JP4959387B2 - 絶縁構造体及びその製造方法 - Google Patents
絶縁構造体及びその製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4959387B2 JP4959387B2 JP2007069924A JP2007069924A JP4959387B2 JP 4959387 B2 JP4959387 B2 JP 4959387B2 JP 2007069924 A JP2007069924 A JP 2007069924A JP 2007069924 A JP2007069924 A JP 2007069924A JP 4959387 B2 JP4959387 B2 JP 4959387B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- oxide layer
- metal oxide
- pattern
- insulating structure
- upper substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 18
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 36
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 34
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims description 30
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 claims description 29
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 18
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 18
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 claims description 12
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 claims description 12
- 238000009413 insulation Methods 0.000 claims description 11
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 11
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 claims description 6
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 claims description 6
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 4
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 4
- 230000004927 fusion Effects 0.000 claims description 3
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 claims description 3
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 claims description 2
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 claims description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims description 2
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims 1
- 230000005496 eutectics Effects 0.000 claims 1
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 claims 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 8
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 4
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 3
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 3
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 206010034972 Photosensitivity reaction Diseases 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002048 anodisation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000007743 anodising Methods 0.000 description 1
- 238000003486 chemical etching Methods 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 230000032798 delamination Effects 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000010292 electrical insulation Methods 0.000 description 1
- 238000009429 electrical wiring Methods 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012811 non-conductive material Substances 0.000 description 1
