官能基を有するマトリックス |
US8809672B2 (en) * | 2009-05-27 | 2014-08-19 | The Regents Of The University Of California | Nanoneedle plasmonic photodetectors and solar cells |
KR20130122693A (ko) * | 2009-06-05 | 2013-11-07 | 헬리오볼트 코오퍼레이션 | 비-접촉 압력 용기를 통해 박막 혹은 복합층을 합성하는 프로세스 |
WO2010144809A2 (en) * | 2009-06-12 | 2010-12-16 | Interfacial Solutions Ip, Llc | Microfabricated particles in composite materials and methods for producing the same |
WO2011022338A1 (en) | 2009-08-16 | 2011-02-24 | Massachusetts Institute Of Technology | Copolymer-associated nanomaterial |
US8256621B2 (en) * | 2009-09-11 | 2012-09-04 | Pro-Pak Industries, Inc. | Load tray and method for unitizing a palletized load |
US9011818B2 (en) * | 2009-11-30 | 2015-04-21 | Massachusetts Institute Of Technology | Materials and methods for biological imaging |
CN102782156A (zh) | 2009-12-31 | 2012-11-14 | 文塔纳医疗系统公司 | 用于生成独特特异性核酸探针的方法 |
US8021641B2 (en) * | 2010-02-04 | 2011-09-20 | Alliance For Sustainable Energy, Llc | Methods of making copper selenium precursor compositions with a targeted copper selenide content and precursor compositions and thin films resulting therefrom |
JP2013518974A (ja) * | 2010-02-05 | 2013-05-23 | カンブリオス テクノロジーズ コーポレイション | 感光性インク組成物および透明導体ならびにこれらの使用方法 |
US20120301885A1 (en) | 2010-02-26 | 2012-11-29 | Lei Tang | Cytogenic analysis of metaphase chromosomes |
ES2606012T3 (es) | 2010-02-26 | 2017-03-17 | Ventana Medical Systems, Inc. | Hibridación in situ con sondas PolyTag |
WO2011146115A1 (en) | 2010-05-21 | 2011-11-24 | Heliovolt Corporation | Liquid precursor for deposition of copper selenide and method of preparing the same |
CN101969102B (zh) * | 2010-08-09 | 2012-05-23 | 吉林大学 | 全水相纳米晶/导电聚合物杂化太阳能电池的制备方法 |
WO2012023973A2 (en) | 2010-08-16 | 2012-02-23 | Heliovolt Corporation | Liquid precursor for deposition of indium selenide and method of preparing the same |
US8871175B2 (en) | 2010-10-01 | 2014-10-28 | The Boeing Company | Nanomaterial having tunable infrared absorption characteristics and associated method of manufacture |
FR2969137B1 (fr) * | 2010-12-17 | 2015-01-02 | Centre Nat Rech Scient | Procede de preparation d'une composition de particules mixtes contenant des elements des colonnes 13 et 15 |
AU2012228424B2 (en) | 2011-03-14 | 2015-05-07 | Ventana Medical Systems, Inc. | A method of analyzing chromosomal translocations and a system therefore |
JP5951755B2 (ja) | 2011-05-04 | 2016-07-13 | エイチティージー モレキュラー ダイアグノスティクス, インコーポレイテッド | 定量的ヌクレアーゼプロテクションアッセイ(qNPA)法および定量的ヌクレアーゼプロテクション配列決定(qNPS)法の改善 |
WO2012158832A2 (en) | 2011-05-16 | 2012-11-22 | Qd Vision, Inc. | Method for preparing semiconductor nanocrystals |
GB2494659A (en) | 2011-09-14 | 2013-03-20 | Sharp Kk | Nitride nanoparticles with high quantum yield and narrow luminescence spectrum. |
WO2013057586A1 (en) | 2011-10-19 | 2013-04-25 | Oslo Universitetssykehus Hf | Compositions and methods for producing soluble t - cell receptors |
WO2013078249A1 (en) * | 2011-11-22 | 2013-05-30 | Qd Vision Inc. | Method of making quantum dots |
WO2013078247A1 (en) | 2011-11-22 | 2013-05-30 | Qd Vision, Inc. | Methods of coating semiconductor nanocrystals, semiconductor nanocrystals, and products including same |
WO2013078242A1 (en) | 2011-11-22 | 2013-05-30 | Qd Vision, Inc. | Methods for coating semiconductor nanocrystals |
