JP4924038B2 - フルオロカーボン膜の製造方法 - Google Patents
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Description
また、低コスト化等を図るべく、非含フッ素基材の表面にフルオロカーボン膜を形成することも提案されている。基材表面にフルオロカーボン膜を形成する方法としては、フッ素ガスによる直接フッ素化法(非特許文献1)、プラズマ重合法(特許文献1)、ラングミュアーブロジエット(LB)法(特許文献2)、真空蒸着法、スパッタリング法、含フッ素シランカップリング剤を用いた表面処理、含フッ素ポリマーのコーティング等がある。
これは、高エネルギー状態を利用するが故に、成膜中に基材が損傷を受ける、モノマーの活性種の構造規則性が乱され、構造規則性の低いフルオロカーボンが生成される、生成されたフルオロカーボンが損傷される等の現象が発生するためと考えられる。
なお、低エネルギーのプラズマ照射では、重合速度が著しく遅くなる上、フルオロカーボンを基材表面に化学結合することも困難となり、好ましくない。
(1)プラズマをパルス照射することで、プラズマ重合過程で生成するCF2カルベンの量を制御する方法(特許文献3、4)。
(2)炭化水素モノマーと含フッ素モノマーの導入比を経時的に変化させることにより、成膜初期には基材との密着性の高い炭化水素膜を成膜し、その後、傾斜的にフッ素が導入された膜を成膜する方法(特許文献5)。
また、先行技術(1)では、プラズマをパルス照射することで、プラズマ重合過程で生成するCF2カルベンの量を制御している。
例えば、特許文献4では、「We claim:(特許請求の範囲)」第1項に、「A structure having a fluorocarbon polymer thin film (中略) thereon, the polymer film having a fractional composition given as x % CF2, (100-x)/2% CF3, (100-x)/2% CF, and substantially 0% C, where x is greater than about 80 and less than 100.(訳:フルオロカーボン高分子薄フィルムを有する構造で、高分子フィルムがx%のCF2、(100−x)/2%のCF3、(100−x)/2%のCF、実質的に0%のC(ここでxは約80超100未満)で示される組成のもの。)が開示されている。また、同文献のFig.3B(EXAMPLE 1)には、CF2基が65%、CF3基が15%程度、CF基が10%程度(CF2基以外については、本発明者が図面から読み取った値)の組成のフルオロカーボン膜が記載されている。
すなわち、先行技術(1)では、CF3基と同時にCF基も増えており、CF基を減らしつつ、CF3基を増やすという本発明の技術と全く異なるものである。
また、耐久性及び機能性(撥水撥油性等)に優れた薄膜状のフルオロカーボン膜、及びこれを備えた基材付きフルオロカーボン膜を提供することを目的とする。
本発明は、基材表面に少なくとも一部が化学結合したフルオロカーボン膜の製造方法において、基材表面に連続的又はパルス的にプラズマを照射し、基材表面に活性点を形成する工程(a)と、一般式CxFy及び/又はCxFyOz(但し、x、y、zは0を含まない正の整数。)で表される含フッ素化合物ガスの存在下で、工程(a)よりも相対的に低い衝突エネルギーで活性種が基材表面に衝突する条件で、基材表面に連続的又はパルス的にプラズマを照射する工程(b)とを順次有するフルオロカーボン膜の製造方法を提供する。
本明細書において、「連続的にプラズマ照射」とは、同一出力の連続照射の他、出力を上昇又は下降させるなど、出力を変化させながら連続照射を行う場合も含むものとする。
