JP2006253657A - 電磁遮蔽構造 - Google Patents
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Abstract
【課題】より簡単な構成でコストを低減し、電磁波干渉を抑制する電磁遮蔽構造を提供する。
【解決手段】回路基板21にチップ3が設置され、前記チップ3に放熱素子22が設置され、前記回路基板21が少なくとも一つの半田パッド211とを有する電磁遮蔽構造であって、前記放熱素子22と接触する接触部231と、前記放熱素子22の一部分を本体23に突出させる開口とを有する本体23と、前記本体23の周りに環設され、一側が前記本体23と連結され、他側が前記半田パッド211と電気的に接続される少なくとも一つの接続部244を有する側壁24とを備え、前記本体23と、前記側壁24と前記回路基板21によって前記チップ3を収容する収容空間を形成する。
【選択図】図2
【解決手段】回路基板21にチップ3が設置され、前記チップ3に放熱素子22が設置され、前記回路基板21が少なくとも一つの半田パッド211とを有する電磁遮蔽構造であって、前記放熱素子22と接触する接触部231と、前記放熱素子22の一部分を本体23に突出させる開口とを有する本体23と、前記本体23の周りに環設され、一側が前記本体23と連結され、他側が前記半田パッド211と電気的に接続される少なくとも一つの接続部244を有する側壁24とを備え、前記本体23と、前記側壁24と前記回路基板21によって前記チップ3を収容する収容空間を形成する。
【選択図】図2
Description
本発明は、電磁遮蔽構造に関し、特に、より簡単な構成でコストを低減し、電磁波干渉を抑制する電磁遮蔽構造に関する。
近年、スイッチングパワーサプライ、無停電システムや各種のパワーコンバーターなどのパワー電子回路は、広く適用されるようになった。しかし、このような回路は、よく高周波の切換に使用されるため、電磁波干渉(Electromagnetic interference, EMI)が発生してしまう。これらの高周波ノイズは、電磁輻射または電源線によって、通信装置や他の電気機器の正常な操作に干渉するため、世界各国が輸入や輸出の電器製品に対して、電磁波干渉について厳しく規制している。
電流を有する全ての回路は、いずれも電磁波干渉源になる可能性があるため、電子システムを設計する際に、同一のシステムにおける各サブシステム部品同士の電磁波のコンパチビリティと、このシステムの作業環境における他の電子機器との電磁波のコンパチビリティと、を考慮する必要がある。なお、発射源と受信体との間に位置する如何なる障害物も、潜在的に電磁波干渉の強度を弱めることができれば、電磁遮蔽構造と見なされる。
電磁波干渉源が発熱源である場合に、設計の際に、放熱問題と電磁波干渉問題とを併せて考慮する必要がある。図1に示すように、例えば、回路基板11にチップ12を設置する場合、従来技術では、チップ12に放熱フィン13を設置することにより、放熱問題を解決する。しかし、放熱フィン13の構成によってアンテナ効果が発生し、電磁波干渉がさらに厳しくなる。このような電磁波干渉を防止するために、さらに、チップ12、放熱フィン13と回路基板11を覆う金属シェル14が設計され、設計コストと材料コストが増加してしまう。さらに、回路基板11の寸法が大きくなると、金属シェル14も大きくなり、材料コストも大幅にアップする。そして、回路基板11上ですべてのチップに電磁波干渉が発生するわけではないため、金属シェル14で回路基板11全体を覆うことは、コストの無駄になる。
本発明は、上記問題に鑑みてなされたものであり、より簡単な構成でコストを低減し、電磁波干渉を抑制する電磁遮蔽構造を提供することを目的とする。
上記目的を達成するために、本発明による電磁遮蔽構造は、放熱素子が形成されたチップが設置され、かつ少なくとも一つの半田パッドを有する回路基板の電磁波干渉抑制に用いられる電磁遮蔽構造であって、前記放熱素子と接触する接触部と、前記放熱素子の一部分を本体に突出させる開口とを有する本体と、前記本体の周りに環設され、一側が前記本体と連結し、他側が前記半田パッドと電気的に接続する少なくとも一つの接続部を有する側壁とを備え、前記本体と前記側壁と前記回路基板によって前記チップを収容する収容空間を形成する。
また、本発明による電磁遮蔽構造は、チップが設置され、かつ少なくとも一つの半田パッドを有する回路基板の電磁波干渉抑制に用いられる電磁遮蔽構造であって、前記チップと接触する第1表面と、第2表面と、前記半田パッドと電気的に接続する接続部とを有する本体と、前記第2表面に位置する放熱素子とを備え、前記本体と回路基板によって、前記チップを収容する収容空間を形成する。
また、本発明による電磁遮蔽構造は、チップが設置され、かつ少なくとも一つの半田パッドを有する回路基板の電磁波干渉抑制に用いられる電磁遮蔽構造であって、放熱素子と、前記放熱素子と接触する接触部と、一側が前記本体と連結されるとともに側壁を前記本体の周りに環設させ、他側が前記半田パッドと電気的に接続される少なくとも一つの接続部を有する側壁とを具備する本体とを備え、前記本体と前記回路基板によって前記チップを収容する収容空間を形成する。
本発明に係わる電磁遮蔽構造によれば、放熱素子と本体と回路基板とから収容空間を構成し、金属シェルで回路基板と放熱素子とを覆う従来技術と比べ、製品を小型にするとともに、材料コストを低減することもできる。さらに、接続部と回路基板の半田パッドとを接続することにより、放熱素子が発生した電磁波干渉が本体と接続部とを介して接地点へ伝導されるため、チップが発生した熱を外へ放熱するとともに、有効的に電磁波干渉を抑制することができる。
以下、図面を参照しながら、本発明の好適な実施例における電磁遮蔽構造について説明する。
[実施例1]
図2は、本発明の実施例1における電磁遮蔽構造2を示す断面図である。図2に示すように、電磁遮蔽構造2は、回路基板21の電磁波干渉抑制に用いられる。回路基板21にチップ3が設置され、チップ3に放熱素子22が形成される。回路基板21は、少なくとも一つの半田パッド211を有する。電磁遮蔽構造2は、本体23と側壁24と、を備える。
図2は、本発明の実施例1における電磁遮蔽構造2を示す断面図である。図2に示すように、電磁遮蔽構造2は、回路基板21の電磁波干渉抑制に用いられる。回路基板21にチップ3が設置され、チップ3に放熱素子22が形成される。回路基板21は、少なくとも一つの半田パッド211を有する。電磁遮蔽構造2は、本体23と側壁24と、を備える。
本体23は、放熱素子22と接触する接触部231を有する。接触部231と放熱素子22とは、ロック方式または半田付け方式によって接触させる。なお、本実施例において、放熱素子22は、例えば一組の放熱フィンである。
側壁24は、一側が本体23と連結されるとともに、側壁24を本体23の周りに環設させ、他側が半田パッド211と電気的に接続される少なくとも一つの接続部244を有する。本体23と、側壁24と、放熱素子22と回路基板21とによって、チップ3を収容する収容空間25を形成する。
本体23と側壁24と放熱素子22は、金属から構成される。本実施例において、本体23と側壁24は、ブリキから構成され、放熱素子22は、アルミニウムから構成される。また、本体23は、さらに、開口232を有する。放熱素子22の一部分が開口232を通って本体23に突出される。ここで、本体23と側壁24が金属から構成されるため、チップ3が発生した熱の一部は、放熱素子22を介して外へ放熱される。
本実施例において、回路基板21に、接続部244と対応する半田孔212が設けられる。半田孔212の周りに、半田パッド211が形成される。接続部244は、リフロー半田付け方式によって半田孔212に設置され、かつ半田パッド211と電気的に接続される。なお、放熱素子22の構造でアンテナ効果が発生し、電磁波干渉をもっと悪くさせる可能性があるため、半田パッド211を接地点にすることにより、電磁波干渉を放熱素子22から接触部231、本体23、側壁24と接続部244を介して接地点に伝導し、アンテナ効果による電磁波干渉を弱める。また、本体23と側壁24が金属ではない場合、本体23と側壁24の表面に導電ゲルを塗布してもよく、金属層をスパッタリングしてもよい。その後、導電ゲルや金属層を半田パッド211と電気的に接続させ、電磁波干渉を放熱素子22から接触部231、本体23、側壁24と接続部244を介して接地点に伝導させる。
さらに、接続部244は、図3Aに示すように、表面粘着方式(surface mounted technical,SMT)によって半田パッド211に設置してもよく、図3Bに示すように、ロック部品4によって半田パッド211に設置してもよい。ここで、ロック部品4は、例えば、ねじ41とナット42から構成される。
[実施例2]
図4は、本発明の実施例2における電磁遮蔽構造5を示す断面図である。電磁遮蔽構造5は、回路基板51と、本体52と、放熱素子53とを備える。回路基板51にチップ6が設置される。回路基板51は、少なくとも一つの半田パッド511を有する。なお、本体52と放熱素子53は、金属から構成される。本実施例において、本体52と放熱素子53は、例えば、アルミニウムまたはブリキから構成される。
図4は、本発明の実施例2における電磁遮蔽構造5を示す断面図である。電磁遮蔽構造5は、回路基板51と、本体52と、放熱素子53とを備える。回路基板51にチップ6が設置される。回路基板51は、少なくとも一つの半田パッド511を有する。なお、本体52と放熱素子53は、金属から構成される。本実施例において、本体52と放熱素子53は、例えば、アルミニウムまたはブリキから構成される。
本体52は、チップ6と接触する第1表面521と、第2表面522と、半田パッド511と電気的に接続する接続部523とを有する。本体52と回路基板51とによって収容空間54を形成する。本実施例において、チップ6は、収容空間54に設置される。
放熱素子53は、本体52の第2表面522に位置し、チップ6が発生した熱を本体52と放熱素子53とによって外へ放熱させる。本実施例において、放熱素子53は、例えば、本体52と一体成形された一組の放熱フィンである。
本実施例において、回路基板51に、接続部523と対応する半田孔512が設けられる。半田孔512の周りに、半田パッド511が形成される。接続部523は、リフロー半田付け方式によって半田孔512に設置され、かつ半田パッド511と電気的に接続される。なお、放熱素子53の構造でアンテナ効果が発生し、電磁波干渉をもっと悪くさせる可能性があるため、半田パッド511を接地点にすることにより、電磁波干渉を放熱素子53から本体52と接続部523を介して接地点に伝導し、アンテナ効果による電磁波干渉を弱める。
さらに、接続部523は、図5Aに示すように、表面粘着方式(surface mounted technical,SMT)によって半田パッド511に設置してもよく、図5Bに示すように、ロック部品4によって半田パッド511に設置してもよい。ここで、ロック部品4は、例えば、ねじ41とナット42から構成される。
[実施例3]
本発明の実施例3における電磁遮蔽構造は、放熱素子と、本体とを備える。電磁遮蔽構造は、回路基板の電磁波干渉抑制に用いられる。回路基板にチップが設置される。回路基板は、少なくとも一つの半田パッドを有する。本体は、放熱素子と接触する接触部と、一側が本体と連結されるとともに側壁を本体の周りに環設させ、他側が半田パッドと電気的に接続される少なくとも一つの接続部を有する側壁とを具備する。本体と回路基板によってチップを収容する収容空間を形成する。
本発明の実施例3における電磁遮蔽構造は、放熱素子と、本体とを備える。電磁遮蔽構造は、回路基板の電磁波干渉抑制に用いられる。回路基板にチップが設置される。回路基板は、少なくとも一つの半田パッドを有する。本体は、放熱素子と接触する接触部と、一側が本体と連結されるとともに側壁を本体の周りに環設させ、他側が半田パッドと電気的に接続される少なくとも一つの接続部を有する側壁とを具備する。本体と回路基板によってチップを収容する収容空間を形成する。
以上、本発明の実施の形態を図面を参照して詳述してきたが、具体的な構成は、これらの実施の形態に限られるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲の設計変更等があっても、本発明に含まれる。
2 電磁遮蔽構造
3 チップ
4 ロック部品
5 電磁遮蔽構造
6 チップ
11 回路基板
12 チップ
13 放熱フィン
14 金属シェル
21 回路基板
22 放熱素子
23 本体
24 側壁
25 収容空間
41 ねじ
42 ナット
51 回路基板
52 本体
53 放熱素子
54 収容空間
211 半田パッド
212 半田孔
231 接触部
232 開口
244 接続部
511 半田パッド
512 半田孔
521 第1表面
522 第2表面
523 接続部
3 チップ
4 ロック部品
5 電磁遮蔽構造
6 チップ
11 回路基板
12 チップ
13 放熱フィン
14 金属シェル
21 回路基板
22 放熱素子
23 本体
24 側壁
25 収容空間
41 ねじ
42 ナット
51 回路基板
52 本体
53 放熱素子
54 収容空間
211 半田パッド
212 半田孔
231 接触部
232 開口
244 接続部
511 半田パッド
512 半田孔
521 第1表面
522 第2表面
523 接続部
Claims (12)
- 放熱素子が形成されたチップが設置され、かつ少なくとも一つの半田パッドを有する回路基板の電磁波干渉抑制に用いられる電磁遮蔽構造であって、
前記放熱素子と接触する接触部と、前記放熱素子の一部分を本体に突出させる開口とを有する本体と、
前記本体の周りに環設され、一側が前記本体と連結し、他側が前記半田パッドと電気的に接続する少なくとも一つの接続部を有する側壁とを備え、
前記本体と、前記側壁と前記回路基板によって前記チップを収容する収容空間を形成する、
ことを特徴とする電磁遮蔽構造。 - 前記接続部は、表面粘着方式とリフロー半田付け方式とロック方式のうちの何れかによって前記半田パッドに設置される、ことを特徴とする請求項1に記載の電磁遮蔽構造。
- 前記本体と前記側壁は、アルミニウムまたはブリキから構成される、ことを特徴とする請求項1に記載の電磁遮蔽構造。
- チップが設置され、かつ少なくとも一つの半田パッドを有する回路基板の電磁波干渉抑制に用いられる電磁遮蔽構造であって、
前記チップと接触する第1表面と、第2表面と、前記半田パッドと電気的に接続する接続部とを有する本体と、
前記第2表面に位置する放熱素子とを備え、
前記本体と回路基板によって、前記チップを収容する収容空間を形成する、
ことを特徴とする電磁遮蔽構造。 - 前記本体と前記放熱素子は、アルミニウムまたはブリキから構成される、ことを特徴とする請求項4に記載の電磁遮蔽構造。
- 前記接続部は、表面粘着方式とリフロー半田付け方式とロック方式のうちの何れかによって前記半田パッドに設置される、ことを特徴とする請求項4に記載の電磁遮蔽構造。
- 前記放熱素子は、放熱フィンである、ことを特徴とする請求項4に記載の電磁遮蔽構造。
- チップが設置され、かつ少なくとも一つの半田パッドを有する回路基板の電磁波干渉抑制に用いられる電磁遮蔽構造であって、
放熱素子と、
前記放熱素子と接触する接触部と、一側が前記本体と連結するとともに側壁を前記本体の周りに環設させ、他側が前記半田パッドと電気的に接続する少なくとも一つの接続部を有する側壁とを具備する本体とを備え、
前記本体と前記回路基板によって前記チップを収容する収容空間を形成する、
ことを特徴とする電磁遮蔽構造。 - 前記本体は、アルミニウムまたはブリキから構成される、ことを特徴とする請求項8に記載の電磁遮蔽構造。
- 前記接続部は、表面粘着方式とリフロー半田付け方式とロック方式のうちの何れかによって前記半田パッドに設置される、ことを特徴とする請求項8に記載の電磁遮蔽構造。
- 前記放熱素子は、放熱フィンである、ことを特徴とする請求項8に記載の電磁遮蔽構造。
- 前記本体は、さらに、開口を有し、前記放熱素子は前記開口を介して前記チップに設置される、ことを特徴とする請求項8に記載の電磁遮蔽構造。
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