JP4934352B2 - 高出力ledパッケージおよび高出力ledパッケージ製造方法 - Google Patents
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Description
図5aに示すように、金属の板材の表面をパンチング加工またはエッチング加工することにより、フレーム母材Fが形成される。フレーム母材Fには、互いに向い合う一対の電極フレーム131と、少なくとも一つの固定フレーム133とをそれぞれが有するフレーム部130が複数形成される。
図5bに示すように、熱伝導性金属材を素材にして円筒状に加工された放熱部120は、フレーム部130の電極フレーム131の上端131aおよび固定フレーム133の上端133aの間に形成される空間に対して、その上面から押し込まれる。放熱部120の上面は電極フレーム131の上端131aおよび固定フレーム133の上端133aの間にそのまま挿通されるが、放熱部120の本体側周面に環状に凹溝として形成された固定部123は、固定フレーム133の上端133aに当接した後外力により押し込まれ、弾力的に接しつつ嵌め込まれる。
図5dに示すように、放熱部120の上面はモールド部140の上面から一定高さ突出され、その上に発光部110が装荷される。発光部110は、例えば半導体素子であり、電源印加時に光を発生する。発光部110はサブマウント115を介して実装してもよい。
続いて、図5dに示すように、放熱部120上に搭載された発光部110に、ワイヤ135の一端がボンディング連結される。ワイヤ135の他端は、モールド部140の上面に露出した電極フレーム131の上端131aとボンディング連結される。
図5eに示すように、発光部110および電極フレーム131の間の電気的な連結作業が終了したら、発光部110で発生される光が広い指向角で投射されるように予め設計されたレンズ150を装着する。まず、レンズ150を、発光部110の直上に配置し、次に、レンズ150の下部内側枠をモールド部140の上面に形成された組立段差141に嵌め込んだ後、接着剤を利用したりして接着固定する。これにより、モールド部140の上にレンズ150を光学的に結合して配置できる。
モールド部140およびレンズ150の結合が完了すると、図示されていない切断機を利用して、モールド部140の外部面に突出された電極フレーム131および固定フレーム133のそれぞれの下端131a、133aが切断される。これにより、発光部110が搭載された放熱部120と共に射出成形されたモールド部140を、フレーム母材Fから完全分離して、モールド部140上にレンズ150が結合完了されたLEDパッケージ100が完成する。
110 発光部、
120 放熱部、
123 固定部、
129 反射部、
130 フレーム部、
131 電極フレーム、
131a、133a 上端、
131b、133b 本体、
131c、133c 下端、
133 固定フレーム、
135 ワイヤ、
140 モールド部、
141 組立段差、
143 凹溝、
145 切開部、
150 レンズ、
155 充填剤、
190 基板、
191 パターン回路
Claims (26)
- 電源印加時に光を発生する発光部と、
前記発光部を上面に搭載する放熱部と、
前記放熱部を固定し、且つ、前記発光部に対して電気的に接続されるフレーム部と、
射出成形により形成され、前記放熱部および前記フレーム部を相互に結合するモールド部と、
前記モールド部の上部に装着されて、前記発光部から発された光を外部へ放射する少なくとも一つのレンズと、
前記モールド部および前記レンズの間の空間に満たされた充填剤と、
を具備し、
前記放熱部の上面が前記モールド部の上面から突出して、前記放熱部の上面が前記モールド部の上面よりも高い位置にあり、
前記モールド部の上面には、前記レンズおよび前記モールド部の間から漏出した充填剤が外部へ流れ落ちることを阻止する凹溝が前記レンズの下部端の外側枠に沿って連続して形成され、
前記モールド部は、内部に固定された前記フレーム部が外部に突出する位置と対応する外側面に陥没して形成された複数の切開部を有し、それぞれの切開部の側面方向における幅は前記フレーム部の幅よりも広く形成され、
前記フレーム部は、下端が前記モールド部の下面において対応する切開部から側方に露出され、前記モールド部の外側面に沿った位置において切断された高出力LEDパッケージ。 - 前記発光部は、少なくとも一つの発光ダイオードである請求項1に記載の高出力LEDパッケージ。
- 前記放熱部は、前記発光部から発生した光の指向角が180度より大きくなるように、前記モールド部から突出する請求項1または2に記載の高出力LEDパッケージ。
- 前記放熱部は、金属素材により形成されて高い熱伝導性を有し、前記発光部が発光した場合に発生した熱を、前記発光部、放熱部フレーム部および前記モールド部を装荷された基板に伝達する請求項1から3のいずれかに記載の高出力LEDパッケージ。
- 前記金属素材は、銅、銀、アルミニウム、鉄、ニッケル及びタングステンからなる群より選択された少なくとも一種の金属または金属を含む合金により形成される請求項4に記載の高出力LEDパッケージ。
- 前記放熱部は、扁平な上面および下面と、前記フレーム部の先端と接して固定力を発生させる固定部を含む側面とを有する請求項1から5のいずれかに記載の高出力LEDパッケージ。
- 前記固定部は、前記放熱部の側面に、周方向に連続して形成された凹溝を有する請求項6に記載の高出力LEDパッケージ。
- 前記放熱部は、前記モールド部を貫通し、前記放熱部の下面が前記モールド部の下面に露出する請求項1から7のいずれかに記載の高出力LEDパッケージ。
- 前記放熱部は、一定深さで陥没して傾斜した反射面を形成する反射部を、前記放熱部の上面に有する請求項1から8のいずれかに記載の高出力LEDパッケージ。
- 前記フレーム部は、ワイヤを介して前記発光部に電気的に接続される一対の電極フレームと、前記放熱部に先端を接して前記放熱部を固定する、前記電極フレームから電気的に分離された固定フレームとを含む請求項1から9のいずれかに記載の高出力LEDパッケージ。