US10008631B2 (en) | 2011-11-22 | 2018-06-26 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Coated semiconductor nanocrystals and products including same |
WO2013078245A1 (en) * | 2011-11-22 | 2013-05-30 | Qd Vision, Inc. | Method of making quantum dots |
CN103998656B (zh) * | 2011-12-07 | 2017-05-24 | 华东理工大学 | 硒化镉多足纳米晶体的制备方法 |
WO2013108126A2 (en) | 2012-01-16 | 2013-07-25 | University Of Oslo | Methyltransferases and uses thereof |
KR101960469B1 (ko) | 2012-02-05 | 2019-03-20 | 삼성전자주식회사 | 반도체 나노결정, 그의 제조 방법, 조성물 및 제품 |
WO2013167387A1 (en) | 2012-05-10 | 2013-11-14 | Ventana Medical Systems, Inc. | Uniquely specific probes for pten, pik3ca, met, top2a, and mdm2 |
US9105797B2 (en) | 2012-05-31 | 2015-08-11 | Alliance For Sustainable Energy, Llc | Liquid precursor inks for deposition of In—Se, Ga—Se and In—Ga—Se |
US9139770B2 (en) | 2012-06-22 | 2015-09-22 | Nanosys, Inc. | Silicone ligands for stabilizing quantum dot films |
TWI596188B (zh) | 2012-07-02 | 2017-08-21 | 奈米系統股份有限公司 | 高度發光奈米結構及其製造方法 |
DK2872646T3 (en) | 2012-07-12 | 2017-12-04 | Université Paris Descartes | PROCEDURES FOR PREDICTING SURVIVAL TIME AND TREATMENT RESPONSE OF A PATIENT, SUFFERING A FAST CANCER WITH A SIGNATURE OF AT LEAST 7 GENES |
JP6036833B2 (ja) * | 2012-09-18 | 2016-11-30 | 富士通株式会社 | 太陽電池及びその製造方法 |
WO2014048942A1 (en) | 2012-09-25 | 2014-04-03 | Ventana Medical Systems, Inc. | Probes for pten, pik3ca, met, and top2a, and method for using the probes |
GB2507814A (en) | 2012-11-13 | 2014-05-14 | Sharp Kk | A method of synthesising nitride nanocrystals using organometallics |
US10372396B2 (en) * | 2013-02-21 | 2019-08-06 | Lenovo ( Singapore) Pte. Ltd. | Discovery and connection to wireless displays |
US9005480B2 (en) | 2013-03-14 | 2015-04-14 | Nanosys, Inc. | Method for solventless quantum dot exchange |
US9617472B2 (en) | 2013-03-15 | 2017-04-11 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Semiconductor nanocrystals, a method for coating semiconductor nanocrystals, and products including same |
KR101478448B1 (ko) * | 2013-07-01 | 2015-01-02 | 서울대학교산학협력단 | 반도체 나노입자를 포함하는 광흡수층의 제작방법 및 이 광흡수층을 포함하는 반도체 소자의 제작방법 |
KR20150018243A (ko) * | 2013-08-09 | 2015-02-23 | 한국전자통신연구원 | 금속 산화물 결정의 제조방법 및 태양전지용 기판의 제조방법 |
WO2015036405A1 (en) | 2013-09-10 | 2015-03-19 | INSERM (Institut National de la Santé et de la Recherche Médicale) | Methods for diagnosing and treating basal cell carcinoma |
US20160265036A1 (en) | 2013-11-05 | 2016-09-15 | Htg Molecular Diagnostics, Inc. | Methods for detecting nucleic acids |
EP3617322A1 (en) | 2014-02-24 | 2020-03-04 | Ventana Medical Systems, Inc. | Automated rna detection using labeled 2 -o-methyl rna oligonucleotide probes and signal amplification systems |
EP3009147A1 (en) | 2014-10-16 | 2016-04-20 | INSERM (Institut National de la Santé et de la Recherche Médicale) | Method for treating resistant glioblastoma |
US20180010194A1 (en) | 2015-01-12 | 2018-01-11 | Inserm (Institut National De La Sante Et De La Recherche Medicale) | Methods for the Diagnosis of Pancreatic Cancer |
US10160906B2 (en) | 2015-02-24 | 2018-12-25 | Fondazione Istituto Italiano Di Tecnologia | Masked cation exchange lithography |
US10087504B2 (en) * | 2015-08-13 | 2018-10-02 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Semiconductor nanocrystals and method of preparation |
