JP4937078B2 - 定電圧電源回路 - Google Patents

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    • G05F1/10Regulating voltage or current
    • G05F1/46Regulating voltage or current wherein the variable actually regulated by the final control device is dc
    • G05F1/56Regulating voltage or current wherein the variable actually regulated by the final control device is dc using semiconductor devices in series with the load as final control devices

Description

この発明は、一定の電圧を出力するように構成された定電圧電源回路に関する。
定電圧電源回路として、CMOS回路により構成されたシリーズリニアレギュレータと呼ばれる回路が知られている(例えば、特許文献1参照)。このシリーズリニアレギュレータは、内部に基準電圧を発生する基準電圧発生回路、基準電圧と出力電圧を比較するコンパレータ、及びコンパレータにより駆動されるpMOSトランジスタを備えている。pMOSトランジスタは、入力電圧Vin(例えば電源電圧VDD)を入力する入力端子と、この入力電圧Vinを降圧・安定化させた出力電圧VOUTを出力する出力端子との間に接続される。
出力側負荷が増大して出力電圧VOUTが低下した場合、コンパレータの非反転入力端子の入力電圧が低下してコンパレータの出力電圧は低下する。これによりpMOSトランジスタのゲート電圧を低下させてpMOSトランジスタのオン抵抗を減少させ、出力端子に供給する電流を増やして出力電圧VOUTを安定化させる。
一方、出力側負荷が減少して出力電圧VOUTが上昇した場合、コンパレータの非反転入力端子の入力電圧が上昇し、コンパレータの出力電位は上昇する。これによりpMOSトランジスタのゲート電圧を上昇させてp型MOSトランジスタのオン抵抗を増大させ、出力端子に供給する電流を減らして出力電圧VOUTを安定化させる。
出力トランジスタは大電流(最大で数百mA程度)が流れる場合においても小さな電圧低下(最大でも100mV以下)に抑える必要があるため、ゲート幅の大きなトランジスタが使われる。このため、ゲート容量が大きくなる傾向にある。コンパレータをこのゲート容量を駆動可能なように設計することは可能であるが、それでも急激に出力電流が変化する場合においては、駆動遅れによる出力電圧変動が発生する虞がある。このため、コンパレータ等の回路構成を複雑にしその回路面積を増大させることなく出力変動を少なくしたボルテージレギュレータが望まれている。
特開平2007−219856号公報
本発明は、簡易な構成により、回路面積の増大を招くことなく出力電圧変動を極力小さくすることのできる定電圧電源回路を提供するものである。
本発明の一態様に係る定電圧電源回路は、入力端子と出力端子との間に第1電流経路を形成するように接続されると共に第1制御端子に第1制御信号を入力されて前記第1電流経路に流れる電流を制御する第1出力トランジスタと、前記出力端子と接地端子との間に第2電流経路を形成するように接続されると共に第2制御端子に第2制御信号を入力されて前記第2電流経路に流れる電流を制御する第2出力トランジスタと、前記出力端子から出力される出力電圧が所定値以下となった場合に前記第1制御信号を出力して前記第1出力トランジスタのオン抵抗を低下させる第1コンパレータと、前記出力電圧が所定値以上となった場合に前記第2制御信号を出力して前記第2出力トランジスタを導通させて前記出力電圧を低下させる第2コンパレータと、前記第1出力トランジスタの前記第1制御端子の所定電位への充電を加速する加速回路と、前記第2制御信号の変化に基づき前記加速回路の動作を禁止する禁止回路とを備えたことを特徴とする。