- 230000036211 photosensitivity Effects 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 230000001131 transforming effect Effects 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/483—Containers
- H01L33/486—Containers adapted for surface mounting
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/22—Secondary treatment of printed circuits
- H05K3/28—Applying non-metallic protective coatings
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/03—Use of materials for the substrate
- H05K1/05—Insulated conductive substrates, e.g. insulated metal substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/58—Optical field-shaping elements
- H01L33/60—Reflective elements
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
- H05K2203/03—Metal processing
- H05K2203/0315—Oxidising metal
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
- H05K2203/05—Patterning and lithography; Masks; Details of resist
- H05K2203/0502—Patterning and lithography
- H05K2203/0542—Continuous temporary metal layer over metal pattern
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
- Insulated Metal Substrates For Printed Circuits (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Description
本発明は、高温工程に適した絶縁構造体及びその製造方法に関するものであって、より詳しくは、従来のエポキシ樹脂を絶縁層として使用することなく、陽極酸化法を用いて金属酸化物を絶縁層として用いることにより、後続して高温工程に符合することの出来る絶縁構造体及びその製造方法に関する。
現在使用される様々な基板或いはそれに等しいパッケージを他の基板或いはパッケージに取り付ける際に、ソルダーペースト或いは導電性ペースト、熱融着法を用いて取り付ける。この際、ペースト或いは導電性物質が、相違する電気的性質を有する部分と電気的に連結されることを防ぐため、電気的絶縁層（ソルダーレジスト、絶縁フィルムなど）を導電性物質の表面上に形成する。
現在、基板或いはパッケージの電気的絶縁のために、光に反応する物質である液状のエポキシ型或いはフィルムを用いてソルダーレジスタを形成することが一般である。このようなソルダーレジスタを形成する通常の工程が図１に図示されている。図１のように、従来には、その両面に所定の伝導性パターン３を有する基板１の両面にソルダーレジスタ形成用樹脂５を塗布する。以後、このような樹脂５を露光、現像し、硬化させることにより、所望のソルダーレジスタパターンを形成することが出来た。
ところが、上記絶縁材であるソルダーレジスタは、材料の特性上熱に弱く、従って、現在のようにパッケージ製作に要される高温工程においては、熱的変形によりデラミネーション（ｄｅｌａｍｉｎａｔｉｏｎ）現象が生じ、これは基板の信頼性に好ましくない結果をもたらす。また、一般エポキシ系の物質は、熱抵抗が高く熱を発生させる素子の熱放出にも適していない。
本発明は、上記の従来技術の問題点を解決するためのものであって、従来の工程とは異なって電気的絶縁のために、アルミニウムのような陽極酸化が可能な金属をＰＶＤ法で蒸着した後、これを陽極酸化を通じて非伝導性物質に変形しこれを絶縁層として用いることにより、従来の高温工程から引き起こされる問題を解決することが出来る絶縁構造体及びその製造方法を提供することに目的がある。
上記目的を達成すべく、本発明は、少なくともその一面に素子の電気的連結のための伝導性パターンが形成された基材と、上記伝導性パターン上の所定の位置に陽極酸化法にて形成されたＡｌ、Ｔｉ及びＭｇからなるグループのうち選択された１種の金属酸化物層パターンと、を含む高温工程に適した絶縁構造体に関する。
また本発明は、少なくともその一面に素子の電気的連結のための伝導性パターンが形成された基材を備える工程と、上記伝導性パターンが形成された基材上にＡｌ、Ｔｉ及びＭｇからなるグループのうち選択された１種の金属をＰＶＤ法にて蒸着することにより金属蒸着層を形成する工程と、上記金属蒸着層を陽極酸化法を用いて酸化させ金属酸化物層を形成する工程と、上記金属酸化物層上に感光性フィルムを塗布した後、露光、現像することにより所定の感光性フィルムパターンを形成する工程と、上記感光性フィルムパターンが形成された基材表面をエッチング処理して上記金属酸化物層を除去することにより、上記伝導性パターン上に所望の金属酸化物層パターンを形成する工程と、を含む高温工程に適した絶縁構造体の製造方法に関する。
本発明は、絶縁層として陽極酸化法にて形成された金属酸化物層を用いることにより、従来のエポキシ絶縁層を使用する際に引き起こされた高温或いは微細パターン形成の制約問題を解決することが出来る。また、従来の低温工程に比べて３００℃以上の工程も可能で、絶縁層の厚さも電気的特性を考慮して十分調節可能である。尚、本発明の陽極酸化による金属酸化物絶縁層は、熱伝達特性が従来に比べて改善され熱発生素子の熱放出にも有用な効果がある。
以下、添付の図面を参照に本発明を詳しく説明する。図２は、本発明の一実施例による絶縁構造体の概略断面図である。図２に示された通り、本発明の絶縁構造体１０は、少なくともその一面に、素子の電気的な連結のための伝導性パターン１３が形成された基材１１と、そして上記伝導性パターン上の所定の位置に陽極酸化法にて形成されたＡｌ、Ｔｉ及びＭｇからなるグループのうち選択された１種の金属酸化物層パターン１５と、を含んで構成される。
本発明において上記基材１１は、その両面に伝導性パターンの形成が可能であるものを称し、本発明は、これの具体的な種類に制限されない。例えば、上記基材１１はエポキシ樹脂で組成されることができ、また通常のＰＣＢ内の絶縁層あるいは酸化物からなることも出来る。またＳｉなどのような金属基板であることも出来る。
また本発明において、上記素子の電気的な連結のための伝導性パターン１３は、通常使用されている基板、パッケージ、或いはこれと類似な役割をする構造において電気的連結をする金属を言い、本発明はこのような金属の具体的な種類に制限されない。
好ましくは、上記伝導性パターン１３をＡｌ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｐｔ、Ａｕ及びＮｉのうち選択された１種の金属で形成する。そして本発明において上記素子は、パワーチップ或いはＬＥＤ素子のうち一つであることが好ましい。
また、本発明の絶縁構造体１０は、上記伝導性パターン上の所定の位置に陽極酸化法にて形成された絶縁層である金属酸化物層パターン１５と、を含んで構成される。この際、上記金属酸化物層１５は、Ａｌ、Ｔｉ及びＭｇからなるグループのうち選択された１種の金属を陽極酸化法を用いて酸化させ形成することが好ましい。
さらに、本発明の絶縁構造体は、上記金属酸化物層パターン１５上に形成された上部基板（未図示）を含むことが出来る。そして上記素子がＬＥＤ素子であれば、上記上部基板は反射板（ｒｅｆｌｅｃｔｏｒ）であることが好ましい。
そして上記上部基板と上記酸化物層パターン１５は、溶融接着（ｅｕｔｅｃｔｉｃ ｂｏｎｄｉｎｇ）で相互取り付けられていることが好ましい。より好ましくは、上記溶融接着としてＡｕ／Ｓｎを用いる。
次に、本発明の絶縁構造体の製造方法を説明する。図３（ａ）乃至図３（ｆ）は、本発明の一実施例による絶縁構造体の製造工程図である。図３（ａ）に示された通り、本発明では、先ず、少なくともその一面に素子の電気的な連結のための伝導層パターン１２０が形成された基材１１０を備える。上述の通り、本発明では上記基材１１０の具体的な種類に制限されず、少なくともその一面に伝導層パターンが形成できるものであれば何れも可能である。また上記伝導性パターン１２０も上述の通り組成されることが出来る。そして本発明において上記素子は、パワーチップ或いはＬＥＤ素子のうち一つであることが好ましい。
次いで、本発明では、上記伝導性パターン１２０が形成された基材上にＡｌ、Ｔｉ及びＭｇからなるグループのうち選択された１種の金属をＰＶＤ法にて蒸着することにより金属蒸着層を形成する。このような金属は後続の工程により容易に陽極酸化されることが出来る。
一方、本発明は、上記ＰＶＤ法の種類、その具体的な工程条件に制限はされないが、好ましくはスパッタリングやエバポレーション法を用いて上記金属を蒸着する。
次に、本発明では上記基材上の金属蒸着層を通常の陽極酸化法を用いて酸化させることにより、図３（ｂ）のように、金属酸化物層１３０に変化させる。即ち、その表面に金属蒸着層が形成された基材を陽極として電解浴に浸漬した後、電解反応させる通常の陽極酸化法を用いて容易に金属酸化物層１３０が得られる。
そして本発明では、図３（ｃ）のように、上記金属酸化物層１３０上に感光性フィルム１５０を塗布した後、露光、現像することにより、図３（ｄ）のように、所定の感光性フィルムパターン１５０’を形成する。
続いて、図３（ｅ）のように、上記感光性フィルムパターン１５０’が形成された基材表面をエッチング処理することにより、上記金属酸化物層１３０を除去する。本発明では、このようなエッチング方法として通常の化学的エッチング法を用いることが出来るが、これに限られない。
次いで、本発明では、図３（ｆ）のように、上記感光性フィルムパターン１５０’を除去することにより、上記伝導性パターン１２０上の所定の位置に形成された金属酸化物層パターン１３０’を有する絶縁構造体１００を製造することが出来る。
さらに、本発明では、本発明の絶縁構造体は、上記金属酸化物層パターン１３０’上に図示されていない上部基板をさらに取り付けることが出来る。そして上記素子がＬＥＤ素子であれば、上記上部基板は反射板（ｒｅｆｌｅｃｔｏｒ）であることが好ましい。
そして上記上部基板と上記酸化物層パターン１３０’は、溶融接着（ｅｕｔｅｃｔｉｃ ｂｏｎｄｉｎｇ）にて相互取り付けることが好ましい。より好ましくは、Ａｕ／Ｓｎを用いて溶融接着させる。
上記のように備えられた本発明の絶縁構造体は、高温で進行されるＷＬＰ（ｗａｆｅｒ ｌｅｖｅｌ ｐａｃｋａｇｅ）から各素子と素子との電気的連結時に効果的な絶縁を提供することができ、尚、絶縁層としてエポキシ樹脂を用いた従来技術から引き起こされた問題を効果的に克服することが出来る。
以下、実施例を通じて本発明を詳しく説明する。その両面に所定の銅伝導性パターンが形成されたＳｉ基板を備えた後、その表面にＡｌをスパッタリングしてＡｌ蒸着層を形成した。次いで、上記Ａｌ蒸着層を通常の陽極酸化法を用いてＡｌ２Ｏ３酸化物層に変化させた後、その酸化物層上に感光性フィルムを塗布した。続いて、上記感光性フィルムを露光、現像してパターンを形成した後、その表面をエッチングすることにより、上記伝導性パターン上にＡｌ２Ｏ３酸化物層パターンを形成した。次いで、高温で進行されるＷＬＰ（Ｗａｆｅｒ Ｌｅｖｅｌ Ｐａｃｋａｇｅ）において、上記製造された絶縁層であるＡｌ２Ｏ３酸化物層パターン上に、Ａｕ／Ｓｎ溶融接着を通じて上部基板を取り付けた。
図４は、本発明の絶縁構造体を用いて高温で進行されるＷＬＰ（Ｗａｆｅｒ Ｌｅｖｅｌ Ｐａｃｋａｇｅ）において素子間電気的連結を示した概略図である。図４に示された通り、図面符号２１０はＷＬＰにおいて素子が形成或いは実装されるベースウェーハで、２２０は伝導性パターン、２３０は素子、２５０はＡｌ２Ｏ３酸化物層パターン、２７０は上部基板（即ち、上部パッケージのためのウェーハ）、そして２９０は溶融接着のための接合層を示す。
ところが、このようなウェーハレベルでの接合工程時、素子同士の電気的連結のためには、上記接合層２９０を電気的配線と電気的に絶縁する層が必要である。本実施例では、絶縁層としてＡｌ２Ｏ３酸化物層２５０を用いることにより、エポキシ層を絶縁層として用いる従来のＷＬＰ（ｗａｆｅｒ ｌｅｖｅｌ ｐａｃｋａｇｅ）から引き起こされた溶融接着時のガス発生、熱変形などのような問題を効果的に解決することが出来る。