たとえば、プラズマ出力を20W/cm2とし、デューティ比(1サイクル中の照射時間と非照射時間の比)を1:4とした場合には、単位時間当たりの出力は4W/cm2となる。
また、「電極間距離」は、下部電極と、これに対向配置される上部電極(これら電極間でプラズマ放電が行われる)との離間距離を意味するものとする。
本発明は、基材表面に少なくとも一部が化学結合したフルオロカーボン膜であって、CF基、CF2基、及びCF3基の合計に対して、CF基が8モル%以下、CF2基が20〜90モル%、CF3基が10〜80モル%含有するフルオロカーボン膜を提供する。
本明細書において、CF基、CF2基、及びCF3基のモル%は、X線光電子分光装置(ESCA、PHI社製Model5500)にて、フルオロカーボン膜の炭素原子の1s軌道のナロースペクトルを取り、これをC、CF、CF2、CF3にピーク分割して求めるものとする。
本発明によれば、耐久性及び機能性(撥水撥油性等)に優れた薄膜状のフルオロカーボン膜、及びこれを備えた基材付きフルオロカーボン膜を提供することができる。
2:上部電極(φ10cm)
3:下部電極(φ10cm)
4:ヒータ
5:高周波電源(13.56MHz)
6:アース
7:排気装置に通じる排気口
8:圧力計
9:流量計
10:ガス供給システム
11:マッチング回路
12:基材
本発明のフルオロカーボン膜の製造方法は、基材表面に少なくとも一部が化学結合したフルオロカーボン膜を製造する方法であり、基材表面に連続的又はパルス的にプラズマを照射し、基材表面に活性点を形成する工程(a)と、一般式CxFy及び/又はCxFyOz(但し、x、y、zは0を含まない正の整数。)で表される含フッ素化合物ガスの存在下で、工程(a)よりも相対的に低い衝突エネルギーで活性種が基材表面に衝突する条件で、基材表面に連続的又はパルス的にプラズマを照射する工程(b)とを順次有する。
すなわち、本発明では、工程(a)において、相対的に厳烈な条件でプラズマ照射を実施し、基材表面に膜成長の起点となる活性点(ラジカル)を形成した後、工程(b)において、モノマーである含フッ素化合物ガスの存在下で、相対的に穏和な条件でプラズマ照射を実施し、膜成長させる。
(1)工程(a)において基材表面に活性点が形成されるので、基材表面に形成された活性点を起点として重合鎖がグラフト成長し、基材表面に少なくとも一部が化学結合したフルオロカーボンを生成できる。この結果、耐久性に優れたフルオロカーボン膜が成膜されると考えられる。
(2)フルオロカーボン膜の膜成長は、主として、比較的穏和なプラズマ条件の工程(b)で進行する。したがって、成膜中の基材の損傷が抑えられ、モノマーの活性種の構造規則性が高エネルギーのプラズマ環境で乱されることがなく、構造規則性の高い膜を成長させることができ、さらには生成されるフルオロカーボンの損傷も抑えられると考えられる。また、これら効果が相俟って、構造規則性の高いフルオロカーボンを安定的に成長させることができる。この結果、機能性(撥水撥油性等)に優れたフルオロカーボン膜が安定的に成膜されると考えられる。
したがって、本発明の製造方法によれば、上記(1)、(2)が相俟って、耐久性及び機能性(撥水撥油性等)に優れたフルオロカーボン膜が安定的に成膜される。
基材としては、プラズマ照射により活性点を形成できれば特に制限はない。
基材の材質としては、ポリエチレンやポリプロピレン等のポリオレフィン;ポリ塩化ビニル、ポリカーボネート、ポリエステル、ポリエーテル、ポリアミド、ポリイミド、ポリビニルアルコール、ポリウレタン、ポリセルロース等の非含フッ素有機高分子;銅、鉄、ステンレス、アルミニウム、ニッケル、及びこれらの合金等の金属;二酸化珪素(ガラス等)、酸化アルミニウム等の金属酸化物、及びこれらの複合材料等が挙げられる。特に、非含フッ素有機高分子が好ましい。中でもポリエステルがより好ましい。
基材は、シート状、フィルム状、平板状、中空糸状、円筒状、容器状、棒状、球状、ブロック状、粉状等、いかなる形状のものも使用できる。シート状、フィルム状、平板状が好ましい。
上記したように、工程(a)は、基材表面に膜成長の起点となる活性点(ラジカル)を形成する工程である。膜成長は主として工程(b)で進行する。
したがって、工程(a)では、基材表面に充分な量の活性点が形成できればよい。したがって、工程(a)で用いるガスは、プラズマ中に活性種を生成可能なものであれば、任意のガスを用いることができる。すなわち、工程(a)では、モノマーである含フッ素化合物ガスを用いることは必須ではない。
これに対して、工程(b)では、モノマーである一般式CxFy及び/又はCxFyOz(但し、x、y、zは0を含まない正の整数。)で表される含フッ素化合物ガスを用いることが必須である。
工程(a)で用いるガスとしては、製造コストを考慮すれば、非含フッ素化合物ガスが好ましく、製造効率や装置の簡便性を考慮すれば、工程(b)と同一のガスが好ましい。
かかる含フッ素化合物ガスとしては、テトラフルオロエチレン、ヘキサフルオロプロピレン、ヘキサフルオロプロピレンオキサイド(HFPO)、ペルフルオロベンゼン、下記式で表される化合物等が挙げられる。これらは1種又は2種以上用いることができる。また、非含フッ素化合物ガスで希釈して反応に供することもできる。
工程(a)では、基材表面に充分な量の活性点を形成できる条件で、プラズマが照射される。工程(b)では、工程(a)よりも相対的に低い衝突エネルギーで活性種が基材表面に衝突する条件で、プラズマが照射される。いずれの工程においても、プラズマは連続的又はパルス的に照射される。
雰囲気圧力が小さい程、電子温度が高くなるため、活性種の基材表面への衝突エネルギーが大きくなると考えられる。
電極間距離が小さい程、プラズマ場における単位体積あたりのエネルギーが大きくなるので、相対的に高エネルギー状態の活性種が多くなり、活性種の基材表面への衝突エネルギーが大きくなると考えられる。
たとえば、工程(a)と工程(b)とで連続照射を実施し、大きくプラズマ出力を変化させる場合、グロープラズマを安定的に発生するには、連続的又は段階的にプラズマ出力を引き下げることが好ましい。このような場合、この移行工程も「単位時間当たりの平均プラズマ出力」は相対的に下がるので、工程(b)に含まれる。
プラズマ発生装置としては、グロープラズマを発生できるものであれば特に制限はなく、直流放電型、交流放電型のいずれを用いてもよい。交流放電型を用いる場合、放電電源としては、工業的に一般に用いられている13.56MHzの高周波電源を用いることが、装置コストの面で好ましい。交流放電型には、容量結合型、誘導結合型等がある。
ガスの供給タイプとしては、基材表面に対して斜めにノズルを配置することで、一方向からガスを供給するノズルタイプ、基材表面に対して、複数のガス噴出孔を有するシャワーヘッドを対向配置させ、複数箇所から略垂直方向にガスを供給するシャワーヘッドタイプ等がある。中でも、ガスの均一供給、及びこれに繋がるガスの利用効率の向上、膜均一性の向上の点で、後者のシャワーヘッドタイプが好ましい。
「単位時間当たりの平均プラズマ出力」を変更することで、工程(b)において、工程(a)よりも相対的に低い衝突エネルギーで活性種を基材表面に衝突させ、膜成長を行う場合について説明する。
すなわち、工程(a)の単位時間当たりの平均プラズマ出力(WH)は0.1〜20W/cm2程度、特に1〜10W/cm2程度が好ましい。工程(b)の単位時間当たりの平均プラズマ出力(WL)は、0.01〜5W/cm2、特に0.1〜2.5W/cm2程度の範囲内で、工程(a)より相対的に低い値が好ましい。工程(a)と工程(b)における単位時間当たりのプラズマ出力の比(WH/WL)は、1.2以上、特に、2〜50が好ましい。