この発明によれば、簡易な構成により、回路面積の増大を招くことなく、出力電圧変動を極力小さくすることのできる定電圧電源回路を提供することができる。
次に、本発明の実施の形態を、図面を参照して詳細に説明する。
[第1の実施の形態]
まず、本発明の第1の実施の形態に係る定電圧電源回路について、図面を参照して説明する。図1は、定電圧電源回路としてのシリーズレギュレータ10の回路構成を示している回路図である。図2は、このシリーズレギュレータ10の使用形態の一例を示している。
このシリーズレギュレータ10は、入力端子1から入力電圧VIN(例えば電源電圧VDD)を与えられ、これを降圧・安定化させた一定の出力電圧VOUTを出力端子2から出力する機能を有する回路である。また、このシリーズレギュレータ10は、回路の動作の開始を指示するチップイネーブル信号を入力するためのチップイネーブル端子3と、接地電位VSSを与えられる接地端子4を備えている。
一例として、このシリーズレギュレータ10は、図2に示すように、電源回路20から出力された電源電圧VDDを入力電圧として、出力電圧VOUTを、例えばCPU31を含む半導体集積回路30に出力するものとして利用され得る。半導体集積回路30における負荷電流は、例えば半導体集積回路30が動作中か、それとも待機中であるか等によって変化する。このような場合であっても、出力電圧VOUTの変動をできるだけ小さくするよう、シリーズレギュレータ10は構成されている。本実施の形態では、シリーズレギュレータ10は、出力電圧VOUTの安定化のため、負荷電流の変動を検知したCPU31から入力信号Wakeupを受信する。
図1に戻って、シリーズレギュレータ10の構成の詳細を説明する。このシリーズレギュレータ10は、p型MOSトランジスタ11A、n型MOSトランジスタ11B、オペアンプ12A、12B、分割抵抗13、基準電圧発生回路14、インバータチェーン回路15、及び放電回路17を備えている。なお、シリーズレギュレータ10は、それ単体からなるディスクリート回路として構成されていてもよいし、半導体集積回路に含まれる一部の回路として構成されていてもよい。
p型MOSトランジスタ11Aは、入力端子1と出力端子2との間に接続された出力トランジスタであり、そのゲートにはオペアンプ12Aの出力端子が接続されている。後述するように、このp型MOSトランジスタ11Aは、出力端子2からの出力電圧VOUTの変化に応じてゲートに入力されるゲート電圧を制御される。これにより出力電圧VOUTが一定の値に制御される。
n型MOSトランジスタ11Bは、出力端子2と接地端子4との間に接続された出力トランジスタであり、そのゲートにはオペアンプ12Bの出力端子が接続されている。後述するように、このn型MOSトランジスタ11Bは、出力電圧VOUTの変化に応じてゲートに入力されるゲート電圧を制御される。これにより、出力電圧VOUTが一定の値に制御される。
より具体的に説明すると、オペアンプ12Aは、出力電圧VOUTを分割抵抗13にて所定の抵抗分割比で分割した電圧Vmtrと、基準電圧発生回路14で発生させた基準電圧Vrefとを比較増幅してゲート信号Vgaを出力するコンパレータである。すなわち、オペアンプ12Aは、出力電圧VOUTが所定値以下に小さくなった場合に、ゲート信号Vgaを変化させて、p型MOSトランジスタ11Aのオン抵抗を小さくする制御を実行する。これにより、p型MOSトランジスタ11Aのドレイン電圧すなわち出力電圧VOUTが一定の値に制御される。
オペアンプ12Bは、オペアンプ12Aと同様に、電圧Vmtrと、基準電圧発生回路14で発生させた基準電圧Vrefとを比較増幅してゲート信号Vgbを出力する。すなわち、オペアンプ12Bは、出力電圧VOUTが所定値以上に大きくなった場合に、ゲート信号Vgbを変化させて、n型MOSトランジスタ11Bを導通させ、出力電圧VOUTを低下させる制御を実行する。このオペアンプ12Bも、オペアンプ12Aと同様に、出力電圧VOUTを一定の値に制御する機能を有する。