図５は、図４の連続的な配列を示した図面である。一方、図６は、伝導性パターン上にＬＥＤ素子３１０が搭載された場合であって、この場合には、Ａｌ２Ｏ３酸化物層３３０上に反射板３５０が溶融接着されたことを表している。
上述の通り、本発明は好ましい実施例を通じて詳しく説明されたが、本発明はこのような実施例の内容に制限されない。本願が属する技術分野において通常の知識を有している者であれば、実施例に提示されなくとも添付の請求項の記載範囲内で様々な本願発明に関する変形や変更が可能で、これらも本願発明の技術的範囲に属することは自明である。
Claims (9)
- 素子の実装領域を有し、前記素子と電気的に連結される伝導性パターンが、少なくとも一方の面に形成された基材と、
Ｔｉ及びＭｇからなるグループから選択される１種の金属の金属酸化物であり、前記伝導性パターン上に陽極酸化法にて形成され、前記伝導性パターンに接する金属酸化物層パターンと、
前記金属酸化物層パターン上に形成された上部基板と、
を含み、
前記金属酸化物層パターンは、前記実装領域とは異なる領域である前記上部基板と接着する接着領域に形成される、
絶縁構造体。 - 前記素子は、パワーチップ或いはＬＥＤ素子のうち一つであることを特徴とする
請求項１に記載の絶縁構造体。 - 前記上部基板と前記金属酸化物層パターンは、Ａｕ／Ｓｎ溶融接着（ｅｕｔｅｃｔｉｃ ｂｏｎｄｉｎｇ）で相互取り付けられ形成されていることを特徴とする
請求項１または請求項２に記載の絶縁構造体。 - 前記素子がＬＥＤ素子で、前記上部基板は反射板（ｒｅｆｌｅｃｔｏｒ）であることを特徴とする
請求項１から請求項３までの何れか一項に記載の絶縁構造体。 - 前記基材は、Ｓｉ基板であることを特徴とする
請求項１から請求項４のうち何れか一項に記載の絶縁構造体。 - 素子の実装領域を有し、前記素子と電気的に連結される伝導性パターンが、少なくとも一方の面に形成された基材を準備する工程と、
前記伝導性パターンが形成された基材上にＡｌ、Ｔｉ及びＭｇからなるグループから選択される１種の金属をＰＶＤ法にて蒸着することにより金属蒸着層を形成する工程と、
前記金属蒸着層を、陽極酸化法を用いて酸化させ金属酸化物層を形成する工程と、
前記金属酸化物層上に感光性フィルムを塗布した後、露光および現像することにより感光性フィルムパターンを形成する工程と、
前記感光性フィルムパターンが形成された基材表面をエッチング処理して前記金属酸化物層を除去することにより、金属酸化物層パターンを形成する工程と、
前記金属酸化物層パターン上に上部基板をさらに取り付ける工程と、
を含み、
前記金属酸化物層パターンは、前記伝導性パターン上の前記実装領域とは異なる領域である前記上部基板と接着する接着領域に形成される、
絶縁構造体の製造方法。 - 前記ＰＶＤ法は、スパッタリングとエバポレーションのうち何れか一つであることを特徴とする
請求項６に記載の絶縁構造体の製造方法。 - 前記上部基板と前記金属酸化物層パターンは、Ａｕ／Ｓｎ溶融接着で取り付けられることを特徴とする
請求項６または請求項７に記載の絶縁構造体の製造方法。 - 前記素子がＬＥＤ素子で、前記上部基板は反射板（ｒｅｆｌｅｃｔｏｒ）であることを特徴とする
請求項６から請求項８までの何れか一項に記載の絶縁構造体の製造方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR10-2006-0025454 | 2006-03-20 | ||
| KR1020060025454A KR100764386B1 (ko) | 2006-03-20 | 2006-03-20 | 고온공정에 적합한 절연구조체 및 그 제조방법 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2007258714A JP2007258714A (ja) | 2007-10-04 |
| JP4959387B2 true JP4959387B2 (ja) | 2012-06-20 |
Family
ID=38516871
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2007069924A Active JP4959387B2 (ja) | 2006-03-20 | 2007-03-19 | 絶縁構造体及びその製造方法 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (3) | US7998879B2 (ja) |
| JP (1) | JP4959387B2 (ja) |
| KR (1) | KR100764386B1 (ja) |
| CN (1) | CN100562212C (ja) |
| TW (1) | TWI341018B (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100917028B1 (ko) * | 2007-12-26 | 2009-09-10 | 삼성전기주식회사 | 아노다이징을 이용한 금속 기판 및 이의 제조방법 |
| KR101124102B1 (ko) * | 2009-08-24 | 2012-03-21 | 삼성전기주식회사 | 발광 소자 패키지용 기판 및 이를 포함하는 발광 소자 패키지 |
| KR101237668B1 (ko) | 2011-08-10 | 2013-02-26 | 삼성전기주식회사 | 반도체 패키지 기판 |
| CN109960438B (zh) * | 2019-03-19 | 2021-04-23 | 京东方科技集团股份有限公司 | 基板及其制作方法、触控显示装置 |
| US11608162B2 (en) * | 2020-06-10 | 2023-03-21 | Goodrich Corporation | Aircraft wheel torque bar spacer |
Family Cites Families (38)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5414543A (en) * | 1992-08-24 | 1995-05-09 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Method for manufacturing a multiple level liquid crystal display using alternating metal and metal oxide layers |
