JPH05109725A - 半導体装置及び半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置及び半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JPH05109725A JPH05109725A JP27115391A JP27115391A JPH05109725A JP H05109725 A JPH05109725 A JP H05109725A JP 27115391 A JP27115391 A JP 27115391A JP 27115391 A JP27115391 A JP 27115391A JP H05109725 A JPH05109725 A JP H05109725A
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- JP
- Japan
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- semiconductor device
- layer
- wiring layer
- forming
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- Pending
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- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 断線や短絡が無い配線、そして高いボンディ
ング信頼性を有する半導体装置を提供する。 【構成】 集積回路の配線層を形成する方法において、
アルミ配線層７の表面にパラジウム置換層８を形成した
後無電解メッキによりニッケル膜層９を形成することに
より、前記アルミ配線層７を完全に被覆する。 【効果】エレクトロマイグレーションやストレスマイグ
レーションによる断線や、ヒロックによる短絡の防止、
そしてワイヤーボンディングの信頼性の向上をすること
ができる。
ング信頼性を有する半導体装置を提供する。 【構成】 集積回路の配線層を形成する方法において、
アルミ配線層７の表面にパラジウム置換層８を形成した
後無電解メッキによりニッケル膜層９を形成することに
より、前記アルミ配線層７を完全に被覆する。 【効果】エレクトロマイグレーションやストレスマイグ
レーションによる断線や、ヒロックによる短絡の防止、
そしてワイヤーボンディングの信頼性の向上をすること
ができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置の製造方法
に関し、特に信頼性の高い配線層を有する半導体装置に
関する。
に関し、特に信頼性の高い配線層を有する半導体装置に
関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、半導体装置の配線方法に関して
は、数多くの提案がなされ改良が加えられている。
は、数多くの提案がなされ改良が加えられている。
【０００３】図２は、従来の半導体装置、特に配線層製
造工程に関する断面図である。
造工程に関する断面図である。
【０００４】従来は図２（ａ）に示すように、拡散層２
２、ゲート配線層２４、絶縁膜層２３、そしてコンタク
トホール２５を形成した集積回路基板を形成した後、図
２（ｂ）に示すようにスパッタリング法を用いてアルミ
薄膜層２５を形成する。そして、図２（ｃ）に示すよう
に、フォトエッチング法を用いてアルミ配線層２７を形
成する。最後に図２（ｄ）に示すように、ＣＶＤ法を用
いてパッシベーション膜層２８を形成した後ボンディン
グ用開口部２９を形成し、集積回路の配線工程は終了し
ていた。
２、ゲート配線層２４、絶縁膜層２３、そしてコンタク
トホール２５を形成した集積回路基板を形成した後、図
２（ｂ）に示すようにスパッタリング法を用いてアルミ
薄膜層２５を形成する。そして、図２（ｃ）に示すよう
に、フォトエッチング法を用いてアルミ配線層２７を形
成する。最後に図２（ｄ）に示すように、ＣＶＤ法を用
いてパッシベーション膜層２８を形成した後ボンディン
グ用開口部２９を形成し、集積回路の配線工程は終了し
ていた。
【０００５】しかし、このように従来の技術で製造され
た半導体装置、特にアルミ配線層はストレスマイグレー
ションやエレクトロマイグレーションによる断線、後工
程での熱処理で発生するヒロックによる短絡といった問
題が発生していた。さらに金線をワイヤーボンディング
する場合も、金とアルミの密着性や信頼性に大きな問題
があった。
た半導体装置、特にアルミ配線層はストレスマイグレー
ションやエレクトロマイグレーションによる断線、後工
程での熱処理で発生するヒロックによる短絡といった問
題が発生していた。さらに金線をワイヤーボンディング
する場合も、金とアルミの密着性や信頼性に大きな問題
があった。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、この様な問
