JPH03148158A - 半導体素子用封止キャップ - Google Patents

半導体素子用封止キャップ

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Publication number
JPH03148158A
JPH03148158A JP28627289A JP28627289A JPH03148158A JP H03148158 A JPH03148158 A JP H03148158A JP 28627289 A JP28627289 A JP 28627289A JP 28627289 A JP28627289 A JP 28627289A JP H03148158 A JPH03148158 A JP H03148158A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
package
metallic film
mesh
sealing
metal film
Prior art date
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Pending
Application number
JP28627289A
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English (en)
Inventor
Hiroyuki Anraku
安楽 広之
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NEC Yamagata Ltd
Original Assignee
NEC Yamagata Ltd
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は半導体素子用封止キャップに関し、特に高周波
帯高信頼度で使用する半導体素子用容器(以下パッケー
ジと称す)の封止キャップに関する。
〔従来の技術〕
まず、高周波帯用パッケージの従来例を説明する。第3
図は従来例の封止キャップの側面図であり、第4図はそ
の底面図であり、そして又、第5図は従来例の封止キャ
ップのパッケージへの実装斜視図である。
従来の封止キャップは、1問程度の厚みを有するA(2
03などのセラミック基板3の裏面に、金などの金属膜
4がめつき又はスパッタなどで被着されている。通常、
封止キャップは第5図の斜視図のように、パッケージ5
にAu=Snなどのろう材にて封止される。
パッケージ5は高出力高周波帯用であるため、バックー
ジ5内部での不要な共振を排除するために、内部は全側
面に金などの金属膜が被着されており、キャップ封止後
のパッケージ内部は周囲を全て金属膜で囲まれた構造と
なっている。
〔発明が解決しようとする課題〕
上述した従来の封止キャップは、パッケージ内の共振を
防ぐために裏面の全面に渡って金属膜が被着されており
、材質もセラミックであるため、パッケージを封止した
後パッケージ内部の状態を見ようとしても、セラミック
が不透明であるため内部を直視することは不可能である
又、X線などを用いても、パッケージの内側は全て金属
か金属膜であるため透視できない。このため、海中ケー
ブル用や衛星搭載用などの高信頼度を要する製品は、キ
ャップ封止後のパッケージ内部の外観検査を客先から要
求されることが多いが、この要求には従来対応すること
ができなかった。
上述した従来の封止キャップに対し、本発明は透明な材
質の基板を使用し、また基板の裏面にメツシュ状に金属
膜を被着し、封止後も金属膜の隙間から透明な基板を通
してパッケージ内部を直視することができるという相違
点を有する。
〔課題を解決するための手段〕
本発明の封止キャップは、透明又は半透明な基板を使用
し、その裏面の外周部に被着されてパッケージとの封止
用となる帯状金属膜と、この帯状金属膜の内側全域に被
着されたメツシュ状金属膜とを有している。
〔実施例〕
次に本発明について図面を参照して説明する。
第1図は本発明の一実施例の側面図、第2図はその底面
図である。
本実施例の封止キャップは、サファイアなどの透明又は
半透明な基板1の裏面に、金などの金属In!2が被着
されている。金属膜2は、キャップ封着時に封着用ろう
材と接触する外周部金属膜2aと、その内側にメツシュ
状に被着されたメツシュ状金属膜2bとからなっている
。このキャップの実装は従来例と同様に行なう。
本実施例の封止キャップがパッケージに実装された場合
は、メツシュ状金属膜2bの隙間からパッケージ内部の
状態を直視す、ることが可能となるだけでなく、このメ
ツシュ状金属膜2bにより、全面に金属膜をつけた場合
と同様にパッケージ内に共振点が生じないため、広い帯
域で使用可能となる。
〔発明の効果〕
以上説明したように本発明は、封止キャップとして透明
な材質の基板を使用し、裏面にメッシコ。
状の金属膜を施すことにより、共振などにより半導体素
子の高周波特性を損なうことなくパッケージ内部を観察
できる効果がある。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の一実施例の側面図、第2図はその底面
図、第3図は従来例の封止キャップの側面図、第4図は
その底面図、第5図は従来例の封止キャップの実装斜視
図である。 1・・・透明又は半透明な基板、2・・・金属膜、2a
・・・外周部金属膜、2b・・・メツシュ状金属膜、3
・・・セラミック基板、4・・・金属膜、5・・・パッ
ケージ。 °代理人 弁理士 内 原  晋 易 図 方 図

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1.  透明又は半透明なキャップ用基板の裏面に、外周部は
    パッケージとの封止用に帯状に金属膜が被着され、その
    内側全域にはメッシュ状の金属膜が被着されていること
    を特徴とする半導体素子用封止キャップ。
JP28627289A 1989-11-02 1989-11-02 半導体素子用封止キャップ Pending JPH03148158A (ja)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1826817A1 (en) * 2005-12-12 2007-08-29 Fujitsu Limited Circuit module
JP2010087469A (ja) * 2008-09-08 2010-04-15 Toshiba Corp 高周波パッケージ装置およびその製造方法

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1826817A1 (en) * 2005-12-12 2007-08-29 Fujitsu Limited Circuit module
US7855450B2 (en) 2005-12-12 2010-12-21 Fujitsu Limited Circuit module
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