| JPH06120368A (ja) * | 1992-10-08 | 1994-04-28 | Shinko Electric Ind Co Ltd | 半導体パッケージ及びこれを用いた半導体装置 |
| JP3036324B2 (ja) * | 1993-10-14 | 2000-04-24 | 松下電器産業株式会社 | 電子部品とその製造方法 |
| JPH07193344A (ja) * | 1993-12-27 | 1995-07-28 | Casio Comput Co Ltd | 配線基板 |
| JPH07193345A (ja) * | 1993-12-27 | 1995-07-28 | Casio Comput Co Ltd | 配線基板 |
| KR100453015B1 (ko) | 1994-07-04 | 2005-09-02 | 세이코 엡슨 가부시키가이샤 | 표면처리방법및그장치,기판의표면처리방법및기판의제조방법 |
| DE69737086T2 (de) | 1996-08-27 | 2007-05-16 | Seiko Epson Corp. | Trennverfahren, verfahren zur übertragung eines dünnfilmbauelements, und unter verwendung des übertragungsverfahrens hergestelltes flüssigkristall-anzeigebauelement |
| USRE38466E1 (en) | 1996-11-12 | 2004-03-16 | Seiko Epson Corporation | Manufacturing method of active matrix substrate, active matrix substrate and liquid crystal display device |
| US7208725B2 (en) | 1998-11-25 | 2007-04-24 | Rohm And Haas Electronic Materials Llc | Optoelectronic component with encapsulant |
| FR2810845B1 (fr) | 2000-06-23 | 2002-08-23 | Alstom | Module de puissance a composants electroniques de puissance et procede de fabrication d'un tel module |
| JP3906654B2 (ja) | 2000-07-18 | 2007-04-18 | ソニー株式会社 | 半導体発光素子及び半導体発光装置 |
| JP2002174822A (ja) | 2000-12-06 | 2002-06-21 | Sharp Corp | アクティブマトリクス基板の製造方法 |
| JP3919594B2 (ja) | 2001-05-10 | 2007-05-30 | キヤノン株式会社 | 光電融合基板および電子機器 |
| US6818465B2 (en) | 2001-08-22 | 2004-11-16 | Sony Corporation | Nitride semiconductor element and production method for nitride semiconductor element |
| JP2003218034A (ja) | 2002-01-17 | 2003-07-31 | Sony Corp | 選択成長方法、半導体発光素子及びその製造方法 |
| JP3815335B2 (ja) | 2002-01-18 | 2006-08-30 | ソニー株式会社 | 半導体発光素子及びその製造方法 |
| KR20030083452A (ko) * | 2002-04-23 | 2003-10-30 | 서울반도체 주식회사 | 고휘도 발광 다이오드 및 그 제조 방법 |
| KR100499129B1 (ko) | 2002-09-02 | 2005-07-04 | 삼성전기주식회사 | 발광 다이오드 및 그 제조방법 |
| US7002182B2 (en) | 2002-09-06 | 2006-02-21 | Sony Corporation | Semiconductor light emitting device integral type semiconductor light emitting unit image display unit and illuminating unit |
| JP4134770B2 (ja) * | 2003-03-17 | 2008-08-20 | カシオ計算機株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
| KR100714639B1 (ko) | 2003-10-21 | 2007-05-07 | 삼성전기주식회사 | 발광 소자 |
| JP4556422B2 (ja) | 2003-12-02 | 2010-10-06 | パナソニック株式会社 | 電子部品およびその製造方法 |
| KR100506740B1 (ko) | 2003-12-23 | 2005-08-08 | 삼성전기주식회사 | 질화물 반도체 발광소자 및 그 제조방법 |
| KR100601506B1 (ko) | 2004-08-24 | 2006-07-19 | 삼성전기주식회사 | 양극 산화에 의한 미세 회로패턴이 형성된 패키지 기판의제조 방법 |
| KR100664985B1 (ko) | 2004-10-26 | 2007-01-09 | 삼성전기주식회사 | 질화물계 반도체 소자 |
| KR100665222B1 (ko) | 2005-07-26 | 2007-01-09 | 삼성전기주식회사 | 확산재료를 이용한 엘이디 패키지 및 그 제조 방법 |
| KR100661614B1 (ko) | 2005-10-07 | 2006-12-26 | 삼성전기주식회사 | 질화물계 반도체 발광소자 및 그 제조방법 |
