JP4959029B1 - 電子写真感光体の製造方法 - Google Patents
電子写真感光体の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4959029B1 JP4959029B1 JP2011553207A JP2011553207A JP4959029B1 JP 4959029 B1 JP4959029 B1 JP 4959029B1 JP 2011553207 A JP2011553207 A JP 2011553207A JP 2011553207 A JP2011553207 A JP 2011553207A JP 4959029 B1 JP4959029 B1 JP 4959029B1
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode
- cylindrical substrate
- voltage
- potential
- photosensitive member
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/043—Photoconductive layers characterised by having two or more layers or characterised by their composite structure
- G03G5/0433—Photoconductive layers characterised by having two or more layers or characterised by their composite structure all layers being inorganic
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
- C23C16/24—Deposition of silicon only
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
- C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
- C23C16/32—Carbides
- C23C16/325—Silicon carbide
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/50—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
- C23C16/515—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using pulsed discharges
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/08—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic
- G03G5/082—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic and not being incorporated in a bonding material, e.g. vacuum deposited
- G03G5/08214—Silicon-based
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/08—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic
- G03G5/082—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic and not being incorporated in a bonding material, e.g. vacuum deposited
- G03G5/08214—Silicon-based
- G03G5/08278—Depositing methods
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
- H01J37/32018—Glow discharge
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
- H01J37/32018—Glow discharge
- H01J37/32036—AC powered
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/3244—Gas supply means
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/3244—Gas supply means
- H01J37/32449—Gas control, e.g. control of the gas flow
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32715—Workpiece holder
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
電極および円筒状基体の一方の電位に対する他方の電位が交互に正と負になるように、周波数3kHz以上300kHz以下の矩形波の交播電圧を電極と円筒状基体の間に印加して、原料ガスを分解し、円筒状基体上に堆積膜を形成して、電子写真感光体を製造するにあたり、前記正になるときの電極と円筒状基体の電位差の絶対値および前記負になるときの電極と円筒状基体の電位差の絶対値の一方が放電維持電圧の絶対値未満の値であって、他方が放電開始電圧の絶対値以上の値であるようにする。
【選択図】図1A
Description
(i)内部に電極を有する減圧可能な反応容器の内部に、前記電極と離間させて円筒状基体を設置する工程と、
(ii)前記反応容器の内部に堆積膜形成用の原料ガスを導入する工程と、
(iii)前記電極および前記円筒状基体の一方の電位に対する他方の電位が交互に正と負になるように、周波数3kHz以上300kHz以下の矩形波の交播電圧を前記電極と前記円筒状基体との間に印加して、前記原料ガスを分解し、前記円筒状基体上に堆積膜を形成する工程と、
を有するプラズマCVD法によって電子写真感光体を製造する方法において、
前記正になるときの前記電極と前記円筒状基体の電位差の絶対値および前記負になるときの前記電極と前記円筒状基体の電位差の絶対値の一方が放電維持電圧の絶対値未満の値(V1)であって、他方が放電開始電圧の絶対値以上の値(V2)であることを特徴とする電子写真感光体の製造方法である。
(i)内部に電極を有する減圧可能な反応容器の内部に、前記電極と離間させて円筒状基体を設置する工程と、
(ii)前記反応容器の内部に堆積膜形成用の原料ガスを導入する工程と、
(iii)前記電極および前記円筒状基体の一方の電位に対する他方の電位が交互に正と負になるように、周波数3kHz以上300kHz以下の矩形波の交播電圧を前記電極と前記円筒状基体との間に印加して、前記原料ガスを分解し、前記円筒状基体上に堆積膜を形成する工程と、
を有するプラズマCVD法によって電子写真感光体を製造する方法において、
前記正になるときの前記電極と前記円筒状基体の電位差の絶対値および前記負になるときの前記電極と前記円筒状基体の電位差の絶対値の一方が放電維持電圧の絶対値未満の値(V1)であって、他方が放電開始電圧の絶対値以上の値(V2)であることを特徴としている。
図1Aは、電極の電位をアース電位で一定とし、電極の電位に対する円筒状基体の電位が交互に正と負になるように矩形波の交播電圧を電極と円筒状基体との間に印加した場合の円筒状基体の電位の変化を示す図である。図1Aの例では、電極の電位に対する円筒状基体の電位が正になるときの電極と円筒状基体の電位差の絶対値が放電維持電圧の絶対値未満の値(V1)となっており、負になるときの電極と円筒状基体の電位差の絶対値が放電開始電圧の絶対値以上の値(V2)となっている。図1Aの例では、電極の電位を一定としているため、円筒状基体の電位が図1Aに示すように矩形状に変化する。
電極と円筒状基体との間の放電は、電極と円筒状基体との間にわずかながら存在している電子が電界によって正電位側に運ばれ、その途中でガス分子に衝突してこれを電離させて、電子とイオンを生成するα作用が継続することによって始まる。この電離を生じさせるためには、衝突時の電子のエネルギーが、ガス分子の電離エネルギー以上であることが必要となる。電子がガス分子に衝突する際のエネルギーは、電界が大きくなるほど、すなわち、電極と円筒状基体との間に印加する電圧が大きくなるほど大きくなる。電極と円筒状基体との間に印加する電圧を徐々に上げていき、電子がガス分子に衝突する際のエネルギーがガス分子の電離エネルギーに達すると、ガス分子の電離によって電極と円筒状基体との間に存在する電子が増加して、衝突によるガス分子の電離が継続して起こることで放電が始まる。この放電が始まる時点の電圧を放電開始電圧という。
旋盤などを用いて表面に鏡面加工を施した円筒状基体212(212A、212B)を、基体ホルダー213A、213Bに装着し、反応容器211内の円筒状基体加熱用のヒーター216を包含するように反応容器211内に設置する。
実施例1および比較例1では、電極の電位をアース電位で一定とし、電極の電位に対する円筒状基体の電位が交互に正と負になるようにし、電極の電位に対する円筒状基体の電位が正になるときの電極と円筒状基体の電位差の絶対値が放電維持電圧の絶対値未満の値(V1)、負になるときの電極と円筒状基体の電位差の絶対値が放電開始電圧の絶対値以上の値(V2)となるようにし、電極と円筒状基体との間に印加する矩形波の交播電圧の周波数を60kHzとし、Duty比を50%として、光導電層の堆積膜形成時のV1に対する電子写真特性の依存性を調べた。なお、電極の電位がアース電位(0V)であるため、V1、V2は、それぞれ、電極と円筒状基体の電位差の絶対値がV1、V2となったときの円筒状基体の電位の絶対値と同じ値である。
画像欠陥については、以下のように評価した。
A・・・8個以下
B・・・9個以上16個以下
C・・・17個以上29個以下
D・・・30個以上
ランクDでは、本発明の効果が得られていないと判断した。
光メモリーについては、以下のように評価した。
A・・・0.0V以上1.0V未満
B・・・1.0V以上2.0V未満
C・・・2.0V以上3.0V未満
D・・・3.0V以上
ランクDでは、出力画像上で濃度差が明確に確認できるレベルであり、本発明の効果が得られていないと判断した。
電子写真感光体の膜厚を以下の測定点で測定した。
A・・・3.0%未満
B・・・3.0%以上4.0%未満
C・・・4.0%以上5.0%未満
D・・・5.0%以上
ランクDでは、膜厚ムラに応じた濃度差が出力画像で確認できる場合があるため、本発明の効果が得られていないと判断した。
総合評価として、画像欠陥、光メモリーおよび膜厚均一性のそれぞれのランクで最も低い評価ランクを総合評価として示す。
下部注入阻止層、光導電層、上部注入阻止層および表面層の堆積膜形成時の周波数を10kHzに変更した以外は、実施例1と同様にして電子写真感光体を製造した。ただし、光導電層の堆積膜形成時のV1については、表5に示す条件とした。
下部注入阻止層、光導電層、上部注入阻止層および表面層の堆積膜形成時の周波数を100kHzに変更した以外は、実施例1と同様にして電子写真感光体を製造した。ただし、光導電層の堆積膜形成時のV1については、表7に示す条件とした。
実施例1および比較例1から内圧を400Paに変更し、周波数を10kHzに変更し、Duty比を80%に変更して、表10に示す条件で堆積膜を形成し、電子写真感光体を製造した。光導電層の堆積膜形成時のV1については、表11に示す条件とした。
下部注入阻止層、光導電層、上部注入阻止層および表面層の堆積膜形成時の周波数を60kHzに変更した以外は、実施例4と同様にして電子写真感光体を製造した。ただし、光導電層の堆積膜形成時のV1については、表13に示す条件とした。
実施例1および比較例1から内圧を40Paに変更し、周波数を10kHzに変更し、Duty比を20%に変更して、表16に示す条件で堆積膜を形成し、電子写真感光体を製造した。光導電層の堆積膜形成時のV1については、表17に示す条件とした。
下部注入阻止層、光導電層、上部注入阻止層および表面層の堆積膜形成時の周波数を60kHzに変更した以外は、実施例6と同様にして電子写真感光体を製造した。ただし、光導電層の堆積膜形成時のV1については、表19に示す条件とした。
実施例1および比較例1と同じプラズマCVD装置を用いて、実施例1とは直径が異なる円筒状基体(直径108mm、長さ358mm、厚さ5mmの鏡面加工を施したアルミニウム製の円筒状基体)上に表22に示す条件で堆積膜を形成し、電子写真感光体を製造した。
図5AおよびB(以下まとめて「図5」とも表記する。)に示すプラズマCVD装置を用いて、円筒状基体(直径84mm、長さ370mm、厚さ3mmの鏡面加工を施したアルミニウム製の円筒状基体)上に表25に示す条件で堆積膜を形成し、電子写真感光体を製造した。なお、下部注入阻止層、光導電層、上部注入阻止層および表面層の堆積膜形成時の円筒状基体の温度、膜厚および周波数に関しては、実施例1と同様にした。また、図5中、515Aはヒーター516と円筒状基体512(512A、512B)とを絶縁するための絶縁部材であり、515Bはヒーター516と支軸522とを絶縁するための絶縁部材である。また、517Aおよび517Bは基体ホルダー513Aおよび513Bの内側に接合している接合電極であり、518Aは上蓋520に取り付けられた絶縁板であり、518Bはベースプレート519に取り付けられた絶縁板である。また、519は接地されたベースプレートであり、520は接地された上蓋である。521は円筒状基体512(512A、512B)を所定の速度で回転させるためのモーターである。また、523は真空計であり、524は原料ガス流入バルブであり、525は原料ガス混合装置であり、526は反応容器511の排気口に連通された排気配管であり、527は排気メインバルブであり、528は真空ポンプである。制御部530は電源531の出力を制御するための制御部である。533Aおよび533Bは真空気密兼絶縁部材(真空気密兼絶縁セラミック)であり、535はガスブロックである。特記した点以外は、図2に示すプラズマCVD装置の各要素とそれぞれ同様の働きをする。
図6Aは、電極の電位をアース電位以外の電位で一定とし、電極の電位に対する円筒状基体の電位が交互に正と負になるように矩形波の交播電圧を電極と円筒状基体との間に印加した場合の円筒状基体の電位の変化を示す図である。図6A中の実線が円筒状基体の電位であり、図6A中の破線が電極の電位である。図6Bは、電極と円筒状基体の電位差の変化を示す図である。図6B中の破線が電極と円筒状基体の電位差である。放電開始電圧(負電位)および放電維持電圧(正電位)は、あらかじめ、それぞれの層の堆積膜を形成する際の反応容器内の圧力およびガス条件で、前述した方法により測定した値である。測定結果を表25に示す。
V2 放電開始電圧の絶対値以上の値
t1 電極と円筒状基体の電位差の絶対値がV1となっている時間(期間)
t2 電極と円筒状基体の電位差の絶対値がV2となっている時間(期間)
T 矩形波の周期
Claims (8)
- (i)内部に電極を有する減圧可能な反応容器の内部に、前記電極と離間させて円筒状基体を設置する工程と、
(ii)前記反応容器の内部に堆積膜形成用の原料ガスを導入する工程と、
(iii)前記電極および前記円筒状基体の一方の電位に対する他方の電位が交互に正と負になるように、周波数3kHz以上300kHz以下の矩形波の交播電圧を前記電極と前記円筒状基体との間に印加して、前記原料ガスを分解し、前記円筒状基体上に堆積膜を形成する工程と、
を有するプラズマCVD法によって電子写真感光体を製造する方法において、
前記正になるときの前記電極と前記円筒状基体の電位差の絶対値および前記負になるときの前記電極と前記円筒状基体の電位差の絶対値の一方が放電維持電圧の絶対値未満の値(V1)であって、他方が放電開始電圧の絶対値以上の値(V2)であることを特徴とする電子写真感光体の製造方法。 - 前記V1が、前記V2に対して20%以上の値である請求項1に記載の電子写真感光体の製造方法。
- 前記V1が、前記放電維持電圧の絶対値に対して95%以下の値である請求項1または2に記載の電子写真感光体の製造方法。
- 前記工程(iii)において、前記電極の電位が一定である請求項1〜3のいずれか1項に記載の電子写真感光体の製造方法。
- 前記工程(iii)において、前記電極の電位がアース電位である請求項4に記載の電子写真感光体の製造方法。
- 前記矩形波が、周波数10kHz以上100kHz以下の矩形波である請求項1〜5のいずれか1項に記載の電子写真感光体の製造方法。
- 前記原料ガスの少なくとも1種が水素化ケイ素ガスであり、前記堆積膜がアモルファス膜である請求項1〜6のいずれか1項に記載の電子写真感光体の製造方法。
- 前記電極が、前記反応容器の内壁の少なくとも一部を構成している請求項1〜7のいずれか1項に記載の電子写真感光体の製造方法。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
PCT/JP2011/070695 WO2013038467A1 (ja) | 2011-09-12 | 2011-09-12 | 電子写真感光体の製造方法 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012056054A Division JP2013061621A (ja) | 2012-03-13 | 2012-03-13 | 電子写真感光体の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP4959029B1 true JP4959029B1 (ja) | 2012-06-20 |
JPWO2013038467A1 JPWO2013038467A1 (ja) | 2015-03-23 |
Family
ID=46506034
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011553207A Expired - Fee Related JP4959029B1 (ja) | 2011-09-12 | 2011-09-12 | 電子写真感光体の製造方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9372416B2 (ja) |
EP (1) | EP2757418A4 (ja) |
JP (1) | JP4959029B1 (ja) |
WO (1) | WO2013038467A1 (ja) |
Family Cites Families (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0387372A (ja) * | 1988-07-22 | 1991-04-12 | Canon Inc | 堆積膜形成方法 |
JP2772643B2 (ja) * | 1988-08-26 | 1998-07-02 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 被膜作製方法 |
DE69221687T2 (de) * | 1991-05-30 | 1998-02-19 | Canon Kk | Lichtempfindliches Element |
JPH062153A (ja) * | 1992-06-16 | 1994-01-11 | Canon Inc | 堆積膜形成方法 |
JPH08222519A (ja) * | 1994-10-11 | 1996-08-30 | Canon Inc | 高周波プラズマcvd法による堆積膜形成方法 |
JPH08225947A (ja) * | 1994-12-16 | 1996-09-03 | Canon Inc | プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置 |
JP4174926B2 (ja) | 1999-09-01 | 2008-11-05 | 松下電器産業株式会社 | 磁気記録媒体の製造方法およびその製造装置 |
JP2002212727A (ja) * | 2000-10-31 | 2002-07-31 | Canon Inc | 堆積膜形成方法 |
CN101198719B (zh) | 2005-06-16 | 2012-05-30 | 京瓷株式会社 | 感光体的制造方法及制造装置 |
JP4047880B2 (ja) * | 2005-08-24 | 2008-02-13 | 株式会社東芝 | 放電灯用冷陰極、冷陰極放電灯及び放電灯用冷陰極の製造方法 |
JP4273139B2 (ja) * | 2006-06-30 | 2009-06-03 | 京セラ株式会社 | 電子写真感光体およびその製造方法 |
-
2011
- 2011-09-12 JP JP2011553207A patent/JP4959029B1/ja not_active Expired - Fee Related
- 2011-09-12 EP EP11872526.6A patent/EP2757418A4/en not_active Withdrawn
- 2011-09-12 WO PCT/JP2011/070695 patent/WO2013038467A1/ja active Application Filing
-
2012
- 2012-09-10 US US13/608,843 patent/US9372416B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US9372416B2 (en) | 2016-06-21 |
WO2013038467A1 (ja) | 2013-03-21 |
EP2757418A4 (en) | 2015-05-06 |
EP2757418A1 (en) | 2014-07-23 |
US20130065177A1 (en) | 2013-03-14 |
JPWO2013038467A1 (ja) | 2015-03-23 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JPH08225947A (ja) | プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置 | |
JP4959029B1 (ja) | 電子写真感光体の製造方法 | |
JP2013061621A (ja) | 電子写真感光体の製造方法 | |
JP2013109148A (ja) | 電子写真感光体の製造方法 | |
JP2013064950A (ja) | 電子写真感光体の製造方法 | |
JP2002241944A (ja) | 真空処理方法 | |
JP6039429B2 (ja) | 堆積膜形成方法および電子写真感光体の製造方法 | |
JP2016176100A (ja) | 堆積膜形成方法 | |
JP2013104925A (ja) | 電子写真感光体の製造方法 | |
JP2017155269A (ja) | 堆積膜形成方法および電子写真感光体の製造方法 | |
JP5943725B2 (ja) | 堆積膜形成方法および電子写真感光体の製造方法 | |
JP2553331B2 (ja) | プラズマcvd法による堆積膜形成装置 | |
JP2013104927A (ja) | 電子写真感光体の製造方法 | |
JP2019023330A (ja) | 水素化アモルファスカーボン膜の形成方法および電子写真感光体の製造方法 | |
JP2014162955A (ja) | 堆積膜形成方法、電子写真感光体の製造方法および堆積膜形成装置 | |
JP2013142726A (ja) | 電子写真感光体の製造装置 | |
JP2867150B2 (ja) | マイクロ波プラズマcvd装置 | |
JP2019199635A (ja) | 堆積膜形成装置 | |
JP2016085298A (ja) | 電子写真感光体の製造方法 | |
JPH1060653A (ja) | 高周波プラズマcvd法による堆積膜形成方法 | |
JPH0897161A (ja) | 高周波プラズマcvd法による堆積膜形成方法及び堆積膜形成装置 | |
JP2017009622A (ja) | 電子写真感光体の製造方法 | |
JP2005163165A (ja) | 堆積膜形成装置および堆積膜形成方法 | |
JP2001316825A (ja) | プラズマcvd法による堆積膜形成装置及びこれを用いた堆積膜形成方法 | |
JP2013238706A (ja) | 電子写真感光体の製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20120221 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20120319 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150330 Year of fee payment: 3 |
|
R151 | Written notification of patent or utility model registration |
Ref document number: 4959029 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |