JPH11163484A - 混成集積回路装置 - Google Patents
混成集積回路装置Info
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- JPH11163484A JPH11163484A JP32454097A JP32454097A JPH11163484A JP H11163484 A JPH11163484 A JP H11163484A JP 32454097 A JP32454097 A JP 32454097A JP 32454097 A JP32454097 A JP 32454097A JP H11163484 A JPH11163484 A JP H11163484A
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- Japan
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- substrate
- film
- integrated circuit
- hybrid integrated
- circuit device
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- Pending
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- Insulated Metal Substrates For Printed Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 一般に熱伝導が考慮されてＡｌ基板が採用さ
れ、絶縁耐圧の点から両面に陽極酸化膜が形成されてい
る。しかしこの膜は、電流を流して陽極酸化するため３
００Å程度の孔が開き、この中に電解質溶液が反応した
硫酸アルミニウムが生成される。ところが高温高湿時に
分離して生成されるイオンが実装面に現れ、特性劣化を
生じた。 【解決手段】 Ａｌ基板１の素子の実装面に対応する面
のＡｌ2Ｏ3を取り除き、この上に接着層を介して絶縁樹
脂３を被覆する。また接着層としては、高温の純水で生
成される水和酸化被膜を生成する。この被膜は針状晶で
あるため、絶縁樹脂層との接着性が向上する。
れ、絶縁耐圧の点から両面に陽極酸化膜が形成されてい
る。しかしこの膜は、電流を流して陽極酸化するため３
００Å程度の孔が開き、この中に電解質溶液が反応した
硫酸アルミニウムが生成される。ところが高温高湿時に
分離して生成されるイオンが実装面に現れ、特性劣化を
生じた。 【解決手段】 Ａｌ基板１の素子の実装面に対応する面
のＡｌ2Ｏ3を取り除き、この上に接着層を介して絶縁樹
脂３を被覆する。また接着層としては、高温の純水で生
成される水和酸化被膜を生成する。この被膜は針状晶で
あるため、絶縁樹脂層との接着性が向上する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は混成集積回路装置に
関し、特にＡｌ基板を用いた混成集積回路装置に関する
ものである。
関し、特にＡｌ基板を用いた混成集積回路装置に関する
ものである。
【０００２】
【従来の技術】混成集積回路装置に用いる基板として、
セラミック、プリント基板、金属基板等があり、色々な
分野で用いられている。これらの基板の内、金属基板は
熱伝導性に優れているため、パワー回路、放熱が必要な
素子が実装されるもの等に応用されている。特にＡｌ基
板は、加工性の点で優れるため、多用されており、例え
ば特公昭４６−１３２３４号公報にＡｌ基板の表面を陽
極酸化したものが詳細に述べられている。
セラミック、プリント基板、金属基板等があり、色々な
分野で用いられている。これらの基板の内、金属基板は
熱伝導性に優れているため、パワー回路、放熱が必要な
素子が実装されるもの等に応用されている。特にＡｌ基
板は、加工性の点で優れるため、多用されており、例え
ば特公昭４６−１３２３４号公報にＡｌ基板の表面を陽
