JP4956597B2 - 半導体試験装置 - Google Patents
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Description
DUTは、CE、OE、WE、CAS、RAS等の制御信号によって、試験データの書き込み、読み出しの制御が行われる。DUTのデータ出力ピンから読み出された応答信号はピンエレクトロニクスのコンパレータを介して論理比較器DCに与えられ、ここでパターン発生器PGから出力される期待値データEXPにより所定に一致比較が行われて良否判定が行われ、結果が不良のときにフェイル情報FAILとしてフェイルメモリFMへ供給される。尚、DUTの個数は図1では1個の例であるが、多数個例えば32個、64個の複数DUTを同時測定する構成を備える半導体試験装置が一般的である。
そしてフェイルの格納動作は、DUTの読出しアドレスに対応するアドレス信号をパターン発生器PGから受けて、AFMの対応するアドレス位置へ、論理比較器DCからのフェイル情報FAILを累積格納する。
図4は、SCAN動作後の結果を示している。即ち、CFCM側は2カ所で計数値"3"と"1"が得られた状態を示し、RFCM側は4カ所で計数値"1"が得られた状態を示し、TFCMは計数値"4"が得られた状態を示す。
次に、図6に示すように、救済確定した当該ライン上のフェイル発生「×」印はリペアされるからして、救済アドレス上の不良セルを消すためにRFCM,CFCM,TFCMからライン上の救済されたフェイルの引き算処理を行う。この動作をDSCAN動作という。この結果、図6の計数値となる。もしも、上記ラインフェイルが複数箇所有れば、同様の処理を繰り返す。
救済解析装置100は、図8に示すように、DUTの同時測定個数に対応するチャンネル数の救済解析装置を備えている。更に、各DUT毎の救済解析装置の内部には、CPU部110と、DUTのメモリ構成に対応する複数チャンネルのカウンターブロック部(Counter Block部)120とを備えている。尚、CPU部110としては専用のコントローラで処理するものや、プログラム方式のCPUやDSPで行うものがある。
内部構成ではクロックCLKに同期して動作しているものとすると、図11に示すSCAN動作の1周期は5クロックサイクルを要している。即ち、まず、サイクル(CYCLE)0では、アドレスフォーマット部80から各FCM(RFCM,CFCM,TFCM)にアドレスを供給し、*FCMOEをリードモードにして各FCM(RFCM,CFCM,TFCM)からフェイル計数値FAIL(RFD、CFD)を読み出す。
サイクル1ではフェイル計数部がAFMから読み出したFAILを内部へラッチ保持する。サイクル2ではFAILの有無に基づいて+1加算を行う。サイクル3では*FCMWE信号を書込みモードにして加算した結果のフェイル計数値を、各FCM(RFCM,CFCM,TFCM)の読出し時と同じアドレス位置へ書き込む。サイクル4では次の各FCM(RFCM,CFCM,TFCM)のアドレス供給する為のセットアップ時間である。
上記のように、一連の動作(以下リードモディファイライト)をFCMの全アドレス空間を対象として読み出しを行う。このリードモディファイライトによって1周期が長くなるためSCAN動作には時間がかかるという難点がある。ところで、全アドレス空間の中で、実際にFAILが存在して+1加算される個数はわずかであり、殆どの場合はFAILが存在しない為に、読出しデータがそのまま書き込み更新されることとなる。つまり、FAILが存在しないときの書込み動作は無用な消費時間となっている。
また、上述説明したように、第2に、従来技術における、ラインフェイルを検出するSEARCH動作と、ラインフェイルが検出されたラインはDSCAN動作を行って対応するCFCM、RFCMを減算する処理と、が必要があり、このSEARCH動作とDSCAN動作期間もDUTの試験実施が停止状態で行うことになる為、トータルのテストサイクル時間が長くなってしまう難点がある。
ロウアドレスライン毎に不良セルの発生回数をリードモディファイライト動作によって格納更新するロウ用の計数用メモり(例えばRFCM)を具備し、
カラムアドレスライン毎に不良セルの発生回数をリードモディファイライト動作によって格納更新するカラム用の計数用メモり(例えばCFCM)を具備し、
SCAN動作において、AFMから読み出されたフェイル情報がフェイル無しを検出したときは上記計数用メモりのリードモディファイライト動作は行わずに、リード動作のみを行って次のアドレスの読出しに進むように制御する手段(例えばシーケンス制御部40b)を具備し、
