JPH0376784B2 - - Google Patents
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- JPH0376784B2 JPH0376784B2 JP62293883A JP29388387A JPH0376784B2 JP H0376784 B2 JPH0376784 B2 JP H0376784B2 JP 62293883 A JP62293883 A JP 62293883A JP 29388387 A JP29388387 A JP 29388387A JP H0376784 B2 JPH0376784 B2 JP H0376784B2
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Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、容器等のための気密密封カバーに関
し、特に、半導体デバイスのパツケージのための
密封リング付き複合密封カバー又は蓋に関する。
し、特に、半導体デバイスのパツケージのための
密封リング付き複合密封カバー又は蓋に関する。
従来の技術及びその問題点
特に塩雰囲気中で耐腐食性を有するパツケージ
を平面図するためにいろいろな密封カバーが従来
から提案されている。そのような密封カバーは、
例えばMil−Std−883C、方法1009、試験条件A、
塩雰囲気(腐食性雰囲気)で規定されているよう
な、最終パツケージの仕様を充足するものでなけ
ればならない。
を平面図するためにいろいろな密封カバーが従来
から提案されている。そのような密封カバーは、
例えばMil−Std−883C、方法1009、試験条件A、
塩雰囲気(腐食性雰囲気)で規定されているよう
な、最終パツケージの仕様を充足するものでなけ
ればならない。
信頼性の高いマイクロ回路のパツケージにおい
ては、半導体チツプがセラミツク製ハウジングに
形成された空洞内に収納され、ハウジングに蓋が
封着されてパツケージを密封している。この蓋
は、一般に、コバールと称される鉄系金属で形成
されており、シール(密封)は蓋とパツケージの
ハウジングの間に介設された、予め成形されたは
んだフレームによつて形成される。
ては、半導体チツプがセラミツク製ハウジングに
形成された空洞内に収納され、ハウジングに蓋が
封着されてパツケージを密封している。この蓋
は、一般に、コバールと称される鉄系金属で形成
されており、シール(密封)は蓋とパツケージの
ハウジングの間に介設された、予め成形されたは
んだフレームによつて形成される。
そのような蓋の一例は米国特許第4601958号に
記載されている。この蓋は、コバール製基材(コ
バールはニツケルと、鉄と、コバルトの合金)
と、該基材を被覆したニツケルと金の電気めつき
の交互層とで形成されている。この蓋は、予備成
形された80対20の割合のAu/Sn(金/錫)はん
だリングを用いて半導体パツケージに接合され
る。この蓋は腐食に対して高い耐性を有している
が、コバール製基材が非腐食性であるため、蓋全
体をNi(ニツケル)及びAu(金)のめつき層で完
全に被覆しなければならない。しかも、このニツ
ケルの電気めつき工程はかなり遅く、長い工程時
間を要し、従つて、コスト高を招く。又、2つの
金層を用いるので蓋の製造コストを相当に増大さ
せる。更に、欠陥があり不合格品とされスクラツ
プにしなければならない場合は、それに埋入され
ている金層を回収することができず、その金価が
失われてしまう。
記載されている。この蓋は、コバール製基材(コ
バールはニツケルと、鉄と、コバルトの合金)
と、該基材を被覆したニツケルと金の電気めつき
の交互層とで形成されている。この蓋は、予備成
形された80対20の割合のAu/Sn(金/錫)はん
だリングを用いて半導体パツケージに接合され
る。この蓋は腐食に対して高い耐性を有している
が、コバール製基材が非腐食性であるため、蓋全
体をNi(ニツケル)及びAu(金)のめつき層で完
全に被覆しなければならない。しかも、このニツ
ケルの電気めつき工程はかなり遅く、長い工程時
間を要し、従つて、コスト高を招く。又、2つの
金層を用いるので蓋の製造コストを相当に増大さ
せる。更に、欠陥があり不合格品とされスクラツ
プにしなければならない場合は、それに埋入され
ている金層を回収することができず、その金価が
失われてしまう。
従つて、半導体業界は、耐食性が極めて高く、
しかも、最少限の貴金属の仕様で容易に製造する
ことができるカバーを長年求めている。
しかも、最少限の貴金属の仕様で容易に製造する
ことができるカバーを長年求めている。
発明の目的及び問題点を解決するための手段
本発明は、従来技術の上記問題点を解決するこ
とを企図したものであり、その目的のために、半
導体パツケージのためのセラミツク製密封カバー
であつて、一方の面を該半導体パツケージに対面
して配設された平坦なセラミツク製密封部材と、
該密封部材の該一方の面の周縁上に接合された多
層密封リングとから成り、該多層密封リングは、
該セラミツク製基材上に直接形成された貴金属層
と、該貴金属層の、前記セラミツク製密封部材の
ある側とは反対側の面に被覆されたはんだ層とか
ら成ることを特徴とするセラミツク製密封カバー
を提供する。上記貴金属層は、例えば、Mo−
Mn(モリブデン−マンガン)、純粋W(タングス
テン)又はMo−W(モリブデン−タングステン)
等の耐火金属化層にニツケル蒸着層と金の電気め
つき層を被覆したものとすることができる。金の
電気めつき層ははんだ層で濡らすことができる表
面(はんだ層に対して湿潤性を有する表面)を提
供する。はんだ層は、スクリーン被覆することが
できるはんだペーストであつてもよく、あるい
は、仮付け溶接することができる金−錫はんだフ
レームであつてもよい。又、別の実施例として、
上記貴金属層、即ち金属化ベース層は、金の厚手
フイルム又はPd−Ag(パラジウム−銀合金)の
厚手フイルムであつてもよい。
とを企図したものであり、その目的のために、半
導体パツケージのためのセラミツク製密封カバー
であつて、一方の面を該半導体パツケージに対面
して配設された平坦なセラミツク製密封部材と、
該密封部材の該一方の面の周縁上に接合された多
層密封リングとから成り、該多層密封リングは、
該セラミツク製基材上に直接形成された貴金属層
と、該貴金属層の、前記セラミツク製密封部材の
ある側とは反対側の面に被覆されたはんだ層とか
ら成ることを特徴とするセラミツク製密封カバー
を提供する。上記貴金属層は、例えば、Mo−
Mn(モリブデン−マンガン)、純粋W(タングス
テン)又はMo−W(モリブデン−タングステン)
等の耐火金属化層にニツケル蒸着層と金の電気め
つき層を被覆したものとすることができる。金の
電気めつき層ははんだ層で濡らすことができる表
面(はんだ層に対して湿潤性を有する表面)を提
供する。はんだ層は、スクリーン被覆することが
できるはんだペーストであつてもよく、あるい
は、仮付け溶接することができる金−錫はんだフ
レームであつてもよい。又、別の実施例として、
上記貴金属層、即ち金属化ベース層は、金の厚手
フイルム又はPd−Ag(パラジウム−銀合金)の
厚手フイルムであつてもよい。
更に他の実施例として、上記金属化ベース層
は、チタン合金等の活性金属にニツケルを被覆
し、更にその上に金を被覆したものとすることも
できる。
は、チタン合金等の活性金属にニツケルを被覆
し、更にその上に金を被覆したものとすることも
できる。
実施例
図面を参照すると、第1図は、例えば集積回路
のような半導体デバイス12を封入するための半
導体パツケージ組立体10を示す。このパツケー
ジは、半導体デバイス12を受容するための空洞
16を備えた本体14を有する。本体14は、気
密密封複合カバー20を受容するための導電性リ
ング又はフレーム18を有する。図示の実施例で
は、カバー20は、蓋として公称約0.635mmの厚
さのセラミツク性シート状基材22を有する。基
材22は、例えば黒アルミナ、白アルミナ、又は
サフアイア等の任意の適当なセラミツク材であつ
てよい、サフアイアは、紫外線を用いて読取専用
記憶装置(PROM′S)のプログラム化可能にす
るのでプログラム化可能な読取専用記憶装置を封
入するのに好適である。
のような半導体デバイス12を封入するための半
導体パツケージ組立体10を示す。このパツケー
ジは、半導体デバイス12を受容するための空洞
16を備えた本体14を有する。本体14は、気
密密封複合カバー20を受容するための導電性リ
ング又はフレーム18を有する。図示の実施例で
は、カバー20は、蓋として公称約0.635mmの厚
さのセラミツク性シート状基材22を有する。基
材22は、例えば黒アルミナ、白アルミナ、又は
サフアイア等の任意の適当なセラミツク材であつ
てよい、サフアイアは、紫外線を用いて読取専用
記憶装置(PROM′S)のプログラム化可能にす
るのでプログラム化可能な読取専用記憶装置を封
入するのに好適である。
セラミツクカバー20は、その基材22の、パ
ツケージ10の本体14に対面する側の面の周縁
上に密封リングを有する。この密封リングは、耐
火性又は活性金属化層をセラミツクと共に焼成す
るか(「グリーン法」)、あるいはセラミツクを焼
成した後に焼成し、次いで、該金属化層の上には
んだ付け可能な金属を電気めつきするか、あるい
は、厚手フイルム金属化法を用いて被覆すること
によつて形成する。カバー20の金属化ベース層
24は、金−錫はんだ層26によつて濡らされ得
る材料、又は、そのような材料をめつきされた材
料である。はんだ層26は、金属化ベース層24
上に仮付け溶接され、後にリフローされる80対20
の割合のAu/Sn(金/錫)はんだリング、又は、
金属化ベース層24にスクリーン被覆され、後に
フローされるAu/Snはんだペーストである。
ツケージ10の本体14に対面する側の面の周縁
上に密封リングを有する。この密封リングは、耐
火性又は活性金属化層をセラミツクと共に焼成す
るか(「グリーン法」)、あるいはセラミツクを焼
成した後に焼成し、次いで、該金属化層の上には
んだ付け可能な金属を電気めつきするか、あるい
は、厚手フイルム金属化法を用いて被覆すること
によつて形成する。カバー20の金属化ベース層
24は、金−錫はんだ層26によつて濡らされ得
る材料、又は、そのような材料をめつきされた材
料である。はんだ層26は、金属化ベース層24
上に仮付け溶接され、後にリフローされる80対20
の割合のAu/Sn(金/錫)はんだリング、又は、
金属化ベース層24にスクリーン被覆され、後に
フローされるAu/Snはんだペーストである。
第1図は、本発明の第1実施例によるセラミツ
ク製気密密封カバー(「セラミツク製密封カバ
ー」、(密封カバー」又は単に「カバー」ともい
う)20を示す。この実施例では、カバー20
は、蓋を構成するセラミツク製シート状基材22
と、その上の面に選択的に(即ち、面の周縁にだ
け)被覆された金属化ベース層24を含む。金属
化層24は、耐火性のモリブデン−マンガン
(Mo−Mn)であつてよいが、純粋タングステン
(W)又はモリブデン−タングステン(Mo−W)
であることが好ましい。この層は、基材22のセ
ラミツク材と共に共焼成するか、あるいは、予め
焼成したセラミツク製基材22の上に載せて焼成
する。厚さは、最少限5μとする。この金属化ベ
ース層24の上に、厚さ約2.54μ(100μin)のニツ
ケル電気めつき層28を被覆する。その電気めつ
き層の上に厚さ約1.27μ(50μin)の金の電気めつ
き層30を被覆する。更に、この金電気めつき層
(「金層」又は「貴金属層」とも称する)30上
に、この実施例では予め所定の形に切られた金−
錫(Au−Sn)はんだフレームの形としたはんだ
層26を仮付け溶接する。金層30は、はんだ層
26によつて濡らされ易く、耐食性も極めて高
い。
ク製気密密封カバー(「セラミツク製密封カバ
ー」、(密封カバー」又は単に「カバー」ともい
う)20を示す。この実施例では、カバー20
は、蓋を構成するセラミツク製シート状基材22
と、その上の面に選択的に(即ち、面の周縁にだ
け)被覆された金属化ベース層24を含む。金属
化層24は、耐火性のモリブデン−マンガン
(Mo−Mn)であつてよいが、純粋タングステン
(W)又はモリブデン−タングステン(Mo−W)
であることが好ましい。この層は、基材22のセ
ラミツク材と共に共焼成するか、あるいは、予め
焼成したセラミツク製基材22の上に載せて焼成
する。厚さは、最少限5μとする。この金属化ベ
ース層24の上に、厚さ約2.54μ(100μin)のニツ
ケル電気めつき層28を被覆する。その電気めつ
き層の上に厚さ約1.27μ(50μin)の金の電気めつ
き層30を被覆する。更に、この金電気めつき層
(「金層」又は「貴金属層」とも称する)30上
に、この実施例では予め所定の形に切られた金−
錫(Au−Sn)はんだフレームの形としたはんだ
層26を仮付け溶接する。金層30は、はんだ層
26によつて濡らされ易く、耐食性も極めて高
い。
第3図に示された本発明の第2実施例による密
封カバー120は、平坦なセラミツク性基材12
2と、その上に選択的に(周縁にだけ)被覆され
た、厚さ最少限10μの貴金属の厚手フイルムリン
グ層124を含む。この実施例の貴金属層の好ま
しい材料はデユポン9110である。この貴金属層1
24を焼成した後、その上に金−錫はんだペース
トの層126をスクリーン被覆し、炉内でリフロ
ー溶接する。
封カバー120は、平坦なセラミツク性基材12
2と、その上に選択的に(周縁にだけ)被覆され
た、厚さ最少限10μの貴金属の厚手フイルムリン
グ層124を含む。この実施例の貴金属層の好ま
しい材料はデユポン9110である。この貴金属層1
24を焼成した後、その上に金−錫はんだペース
トの層126をスクリーン被覆し、炉内でリフロ
ー溶接する。
第4図に示された本発明の第3実施例による密
封カバー220は、平坦なセラミツク性基材22
2と、その上に被覆されたチタン合金の活性金属
化層224を含む。この金属化層224の厚さは
少なくとも5μとすることが好ましい。この金属
化層224を焼成した後、その上に、金−錫はん
だペーストの層126をスクリーン被覆し、炉内
でリフロー溶接する。厚さ約2.54μ(100μin)のニ
ツケル電気めつき層228を被覆し、その上に厚
さ約1.27μ(50μin)の金の電気めつき層230を
被覆する。更に、この金電気めつき層230の上
に、金−錫(Au−Sn)はんだペースト層226
をスクリーン被覆し、次いでリフロー溶接する。
封カバー220は、平坦なセラミツク性基材22
2と、その上に被覆されたチタン合金の活性金属
化層224を含む。この金属化層224の厚さは
少なくとも5μとすることが好ましい。この金属
化層224を焼成した後、その上に、金−錫はん
だペーストの層126をスクリーン被覆し、炉内
でリフロー溶接する。厚さ約2.54μ(100μin)のニ
ツケル電気めつき層228を被覆し、その上に厚
さ約1.27μ(50μin)の金の電気めつき層230を
被覆する。更に、この金電気めつき層230の上
に、金−錫(Au−Sn)はんだペースト層226
をスクリーン被覆し、次いでリフロー溶接する。
第5図に示された本発明の第4実施例による密
封カバー320は、平坦なセラミツク性基材32
2と、その上に被覆され、後に焼成された厚さ
10μのパラジウム−銀(Pd−Ag)の厚手フイル
ム層324を有する。このパラジウム−銀の厚手
フイルム材は、デユポン6120又はデユポン6124又
はその同等物であることが好ましい。この実施例
では、パラジウム−銀の厚手フイルム層324の
上に、金−錫はんだリング326を直接仮付け溶
接する。
封カバー320は、平坦なセラミツク性基材32
2と、その上に被覆され、後に焼成された厚さ
10μのパラジウム−銀(Pd−Ag)の厚手フイル
ム層324を有する。このパラジウム−銀の厚手
フイルム材は、デユポン6120又はデユポン6124又
はその同等物であることが好ましい。この実施例
では、パラジウム−銀の厚手フイルム層324の
上に、金−錫はんだリング326を直接仮付け溶
接する。
上記金属化層24又は2224は、セラミツク
製基材22又は224と共に共焼成してもよく、
あるいは、予めキルンで焼成したセラミツク材の
上に被覆して別途に焼成してもよい。
製基材22又は224と共に共焼成してもよく、
あるいは、予めキルンで焼成したセラミツク材の
上に被覆して別途に焼成してもよい。
はんだ層26,126,226,326の炉内
でのリフロー溶接は、ドライ窒素雰囲気内で、通
常、350℃の温度で2分間の滞留時間で行なわれ
る。
でのリフロー溶接は、ドライ窒素雰囲気内で、通
常、350℃の温度で2分間の滞留時間で行なわれ
る。
上記各密封カバーの製造方法の詳細は、1986年
11月21に付けで出願された本出願人自身の米国出
願第933567号に記載されている。
11月21に付けで出願された本出願人自身の米国出
願第933567号に記載されている。
はんだリング26又は326を仮付け溶接する
ための技法は周知であり、ここで詳しく説明する
必要はない。
ための技法は周知であり、ここで詳しく説明する
必要はない。
もちろん、はんだ層26は、別の貴金属系のは
んだであつてもよく、又、電気めつき層30又は
230の金の代わりに他の貴金属を用いてもよ
い。
んだであつてもよく、又、電気めつき層30又は
230の金の代わりに他の貴金属を用いてもよ
い。
第1図は、セラミツク製蓋と厚手フイルムの金
属化密封リングとから成る本発明の複合セラミツ
ク製密封カバーを付設した半導体パツケージの透
視図である。第2,3,4及び5図は、それぞ
れ、本発明のいろいろな実施例によるセラミツク
製密封カバーの部分透視図である。 20,120,220,320はセラミツク製
密封カバー、22,122,222,322はセ
ラミツク製基材(蓋)、24,124,224,
324は金属化層、26,126,226,32
6ははんだ層、28,228はニツケル電気めつ
き層、30,230は貴金属層。
属化密封リングとから成る本発明の複合セラミツ
ク製密封カバーを付設した半導体パツケージの透
視図である。第2,3,4及び5図は、それぞ
れ、本発明のいろいろな実施例によるセラミツク
製密封カバーの部分透視図である。 20,120,220,320はセラミツク製
密封カバー、22,122,222,322はセ
ラミツク製基材(蓋)、24,124,224,
324は金属化層、26,126,226,32
6ははんだ層、28,228はニツケル電気めつ
き層、30,230は貴金属層。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 半導体パツケージのためのセラミツク製密封
カバーであつて、一方の面を該半導体パツケージ
に対面して配設された平坦なセラミツク製密封部
材と、該密封部材の該一方の面の周縁上に接合さ
れた多層密封リングとから成り、該多層密封リン
グは、Mo−W及び純粋Wを含む群から選択され
た金属化ベース層24と、該金属化ベース層の、
前記セラミツク製密封部材22のある側とは反対
側の面に被覆されたはんだ層26とから成ること
を特徴とするセラミツク製密封カバー。 2 前記金属化ベース層の上に貴金属めつき層3
0が被覆されていることを特徴とする特許請求の
範囲第1項記載のセラミツク製密封カバー。 3 前記金属化ベース層24と前記貴金属めつき
層30との間にニツケル電気めつき層28が介設
されていることを特徴とする特許請求の範囲第2
項記載のセラミツク製密封カバー。 4 半導体パツケージのためのセラミツク製密封
カバーであつて、一方の面を該半導体パツケージ
に対面して配設された平坦なセラミツク製密封部
材と、該密封部材の該一方の面の周縁上に接合さ
れた多層密封リングとから成り、該多層密封リン
グは、前記セラミツク製密封部材22の前記周縁
上に形成された金属化層24と、該金属化層に被
覆された電気めつきニツケル層28と、該電気め
つきニツケル層に被覆された電気めつき金層30
と、該電気めつき金層の上に接合されたはんだ層
26とから成ることを特徴とするセラミツク製密
封カバー。 5 前記金属化層24は、厚手フイルムの金属被
覆層であることを特徴とする特許請求の範囲第4
項記載のセラミツク製密封カバー。 6 半導体パツケージのためのセラミツク製密封
カバーであつて、一方の面を該半導体パツケージ
に対面して配設された平坦なセラミツク製密封部
材と、該密封部材の該一方の面の周縁上に接合さ
れた多層密封リングとから成り、該多層密封リン
グは、前記セラミツク製密封部材22に蒸着され
た少なくとも5μの厚さのチタン合金の金属化層
224と、該金属化層の、前記セラミツク製密封
部材22のある側とは反対側の面に被覆されたは
んだ層226とから成ることを特徴とするセラミ
ツク製密封カバー。 7 前記チタン合金層224の上に電気めつき貴
合属層230が被覆されていることを特徴とする
特許請求の範囲第6項記載のセラミツク製密封カ
バー。 8 前記チタン合金層224の上に電気めつきニ
ツケル層228が被覆され、該電気めつきニツケ
ル層に電気めつき金層230が被覆されており、
前記はんだ層226は該金層230に接合されて
いることを特徴とする特許請求の範囲第6項記載
のセラミツク製密封カバー。 9 半導体パツケージのためのセラミツク製密封
カバーであつて、一方の面を該半導体パツケージ
に対面して配設された平坦なセラミツク製密封部
材と、該密封部材の該一方の面の周縁上に接合さ
れた多層密封リングとから成り、該多層密封リン
グは、前記セラミツク製密封部材122に蒸着さ
れた少なくとも10μの厚さの金の厚手金属化層1
24と、該金属化層の、前記セラミツク製密封部
材122のある側とは反対側の面に被覆されたは
んだ層126とから成ることを特徴とするセラミ
ツク製密封カバー。 10 半導体パツケージのためのセラミツク製密
封カバーであつて、一方の面を該半導体パツケー
ジに対面して配設された平坦なセラミツク製密封
部材と、該密封部材の該一方の周縁上に接合され
た多層密封リングとから成り、該多層密封リング
は、前記セラミツク製密封部材322に蒸着され
た少なくとも10μの厚さのパラジウム−銀合金の
金属化層324と、該金属化層の、前記セラミツ
ク製密封部材322のある側とは反対側の面に被
覆されたはんだ層326とから成ることを特徴と
するセラミツク製密封カバー。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US06/933,568 US4746583A (en) | 1986-11-21 | 1986-11-21 | Ceramic combined cover |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6486537A JPS6486537A (en) | 1989-03-31 |
JPH0376784B2 true JPH0376784B2 (ja) | 1991-12-06 |
Family
ID=25464187
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP62293883A Granted JPS6486537A (en) | 1986-11-21 | 1987-11-20 | Ceramic air-tight sealing cover |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4746583A (ja) |
EP (1) | EP0272990B1 (ja) |
JP (1) | JPS6486537A (ja) |
DE (1) | DE3777783D1 (ja) |