極酸化したものが詳細に述べられている。
【０００３】つまり図２のＡｌ基板１の両面を陽極酸化
することでＡｌ2Ｏ3被膜２が形成され、絶縁樹脂３を介
して導電手段４、５、６、７が被着されている。符号４
は、回路をつなぐ配線、５は外部リードを接続するリー
ドパッド、６はワイヤーボンディングパッド、７はアイ
ランドである。実装される回路素子は、チップ抵抗、チ
ップコンデンサ、半導体素子等であり、特に半導体素子
（トランジスタ、ＩＣ等）は、ランド７に実装され、半
導体素子とパッド６とは金属細線を介して電気的に接続
されている。また図面では省略したが必要によりリード
がパッド５に接続され、全体が封止されている。
することでＡｌ2Ｏ3被膜２が形成され、絶縁樹脂３を介
して導電手段４、５、６、７が被着されている。符号４
は、回路をつなぐ配線、５は外部リードを接続するリー
ドパッド、６はワイヤーボンディングパッド、７はアイ
ランドである。実装される回路素子は、チップ抵抗、チ
ップコンデンサ、半導体素子等であり、特に半導体素子
（トランジスタ、ＩＣ等）は、ランド７に実装され、半
導体素子とパッド６とは金属細線を介して電気的に接続
されている。また図面では省略したが必要によりリード
がパッド５に接続され、全体が封止されている。
【０００４】Ａｌ2Ｏ3膜は、耐蝕性、耐磨耗性、絶縁特
性に優れ、特にＡｌ基板１と導電手段との耐電圧特性、
各製造工程搬送時の裏面のキズ防止として非常に有用な
ものである。しかし特公昭５８−１９１５７号公報（図
３）に示すように、電解質溶液（例えば硫酸浴）での陽
極酸化で電流が流れるため中心に細孔１０を有する円柱
状または六角柱状のセル１１を単位とした蜂の巣状の多
孔質体層１２が形成されている。当初は、この多孔質体
の孔の中に、１５０Å程度のバリア層（Ａｌ2Ｏ3）が形
成されていると考え、そして非常に薄いためこの部分を
介してＡｌが腐食されることを考え封孔処理をしてい
た。
性に優れ、特にＡｌ基板１と導電手段との耐電圧特性、
各製造工程搬送時の裏面のキズ防止として非常に有用な
ものである。しかし特公昭５８−１９１５７号公報（図
３）に示すように、電解質溶液（例えば硫酸浴）での陽
極酸化で電流が流れるため中心に細孔１０を有する円柱
状または六角柱状のセル１１を単位とした蜂の巣状の多
孔質体層１２が形成されている。当初は、この多孔質体
の孔の中に、１５０Å程度のバリア層（Ａｌ2Ｏ3）が形
成されていると考え、そして非常に薄いためこの部分を
介してＡｌが腐食されることを考え封孔処理をしてい
た。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかし完全に封孔処理
すると、孔の中に水酸化アルミニウムが密に充填され、
これを２００度程度に加熱すると、水酸化アルミニウム
とＡｌの熱膨張係数の違いからクラックが発生した。こ
のため前公報のように、１００度に近い熱湯やスチーム
雰囲気の中で処理し、孔に半封孔１２を形成していた。
すると、孔の中に水酸化アルミニウムが密に充填され、
これを２００度程度に加熱すると、水酸化アルミニウム
とＡｌの熱膨張係数の違いからクラックが発生した。こ
のため前公報のように、１００度に近い熱湯やスチーム
雰囲気の中で処理し、孔に半封孔１２を形成していた。
【０００６】ところが硫酸浴で陽極酸化するため孔１１
の表面には、符号１３で示す被膜が形成され、この被膜
は、硫酸アルミニウム（Ａｌ２（ＳＯ4）3）が多く含ま
れた層となっていることが判った。しかも、例えばセル
の高さは、例えば５〜２０μｍ程度、孔の径は３００〜
５００Å程度であり、硫酸浴で陽極酸化した後、この硫
酸を取り除こうとしても、この孔に取り込まれた硫酸水
は、なかなか取り除くことができないことは、毛細管現
象からも明らかであった。しかも高温多湿になると、こ
の硫酸が、イオンに分離し、絶縁樹脂層３に、また絶縁
樹脂層３を介して配線パターンの形成された表面に移動
し、Ａｌ基板と配線間の絶縁寿命、また微細パターンに
