JP4947967B2 - 回路モジュール - Google Patents
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Description
また、誘電体基板1と共に半導体回路チップ6を覆うようにキャップ9が形成されており、これによって、半導体回路チップ6の破壊防止や気密封止を図っている。なお、信号線5aは、誘電体基板1内を貫通するスルーホール8を経由して信号線5bに接続され、さらに外部回路に接続されている。
(1-1)ここで、上記の抵抗膜は、半導体回路チップの裏面に直接形成するか、或いは非導電性接着剤を介して形成すればよい。
(1-2)また、上記のグランドメタル層は、半導体回路チップの表面又は誘電体基板上に直接形成され、不要放射波に対する反射層として機能する位置に置かれていればよい。
(1-3)また、上記のグランドメタル層から抵抗膜までの距離は、不要放射波において1/4波長である。これにより、半導体回路チップ6内で発生した不要放射波は、グランドメタル層で反射されて戻るとき、グランドメタル層から抵抗膜までの距離が1/4波長であることに伴い、この1/4波長の位置に形成された抵抗膜で定在波の腹が生じることとなり、この抵抗膜においてよりその吸収差(減衰度)が大きくなる。
(1-4)また、本発明に係る回路モジュールは、上記の半導体回路チップや抵抗膜に対して被せるメタルキャップを設け、この抵抗膜からメタルキャップまでの空間の距離を上記の不要放射波において1/4波長とする。
(1-5)さらに、上記の抵抗膜は、空気の特性インピーダンスと等しい抵抗値を有するものとすることができる。
(2)上記の如く、誘電体基板上に半導体回路チップ及び抵抗膜を載置した状態で、この抵抗膜に対してさらに別の誘電体基板を実装し、この誘電体基板の、該抵抗膜とは反対側の面にメタル層を形成してもよい。
(2-1)上記の別の誘電体基板のメタル層は、放熱用のキャップに接続してもよく、このキャップは、半導体回路チップと抵抗膜と別の誘電体基板とを覆うものである。
これにより、半導体回路チップ内で発生した熱を抵抗膜及び別の誘電体基板を介してキャップに逃がすことが可能となる。
(2-2)この場合の抵抗膜は、上記の別の誘電体基板に接着されており、且つ半導体回路チップの材質の誘電率によって決定される特性インピーダンスに等しい抵抗値を有するものであることが好ましい。
(2-3)また、上記の抵抗膜は、上記の別の誘電体基板に接着されておらず、半導体回路チップから空間を隔てて形成されたものであってもよく、上記の別の誘電体基板のメタル層を介してキャップに接続してもよい。この場合のキャップは、上記と同様に半導体回路チップと抵抗膜と別の誘電体基板とを覆うものである。
(2-4)さらに、上記の別の誘電体基板自体が半導体回路チップを覆うキャップであってもよく、この場合にこのキャップの内側に抵抗膜が、半導体回路チップから空間を隔てて形成され、その外側にはメタル層を形成すればよい。
(2-5)さらに、上記の抵抗膜は、空気の特性インピーダンスと等しいシート抵抗値を有するものであることが好ましい。
(2-6)上記の別の誘電体基板は、不要放射波において1/4波長の厚さを有することが好ましい。
上記の抵抗膜は、メッシュ状のパターンに形成してもよい。これにより、抵抗膜のシート抵抗値は、高周波においても、或いは直流的にも高めることが可能となる。
図1及び図2は、本発明に係る回路モジュールに用いられる実施例[1]を示しており、特に図1はその斜視図を示し、図2(1)は、図1においてA-A面で切断した時の断面図を部分的に示し、B-B面で切断した時の断面図を同図(2)に示している。
このように、本発明の実施例[1]は、図11に示した従来例に対して半導体回路チップ6の裏面に抵抗膜7を設けたものであり、但しキャップ9は設けないようにしたものである。
このとき、抵抗膜7のシート抵抗値を周囲の空気の特性インピーダンス(Rs-air=約380Ω)にすることにより(式1:特性インピーダンスZ0=√(μ/ε)、μ:媒質の透磁率、ε:媒質の誘電率、この場合の媒質は空気)、周囲の空間とのインピーダンス整合が取れることなり、不要放射波の電力が、抵抗膜7で最大消費され、減衰することになる。