Families Citing this family (30)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4851301A (en) * | 1988-02-12 | 1989-07-25 | Motorola, Inc. | Solder bonding with improved peel strength |
JPH0793393B2 (ja) * | 1988-02-22 | 1995-10-09 | 株式会社東芝 | 半導体装置の金属製シェル |
JP2572823B2 (ja) * | 1988-09-22 | 1997-01-16 | 日本碍子株式会社 | セラミック接合体 |
FR2648275A1 (fr) * | 1989-06-09 | 1990-12-14 | Thomson Csf | Procede et dispositif d'encapsulation de modules hyperfrequence |
WO1991009699A1 (en) * | 1989-12-29 | 1991-07-11 | Williams Advanced Materials Inc. | Welding of solder frame to ceramic lid in semi-conductor packaging |
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JP3369665B2 (ja) * | 1993-08-27 | 2003-01-20 | 日本特殊陶業株式会社 | 半導体パッケージ用のセラミック製リッド基板およびセラミック製リッド |
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EP4060723A1 (en) * | 2014-10-01 | 2022-09-21 | Materion Corporation | Cover lid with selective and edge metallization |
JP6499886B2 (ja) * | 2015-03-11 | 2019-04-10 | 田中貴金属工業株式会社 | 電子部品封止用キャップ |
CN111446212A (zh) * | 2020-04-16 | 2020-07-24 | 中国电子科技集团公司第四十三研究所 | 一种陶瓷一体化封装外壳及其制作工艺 |
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US4513062A (en) * | 1978-06-17 | 1985-04-23 | Ngk Insulators, Ltd. | Ceramic body having a metallized layer |
US4291815B1 (en) * | 1980-02-19 | 1998-09-29 | Semiconductor Packaging Materi | Ceramic lid assembly for hermetic sealing of a semiconductor chip |
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US4331258A (en) * | 1981-03-05 | 1982-05-25 | Raychem Corporation | Sealing cover for an hermetically sealed container |
JPS60115247A (ja) * | 1983-11-28 | 1985-06-21 | Fujitsu Ltd | 半導体装置 |
-
1986
- 1986-11-21 US US06/933,568 patent/US4746583A/en not_active Expired - Fee Related
-
1987
- 1987-11-20 JP JP62293883A patent/JPS6486537A/ja active Granted
- 1987-11-20 DE DE8787420312T patent/DE3777783D1/de not_active Expired - Lifetime
- 1987-11-20 EP EP87420312A patent/EP0272990B1/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US4746583A (en) | 1988-05-24 |
JPS6486537A (en) | 1989-03-31 |
DE3777783D1 (de) | 1992-04-30 |
EP0272990A1 (en) | 1988-06-29 |
EP0272990B1 (en) | 1992-03-25 |
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