JP4835237B2 - 電流源回路、およびこれを含むコンパレータ - Google Patents

Description

本発明は、所定の電流を生成する電流源回路、およびこの電流源回路を含むコンパレータに関するものである。

従来、この種の電流源回路としては、例えば、特許文献１に記載されるものが知られている。
この従来の電流源回路は、自励式で起動可能な定電流源回路において、起動回路自体に消費電流が流れず、安定した自動起動を可能とするものである。
さらに具体的には、従来の電流源回路は、２つのカレントミラー回路と、これら等カレントミラー回路の電流利得を定める抵抗とからなる定電流源回路において、その定電流源回路の出力ノードと低電源電位との間にダイオード接続のトランジスタを複数個直列に接続したものである。

このような構成の従来の電流源回路では、そのダイオードの直列接続回路の全体のしきい値を、定常時の上記出力ノードの電圧よりも高くしておくことで、定常時には、その直列接続回路はオフとなり電流消費はなく、電源低下後の起動時のみにオンとなって再起動が可能となる。
このように、従来の電流源回路では、起動回路自体に消費電流が流れず、安定した自動起動が可能となる。

しかし、従来の電流源回路では、電源電圧の大きな変動があるとき、例えば電源の立ち上がり時や立ち下がり時に、カレントミラー回路で生成される電流を一時的にブースト（増加）するようなことはできない。このため、従来の電流源回路は、電源電圧の大きな変動時に、生成電流の一時的なブーストを必要とするような電子回路の電流源、例えばコンパレータなどの電流源に使用できないという不具合がある。
特開平７−１２１２５５号公報

そこで、本発明の目的は、電源電圧の大きな変動時に、その変動に直ちに応答して生成電流を一時的にブーストさせることができる電流源回路を提供することにある。
また、本発明の他の目的は、そのような電流源回路を含み、電源電圧の大きな変動時に、ゲインを増加させて、回路の応答速度を高めることができるコンパレータを提供することにある。

上記の課題を解決し本発明の目的を達成するために、各発明は、以下のような構成からなる。
すなわち、第１の発明は、第１のカレントミラー回路と第２のカレントミラー回路とを含み、所定電流を発生する電流源回路であって、電源電圧の上昇時に所定以上の上昇を検出し、これを検出したときに、前記電流源回路に供給すべき所定のブースト電流を生成するブースト回路を備えている。

第２の発明は、第１の発明において、前記ブースト回路は、電源電圧の上昇時に、この上昇に遅れて所定の時定数で充電する充電回路と、前記充電回路の充電電圧と前記電源電圧との差の電圧を使用してオンし、オンのときに前記ブースト電流を生成し、この生成したブースト電流を前記第２のカレントミラー回路に供給するブースト用トランジスタと、を備えている。

第３の発明は、第２の発明において、前記ブースト回路は、前記充電回路の充電電荷が電源電圧を上回る場合に、その電荷を放電する放電回路をさらに備えている。
第４の発明は、第２または第３の発明において、前記充電回路は、電源電圧の上昇時にオンする充電用トランジスタと、前記充電用トランジスタと直列に接続され、その充電用トランジスタがオンのときに充電されるコンデンサと、からなる。

第５の発明は、第２、第３、または第４の発明において、前記ブースト用トランジスタは、自己に流れる電流を制限するリミッタを含んでいる。
第６の発明は、第１カレントミラー回路と第２カレントミラー回路とを含み、所定電流を発生する電流源回路であって、電源電圧の低下時に所定以上の低下を検出し、これを検出したときに、前記電流源回路に供給すべき所定のブースト電流を生成するブースト回路を備えている。

第７の発明は、第６の発明において、前記ブースト回路は、電源電圧により充電され、前記電源電圧の低下時に、この低下に遅れて放電する充放電回路と、前記充放電回路の電圧と前記電源電圧との差の電圧を使用してオンし、オンのときに前記ブースト電流を生成し、この生成したブースト電流を前記第２のカレントミラー回路に供給するブースト用トランジスタと、を備えている。

第８の発明は、第７の発明において、前記充放電回路は、抵抗とコンデンサとの直列回路からなり、この直列回路が高電位の電源端子と低電位の電源端子との間に接続されている。
第９の発明は、第７または第８の発明において、前記充放電回路は、自己に流れる電流を制限するリミッタを含んでいる。

第１０の発明は、第１カレントミラー回路と第２カレントミラー回路とを含み、所定電流を発生する電流源回路であって、電源電圧の上昇時に所定以上の上昇を検出し、これを検出したときに、前記電流源回路に供給すべき所定の第１のブースト電流を生成する第１のブースト回路と、電源電圧の低下時に所定以上の低下を検出し、これを検出したときに、前記電流源回路に供給すべき所定の第２のブースト電流を生成する第２のブースト回路と、を備えている。

第１１の発明は、電流源回路を含み、この電流源回路で生成される電流によって動作するコンパレータにおいて、前記電流源回路は、第１の発明乃至第１０の発明のうちのいずれかの電流源回路から構成される。
このような構成からなる本発明の電流源回路によれば、電源電圧の大きな変動時に、その変動に直ちに応答して生成電流を一時的にブーストさせることができる。

また、本発明のコンパレータによれば、電源電圧の大きな変動時に、ゲインを増加させて、回路の応答速度を高めることができる。

以下、本発明の実施形態について、図面を参照して説明する。
（第１実施形態）
本発明の電流源回路の第１実施形態の構成について、図１を参照して説明する。
この第１実施形態に係る電流源回路は、図１に示すように、第１カレントミラー回路１と、第２カレントミラー回路２と、第１ブースト回路３と、第２ブースト回路４と、高電位側の電源端子５と、低電位側の電源端子６と、バイアス入力端子７と、を備えている。

第１カレントミラー回路１と第２カレントミラー回路２とは、図１に示すように、２段に積み重ねられている。
第１カレントミラー回路１は、電源端子５から所定の電流を生成し、これを第２カレントミラー回路２に供給するようになっている。
第２カレントミラー回路２は、バイアス入力端子７に接続されて所定のバイアス電圧ＶＢが供給され、所定の電流（バイアス電流）が流れるようになっている。また、第２カレントミラー回路２には、後述のように、第１ブースト回路３からブースト電流ＩＢ１が、また第２ブースト回路４からはブースト電流ＩＢ２が供給されるようになっている。

このために、第１カレントミラー回路１は、２つのＰ型のＭＯＳトランジスタＭ１、Ｍ２と、抵抗Ｒ１とから構成される。第２カレントミラー回路２は、２つのＮ型のＭＯＳトランジスタＭ３、Ｍ４から構成される。
さらに具体的には、ＭＯＳトランジスタＭ１のゲートは、自己のドレインに接続されるとともに、ＭＯＳトランジスタＭ２のゲートに接続されている。ＭＯＳトランジスタＭ１のソースと基板端子は、電源端子５に接続されて電源電圧ＶＤＤが印加されるようになっている。

ＭＯＳトランジスタＭ２のゲートは、ＭＯＳトランジスタＭ１のゲートに接続されている。ＭＯＳトランジスタＭ２のソースは、抵抗Ｒ１を介して電源端子５に接続されている。ＭＯＳトランジスタＭ２の基板端子は、電源端子５に接続されて電源電圧ＶＤＤが印加されるようになっている。
ＭＯＳトランジスタＭ１のドレインは、ＭＯＳトランジスタＭ３のドレインに接続されている。ＭＯＳトランジスタＭ２のドレインは、ＭＯＳトランジスタＭ４のドレインに接続されている。ＭＯＳトランジスタＭ３のゲートは、ＭＯＳトランジスタＭ４のゲートに接続されている。ＭＯＳトランジスタＭ３のソースと基板端子は、電源端子６に接続されている。

ＭＯＳトランジスタＭ４のゲートは、自己のドレインに接続されるとともに、ＭＯＳトランジスタＭ３のゲートに接続されている。ＭＯＳトランジスタＭ４のソースと基板端子は、電源端子６に接続されている。
また、第２カレントミラー回路２を構成するＭＯＳトランジスタ３、４の各ゲートは、バイアス入力端子７に接続され、任意のバイアス電圧ＶＢが印加されるようになっている。このため、そのバイアス電圧ＶＢの任意の設定により、第２カレントミラー回路２は、所望の電流を生成できるようになっている。