「雰囲気圧力」を変更することで、工程(b)において、工程(a)よりも相対的に低い衝突エネルギーで活性種を基材表面に衝突させ、膜成長を行う場合について説明する。
雰囲気圧力は、安定的にグロープラズマが発生する(アークプラズマが発生しない)範囲内で設定することが好ましい。
雰囲気圧力が低すぎると、プラズマ化するガスの絶対量が少なくなりすぎ、安定的にグロープラズマを発生させることが困難となる傾向にあり、高すぎると、グロー放電領域が狭くなり、アーク放電領域への移行が起こりやすくなる。したがって、工程(a)と工程(b)の雰囲気圧力は、10Pa〜大気圧で変更することが好ましい。
たとえば、ガス供給タイプがシャワーヘッドタイプであり、13.56MHzの高周波電源を放電電源とし、容量結合型平行平板を用いた放電装置を使用し、工程(b)でモノマーとして比較的容易にCF2カルベンを生成するヘキサフルオロプロピレンオキサイドを用い、樹脂等の比較的耐熱性の低い基材を、電極間距離70〜80mm、単位時間当たりの平均プラズマ出力を3.6〜4.0W/cm2として処理する場合、工程(a)の雰囲気圧力は10〜50Pa程度、特に20〜40Pa程度が好ましい。また、工程(b)の雰囲気圧力は30〜100Pa、特に50〜80Pa程度の範囲内あることが好ましく、工程(a)より相対的に高い値である。
「電極間距離」を変更することで、工程(b)において、工程(a)よりも相対的に低い衝突エネルギーで活性種を基材表面に衝突させ、膜成長を行う場合について説明する。
電極間距離は、安定的にグロープラズマが発生する(アークプラズマが発生しない)範囲内で設定することが好ましい。
具体的には、工程(a)と工程(b)における電極間距離は、1〜300mm、特に3〜100mmの範囲内で調節することが好ましい。 たとえば、ガス供給タイプがシャワーヘッドタイプであり、13.56MHzの高周波電源を放電電源とし、容量結合型平行平板を用いた放電装置を使用し、工程(b)でモノマーとして比較的容易にCF2カルベンを生成するヘキサフルオロプロピレンオキサイドを用い、樹脂等の比較的耐熱性の低い基材を、雰囲気圧力45〜55Pa、単位時間当たりの平均プラズマ出力を3.6〜4.0W/cm2として処理する場合、工程(a)の電極間距離は20〜60mm、特に35〜55mmが好ましい。また、工程(b)の電極間距離は50〜100mm、特に70〜80mmが好ましく、工程(a)より相対的に大きい値である。
フルオロカーボン膜の厚みは特に制限されないが、本発明による薄膜化のメリット(コスト等)、膜の安定形成性(これは耐久性や機能性に繋がる)を考慮すれば、10μm以下が好ましく、1μm以下がより好ましく、0.5μm以下がさらに好ましい。膜厚は、0.4〜100nmの範囲であることが最も好ましい。なお、市販のフッ素樹脂を他の基材にラミネートしたものなどは、通常膜厚が10μm超である。
本発明のフルオロカーボン膜は、上記の本発明のフルオロカーボン膜の製造方法により製造されるものであることを特徴とする。
本発明のフルオロカーボン膜の製造方法によれば、従来にはない構造規則性を有するフルオロカーボン膜が生成される。
本発明のフルオロカーボンはほとんど分岐せず、直鎖状のフルオロカーボンが高い割合で形成される。また、薄膜化に制限がないので、炭素数2〜8程度の比較的短鎖のフルオロカーボンを安定的に生成できる。なお、炭素数2〜8程度の比較的短鎖の直鎖状フルオロカーボンが基材表面に対して垂直方向に延在すると仮定すれば、この時の膜厚は0.4〜2nm程度となる。
本発明によれば、CF3基を10〜80モル%と高く確保しつつ、CF基を5モル%以下、さらには0%とすることも可能である。CF3基の量は13〜60モル%が好ましく、15〜50モル%がより好ましい。
CF3基の量とCF基の量との関係は、(CF3基の量)>(CF基の量)×2であることが好ましい。
