JP4119417B2 - 試験装置及び試験方法 - Google Patents
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- G11C2029/5606—Error catch memory
Description
102 タイミング発生器
104 パターン発生器
106 波形整形器
108 ドライバ
110 コンパレータ
112 論理比較器
114 フェイルメモリ
116 良否判定部
150 被試験メモリ
500 データレジスタ
501 データレジスタ
502 データレジスタ
503 データレジスタ
504 I/Oピン
700 波形発生器
704 論理和回路
706 バッドブロックメモリ
710 アドレス選択器
800 波形発生器
802 論理積回路
804 論理和回路
806 バッドブロックメモリ
808 強制有効信号発生部
810 アドレス選択器
Claims (4)
- 複数のブロックを有する複数のバンクと、前記複数のバンクに対応した複数のデータレジスタとを備え、前記複数のデータレジスタのそれぞれに供給されたデータを、前記複数のバンクのそれぞれが有する前記複数のブロックのそれぞれに同時に書き込む被試験メモリを試験する試験装置であって、
前記ブロックを示すアドレスと、当該ブロックに書き込むべき試験パターンデータとの組を連続して前記複数のデータレジスタのそれぞれに供給した後、複数の前記試験パターンデータを前記複数のデータレジスタから複数の前記アドレスのそれぞれが示す前記ブロックに転送することを前記被試験メモリに実行させる実行コマンドを発生して前記被試験メモリに供給するパターン発生器と、
前記ブロックを示す前記アドレスに対応づけて、当該ブロックが不良であることを示す情報を格納する不良記憶領域格納部と、
前記パターン発生器が発生した所定のアドレスが、不良の前記ブロックを示す場合に、書込禁止信号を前記被試験メモリに供給することにより、前記被試験メモリへの書き込みを禁止する書込禁止信号発生部と、
前記パターン発生器が連続して前記複数のデータレジスタに供給する前記アドレスと前記試験パターンデータとの組のうちの最後の組に含まれる前記アドレスが不良の前記ブロックを示す場合に、前記最後の組と前記実行コマンドとの間に書込強制有効信号を前記被試験メモリに供給することにより、前記被試験メモリへの書き込みの禁止を解除する書込強制有効信号発生部と
を備える試験装置。 - 前記パターン発生器が発生した前記アドレス及び前記試験パターンデータに応じて前記被試験メモリが出力した出力データを予め生成された期待値データと比較する論理比較器と、
不良の前記ブロックから読み出された前記出力データが前記被試験メモリから出力される場合に、比較禁止信号を前記論理比較器に供給することにより、前記論理比較器による前記出力データと前記期待値データとの比較を禁止する比較禁止信号発生部と、
不良の前記ブロックから読み出された前記出力データの前記被試験メモリからの出力が終了すると、比較強制有効信号を前記論理比較器に供給することにより、前記論理比較器による前記出力データと前記期待値データとの比較の禁止を解除する比較強制有効信号発生部と
をさらに備える請求項1に記載の試験装置。 - 複数のブロックを有する複数のバンクと、前記複数のバンクに対応した複数のデータレジスタとを備え、前記複数のデータレジスタのそれぞれに供給されたデータを、前記複数のバンクのそれぞれが有する前記複数のブロックのそれぞれに同時に書き込む被試験メモリを試験する試験方法であって、
前記ブロックを示すアドレスと、当該ブロックに書き込むべき試験パターンデータとの組を連続して前記複数のデータレジスタのそれぞれに供給した後、複数の前記試験パターンデータを前記複数のデータレジスタから複数の前記アドレスのそれぞれが示す前記ブロックに転送することを前記被試験メモリに実行させる実行コマンドを発生して前記被試験メモリに供給するパターン発生段階と、
前記ブロックを示す前記アドレスに対応づけて、当該ブロックが不良であることを示す情報を不良記憶領域格納部に格納する不良記憶領域格納段階と、
前記パターン発生段階において発生した所定のアドレスが、不良の前記ブロックを示す場合に、書込禁止信号を前記被試験メモリに供給することにより、前記被試験メモリへの書き込みを禁止する書込禁止信号発生段階と、
前記パターン発生段階において連続して前記複数のデータレジスタに供給する前記アドレスと前記試験パターンデータとの組のうちの最後の組に含まれる前記アドレスが不良の前記ブロックを示す場合に、前記最後の組と前記実行コマンドとの間に書込強制有効信号を前記被試験メモリに供給することにより、前記被試験メモリへの書き込みの禁止を解除する書込強制有効信号発生段階と
を備える試験方法。 - 前記パターン発生段階において発生した前記アドレス及び前記試験パターンデータに応じて前記被試験メモリが出力した出力データを予め生成された期待値データと比較する論理比較段階と、
不良の前記ブロックから読み出された前記出力データが前記被試験メモリから出力される場合に、比較禁止信号を発生することにより、前記論理比較段階における前記出力データと前記期待値データとの比較を禁止する比較禁止信号発生段階と、
不良の前記ブロックから読み出された前記出力データの前記被試験メモリからの出力が終了すると、比較強制有効信号を発生することにより、前記論理比較段階における前記出力データと前記期待値データとの比較の禁止を解除する比較強制有効信号発生部と
をさらに備える請求項3に記載の試験方法。
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