また、ＭＯＳトランジスタＭ４のドレインは、第１ブースト回路３を構成するＭＯＳトランジスタＭ５のドレインと接続されている。このため、その第１ブースト回路３が生成するブースト電流ＩＢ１が、ＭＯＳトランジスタＭ４に供給されるようになっている。
さらに、ＭＯＳトランジスタＭ４のドレインは、第２ブースト回路４を構成するＭＯＳトランジスタＭ８のドレインと接続されている。このため、その第２ブースト電流生成回路４が生成するブースト電流ＩＢ２が、ＭＯＳトランジスタＭ４に供給されるようになっている。

第１ブースト回路３は、電源電圧の上昇時に所定以上の上昇を検出し、例えば、電源電圧の立ち上がり時のように電源電圧の急激な上昇を検出し、これを検出したときに、所定のブースト電流ＩＢ１を生成して第２カレントミラー回路２に供給するようになっている。
このために、第１ブースト回路３は、図１に示すように、充電回路３１と、ブーストスイッチ用のＰ型のＭＯＳトランジスタＭ５と、放電用のＰ型のＭＯＳトランジスタＭ６とを備えている。

充電回路３１は、電源電圧の立ち上がり時に、この立ち上がりに遅れて所定の時定数で充電する回路であり、Ｐ型のＭＯＳトランジスタＭ７とコンデンサ（キャパシタ）Ｃ１とが直列接続され、この直列回路が電源端子５と電源端子６との間に接続されている。
ＭＯＳトランジスタＭ５は、その充電回路３１の充電電圧でオンオフ制御され、オンするときにブースト電流ＩＢ１を生成し、この生成したブースト電流ＩＢ１を第２カレントミラー回路２に供給するようになっている。

ＭＯＳトランジスタＭ６は、充電回路３１のコンデンサＣ１の充電電圧が、電源電圧ＶＤＤを上回る場合にオンし、これによりそのコンデンサＣ１の充電電荷を放電させて、その充電電圧が電源電圧ＶＤＤを上回らないようにしている。
さらに具体的には、ＭＯＳトランジスタＭ７のゲートは、第１カレントミラー回路１を構成するＭＯＳトランジスタＭ１のドレインに接続されている。ＭＯＳトランジスタＭ７のソースおよび基板端子は、電源端子５に接続されて電源電圧ＶＤＤが印加されるようになっている。ＭＯＳトランジスタＭ７のドレインは、コンデンサＣ１を介して電源端子６に接続されている。

また、ＭＯＳトランジスタＭ７のドレインとコンデンサＣ１との共通接続部は、ＭＯＳトランジスタＭ５のゲートに接続されている。ＭＯＳトランジスタＭ５のソースおよび基板端子は、電源端子５に接続されて電源電圧ＶＤＤが印加されるようになっている。ＭＯＳトランジスタＭ５のドレインは、バイアス入力端子７に接続されるとともに、第２カレントミラー回路２を構成するＭＯＳトランジスタＭ４のドレインに接続されている。

ＭＯＳトランジスタＭ６のゲートは、電源端子５に接続されて電源電圧ＶＤＤが印加されるようになっている。ＭＯＳトランジスタＭ６のソースおよび基板端子は、ＭＯＳトランジスタＭ７のドレインとコンデンサＣ１との共通接続部に接続されている。ＭＯＳトランジスタＭ６のドレインは、電源端子６に接続されている。
第２ブースト回路４は、電源電圧の低下時に所定以上の低下を検出し、例えば、電源電圧の立ち下がり時のように電源電圧の急激な低下を検出し、これを検出したときに、所定のブースト電流ＩＢ２を生成して第２カレントミラー回路２に供給するようになっている。

このために、第２ブースト電流生成回路４は、図１に示すように、充放電回路４１と、ブーストスイッチ用のＰ型のＭＯＳトランジスタＭ８と、を備えている。
充放電回路４１は、電源が投入中はほぼ電源電圧ＶＤＤまで充電されており、電源電圧ＶＤＤの立ち下がり時に、この立ち下がりに遅れて放電する回路であり、抵抗Ｒ２と、ダイオード接続されたＮ型のデプレッションＭＯＳトランジスタＭ９と、コンデンサＣ２とが直列接続され、この直列回路が電源端子５と電源端子６との間に接続されている。

ここで、ダイオード接続されたＮ型のＭＯＳトランジスタＭ９は、充放電回路４１の充電電流を制限するリミッタとしての機能を備えている。
ＭＯＳトランジスタＭ８は、その充放電回路４１の電圧でオンオフ制御され、オンするときにブースト電流ＩＢ２を生成し、この生成したブースト電流ＩＢ２を第２カレントミラー回路２に供給するようになっている。

さらに具体的には、抵抗Ｒ２は、その一端側が電源端子５に接続され、その他端側がダイオード接続されたＭＯＳトランジスタＭ９のドレインに接続されている。ＭＯＳトランジスタＭ９のゲートとソースは接続され、その共通接続部がコンデンサＣ２を介して電源端子６に接続されている。ＭＯＳトランジスタＭ９の基板端子は、電源端子６に接続されている。

ＭＯＳトランジスタＭ８のゲートおよび基板端子は、電源端子５に接続されて電源電圧ＶＤＤが印加されるようになっている。ＭＯＳトランジスタＭ８のソースは、ダイオード接続されたＭＯＳトランジスタＭ９とコンデンサＣ２との共通接続部に接続されている。ＭＯＳトランジスタＭ８のドレインは、第２カレントミラー回路２を構成するＭＯＳトランジスタＭ４のドレインに接続されている。

次に、このような構成からなる第１実施形態の動作例について、図２〜図４を参照して説明する。
この第１実施形態では、電源の投入時の場合のように、電源端子５に印加される電源電圧ＶＤＤが短時間（例えば、数〔ｍＳ〕〜数百〔ｍＳ〕）に上昇する場合には、第１ブースト回路３がブースト動作する。一方、電源のオフ時の場合のように、電源端子５に印加される電源電圧ＶＤＤが短時間に低下する場合において、第２ブースト回路４がブースト動作する。

そこで、まず、第１ブースト回路３の動作例について、図２を参照して説明する。
いま、図２（Ｃ）に実線で示すように、電源電圧ＶＤＤが立ち上がりを開始すると、これに伴ってＭＯＳトランジスタＭ７がオンするので、コンデンサＣ１がその電源電圧ＶＤＤによって充電を開始する。
電源電圧ＶＤＤの立ち上がり動作中は、コンデンサＣ１の充電電圧ＶＣ１は、２（Ｃ）の破線で示すように電源電圧ＶＤＤと同じような傾きで上昇していき、この充電電ＶＣ１がブースト用のＭＯＳトランジスタＭ５のゲート電圧となる。

このため、電源電圧ＶＤＤの立ち上がり動作中には、ＭＯＳトランジスタＭ５のゲートとソースとの間には、その電源電圧ＶＤＤと充電電圧ＶＣ１との差である電位差ΔＶ１が発生する（図２（Ｃ）参照）。
従って、電源電圧ＶＤＤの立ち上がり動作中には、その電位差（しきい値電圧）ΔＶ１によってＭＯＳトランジスタＭ５がオンとなり、ＭＯＳトランジスタＭ５には比較的大きな電流が流れ、この電流は図１に示すブースト電流ＩＢ１を形成する。

このブースト電流ＩＢ１は、例えば図２（Ｂ）に示すように急激に立ち上がる波形となり、ＭＯＳトランジスタＭ４に流れ込む。このため、このときに、ＭＯＳトランジスタＭ４に流れるバイアスバイアス電流Ｉ０は、第２カレントミラー回路２で規定される本来（ブーストなしの場合）のバイアス電流の他に、ブースト電流ＩＢ１が加算（補充）された電流となり、その波形は例えば図２（Ａ）に示すようになる。

その後、図２（Ｃ）に示すように、電源電圧ＶＤＤの立ち上がり動作が終了すると、ブース電流ＩＢ１は急激に減少し、ＭＯＳトランジスタＭ５のオフによりそのブースト電流ＩＢ１は流れなくなる（図２（Ｂ）参照）。そのブースト電流ＩＢ１の減少に伴って、ＭＯＳトランジスタＭ４に流れるバイアス電流Ｉ０は減少し、そのブースト電流ＩＢ１は流れなくなると、ＭＯＳトランジスタＭ４に流れるバイアス電流Ｉ０は、第２カレントミラー回路２で規定される本来の電流となる（図２（Ａ）参照）。

ここで、図２（Ｂ）に示すブースト電流ＩＢ１は、図２（Ｃ）に示す電源電圧ＶＤＤの勾配が大きいほど大きくなる。そのブースト電流ＩＢ１の立ち上がりを緩やかにするには、ＭＯＳトランジスタＭ７のゲート長さを長くし、そのゲート幅を小さくしたりコンデンサＣ１の容量値を大きくすることにより調整自在である。
次に、第２ブースト回路４の動作例について、図３を参照して説明する。

いま、図３（Ｃ）に実線で示すように、電源電圧ＶＤＤが立ち下がりを開始するが、この立ち下がり以前は、コンデンサＣ２の充電電圧ＶＣ２は、図３（Ｃ）の破線で示すように電源電圧ＶＤＤと同じ電圧となっている。
そして、電源電圧ＶＤＤが立ち下がりを開始すると、その電源電圧ＶＤＤは図３（Ｃ）に示すように急激に低下していく。ＭＯＳトランジスタＭ８は、そのゲートに電源電圧ＶＤＤが印加され、そのソースにコンデンサＣ２の充電電圧ＶＣ２が印加されている。

このため、電源電圧ＶＤＤが立ち下がりを開始すると、ＭＯＳトランジスタＭ８のゲートの電位は電源電圧ＶＤＤに応じて立ち下がりを開始する。その開始の直後は、ＭＯＳトランジスタＭ８のソースは、コンデンサＣ２の充電電圧ＶＣ２が電源電圧ＶＤＤと同じ電圧であるので、ＭＯＳトランジスタＭ８はオンすることができない。
ところが、電源電圧ＶＤＤの立ち下がりが開始から時間が経過すると、充電電圧ＶＣ２と電源電圧ＶＤＤとの電位差が、ＭＯＳトランジスタＭ８をオンできる電位差ΔＶ２となる（図３（Ｃ）参照）。これにより、ＭＯＳトランジスタＭ８がオンすると、コンデンサＣ２の充電電荷がＭＯＳトランジスタＭ８に流れ、この電流が図１のブースト電流ＩＢ２を形成する。

このような動作により、コンデンサＣ２の充電電圧ＶＣ２は低下するが、電源電圧ＶＤＤの立ち下がり動作中は、上記の電位差ΔＶ２が維持され、その維持されている期間は、には、ＭＯＳトランジスタＭ８がオンとなり、ブースト電流ＩＢ２が流れ続ける。
このブースト電流ＩＢ２は、例えば図３（Ｂ）に示すように急激に立ち上がる波形となり、ＭＯＳトランジスタＭ４に流れ込む。このため、このときに、ＭＯＳトランジスタＭ４に流れるバイアス電流Ｉ０は、第２カレントミラー回路２で規定される本来の電流の他に、ブースト電流ＩＢ２が加算された電流となり、その波形は例えば図３（Ａ）に示すようになる。

その後、図３（Ｃ）に示すように、電源電圧ＶＤＤの立ち下がり動作が終了すると、ブース電流ＩＢ２は急激に減少し、ＭＯＳトランジスタＭ８のオフによりそのブースト電流ＩＢ２は流れなくなる（図３（Ｂ）参照）。そのブースト電流ＩＢ２の減少に伴って、ＭＯＳトランジスタＭ４に流れるバイアス電流Ｉ０は減少し、そのブースト電流ＩＢ２は流れなくなると、ＭＯＳトランジスタＭ４に流れるバイアス電流Ｉ０は、第２カレントミラー回路２で規定される本来の電流となる（図３（Ａ）参照）。

ここで、図３（Ｂ）に示すブースト電流ＩＢ２は、図３（Ｃ）に示す電源電圧ＶＤＤの勾配が大きいほど大きくなる。電源電圧ＶＤＤの急激な減少時のバイアス電流Ｉ０のブースト動作（電流保持）を行うには、コンデンサＣ２の容量値を大きくしたり、抵抗Ｒ２の抵抗値を大きくしたり、ＭＯＳトランジスタＭ９のクランプ電流を多くするように、サイズ調整を行うことで設定自在である。

次に、この第１実施形態の他の動作例について、図４を参照して説明する。
この動作例は、電源電圧ＶＤＤが図４（Ｂ）に示すように立ち下がった場合の動作を示す。この場合には、第２ブースト回路４が動作してブースト電流ＩＢ２が供給され、これにより、第２カレントミラー回路２のＭＯＳトランジスタＭ４に流れるバイアス電流Ｉ０が図４（Ａ）に示すようになる。
すなわち、図４（Ａ）からわかるように、ＭＯＳトランジスタＭ４に流れるバイアス電流Ｉ０は、ブースト回路４がない場合には破線のようになって一時的に立ち下がるが、ブースト回路４がある場合には実線のようになって大きなブースト電流が補充される。

以上説明したように、この第１実施形態によれば、電源電圧の大きな変動時、特に、電源電圧の立ち上がり時およびそのオフ時に、その変動に瞬時に応答して生成電流を一時的にブーストさせることができる。
また、この第２実施形態では、ブースト回路３、４は、電源電圧の大きな変動時にのみブースト電流を発生し、それ以外のときには定常電流が流れない構成を採用するので、消費電流を非常に小さくすることができる。

（第２実施形態）
本発明の電流源回路の第２実施形態の構成について、図５を参照して説明する。
この第２実施形態に係る電流源回路は、図１に示す第１実施形態の構成を基本とし、図１の第１ブースト回路３を、図５の第１ブースト回路３Ａに置き換えるようにしたものである。
すなわち、第１ブースト回路３Ａは、図１に示す第１ブースト回路３の構成を基本とし、これにダイオード接続されたＮ型のデプレッションＭＯＳトランジスタＭ１０からなるリミッタを追加するようにしたものである。

具体的には、そのＭＯＳトランジスタＭ１０のゲートとソースが接続され、その共通接続部がバイアス入力端子７およびＭＯＳトランジスタＭ４のドレインにそれぞれ接続されている。ＭＯＳトランジスタＭ１０のドレインは、ＭＯＳトランジスタＭ５のドレインに接続されている。ＭＯＳトランジスタの基板端子は、電源端子６に接続されている。
この第２実施形態は、上記の第１ブースト回路３Ａにリミッタを追加した点を除けば、第１実施形態の構成と基本的に共通するので、その共通部分については同一符号を付して説明を省略する。

このような構成からなる第２実施形態は、その動作は第１実施形態の動作と同様であるので、その説明は省略する。
従って、この第２実施形態によれば、第１実施形態と同様の作用効果を実現することができる。

（第３実施形態）
本発明の電源装置の第３実施形態の構成について、図６を参照して説明する。
この第３実施形態に係る電流源回路は、図１に示す第１実施形態の構成を基本とし、図１の第２ブースト回路４を、図６の第２ブースト回路４Ａに置き換えるようにしたものである。
すなわち、第２ブースト回路４Ａは、図１に示す第２ブースト回路４の構成から、ＭＯＳトランジスタＭ９からなるリミッタを省略するようにしたものである。

この第３実施形態は、上記の第２ブースト回路４Ａがリミッタを省略した点を除けば、第１実施形態の構成と基本的に共通するので、その共通部分については同一符号を付して説明を省略する。
このような構成からなる第３実施形態は、その動作は第１実施形態の動作と同様であるので、その説明は省略する。
従って、この第３実施形態によれば、第１実施形態と同様の作用効果を実現することができる。

（その他の実施形態）
次に、本発明のコンパレータについて説明する。
例えば、シリーズレギュレータなどの電源装置において、その電源電圧の立ち上がり時またはその立ち下がり時に（以下、電源電圧の大きな変動時に）、それを瞬時に検出するコンパレータを含むものが望まれる。そして、そのようなコンパレータは、差動増幅回路からなり、これを動作させるために本発明に係る電流源回路（電流バイアス回路）を含んでいる。

このように、電流源回路を含むコンパレータにおいて、電源電圧の大きな変動時に、コンパレータの動作を補償するために、電流源回路として上記のようにブースト機能を有する実施形態に係る電流源回路が有効である。
そこで、本発明のコンパレータは、電流源回路を含むコンパレータにおいて、その電流源回路として上記の各実施形態に係る電流源回路を使用するようにしたものである。

このような構成からなるコンパレータによれば、電源電圧の大きな変動時に、電流源回路に瞬時に一時的にブースト電流が供給されるので、そのときに回路のゲインを増加させて、回路の応答速度を高めることができる。

本発明の電流源回路の第１実施形態の構成を示す回路図である。 第１実施形態において、電源電圧の立ち上がり時の動作例を示す各部の波形図である。 第１実施形態において、電源電圧の立ち下がり時の動作例を示す各部の波形図である。 第１実施形態において、電源電圧の立ち下がり時の他の動作例を示す各部の波形図である。 本発明の電流源回路の第２実施形態の構成を示す回路図である。 本発明の電流源回路の第３実施形態の構成を示す回路図である。

符号の説明

１・・・第１カレントミラー回路、２・・・第２カレントミラー回路、３、３Ａ・・・第１ブースト回路、４、４Ａ・・・第２ブースト回路、５・・・電源端子、６・・・電源端子、７・・・バイアス入力端子、３１・・・充電回路、４１・・・充放電回路。

Claims (11)

1. 第１のカレントミラー回路と第２のカレントミラー回路とを含み、所定電流を発生する電流源回路であって、
   電源電圧の上昇時に所定以上の上昇を検出し、これを検出したときに、前記電流源回路に供給すべき所定のブースト電流を生成するブースト回路を備えていることを特徴とする電流源回路。
2. 前記ブースト回路は、
   電源電圧の上昇時に、この上昇に遅れて所定の時定数で充電する充電回路と、
   前記充電回路の充電電圧と前記電源電圧との差の電圧を使用してオンし、オンのときに前記ブースト電流を生成し、この生成したブースト電流を前記第２のカレントミラー回路に供給するブースト用トランジスタと、
   を備えていることを特徴とする請求項１に記載の電流源回路。
3. 前記ブースト回路は、前記充電回路の充電電荷が電源電圧を上回る場合に、その電荷を放電する放電回路をさらに備えていることを特徴とする請求項２に記載の電流源回路。
4. 前記充電回路は、
   電源電圧の上昇時にオンする充電用トランジスタと、
   前記充電用トランジスタと直列に接続され、その充電用トランジスタがオンのときに充電されるコンデンサと、
   からなること特徴とする請求項２または請求項３に記載の電流源回路。
5. 前記ブースト用トランジスタは、自己に流れる電流を制限するリミッタを含むことを特徴とする請求項２、請求項３または請求項４に記載の電流源回路。
6. 第１カレントミラー回路と第２カレントミラー回路とを含み、所定電流を発生する電流源回路であって、
   電源電圧の低下時に所定以上の低下を検出し、これを検出したときに、前記電流源回路に供給すべき所定のブースト電流を生成するブースト回路を備えていることを特徴とする電流源回路。
7. 前記ブースト回路は、
   電源電圧により充電され、前記電源電圧の低下時に、この低下に遅れて放電する充放電回路と、
   前記充放電回路の電圧と前記電源電圧との差の電圧を使用してオンし、オンのときに前記ブースト電流を生成し、この生成したブースト電流を前記第２のカレントミラー回路に供給するブースト用トランジスタと、
   を備えていることを特徴とする請求項６に記載の電流源回路。
8. 前記充放電回路は、抵抗とコンデンサとの直列回路からなり、この直列回路が高電位の電源端子と低電位の電源端子との間に接続されていることを特徴とする請求項７に記載の電流源回路。
9. 前記充放電回路は、自己に流れる電流を制限するリミッタを含むことを特徴とする請求項７または請求項８に記載の電流源回路。
10. 第１カレントミラー回路と第２カレントミラー回路とを含み、所定電流を発生する電流源回路であって、
    電源電圧の上昇時に所定以上の上昇を検出し、これを検出したときに、前記電流源回路に供給すべき所定の第１のブースト電流を生成する第１のブースト回路と、
    電源電圧の低下時に所定以上の低下を検出し、これを検出したときに、前記電流源回路に供給すべき所定の第２のブースト電流を生成する第２のブースト回路と、
    を備えていることを特徴とする電流源回路。
11. 電流源回路を含み、この電流源回路で生成される電流によって動作するコンパレータにおいて、
    前記電流源回路は、請求項１乃至請求項１０のうちのいずれかの電流源回路から構成されることを特徴とするコンパレータ。

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