JP4153884B2 - 試験装置及び試験方法 - Google Patents

試験装置及び試験方法 Download PDF

Info

Publication number
JP4153884B2
JP4153884B2 JP2004069545A JP2004069545A JP4153884B2 JP 4153884 B2 JP4153884 B2 JP 4153884B2 JP 2004069545 A JP2004069545 A JP 2004069545A JP 2004069545 A JP2004069545 A JP 2004069545A JP 4153884 B2 JP4153884 B2 JP 4153884B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
address
memory
test
data
signal
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP2004069545A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2005259265A (ja
Inventor
健一 藤崎
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Advantest Corp
Original Assignee
Advantest Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Advantest Corp filed Critical Advantest Corp
Priority to JP2004069545A priority Critical patent/JP4153884B2/ja
Publication of JP2005259265A publication Critical patent/JP2005259265A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4153884B2 publication Critical patent/JP4153884B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Images

Landscapes

  • Tests Of Electronic Circuits (AREA)
  • For Increasing The Reliability Of Semiconductor Memories (AREA)

Description

本発明は、試験装置及び試験方法に関する。特に本発明は、被試験メモリを試験する試験装置及び試験方法に関する。
メモリ試験装置は、パターン発生器が発生したアドレス信号及びデータ信号を被試験メモリに印加して書き込みを行う。そして、被試験メモリから読み出した出力信号を、パターン発生器がアドレス信号及びデータ信号に対応して発生した期待値信号と比較し、アドレス信号が示すアドレス毎に、出力信号と期待値信号とが不一致であることを示すフェイルデータを、不良解析メモリ内のアドレスフェイルメモリ(以下、「AFM」と呼ぶ。)に格納する。そして、AFMに格納されたフェイルデータを参照して、被試験メモリの不良救済解析を行う(例えば、特許文献1参照。)。
図5は、従来技術による不良救済解析フローを示す。従来技術に係るメモリ試験装置は、AFMが格納するデータを論理値0にクリアした後、被試験メモリの試験を行って、リードモディファイライト動作によりフェイルデータを論理値1として格納していき、被試験メモリの試験が終了すると、AFMに格納されたフェイルデータを参照して、被試験メモリの不良救済解析を行う。そして、AFMが格納するデータを論理値0にクリアした後、被試験メモリの次の試験を開始する。
特開平10−55694号公報
近年、被試験メモリの容量の飛躍的な増加に伴い、被試験メモリと同等の容量をもつAFMの容量も飛躍的に増加している。その結果、AFMのクリア処理に要する時間が必然的に大きくなってしまう。メモリ試験装置は、AFMのクリア処理を行っている間、試験を行うことができない待ち時間となり、試験のスループットを低下させることになる。
そこで本発明は、上記の課題を解決することができる試験装置及び試験方法を提供することを目的とする。この目的は特許請求の範囲における独立項に記載の特徴の組み合わせにより達成される。また従属項は本発明の更なる有利な具体例を規定する。
本発明の第1の形態によると、被試験メモリを試験する試験装置であって、被試験メモリに供給するアドレス信号及びデータ信号、並びに被試験メモリがアドレス信号及びデータ信号に応じて出力すべき期待値信号を発生するパターン発生器と、被試験メモリがアドレス信号及びデータ信号に応じて出力した出力信号と期待値信号とを比較して、出力信号と期待値信号とが一致する場合にパスデータを発生し、出力信号と期待値信号とが一致しない場合にフェイルデータを発生する論理比較器と、アドレス信号が示すアドレスについての被試験メモリに対する試験が1回目であるか否かを示す情報を出力するクリアマーク出力部と、アドレスについての被試験メモリに対する試験が1回目であることを示す情報をクリアマーク出力部が出力する場合には、パスデータ及びフェイルデータを上書き動作によりアドレスに格納し、アドレスについての被試験メモリに対する試験が1回目でないことを示す情報をクリアマーク出力部が出力する場合には、フェイルデータのみを重ね書きするリードモディファイライト動作によりアドレスに格納するアドレスフェイルメモリとを備える。