以上を具備して救済解析動作におけるSCAN動作の計数処理を高速化可能とすることを特徴とする半導体試験装置である。
上記発明によれば、FAILが存在したときのみリードモディファイライト動作を行うようにSCAN動作を改善して、救済解析動作におけるSCAN動作の時間短縮を計ることが可能な半導体試験装置が実現できる。
第2に、上記課題を解決するために、被試験デバイスは少なくともメモリと当該メモリの不良セルを救済置換する予備セル(スペアライン)を内部に備えるメモリデバイス、あるいはシステムLSI等であり、半導体試験装置が上記DUTのメモリのメモリセルの良否を試験実施して得たフェイル情報をメモリセル毎に格納可能な不良解析メモリ(AFM)を備える半導体試験装置において、
DUTの試験実施が一時停止した状態で行なわれる救済解析動作において、AFMに格納されたフェイル情報を読み出して、DUTのメモリ構成におけるロウアドレスライン毎に不良セルの発生回数を計数し、且つカラムアドレスライン毎に不良セルの発生回数を計数する計数動作をSCAN動作と呼称したとき、
ロウアドレスライン毎に不良セルの発生回数をリードモディファイライト動作によって格納更新するロウ用の計数用メモり(例えばRFCM)を具備し、
カラムアドレスライン毎に不良セルの発生回数をリードモディファイライト動作によって格納更新するカラム用の計数用メモり(例えばCFCM)を具備し、
上記各計数用メモりから読み出された計数データを受け、対応するAFMから読み出されたフェイル情報の有無に基づいて+1加算若しくは計数データのままとした更新データを各々出力するロウ用とカラム用の計数手段(例えばフェイル計数部)を具備し、
SCAN動作において、第1に、AFMから読み出されたフェイル情報が"0"(即ち、PASS)を検出したときは上記計数用メモりへの格納更新をするリードモディファイライト動作を行わずに、リード動作のみを行い、第2に、AFMから読み出されたフェイル情報が"1"(即ち、FAIL)を検出したときは計数手段により+1加算された更新データを上記計数用メモりへ書込み更新をするリードモディファイライト動作を行うシーケンス制御部40bを具備し、
以上を具備して救済解析動作におけるSCAN動作の計数処理を高速化可能とすることを特徴とする半導体試験装置がある。
アドレスライン毎に不良セルの発生回数を格納するロウ用とカラム用の計数用メモり(例えばRFCM、CFCM)はデュアルポートメモリを適用し、
救済解析動作における不良セルを計数するSCAN動作のライト動作とリード動作とを上記デュアルポートメモリにより分離してアクセスする手段を備えて、救済解析動作におけるSCAN動作を高速化可能とすることを特徴とする半導体試験装置がある。
第4に、上記課題を解決するために、被試験デバイスは少なくともメモリと当該メモリの不良セルを救済置換する予備セル(スペアライン)を内部に備えるメモリデバイス、あるいはシステムLSI等であり、半導体試験装置が上記DUTのメモリのメモリセルの良否を試験実施して得たフェイル情報をメモリセル毎に格納可能な不良解析メモリ(AFM)を備える半導体試験装置において、
DUTの試験実施が一時停止した状態で行なわれる救済解析動作において、AFMに格納されたフェイル情報を読み出して、DUTのメモリ構成におけるロウアドレスライン毎に不良セルの発生回数を計数し、且つカラムアドレスライン毎に不良セルの発生回数を計数する計数動作をSCAN動作と呼称したとき、
ロウアドレスライン毎に不良セルの発生回数を格納するロウ用の計数用メモり(例えばRFCM)を具備し、
カラムアドレスライン毎に不良セルの発生回数を格納するカラム用の計数用メモり(例えばCFCM)を具備し、
上記各計数用メモりから読み出された計数データを受け、対応するAFMから読み出されたフェイル情報の有無に基づいて+1加算若しくは計数データのままとした更新データを各々出力するロウ用とカラム用の計数手段(例えばフェイル計数部)を具備し、
計数用メモりとしてデュアルポートメモリを適用し、
上記デュアルポートメモリの一方のアクセスポートを計数データの読み出し専用ポートとして適用して、連続的に解析アドレスAFMAを発生してAFMから連続的にフェイル情報を読み出し、これに対応して読出し専用ポートへ連続的に読出しアドレスを発生して計数データを連続的に読み出し、上記計数手段は連続する上記フェイル情報と対応する計数データとに基づいてフェイル計数値を更新した更新データを出力し、
上記デュアルポートメモリの他方のアクセスポートを上記計数手段から出力される連続する更新データの書込み専用ポートとして適用し、上記読出し専用ポート側の読出しアドレスとは所定回数遅らせたアドレスとする書込みアドレスを連続的に発生して、上記更新データを連続的に書込み更新を行い、
上記書込み専用ポートの書込み更新動作と読出し専用ポートの読出し動作において、両ポートがアクセスするアドレスが同一アドレスのときには、一方の読出し動作側を有効にして読み出される計数データを上記計数手段の入力データとして受けて上記計数手段から出力される更新データを一時的な保存データとして保持し、他方の書込み動作側は書込み動作を禁止し、
その後にアクセスされる両ポートが同一アドレスのときは上記保存データを上記計数手段の入力データとして供給し、上記計数手段でAFMから読み出されたフェイル情報の有無に基づいて所定に計数更新した更新データを、再び一時的な保存データとして保持し、
やがてその後にアクセスされる読出しアドレスが書込みアドレスと異なるときに、上記保存データを所定に計数更新した更新データを書込み専用ポートへ書込みをして格納更新し、
以上を具備して救済解析動作におけるSCAN動作の計数処理を高速化可能とすることを特徴とする半導体試験装置がある。
SCAN動作とSEARCH動作とを同時に実行し、前記SEARCH動作の結果で当該アドレスラインがラインフェイルとして検出された場合は、ラインフェイルとは反対側のロウまたはカラムの次のアドレスラインにおいてSCAN動作とDSCAN動作とを同時に実行し、
以上を具備して救済解析動作を高速化可能とすることを特徴とする半導体試験装置がある。
第6に、上記課題を解決するために、被試験デバイスは少なくともメモリと当該メモリの不良セルを救済置換する予備セル(スペアライン)を内部に備えるメモリデバイス、あるいはシステムLSI等であり、半導体試験装置が上記DUTのメモリのメモリセルの良否を試験実施して得たフェイル情報をメモリセル毎に格納可能な不良解析メモリ(AFM)を備える半導体試験装置において、
DUTの試験実施が一時停止した状態で行なわれる救済解析動作において、AFMに格納されたフェイル情報を読み出して、DUTのメモリ構成におけるロウアドレスライン毎に不良セルの発生回数を計数し、且つカラムアドレスライン毎に不良セルの発生回数を計数する計数動作をSCAN動作と呼称し、ロウまたはカラムのアドレスライン毎のフェイル計数値が反対側のスペアラインの本数よりも多い計数値の場合には反対側のスペアラインで救済できないためラインフェイルと呼称し、ロウまたはカラムのアドレスラインにラインフェイルがあるかを調べる動作をSEARCH動作と呼称し、ラインフェイルとして検出されたロウまたはカラムの当該アドレスライン上の不良セルに該当するロウまたはカラムの計数用メモりの計数データを対象として引き算処理を行う動作をDSCAN動作と呼称したとき、
ロウアドレスライン毎に不良セルの発生回数を格納するロウ用の計数用メモり(例えばRFCM)を具備し、
カラムアドレスライン毎に不良セルの発生回数を格納するカラム用の計数用メモり(例えばCFCM)を具備し、
上記各計数用メモりから読み出された計数データを受け、対応するAFMから読み出されたフェイル情報の有無に基づいて+1加算若しくは計数データのままとした更新データを各々出力するロウ用とカラム用の計数手段(例えばフェイル計数部)を具備し、
ロウまたはカラムの一方に対してラインフェイルがあるかを検出するSEARCH動作を、SCAN動作と同時平行して実施し、且つ、SCAN動作中のアドレスライン上の各アドレス位置におけるフェイル情報を次のアドレスラインのSCAN動作中に参照できるように直前フェイルフラグ(例えばプリフェイルフラグ(Pre Fail flag))として保持する手段を具備し、
ロウまたはカラムの直前のアドレスラインでラインフェイルが検出されたとき、当該ラインフェイルが検出された計数データはゼロにクリアし、当該ラインフェイルが検出された反対側のロウまたはカラムの直後のアドレスライン上の各アドレス位置におけるフェイル計数動作は、SCAN動作とDSCAN動作を同時並行して実行して所定に更新した更新データを対応する計数用メモりへ格納する同時並行実行手段を具備し、
以上を具備して救済解析動作におけるSCAN動作とSEARCH動作とDSCAN動作を同時並行して実行して救済解析動作を高速化可能とすることを特徴とする半導体試験装置がある。
上述SCAN動作とDSCAN動作を同時並行して実行する同時並行実行手段の一態様としては、
例えばフェイル計数部400とラインフェイルレジスタ70と1アドレスライン分のロウ側とカラム側のプリフェイルフラグRFLFLG、CFLFLGと、対応するシーケンス制御部40とアドレス発生部60と大小比較器90とを備えて、計数用メモりから読み出された計数データと、AFMから読み出されるフェイル情報と、対応する上記直前フェイルフラグとのデータに基づいて更新データの計数を行い、
第1に、直前フェイルフラグが無いときは通常のSCAN動作に基づく計数であって、上記フェイル情報が有るときは計数データ+1した更新データを出力し、上記フェイル情報が無いときは計数データをそのまま更新データとして出力し、
第2に、直前フェイルフラグが有るときはSCAN動作とDSCAN動作を同時並行する計数実行であって、上記フェイル情報が有るときは計数データをそのまま更新データとして出力し、上記フェイル情報が無いときは計数データ−1の減算した更新データを出力し、
以上を具備することを特徴とする上述半導体試験装置がある。
上述説明したように本発明によれば、AFMをアクセスして救済解析処理をするSCAN動作、あるいはSCAN動作とSEARCH動作とDSCAN動作に係る処理時間を大幅に短縮可能な構成を具備したことにより、DUTの試験実施の停止期間が大幅に短縮できる大きな利点が得られる。これに伴い、実質的に半導体試験装置のスループットが向上できる大きな利点が得られることとなる。従って本発明の技術的効果は大であり、産業上の経済効果も大である。
シーケンス制御部40bの要部構成は、マルチプレクサMUX10、MUX16と、カウンタ12と、デコーダ14と、フリップ・フロップFF21〜FF24と、NANDゲートNAND26とで実現される。
フリップ・フロップFF22は、デコーダ14からのQ2出力信号を同期用のクロックCLKでリタイミングした結果の反転信号を*FDOE信号として出力する。
フリップ・フロップFF23は、デコーダ14からのQ2出力信号を同期用のクロックCLKでリタイミングした結果の信号をNANDゲートNAND26に供給し、CLKでパルス化した結果の反転信号を*FCMWE信号として出力する。
フリップ・フロップFF24は、前記MUX16からの出力信号を受けて同期用のクロックCLKでリタイミングした結果のINC信号を出力する。
一方、もしもFAILが無いときは、図13のパスサイクルに示すように、2クロック期間で読み出しが行われて終了する。この結果、処理時間が2/5に短縮できることとなる。通常のデバイス試験においては、FAILの発生するメモリセルの発生頻度は極めて少ないからして、殆どのものが2クロック期間での読出し動作といえる。この結果、本願のSCAN動作の処理能力は、実質的に従来比で2.5倍の高速にできる大きな利点が得られることとなる。
要部構成は、図9の従来構成要素に対して、RFCM、CFCM、TFCMをデュアルポートメモリに変更し、フェイル計数部300の内部構成を変更し、更に、アドレス一致検出部50と、フリップ・フロップFF1〜FF5と、ORゲートOR18とを追加して備える構成で実現される。
この図19の構成によるタイミングチャートの一例を図18に示す。このタイミングチャートは、図4に示すように、カラムアドレス側を例として4セルのライン構成とした具体例である。つまり、アドレスフォーマット部80から出力されるアドレスPRADにおいて、同一アドレス値が4サイクル分継続して発生する場合である。
フリップ・フロップFF4は、アドレスフォーマット部80から出力されるアドレスPRADをクロックCLKに同期して1クロックサイクル遅延した読出し用アドレスRAD(図18B参照)をデュアルポートメモリの各リードアドレスのポート(RAn)に供給する。
これによりデュアルポートメモリのライト動作とリード動作のタイミングを2クロックサイクルずらすことができる。この結果、リード動作が先に行なわれて、デュアルポートメモリのリードデータポート(RDn)から読出した計数値RRFD,RCFD,RTFD(図18C参照)をフェイル計数部300へ入力する。
フェイル計数部300は、読み出された計数値をFF6で同期を取った後、マルチプレクサMUX1を通じて加算器ADD1の一方の入力端へ供給し、他方の入力端にはFAIL信号をフリップ・フロップFF8,FF9,FF10で3クロックサイクル遅延したFAIL信号が供給され、両者が加算されて出力する。