於いては、配線と配線の耐圧等色々な所で特性を悪化さ
せる問題があった。
の表面には、符号１３で示す被膜が形成され、この被膜
は、硫酸アルミニウム（Ａｌ２（ＳＯ4）3）が多く含ま
れた層となっていることが判った。しかも、例えばセル
の高さは、例えば５〜２０μｍ程度、孔の径は３００〜
５００Å程度であり、硫酸浴で陽極酸化した後、この硫
酸を取り除こうとしても、この孔に取り込まれた硫酸水
は、なかなか取り除くことができないことは、毛細管現
象からも明らかであった。しかも高温多湿になると、こ
の硫酸が、イオンに分離し、絶縁樹脂層３に、また絶縁
樹脂層３を介して配線パターンの形成された表面に移動
し、Ａｌ基板と配線間の絶縁寿命、また微細パターンに
於いては、配線と配線の耐圧等色々な所で特性を悪化さ
せる問題があった。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は上記課題に鑑み
成されたもので、第１に、実装面に対応するＡｌ基板の
陽極酸化膜が取り除かれて露出したＡｌ基板と、前記露
出したＡｌ基板と絶縁樹脂とを接着し、前記露出したＡ
ｌ基板と前記絶縁樹脂の間に設けられた接着層とを有す
ることで解決するものである。
成されたもので、第１に、実装面に対応するＡｌ基板の
陽極酸化膜が取り除かれて露出したＡｌ基板と、前記露
出したＡｌ基板と絶縁樹脂とを接着し、前記露出したＡ
ｌ基板と前記絶縁樹脂の間に設けられた接着層とを有す
ることで解決するものである。
【０００８】第２に、導電パターンの代わりに導電手段
が形成されたフレキシブルシートが前記絶縁樹脂により
貼り合わされることで解決するものである。第３に、接
着層を、水和酸化被膜とすことで解決するものである。
第４に、前記露出したＡｌ基板に生ずる自然酸化膜を取
り除くことで解決するものである。
が形成されたフレキシブルシートが前記絶縁樹脂により
貼り合わされることで解決するものである。第３に、接
着層を、水和酸化被膜とすことで解決するものである。
第４に、前記露出したＡｌ基板に生ずる自然酸化膜を取
り除くことで解決するものである。
【０００９】前述したようにセルに孔が有るため、特性
に悪影響を与えるイオン（２価のＳＯ4イオン）が取り
込まれるのであるから、これを防止するには実装面に成
るＡｌ基板表面のＡｌ2Ｏ3を取り除けばよい。しかしＡ
ｌ金属表面と絶縁樹脂との接着性が非常に悪いため、Ａ
ｌ2Ｏ3に変わる接着層を付けることで、絶縁樹脂との接
着を高めている。
に悪影響を与えるイオン（２価のＳＯ4イオン）が取り
込まれるのであるから、これを防止するには実装面に成
るＡｌ基板表面のＡｌ2Ｏ3を取り除けばよい。しかしＡ
ｌ金属表面と絶縁樹脂との接着性が非常に悪いため、Ａ
ｌ2Ｏ3に変わる接着層を付けることで、絶縁樹脂との接
着を高めている。
【００１０】また外部機器との接続を考えると、導電手
段が設けられたフレキシブルシートをＡｌ基板に貼り合
わせることがあり、自動車、エアコン、ＣＤ−ＲＯＭ、
モータ等で好適である。特に実装雰囲気を考えると、前
記イオンが出てくることが考えられる。従って、この場
合にも有効である。またＡｌ2Ｏ3の代わりに、防蝕性被
膜が形成可能であり、いわゆるベーマイト処理と呼ぶ方
法で、Ａｌ2Ｏ3とＡｌＯＯＨの水和酸化物被膜を形成す
ることで良好な特性を得ることができる。特にＡｌＯＯ
Ｈが強い耐蝕性を有する。またこの水和酸化物被膜は、
高温の純水、加圧水蒸気で形成され、電気を通さないの
で陽極酸化で形成されるような孔が形成されず、不純物
イオンのトラップも防止できる。また表面に微細な針状
晶突起が生成されるため、絶縁樹脂との接着性も向上で
きる。またこの被膜は、強制的に電流を流すのと違うの
で〜２μｍ程度しか成長せず、従来の１０μｍ〜の厚み
のＡｌ2Ｏ3膜よりも１／１０〜程度薄くなるため、熱抵
抗も下がる。
段が設けられたフレキシブルシートをＡｌ基板に貼り合
わせることがあり、自動車、エアコン、ＣＤ−ＲＯＭ、
モータ等で好適である。特に実装雰囲気を考えると、前
記イオンが出てくることが考えられる。従って、この場