クリアマーク出力部は、被試験メモリのアドレスについての試験が1回目であるか否かを示す情報を、アドレス毎に保持するクリアマークメモリを有してもよい。
クリアマークメモリは、被試験メモリのアドレスについての試験が1回目である場合には、アドレスに対応づけて論理値0のデータを保持し、被試験メモリのアドレスについての試験が1回目でない場合には、アドレスに対応づけて論理値1のデータを保持し、当該試験装置は、アドレスフェイルメモリにアドレス信号が供給されることによってアドレスフェイルメモリのアドレスから読み出されたデータと、クリアマークメモリにアドレス信号が供給されることによって読み出された、アドレスに対応づけてクリアマークメモリに保持されているデータとの論理積演算を行い、演算結果を出力する論理積回路と、論理比較器が発生した論理値0のパスデータ又は論理値1のフェイルデータと、論理積回路の演算結果との論理和の演算結果を出力する論理和回路とをさらに備え、アドレスフェイルメモリは、アドレスに、論理和回路の演算結果を格納してもよい。
アドレスフェイルメモリに格納されたパスデータ及びフェイルデータに基づいて、被試験メモリの不良救済解析を行う不良救済解析器をさらに備え、クリアマークメモリは、不良救済解析器による不良救済解析に並行してクリアされ、被試験メモリのアドレスについての試験が1回目であることを示す情報を保持してもよい。
クリアマークメモリは、データクリアに要する時間がアドレスフェイルメモリより短くてもよい。
クリアマークメモリのアドレス幅は、アドレスフェイルメモリのアドレス幅より小さくてもよい。
クリアマークメモリは、アドレス信号のうちの上位ビットが示すアドレスに保持している複数ビットの1ワードデータを読み出し、クリアマーク出力部は、アドレス信号のうちの上位ビット以外の下位ビットに基づいて、クリアマークメモリが読み出した複数ビットのうちの1ビットを選択し、被試験メモリのアドレスについての試験が1回目であるか否かを示す情報として出力するセレクタをさらに有してもよい。
本発明の第2の形態によると、被試験メモリを試験する試験方法であって、被試験メモリにアドレス信号及びデータ信号を供給する段階と、被試験メモリがアドレス信号及びデータ信号に応じて出力した出力信号を、被試験メモリがアドレス信号及びデータ信号に応じて出力すべき期待値信号と比較し、出力信号と期待値信号とが一致する場合にパスデータを発生し、出力信号と期待値信号とが一致しない場合にフェイルデータを発生する段階と、アドレス信号が示すアドレスについての被試験メモリに対する試験が1回目である場合には、パスデータ及びフェイルデータを上書き動作によりアドレスフェイルメモリのアドレスに格納し、アドレスについての被試験メモリに対する試験が1回目でない場合には、フェイルデータのみを重ね書きするリードモディファイライト動作によりアドレスフェイルメモリのアドレスに格納する段階とを備える。
なお上記の発明の概要は、本発明の必要な特徴の全てを列挙したものではなく、これらの特徴群のサブコンビネーションもまた発明となりうる。
本発明の試験装置によれば、AFMのクリア処理に要する時間を低減して、試験のスループットの向上を図ることができる。
以下、発明の実施形態を通じて本発明を説明するが、以下の実施形態は特許請求の範囲に係る発明を限定するものではなく、また実施形態の中で説明されている特徴の組み合わせの全てが発明の解決手段に必須であるとは限らない。
図1は、本発明の一実施形態に係る試験装置100の構成の一例を示す。試験装置100は、タイミング発生器102、パターン発生器104、波形整形器106、論理比較器108、不良解析メモリ110、及び不良救済解析器112を備える。
タイミング発生器102は、基準クロックを発生し、パターン発生器104に供給する。パターン発生器104は、基準クロックに基づいて、被試験メモリ120に供給するアドレス信号、データ信号、及び制御信号を発生し、波形整形器106に供給する。また、パターン発生器104は、当該アドレス信号、当該データ信号、及び当該制御信号に応じて被試験メモリ120が出力すべき期待値信号を発生し、論理比較器108に供給する。波形整形器106は、アドレス信号、データ信号、及び制御信号を被試験メモリ120の試験に必要な波形に整形し、被試験メモリ120に印加する。
論理比較器108は、アドレス信号、データ信号、及び制御信号に応じて被試験メモリ120が出力した出力信号と、パターン発生器104が発生した期待値信号とを比較して、出力信号と期待値信号とが一致する場合にパスデータを発生し、出力信号と期待値信号とが一致しない場合にフェイルデータを発生し、不良解析メモリ110に供給する。不良解析メモリ110は、アドレス信号が示すアドレスに、パスデータ及びフェイルデータを格納する。不良救済解析器112は、被試験メモリ120の試験終了後、不良解析メモリ110に格納されたフェイルデータを読み出し、被試験メモリ120の不良救済解析を行う。
本実施形態に係る試験装置100によれば、不良解析メモリ110のクリア処理に要する時間を低減して試験のスループットの向上を図ることができる。
図2は、本実施形態に係る不良解析メモリ110の構成の一例を示す。不良解析メモリ110は、AFMアドレスフォーマッタ202、AFM制御部204、AFM206、AFM206、及びクリアマークメモリ(以下、「CMM」と呼ぶ。)208を有する。AFM206は、被試験メモリ120と同等の容量を有し、CMM208は、被試験メモリ120及びAFM206より小さい容量を有する。なお、CMM208は、本発明のクリアマーク出力部の一例である。
AFMアドレスフォーマッタ202は、パターン発生器104が発生したアドレス信号をフォーマットしてAFM206及びCMM208に供給する。AFM制御部204は、論理比較器108が発生したフェイルデータをAFM206に供給する。CMM208は、AFMアドレスフォーマッタ202から供給されたアドレス信号が示すアドレスについての被試験メモリ120に対する試験が1回目であるか否かを示す情報を出力し、AFM206に供給する。CMM208は、AFMアドレスフォーマッタ202から供給されたアドレス信号が示すアドレスについての被試験メモリ120に対する試験が1回目であることを示す情報を出力すると、その後同一のアドレス信号が供給された場合には、アドレス信号が示すアドレスについての被試験メモリ120に対する試験が1回目でないことを示す情報を出力する。
AFM206は、AFMアドレスフォーマッタ202から供給されたアドレス信号が示すアドレスについての被試験メモリ120に対する試験が1回目であることを示す情報をCMM208が出力する場合には、パスデータ及びフェイルデータを上書き動作により、アドレス信号が示すアドレスに順次格納する。また、AFM206は、AFMアドレスフォーマッタ202から供給されたアドレス信号が示すアドレスについての被試験メモリ120に対する試験が1回目でないことを示す情報をCMM208が出力する場合には、フェイルデータのみを重ね書きするリードモディファイライト動作により、アドレス信号が示すアドレスに順次格納する。そして、不良救済解析器112は、AFM206に格納されたパスデータ及びフェイルデータに基づいて、被試験メモリ120の不良救済解析を行う。また、CMM208は、不良救済解析器112による不良救済解析に並行してクリアされ、被試験メモリ120の全てのアドレスについての試験が1回目であることを示す情報を保持する。
即ち、被試験メモリの試験開始前にCMM208のクリア処理を行うことによって、AFM206のクリア処理を行うことなく新たな試験を開始しても、被試験メモリ120に対する1回目の試験においては、AFM206は、パスデータ及びフェイルデータのすべてを上書き動作により格納し、被試験メモリ120に対する2回目以降の試験においては、フェイルデータのみを重ね書きするリードモディファイライト動作により格納する。したがって、CMM208のアドレス幅をAFM206のアドレス幅より小さくすること等により、CMM208のデータクリア処理に要する時間をAFM206のデータクリア処理に要する時間より短くすることで、次の試験開始までの時間を短縮することができるので試験のスループットを向上させることができる。
図3は、本実施形態に係るCMM208のデータ書き込み回路の構成の一例を示す。不良解析メモリ110は、CMM208のデータ書き込み回路として、マルチプレクサ回路(以下、「MUX」と呼ぶ。)302、及びセレクタ304を有する。
CMM208は、被試験メモリ120のアドレスについての試験が1回目であるか否かを示す情報を、アドレス毎に保持する。具体的には、被試験メモリ120のアドレスについての試験が1回目である場合には、当該アドレスに対応づけて論理値0のデータを保持し、被試験メモリ120のアドレスについての試験が1回目でない場合には、当該アドレスに対応づけて論理値1のデータを保持する。即ち、CMM208は、AFM206の1アドレス当たり1ビットのデータを保持できればよく、つまりAFM206のアドレス幅分のビット数の容量をもっていればよい。
MUX302は、AFM206へのフェイルデータの格納動作時とその他の動作時とでCMM208への書き込みデータを切り替える。具体的には、MUX302は、AFM206へのフェイルデータの格納動作時には、常に論理値1(例えば16ビット)を選択してCMM208に供給する。また、MUX302は、CMM208をクリアする場合には、論理値0のWTDを選択してCMM208に供給する。また、MUX302は、CMM208が正常か否かを確認する場合には、WTDを選択してCMM208に供給する。
CMM208は、AFMアドレスフォーマッタ202から供給されたアドレス信号(例えば28ビット)のうちの上位ビット(例えば24ビット)が示すアドレスに保持している複数ビット(例えば16ビット)の1ワードデータを読み出して、セレクタ304に供給する。そして、CMM208は、リードモディファイライト動作により、読み出した1ワードデータとMUX302から供給された論理値1との論理和演算を行い、演算結果を読み出したアドレスに書き込む。即ち、CMM208は、クリアされた後、あるアドレスへの1回目のアクセスに対しては論理値0を出力し、2回目以降のアクセスに対しては論理値1を出力する。
セレクタ304は、AFMアドレスフォーマッタ202から供給されたアドレス信号のうちの前記上位ビット以外の下位ビット(例えば4ビット)に基づいて、CMM208が前記上位ビットに基づいて読み出した複数ビットの1ワードデータうちの1ビットを選択し、AFMアドレスフォーマッタ202から供給されたアドレス信号が示すアドレスについての被試験メモリ120に対する試験が1回目であるか否かを示す情報であるCMM制御信号として出力し、AFM206に供給する。