加算結果の出力データは、フリップ・フロップFF11で同期をとった後、デュアルポートメモリのライトデータポート(WDn)へWRFD,WCFD,WTFD信号(図18F参照)として供給され、これが、デュアルポートメモリのWE端子へ与える書込み用の*MWE信号(図18J参照)によって書き込み更新される。
即ち、アドレス一致検出部50は、アドレスフォーマット部80から出力されるアドレスPRAD(図18A参照)とフリップ・フロップFF2の途中出力アドレス信号PWAD(図18D参照)との一致比較をして検出する。もしも、一致するとき、即ち、リードアドレスとライトアドレスとが一致している場合は、同一アドレスでのリード動作とライト動作が行われるのを防止する為に、フリップ・フロップFF5を通じてWINH信号(図18K、L参照)を出力する。これにより、ORゲートOR18でデュアルポートメモリへ供給する*MWEは禁止(図18M、N参照)される結果、ライト動作は行われない。従って、リードデータの読み出し保護については正常に行われる。
また、シーケンス制御部40はアドレス発生部60がRA、CA共にMAXまで行ってから"0"に戻ったところで終了するように発生する。これにより、最後のアドレスでアドレス一致信号をWINHを論理値"0"にして書き込み動作ができる。
上記C1ラインでラインフェイルが検出されたので、DSCAN動作の−1減算処理を行う必要があるが、DSCAN動作は次のC2ラインのスキャン動作と同時平行して実行させる。即ち、第1に、次のカラムアドレスC2に移るときにスペアカラムC1のCFCMの不良セル格納値"3"(図14B参照)を0にクリア(図14C参照)し、同時に、C1ラインでラインフェイルが有ったことを示すラインフェイルフラグをFAMへセット(図14D参照)して救済対象ラインの情報を格納しておく。
このプリフェイルフラグは、あるアドレス(例えば図14のC2ライン,R1ライン)がSCANされるまで直前のラインの各アドレス毎にフェイルの有無を格納している。このプリフェイルフラグによって、次のC2ラインのSCAN動作のときに、直前のC1ライン上における各セル毎に不良であったか否かが判る。この結果、もしもラインフェイルが検出された場合には、次のC2ラインをSCAN中に各セル毎のプリフェイルフラグを見てプリフェイルフラグが有ればフェイル数の引き算を行うことができる。
更にこの時に、AFMから読み出したフェイル信号FAILが"0"だったら引き算を行うが、もしも"1"だったら何もしないようにすることで、DSCAN動作とSCAN動作の両方を同時に行うことができる。但し、このプリフェイルフラグはSCANを始めるライン側にのみ適用できる。例えば図14の例ではロウアドレス側からSCANを始めるためRFCMに格納されているプリフェイルフラグのみが適用対象である。逆に、もしもカラムアドレス側からSCANを始める時はCFCMのプリフェイルフラグのみが適用対象であり、RFCM側のプリフェイルフラグは意味を持たない。
この要部構成は、図9の従来構成要素に対して、RFCM、CFCM、TFCMに対して上記プリフェイルフラグを格納できるメモリに変更し、フェイル計数部400の内部構成を変更し、ラインフェイルレジスタ70を追加し、大小比較器90からの出力信号を追加し、シーケンス制御部40からの出力信号を追加し、アドレス発生部60からの出力信号を追加した構成で実現される。
アドレス発生部60で追加出力する信号は、ロウまたはカラムアドレスの次のアドレスラインに移るときに出力されるCRY信号であり、これをラインフェイルレジスタ70とフェイル計数部400へ供給する。
図14に示す救済解析動作を行う場合は、図17に示すロウ側とトータル側のフェイル計数部400のフェイル減算制御レジスタR1には、*EN1が論理"1"に、EN2が論理"1"になるように制御CPUから設定しておく。これによりカラムアドレスラインにラインフェイルがあった場合、双方向ドライバIO2からプリフェイルフラグが"1"の時にAND1を介して減算器SUB1によってフェイルの減算が行われ、FAILが"1"の時"0"、FAILが"0"の時"-1"が加算器ADD31に供給される。
この時最後のラインで、図15(b)に示すような3個のFAILが有る場合には、*CNTINHが論理"0"となり、AND2でFAIL信号が禁止される。ADD31では双方向ドライバIO1を介して入力されたフェイル計数値とSUB1の出力を加算する。加算された加算値はAND3を介して双方向ドライバIO1の入出力の切り替えが終わるまでFF31で一旦保持され、その後に各FCM(RFCM,CFCM)に出力される。双方向ドライバIO1、IO2の入出力切り替えはシーケンス制御部40から出力される*FDOE信号で行われる。
上記説明からして、図16に示す構成では、救済解析動作の1つのSCAN動作中に片側アドレス(ロウ、またはカラムアドレス)のSEARCH動作とDSCAN動作とを同時に行える利点が得られることとなり、結果として、SEARCH動作とDSCAN動作に係る処理時間が実質的に短縮できる利点が得られる。
AND1,AND2,AND3 ANDゲート
FF1〜FF12,FF21〜FF24,FF31,FF32 フリップ・フ
ロップ
IO1,IO2 双方向ドライバ
MUX1,MUX10,MUX16 マルチプレクサ
NAND1,NAND26 NANDゲート
OR1,OR18 ORゲート
R1 フェイル減算制御レジスタ
SUB1 減算器
12 カウンタ
14 デコーダ
40 シーケンス制御部
50 アドレス一致検出部
60 アドレス発生部
70 ラインフェイルレジスタ
80 アドレスフォーマット部
90 大小比較器
100 救済解析装置
110 CPU部
120 カウンターブロック部(Counter Block部)
300,350,400 フェイル計数部
DC 論理比較器
DUT 被試験デバイス
FAM フェイル・アドレス・メモリ
FC 波形整形器
FM フェイルメモリ
PG パターン発生器
TG タイミング発生器
RFLFLG ロウ側のプリフェイルフラグ格納用
CFLFLG カラム側のプリフェイルフラグ格納用
Claims (5)
- 被試験デバイス(DUT)は少なくともメモリと当該メモリの不良セルを救済置換する予備セル(スペアライン)を内部に備え、半導体試験装置が該DUTのメモリのメモリセルの良否を試験実施して得たフェイル情報をメモリセル毎に格納可能な不良解析メモリ(AFM)を備える半導体試験装置において、
アドレスライン毎に不良セルの発生回数を格納するロウ用とカラム用の計数用メモリはデュアルポートメモリを適用し、
救済解析動作における不良セルを計数するSCAN動作のライト動作とリード動作とを該デュアルポートメモリにより分離してアクセスする手段と、
ライト動作とリード動作が同一アドレスとなる場合にはフェイル計数した更新データをデュアルポートメモリには格納せず一旦保持しておき、ライト動作とリード動作が異なるアドレスとなったときに一旦保持しておいた更新データをデュアルポートメモリに書き込む手段とを備えて、救済解析動作におけるSCAN動作をする半導体試験装置。 - 前記SCAN動作とSEARCH動作とを同時に実行し、前記SEARCH動作の結果で当該アドレスラインがラインフェイルとして検出された場合は、ラインフェイルとは反対側のロウまたはカラムの次のアドレスラインにおいて前記SCAN動作とDSCAN動作とを同時に実行し、以上を具備して救済解析動作をする請求項1に記載の半導体試験装置。
- 被試験デバイス(DUT)は少なくともメモリと当該メモリの不良セルを救済置換する予備セル(スペアライン)を内部に備え、半導体試験装置が該DUTのメモリのメモリセルの良否を試験実施して得たフェイル情報をメモリセル毎に格納可能な不良解析メモリ(AFM)を備える半導体試験装置において、
DUTの試験実施が一時停止した状態で行なわれる救済解析動作において、AFMに格納されたフェイル情報を読み出して、DUTのメモリ構成におけるロウアドレスライン毎に不良セルの発生回数を計数し、且つカラムアドレスライン毎に不良セルの発生回数を計数する計数動作をSCAN動作としたとき、
ロウアドレスライン毎に不良セルの発生回数を格納するロウ用の計数用メモリと、
カラムアドレスライン毎に不良セルの発生回数を格納するカラム用の計数用メモリと、
該各計数用メモリから読み出された計数データを受け、対応するAFMから読み出されたフェイル情報の有無に基づいて+1加算若しくは計数データのままとした更新データを各々出力するロウ用とカラム用の計数手段と、計数用メモリとしてデュアルポートメモリを適用し、
該デュアルポートメモリの一方のアクセスポートを計数データの読み出し専用ポートとして適用して、連続的に解析アドレスを発生してAFMから連続的にフェイル情報を読み出し、これに対応して読出し専用ポートへ連続的に読出しアドレスを発生して計数データを連続的に読み出し、該計数手段は連続する該フェイル情報と対応する計数データとに基づいてフェイル計数値を更新した更新データを出力し、