合にも有効である。またＡｌ2Ｏ3の代わりに、防蝕性被
膜が形成可能であり、いわゆるベーマイト処理と呼ぶ方
法で、Ａｌ2Ｏ3とＡｌＯＯＨの水和酸化物被膜を形成す
ることで良好な特性を得ることができる。特にＡｌＯＯ
Ｈが強い耐蝕性を有する。またこの水和酸化物被膜は、
高温の純水、加圧水蒸気で形成され、電気を通さないの
で陽極酸化で形成されるような孔が形成されず、不純物
イオンのトラップも防止できる。また表面に微細な針状
晶突起が生成されるため、絶縁樹脂との接着性も向上で
きる。またこの被膜は、強制的に電流を流すのと違うの
で〜２μｍ程度しか成長せず、従来の１０μｍ〜の厚み
のＡｌ2Ｏ3膜よりも１／１０〜程度薄くなるため、熱抵
抗も下がる。
【００１１】しかし自然酸化膜がＡｌ基板に生成されて
いると、この水和酸化物が生成されにくく、前記厚みま
で到達しにくいので、自然酸化膜を取り除くことで、水
和酸化物の成長を促すことができる。
いると、この水和酸化物が生成されにくく、前記厚みま
で到達しにくいので、自然酸化膜を取り除くことで、水
和酸化物の成長を促すことができる。
【００１２】
【発明の実施の形態】以下に本発明の実施形態に係る混
成集積回路装置を説明する。図１は、実装面上の水和酸
化物被膜を除いて従来例の図２と実質同じであり、一実
施の形態である。つまりＡｌ基板１の一方の面は陽極酸
化することでＡｌ2Ｏ3被膜２が形成され、他方の面は、
Ａｌ2Ｏ3膜が生成されていないか、または前記陽極酸化
時に両面にＡｌ2Ｏ3膜を形成し、その後Ａｌ2Ｏ3を除去
している。
成集積回路装置を説明する。図１は、実装面上の水和酸
化物被膜を除いて従来例の図２と実質同じであり、一実
施の形態である。つまりＡｌ基板１の一方の面は陽極酸
化することでＡｌ2Ｏ3被膜２が形成され、他方の面は、
Ａｌ2Ｏ3膜が生成されていないか、または前記陽極酸化
時に両面にＡｌ2Ｏ3膜を形成し、その後Ａｌ2Ｏ3を除去
している。
【００１３】本発明のポイントは、Ａｌ基板に於いて実
装面には陽極酸化で生成したＡｌ2Ｏ3膜を採用しない事
である。従来例でも述べたように、硫酸浴で陽極酸化す
るため図３の如く、孔１１の表面には、符号１３で示す
硫酸アルミニウム（Ａｌ２（ＳＯ4）3）が多く含まれた
層となっていることが判った。しかも、セルの高さは、
１０μｍ〜程度、孔の径は３００〜５００Å程度であ
り、硫酸浴で陽極酸化した後、この硫酸を取り除こうと
しても、この孔に取り込まれた硫酸水は、なかなか取り
除くことができないことは、毛細管現象からも明らかで
あった。
装面には陽極酸化で生成したＡｌ2Ｏ3膜を採用しない事
である。従来例でも述べたように、硫酸浴で陽極酸化す
るため図３の如く、孔１１の表面には、符号１３で示す
硫酸アルミニウム（Ａｌ２（ＳＯ4）3）が多く含まれた
層となっていることが判った。しかも、セルの高さは、
１０μｍ〜程度、孔の径は３００〜５００Å程度であ
り、硫酸浴で陽極酸化した後、この硫酸を取り除こうと
しても、この孔に取り込まれた硫酸水は、なかなか取り
除くことができないことは、毛細管現象からも明らかで
あった。
【００１４】そのため、陽極酸化膜を生成しなければ、
この孔がないために、特性の劣化を防止することができ
る。この点を考慮し、考えられる構造は以下のようであ
る。 タイプ１：基板裏面にはＡｌ2Ｏ3膜を残しておく。 その理由は、陽極酸化膜は２０μｍと厚く、耐蝕性、耐
磨耗性に優れ、製造工程中の搬送時にキズが入りにく
い。従ってこのキズを介してエッチング液等の腐食液が
Ａｌに到達しないため、きれいで信頼性のあるＡｌ基板
を実現できる。
この孔がないために、特性の劣化を防止することができ
る。この点を考慮し、考えられる構造は以下のようであ
る。 タイプ１：基板裏面にはＡｌ2Ｏ3膜を残しておく。 その理由は、陽極酸化膜は２０μｍと厚く、耐蝕性、耐
磨耗性に優れ、製造工程中の搬送時にキズが入りにく
い。従ってこのキズを介してエッチング液等の腐食液が
Ａｌに到達しないため、きれいで信頼性のあるＡｌ基板