以上のように、AFMアドレスフォーマッタ202から供給されたアドレス信号を上位ビットと下位ビットに分割し、上位ビットをアドレス信号としてCMM208に供給し、下位ビットをセレクト信号としてセレクタ304に供給して、CMM208から所望の1ビットを抽出する構成にすることによって、CMM208のアドレス幅を小さくすることができる。そして、CMM208のアドレス幅が小さいことで、CMM208のクリア処理に要する時間が低減できる。
図4は、本実施形態に係るAFM206のデータ書き込み回路の構成の一例を示す。不良解析メモリ110は、AFM206のデータ書き込み回路として、論理積回路402、論理和回路404、Dフリップフロップ回路(以下、「DFF」と呼ぶ。)406、及びMUX408を有する。
AFM206は、AFMアドレスフォーマッタ202からアドレス信号が供給されると、供給されたアドレス信号が示すアドレスからデータを読み出し、論理積回路402に供給する。論理積回路402は、AFM206にアドレス信号が供給されることによってアドレスから読み出されたデータと、CMM208にアドレス信号が供給されることによって読み出された、アドレスに対応づけてCMM208に保持されているデータであるCMM制御信号との論理積演算を行い、演算結果を出力し、論理和回路404に供給する。論理和回路404は、論理比較器108が発生し、AFM制御部204から供給された論理値0のパスデータ又は論理値1のフェイルデータと、論理積回路402の演算結果との論理和演算を行い、演算結果を出力し、DFF406に供給する。DFF406は、AFM206がリード動作からライト動作に切り替わる間、論理和回路404が出力したデータをラッチし、AFM206に供給する。
MUX408は、AFM206へのフェイルデータの格納動作時とその他の動作時とでAFM206への書き込みデータを切り替える。具体的には、MUX408は、AFM206へのフェイルデータの格納動作時には、DFF406から供給されたデータを選択してAFM206に供給する。また、MUX408は、AFM206が正常か否かを確認する場合には、WTDを選択してAFM206に供給する。そして、AFM206は、AFMアドレスフォーマッタ202から供給されたアドレス信号示すアドレスに、MUX408から供給された、論理和回路404の演算結果を格納する。
即ち、AFMアドレスフォーマッタ202から供給されるアドレス信号が示すアドレスについての被試験メモリ120に対する試験が1回目である場合には、CMM208から論理値0のCMM制御信号が出力されるので、論理積回路402は論理値0のデータを出力する。したがって、論理和回路404からAFM206へは、AFM制御部204から出力されたパスデータ及びフェイルデータがそのまま供給され、上書き動作によりAFM206に格納される。一方、AFMアドレスフォーマッタ202から供給されるアドレス信号が示すアドレスについての被試験メモリ120に対する試験が1回目でない場合には、CMM208から論理値1のCMM制御信号が出力されるので、論理積回路402はAFM206から読み出されたデータをそのまま出力する。したがって、論理和回路404からAFM206へは、AFM206から読み出されたデータにAFM制御部204から出力されたフェイルデータのみが累積されたデータが供給され、リードモディファイライト動作によりAFM206に格納される。
本実施形態に係る試験装置100によれば、AFM206のアドレス毎に当該アドレスに対する試験が1回目であるか否かを識別する手段としてCMM208を備えることにより、試験終了後、次の試験を開始する前にAFM206のクリア処理を行う必要がなく、不良救済解析器112による不良救済解析に並行してCMM208のクリア処理を行うことで、待ち時間を生じさせることなく次の試験を開始することができる。したがって、従来技術による不良救済解析フローに比べ、AFM206のクリア処理に要する時間が節約できるので、単位時間当たりの試験回数を増加させることができ、試験のスループットの向上を図ることができる。また、被試験メモリ120の容量の増加に伴って、AFM206の容量が増加した場合であっても、試験のスループットが低下することがない。
以上、実施形態を用いて本発明を説明したが、本発明の技術的範囲は上記実施形態に記載の範囲には限定されない。上記実施形態に、多様な変更又は改良を加えることができる。そのような変更又は改良を加えた形態も本発明の技術的範囲に含まれ得ることが、特許請求の範囲の記載から明らかである。
試験装置100の構成の一例を示す図である。 不良解析メモリ110の構成の一例を示す図である。 CMM208のデータ書き込み回路の構成の一例を示す図である。 AFM206のデータ書き込み回路の構成の一例を示す図である。 従来技術による不良救済解析フローを示す図である。
符号の説明
100 試験装置
102 タイミング発生器
104 パターン発生器
106 波形整形器
108 論理比較器
110 不良解析メモリ
112 不良救済解析器
120 被試験メモリ
202 AFMアドレスフォーマッタ
204 AFM制御部
206 AFM
208 CMM
302 MUX
304 セレクタ
402 論理積回路
404 論理和回路
406 DFF
408 MUX