なお、CF3基量が多い程、フッ素原子導入効果は高くなるが、CF3基量が多くなるということは、それだけ鎖長が短くなること、すなわち、膜厚が小さくなることを意味する。膜厚が過少では、基材表面全体に渡ってフルオロカーボンを形成することが困難となり、膜欠陥が発生する恐れがある。したがって、CF3基量は80モル%以下が好ましい。
本発明の基材付きフルオロカーボン膜は、基材表面に、上記の本発明のフルオロカーボン膜が形成されたものであることを特徴とする。
本発明の基材付きフルオロカーボン膜は、本発明のフルオロカーボン膜を備えたものであるので、本発明のフルオロカーボン膜と同様の効果を奏する。
<膜組成>
生成したフルオロカーボン膜の膜組成、すなわち、CF基、CF2基、及びCF3基のモル%は、X線光電子分光装置(ESCA、PHI社製Model5500)にて、フルオロカーボン膜の炭素原子の1s軌道のナロースペクトルを取り、これをC、CF、CF2、CF3にピーク分割して求められた。
<接触角(CA)>
撥水性の評価として、生成したフルオロカーボン膜の水に対する接触角を、接触角測定装置(協和界面化学社製CA−X150)にて測定した。
<耐久性>
耐久性の評価として、生成したフルオロカーボン膜の表面に、キムワイプ(商品名)を手で1Nで押しつけながら線状に重ねて擦るワイプテストを実施した。50回擦った後に、膜表面にアルコール性インキ(PILOT社製WBMAR-M:水性)で文字や図形を書き、これをキムワイプで1往復拭き取った際の拭き取り性を、下記基準にて官能評価した。なお、拭き取り性が良好であることは、フルオロカーボン膜の撥水性が良好であることを意味し、これがワイプテスト後も持続することは膜の耐久性が良好であることを意味する。
判定基準
○:容易にかつ良好に拭き取れた。
×:拭き取るのが困難、または拭き取れなかった(基材と同等レベル)。
ガス供給タイプがノズルタイプであり、13.56MHzの高周波電源を放電電源とし、容量結合型平行平板を用い、フルオロカーボン膜を成膜した。図1にこの放電装置の概略構成図を示す。
下部電極3上にポリエチレンテレフタレート(PET)フィルム(基材12)(フィルム厚:50μm)を載置し、チャンバー1内ガスを排気口7から1Pa以下になるまで減圧排気した。減圧排気しながら、高純度窒素ガスを110sccmで流通させ、チャンバー1内を窒素ガスで置換した。その後、ヘキサフルオロプロピレンオキサイド(HFPO)ガス62sccm、及び高純度窒素ガス5sccmを流通させ、雰囲気圧力を50Paとした。圧力安定後、上部電極2と下部電極3との間の距離、すなわち電極間距離を100mmとした。
この状態で、13.56MHzの高周波電力2.5W/cm2(WH)を電極に印加して連続プラズマを発生させ、2分間保持した(工程(a))。その後、高周波電力を1分あたり0.30W/cm2の速度で連続的に減少させて、0.13W/cm2とした(工程(b1))。さらに、電力0.13W/cm2(WL)の連続プラズマを20分間連続照射し(工程(b2))、成膜を終了した(MCW法)。
主な製造条件を表1に示す。
表1に示すように、電極間距離を100mmとした後、工程(a)、工程(b1)は実施せず、13.56MHzの高周波電力0.13W/cm2を電極に印加して連続プラズマを発生させ、20分間保持した以外は、実施例1と同様にして、成膜を行った(CW法)。
表1に示すように、電極間距離を40mmとした後、工程(a)、工程(b1)は実施せず、13.56MHzの高周波電力1.3W/cm2を電極に印加して、デューティ比=1:9(100msec−on、900msec−off)、周波数1Hzのパルスプラズマを発生させ(単位時間当たりの平均プラズマ出力は0.13W/cm2)、360分間処理した以外は、実施例1と同様にして、成膜を行った(pulse法)。表中、(p)はパルス照射を示す。