を実現できる。
【００１５】Ａｌ基板の非実装面（例えば片面だけ実
装する場合は、裏面となる）は、Ａｌ2Ｏ3膜を付ける。
実装面は、Ａｌ2Ｏ3膜を生成させないか、陽極酸化時に
両面に形成し、その後取り除いておく。そして導電手段
が被着される絶縁樹脂層またはフレキシブルシートは、
接着層を介して貼り合わされる。また接着層の代わり
に、Ａｌ基板表面を梨地または凹凸にする構造も考えら
れる。
装する場合は、裏面となる）は、Ａｌ2Ｏ3膜を付ける。
実装面は、Ａｌ2Ｏ3膜を生成させないか、陽極酸化時に
両面に形成し、その後取り除いておく。そして導電手段
が被着される絶縁樹脂層またはフレキシブルシートは、
接着層を介して貼り合わされる。また接着層の代わり
に、Ａｌ基板表面を梨地または凹凸にする構造も考えら
れる。
【００１６】に於いて、接着層としてベーマイト処
理した水和酸化物被膜２１を生成させる。 タイプ２：基板裏面は、Ａｌが露出されている、または
その表面に水和酸化物被膜２１が生成されている。 どちらかと言えば、タイプ１の方が好ましい。つまり、
製造工程中の搬送時にキズが入り易い。水和酸化物２１
も２μｍ程度しか成長できないので、キズが入りやす
い。またこのキズを介してエッチング液等で腐食され、
美観、信頼性共に劣る。しかしこのキズや腐食を防止す
るため、耐蝕性、磨耗性の優れたシートを貼り合わせれ
ばよい。
理した水和酸化物被膜２１を生成させる。 タイプ２：基板裏面は、Ａｌが露出されている、または
その表面に水和酸化物被膜２１が生成されている。 どちらかと言えば、タイプ１の方が好ましい。つまり、
製造工程中の搬送時にキズが入り易い。水和酸化物２１
も２μｍ程度しか成長できないので、キズが入りやす
い。またこのキズを介してエッチング液等で腐食され、
美観、信頼性共に劣る。しかしこのキズや腐食を防止す
るため、耐蝕性、磨耗性の優れたシートを貼り合わせれ
ばよい。
【００１７】Ａｌ基板の非実装面（例えば片面だけ実
装する場合は、裏面となる）は、Ａｌ2Ｏ3膜が無く、シ
ートが貼り合わされる実装面としてを採用。 Ａｌ基板の非実装面（例えば片面だけ実装する場合
は、裏面となる）は、Ａｌ2Ｏ3膜が無く、シートが貼り
合わされる実装面としてを採用。 Ａｌ基板の非実装面（例えば片面だけ実装する場合
は、裏面となる）は、水和酸化物被膜が生成され、更に
シートが貼り合わされる実装面としてを採用。
装する場合は、裏面となる）は、Ａｌ2Ｏ3膜が無く、シ
ートが貼り合わされる実装面としてを採用。 Ａｌ基板の非実装面（例えば片面だけ実装する場合
は、裏面となる）は、Ａｌ2Ｏ3膜が無く、シートが貼り
合わされる実装面としてを採用。 Ａｌ基板の非実装面（例えば片面だけ実装する場合
は、裏面となる）は、水和酸化物被膜が生成され、更に
シートが貼り合わされる実装面としてを採用。
【００１８】Ａｌ基板の非実装面（例えば片面だけ実
装する場合は、裏面となる）は、水和酸化物被膜が生成
され、更にシートが貼り合わされる実装面としてを採
用。 以上の構成で、更に絶縁樹脂３またはフレキシブルシー
ト２０を介して図２で示した導電手段４、５、６、７が
被着されている。符号４は、回路をつなぐ配線、５は外
部リードを接続するリードパッド、６はワイヤーボンデ
ィングパッド、７はアイランドである。このフレキシブ
ルシートは、ポリイミドフィルムまたはポリエチレンテ
レフタレート等が好ましい。
装する場合は、裏面となる）は、水和酸化物被膜が生成
され、更にシートが貼り合わされる実装面としてを採
用。 以上の構成で、更に絶縁樹脂３またはフレキシブルシー
ト２０を介して図２で示した導電手段４、５、６、７が
被着されている。符号４は、回路をつなぐ配線、５は外
部リードを接続するリードパッド、６はワイヤーボンデ
ィングパッド、７はアイランドである。このフレキシブ
ルシートは、ポリイミドフィルムまたはポリエチレンテ
レフタレート等が好ましい。
【００１９】実装される回路素子は、チップ抵抗、チッ
プコンデンサ、半導体素子等であり、特に半導体素子
（トランジスタ、ＩＣ等）は、ランド７に実装され、半
導体素子とパッド６とは金属細線を介して電気的に接続
されている。また図面では省略したが必要によりリード
がパッド５に接続され、全体が封止されている。封止方
法は、混成集積回路基板の上に蓋をかぶせるような形状
の手段、一般にはケース材と呼ばれているものを採用し
て封止している。この構造は、中空構造やこの中に別途
樹脂が注入されているものである。
プコンデンサ、半導体素子等であり、特に半導体素子
（トランジスタ、ＩＣ等）は、ランド７に実装され、半
導体素子とパッド６とは金属細線を介して電気的に接続
されている。また図面では省略したが必要によりリード
がパッド５に接続され、全体が封止されている。封止方
法は、混成集積回路基板の上に蓋をかぶせるような形状
の手段、一般にはケース材と呼ばれているものを採用し
て封止している。この構造は、中空構造やこの中に別途
樹脂が注入されているものである。
【００２０】また、半導体ＩＣのモールド方法として有
名なトランスファーモールド、インジェクションモール
ド、ＩＣチップ１２や金属細線の部分に樹脂を塗布する
ポッティング法等で封止されている。続いて、ベーマイ
ト処理による水和酸化物被膜について説明する。ベーマ
イト（Ｂｏｅｈｍｉｔｅ）被膜は、主にＡｌ2Ｏ3とＡｌ
ＯＯＨとから成り、後者のＡｌＯＯＨは、強い耐蝕性
（耐酸性、耐アルカリ性）を有するものである。また高
温の純水、高温の水蒸気で形成できるため、廃液処理の
面で環境に優しい方法である。
名なトランスファーモールド、インジェクションモール
ド、ＩＣチップ１２や金属細線の部分に樹脂を塗布する
ポッティング法等で封止されている。続いて、ベーマイ
ト処理による水和酸化物被膜について説明する。ベーマ
イト（Ｂｏｅｈｍｉｔｅ）被膜は、主にＡｌ2Ｏ3とＡｌ
ＯＯＨとから成り、後者のＡｌＯＯＨは、強い耐蝕性
（耐酸性、耐アルカリ性）を有するものである。また高
温の純水、高温の水蒸気で形成できるため、廃液処理の
面で環境に優しい方法である。
【００２１】製法は、高温の純水、高温加圧水蒸気で化
成処理する事で水和酸化物被膜が生成される。反応は、
２Ａｌと４Ｈ2Ｏで２ＡｌＯＯＨと３Ｈ2が生成される。
詳しくは、陽極では、 ２Ａｌ→Ａｌ（３＋）＋３ｅ （ここで（）の中は、プラス３価を意味する。） 陰極では、 ３Ｈ2Ｏ＋３ｅ→３ＯＨ（−）＋（２／３）Ｈ2 が反応として起こり、 Ａｌ（３＋）＋２ＯＨ（−）→Ａｌ・Ｏ・ＯＨ＋Ｈ
（＋） ２Ａｌ（３＋）＋６ＯＨ（−）→Ａｌ2Ｏ3・nH2Ｏ＋
（３−ｎ）Ｈ2Ｏ （ｎ＝０〜３ ｎ＝１は、ベーマイト、ｎ＝３はバイ
ヤライトと呼ぶ。） のような反応が生じていると考えられている。
成処理する事で水和酸化物被膜が生成される。反応は、
２Ａｌと４Ｈ2Ｏで２ＡｌＯＯＨと３Ｈ2が生成される。
詳しくは、陽極では、 ２Ａｌ→Ａｌ（３＋）＋３ｅ （ここで（）の中は、プラス３価を意味する。） 陰極では、 ３Ｈ2Ｏ＋３ｅ→３ＯＨ（−）＋（２／３）Ｈ2 が反応として起こり、 Ａｌ（３＋）＋２ＯＨ（−）→Ａｌ・Ｏ・ＯＨ＋Ｈ
（＋） ２Ａｌ（３＋）＋６ＯＨ（−）→Ａｌ2Ｏ3・nH2Ｏ＋
（３−ｎ）Ｈ2Ｏ （ｎ＝０〜３ ｎ＝１は、ベーマイト、ｎ＝３はバイ
ヤライトと呼ぶ。） のような反応が生じていると考えられている。
【００２２】このようにして生成されるベーマイト被膜
は、化学的に安定で緻密な膜となり、またＡｌ基板から
生成で成るためＡｌ基板との付着力が高い。また図４の
ように針状晶の膜であり、絶縁樹脂との接着性が良い。
またベーマイト被膜は、１μｍ程度の膜厚が限度で、反
応促進剤としてアンモニアまたはアルコールアミンを添
加しても２μｍ程度が限度である。従って、非常に薄い
膜であり、実装面に生成させると、従来生成したＡｌ2
Ｏ3膜が１０μｍ〜であることから、熱抵抗を従来より
も非常に小さくすることができる。またこの被膜を生成
するに当たり、自然酸化膜が生成されていると、この反
応が非常に起こりにくいことから、自然酸化膜は取り除
いた方がよい。
は、化学的に安定で緻密な膜となり、またＡｌ基板から
生成で成るためＡｌ基板との付着力が高い。また図４の
ように針状晶の膜であり、絶縁樹脂との接着性が良い。
またベーマイト被膜は、１μｍ程度の膜厚が限度で、反
応促進剤としてアンモニアまたはアルコールアミンを添
加しても２μｍ程度が限度である。従って、非常に薄い
膜であり、実装面に生成させると、従来生成したＡｌ2
Ｏ3膜が１０μｍ〜であることから、熱抵抗を従来より
も非常に小さくすることができる。またこの被膜を生成
するに当たり、自然酸化膜が生成されていると、この反
応が非常に起こりにくいことから、自然酸化膜は取り除
いた方がよい。
【００２３】一方、このベーマイト被膜は、２μｍ程度
しか成長できず、機械的磨耗によりすぐにキズが入るの
で、金属基板の裏面に形成するのは好ましくない。つま
り製造工程の中でエッチャント等の腐食液にさらされる
からである。この場合、耐薬品、耐磨耗性の優れた樹脂
シートを貼り合わせれば、実施可能である。またキズの
入らない工程であれば、裏面に形成されたベーマイト被
膜は、耐蝕性があるのでエッチング時のマスクとして働
かせることができる。
しか成長できず、機械的磨耗によりすぐにキズが入るの
で、金属基板の裏面に形成するのは好ましくない。つま
り製造工程の中でエッチャント等の腐食液にさらされる
からである。この場合、耐薬品、耐磨耗性の優れた樹脂
シートを貼り合わせれば、実施可能である。またキズの
入らない工程であれば、裏面に形成されたベーマイト被
膜は、耐蝕性があるのでエッチング時のマスクとして働
かせることができる。
【００２４】
【発明の効果】以上説明したように、第１に、実装面に
対応するＡｌ基板の陽極酸化膜が取り除かれて露出した
Ａｌ基板と、前記露出したＡｌ基板と絶縁樹脂とを接着
し、前記露出したＡｌ基板と前記絶縁樹脂の間に設けら
れた接着層とを有することで、従来生成された孔を有す
るセルが取り除かれるので、特性に悪影響を与える薬
品、イオン、重金属等が取り込まれない。従って耐電圧
特性が向上し、しかも微細パターンの生成に優れた混成
集積回路装置を実現できる。
対応するＡｌ基板の陽極酸化膜が取り除かれて露出した
Ａｌ基板と、前記露出したＡｌ基板と絶縁樹脂とを接着
し、前記露出したＡｌ基板と前記絶縁樹脂の間に設けら
れた接着層とを有することで、従来生成された孔を有す
るセルが取り除かれるので、特性に悪影響を与える薬
品、イオン、重金属等が取り込まれない。従って耐電圧
特性が向上し、しかも微細パターンの生成に優れた混成
集積回路装置を実現できる。
【００２５】第２に、導電パターンの代わりに導電手段
が形成されたフレキシブルシートを前記絶縁樹脂により
貼り合わせても前述した効果を有する。第３に、接着層
を、水和酸化被膜とすることで、絶縁樹脂との接着性を
向上させると同時に、第１の効果を有した混成集積回路
装置を実現できる。またこの被膜が薄く形成されるた
め、熱抵抗が低下し、より放熱性の高い混成集積回路基
板を実現できる。
が形成されたフレキシブルシートを前記絶縁樹脂により
貼り合わせても前述した効果を有する。第３に、接着層
を、水和酸化被膜とすることで、絶縁樹脂との接着性を
向上させると同時に、第１の効果を有した混成集積回路
装置を実現できる。またこの被膜が薄く形成されるた
め、熱抵抗が低下し、より放熱性の高い混成集積回路基
板を実現できる。
【００２６】更に、第４として、前記露出したＡｌ基板
に生ずる自然酸化膜を取り除くことで、前記被膜の成長
速度を早めることができる。従って、自動車、エアコ
ン、ＣＤ−ＲＯＭ、モータ等の実装雰囲気のひどい環境
でも、混成集積回路装置の劣化を防止でき、信頼性の向
上を実現できる。
に生ずる自然酸化膜を取り除くことで、前記被膜の成長
速度を早めることができる。従って、自動車、エアコ
ン、ＣＤ−ＲＯＭ、モータ等の実装雰囲気のひどい環境
でも、混成集積回路装置の劣化を防止でき、信頼性の向
上を実現できる。
【図１】本発明の混成集積回路装置を説明する斜視図で
ある。
ある。
【図２】従来の混成集積回路装置を説明する斜視図であ
る。
る。
【図３】従来用いたＡｌ2Ｏ3膜の構造を説明する図であ
る。
る。
【図４】本発明の混成集積回路装置に用いるベーマイト
被膜を説明する図である。
被膜を説明する図である。
１ Ａｌ基板 ２ Ａｌ2Ｏ3膜 ３ 絶縁樹脂 ４〜７ 導電手段 １０ 孔 １１ セル ２１ ベーマイト被膜
Claims (4)
- 【請求項１】 少なくとも実装面が陽極酸化されたＡｌ
基板と、このＡｌ基板の実装面に絶縁性樹脂を介して貼
り付けられたパターン化された導電手段と、この導電手
段と電気的に接続され、前記Ａｌ基板に実装された回路
素子とを少なくとも有する混成集積回路装置に於いて、 前記実装面に対応する前記Ａｌ基板の陽極酸化膜が取り
除かれて露出したＡｌ基板と、前記露出したＡｌ基板と
前記絶縁樹脂とを接着し、前記露出したＡｌ基板と前記
絶縁樹脂の間に設けられた接着層とを有することを特徴
とした混成集積回路装置。 - 【請求項２】 前記導電パターンの代わりに導電手段が
形成されたフレキシブルシートが前記絶縁樹脂により貼
り合わされる請求項１記載の混成集積回路装置。 - 【請求項３】 前記接着層は、水和酸化被膜で成る請求
項１または２記載の混成集積回路装置。 - 【請求項４】 前記露出したＡｌ基板に生ずる自然酸化
膜が取り除かれている請求項３記載の混成集積回路装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32454097A JPH11163484A (ja) | 1997-11-26 | 1997-11-26 | 混成集積回路装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32454097A JPH11163484A (ja) | 1997-11-26 | 1997-11-26 | 混成集積回路装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11163484A true JPH11163484A (ja) | 1999-06-18 |
Family
ID=18166951
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP32454097A Pending JPH11163484A (ja) | 1997-11-26 | 1997-11-26 | 混成集積回路装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11163484A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6048193A (en) * | 1999-01-22 | 2000-04-11 | Honeywell Inc. | Modulated burner combustion system that prevents the use of non-commissioned components and verifies proper operation of commissioned components |
-
1997
- 1997-11-26 JP JP32454097A patent/JPH11163484A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6048193A (en) * | 1999-01-22 | 2000-04-11 | Honeywell Inc. | Modulated burner combustion system that prevents the use of non-commissioned components and verifies proper operation of commissioned components |
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