WO2017029391A1 (en) | 2015-08-20 | 2017-02-23 | INSERM (Institut National de la Santé et de la Recherche Médicale) | New method for treating cancer |
WO2017041875A1 (de) | 2015-09-10 | 2017-03-16 | Merck Patent Gmbh | Lichtkonvertierendes material |
KR102514116B1 (ko) | 2015-09-24 | 2023-03-23 | 삼성전자주식회사 | 반도체 나노결정 입자 및 이를 포함하는 소자 |
WO2017055325A1 (en) | 2015-09-29 | 2017-04-06 | INSERM (Institut National de la Santé et de la Recherche Médicale) | Methods for quantifying the population of nk cells in a tissue sample |
WO2017055319A1 (en) | 2015-09-29 | 2017-04-06 | INSERM (Institut National de la Santé et de la Recherche Médicale) | Methods for quantifying the population of b cells in a tissue sample |
WO2017055326A1 (en) | 2015-09-29 | 2017-04-06 | INSERM (Institut National de la Santé et de la Recherche Médicale) | Methods for quantifying the population of myeloid dendritic cells in a tissue sample |
WO2017055322A1 (en) | 2015-09-29 | 2017-04-06 | INSERM (Institut National de la Santé et de la Recherche Médicale) | Methods for quantifying the population of neutrophils in a tissue sample |
WO2017055321A1 (en) | 2015-09-29 | 2017-04-06 | INSERM (Institut National de la Santé et de la Recherche Médicale) | Methods for quantifying the population of fibroblasts in a tissue sample |
WO2017055324A1 (en) | 2015-09-29 | 2017-04-06 | INSERM (Institut National de la Santé et de la Recherche Médicale) | Methods for quantifying the population of cells of monocytic origin in a tissue sample |
WO2017055320A1 (en) | 2015-09-29 | 2017-04-06 | INSERM (Institut National de la Santé et de la Recherche Médicale) | Methods for quantifying the population of cytotoxic lymphocytes in a tissue sample |
WO2017055327A1 (en) | 2015-09-29 | 2017-04-06 | INSERM (Institut National de la Santé et de la Recherche Médicale) | Methods for quantifying the population of endothelial cells in a tissue sample |
WO2017060397A1 (en) | 2015-10-09 | 2017-04-13 | INSERM (Institut National de la Santé et de la Recherche Médicale) | Methods for predicting the survival time of subjects suffering from melanoma metastases |
WO2017067944A1 (en) | 2015-10-19 | 2017-04-27 | INSERM (Institut National de la Santé et de la Recherche Médicale) | Methods for predicting the survival time of subjects suffering from triple negative breast cancer |
KR102696044B1 (ko) | 2015-11-06 | 2024-08-16 | 벤타나 메디컬 시스템즈, 인코포레이티드 | 대표 진단법 |
EP3374518B1 (en) | 2015-11-10 | 2019-11-06 | INSERM (Institut National de la Santé et de la Recherche Médicale) | Methods for predicting the survival time of patients with decompensated alcoholic cirrhosis |
US10029972B2 (en) | 2015-11-13 | 2018-07-24 | Nanosys, Inc. | Use of heteroleptic indium hydroxides as precursors for INP nanocrystals |
US10760135B2 (en) | 2016-01-13 | 2020-09-01 | Inserm (Institut National De La Sante Et De La Recherche Medicale) | Methods for predicting pancreatic cancer treatment response |
WO2017182834A1 (en) | 2016-04-19 | 2017-10-26 | INSERM (Institut National de la Santé et de la Recherche Médicale) | New method for treating resistant glioblastoma |
EP3463452A1 (en) | 2016-05-24 | 2019-04-10 | Institut National de la Sante et de la Recherche Medicale (INSERM) | Methods and pharmaceutical compositions for the treatment of non small cell lung cancer (nsclc) that coexists with chronic obstructive pulmonary disease (copd) |