基準電圧発生回路14は、入力電圧である電源電圧VDDと接地電位VSSとを供給されて動作する、所謂バンドギャップリファレンス回路から構成される。バンドギャップリファレンス回路は、電圧変動が少なく、且つ温度変化の少ない安定した、例えば、1.2Vの基準電圧Vrefを発生する。
インバータチェーン回路15は、チップイネーブル端子3から入力されたチップイネーブル信号CEの入力を受けてオペアンプ12A、12Bを活性化させる信号を出力するものである。
放電回路17は、半導体集積回路30における出力電流の変化がCPU31により検知された場合に、前述の入力信号Wakeupの入力を受け、p型MOSトランジスタ11Aのゲート端子の電圧を接地電位GNDまで放電するのを加速させる機能を有する。出力電圧VOUTが低下した場合には、オペアンプ12Aも、p型MOSトランジスタ11Aのゲート端子の電圧を低下させて出力電圧VOUTを一定に保つよう作用するが、p型MOSトランジスタ11Aのゲート容量が大きい場合、オペアンプ12Aのみではこのゲート容量を放電するのには一般的に不十分である。放電回路17は、この場合において、p型MOSトランジスタ11Aのゲート容量の寄生容量に蓄積された電荷を迅速に放電することを補助して、出力電圧VOUTの安定化させることができる。
より具体的に、放電回路17は、n型MOSトランジスタ21、22及びインバータ24から構成される。n型MOSトランジスタ21及び22は、p型MOSトランジスタ11Aのゲート端子と接地電位GNDとの間に直列接続されている。n型MOSトランジスタ21は、そのゲートに前述の入力信号Wakeupを入力されている。ここで、入力信号Wakeupは、通常は”L”であり、例えば30nS程度の短い期間だけ”H”に立ち上がる1パルスの信号である。
n型MOSトランジスタ22は、前述のゲート信号Vgbを、インバータ24を介してゲートに入力されている。これにより、n型MOSトランジスタ22は、入力信号Wakeupの状態にかかわらず、放電回路17による放電を禁止する機能を有する。換言すれば、n型MOSトランジスタ21は、p型MOSトランジスタ11Aのゲートへの所定電位への充電を加速する加速回路として機能し、n型MOSトランジスタ22は、その加速回路であるn型MOSトランジスタ21の動作を禁止する禁止回路として機能する。
次に、このシリーズレギュレータ10の放電回路17の動作を説明する。
例えばCPU31にて負荷電流の増加が検知されて、30nS程度の短い期間入力信号Wakeupが”L”から”H”に立ち上がると、n型MOSトランジスタ21がターンオンして、これによりp型MOSトランジスタ11Aのゲートの寄生容量に蓄積された電荷は放電される。入力信号Wakeupが”H”から”L”に立ち下がると、n型MOSトランジスタ21はターンオフし、p型MOSトランジスタ11Aのゲートの放電は停止される。その後、オペアンプ12Aが出力電圧VOUTの減少を検知してp型MOSトランジスタ11Aをターンオンしてそのオン抵抗を低下させると、出力電圧VOUTは増加する。このとき、p型MOSトランジスタ11Aのゲートは既に放電され大電流を流す準備が整っているので、すみやかに定常状態へと移行できる。
図3に、第1の実施の形態のシリーズレギュレータ10における動作、及び従来のシリーズレギュレータ(図1から放電回路17を取り除いたもの)の動作のシミュレーション波形(出力電流IOUT、出力電圧VOUT、入力信号Wakeup)を示す。図3の中で、時刻t1〜t5は従来のシリーズレギュレータの動作を示す波形であり、時刻t5以降は、本実施の形態のシリーズレギュレータ10の動作を示す波形である。
従来のシリーズレギュレータにおいて、時刻t1に出力電流IOUTが0から100mAに立ち上がると(波形A)、出力電圧VOUTには、符号F1で示すように一時的ではあるが大きなドロップが生じた。同様に、時刻t3に出力電流IOUTが0から200mAに立ち上がると(波形B)、出力電圧VOUTには、符号F2で示すように一時的ではあるが更に大きなドロップが生じた。なお、波形F1、F2のようなドロップの後は、p型MOSトランジスタ11Aの作用により、出力電圧VOUTは上昇し、その後、n型MOSトランジスタ11Bの作用により、元の値に収束する。
これに対し、本実施の形態のシリーズレギュレータ10においては、たとえば時刻t5で出力電流IOUTが0から100mAへ増加したこと(波形C)がCPU31によって検知され、入力信号Wakeup(波形E1)を出力される。この入力信号Wakeupにより、p型MOSトランジスタ11Aのゲートは放電され、その結果、符号F3で示すように、出力電圧VOUTのドロップは、F1に比べ小さくなっている。出力電流IOUTの変化が0から200mAと大きかった場合(波形E2、波形D)も、ドロップ幅はF3の場合より大きいが、F1、F2の場合よりも小さくなっている。
なお、出力電流IOUTの増加は無かったにも拘わらず何らかの理由により入力信号Wakeupが立ち上がった場合(波形E3)でも、出力電圧VOUTに大きな変化はなかった。これは、入力信号Wakeupが30nS程度の短い時間立ち上がるのみであるので、p型MOSトランジスタ11Aはゲートの寄生容量の蓄積電荷が放電されるのみで実質的にターンオンしない為と考えられる。
図4は、本実施の形態の効果を示す。図4は、出力電流IOUTの変化に対する入力信号Wakeupの出力遅延時間と、縦軸を出力電圧VOUTのドロップ幅との関係を示すグラフである。
図4のグラフ中、曲線41〜44は、放電回路17が無い従来のシリーズレギュレータ(入力信号Wakeupも出力されない)場合である。そのうち、曲線41は、出力電流IOUTが0から200mAに増加した場合であり、曲線42は出力電流IOUTが0から100mAに増加した場合であり、曲線43は、出力電流IOUTが1mA(あらかじめ意図的に流される)から200mAに増加した場合であり、曲線44は出力電流IOUTが1mAから100mAに増加した場合である。いずれの場合にも、出力電圧VOUTのドロップ幅は80mV以上であり、最新の半導体集積回路において一般的に許容可能な60mVよりも大きい。
一方、本実施の形態のように、放電回路17を設け、出力電流の増加が検知された場合に入力信号Wakeupを出力する場合には、曲線45、46のように、出力電圧VOUTのドロップ幅を小さくすることができる。そして、入力信号Wakeupの遅延時間が小さくなればなるほど、ドロップ幅を小さくすることができる。このグラフによれば、遅延時間を12nS以内とすることにより、出力電圧VOUTのドロップ幅を60mV以内に抑えることができる。
[第2の実施の形態]
次に、本発明の第2の実施の形態を図5を参照して説明する。図5は、本発明の実施の形態に係るシリーズレギュレータ10のうち、放電回路17付近の主要部の構成のみを示している。その他の部分は第1の実施の形態(図1)と同様であるので、以下ではその詳細な説明は省略する。
この実施の形態では、CPU31が出力する入力信号Wakeup´は、30nS程度の短いパルス幅を有するパルス信号ではなく、出力電流IOUTの減少が検知されたときに”L”から”H”に立ち上がり、その後”H”を維持する信号である。
出力側負荷である半導体集積回路30内のCPU31において入力信号Wakeup´のパルス幅まで制御する余裕が無い場合もある。このような場合、図5に示すようなパルス発生回路50を設けることで、CPU31の負荷を軽減すると共に、より正確にパルス幅を制御することが可能になる。
このパルス発生回路50は一例として、図5に示すように、インバータチェーン回路51、NANDゲート52及びインバータ53を備えている。インバータチェーン回路51は、前述の入力信号Wakeup´を所定時間遅延させるため、複数のインバータを縦続接続してなる。
NANDゲート52は、入力信号Wakeup´と、インバータチェーン回路51の出力信号との論理積の否定値としての信号を出力する。インバータ53は、NANDゲート52の出力信号を入力され、その出力信号の反転信号である入力信号Wakeupをn型MOSトランジスタ21のゲートに供給する。この入力信号Wakeupのパルス幅は、インバータチェーン回路51におけるインバータの縦続接続数によって変えることができる。
[第3の実施の形態]
次に、本発明の第3の実施の形態を図6を参照して説明する。図6は、本発明の第3の実施の形態に係るシリーズレギュレータ10のうち、放電回路17付近の主要部の構成のみを示している。その他の部分は第1の実施の形態(図1)と同様であるので、以下ではその詳細な説明は省略する。
この実施の形態では、第2の実施の形態と同様、入力信号Wakeup´は、30nS程度の短いパルス幅を有するパルス信号ではなく、出力電流IOUTの減少が検知されたときに”L”から”H”に立ち上がり、その後”H”を維持する信号である。このような入力信号Wakeup´から、パルス幅30nS程度の入力信号Wakeupを生成するため、カウンタ回路60が設けられている。
カウンタ回路60は、この入力信号Wakeup´と、例えば周期5nS程度のクロック信号CLKを入力されている。そしてカウンタ回路60は、入力信号Wakeup´が”L”から”H”となった後、出力信号である入力信号Wakeupを”L”から”H”とし、所定のクロック信号CLKのクロック数をカウントした後、入力信号Wakeupを再び”L”に戻す。これにより、入力信号Wakeupのパルス幅を任意の幅に制御することができる。
[第4の実施の形態]
次に、本発明の第4の実施の形態を図7を参照して説明する。図7は、本発明の実施の形態に係るシリーズレギュレータ10のうち、放電回路17付近の主要部の構成のみを示している。その他の部分は第1の実施の形態(図1)と同様であるので、以下ではその詳細な説明は省略する。
この実施の形態では、第2の実施の形態と同様、入力信号Wakeup´は、30nS程度の短いパルス幅を有するパルス信号ではなく、出力電流IOUTの減少が検知されたときに”L”から”H”に立ち上がり、その後”H”を維持する信号である。この実施の形態では、図6に示すように、n型MOSトランジスタ22及びインバータ回路24を省略し、代わりに、インバータチェーン回路25、NANDゲート26A、NANDゲート26B、SRフリップフロップ回路27、ANDゲート28を備えている。インバータチェーン回路25及びNANDゲート26Bは、上記の入力信号Wakeup´を入力信号として、短時間”H”に立ち上がるパルス信号Wakeup2を出力する。
この負論理のパルス信号Wakeup2が立ち下がると、SRフリップフリップ回路27の出力信号は”H”にセットされる。ANDゲート28は、この出力信号”H”と、入力信号Wakeup’がいずれも”H”であれば、入力信号Wakeupを”H”として出力する。
一方、NANDゲート26Aは、入力信号Wakeup´と、オペアンプ12Bの出力信号を入力信号とし、その出力信号をSRフリップフロップ回路のリセット端子に出力するように構成されている。
この実施の形態では、NANDゲート26A、SRフリップフロップ回路27、及びANDゲート28により、加速回路を構成するn型MOSトランジスタ21の動作を禁止する禁止回路が構成されている。すなわち、入力信号Wakeup´が”L”から”H”に立ち上がると、入力信号Wakeup2が短い期間立ちあがり、SRフリップフロップ回路27をセットする。ANDゲート28は、”H”に立ち上がった入力信号Wakeup´と、SRフリップフロップ回路27の出力信号との論理積となる入力信号Wakeup=”H”を出力し、n型MOSトランジスタ21をターンオンして、p型MOSトランジスタ11Aのゲートの放電を加速させる。
一方、入力信号Wakeup´=”H”の状況下において、何らかの理由により出力電流IOUTが増加し、出力電圧VOUTが所定値以上に上昇したことがオペアンプ12Bによって検出され、ゲート信号Vgbが”H”にされると、NANDゲート26Aの出力信号は”L”となり、これによりSRフリップフロップ回路27はリセットされ、その出力信号は”L”となる。これにより、入力信号Wakeupは”L”となり、n型MOSトランジスタ21はターンオフされる。すなわち、加速回路を構成するn型MOSトランジスタ21の動作が禁止される。
なお、この実施の形態では、入力信号Wakeup´の”L”から”H”への立ち上がり時のみNANDゲート26Bからパルス信号である入力信号Wakeup2を出力し、入力信号Wakeup´の”H”から”L”への立ち下がり時にはパルス信号は出力しない。このようにしているのは、NANDゲート26AからいつSRフリップフロップ回路27をリセットする信号が出力されるか判らないので、SRフリップフロップ回路27の入力が禁止ステート(LL)となるのを防ぐ必要があるためである。
また、ANDゲート28は設けられているのは、以下の理由のためである。すなわち、SRフリップフロップ回路27が、電源投入時に”H”にセットされるか”L”にセットされるかわからず、万一出力信号が”H”となった場合に、n型MOSトランジスタ21が無闇にターンオンされることになってしまうため、これを防止する必要があるためである。これによれば、電源投入時においてSRフリップフロップ回路27のリセット動作を行う必要がなくなり、初期設定動作が簡便になる。
この実施の形態では、入力信号Wakeup´が”L”から”H”になったことをSRフリップフロップ回路27で記憶し、その後、一旦減少した出力電圧VOUTが元の値以上となって所定値を超えてしまった場合には、このSRフリップフロップ回路27がリセットされ、n型MOSトランジスタ21はターンオフされる。このため、出力電圧VOUTをより一層安定化させることが可能となっている。
なお、この実施の形態において、図8に示すように、SRフリップフロップ回路27の出力信号を、3端子入力としたNANDゲート26Aにフィードバックさせるようにしてもよい。図7の構成の場合、入力信号Wakeup´が”H”の状態の場合、NANDゲート26Aにはリーク電流が流れることになるが、この図8の構成の場合、SRフリップフロップ回路27のリセット後はリーク電流が流れない。従って、図7に比べても消費電力を低減することが可能である。
[変形例他]
以上、発明の実施の形態を説明したが、本発明はこれらに限定されるものではなく、発明の趣旨を逸脱しない範囲内において、種々の変更、追加等が可能である。例えば、上記実施の形態では、オペアンプ12Aと12Bで同一の基準電圧発生回路14で発生させた同一の基準電圧Vrefを用いていたが、分割抵抗等を用いて、異なる基準電圧を用いるようにすることも可能である。
また、オペアンプ12Aと12Bとでそれぞれ異なる基準電圧発生回路を用意することも可能である。
また、上記の実施の形態では、禁止回路として、n型MOSトランジスタ21と直列接続されたn型MOSトランジスタ22を採用したが、本発明はこれに限定されるものではなく、要は、加速回路を構成するトランジスタ等の動作を不可能にするものであればよい。たとえば、図9に示すように、インバータ31、NORゲート32により禁止回路を構成することも可能である。この図6において、前記の実施の形態と同一の構成要素に対しては同一の符号を付し、以下ではその詳細な説明は省略する。
このインバータ31は、出力電流IOUTの減少が検知されたときに”L”から”H”に立ち上がりその後”H”を維持する入力信号Wakeup´を入力信号して、その反転信号を出力する。一方、NORゲート32は、インバータ31の出力信号と、前述のオペアンプ12Bの出力信号とを供給されている。この構成により、オペアンプ12Bが出力電圧VOUTの上昇を検知して”H”を出力している場合には、たとえ信号Wakeup´が”H”であっても、n型MOSトランジスタ21はターンオンしない。すなわち、インバータ71とNORゲート72は、加速回路の動作を禁止する禁止回路として機能している。その他、禁止回路の構成は、上述の機能を提供するものである限り、様々な形態のものが考えられる。
