JP2006100809A5 - - Google Patents
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- 基板上に半導体膜を形成し、前記半導体膜上に形成される第１の酸化物層の一部上に第２の酸化物層を形成した後、前記第１の酸化物層の露出部を除去し、前記第２の酸化物層をマスクとして前記半導体膜をエッチングして、半導体領域を形成し、
前記第２の酸化物層は、酸素雰囲気又は空気雰囲気で、透光部及び遮光部を有するマスクを介して前記半導体膜及び前記第１の酸化物層にレーザ光を照射して形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 基板上に半導体膜を形成し、前記半導体膜上に形成される第１の酸化物層の一部上に第２の酸化物層を形成した後、前記第１の酸化物層の露出部を除去し、前記第２の酸化物層をマスクとして前記半導体膜をエッチングして、半導体領域を形成し、
前記第２の酸化物層は、酸素雰囲気又は空気雰囲気で、透光部及び遮光部を有するマスクを介して前記半導体膜及び前記第１の酸化物層にレーザ光を照射して形成し、
前記レーザ光の照射によって、前記半導体膜は結晶化されることを特徴とする半導体装置の作製方法。
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|---|---|---|---|
| JP2005249293A JP4584074B2 (ja) | 2004-08-31 | 2005-08-30 | 半導体装置の作製方法 |
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2004252464 | 2004-08-31 | ||
| JP2005249293A JP4584074B2 (ja) | 2004-08-31 | 2005-08-30 | 半導体装置の作製方法 |
Publications (3)
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|---|---|
| JP2006100809A JP2006100809A (ja) | 2006-04-13 |
| JP2006100809A5 true JP2006100809A5 (ja) | 2008-09-18 |
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Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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2005
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