EP3469098A1 (en) | 2016-06-14 | 2019-04-17 | INSERM - Institut National de la Santé et de la Recherche Médicale | Methods for predicting acute severe colitis treatment response |
WO2018011107A1 (en) | 2016-07-11 | 2018-01-18 | INSERM (Institut National de la Santé et de la Recherche Médicale) | Use of er-alpha 46 in methods and kits for assessing the status of breast cancer |
WO2018011166A2 (en) | 2016-07-12 | 2018-01-18 | INSERM (Institut National de la Santé et de la Recherche Médicale) | Methods for quantifying the population of myeloid dendritic cells in a tissue sample |
WO2018046738A1 (en) | 2016-09-12 | 2018-03-15 | INSERM (Institut National de la Santé et de la Recherche Médicale) | Methods for predicting the survival time of patients suffering from cancer |
WO2018046736A1 (en) | 2016-09-12 | 2018-03-15 | INSERM (Institut National de la Santé et de la Recherche Médicale) | Methods for predicting the survival time of patients suffering from cancer |
WO2018054960A1 (en) | 2016-09-21 | 2018-03-29 | INSERM (Institut National de la Santé et de la Recherche Médicale) | Methods for predicting and treating resistance to chemotherapy in npm-alk(+) alcl |
EP3515453A1 (en) | 2016-09-22 | 2019-07-31 | INSERM (Institut National de la Santé et de la Recherche Médicale) | Methods and pharmaceutical compositions for reprograming immune environment in a subject in need thereof |
WO2018122249A1 (en) | 2016-12-28 | 2018-07-05 | INSERM (Institut National de la Santé et de la Recherche Médicale) | Methods for predicting the survival time of patients suffering from a microsatellite stable colorectal cancer |
WO2018122245A1 (en) | 2016-12-28 | 2018-07-05 | INSERM (Institut National de la Santé et de la Recherche Médicale) | Methods of predicting the survival time of patients suffering from cms3 colorectal cancer |
KR20180077503A (ko) * | 2016-12-29 | 2018-07-09 | 엘지디스플레이 주식회사 | 퀀텀 로드, 퀀텀 로드 필름 및 퀀텀 로드 표시장치 |
WO2018146239A1 (en) | 2017-02-10 | 2018-08-16 | INSERM (Institut National de la Santé et de la Recherche Médicale) | Biomarker for outcome in aml patients |
WO2018162404A1 (en) | 2017-03-06 | 2018-09-13 | INSERM (Institut National de la Santé et de la Recherche Médicale) | Biomarker for outcome in aml patients |
CN107046066A (zh) * | 2017-03-09 | 2017-08-15 | 深圳大学 | 具有绒面结构单晶硅片及其制备方法和硅太阳能电池 |
WO2018172540A1 (en) | 2017-03-24 | 2018-09-27 | INSERM (Institut National de la Santé et de la Recherche Médicale) | Method to predict the progression of alzheimer's disease |
US11230736B2 (en) | 2017-03-29 | 2022-01-25 | Inserm (Institut National De La Santé De La Recherche Médicale) | Methods for assessing pregnancy outcome |
WO2018189215A1 (en) | 2017-04-12 | 2018-10-18 | INSERM (Institut National de la Santé et de la Recherche Médicale) | Method for predicting the survival time of a patient suffering from hepatocellular carcinoma |
WO2019038219A1 (en) | 2017-08-21 | 2019-02-28 | INSERM (Institut National de la Santé et de la Recherche Médicale) | NEW PROGNOSTIC METHOD OF PANCREATIC CANCER |
WO2019043138A1 (en) | 2017-09-01 | 2019-03-07 | INSERM (Institut National de la Santé et de la Recherche Médicale) | METHOD FOR PREDICTING OUTCOME OF CANCER |
EP3710820A1 (en) | 2017-11-13 | 2020-09-23 | F. Hoffmann-La Roche AG | Devices for sample analysis using epitachophoresis |
US11515453B2 (en) | 2017-12-18 | 2022-11-29 | LITEC-Vermögensverwaltungsgesellschaft mbH | Light-converting material with semiconductor nanoparticles, process for its preparation, and light source |
CN108470674B (zh) * | 2018-01-16 | 2020-07-14 | 长春理工大学 | 一种利用应力调控实现纯相GaAs纳米线的制备方法 |
EP3768800B1 (de) | 2018-03-20 | 2022-04-20 | LITEC-Vermögensverwaltungsgesellschaft mbH | Mn-aktivierte oxidohalogenide als konversionsleuchtstoffe für led-basierte festkörperlichtquellen |
WO2019207030A1 (en) | 2018-04-26 | 2019-10-31 | INSERM (Institut National de la Santé et de la Recherche Médicale) | Methods for predicting a response with an immune checkpoint inhibitor in a patient suffering from a lung cancer |
WO2019229489A1 (en) | 2018-05-31 | 2019-12-05 | INSERM (Institut National de la Santé et de la Recherche Médicale) | Use of mir-146a-5p and mir-186 as biomarkers of osteoarthritis |
TW202024305A (zh) | 2018-09-14 | 2020-07-01 | 德商馬克專利公司 | 發射藍光之磷光體化合物 |
WO2020089428A1 (en) | 2018-11-02 | 2020-05-07 | INSERM (Institut National de la Santé et de la Recherche Médicale) | New prognostic method of pancreatic cancer |
WO2020089432A1 (en) | 2018-11-02 | 2020-05-07 | INSERM (Institut National de la Santé et de la Recherche Médicale) | New prognostic method of pancreatic cancer |
EP4059569A1 (en) | 2019-01-03 | 2022-09-21 | Institut National De La Sante Et De La Recherche Medicale (Inserm) | Methods and pharmaceutical compositions for enhancing cd8+ t cell-dependent immune responses in subjects suffering from cancer |
EP3911669A1 (en) | 2019-01-16 | 2021-11-24 | INSERM (Institut National de la Santé et de la Recherche Médicale) | Variants of erythroferrone and their use |
WO2020165370A1 (en) | 2019-02-13 | 2020-08-20 | INSERM (Institut National de la Santé et de la Recherche Médicale) | Methods and compositions for selecting a cancer treatment in a subject suffering from cancer |
WO2020182932A1 (en) | 2019-03-13 | 2020-09-17 | INSERM (Institut National de la Santé et de la Recherche Médicale) | New gene signatures for predicting survival time in patients suffering from renal cell carcinoma |
WO2020193740A1 (en) | 2019-03-28 | 2020-10-01 | INSERM (Institut National de la Santé et de la Recherche Médicale) | New strategy for treating pancreatic cancer |
US20220177978A1 (en) | 2019-04-02 | 2022-06-09 | INSERM (Institut National de la Santé et de la Recherche Médicale) | Methods of predicting and preventing cancer in patients having premalignant lesions |
WO2020212586A1 (en) | 2019-04-18 | 2020-10-22 | INSERM (Institut National de la Santé et de la Recherche Médicale) | Methods for the treatment and prognosis of cancer |
WO2020216832A1 (en) | 2019-04-24 | 2020-10-29 | INSERM (Institut National de la Santé et de la Recherche Médicale) | Method for predicting the response of antipsychotic drugs |
KR102425135B1 (ko) * | 2019-05-08 | 2022-07-26 | 성균관대학교산학협력단 | 발광성이 향상된 양자점 및 이의 제조 방법 |
WO2020226325A1 (ko) * | 2019-05-08 | 2020-11-12 | 성균관대학교산학협력단 | 발광성이 향상된 양자점 및 이의 제조 방법 |
CN114269916A (zh) | 2019-05-14 | 2022-04-01 | 豪夫迈·罗氏有限公司 | 用于样品分析的装置和方法 |
WO2020229521A1 (en) | 2019-05-14 | 2020-11-19 | INSERM (Institut National de la Santé et de la Recherche Médicale) | Methods for inhibiting or reducing bacterial biofilms on a surface |
