CN110876254B - 吸波散热结构 - Google Patents

Abstract

本案揭示一种吸波散热结构，适于吸收电子元件的电磁波及消散电子元件的热能，吸波散热结构包括吸波散热层及金属膜。吸波散热层配置于电子元件且具有位置相对的第一表面及第二表面，第一表面覆盖电子元件。金属膜覆盖第二表面。吸波散热层适于吸收电磁波及传导热能，金属膜适于反射电磁波及消散热能。吸波散热结构可减轻电磁波对电子元件的干涉并可增进电子元件的散热。利用本发明的吸波散热结构，通过吸波散热层的第一表面适于覆盖电子元件以及金属膜覆盖吸波散热层的第二表面，吸波散热结构兼具减轻电磁波对第一电子元件的干涉以及促进第一电子元件的散热的优点，从而可使第一电子元件保持正常运作。

Description

吸波散热结构

【技术领域】

本发明关于一种吸波散热结构。

【背景技术】

电子系统里有许多电子元件，电子元件运作时所产生的电磁波会互相干涉，故现有技术于电磁波敏感的电子元件上覆盖吸波片来降低电磁波干涉(杂讯)，以使电磁波敏感的电子元件运作正常；其中，电磁波干涉的来源例如是其他电子元件的电磁波或电磁波敏感的电子元件的被反射电磁波。一般来说，吸波片的厚度越厚，吸波片的吸波效果越好，可以减轻电磁波干涉的情形。但厚度越厚的吸波片不利于电子元件的散热，反而使电子元件处于过热的高风险中。

本「先前技术」段落只是用来帮助了解本发明内容，因此在「先前技术」中所揭露的内容可能包含一些没有构成所属技术领域中具有通常知识者所知道的现有技术。此外，在「先前技术」中所揭露的内容并不代表该内容或者本发明一个或多个实施例所要解决的问题，也不代表在本发明申请前已被所属技术领域中具有通常知识者所知晓或认知。

【发明内容】

本发明提供一种吸波散热结构，可减轻电磁波对电子元件的干涉并可增进电子元件的散热。

本发明所提供的吸波散热结构，适于吸收电子元件的电磁波及消散电子元件的热能，吸波散热结构包括吸波散热层及金属膜。吸波散热层配置于电子元件且具有位置相对的第一表面及第二表面，第一表面覆盖电子元件。金属膜覆盖第二表面。吸波散热层适于吸收电磁波及传导热能，金属膜适于反射电磁波及消散热能。

本发明的吸波散热结构中，通过吸波散热层的第一表面适于覆盖电子元件以及金属膜覆盖吸波散热层的第二表面，吸波散热结构兼具减轻电磁波对第一电子元件的干涉以及促进第一电子元件的散热的优点，从而可使第一电子元件保持正常运作。

为让本发明的上述和其他目的、特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合所附图式，作详细说明如下。

【附图说明】

图1为本发明第一实施例的吸波散热结构的剖面示意图。

图2为本发明第一实施例的吸波散热结构的使用示意图。

图3为本发明第二实施例的吸波散热结构的剖面示意图。

图4为本发明第二实施例的吸波散热结构的使用示意图。

图5为本发明第三实施例的吸波散热结构的剖面示意图。

图6为本发明第三实施例的吸波散热结构的使用示意图。

图7为本发明第四实施例的吸波散热结构的剖面示意图。

图8为本发明第五实施例的吸波散热结构的剖面示意图。

图9为本发明第六实施例的吸波散热结构的剖面示意图。

【具体实施方式】

图1为本发明第一实施例的吸波散热结构的剖面示意图。图2为本发明第一实施例的吸波散热结构的使用示意图。请参考图1及2，本实施例的吸波散热结构100适于吸收第一电子元件200的电磁波及消散第一电子元件200的热能，吸波散热结构100包括吸波散热层110及金属膜120，吸波散热层110具有位置相对的第一表面111及第二表面112，第一表面111覆盖第一电子元件200，金属膜120覆盖第二表面112。吸波散热层110适于吸收第一电子元件200的电磁波及传导第一电子元件200的热能，金属膜120适于反射第一电子元件200的电磁波及消散第一电子元件200的热能。此外，吸波散热层110可由电磁波吸收粒子或/及散热粒子与高分子材料的混合物所制成，但不以此为限；所述高分子材料可例如为硅橡胶。另外，金属膜120的材料可为金属或合金，例如为铝、铜、银等金属或其合金，但不以此为限。

本实施例的吸波散热结构100可配置于第一电子元件200上，第一电子元件200与第二电子元件300可配置于电路板400上，且散热模块500可盖设于第一电子元件200、第二电子元件300及吸波散热结构100上。相较于第二电子元件300，第一电子元件200对于电磁波更为敏感，也即第一电子元件200较容易被其他电磁波(即杂讯)干涉而难以正常运作，其他电磁波例如是第二电子元件300所发出的电磁波或是第一电子元件200的被反射电磁波(即由第一电子元件200发出并且被反射回来的电磁波)。进一步而言，第一电子元件200例如可为卫星定位晶片(satellite positioning chip)，第二电子元件300例如可为固态硬碟(solid state disk)，第一电子元件200、第二电子元件300及电路板400例如可为携带式电子装置的内部组件，但不以此为限。

在本实施例中，第一电子元件200所发出的一部份电磁波可直接被吸波散热层110吸收；第一电子元件200所发出的另一部份电磁波，穿过吸波散热层110后被金属膜120向吸波散热层110反射，最后被吸波散热层110吸收；第一电子元件200所发出的又一部份电磁波穿过吸波散热层110及金属膜120后被散热模块500反射，并且进一步被金属膜120向反射散热模块500，而不会对第一电子元件200产生干涉；第一电子元件200所发出的再一部份电磁波则是穿过吸波散热层110、金属膜120及散热模块500而向外发送；据此，由第一电子元件200所发出的电磁波可减少对第一电子元件200本身及第二电子元件300的干涉。第二电子元件300所发出的电磁波则可被金属膜120所反射或是被吸波散热层110吸收，据此，第二电子元件300所发出的电磁波可减少对第一电子元件200的干涉。此外，第一电子元件200所产生的热能可经由吸波散热层110传递至金属膜120并且经由金属膜120而消散；最终第一电子元件200所产生的热能可与第二电子元件300所产生的热能一起由散热模块500消散。因此，本实施例的吸波散热结构100不只减轻电磁波对第一电子元件200的干涉，还可帮助第一电子元件200的散热，从而有益于第一电子元件200的正常运作。

图3为本发明第二实施例的吸波散热结构的剖面示意图。图4为本发明第二实施例的吸波散热结构的使用示意图。请参考图3及4，本实施例的吸波散热结构100a与第一实施例的吸波散热结构100的差异在于：在本实施例中，吸波散热层110a的第一表面111a还包括邻接的第三表面113a及第四表面114a，第三表面113a及第四表面114a覆盖第一电子元件200，且吸波散热层110a还包括吸波部115a及散热部116a，吸波部115a具有第二表面112a及第一表面111a的第三表面113a，第三表面113a上形成朝第二表面112a延伸的凹槽1131a，散热部116a配置于凹槽1131a内，且散热部116a具有第四表面114a。此外，第三表面113a可邻接于第四表面114a的周缘。在本实施例中，吸波散热层110a可由散热部116a及环绕散热部116a的吸收部所组成，散热部116a的材料可不同于吸波部115a的材料。另外，凹槽1131a的形状可为圆形、矩形、梯形、三角形等几何形状，但不以此为限，凹槽1131a的形状也可以是不规则的形状；散热部116a的形状可以对应于凹槽1131a的形状，但也可以不对应于凹槽1131a的形状。

在本实施例中，第一电子元件200所发出的一部份电磁波可直接被吸波部115a吸收；第一电子元件200所发出的另一部份电磁波，穿过散热部116a及吸波部115a或吸波部115a后被金属膜120a向吸波散热层110a反射，最后被吸波部115a吸收；第一电子元件200所发出的又一部份电磁波穿过吸波散热层110a及金属膜120a后被散热模块500反射，并且进一步被金属膜120a向反射散热模块500，而不会对第一电子元件200产生干涉；第一电子元件200所发出的再一部份电磁波则是穿过吸波散热层110a、金属膜120a及散热模块500而向外发送；据此，由第一电子元件200所发出的电磁波可减少对第一电子元件200本身及第二电子元件300的干涉。另外，第二电子元件300所发出的电磁波则可被金属膜120a所反射或是被吸波部115a吸收，据此，第二电子元件300所发出的电磁波可减少对第一电子元件200的干涉。此外，第一电子元件200所产生的热能可经由散热部116a及吸波部115a传递至金属膜120a并且经由金属膜120a而消散，最终第一电子元件200所产生的热能可与第二电子元件300所产生的热能一起由散热模块500消散。因此，本实施例的吸波散热结构100不只减轻电磁波对第一电子元件200的干涉，还可帮助第一电子元件200的散热，从而有益于第一电子元件200的正常运作。