実施例1、比較例1、2のESCAによる炭素原子の1s軌道のナロースペクトルを図2〜4に示す。また、得られたスペクトルから測定した膜組成を表1に合わせて示す(単位は「モル%」)。
なお、これらの例では、基材としてPETを用いているため、CF基のピークにPETのC=Oピークが重なっている。そのため、PET単独のESCA測定を別途行い、そのピークを実測値のスペクトルから差し引き、ピーク分解を行って各基のモル量を求めた。
図2〜4中、太線が実測値のスペクトル、波線がPET由来のスペクトル、細線がピーク分解後の膜組成を示すスペクトルである。
表に示すように、実施例1では、CF基が6.7%、CF3基が15.4%であり、CF基が少なく、CF3基がリッチなフルオロカーボン膜が得られた。ESCAの深さ分析を実施したところ、深度2nmでは、基材のPETのピークしか現れなかったため、膜厚は2nm以下であることが判明した。
これに対して、比較例1、2では、CF3基量が多いが、これに伴って、CF基量も多くなっており、得られたフルオロカーボン膜は分岐が多く、構造規則性の低いものであった。
実施例1のフルオロカーボン膜は接触角が120°と大きく、撥水性が良好であった。なお、市販のPTFE膜では、接触角は110〜115°程度であるので、実施例1のフルオロカーボン膜は市販のPTFE膜以上の高機能性を有するものであることが明らかとなった。
また、ワイプテスト50回後のホワイトボードマーカーの拭き取り性も良好であり、膜の耐久性も良好であった。これは、得られたフルオロカーボン膜の少なくとも一部が基材表面に化学結合しているためと考えられる。このことは後記試験例の基材表面の活性点(ラジカル)の評価から裏付けられると考える。
これに対して、比較例1、2のフルオロカーボン膜は、実施例1に比して接触角が小さく、機能性が劣るものであった。また、50回ワイプテスト後には膜は脱落しており、膜が基材に化学結合しておらず、耐久性が不良であった。
図5に示す放電装置を用い、表2に示す条件に変更した以外は、実施例1と同様にして成膜を行った。図5にこの放電装置の概略構成図を示す。図5の装置は、ガス供給タイプをシャワーヘッドタイプ(ガス噴出孔100個)に変更した以外は図1の装置と同一なので、図1の装置と同一の部材に同一の符号を付し、詳細な説明を省略する。
なお、実施例2では、工程(a)と工程(b)で同一ガス(HFPO)を用いたのに対し、実施例3では、工程(a)でアルゴン(Ar)、工程(b)でHFPOを用いた。一方、比較例3では、工程(a)を行わなかった。
評価結果を表2に示す。
同じプラズマ出力のまま、雰囲気圧力を上げることでも、プラズマ出力を下げるのと同様の効果が得られることが確認された。また、工程(a)ではモノマーである含フッ素化合物ガスを用いる必要がないことが確認された。
表3に示す条件に変更した以外は、実施例2と同様にして成膜を行った。実施例4では、工程(a)と工程(b)のプラズマ出力は同一とし、ガス供給量を62sccmで一定とすることにより雰囲気圧力を50Paで一定とし、その代わり、電極間距離を40mmから78mmに変化させることで、工程(b)において、工程(a)よりも相対的に低い衝突エネルギーで活性種が基材表面に衝突するよう成膜を行った。
比較例4では、工程(a)を行なわなかった以外は、実施例4と同様にして、CW法で成膜を行った。
評価結果を表3に示す。
同じプラズマ出力のまま、電極間距離を大きくすることでも、プラズマ出力を下げるのと同様の効果が得られることが確認された。
シャワーヘッドのガス噴出孔を5個とし、表4に示す条件に変更した以外は、実施例2と同様にして、成膜を行った。実施例5では、工程(b)において、高周波電力3.8W/cm2を電極に印加して、デューティ比=1:4(100msec−on、400msec−off )、周波数2Hzのパルスプラズマを発生させ(単位時間当たりの平均プラズマ出力は0.76W/cm2)、2分間処理し、成膜を行った(MCW−pulse法)。