WO2021001539A1 (en) | 2019-07-04 | 2021-01-07 | INSERM (Institut National de la Santé et de la Recherche Médicale) | New strategy to detect and treat eosinophilic fasciitis |
WO2021044012A1 (en) | 2019-09-05 | 2021-03-11 | INSERM (Institut National de la Santé et de la Recherche Médicale) | Method of treatment and pronostic of acute myeloid leukemia |
WO2021063968A1 (en) | 2019-09-30 | 2021-04-08 | INSERM (Institut National de la Santé et de la Recherche Médicale) | Method and composition for diagnosing chronic obstructive pulmonary disease |
US20240301497A1 (en) | 2019-10-17 | 2024-09-12 | INSERM (Institut National de la Santé et de la Recherche Médicale) | Methods for diagnosing nasal intestinal type adenocarcinomas |
CN110638726A (zh) * | 2019-11-11 | 2020-01-03 | 烟台新时代健康产业日化有限公司 | 一种持久抑菌免洗洗手凝胶及其制备方法 |
US20230113705A1 (en) | 2020-02-28 | 2023-04-13 | INSERM (Institut National de la Santé et de la Recherche Médicale) | Methods for diagnosing, prognosing and managing treatment of breast cancer |
WO2021186014A1 (en) | 2020-03-20 | 2021-09-23 | INSERM (Institut National de la Santé et de la Recherche Médicale) | Method for predicting the survival time of a patient suffering from a cancer |
WO2021250106A1 (en) | 2020-06-10 | 2021-12-16 | INSERM (Institut National de la Santé et de la Recherche Médicale) | Method for treating and prognosing cancer like glioblastoma |
US20230218608A1 (en) | 2020-06-18 | 2023-07-13 | INSERM (Institut National de la Santé et de la Recherche Médicale) | New strategy for treating pancreatic cancer |
WO2022018163A1 (en) | 2020-07-22 | 2022-01-27 | INSERM (Institut National de la Santé et de la Recherche Médicale) | Method for predicting survival time in patients suffering from cancer |
WO2022064049A1 (en) | 2020-09-28 | 2022-03-31 | INSERM (Institut National de la Santé et de la Recherche Médicale) | Method for diagnosing brucella infection |
EP4232603A1 (en) | 2020-10-20 | 2023-08-30 | Institut National de la Santé et de la Recherche Médicale (INSERM) | Method for predicting the response to tnf inhibitors |
WO2022096633A1 (en) | 2020-11-06 | 2022-05-12 | INSERM (Institut National de la Santé et de la Recherche Médicale) | Methods for diagnosis and treating polycystic ovary syndrome (pcos) |
WO2022136252A1 (en) | 2020-12-21 | 2022-06-30 | INSERM (Institut National de la Santé et de la Recherche Médicale) | Methods for prognosis the humoral response of a subject prior to vaccination |
WO2022135753A1 (en) | 2020-12-21 | 2022-06-30 | INSERM (Institut National de la Santé et de la Recherche Médicale) | Methods for prognosis the humoral response of a subject prior to vaccination |
WO2022152698A1 (en) | 2021-01-12 | 2022-07-21 | INSERM (Institut National de la Santé et de la Recherche Médicale) | Use of npdk-d to evaluate cancer prognosis |
WO2022171611A1 (en) | 2021-02-09 | 2022-08-18 | INSERM (Institut National de la Santé et de la Recherche Médicale) | New method to pronostic lung cancer |
US20240159760A1 (en) | 2021-03-17 | 2024-05-16 | INSERM (Institut National de la Santé et de la Recherche Médicale) | Method for diagnosing pancreatic cancer |
WO2022207566A1 (en) | 2021-03-29 | 2022-10-06 | INSERM (Institut National de la Santé et de la Recherche Médicale) | New method to evaluate pancreatic cancer prognosis |
WO2022223791A1 (en) | 2021-04-23 | 2022-10-27 | INSERM (Institut National de la Santé et de la Recherche Médicale) | Methods and compositions for treating cell senescence accumulation related disease |
