JP4935735B2 - バスバー及びその製造方法 - Google Patents

バスバー及びその製造方法 Download PDF

Info

Publication number
JP4935735B2
JP4935735B2 JP2008080063A JP2008080063A JP4935735B2 JP 4935735 B2 JP4935735 B2 JP 4935735B2 JP 2008080063 A JP2008080063 A JP 2008080063A JP 2008080063 A JP2008080063 A JP 2008080063A JP 4935735 B2 JP4935735 B2 JP 4935735B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
bus bar
aluminum material
electric wire
inverter
bolt fastening
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2008080063A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2009238831A (ja
Inventor
誠 今井
知樹 高谷
浩之 山本
孝雄 林
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toyota Motor Corp
Original Assignee
Toyota Motor Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toyota Motor Corp filed Critical Toyota Motor Corp
Priority to JP2008080063A priority Critical patent/JP4935735B2/ja
Publication of JP2009238831A publication Critical patent/JP2009238831A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4935735B2 publication Critical patent/JP4935735B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48135—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip
    • H01L2224/48137—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip the bodies being arranged next to each other, e.g. on a common substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • H01L2224/491—Disposition
    • H01L2224/4912—Layout
    • H01L2224/49175—Parallel arrangements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/13—Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
    • H01L2924/1304—Transistor
    • H01L2924/1305—Bipolar Junction Transistor [BJT]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/13—Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
    • H01L2924/1304—Transistor
    • H01L2924/1305—Bipolar Junction Transistor [BJT]
    • H01L2924/13055—Insulated gate bipolar transistor [IGBT]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/13—Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
    • H01L2924/1304—Transistor
    • H01L2924/1306—Field-effect transistor [FET]
    • H01L2924/13091—Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor [MOSFET]

Landscapes

  • Inverter Devices (AREA)