該デュアルポートメモリの他方のアクセスポートを該計数手段から出力される連続する更新データの書込み専用ポートとして適用し、該読出し専用ポート側の読出しアドレスとは所定回数遅らせたアドレスとする書込みアドレスを連続的に発生して、該更新データを連続的に書込み更新を行い、
上記書込み専用ポートの書込み更新動作と読出し専用ポートの読出し動作において、両ポートがアクセスするアドレスが同一アドレスのときには、一方の読出し動作側を有効にして読み出される計数データを該計数手段の入力データとして受けて該計数手段から出力される更新データを一時的な保存データとして保持し、他方の書込み動作側は書込み動作を禁止し、
その後にアクセスされる両ポートが同一アドレスのときは該保存データを該計数手段の入力データとして供給し、該計数手段でAFMから読み出されたフェイル情報の有無に基づいて所定に計数更新した更新データを、再び一時的な保存データとして保持し、
やがてその後にアクセスされる読出しアドレスが書込みアドレスと異なるときに、該保存データを所定に計数更新した更新データを書込み専用ポートへ書込みをして格納更新し、
以上を具備して救済解析動作におけるSCAN動作の計数処理をする半導体試験装置。 - DUTの試験実施が一時停止した状態で行なわれる救済解析動作において、ロウまたはカラムのアドレスライン毎のフェイル計数値が反対側のスペアラインの本数よりも多い計数値の場合をラインフェイルとし、ロウまたはカラムのアドレスラインにラインフェイルがあるかを調べる動作をSEARCH動作とし、ラインフェイルとして検出されたロウまたはカラムの当該アドレスライン上の不良セルに該当するロウまたはカラムの計数用メモリの計数データを対象として引き算処理を行う動作をDSCAN動作としたとき、
ロウアドレスライン毎に不良セルの発生回数を格納するロウ用の計数用メモリと、
カラムアドレスライン毎に不良セルの発生回数を格納するカラム用の計数用メモリと、
該各計数用メモリから読み出された計数データを受け、対応するAFMから読み出されたフェイル情報の有無に基づいて+1加算若しくは計数データのままとした更新データを各々出力するロウ用とカラム用の計数手段と、
ロウまたはカラムの一方に対してラインフェイルがあるかを検出するSEARCH動作を、前記SCAN動作と同時平行して実施し、且つ、前記SCAN動作中のアドレスライン上の各アドレス位置におけるフェイル情報を次のアドレスラインの前記SCAN動作中に参照できるように直前フェイルフラグとして保持する手段と、
ロウまたはカラムの直前のアドレスラインでラインフェイルが検出されたとき、当該ラインフェイルが検出された計数データはゼロにクリアし、当該ラインフェイルが検出された反対側のロウまたはカラムの直後のアドレスライン上の各アドレス位置におけるフェイル計数動作は、前記SCAN動作と前記DSCAN動作を同時並行して実行して所定に更新した更新データを対応する計数用メモリへ格納する手段と、
以上を具備して救済解析動作における前記SCAN動作とSEARCH動作と前記DSCAN動作を同時並行して実行して救済解析動作をする請求項3に記載の半導体試験装置。 - 前記SCAN動作と前記DSCAN動作を同時並行して実行する手段は、
計数用メモリから読み出された計数データと、AFMから読み出されるフェイル情報と、対応する該直前フェイルフラグとのデータに基づいて更新データの計数を行い、
第1に、直前フェイルフラグが無いときは通常の前記SCAN動作に基づく計数であって、該フェイル情報が有るときは計数データ+1した更新データを出力し、該フェイル情報が無いときは計数データをそのまま更新データとして出力し、
第2に、直前フェイルフラグが有るときは前記SCAN動作と前記DSCAN動作を同時並行する計数実行であって、該フェイル情報が有るときは計数データをそのまま更新データとして出力し、該フェイル情報が無いときは計数データ−1の減算した更新データを出力し、
以上を具備する請求項4に記載の半導体試験装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009231907A JP4956597B2 (ja) | 2009-10-05 | 2009-10-05 | 半導体試験装置 |
Applications Claiming Priority (1)
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