題を解決しようとするものであり、断線や短絡の無い、
そして高いボンディング信頼性を有する半導体装置を提
供することにある。
題を解決しようとするものであり、断線や短絡の無い、
そして高いボンディング信頼性を有する半導体装置を提
供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】集積回路のアルミ配線を
他金属で被覆し、多層構造にすることを特徴とした半導
体装置。
他金属で被覆し、多層構造にすることを特徴とした半導
体装置。
【０００８】集積回路の配線層を形成する方法におい
て、無電解メッキを用いることを特徴とした半導体装置
の製造方法集積回路のアルミ配線層を形成する方法にお
いて、 （１）アルミ薄膜層を形成する工程 （２）フォトエッチングによりアルミ配線層パターンを
形成する工程 （３）アルミ表面をパラジウムで置換する工程 （４）無電解ニッケルメッキを用いて、前記パラジウム
面をニッケル膜層に置換する工程 （５）パッシベーション膜層を形成する工程 （６）前記パッシベーション膜層にボンディング用開口
部を形成する工程 から成ることを特徴とした半導体装置の製造方法。
て、無電解メッキを用いることを特徴とした半導体装置
の製造方法集積回路のアルミ配線層を形成する方法にお
いて、 （１）アルミ薄膜層を形成する工程 （２）フォトエッチングによりアルミ配線層パターンを
形成する工程 （３）アルミ表面をパラジウムで置換する工程 （４）無電解ニッケルメッキを用いて、前記パラジウム
面をニッケル膜層に置換する工程 （５）パッシベーション膜層を形成する工程 （６）前記パッシベーション膜層にボンディング用開口
部を形成する工程 から成ることを特徴とした半導体装置の製造方法。
【０００９】
【実施例】以下に、本発明について製造方法の実施例に
基ずき詳細に説明する。
基ずき詳細に説明する。
【００１０】図１（ａ）に示すように拡散層２、ゲート
配線層４、絶縁膜層３、そしてコンタクトホール５を形
成した集積回路基板を形成した後、図１（ｂ）に示すよ
うにスパッタリング法を用いてアルミ薄膜層６を１μｍ
厚で形成する。そして、図１（ｃ）に示すように、フォ
トエッチング法を用いてアルミ配線層７を形成する。次
に、前記アルミ配線層７の表面をパラジウムに置換し活
性化する為に、塩化パラジウムを主成分とする溶液に浸
たすことにより、図１（ｄ）に示すようにアルミ配線層
７の表面にパラジウム活性化層８が形成される。次に、
次亜リン酸ニッケルメッキ浴に浸たすことにより、前記
パラジウム活性化層８と置換されてニッケル膜層９が図
１（ｅ）に示すように形成される。そして最後にＣＶＤ
法によりパッシベーション膜１０（２酸化シリコン）を
２μｍ厚となるように形成した後、フォトエッチング法
を用いてパッシベーション膜１０にボンディング用開口
部１１を形成すると図１（ｆ）のようになり、半導体装
置の製造は終了する。
配線層４、絶縁膜層３、そしてコンタクトホール５を形
成した集積回路基板を形成した後、図１（ｂ）に示すよ
うにスパッタリング法を用いてアルミ薄膜層６を１μｍ
厚で形成する。そして、図１（ｃ）に示すように、フォ
トエッチング法を用いてアルミ配線層７を形成する。次
に、前記アルミ配線層７の表面をパラジウムに置換し活
性化する為に、塩化パラジウムを主成分とする溶液に浸
たすことにより、図１（ｄ）に示すようにアルミ配線層
７の表面にパラジウム活性化層８が形成される。次に、
次亜リン酸ニッケルメッキ浴に浸たすことにより、前記
パラジウム活性化層８と置換されてニッケル膜層９が図
１（ｅ）に示すように形成される。そして最後にＣＶＤ
法によりパッシベーション膜１０（２酸化シリコン）を
２μｍ厚となるように形成した後、フォトエッチング法
を用いてパッシベーション膜１０にボンディング用開口
部１１を形成すると図１（ｆ）のようになり、半導体装
置の製造は終了する。
【００１１】このような本発明の製造方法でアルミ配線
層をニッケル膜層で被服することにより、ストレスマイ
グレーションやエレクトロマイグレーションによる断
線、熱処理で発生するヒロックによる短絡といった問題
を解決することができる。そればかりか、ワイヤーボン
ディングされる面がニッケルで被覆されているので耐湿
性の向上に加えて、アルミと金の相互拡散を防止するバ
リア効果により接続の信頼性は著しく向上させることが
できる。製造工程も溶液への浸たす工程が追加されるだ
けであるので、生産性もよい製造方法である。
層をニッケル膜層で被服することにより、ストレスマイ
グレーションやエレクトロマイグレーションによる断
線、熱処理で発生するヒロックによる短絡といった問題
を解決することができる。そればかりか、ワイヤーボン
ディングされる面がニッケルで被覆されているので耐湿
性の向上に加えて、アルミと金の相互拡散を防止するバ
リア効果により接続の信頼性は著しく向上させることが
できる。製造工程も溶液への浸たす工程が追加されるだ
けであるので、生産性もよい製造方法である。
【００１２】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の製造方法
はアルミ配線層をニッケル膜層で被覆することにより、
断線や短絡のない配線をほどこすばかりか、高い接続信
頼性を有するボンディングパッドをもった半導体装置を
提供することにある。
はアルミ配線層をニッケル膜層で被覆することにより、
断線や短絡のない配線をほどこすばかりか、高い接続信
頼性を有するボンディングパッドをもった半導体装置を
提供することにある。
【図１】本発明の実施例による半導体装置の製造方法の
断面図。
断面図。
【図２】従来技術による半導体装置の製造方法の断面
図。
図。
１ シリコン基板 ２ 拡散層 ３ 絶縁膜層 ４ ゲート配線層 ５ コンタクトホール ６ アルミ薄膜層 ７ アルミ配線層 ８ パラジウム活性化層 ９ ニッケル膜層 １０ パッシベーション膜層 １１ 開口部 ２１ シリコン基板 ２２ 拡散層 ２３ 絶縁膜層 ２４ ゲート配線層 ２５ コンタクトホール ２６ アルミ薄膜層 ２７ アルミ配線層 ２８ パッシベーション膜層 ２９ 開口部
Claims (3)
- 【請求項１】 集積回路のアルミ配線を他金属で被覆
し、多層構造にすることを特徴とした半導体装置。 - 【請求項２】 集積回路の配線層を形成する方法におい
て、無電解メッキを用いることを特徴とした半導体装置
の製造方法。 - 【請求項３】 集積回路のアルミ配線層を形成する方法
において、 （１）アルミ薄膜層を形成する工程 （２）フォトエッチングによりアルミ配線層パターンを
形成する工程 （３）アルミ表面をパラジウムで置換する工程 （４）無電解ニッケルメッキを用いて、前記パラジウム
面をニッケル膜層に置換する工程 （５）パッシベーション膜層を形成する工程 （６）前記パッシベーション膜層にボンディング用開口
部を形成する工程 から成ることを特徴とした半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27115391A JPH05109725A (ja) | 1991-10-18 | 1991-10-18 | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27115391A JPH05109725A (ja) | 1991-10-18 | 1991-10-18 | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05109725A true JPH05109725A (ja) | 1993-04-30 |
Family
ID=17496077
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27115391A Pending JPH05109725A (ja) | 1991-10-18 | 1991-10-18 | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05109725A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7062850B2 (en) * | 1996-09-27 | 2006-06-20 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Method of forming electrical interconnects having electromigration-inhibiting segments to a critical length |
| JP2021068836A (ja) * | 2019-10-25 | 2021-04-30 | エイブリック株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
-
1991
- 1991-10-18 JP JP27115391A patent/JPH05109725A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7062850B2 (en) * | 1996-09-27 | 2006-06-20 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Method of forming electrical interconnects having electromigration-inhibiting segments to a critical length |
| JP2021068836A (ja) * | 2019-10-25 | 2021-04-30 | エイブリック株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
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