CN113437159B (zh) * | 2021-06-07 | 2022-09-09 | 青海黄河上游水电开发有限责任公司西宁太阳能电力分公司 | 一种具有量子阱结构的N型TOPCon电池及其制作方法 |
EP4367269A1 (en) | 2021-07-05 | 2024-05-15 | Inserm (Institut National De La Sante Et De La Recherche Medicale) | Gene signatures for predicting survival time in patients suffering from renal cell carcinoma |
WO2023089159A1 (en) | 2021-11-22 | 2023-05-25 | INSERM (Institut National de la Santé et de la Recherche Médicale) | New strategy targeting stroma/tumor cell crosstalk to treat a cancer |
WO2023144303A1 (en) | 2022-01-31 | 2023-08-03 | INSERM (Institut National de la Santé et de la Recherche Médicale) | Cd38 as a biomarker and biotarget in t-cell lymphomas |
WO2023152133A1 (en) | 2022-02-08 | 2023-08-17 | INSERM (Institut National de la Santé et de la Recherche Médicale) | Method for diagnosing colorectal cancer |
WO2024061930A1 (en) | 2022-09-22 | 2024-03-28 | Institut National de la Santé et de la Recherche Médicale | New method to treat and diagnose peripheral t-cell lymphoma (ptcl) |
WO2024115935A1 (en) | 2022-11-29 | 2024-06-06 | Inserm | Methods for the treatment of b-cell lymphoma using cd39 inhibitors |
CN115928033B (zh) * | 2022-12-22 | 2024-09-03 | 浙江固微科技有限公司 | 三脚架形氧化铟锡纳米颗粒透明导电膜的制备工艺 |
Family Cites Families (36)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
IT1116858B (it) * | 1978-05-15 | 1986-02-10 | Minnesota Mining & Mfg | Procedimento per la preparazione di derivati isopropilenici e prodotto ottenuto |
US4625071A (en) * | 1984-11-05 | 1986-11-25 | Chronar Corp. | Particulate semiconductors and devices |
US4642140A (en) | 1985-04-30 | 1987-02-10 | The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy | Process for producing chalcogenide semiconductors |
AU650878B2 (en) * | 1990-04-17 | 1994-07-07 | Ecole Polytechnique Federale De Lausanne | Photovoltaic cells |
US5403814A (en) * | 1991-03-25 | 1995-04-04 | Ciba-Geigy Corporation | Sulfonylureas |
US5505928A (en) * | 1991-11-22 | 1996-04-09 | The Regents Of University Of California | Preparation of III-V semiconductor nanocrystals |
US5262357A (en) * | 1991-11-22 | 1993-11-16 | The Regents Of The University Of California | Low temperature thin films formed from nanocrystal precursors |
JPH07502479A (ja) * | 1991-11-22 | 1995-03-16 | ザ リージェンツ オブ ザ ユニバーシティ オブ カリフォルニア | 自己集合性単一層を使って固体無機表面に共有結合した半導体微少結晶 |
DE4207659A1 (de) * | 1992-03-11 | 1993-09-16 | Abb Patent Gmbh | Verfahren zur herstellung einer photoelektrochemischen zelle sowie eine demgemaess hergestellte zelle |
JPH05308146A (ja) * | 1992-05-01 | 1993-11-19 | Ricoh Co Ltd | 有機光起電力素子 |
US5331183A (en) * | 1992-08-17 | 1994-07-19 | The Regents Of The University Of California | Conjugated polymer - acceptor heterojunctions; diodes, photodiodes, and photovoltaic cells |
US5594263A (en) * | 1993-03-26 | 1997-01-14 | Uop | Semiconductor device containing a semiconducting crystalline nanoporous material |
US5504323A (en) * | 1993-12-07 | 1996-04-02 | The Regents Of The University Of California | Dual function conducting polymer diodes |
US5537000A (en) * | 1994-04-29 | 1996-07-16 | The Regents, University Of California | Electroluminescent devices formed using semiconductor nanocrystals as an electron transport media and method of making such electroluminescent devices |