比較例5では、工程(a)を実施しなかった以外は、実施例5と同様にして、pulse法で成膜を行った。
評価結果を表4に示す。
同じプラズマ出力のまま、連続照射からパルス照射に切り替えても、同様の効果が得られることが確認された。
表5に示す条件に変更した以外は、実施例2と同様にして成膜を行った。実施例6では、全工程を通して、供給ガスをHFP/Ar混合ガスとし、雰囲気圧力を10000Paとした。なお、HFPはヘキサフルオロプロピレンを示す。
また、工程(b)において、高周波電力1.3W/cm2を電極に印加して、デューティ比=1:9(100msec−on、900msec−off)、周波数1Hzのパルスプラズマを発生させ(単位時間当たりの平均プラズマ出力は0.13W/cm2)、90秒間処理し、成膜を行った(MCW−pulse法)。
比較例6では、工程(a)を実施しなかった以外は、実施例6と同様にして、pulse法で成膜を行った。
評価結果を表5に示す。
本発明によれば、雰囲気圧力を10000Paと真空度を低くしても、耐久性及び機能性に優れた膜が得られることが明らかとなった。真空度が低くても、かかる高性能な膜が得られることは、装置やプロセスの簡略化を図ることができ、好適である。
工程(a)後に、基材表面に活性点が形成されることを確認するため、以下の試験を行った。
実施例3の工程(a)を実施した後、プラズマ照射を停止し、チャンバー内に窒素を導入し大気圧とした。次いで、窒素を流入させながら、チャンバーを開けて、チャンバー内でサンプルを試料管に入れ、窒素雰囲気のまま密閉した。その後直ちに、液体窒素で冷却し、ESR測定(日本電子データム社製JES−TE300を使用)にて、残存ラジカル量を測定した。サンプル質量は6.87mgであった。
ESRスペクトルを図6に示す。ブランクのピーク強度8317を差し引いたピーク強度は4126であり、単位質量当たりのピーク強度は601mg−1であった。このことから、工程(a)後に基材表面に活性点(ラジカル)が生成されていることが確認された。
なお、2004年11月2日に出願された日本特許出願2004−319296号の明細書、特許請求の範囲、図面及び要約書の全内容をここに引用し、本発明の明細書の開示として、取り入れるものである。
Claims (4)
- 基材表面に少なくとも一部が化学結合したフルオロカーボン膜の製造方法において、
基材表面に連続的又はパルス的にプラズマを照射し、基材表面に活性点を形成する工程(a)と、
一般式CxFy及び/又はCxFyOz(但し、x、y、zは0を含まない正の整数。)で表される含フッ素化合物ガスの存在下で、工程(a)よりも相対的に低い衝突エネルギーで活性種が基材表面に衝突する条件で、基材表面に連続的又はパルス的にプラズマを照射する工程(b)と、
を順次実施することを特徴とするフルオロカーボン膜の製造方法。 - 工程(a)と工程(b)とにおいては、単位時間当たりの平均プラズマ出力、雰囲気圧力、電極間距離のうちの少なくとも一条件を変更する請求項1に記載のフルオロカーボン膜の製造方法。
- 工程(a)において、水素、ヘリウム、窒素、酸素、フッ素、アルゴン、一酸化炭素、二酸化炭素、二酸化窒素、水蒸気、並びに一般式CxFy及び/又はCxFyOz(但し、x、y、zは0を含まない正の整数。)で表される含フッ素化合物ガスから選択される少なくとも1種のガスの存在下で実施する請求項1又は2に記載のフルオロカーボン膜の製造方法。
- 工程(a)と工程(b)とは、同一のガスを用いる請求項3に記載のフルオロカーボン膜の製造方法。
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