Claims (10)

  1. 被試験メモリを試験する試験装置であって、
    前記被試験メモリに供給するアドレス信号及びデータ信号、並びに前記被試験メモリが前記アドレス信号及び前記データ信号に応じて出力すべき期待値信号を発生するパターン発生器と、
    前記被試験メモリが前記アドレス信号及び前記データ信号に応じて出力した出力信号と前記期待値信号とを比較して、前記出力信号と前記期待値信号とが一致する場合にパスデータを発生し、前記出力信号と前記期待値信号とが一致しない場合にフェイルデータを発生する論理比較器と、
    前記アドレス信号が示すアドレスについての前記被試験メモリに対する試験が1回目であるか否かを示す情報を出力するクリアマーク出力部と、
    前記アドレスについての前記被試験メモリに対する試験が1回目であることを示す情報を前記クリアマーク出力部が出力する場合には、前記パスデータ及び前記フェイルデータを上書き動作により前記アドレスに格納し、前記アドレスについての前記被試験メモリに対する試験が1回目でないことを示す情報を前記クリアマーク出力部が出力する場合には、前記フェイルデータのみを重ね書きするリードモディファイライト動作により前記アドレスに格納するアドレスフェイルメモリと
    を備え
    前記クリアマーク出力部は、
    前記アドレスフェイルメモリのアドレス幅より小さいアドレス幅をもち、前記アドレスフェイルメモリのアドレス幅のビット数の容量をもち、前記被試験メモリの前記アドレスについての試験が1回目であるか否かを示す情報を、前記アドレス毎に保持するクリアマークメモリ
    を有する試験装置。
  2. 前記クリアマークメモリは、前記被試験メモリの前記アドレスについての試験が1回目である場合には、前記アドレスに対応づけて論理値0のデータを保持し、前記被試験メモリの前記アドレスについての試験が1回目でない場合には、前記アドレスに対応づけて論理値1のデータを保持し、
    当該試験装置は、
    前記アドレスフェイルメモリに前記アドレス信号が供給されることによって前記アドレスフェイルメモリの前記アドレスから読み出されたデータと、前記クリアマークメモリに前記アドレス信号が供給されることによって読み出された、前記アドレスに対応づけて前記クリアマークメモリに保持されているデータとの論理積演算を行い、演算結果を出力する論理積回路と、
    前記論理比較器が発生した論理値0の前記パスデータまたは論理値1の前記フェイルデータと、前記論理積回路の演算結果との論理和の演算結果を出力する論理和回路と
    をさらに備え、
    前記アドレスフェイルメモリは、前記アドレスに、前記論理和回路の演算結果を格納する
    請求項に記載の試験装置。
  3. 前記アドレスフェイルメモリに格納された前記パスデータ及び前記フェイルデータに基づいて、前記被試験メモリの不良救済解析を行う不良救済解析器
    をさらに備え、
    前記クリアマークメモリは、前記不良救済解析器による不良救済解析に並行してクリアされ、前記被試験メモリの前記アドレスについての試験が1回目であることを示す情報を保持する
    請求項または請求項に記載の試験装置。
  4. 前記クリアマークメモリは、データクリアに要する時間が前記アドレスフェイルメモリより短い
    請求項乃至請求項のいずれかに記載の試験装置。
  5. 前記クリアマークメモリは、前記アドレス信号のうちの上位ビットが示すアドレスに保持している複数ビットの1ワードデータを読み出し、
    前記クリアマーク出力部は、
    前記アドレス信号のうちの前記上位ビット以外の下位ビットに基づいて、前記クリアマークメモリが読み出した前記複数ビットのうちの1ビットを選択し、前記被試験メモリの前記アドレスについての試験が1回目であるか否かを示す情報として出力するセレクタ
    をさらに有する請求項乃至請求項のいずれかに記載の試験装置。
  6. 被試験メモリを試験する試験方法であって、
    前記被試験メモリにアドレス信号及びデータ信号を供給する段階と、
    前記被試験メモリが前記アドレス信号及び前記データ信号に応じて出力した出力信号を、前記被試験メモリが前記アドレス信号及び前記データ信号に応じて出力すべき期待値信号と比較し、前記出力信号と前記期待値信号とが一致する場合にパスデータを発生し、前記出力信号と前記期待値信号とが一致しない場合にフェイルデータを発生する段階と、