| KR100723247B1 (ko) | 2006-01-10 | 2007-05-29 | 삼성전기주식회사 | 칩코팅형 ｌｅｄ 패키지 및 그 제조방법 |
| KR100735325B1 (ko) | 2006-04-17 | 2007-07-04 | 삼성전기주식회사 | 발광다이오드 패키지 및 그 제조방법 |
| KR100930171B1 (ko) | 2006-12-05 | 2009-12-07 | 삼성전기주식회사 | 백색 발광장치 및 이를 이용한 백색 광원 모듈 |
| KR100855065B1 (ko) | 2007-04-24 | 2008-08-29 | 삼성전기주식회사 | 발광 다이오드 패키지 |
| KR100982980B1 (ko) | 2007-05-15 | 2010-09-17 | 삼성엘이디 주식회사 | 면 광원 장치 및 이를 구비하는 ｌｃｄ 백라이트 유닛 |
| KR101164026B1 (ko) | 2007-07-12 | 2012-07-18 | 삼성전자주식회사 | 질화물계 반도체 발광소자 및 그 제조방법 |
| KR100891761B1 (ko) | 2007-10-19 | 2009-04-07 | 삼성전기주식회사 | 반도체 발광소자, 그의 제조방법 및 이를 이용한 반도체발광소자 패키지 |
| KR101332794B1 (ko) | 2008-08-05 | 2013-11-25 | 삼성전자주식회사 | 발광 장치, 이를 포함하는 발광 시스템, 상기 발광 장치 및발광 시스템의 제조 방법 |
| KR20100030470A (ko) | 2008-09-10 | 2010-03-18 | 삼성전자주식회사 | 다양한 색 온도의 백색광을 제공할 수 있는 발광 장치 및 발광 시스템 |
| KR101530876B1 (ko) | 2008-09-16 | 2015-06-23 | 삼성전자 주식회사 | 발광량이 증가된 발광 소자, 이를 포함하는 발광 장치, 상기 발광 소자 및 발광 장치의 제조 방법 |
| US8008683B2 (en) | 2008-10-22 | 2011-08-30 | Samsung Led Co., Ltd. | Semiconductor light emitting device |
-
2006
- 2006-03-20 KR KR1020060025454A patent/KR100764386B1/ko active IP Right Grant
-
2007
- 2007-03-09 TW TW096108134A patent/TWI341018B/zh active
- 2007-03-19 JP JP2007069924A patent/JP4959387B2/ja active Active
- 2007-03-19 CN CNB2007100872062A patent/CN100562212C/zh active Active
- 2007-03-19 US US11/723,236 patent/US7998879B2/en active Active
-
2011
- 2011-07-06 US US13/177,276 patent/US20110260198A1/en not_active Abandoned
-
2014
- 2014-11-26 US US14/555,186 patent/US9231167B2/en active Active
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US7998879B2 (en) | 2011-08-16 |
| TW200742016A (en) | 2007-11-01 |
| KR100764386B1 (ko) | 2007-10-08 |
| JP2007258714A (ja) | 2007-10-04 |
| TWI341018B (en) | 2011-04-21 |
| US20070215894A1 (en) | 2007-09-20 |
| US20110260198A1 (en) | 2011-10-27 |
| US20150084089A1 (en) | 2015-03-26 |
| CN101043791A (zh) | 2007-09-26 |
| KR20070095145A (ko) | 2007-09-28 |
| US9231167B2 (en) | 2016-01-05 |
| CN100562212C (zh) | 2009-11-18 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP4741616B2 (ja) | フォトレジスト積層基板の形成方法 | |
| CN100378921C (zh) | 制作半导体芯片主面和背面上包括电极的半导体器件方法 | |
| JP4959387B2 (ja) | 絶縁構造体及びその製造方法 | |
| TW201138165A (en) | High heat-dissipation LED non-metal substrate and manufacturing method thereof and high heat-dissipation LED component and manufacturing method thereof | |
| US20090009281A1 (en) | Fuse element and manufacturing method thereof | |
| US20140041906A1 (en) | Metal heat radiation substrate and manufacturing method thereof | |
| US20080303626A1 (en) | Fuse For a Chip | |
| US20120067623A1 (en) | Heat-radiating substrate and method for manufacturing the same | |
| JPH11121646A (ja) | 半導体パッケ−ジおよびその製造方法 | |
| JPS6260662A (ja) | サ−マルヘツドの製造方法 | |
| US20110232950A1 (en) | Substrate and method for manufacturing the same | |
| JP3539796B2 (ja) | 熱電変換装置 | |
| JP6536442B2 (ja) | めっき付パワーモジュール用基板の製造方法 | |
| JPH02284426A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2020155639A (ja) | モジュールおよびその製造方法 | |
| JP5493020B2 (ja) | 配線基板の製造方法及び半導体パッケージの製造方法 | |
| JP5222663B2 (ja) | 配線基板及び半導体パッケージ | |
| JP6283469B2 (ja) | 少なくとも１つのパワー半導体コンポーネント用の基板を備えて構成されるパワー半導体モジュールの製造方法、及び少なくとも１つのパワー半導体コンポーネント用の基板を作製するための方法 | |
| JP2014039026A (ja) | 電子回路板、アセンブリおよびその関係する方法 | |
| JP2002203875A (ja) | 半導体装置用テープキャリア | |
| TWI378581B (ja) | ||
| JPH0745920A (ja) | 回路基板およびその製造方法 | |
| JPS62177946A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2004165578A (ja) | 配線基板の製造方法 | |
| JPH11163484A (ja) | 混成集積回路装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20100217 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100302 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100602 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100914 |
|
| A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711 Effective date: 20101008 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20101125 |
|
| RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20101125 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110712 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20111011 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20120306 |
|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20120321 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150330 Year of fee payment: 3 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4959387 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150330 Year of fee payment: 3 |
|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313115 |
|
| S631 | Written request for registration of reclamation of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313631 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150330 Year of fee payment: 3 |
|
| R371 | Transfer withdrawn |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R371 |
|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313115 |
|
| S631 | Written request for registration of reclamation of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313631 |
|
| S633 | Written request for registration of reclamation of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313633 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150330 Year of fee payment: 3 |
|
| R371 | Transfer withdrawn |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R371 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150330 Year of fee payment: 3 |
|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313115 |
|
| S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
| S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150330 Year of fee payment: 3 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313117 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |