JPS5855652Y2 - 光半導体装置 - Google Patents
光半導体装置Info
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- JPS5855652Y2 JPS5855652Y2 JP2960277U JP2960277U JPS5855652Y2 JP S5855652 Y2 JPS5855652 Y2 JP S5855652Y2 JP 2960277 U JP2960277 U JP 2960277U JP 2960277 U JP2960277 U JP 2960277U JP S5855652 Y2 JPS5855652 Y2 JP S5855652Y2
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- light emitting
- emitting element
- envelope
- light
- semiconductor device
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- H—ELECTRICITY
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
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- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
-
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- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/484—Connecting portions
- H01L2224/48463—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond
- H01L2224/48465—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond the other connecting portion not on the bonding area being a wedge bond, i.e. ball-to-wedge, regular stitch
Landscapes
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
この考案は光半導体装置にか・す、特に電極導出部材に
おける電極導出部材の発光素子配設面および配線金属線
接続部分の改良に関する。
おける電極導出部材の発光素子配設面および配線金属線
接続部分の改良に関する。
一例の光半導体装置の半導体発光装置に第１図に示す如
き構造のものがある。
き構造のものがある。
図ａは斜視図、図すは一部の断面図で、１は透光性の合
成樹脂でドーム状になる外囲器（頂部が光放出面となる
）、２ ａ 。
成樹脂でドーム状になる外囲器（頂部が光放出面となる
）、２ ａ 。
２ｂは電極導出部材で外囲器を貫通して一部を外部に突
出し、外囲器内の一端は第２図に斜視図で示す如く一方
は発光素子配設面３ａ、他方は配線金属線接続面３ｂと
なっている。
出し、外囲器内の一端は第２図に斜視図で示す如く一方
は発光素子配設面３ａ、他方は配線金属線接続面３ｂと
なっている。
そして前記発光素子配設面には発光素子４がその１主面
（図における下側の主面）の電極で配設され、他主面の
残る電極は一例の金で細線状になる配線金属線５によっ
て導出され、前記配線金属線接続面３ｂに接続し導出が
達成される。
（図における下側の主面）の電極で配設され、他主面の
残る電極は一例の金で細線状になる配線金属線５によっ
て導出され、前記配線金属線接続面３ｂに接続し導出が
達成される。
なお第１図すにおける６は充填体であり光散乱剤等が配
合される場合もある。
合される場合もある。
次に前記発光素子配設面３ａの外周に、発光素子の発光
光源の微小なる点を補うための疑似光源を形成する光反
射面７が摺鉢状に設けられている。
光源の微小なる点を補うための疑似光源を形成する光反
射面７が摺鉢状に設けられている。
上記光反射面は発光素子配設面３ａに対してなす角度は
単−角では約４５°（開口角では９０’前後）が光学的
に望ましく、また加工面からも形成が容易である。
単−角では約４５°（開口角では９０’前後）が光学的
に望ましく、また加工面からも形成が容易である。
上記発光素子配設面３ａ、配線金属線接続面３ｂ、およ
び光反射面７について、発光素子配設面は発光素子との
接触において電気的特性、熱的特性、光反射性の良好な
るを要し、配線金属線接続面は金属線とのボンディング
（接続）性とその信頼性および電気的特性の良好なるを
要し、さらに光反射面については要求されない場合もあ
るが、光反射性の良好なるを要する。
び光反射面７について、発光素子配設面は発光素子との
接触において電気的特性、熱的特性、光反射性の良好な
るを要し、配線金属線接続面は金属線とのボンディング
（接続）性とその信頼性および電気的特性の良好なるを
要し、さらに光反射面については要求されない場合もあ
るが、光反射性の良好なるを要する。
上記各部分の各特性を満たすため、従来は第３図に示す
如（ＡｕまたはＡｇの如き貴金属めっき層による化粧被
膜８が被着される。
如（ＡｕまたはＡｇの如き貴金属めっき層による化粧被
膜８が被着される。
同図ａは全面の化粧被膜８′、同図すは一部の化粧被膜
８″が被着された例を示す断面図である。
８″が被着された例を示す断面図である。
上記従来の光半導体装置におけるいわゆる化粧被膜は特
性面では満足しうるが高価につくという重大な欠点があ
る。
性面では満足しうるが高価につくという重大な欠点があ
る。
また一部に設けることは価格の低減に対しては若干改善
はされるｐ（、加工の方法、設備等に問題がある。
はされるｐ（、加工の方法、設備等に問題がある。
即ち加工はバッチ式に行なえず、行なうなればめつき被
着を要しない部分をマスクで被覆してめっきを施したの
ちマスクを除去するなどの面倒な工程を要する。
着を要しない部分をマスクで被覆してめっきを施したの
ちマスクを除去するなどの面倒な工程を要する。
また１個つつたとえばコンベアに整列支持させて施すに
はコンベアに所定方向に装着する手段、めっき槽に所定
深さに浸漬するなどの点で大がかりな装置を必要とする
などの欠点がある。
はコンベアに所定方向に装着する手段、めっき槽に所定
深さに浸漬するなどの点で大がかりな装置を必要とする
などの欠点がある。
次にめつき被着することはめつき液の管理、公害汚染対
策等の問題もある。
策等の問題もある。
この考案は上記従来の欠点を改良するための光半導体装
置の構造を提供するものである。
置の構造を提供するものである。
この考案の光半導体装置は一対の電極導出部材の外囲器
内端部の一方に発光素子配設面と発光の反射面、他方に
配線金属線接続面を夫々備えるとともに上記発光素子配
設面および光反射面ならびに配線金属線接続面に蒸着ア
ルミニウム層を設けたことを特徴とする。
内端部の一方に発光素子配設面と発光の反射面、他方に
配線金属線接続面を夫々備えるとともに上記発光素子配
設面および光反射面ならびに配線金属線接続面に蒸着ア
ルミニウム層を設けたことを特徴とする。
以下にこの考案の一実施例の光半導体装置につき図面を
参照して詳細に説明する。
参照して詳細に説明する。
第４図に要部を斜視図にて、また全体を第５図に断面図
にて示す如く、透光性の合成樹脂でドーム状に形成され
た外囲器１（頂部が光放出面）と、電極導出部材１２ａ
、１２ｂは外囲器を貫通して一部を突出し、外囲器内の
一端は一方が発光素子配設面１３ａ、他方は配線金属線
接続面１３ｂとなす。
にて示す如く、透光性の合成樹脂でドーム状に形成され
た外囲器１（頂部が光放出面）と、電極導出部材１２ａ
、１２ｂは外囲器を貫通して一部を突出し、外囲器内の
一端は一方が発光素子配設面１３ａ、他方は配線金属線
接続面１３ｂとなす。
前記発光素子配設面には発光素子４が１主面（図におけ
る下側主面）の電極で配設され、他主面の残る電極は一
例の金細線の配線金属線１５によって導出され、前記配
線金属線接続面１３ ｂに接続し導出が達成される。
る下側主面）の電極で配設され、他主面の残る電極は一
例の金細線の配線金属線１５によって導出され、前記配
線金属線接続面１３ ｂに接続し導出が達成される。
なお６は充填体であり、光散乱剤が配合された場合もあ
る。
る。
次に前記発光素子の発光光源の微小なる点を補なうため
の疑似光源を形成する光反射面１７が摺鉢状に設けられ
る。
の疑似光源を形成する光反射面１７が摺鉢状に設けられ
