JP4942207B2 - 気密容器の製造方法 - Google Patents
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Description
(1)従来公知の手法により、第1の板構造体11上に蛍光膜25およびメタルバック24を設ける。
(2)従来公知の手法により、第2の板構造体13上に電子放出素子21および行方向配線22と列方向配線23とを設ける。
(3)(1)で得られた第1の板構造体11と(2)で得られた第2の板構造体13とを対向させ、第1の板構造体11、第1の接合材14、枠12、第2の接合材15、第2の板構造体13の順に配置する。
(4)上述した気密容器の製造方法を適用し、エネルギービームを第1の接合材14、第2の接合材15に照射し、第1の板構造体11と枠12、第2の板構造体13と枠12のそれぞれを接合する。
本発明による気密容器の製造方法は、図1に示すように、まず対角7インチの高歪点ガラス基板に、薄膜素子、配線、絶縁材料、その他の材料などを形成し、第1の板構造体および第2の板構造体を作成する。薄膜素子は表示素子を構成するための素子である。配線は、薄膜素子を駆動する信号を送るためのものである。絶縁材料は、配線と接合材との絶縁を確保するためのものである。
[比較例]
レーザ2を、枠側面の方向から、第2の板構造体に対する入射角を45°にして第2の接合材に照射して接合を行なった。すると、レーザ2が枠を透過した成分に起因する温度上昇はなく、第2の接合材に直接照射した成分によってのみ温度上昇が確認された。このとき、実施例に対して接合領域が1/3程度にとどまっていた。このときのレーザのエネルギー利用効率は1%であった。
[実施例2]
実施例1と同様にして配置とアライメントを行い、レーザを1本のみ用いることで装置を簡素化した。
[実施例3]
実施例1と同様に配置したワークに対し、照射するエネルギービームとして、波長が近赤外線の半導体レーザを2本用いた。このうち、1本のスポットが、第1の接合材に全て収まるように配置し、別の一本のスポットを、第2の接合材に全て収まるように、第2の接合材の中央付近に配置し、実施例1と同様に移動照射し、気密容器を形成した。このとき、第2の接合材の接合でのレーザのエネルギー利用効率は20%であった。また、実施例1と同様に、接合は一様になされており、さらに、実施例1よりも接合幅を広くなったため接合を強固にすることができた。出来上がった気密容器を300℃でベークしても、剥離が発生することなく、接合は良好に保たれていた。
12 枠
13 第2の板構造体
14 第1の接合材
15 第2の接合材
16 エネルギービーム
17 配線
Claims (3)
- 第1の板構造体と、枠と、前記第1の板構造体側の面上に配線が配置された第2の板構造体と、を有する気密容器の製造方法において、
溶融することで前記第1の板構造体と前記枠とを接合する第1の接合材を、前記第1の板構造体と前記枠との間に配置し、かつ溶融することで前記第2の板構造体と前記枠とを接合する第2の接合材を、前記第2の接合材の一部が前記配線と前記枠との間に位置するように前記第2の板構造体と前記枠との間に配置する配置工程と、
前記配置工程の後に、エネルギービームを、前記第1の板構造体に透過させて、前記第1の接合材に照射して、前記第1の板構造体と前記枠とを接合する第1の接合工程と、
前記配置工程の後に、エネルギービームの少なくとも一部を、前記第1の接合材を介さずに、前記第1の板構造体と、前記枠の前記第1の板構造体側の面を透過するように前記枠とに透過させて、前記第2の接合材に照射して、前記第2の板構造体と前記枠とを接合する第2の接合工程と、
を含むことを特徴とする気密容器の製造方法。 - 前記第1及び第2の接合工程で、同じエネルギー源から前記第1及び第2の接合材にエネルギービームを照射する、請求項1に記載の気密容器の製造方法。
- 第1の板構造体と、枠と、前記第1の板構造体側の面上に配線が配置された第2の板構造体と、を有する気密容器と、前記気密容器内に配置され前記配線に接続された表示素子と、を有する画像表示装置の製造方法において、
前記気密容器を請求項1又は2に記載の気密容器の製造方法によって製造することを特徴とする画像表示装置の製造方法。
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