- 前記電極フレームは前記放熱部を中心に互いに向かい合うように形成され、前記固定フレームは前記電極フレームの間に設けられる請求項10に記載の高出力LEDパッケージ。
- 前記電極フレームは、前記モールド部の上面に露出する上端と、前記モールド部の下面に露出する下端と、前記上端および前記下端の間で段差を形成するように折曲されて前記モールド部内に埋め込まれた本体とを有する請求項10または11に記載の高出力LEDパッケージ。
- 前記固定フレームは、前記一対の電極フレームの間にそれぞれ設けられた一対の固定部を含む請求項10から12のいずれかに記載の高出力LEDパッケージ。
- 前記電極フレームおよび前記固定フレームは、前記放熱部を中心にして、円周方向に同じ間隔を隔てて配置される請求項10から13のいずれかに記載の高出力LEDパッケージ。
- 前記固定フレームは、前記放熱部の側面に接して固定力を発生させる上端と、前記モールド部の下面の外側に露出する下端と、前記上端および下端の間に段差を形成するように折曲されて前記モールド部の内部に埋め込まれた本体とを有する請求項10から14のいずれかに記載の高出力LEDパッケージ。
- 前記固定フレームの上端は、前記放熱部に対して線接触するように線型に形成される請求項10から15のいずれかに記載の高出力LEDパッケージ。
- 前記固定フレームの上端は、前記放熱部に対して面接触するよう円筒面状に形成される請求項10から16のいずれかに記載の高出力LEDパッケージ。
- 前記切開部は、前記フレーム部の下端が位置する領域において、前記モールド部の側面から前記放熱部に向かって一定の深さで陥没して形成され、且つ、前記フレーム部の幅より大きい幅を有する請求項1に記載の高出力LEDパッケージ。
- 前記レンズの下端の内側枠に挿入される組立段差が前記モールド部の上面に形成される請求項18に記載の高出力LEDパッケージ。
- a)互いに向い合う一対の電極フレームと少なくとも一つの固定フレームとが加工されたフレーム母材を提供する段階と、
b)少なくとも一つの前記固定フレームの先端と接触するよう放熱部を挿入して固定する段階と、
c)モールド部を射出成形して、前記電極フレームおよび固定フレーム並びに前記放熱部を一体に固定する段階と、
d)前記放熱部の上面に発光部を搭載する段階と、
e)前記発光部および前記電極フレームを電気的に接続する段階と、
f)レンズおよび前記モールド部の間の空間に充填剤を満たし、前記モールド部の上部に前記レンズを装着する段階と、
g)前記電極フレームおよび前記固定フレームの一部を切断して、前記フレーム母材から前記モールド部を分離する段階と
を含み、
前記モールド部の上面には、前記レンズおよび前記モールド部の間から漏出した充填剤が外部へ流れ落ちることを阻止する凹溝が前記レンズの下部端の外側枠に沿って連続して形成され、
前記モールド部は、内部に固定された前記電極フレームおよび前記固定フレームが外部に突出する位置と対応する外側面に陥没して形成された複数の切開部を有し、それぞれの切開部の側面方向における幅は前記電極フレームおよび前記固定フレームの幅よりも広く形成され、
前記電極フレームおよび前記固定フレームは、下端が前記モールド部の下面において対応する切開部から側方に露出され、
前記g)段階は、前記電極フレームおよび前記固定フレームを前記モールド部の外側面に沿った位置において切断する高出力LEDパッケージ製造方法。 - 前記a段階は、
パンチングまたはエッチング加工により、前記フレーム母材に互いに向い合う一対の電極フレームおよび少なくとも一つの固定フレームを形成する段階と、
前記電極フレームを折曲加工して、前記モールド部の上面から露出する上端と、前記モールド部の外側に露出する下端と、前記上端および前記下端の間に段差を形成する本体とを前記電極フレームに形成する段階と、
前記固定フレームを折曲加工して、前記放熱部の固定部に弾力的に接する上端と、前記モールド部の外側に露出する下端と、前記上端および前記下端の間に段差を形成する本体とを前記固定フレームに形成する段階と
をさらに含む請求項20に記載の高出力LEDパッケージ製造方法。 - 前記b段階は、前記放熱部の側面に形成された固定部に、前記固定フレームの先端を弾力的に嵌め込んで固定する段階を含む請求項20または21に記載の高出力LEDパッケージ製造方法。
- 前記c段階は、モールド部を射出成形して、前記放熱部の上端が前記モールド部の上面から一定高さで突出して、前記発光部が搭載される前記放熱部の搭載面と前記モールド部の最上面の間に段差を形成する段階を含む請求項20から22のいずれかに記載の高出力LEDパッケージ製造方法。
- 前記c段階は、前記電極フレームの上端をモールド部の前記上面に露出させる段階を含む請求項20から23のいずれかに記載の高出力LEDパッケージ製造方法。
- 前記c段階は、前記レンズの下部の内側枠を装着する組立段差を、前記モールド部の部に形成する段階を含む請求項20から24のいずれかに記載の高出力LEDパッケージ製造方法。
- 前記レンズを前記モールド部に装着する場合に、前記レンズおよび前記モールド部の間から流れ出た前記充填剤を、前記凹溝に流し込む請求項20から25のいずれかに記載の高出力LEDパッケージ製造方法。
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KR101142940B1 (ko) | 2005-06-22 | 2012-05-10 | 서울반도체 주식회사 | 방열핀이 형성된 발광소자 |
KR100904152B1 (ko) * | 2006-06-30 | 2009-06-25 | 서울반도체 주식회사 | 히트싱크 지지부를 갖는 리드프레임, 그것을 사용한 발광다이오드 패키지 제조방법 및 그것에 의해 제조된 발광다이오드 패키지 |
KR100947454B1 (ko) * | 2006-12-19 | 2010-03-11 | 서울반도체 주식회사 | 다단 구조의 열전달 슬러그 및 이를 채용한 발광 다이오드패키지 |
TWI337410B (en) * | 2007-05-28 | 2011-02-11 | Everlight Electronics Co Ltd | A light emitting diode package with two heat disspation paths |
WO2008154952A1 (de) * | 2007-06-18 | 2008-12-24 | Osram Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Elektronisches bauteil und verfahren zum herstellen eines elektronischen bauteils |
TW200903834A (en) * | 2007-07-05 | 2009-01-16 | Bright Led Electronics Corp | High heat-dissipation light emitting diode device |
TWI352439B (en) * | 2007-09-21 | 2011-11-11 | Lite On Technology Corp | Light emitting diode packaging device, heat-dissip |
KR101349605B1 (ko) * | 2007-09-27 | 2014-01-09 | 삼성전자주식회사 | 발광소자 패키지의 제조방법 |
KR100899554B1 (ko) * | 2007-11-20 | 2009-05-27 | 알티전자 주식회사 | 발광다이오드 패키지 및 그 제조방법 |
KR100947400B1 (ko) * | 2007-12-21 | 2010-03-12 | 삼성전기주식회사 | Led 패키지의 몰딩부재를 형성하기 위한 몰드 및 이를 이용한 led 패키지의 제조방법 |
KR101088910B1 (ko) * | 2008-05-29 | 2011-12-07 | 삼성엘이디 주식회사 | Led 패키지 및 그 제조방법 |
KR100865468B1 (ko) | 2008-07-21 | 2008-10-27 | 원창인젝트엠(주) | 렌즈가 인서트 사출된 led 모듈 및 그 제조방법 |
DE102008045925A1 (de) * | 2008-09-04 | 2010-03-11 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronisches Bauteil und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauteils |
KR101096640B1 (ko) * | 2008-10-02 | 2011-12-21 | 광성기업 주식회사 | 매트용 발광다이오드 모듈 조명등 |
KR101486917B1 (ko) | 2008-11-27 | 2015-01-29 | 삼성전자주식회사 | 발광다이오드 패키지의 제조 방법 및 이로부터 제조된 발광다이오드 패키지 |
KR101018191B1 (ko) * | 2008-11-27 | 2011-02-28 | 삼성엘이디 주식회사 | 세라믹 패키지 및 이를 구비하는 헤드램프 모듈 |
US20100207140A1 (en) * | 2009-02-19 | 2010-08-19 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Compact molded led module |
JP5263788B2 (ja) * | 2009-10-22 | 2013-08-14 | シャープ株式会社 | 表示装置 |
CN102754228B (zh) * | 2010-01-29 | 2017-10-13 | 日本航空电子工业株式会社 | Led器件、其制造方法及发光装置 |
JP2011204731A (ja) * | 2010-03-24 | 2011-10-13 | Yamatake Corp | 光学パッケージとレンズの接合方法、及び光学パッケージ |
TW201204986A (en) * | 2010-07-21 | 2012-02-01 | Hon Hai Prec Ind Co Ltd | Light Emitting Diode lead frame assembly and method of making the same |
JP5778999B2 (ja) | 2010-08-06 | 2015-09-16 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置および画像表示ユニット |
JP2012069589A (ja) * | 2010-09-21 | 2012-04-05 | Toshiba Corp | 発光装置 |
TWI441361B (zh) * | 2010-12-31 | 2014-06-11 | Interlight Optotech Corp | 發光二極體封裝結構及其製造方法 |
KR20120093679A (ko) * | 2011-02-15 | 2012-08-23 | 삼성전자주식회사 | 발광소자 패키지 및 그 제조방법 |
US8692282B2 (en) | 2011-10-27 | 2014-04-08 | Seoul Semiconductor Co., Ltd. | Light emitting diode package and light emitting module comprising the same |
US8823041B2 (en) | 2011-10-27 | 2014-09-02 | Seoul Semiconductor Co., Ltd. | Light emitting diode package and light emitting module comprising the same |
TWI556473B (zh) | 2011-11-28 | 2016-11-01 | 隆達電子股份有限公司 | 發光二極體封裝及製作發光二極體封裝之方法 |
WO2013086650A1 (zh) * | 2011-12-12 | 2013-06-20 | 海立尔股份有限公司 | 具有炮弹型透镜led的监视器及其炮弹型透镜led光源模组 |
CN103187504A (zh) * | 2011-12-27 | 2013-07-03 | 展晶科技(深圳)有限公司 | 发光二极管封装结构 |
CN103185228B (zh) * | 2011-12-30 | 2016-11-09 | 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 | 发光二极管灯条及其制造方法 |
US9136448B2 (en) | 2012-01-17 | 2015-09-15 | Koninklijke Philips N.V. | Semiconductor light emitting device lamp that emits light at large angles |
JP6205894B2 (ja) * | 2012-07-04 | 2017-10-04 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置用パッケージ成形体およびそれを用いた発光装置 |
CN102840488A (zh) * | 2012-09-11 | 2012-12-26 | 广东宏泰照明科技有限公司 | 具有散热功能的led灯 |
TWI565988B (zh) * | 2012-12-13 | 2017-01-11 | 鴻海精密工業股份有限公司 | 光電耦合件及其使用的光電轉換裝置 |
CN104344274A (zh) * | 2013-07-25 | 2015-02-11 | 展晶科技(深圳)有限公司 | 背光模组 |
KR102091795B1 (ko) * | 2014-01-02 | 2020-05-08 | 티이 커넥티비티 네덜란드 비.브이. | Led 소켓 조립체 |
CN106463591A (zh) | 2014-06-02 | 2017-02-22 | 3M创新有限公司 | 带有远程荧光粉和外壳反射器的led |
JP5894310B2 (ja) * | 2015-04-16 | 2016-03-23 | 京セラコネクタプロダクツ株式会社 | 半導体発光素子用ホルダの製造方法 |
DE102019119390A1 (de) * | 2019-07-17 | 2021-01-21 | OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Gehäuse für ein optoelektronisches bauelement, verfahren zur herstellung eines gehäuses für ein optoelektronisches bauelement, optoelektronisches bauelement und verfahren zur herstellung eines optoelektronischen bauelements |
Family Cites Families (30)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS58173248A (ja) | 1982-03-31 | 1983-10-12 | 鐘淵化学工業株式会社 | 屋上外断熱工法 |
JPS58173248U (ja) * | 1982-05-17 | 1983-11-19 | 株式会社東芝 | 半導体装置用リ−ドフレ−ム |
DE19755734A1 (de) * | 1997-12-15 | 1999-06-24 | Siemens Ag | Verfahren zur Herstellung eines oberflächenmontierbaren optoelektronischen Bauelementes |
US6274924B1 (en) * | 1998-11-05 | 2001-08-14 | Lumileds Lighting, U.S. Llc | Surface mountable LED package |
US6196299B1 (en) * | 1998-12-10 | 2001-03-06 | Unisys Corporation | Mechanical assembly for regulating the temperature of an electronic device which incorporates a heat exchanger that contacts an entire planar face on the device except for its corners |
DE19964252A1 (de) | 1999-12-30 | 2002-06-06 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Oberflächenmontierbares Bauelement für eine LED-Weißlichtquelle |
US6541800B2 (en) * | 2001-02-22 | 2003-04-01 | Weldon Technologies, Inc. | High power LED |
DE10117889A1 (de) | 2001-04-10 | 2002-10-24 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Leiterrahmen und Gehäuse für ein strahlungsemittierendes Bauelement, strahlungsemittierendes Bauelement sowie Verfahren zu dessen Herstellung |
JP2003051615A (ja) * | 2001-05-29 | 2003-02-21 | Tsuchida Seisakusho:Kk | Led用ソケットおよびこのled用ソケットの製造方法並びにこのled用ソケットを用いたled装着体 |
JP2003152145A (ja) * | 2001-08-31 | 2003-05-23 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 半導体放熱用基板とその製造方法及びパッケージ |
KR20030024283A (ko) * | 2001-09-17 | 2003-03-26 | 광전자 주식회사 | 방열 리드프레임과 이를 이용한 광 반도체 소자 및 그제조방법과, 반도체 소자 |
JP4211359B2 (ja) | 2002-03-06 | 2009-01-21 | 日亜化学工業株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
JP3770192B2 (ja) * | 2002-04-12 | 2006-04-26 | 松下電器産業株式会社 | チップ型led用リードフレーム |
US7264378B2 (en) * | 2002-09-04 | 2007-09-04 | Cree, Inc. | Power surface mount light emitting die package |
DE10243247A1 (de) | 2002-09-17 | 2004-04-01 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Leadframe-basiertes Bauelement-Gehäuse, Leadframe-Band, oberflächenmontierbares elektronisches Bauelement und Verfahren zur Herstellung |
JP3889690B2 (ja) * | 2002-09-25 | 2007-03-07 | 株式会社オートネットワーク技術研究所 | 電子部品内蔵コネクタの製造方法 |
US7170151B2 (en) * | 2003-01-16 | 2007-01-30 | Philips Lumileds Lighting Company, Llc | Accurate alignment of an LED assembly |
JP4397394B2 (ja) * | 2003-01-24 | 2010-01-13 | ディジタル・オプティクス・インターナショナル・コーポレイション | 高密度照明システム |
US6903380B2 (en) * | 2003-04-11 | 2005-06-07 | Weldon Technologies, Inc. | High power light emitting diode |
JP2005026503A (ja) * | 2003-07-03 | 2005-01-27 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体発光装置およびその製造方法 |
KR100555174B1 (ko) * | 2003-09-29 | 2006-03-03 | 바이오닉스(주) | 고출력 엘이디패키지 제작방법 및 이를 이용한 고출력엘이디패키지 |
JP3963460B2 (ja) * | 2003-10-08 | 2007-08-22 | スタンレー電気株式会社 | Ledランプ用パッケージおよび該ledランプ用パッケージを具備するledランプ |
JP2005129641A (ja) * | 2003-10-22 | 2005-05-19 | Sanken Electric Co Ltd | 半導体発光装置 |
US7321161B2 (en) * | 2003-12-19 | 2008-01-22 | Philips Lumileds Lighting Company, Llc | LED package assembly with datum reference feature |
KR20050101737A (ko) * | 2004-04-20 | 2005-10-25 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광 다이오드 패키지 |
US7280288B2 (en) * | 2004-06-04 | 2007-10-09 | Cree, Inc. | Composite optical lens with an integrated reflector |
US7119422B2 (en) * | 2004-11-15 | 2006-10-10 | Unity Opto Technology Co., Ltd. | Solid-state semiconductor light emitting device |
KR100665117B1 (ko) * | 2005-02-17 | 2007-01-09 | 삼성전기주식회사 | Led 하우징 및 그 제조 방법 |
KR100631903B1 (ko) * | 2005-02-17 | 2006-10-11 | 삼성전기주식회사 | 고출력 led 하우징 및 그 제조 방법 |
KR100593945B1 (ko) * | 2005-05-30 | 2006-06-30 | 삼성전기주식회사 | 고출력 led 패키지 및 그 제조방법 |
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