る。
上記光反射面は発光素子配設面１３ ａを取囲み、かつ
、これに対して単−角で約４５°（開口角では９０°前
後）が光学的に望ましく、また加工面からも形成が容易
である。
、これに対して単−角で約４５°（開口角では９０°前
後）が光学的に望ましく、また加工面からも形成が容易
である。
上記発光素子配設面１３ａ、配線金属線接続面１３ｂお
よび光反射面１７について、発光素子配設面は発光素子
との接触において電気的特性、熱的特性、光反射性の良
好なるを要し、配線金属線接続面は金属線とのボンディ
ング性とその信頼性および電気的特性の良好なるを要し
、さらに光反射面については光反射性の良好なるを要す
る。
よび光反射面１７について、発光素子配設面は発光素子
との接触において電気的特性、熱的特性、光反射性の良
好なるを要し、配線金属線接続面は金属線とのボンディ
ング性とその信頼性および電気的特性の良好なるを要し
、さらに光反射面については光反射性の良好なるを要す
る。
そして上記要件を満すためこの考案は膜厚１００００Ａ
以下のアルミニウム層１８を要部に備える。
以下のアルミニウム層１８を要部に備える。
上記アルミニウム層は一例として蒸着法により層厚１ｏ
ｏｏｏ Ａ以下に形成される。
ｏｏｏ Ａ以下に形成される。
しかも蒸着法によれば蒸着源に対向する面には蒸着膜が
被着形成されるが、蒸着分子Ａ１の飛翔方向に平行な面
（前記蒸着源に対向する面に垂直な面）には被着しにく
いため、選択的な蒸着を達成する。
被着形成されるが、蒸着分子Ａ１の飛翔方向に平行な面
（前記蒸着源に対向する面に垂直な面）には被着しにく
いため、選択的な蒸着を達成する。
これにより発光素子配設面、配線金属線接続面、光反射
面等を限って所望の蒸着が実施でき、またアルミニウム
は蒸着速度が大きい。
面等を限って所望の蒸着が実施でき、またアルミニウム
は蒸着速度が大きい。
上記１００００Ａに層厚を限定した理由として、アルミ
ニウム層を厚くするに従ってＡｕ−Ａｌ間またはＡｇ−
Ａ１間の相互拡散現象により発生するパープルプレーグ
（Ｐｕｒｐｌｅ ｐｌａｇｕｅ） 、ホワイトプレーグ
等により、ボンディング部分の電気抵抗が増大して導通
不良を発生しやすくなること、また機械的強度が低下し
衝撃による断線の発生、信頼性の低下等を防止しうる。
ニウム層を厚くするに従ってＡｕ−Ａｌ間またはＡｇ−
Ａ１間の相互拡散現象により発生するパープルプレーグ
（Ｐｕｒｐｌｅ ｐｌａｇｕｅ） 、ホワイトプレーグ
等により、ボンディング部分の電気抵抗が増大して導通
不良を発生しやすくなること、また機械的強度が低下し
衝撃による断線の発生、信頼性の低下等を防止しうる。
またアルミニウムは熱、電気ともに伝導率が太き（、Ａ
ｕ、Ａｇ等に比し大した遜色はない（次表）上にその価
格は格段に廉い利点がある。
ｕ、Ａｇ等に比し大した遜色はない（次表）上にその価
格は格段に廉い利点がある。
なおこの考案の別の実施例として第６図ないし第８図に
各図ａに断面図、各図すに要部の斜視図によって光半導
体装置を示す。
各図ａに断面図、各図すに要部の斜視図によって光半導
体装置を示す。
第６図は電極導出部材が板状金属材で形成され端部にア
ルミニウム層２８を蒸着形成したもの、第７図は電極導
出部材が棒材で形成され、その端部にアルミニウム層３
８を蒸着形成したもの、第８図は第４図に示す第１の実
施例と同様の板材をプレス抜き（のみ）施して形成し、
その端部にアルミニウム層４８を蒸着形成したもので、
これは特に光反射面として設けられる摺鉢状の凹面を有
せず、発光素子配設面がや・広く形成され反射面を兼ね
る如くなる。
ルミニウム層２８を蒸着形成したもの、第７図は電極導
出部材が棒材で形成され、その端部にアルミニウム層３
８を蒸着形成したもの、第８図は第４図に示す第１の実
施例と同様の板材をプレス抜き（のみ）施して形成し、
その端部にアルミニウム層４８を蒸着形成したもので、
これは特に光反射面として設けられる摺鉢状の凹面を有
せず、発光素子配設面がや・広く形成され反射面を兼ね
る如くなる。
この考案によれば電気的特性、熱特性、光特性、および
ポンチ゛イング性、ならにポンチ゛イングの信頼性等に
おいてすぐれた特性の光半導体装置が得られるとともに
、廉価に量産が達成できるなどの顕著な効果を備える。
ポンチ゛イング性、ならにポンチ゛イングの信頼性等に
おいてすぐれた特性の光半導体装置が得られるとともに
、廉価に量産が達成できるなどの顕著な効果を備える。
なおこの考案は実施例に限られず半導体受光装置等の光
半導体装置に広く適用できる。
半導体装置に広く適用できる。
第１図は従来の半導体発光装置を示し、図ａは斜視図、
図すは一部の断面図、第２図は第１図の要部を示す斜視
図、第３図は第１図の要部を示す断面図にて図ａは化粧
被膜を全面に施したもの、図すは一部に施したものを示
す。 第４図以降はこの考案の光半導体装置の実施例を示し、
第４図および第５図は本考案の一実施例の半導体発光装
置を示す第４図は要部の斜視図、第５図は全体の断面図
、第６図、第７図、第８図はいずれも夫々が本考案の半
導体発光装置の実施例を示し、各図とも図ａは全体の断
面図、図すは要部の斜視図である。 １・・・・・・外囲器、４・・・・・・発光素子、１２
ａ、１２ｂ・・・・・・電極導出部材、１３ａ・・・・
・・発光素子配設面、１３ｂ・・・・・・配線金属線接
続面、１８．２８，３８．４８・・・・・・アルミニウ
ム層。
図すは一部の断面図、第２図は第１図の要部を示す斜視
図、第３図は第１図の要部を示す断面図にて図ａは化粧
被膜を全面に施したもの、図すは一部に施したものを示
す。 第４図以降はこの考案の光半導体装置の実施例を示し、
第４図および第５図は本考案の一実施例の半導体発光装
置を示す第４図は要部の斜視図、第５図は全体の断面図
、第６図、第７図、第８図はいずれも夫々が本考案の半
導体発光装置の実施例を示し、各図とも図ａは全体の断
面図、図すは要部の斜視図である。 １・・・・・・外囲器、４・・・・・・発光素子、１２
ａ、１２ｂ・・・・・・電極導出部材、１３ａ・・・・
・・発光素子配設面、１３ｂ・・・・・・配線金属線接
続面、１８．２８，３８．４８・・・・・・アルミニウ
ム層。
Claims (1)
- 少くとも光放射面が透光材でなる外囲器と、前記外囲器
を貫通して一部を外囲器から突出した一対の電極導出部
材と、前記電極導出部材の上つが外囲器内の端部に備え
る発光素子配設面およびこの発光素子配設面を取囲む光
反射面と、前記電極導出部材の他方が外囲器内の端部に
備える配線金属線接続面と、前記発光素子配設面および
光反射面ならびに配線金属線接続面の夫々に同時に蒸着
被着された層厚１ｏｏｏｏ Ａ以下のアルミニウム層と
、前記光放出面に発光面を対向し前記発光素子配設面に
配設された発光素子とを具備した光半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2960277U JPS5855652Y2 (ja) | 1977-03-14 | 1977-03-14 | 光半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2960277U JPS5855652Y2 (ja) | 1977-03-14 | 1977-03-14 | 光半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS53124654U JPS53124654U (ja) | 1978-10-04 |
| JPS5855652Y2 true JPS5855652Y2 (ja) | 1983-12-20 |
Family
ID=28877679
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2960277U Expired JPS5855652Y2 (ja) | 1977-03-14 | 1977-03-14 | 光半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5855652Y2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2553342Y2 (ja) * | 1989-12-08 | 1997-11-05 | シャープ株式会社 | 発光ダイオードランプ |
-
1977
- 1977-03-14 JP JP2960277U patent/JPS5855652Y2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS53124654U (ja) | 1978-10-04 |
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