定電圧電源回路としてのシリーズレギュレータ10の回路構成を示している回路図である。 このシリーズレギュレータ10の使用形態の一例を示している。 第1の実施の形態のシリーズレギュレータ10における動作、及び従来のシリーズレギュレータ(図1から放電回路17を取り除いたもの)の動作のシミュレーション波形(出力電流IOUT、出力電圧VOUT、入力信号Wakeup)を示す。 第1の実施の形態の効果を説明する。 本発明の第2の実施の形態の主要部の構成を示す回路図である。 本発明の第3の実施の形態の主要部の構成を示す回路図である。 本発明の第4の実施の形態の主要部の構成を示す回路図である。 本発明の第4の実施の形態の変形例の主要部の構成を示す回路図である。 本発明の実施の形態の変形例を示す回路図である。
符号の説明
1・・・入力端子、 2・・・出力端子、 3・・・チップイネーブル端子、 4・・・接地端子、 10・・・シリーズレギュレータ、 11A・・・p型MOSトランジスタ、 11B・・・n型MOSトランジスタ、 12A、12B・・・オペアンプ、 13・・・分割抵抗、 14・・・基準電圧発生回路、 15・・・インバータ回路、 16・・・電流制限回路、 17・・・放電回路、 20・・・電源回路、 21、22・・・n型MOSトランジスタ、 24・・・インバータ、 25・・・インバータチェーン回路、 26A、26B・・・NANDゲート、 27・・・SRフリップフロップ回路、 28・・・NANDゲート、
30・・・半導体集積回路、 31・・・CPU、 50・・・パルス発生回路、 51・・・インバータチェーン回路、 52・・・NANDゲート、 53・・・インバータ、 60・・・カウンタ回路、 71・・・インバータ、 72・・・NORゲート。

Claims (5)

  1. 入力端子と出力端子との間に第1電流経路を形成するように接続されると共に第1制御端子に第1制御信号を入力されて前記第1電流経路に流れる電流を制御する第1出力トランジスタと、
    前記出力端子と接地端子との間に第2電流経路を形成するように接続されると共に第2制御端子に第2制御信号を入力されて前記第2電流経路に流れる電流を制御する第2出力トランジスタと、
    前記出力端子から出力される出力電圧が所定値以下となった場合に前記第1制御信号を出力して前記第1出力トランジスタのオン抵抗を低下させる第1コンパレータと、
    前記出力電圧が所定値以上となった場合に前記第2制御信号を出力して前記第2出力トランジスタを導通させて前記出力電圧を低下させる第2コンパレータと、
    前記第1出力トランジスタの前記第1制御端子の所定電位への充電を加速する加速回路と
    前記第2制御信号の変化に基づき前記加速回路の動作を禁止する禁止回路と
    を備えたことを特徴とする定電圧電源回路。
  2. 前記加速回路及び前記禁止回路は、
    前記第1出力トランジスタのゲートと前記所定電位を供給する端子との間に直列接続された第1トランジスタと第2トランジスタとにより構成される
    ことを特徴とする請求項1記載の定電圧電源回路。
  3. 前記加速回路は、前記出力端子における出力電流の増加が予測される場合において外部から出力される指令信号に基づいて動作を開始することを特徴とする請求項1記載の定電圧電源回路。
  4. 前記指令信号は、前記出力端子に接続される出力側負荷における出力電流の変化が検知された場合にその論理が切り替わるようにされた請求項3記載の定電圧電源回路。
  5. 前記指令信号が第1論理から第2論理に立ち上がった場合に第1状態にセットされる一方前記第2制御信号が変化した場合に第2状態にセットされるフリップフロップ回路を備え、
    前記フリップフロップ回路が前記第1状態にあるときに前記加速回路を動作可能とし、前記フリップフロップ回路が前記第2状態にあるときに前記加速回路の動作を禁止するように構成された
    ことを特徴とする請求項3記載の定電圧電源回路。
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