JP4977859B2 - レーザーアブレーションを利用した発光膜形成方法及び発光素子 - Google Patents
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なお、図1(A)の発光改質層を固体有機ポリシロキサン表面に形成するときのレーザー光と図1(B)のレーザーアブレーションを行うためのレーザー光の波長は同一であっても異なっていてもよい。但し、後述の実施例でも述べるように、図1(A)の発光改質層を固体有機ポリシロキサン表面に形成するときのレーザー光のフルエンスは数10mJ/cm2であるのに対し、図1(B)のレーザーアブレーションを行うためのレーザー光のフルエンスは数J〜数10J/cm2となり、大きく異なる。
以下、本発明に係るレーザーアブレーションを利用した発光膜形成方法及び発光素子を実施例で詳述する。
2、6 レーザー光
3 チャンバー
4 発光改質層が形成された固体有機ポリシロキサン
5 レンズ
7 基体
8 マスク
Claims (9)
- Si−O−Si結合を含む化合物に、波長190nm以上266nm未満の光を照射することにより発光改質層を形成した後、
発光改質層形成後の前記化合物に対向した基体上に、酸化雰囲気あるいは還元雰囲気でのレーザーアブレーションにより発光改質層を薄膜化し、前記レーザーアブレーションにおける前記酸化雰囲気の制御あるいは前記還元雰囲気の制御によって前記基体上の形成膜の発光波長を変化させることを特徴とするレーザーアブレーションを利用した発光膜形成方法。 - Si−O−Si結合を含む化合物に、波長190nm以上266nm未満の光を照射し、その際誘起される酸化反応を増強することにより、発光ピーク波長を長波長側にシフトした所望の色彩を放つ発光改質層を形成した後、
発光改質層形成後の前記化合物に対向した基体上に、レーザーアブレーションにより発光改質層を薄膜化することを特徴とするレーザーアブレーションを利用した発光膜形成方法。 - Si−O−Si結合を含む化合物に、波長190nm以上266nm未満の光を照射し、その際誘起される還元反応を増強することにより、発光ピーク波長を短波長側にシフトした所望の色彩を放つ発光改質層を形成した後、
発光改質層形成後の前記化合物に対向した基体上に、レーザーアブレーションにより発光改質層を薄膜化することを特徴とするレーザーアブレーションを利用した発光膜形成方法。 - Si−O−Si結合を含む化合物に、波長190nm以上266nm未満の第1の光を照射し、その後、露光された前記化合物に真空中において波長190nm以上266nm未満の第2の光を照射して還元反応を増強することにより、発光ピーク波長を短波長側にシフトした所望の色彩を放つ発光改質層を形成した後、
発光改質層形成後の前記化合物に対向した基体上に、レーザーアブレーションにより発光改質層を薄膜化することを特徴とするレーザーアブレーションを利用した発光膜形成方法。 - Si−O−Si結合を含む化合物に、波長190nm以上266nm未満の第1の光を照射し、その後、露光された前記化合物に、大気又は酸素を含む混合気中において第1の光よりも短い波長で波長190nm以下の第2の光を照射して酸化反応を増強することにより、発光ピーク波長を長波長側にシフトした所望の色彩を放つ発光改質層を形成した後、
発光改質層形成後の前記化合物に対向した基体上に、レーザーアブレーションにより発光改質層を薄膜化することを特徴とするレーザーアブレーションを利用した発光膜形成方法。 - Si−O−Si結合を含む化合物に、波長190nm以上266nm未満の光を照射し、露光された前記化合物に、その後熱処理を加えることにより、所望の色彩を放つ発光改質層を形成した後、
発光改質層形成後の前記化合物に対向した基体上に、レーザーアブレーションにより発光改質層を薄膜化することを特徴とするレーザーアブレーションを利用した発光膜形成方法。 - 前記レーザーアブレーションを行うためのレーザ光のエネルギー密度の制御によって、前記基体上の形成膜の発光スペクトルを変化させる、請求項1、2、3、4、5又は6記載のレーザーアブレーションを利用した発光膜形成方法。
- 請求項1、2、3、4、5、6又は7記載の発光膜形成方法によって形成した発光膜を備えたことを特徴する発光素子。
- 請求項1、2、3、4、5、6又は7記載の発光膜形成法によって、前記基体上の任意の位置及び形状に発光膜を形成したことを特徴とする発光素子。
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