図3は、本発明に係る回路モジュールに用いられる実施例[2]を示しており、この実施例[2]は、図1及び図2に示した実施例[1]に対してキャップ9を設けた点が異なっている。そして、図1に示すような斜視図は示していないが、図1のA-A面で切断した場合に相当する断面図が図3(1)に示されており、B-B面で切断した時の断面図が同図(2)に示されている。
図4は、本発明に係る回路モジュールの実施例[3]を示しており、この実施例[3]は、図3に示した実施例[2]に対して、基本的な構造は同じであるが、キャップとしてメタルキャップ9aを用いると共に、抵抗膜7とメタルキャップ9aとの間隔を所定の周波数において1/4波長にした点が異なっている。
このとき、メタルキャップ9aと抵抗膜7との間隔を1/4波長にしておくことにより、反射した不要放射波は抵抗膜7において定在波の腹が生じ、この抵抗膜7において大きく電力消費されることになるので、メタルキャップ9aで反射した不要放射波も同時に抵抗膜7で吸収されることになる。このため、キャップとしてメタルキャップが用いられている。
実施例[4]:図5
図5は、本発明に係る回路モジュールに用いられる実施例[4]を示したもので、この実施例[4]は、基本的には図3に示した実施例[2]と同様であるが、半導体回路チップ6の表面において、図5(1)のB-B断面図及び同図(2)のA-A断面図に示すように、信号線5のみを半導体回路チップ6の表面に直接形成し、グランドメタル層4については誘電体10を介して形成している点が異なっている。このため、信号線5は、メタルバンプ3a、信号線5C、及びメタルバンプ3を経由して信号線5aに接続されている。半導体回路チップ6の厚みと誘電体10の厚みを足した厚み、すなわち抵抗膜7とグランドメタル層4との間隔を1/4波長としている。
図6及び図7は、本発明に係る回路モジュールに用いられる実施例[5]を示したもので、これらの図から分るように、この実施例[5]においては、図5に示した実施例[4]においてキャップを用いないと共に、抵抗膜7aが下面に形成され、メタル層13が上面に形成された誘電体基板12を、半導体回路チップ6の裏面に非導電性接着剤11で接着した点が異なっている。
このような実施例[5]において、抵抗膜7aのシート抵抗値は、半導体回路チップ6の材質の誘電率によって決定される特性インピーダンスに等しい抵抗値Rs-chipを有する。一般にチップ材質の比誘電率は1よりも大きいので、式1より、インピーダンス整合させる抵抗値を低く設定できることになる。GaAs(比誘電率〜13)の場合は100Ω程度と低く設定できる。
この抵抗膜7aで吸収できなかった不要放射波は、さらに誘電体基板12に進むが、メタル層13で反射されるので、この反射波は誘電体の厚さである1/4波長に位置する抵抗膜7aで定在波の腹となり、この抵抗膜7aでやはり大きく吸収されることとなる。
図8には、本発明に係る回路モジュールに用いられる実施例[6]が示されており、この実施例[6]は、図7に示した実施例[5]に放熱用のキャップ9bを取り付けると共に、メタル層13と放熱キャップ9b等を接着剤14で接着固定している点が異なっている。
図9は、本発明に係る回路モジュールに用いられる実施例[7]を一部断面図で示したもので、図8に示した実施例[6]において、半導体回路チップ6の裏面には空間を設け、抵抗膜7とメタル層13を実装した誘電体基板12をキャップ9に接着している点が異なっている。なお、メタル層13とキャップ9との間の接着剤は省略してある。
このような実施例[7]においては、半導体回路チップ6の裏面から漏洩した不要放射波は、この空間とインピーダンス整合状態になっている抵抗膜7において終端され吸収されることになる。
図10は、本発明に係る回路モジュールに用いられる実施例[8]の断面図を部分的に示したものであり、この実施例[8]と図9に示した実施例[7]との違いは、誘電体基板12自体をキャップとして用いた点である。すなわち、半導体回路チップ6の上方にある抵抗膜7を下面に形成すると共に上面にはメタル層13aを形成した誘電体キャップ12aが半導体回路チップ6を覆うように形成されている。
この実施例[8]の不要放射波に関する動作は、図9に示した実施例[7]と同様であるが、キャップを新たに用いなくて済むという利点を有している。
誘電体基板と、
該誘電体基板に対してグランドメタル層を介して実装される半導体回路チップと、
該半導体回路チップの、該誘電体基板とは反対側に形成された抵抗膜と、
を備えたことを特徴とする回路モジュール。
(付記2)付記1において、
該抵抗膜が、該半導体回路チップの裏面に直接又は非導電性接着剤を介して形成されていることを特徴とした回路モジュール。
(付記3)付記2において、
該グランドメタル層が、該半導体回路チップの表面又は該誘電体基板上に直接形成されていることを特徴とした回路モジュール。
(付記4)付記1において、
該グランドメタル層から該抵抗膜までの距離が、所定の周波数において1/4波長であることを特徴とした回路モジュール。
(付記5)付記1において、
該半導体回路チップ及び該抵抗膜に被せるメタルキャップをさらに備え、該抵抗膜から該メタルキャップまでの空間距離を所定の周波数において1/4波長としたことを特徴とする回路モジュール。
(付記6)付記1から5のいずれか一つにおいて、
該抵抗膜が、空気の特性インピーダンスと等しいシート抵抗値を有することを特徴とした回路モジュール。
(付記7)付記1において、
該抵抗膜に対して実装され、該抵抗膜とは反対側の面にメタル層が形成された別の誘電体基板をさらに備えたことを特徴とした回路モジュール。
(付記8)付記7において、
該別の誘電体基板のメタル層が、放熱用のキャップに接着され、該半導体回路チップと該抵抗膜と該別の誘電体基板が該キャップによって覆われていることを特徴とした回路モジュール。
(付記9)付記7又は8において、
該抵抗膜が、該別の誘電体基板に接着されており、且つ該半導体回路チップの材質の誘電率によって決定される特性インピーダンスに等しいシート抵抗値を有することを特徴とした回路モジュール。
(付記10)付記7において、
該抵抗膜が、該半導体回路チップから空間を隔てて形成され、且つ該別の誘電体基板のメタル層を介してキャップに接着されており、該半導体回路チップと該抵抗膜と該別の誘電体基板が該キャップによって覆われていることを特徴とした回路モジュール。
(付記11)付記9において、
該別の誘電体基板が該半導体回路チップを覆うキャップとして形成され、その内側に該抵抗膜が、該半導体回路チップから空間を隔てて接着され、その外側に該メタル層が形成されていることを特徴とした回路モジュール。
(付記12)付記10又は11において、
該抵抗膜が、空気の特性インピーダンスと等しいシート抵抗値を有することを特徴とした回路モジュール。
(付記13)付記7から12のいずれか一つにおいて、
該別の誘電体基板の厚さが、所望の周波数において1/4波長であることを特徴とした回路モジュール。
(付記14)付記1から13のいずれか一つにおいて、
該抵抗膜が、メッシュ状のパターンに形成されていることを特徴とした回路モジュール。
2,4 グランドメタル層
3,3a メタルバンプ
5,5a,5b,5c 信号線
6 半導体回路チップ
7,7a 抵抗膜
8 スルーホール
9 キャップ
9a メタルキャップ
9b 放熱用キャップ
10 誘電体
11 非導電性接着剤
12 誘電体基板
12a 誘電体キャップ
13,13a メタル層
14 接着剤
図中、同一符号は同一又は相当部分を示す。
Claims (3)
- 誘電体基板と、
該誘電体基板に対してグランドメタル層を介して実装される半導体回路チップと、
該半導体回路チップの、該誘電体基板とは反対側に形成された抵抗膜と、
該半導体回路チップ及び該抵抗膜に被せるメタルキャップと、
を備え、該抵抗膜から該メタルキャップまでの空間距離を不要放射波において1/4波長としたことを特徴とする回路モジュール。 - 請求項1において、
該グランドメタル層から該抵抗膜までの距離が、該不要放射波において1/4波長であることを特徴とした回路モジュール。 - 請求項1又は2において、
該抵抗膜が、空気の特性インピーダンスと等しいシート抵抗値を有すること
を特徴とした回路モジュール。
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