DE4416642B4 (de) | 1994-05-11 | 2006-03-02 | Kiekert Ag | Türverschlußsystem an einem Kraftfahrzeug mit einer Mehrzahl von Kraftfahrzeugtüren, von denen zumindest eine als Schiebetür ausgebildet ist |
US5523555A (en) * | 1994-09-14 | 1996-06-04 | Cambridge Display Technology | Photodetector device having a semiconductive conjugated polymer |
GB9423692D0 (en) * | 1994-11-23 | 1995-01-11 | Philips Electronics Uk Ltd | A photoresponsive device |
GB2296815B (en) * | 1994-12-09 | 1999-03-17 | Cambridge Display Tech Ltd | Photoresponsive materials |
WO1996031909A1 (en) * | 1995-04-05 | 1996-10-10 | Uniax Corporation | Smart polymer image processor |
US6126740A (en) | 1995-09-29 | 2000-10-03 | Midwest Research Institute | Solution synthesis of mixed-metal chalcogenide nanoparticles and spray deposition of precursor films |
US5847787A (en) * | 1996-08-05 | 1998-12-08 | Motorola, Inc. | Low driving voltage polymer dispersed liquid crystal display device with conductive nanoparticles |
US6153166A (en) | 1997-06-27 | 2000-11-28 | Nippon Pillar Packing Co., Ltd. | Single crystal SIC and a method of producing the same |
US6013871A (en) * | 1997-07-02 | 2000-01-11 | Curtin; Lawrence F. | Method of preparing a photovoltaic device |
US6207392B1 (en) * | 1997-11-25 | 2001-03-27 | The Regents Of The University Of California | Semiconductor nanocrystal probes for biological applications and process for making and using such probes |
US5990479A (en) * | 1997-11-25 | 1999-11-23 | Regents Of The University Of California | Organo Luminescent semiconductor nanocrystal probes for biological applications and process for making and using such probes |
US6277740B1 (en) * | 1998-08-14 | 2001-08-21 | Avery N. Goldstein | Integrated circuit trenched features and method of producing same |
US6261779B1 (en) * | 1998-11-10 | 2001-07-17 | Bio-Pixels Ltd. | Nanocrystals having polynucleotide strands and their use to form dendrimers in a signal amplification system |
US6855202B2 (en) * | 2001-11-30 | 2005-02-15 | The Regents Of The University Of California | Shaped nanocrystal particles and methods for making the same |
DE60023559T2 (de) | 1999-07-26 | 2006-09-07 | Massachusetts Institute Of Technology, Cambridge | Nanokristalline tellur enthaltende materialien |
US6440213B1 (en) * | 1999-10-28 | 2002-08-27 | The Regents Of The University Of California | Process for making surfactant capped nanocrystals |
US6225198B1 (en) * | 2000-02-04 | 2001-05-01 | The Regents Of The University Of California | Process for forming shaped group II-VI semiconductor nanocrystals, and product formed using process |
US6306736B1 (en) * | 2000-02-04 | 2001-10-23 | The Regents Of The University Of California | Process for forming shaped group III-V semiconductor nanocrystals, and product formed using process |
AU2001249459A1 (en) * | 2000-03-24 | 2001-10-08 | The State Of Oregon, Acting By And Through The State Board Of Higher Education On Behalf Of The University Of Oregon | Scaffold-organized clusters and electronic devices made using such clusters |
JP2001302399A (ja) | 2000-04-19 | 2001-10-31 | Mitsubishi Chemicals Corp | 半導体超微粒子の製造方法 |
WO2004027822A2 (en) * | 2002-09-05 | 2004-04-01 | Nanosys, Inc. | Oriented nanostructures and methods of preparing |
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