    アドレスフェイルメモリのアドレス幅より小さいアドレス幅をもち、前記アドレスフェイルメモリのアドレス幅のビット数の容量をもち、前記被試験メモリの前記アドレスについての試験が1回目であるか否かを示す情報を、前記アドレス毎に保持するクリアマークメモリから、前記アドレス信号が示すアドレスについての前記被試験メモリに対する試験が1回目であるか否かを示す情報を出力する段階と、
    前記アドレス信号が示すアドレスについての前記被試験メモリに対する試験が1回目である場合には、前記パスデータ及び前記フェイルデータを上書き動作により前記アドレスフェイルメモリの前記アドレスに格納し、前記アドレスについての前記被試験メモリに対する試験が1回目でない場合には、前記フェイルデータのみを重ね書きするリードモディファイライト動作により前記アドレスフェイルメモリの前記アドレスに格納する段階と
    を備え試験方法。
  7. 前記被試験メモリの前記アドレスについての試験が1回目であるか否かを示す情報を、前記アドレス毎にクリアマークメモリに保持する段階
    をさらに備える請求項に記載の試験方法。
  8. 前記クリアマークメモリに保持する段階は、
    前記被試験メモリの前記アドレスについての試験が1回目である場合には、前記アドレスに対応づけて論理値0のデータを前記クリアマークメモリに保持し、前記被試験メモリの前記アドレスについての試験が1回目でない場合には、前記アドレスに対応づけて論理値1のデータを前記クリアマークメモリに保持する段階
    を有し、
    前記アドレスフェイルメモリの前記アドレスに格納する段階は、
    前記アドレスフェイルメモリに前記アドレス信号が供給されることによって前記アドレスフェイルメモリの前記アドレスから読み出されたデータと、前記クリアマークメモリに前記アドレス信号が供給されることによって読み出された、前記アドレスに対応づけて前記クリアマークメモリに保持されているデータとの論理積演算を行い、演算結果を出力する論理積段階と、
    論理値0の前記パスデータまたは論理値1の前記フェイルデータと、前記論理積段階の演算結果との論理和の演算結果を出力する論理和段階と、
    前記アドレスに、前記論理和段階の演算結果を前記アドレスフェイルメモリに格納する段階と
    を有する請求項に記載の試験方法。
  9. 前記アドレスフェイルメモリに格納された前記パスデータ及び前記フェイルデータに基づいて、前記被試験メモリの不良救済解析を行う不良救済解析段階と、
    前記不良救済解析段階の不良救済解析に並行して前記クリアマークメモリをクリアし、前記被試験メモリの前記アドレスについての試験が1回目であることを示す情報を保持する段階と
    をさらに備える請求項6乃至請求項8のいずれかに記載の試験方法。
  10. 前記アドレス信号のうちの上位ビットが示すアドレスに前記クリアマークメモリが保持している複数ビットの1ワードデータを読み出す段階と、
    前記アドレス信号のうちの前記上位ビット以外の下位ビットに基づいて、前記クリアマークメモリから読み出した前記複数ビットのうちの1ビットを選択し、前記被試験メモリの前記アドレスについての試験が1回目であるか否かを示す情報として出力する段階と
    をさらに備える請求項乃至請求項のいずれかに記載の試験方法。
JP2004069545A 2004-03-11 2004-03-11 試験装置及び試験方法 Expired - Fee Related JP4153884B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2004069545A JP4153884B2 (ja) 2004-03-11 2004-03-11 試験装置及び試験方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2004069545A JP4153884B2 (ja) 2004-03-11 2004-03-11 試験装置及び試験方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2005259265A JP2005259265A (ja) 2005-09-22
JP4153884B2 true JP4153884B2 (ja) 2008-09-24