Description

本発明は、主に、アルミニウム材から形成されるバスバー及びその製造方法に関する。
従来から、樹脂成形構造物にインサートされたバスバーを備え、該バスバーに高容量電子部品を密着させて配設したことを特徴とする電子部品の取り付け構造が知られている（例えば、特許文献１参照）。この取り付け構造では、バスバーは、放熱用金属体としても機能する電子部品収容用のアルミダイキャスト製ハウジングに、絶縁シートを介して熱的に結合されている。
特開２００２−５０８８３号公報
ところで、従来では、バスバーは、銅にニッケルメッキを施して形成されるのが一般的であった。これに対して、銅は重量面で不利であるので、バスバーの軽量化を図るべく、バスバーをアルミニウム材で形成することが考えられる。
しかしながら、バスバーを、添加物の少ない（純度の高い）アルミニウム材で形成すると、アルミニウム材の硬度が低いためにボルト締結時に座屈が生じ易くなるので、硬度の高いアルミニウム材を使用する必要がある。ところが、硬度の高いアルミニウム材は、マグネシウム等を添加物として含んでいるので、アルミニウム材の表層上に酸化膜が形成され、例えばワイヤボンディングのような電線との接合強度が低下してしまうという問題が生ずる。
そこで、本発明は、硬度の高いアルミニウム材で形成されるがワイヤボンディングのような電線との接合強度が低下しないバスバー及びその製造方法等の提供を目的とする。
上記目的を達成するため、第１の発明は、アルミニウム材から形成され、電線が接合される電線接合部を備えるバスバーであって、
前記電線接合部は、前記アルミニウム材の表面層上の酸化膜が除去された部位であり、
前記アルミニウム材は、ＩＳＯ規格のＡ６０００系のアルミニウムからなり、
前記電線接合部には、前記電線が超音波接合されることを特徴とする。
第４の発明は、第１の発明に係るバスバーにおいて、
前記アルミニウム材の表面層上の酸化膜は、酸洗浄により除去されていることを特徴とする。
第５の発明は、第１の発明に係るバスバーにおいて、
ボルト締結部を備えることを特徴とする。
第６の発明は、第１の発明に係るバスバーにおいて、
前記電線は、ワイヤボンディング若しくはテープボンディングであることを特徴とする。
第７の発明は、第１の発明に係るバスバーにおいて、
パワーモジュールに実装されることを特徴とする。
第８の発明は、第１乃至７のいずれかの発明に係るバスバーをインサート材として、樹脂によりインサート成形してなるパワーモジュール用ハウジングに関する。
第９の発明は、インバータに関し、
ＩＳＯ規格のＡ６０００系のアルミニウムからなるアルミニウム材から形成され、ボルト締結部と電線接合部を備えるバスバーと、
前記バスバーの電線接合部に超音波溶接されるワイヤボンディング若しくはテープボンディングと、
前記ワイヤボンディング若しくはテープボンディングに電気的に接続されるパワー素子とを備え、
前記バスバーの電線接合部は、前記アルミニウム材の表面層上の酸化膜が除去された部位であることを特徴とする。
第１０の発明は、車両用電気駆動システムに関し、
前記ボルト締結部を複数備える第９の発明に係るインバータと、
前記インバータ側のバスバーの第１のボルト締結部にボルト締結されるバッテリ側のバスバーを介して、前記インバータ側のバスバーに電気的に接続されるバッテリと、
前記インバータ側の第２のボルト締結部にボルト締結されるモータ側のバスバーを介して、前記インバータ側のバスバーに電気的に接続されるモータとを含むことを特徴とする。
本発明によれば、硬度の高いアルミニウム材で形成されるがワイヤボンディングのような電線との接合強度が低下しないバスバー及びその製造方法等が得られる。
以下、図面を参照して、本発明を実施するための最良の形態の説明を行う。
図１は、本発明による車両用電気駆動システム１の一実施例を示す構成図である。車両用電気駆動システム１は、ハイブリッド車や電気自動車で用いられるシステムであり、電池２と、インバータ１０と、車輪に連結されるモータジェネレータ４とを備える。尚、モータジェネレータ４は、複数のモータジェネレータから構成されてもよい。
インバータ１０は、ＥＣＵ１４と、昇圧コンバータ１６と、パワーモジュール１２とを内部に含む。パワーモジュール１２は、ＥＣＵ１４からの駆動信号によりＰＷＭ制御でＤＣ−ＡＣ間の変換を行う電力変換器である。ＥＣＵ１４は、パワーモジュール１２を制御して、モータジェネレータ４の力行／回生動作を制御する。
図２は、パワーモジュール１２のハウジング７０の要部を上面視で示す図である。図３は、図２のＡ−Ａ断面を示す図である。
ハウジング７０は、バスバー８０をインサート材として樹脂によりインサート成形される。ハウジング７０の上面には、インバータ回路を構成するＩＧＢＴ（Insulated Gate Bipolar Transistor）５０及びダイオード（Free Wheel Diode）５２が設置される。尚、ＩＧＢＴ５０に代えて、ＭＯＳＦＥＴ（metal oxide semiconductor field−effect transistor）のような他のスイッチング素子が用いられてもよい。また、ハウジング７０の上面には、インバータ回路を覆うように制御回路部（基板）が設けられてもよい。また、設置されるＩＧＢＴ５０及びダイオード５２の数は、３相交流型のモータジェネレータ４に対応して、少なくともそれぞれ６個であるが、フェーズ数は任意である。
ハウジング７０は、バスバー８０により構成される入力端子８２を備える。入力端子８２は、ボルト締結部（ボルト締結面）を構成し、入力端子８２には、電池２側の他のバスバー（図示せず）がボルト締結される。これにより、入力端子８２に電池２が電気的に接続される。尚、入力端子８２に電池２が直付けされる必要はなく、取り回しようの電線（上記の他のバスバーを端部に備える電線）や他の構成要素（例えば昇圧コンバータ１６）を介して電池２が入力端子８２に接続されてよい。
ハウジング７０は、バスバー８０により構成される出力端子８４を備える。出力端子８４は、ボルト締結部（ボルト締結面）を構成し、出力端子８４には、モータジェネレータ４側の他のバスバー（図示せず）がボルト締結される。これにより、入力端子８２にモータジェネレータ４が電気的に接続される。尚、出力端子８４の数は、モータジェネレータ４の数に応じて決定されてよい。
バスバー８０は、図２に示すように、上述の入力端子８２及び出力端子８４を提供すると共に、テープボンディング（Ｔ／Ｂ）９０が接合されるＴ／Ｂ接合部８６（図中では、６組の箇所のうちの１組の箇所のみを点線範囲にて指示）を提供する。Ｔ／Ｂ接合部８６には、テープボンディング９０の端部が超音波接合される。バスバー８０は、複数ピースの部材から構成されてもよい。
テープボンディング９０は、アルミニウムから形成されたテープ状の電線である。テープボンディング９０は、バスバー８０に接合されると共に、ＩＧＢＴ５０及びダイオード５２に接合される。尚、テープボンディング９０に代えて、アルミニウムから形成されるワイヤ状のワイヤボンディングが使用されてもよい。
本実施例では、バスバー８０は、ボルト締結部でのボルト締結時の座屈を防止するために、硬度の高いアルミニウム材から形成される。硬度の高いアルミニウム材は、好ましくはＩＳＯ規格のＡ５０００系のアルミニウム材であり、最も好ましくは、ＩＳＯ規格のＡ６０００系のアルミニウム材である。バスバー８０は、例えばＡ６１０１−Ｔ６のアルミニウム材から形成される。
ところで、硬度の高いアルミニウム材には、マグネシウムなどの添加物が含まれているため、アルミニウム材の表層に、マグネシウムの酸化に起因した酸化膜が比較的厚い膜厚で形成されてしまう。アルミニウム材の表層の酸化膜は、Ｔ／Ｂ接合部８６におけるテープボンディング９０とバスバー８０と間の超音波溶接の障害となり、超音波溶接による接合強度を低下させる原因となる。即ち、Ｔ／Ｂ接合部８６にてアルミニウム材の表層に比較的厚い膜厚の酸化膜が存在すると、当該酸化膜の下層にあるアルミニウム表層に超音波溶接時の超音波振動が適切に作用せず、Ｔ／Ｂ接合部８６においてテープボンディング９０とバスバー８０と間の必要な接合強度を確保することができなくなる。
そこで、本実施例では、バスバー８０は、少なくともＴ／Ｂ接合部８６において、アルミニウム材の表面層上の酸化膜が除去される。この酸化膜の除去は、バスバー８０を形成するアルミニウム材を酸洗浄することで実現される。尚、酸洗浄の方法は任意であり、酸化膜を除去してアルミニウム表層を露出させる方法であればよい。
従って、本実施例によれば、バスバー８０は、硬度の高いアルミニウム材から形成される一方、酸洗浄によりＴ／Ｂ接合部８６における酸化膜が除去されているので、ボルト締結部の強度を維持しつつ、Ｔ／Ｂ接合部８６におけるテープボンディング９０とバスバー８０と間の必要な接合強度を確保することができる。また、酸洗浄という比較的安価で工数の少ない処理を追加するだけでよいので、アルミニウム材にニッケルメッキを施してバスバーを形成する場合に比べて、バスバー８０の製造コストを低減することができる。
次に、本実施例によるバスバー８０を含むハウジング７０の製造方法について説明する。
図４は、本実施例によるバスバー８０を含むハウジング７０の製造方法の主要工程の一例を示すフローチャートである。
ステップ００１では、バスバー８０の原料となる例えばＡ６０００系のアルミニウム材を用意し、例えばプレス機により、バスバー８０の形状にアルミニウム材を成形する。尚、この成形工程は、バスバー８０のボルト締結部の穴の打ち抜き工程やバリの除去工程等を含んでよい。
ステップ００２では、所定の形状に成形したアルミニウム材を酸洗浄する。これにより、アルミニウム材の表層に形成された酸化膜が除去される。以上のステップ００１及び００２の工程が終了すると、本実施例によるバスバー８０が出来上がる。
ステップ００３では、バスバー８０をインサート材として、ハウジング７０を樹脂でインサート成形する。
ステップ００４では、必要な回路素子を実装し、Ｔ／Ｂ接合部８６においてテープボンディング９０とバスバー８０を超音波溶接する。
図５は、本実施例によるバスバー８０を含むハウジング７０の製造方法の主要工程のその他の一例を示すフローチャートである。
ステップ０１１では、バスバー８０の原料となる例えばＡ６０００系のアルミニウム材を用意し、酸洗浄するこれにより、アルミニウム材の表層に形成された酸化膜が除去される。
ステップ０１２では、酸洗浄されたアルミニウム材を、例えばプレス機により、バスバー８０の形状に成形する。尚、この成形工程は、バスバー８０のボルト締結部の穴の打ち抜き工程等を含んでよい。以上のステップ０１１及び０１２の工程が終了すると、本実施例によるバスバー８０が出来上がる。
ステップ０１３では、バスバー８０をインサート材として、ハウジング７０を樹脂でインサート成形する。
ステップ０１４では、必要な回路素子を実装し、Ｔ／Ｂ接合部８６においてテープボンディング９０とバスバー８０を超音波溶接する。
以上、本発明の好ましい実施例について詳説したが、本発明は、上述した実施例に制限されることはなく、本発明の範囲を逸脱することなく、上述した実施例に種々の変形及び置換を加えることができる。
本発明による車両用電気駆動システム１の一実施例を示す構成図である。 パワーモジュール１２のハウジング７０の要部を上面視で示す図である。 図２のＡ−Ａ断面を示す図である。 本実施例によるバスバー８０を含むハウジング７０の製造方法の主要工程の一例を示すフローチャートである。 本実施例によるバスバー８０を含むハウジング７０の製造方法の主要工程のその他の一例を示すフローチャートである。
符号の説明
１ 車両用電気駆動システム
２ 電池
４ モータジェネレータ
１０ インバータ
１２ パワーモジュール
１４ ＥＣＵ
１６ 昇圧コンバータ
５０ ＩＧＢＴ
５２ ダイオード
７０ ハウジング
８０ バスバー
８２ 入力端子
８４ 出力端子
８６ Ｔ／Ｂ接合部
９０ テープボンディング

Claims (8)

  1. アルミニウム材から形成され、電線が接合される電線接合部を備えるバスバーであって、
    前記電線接合部は、前記アルミニウム材の表面層上の酸化膜が除去された部位であり、
    前記アルミニウム材は、ＩＳＯ規格のＡ６０００系のアルミニウムからなり、
    前記電線接合部には、前記電線が超音波接合されることを特徴とする、バスバー。
  2. 前記アルミニウム材の表面層上の酸化膜は、酸洗浄により除去されていることを特徴とする、請求項１に記載のバスバー。
  3. ボルト締結部を備えることを特徴とする、請求項１に記載のバスバー。
  4. 前記電線は、ワイヤボンディング若しくはテープボンディングであることを特徴とする、請求項１に記載のバスバー。
  5. パワーモジュールに実装されることを特徴とする、請求項１に記載のバスバー。
  6. 請求項１乃至５のいずれか１項に記載のバスバーをインサート材として、樹脂によりインサート成形してなることを特徴とする、パワーモジュール用ハウジング。
  7. ＩＳＯ規格のＡ６０００系のアルミニウムからなるアルミニウム材から形成され、ボルト締結部と電線接合部を備えるバスバーと、
    前記バスバーの電線接合部に超音波溶接されるワイヤボンディング若しくはテープボンディングと、
    前記ワイヤボンディング若しくはテープボンディングに電気的に接続されるパワー素子とを備え、
    前記バスバーの電線接合部は、前記アルミニウム材の表面層上の酸化膜が除去された部位であることを特徴とする、インバータ。
  8. 前記ボルト締結部を複数備える請求項７に記載のインバータと、
    前記インバータ側のバスバーの第１のボルト締結部にボルト締結されるバッテリ側のバスバーを介して、前記インバータ側のバスバーに電気的に接続されるバッテリと、
    前記インバータ側の第２のボルト締結部にボルト締結されるモータ側のバスバーを介して、前記インバータ側のバスバーに電気的に接続されるモータとを含むことを特徴とする、車両用電気駆動システム。
JP2008080063A 2008-03-26 2008-03-26 バスバー及びその製造方法 Active JP4935735B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2008080063A JP4935735B2 (ja) 2008-03-26 2008-03-26 バスバー及びその製造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2008080063A JP4935735B2 (ja) 2008-03-26 2008-03-26 バスバー及びその製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2009238831A JP2009238831A (ja) 2009-10-15
JP4935735B2 true JP4935735B2 (ja) 2012-05-23

Family

ID=41252468

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2008080063A Active JP4935735B2 (ja) 2008-03-26 2008-03-26 バスバー及びその製造方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP4935735B2 (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9048721B2 (en) 2011-09-27 2015-06-02 Keihin Corporation Semiconductor device

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2012039115A1 (ja) * 2010-09-24 2012-03-29 オンセミコンダクター・トレーディング・リミテッド 回路装置
JP5789264B2 (ja) * 2010-09-24 2015-10-07 セミコンダクター・コンポーネンツ・インダストリーズ・リミテッド・ライアビリティ・カンパニー 回路装置
JP2012151198A (ja) * 2011-01-18 2012-08-09 Toyota Motor Corp バスバと配線の接合構造
JP5698637B2 (ja) * 2011-09-27 2015-04-08 株式会社ケーヒン 半導体装置
EP2907884B1 (en) 2012-10-11 2018-05-09 UACJ Corporation Plate-like conductor for bus bar, and bus bar comprising same
JP5996370B2 (ja) * 2012-10-26 2016-09-21 株式会社ケーヒン 車両用電子制御装置
JP6396067B2 (ja) 2014-04-10 2018-09-26 株式会社Uacj バスバー用アルミニウム合金板及びその製造方法
JP6075470B2 (ja) * 2016-01-13 2017-02-08 富士電機株式会社 半導体装置およびその製造方法
KR20210019295A (ko) * 2019-08-12 2021-02-22 주식회사 엘지화학 절연 및 방열 성능이 우수한 버스바 및 이를 구비한 배터리 모듈

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5528259A (en) * 1978-08-19 1980-02-28 Hitachi Cable Method of forming electrically connecting plane
JPH07320806A (ja) * 1994-05-20 1995-12-08 Fujikura Ltd 端子およびコネクタ
JPH09181407A (ja) * 1995-12-25 1997-07-11 Sony Tektronix Corp 回路基板
JP2004313000A (ja) * 1998-10-29 2004-11-04 Yazaki Corp 配線板組立体とその製造方法
JP2003299366A (ja) * 2002-04-03 2003-10-17 Denso Corp 電力変換装置
JP3861777B2 (ja) * 2002-09-04 2006-12-20 住友電装株式会社 導電材
JP2005142498A (ja) * 2003-11-10 2005-06-02 Yazaki Corp パワー回路体
JP2006278913A (ja) * 2005-03-30 2006-10-12 Toyota Motor Corp 回路装置とその製造方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9048721B2 (en) 2011-09-27 2015-06-02 Keihin Corporation Semiconductor device

Also Published As

Publication number Publication date
JP2009238831A (ja) 2009-10-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4935735B2 (ja) バスバー及びその製造方法
JP5846123B2 (ja) パワーモジュール
US9307666B2 (en) Electric circuit device, electric circuit module, and power converter
JP4442593B2 (ja) 電力変換装置
JP4452952B2 (ja) 電力変換装置
JP4718840B2 (ja) コンデンサ装置および車両
JP2010258315A (ja) パワーモジュール及び電力変換装置
JP2008118753A (ja) 電力変換装置
JP2003009546A (ja) 電力変換装置及びそれを備えた移動体
JP2008029093A (ja) 電力変換装置
JP5975789B2 (ja) パワー半導体モジュール
JP4538474B2 (ja) インバータ装置
JP5272667B2 (ja) 電力変換装置
JP4565001B2 (ja) 電力変換装置及びそれを備えた移動体
JP4055643B2 (ja) インバータ装置
JP2008245461A (ja) バスバーおよびインバータ装置
JP2003299366A (ja) 電力変換装置
WO2018042919A1 (ja) バスバーユニット
JP5202365B2 (ja) 半導体装置
JP5202366B2 (ja) 半導体装置
JP6447914B2 (ja) パワーモジュールの直流側配線基板及びその製造方法
JP7294058B2 (ja) 電力変換装置
JP3819838B2 (ja) 半導体装置及び電力変換装置
JP2006174566A (ja) 電流制御素子、昇圧装置およびインバータ装置
JP4564989B2 (ja) 電力変換装置及びそれを備えた移動体

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20100723

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20111011

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20111108

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20111118

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20120124

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20120206

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150302

Year of fee payment: 3

R151 Written notification of patent or utility model registration

Ref document number: 4935735

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150302

Year of fee payment: 3

S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250