图5为本发明第三实施例的吸波散热结构的剖面示意图。图6为本发明第三实施例的吸波散热结构的使用示意图。请参考图5及6，本实施例的吸波散热结构100b与第一实施例的吸波散热结构100的差异在于：在本实施例中，吸波散热层110b的第一表面111b还包括邻接的第三表面113b及第四表面114b，第三表面113b及第四表面114b覆盖第一电子元件200，第二表面112b还包括邻接的第五表面117b及第六表面118b，金属膜120b覆盖第五表面117b及第六表面118b，且吸波散热层110b还包括吸波部115b及散热部116b，吸波部115b具有第三表面113b及第五表面117b，第三表面113b与第五表面117b之间形成穿孔1131b，散热部116b配置于穿孔1131b内，且散热部116b具有第四表面114b及第六表面118b。此外，第三表面113b可邻接于第四表面114b的周缘，第五表面117b可邻接于第六表面118b的周缘。另外，穿孔1131b的形状可为圆形、矩形、梯形、三角形等几何形状，但不以此为限，穿孔1131b的形状也可以是不规则的形状；散热部116b的形状可以对应于穿孔1131b的形状，但也可以不对应于穿孔1131b的形状。

在本实施例中，第一电子元件200所发出的一部份电磁波可直接被吸波部115b吸收；第一电子元件200所发出的另一部份电磁波，穿过散热部116b或吸波部115b后被金属膜120b向吸波散热层110b反射，最后被吸波部115b吸收；第一电子元件200所发出的又一部份电磁波穿过吸波散热层110b及金属膜120b后被散热模块500反射，并且进一步被金属膜120b向反射散热模块500，而不会对第一电子元件200产生干涉；第一电子元件200所发出的再一部份电磁波则是穿过吸波散热层110b、金属膜120b及散热模块500而向外发送；据此，由第一电子元件200所发出的电磁波可减少对第一电子元件200本身及第二电子元件300的干涉。另外，第二电子元件300所发出的电磁波则可被金属膜120b所反射或是被吸波部115b吸收，据此，第二电子元件300所发出的电磁波可减少对第一电子元件200的干涉。此外，第一电子元件200所产生的热能可经由吸波散热层110b的散热部116b传递至金属膜120b并且经由金属膜120b而消散，最终第一电子元件200所产生的热能可与第二电子元件300所产生的热能一起由散热模块500消散。因此，本实施例的吸波散热结构100不只减轻电磁波对第一电子元件200的干涉，还可帮助第一电子元件200的散热，从而有益于第一电子元件200的正常运作。

图7为本发明第四实施例的吸波散热结构的剖面示意图。请参考图7，本实施例的吸波散热结构100c与第一实施例的吸波散热结构100的差异在于：在本实施例中，吸波散热层110c还具有外侧表面119c，外侧表面119c连接第一表面111c及第二表面112c，金属膜120c同时覆盖外侧表面119c及第二表面112c。据此，在外侧表面119c处的电磁波可被金属膜120c反射、被吸波散热层110c吸收、或者被金属膜120c反射且被吸波散热层110c吸收，故相较于第一实施例的吸波散热结构100，本实施例的吸波散热结构100c可进一步减轻电磁波对第一电子元件200的干涉，从而确保第一电子元件200的正常运作。

图8为本发明第五实施例的吸波散热结构的剖面示意图。请参考图8，本实施例的吸波散热结构100d与第四实施例的吸波散热结构100c的差异在于：在本实施例中，吸波散热层110d的第一表面111d还包括邻接的第三表面113d及第四表面114d，第三表面113d及第四表面114d覆盖第一电子元件200，外侧表面119d连接第三表面113d与第二表面112d，且吸波散热层110d还包括吸波部115d及散热部116d，吸波部115d具有第二表面112d、第一表面111d的第三表面113d及外侧表面119d，第三表面113d上形成朝第二表面112d延伸的凹槽1131d，散热部116d配置于凹槽1131d内，且散热部116d具有第四表面114d。此外，第三表面113d可邻接于第四表面114d的周缘。本实施例的吸波散热结构100d的优点类同于第二实施例的吸波散热结构110a；但是在本实施中，在外侧表面119d处的电磁波可被被金属膜120d反射、被吸波散热层110d吸收、或者被金属膜120d反射且被吸波散热层110d吸收，故相较于第二实施例的吸波散热结构100a，本实施例的吸波散热结构100d可进一步减轻电磁波对第一电子元件200的干涉，从而确保第一电子元件200的正常运作。

图9为本发明第六实施例的吸波散热结构的剖面示意图。请参考图9，本实施例的吸波散热结构100e与第四实施例的吸波散热结构100c的差异在于：在本实施例中，吸波散热层110e的第一表面111e还包括邻接的第三表面113e及第四表面114e，第三表面113e及第四表面114e覆盖第一电子元件200，第二表面112e还包括邻接的第五表面117e及第六表面118e，外侧表面119e连接第三表面113e及第五表面117e，金属膜120e覆盖第五表面117e、第六表面118e及外侧表面119e，且吸波散热层110e还包括吸波部115e及散热部116e，吸波部115e具有第三表面113e、第五表面117e及外侧表面119e，第三表面113e与第五表面117e之间形成穿孔1131e，散热部116e配置于穿孔1131e内，且散热部116e具有第四表面114e及第六表面118e。此外，第三表面113e可邻接于第四表面114e的周缘，第五表面117e可邻接于第六表面118e的周缘。本实施例的吸波散热结构100e的优点类同于第三实施例的吸波散热结构110b；但是在本实施中，在外侧表面119e处的电磁波可被金属膜120e反射、被吸波散热层110e吸收、或者被金属膜120e反射且被吸波散热层110e吸收金属膜120e反射或/及吸波散热层110e吸收，故相较于第三实施例的吸波散热结构100b，本实施例的吸波散热结构100e可进一步减轻电磁波对第一电子元件200的干涉，从而确保第一电子元件200的正常运作。

综上所述，本发明实施例的吸波散热结构中，通过吸波散热层的第一表面适于覆盖第一电子元件且金属膜覆盖吸波散热层的第二表面，其中，第一表面与第二表面的位置相对，吸波散热结构兼具减轻电磁波对第一电子元件的干涉以及促进第一电子元件的散热的优点，从而可达到使第一电子元件保持正常运作的效果。

虽然本发明已以实施例揭露如上，然其并非用以限定本发明，本发明所属技术领域中具有通常知识者，在不脱离本发明的精神和范围内，当可作些许的更动与润饰，因此本发明的保护范围当视后附的申请专利范围所界定者为准。此外，本说明书或申请专利范围中提及的「第一」、「第二」等用语仅用以命名元件(element)的名称或区别不同实施例或范围，而并非用来限制元件数量上的上限或下限。

Claims (9)

1.一种吸波散热结构，适于吸收一电子元件的一电磁波及消散该电子元件的一热能，其特征在于，该吸波散热结构包括：

一吸波散热层，配置于该电子元件，且具有位置相对的一第一表面及一第二表面，该第一表面覆盖该电子元件，该第一表面还包括邻接的一第三表面及一第四表面，该第三表面及该第四表面覆盖该电子元件，且该吸波散热层还包括一吸波部及一散热部，该吸波部具有该第二表面及该第一表面的该第三表面，该第三表面上形成一朝该第二表面延伸的凹槽，该散热部配置于该凹槽内，且该散热部具有该第四表面；以及

一金属膜，覆盖该第二表面；

其中，该吸波散热层适于吸收该电磁波及传导该热能，该金属膜适于反射该电磁波及消散该热能。

2.如权利要求1所述的吸波散热结构，其特征在于，该吸波散热层还具有一外侧表面，该外侧表面连接该第一表面与该第二表面，且该金属膜还覆盖该外侧表面。

3.如权利要求1所述的吸波散热结构，其特征在于，该第三表面邻接于该第四表面的一周缘。

4.如权利要求1所述的吸波散热结构，其特征在于，该吸波部还具有一外侧表面，该外侧表面连接该第三表面与该第二表面，且该金属膜还覆盖该外侧表面。

5.如权利要求4所述的吸波散热结构，其特征在于，该第三表面邻接于该第四表面的一周缘。

6.一种吸波散热结构，适于吸收一电子元件的一电磁波及消散该电子元件的一热能，其特征在于，该吸波散热结构包括：

一吸波散热层，配置于该电子元件，且具有位置相对的一第一表面及一第二表面，该第一表面覆盖该电子元件，该第一表面还包括邻接的一第三表面及一第四表面，该第三表面及该第四表面覆盖该电子元件，该第二表面还包括邻接的一第五表面及一第六表面，该金属膜覆盖该第五表面及该第六表面，且该吸波散热层还包括一吸波部及一散热部，该吸波部具有该第一表面的该第三表面及该第二表面的该第五表面，该第三表面与该第五表面之间形成一穿孔，该散热部配置于该穿孔内，且该散热部具有该第四表面及该第六表面；以及

一金属膜，覆盖该第二表面；

其中，该吸波散热层适于吸收该电磁波及传导该热能，该金属膜适于反射该电磁波及消散该热能。

7.如权利要求6所述的吸波散热结构，其特征在于，该第三表面邻接于该第四表面的一周缘，且该第五表面邻接于该第六表面的一周缘。

8.如权利要求6所述的吸波散热结构，其特征在于，该吸波部还具有一外侧表面，该外侧表面连接该第三表面及该第五表面，该金属膜还覆盖该外侧表面。

9.如权利要求8所述的吸波散热结构，其特征在于，该第三表面邻接于该第四表面的一周缘，且该第五表面邻接于该第六表面的一周缘。

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