Family

ID=35084824

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2004069545A Expired - Fee Related JP4153884B2 (ja) 2004-03-11 2004-03-11 試験装置及び試験方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP4153884B2 (ja)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4939427B2 (ja) 2007-03-23 2012-05-23 株式会社アドバンテスト 試験装置及び電子デバイス
WO2009047841A1 (ja) * 2007-10-09 2009-04-16 Advantest Corporation 試験装置及び試験方法
CN114255155B (zh) * 2022-02-24 2022-07-26 荣耀终端有限公司 一种图形处理器测试方法和电子设备

Also Published As

Publication number Publication date
JP2005259265A (ja) 2005-09-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US8201037B2 (en) Semiconductor integrated circuit and method for controlling semiconductor integrated circuit
US7657801B2 (en) Test apparatus, program, and test method
JP4402093B2 (ja) 半導体試験装置および半導体メモリの試験方法
JPWO2008001543A1 (ja) 半導体試験装置および半導体メモリの試験方法
JPH0434109B2 (ja)
JP3871384B2 (ja) 半導体メモリ試験装置用不良解析メモリ
US20130051158A1 (en) Integrated circuit, testing apparatus for integrated circuit, and method of testing integrated circuit
KR100486310B1 (ko) 메모리 시험장치 및 메모리 시험방법
JP4098264B2 (ja) 試験装置及び試験方法
JP4130811B2 (ja) 試験装置及び試験方法
KR19980032494A (ko) 메모리 시험장치
JP4153884B2 (ja) 試験装置及び試験方法
JP4981918B2 (ja) 試験装置及び試験方法
KR100939199B1 (ko) 시험 장치, 시험 방법, 프로그램, 및 기록 매체
JP4119417B2 (ja) 試験装置及び試験方法
JP2007257684A (ja) メモリ試験装置
JP2010003409A (ja) 半導体試験装置
JP2003297100A (ja) 半導体装置
JP4679428B2 (ja) 試験装置および試験方法
JP2002050193A (ja) メモリ試験方法・メモリ試験装置
JP2003004810A (ja) 半導体デバイス試験装置
JP4423407B2 (ja) 半導体試験装置
JP2002062340A (ja) 半導体試験装置
JP2006079678A (ja) メモリテスト回路およびメモリテスト方法
JP2009222581A (ja) 半導体試験装置

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20070105

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20080115

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20080221

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20080422

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20080611

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20080701

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20080704

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110711

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110711

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120711

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120711

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130711

Year of fee payment: 5

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130711

Year of fee payment: 5

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees