JP4918012B2 - 乗算回路 - Google Patents

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Description

本発明は、アナログ乗算回路に関し、特に、半導体集積回路上に形成して好適とされる乗算回路に関する。
従来、この種の乗算回路は、本願発明者と同一発明者により詳しく技術開示されている。2信号の積を得る数学的根拠としてはクォータスクェア技術(quarter−square technique)が知られている。一般式としては、本願発明者が開示した次式(1)又は(2)で定義される。
(ax+by)+{(a−c)x+(b−1/c)y}−{(a−c)x+by}−{ax+(b−1/c)y}=2xy (1)
(ax+by+z)+{(a−c)x+(b−1/c)y+z}−{(a−c)x+by+z}−{ax+(b−1/c)y+z}=2xy (2)
ただし、a、b、cは定数、x、y、zは変数である。
ここで、xを第1の入力信号、yを第2の入力信号とし、zは任意変数として、定数a、b、cを設定すれば良い。
例えば、本願発明者が提案した乗算回路ではa=b=c=1を用いており、
(x+y)−y−x=2xy (3)
あるいは、
(x+y+z)+z−(y+z)−(x+z)=2xy (4)
となる。
ブルト(Bult)等が提案した乗算回路ではa=b=1/2、c=1を用いており、
(x/2+y/2)+(−x/2−y/2)−(−x/2+y/2)−(x/2−y/2)=2xy (5)
あるいは、
(x/2+y/2+z)+(−x/2−y/2+z)−(−x/2+y/2+z)−(x/2−y/2+z)=2xy (6)
となる。
ブルト(Bult)が提案した乗算回路ではa=1/2、b=c=1を用いており、
(x/2+y)+(−x/2)−(−x/2+y)−(x/2)=2xy (7)
あるいは、
(x/2+y+z)+(−x/2+z)−(−x/2+y+z)−(x/2+z)=2xy (8)
となる。
しかし、(3)式は目にするが、(5)式を整えて簡略化した
(x+y)−(x−y)=4xy (9)
が、一般的にはクォータスクェア技術(quarter−square technique)と呼び習わされている。
以上示したように、乗算回路においては、加算(減算)回路と2乗回路機能を有する乗算器コア回路を組み合わせることで実現される。
図1はクァドリテールセルで構成される乗算器コア回路の構成を示す図である。共通接続されたソースが電流源に接続されたMOSトランジスタM1、M2、M3、M4を備え、M1とM2のドレイン同士が接続され、M3とM4のドレイン同士が接続されている。MOSトランジスタM1、M2、M3、M4のゲートに印加される電圧(V,V,V,V)を、
(VCM+aV+bV,VCM+(a−c)V+(b−1/c)V,VCM+(a−c)V+bV,VCM+aV+(b−1/c)V)とすると、MOSトランジスタM1、M2、M3、M4のドレイン電流Ip1、Ip2、Ip3、Ip4は、式(10)〜(13)と表される。
D1=β(VCM+aV+bV−VSQ−VTH (10)
D2=β{VCM+(a−c)V+(b−1/c)V−VSQ−VTH (11)
D3=β{VCM+(a−c)V+bV−VSQ−VTH (12)
D4=β{VCM+aV+(b−1/c)V−VSQ−VTH (13)
ここで、βは単位トランジスタのトランスコンダクタンスパラメータであり、
β=(1/2)μ(W/L)(εx/tox) (14)
と表される。ただし、μは電子の実効移動度、εxはゲート絶縁膜の誘電率、toxはゲート絶縁膜の膜厚、Wはチャネル幅、Lはチャネル長である。
また、z=VCM−VSQ−VTHとおくと、(2)式により、乗算器コア回路の差動出力電流ΔIは、
ΔI=(ID1+ID2)−(ID3+ID4)=2βV (15)
と求められ、クァドリテールセルが乗算器コア回路となっていることがわかる。
ただし、テール電流の条件
D1+ID2+ID3+ID4=I (16)
から、クァドリテールセルを構成するいずれかのトランジスタがピンチオフする入力電圧から、以下のように求められる。

Figure 0004918012
ここでは、従来文献(特許文献1等)での誤記を訂正してあることを明記しておきたい。
したがって、飽和領域で動作するMOSトランジスタがいずれもピンチオフしない入力電圧においては、(17)式で示されるように、2つの入力電圧V,Vの積Vが得られ、クァドリテールセルは乗算器コア回路となっていることがわかる。
入力電圧が次第に大きくなるにしたがって、クァドリテールセルを構成するトランジスタがピンチオフし始め、回路の乗算特性は理想特性からズレてくる。
図2に、Vをパラメータにして、(17)式を用いて計算した、クァドリテールセルの差動出力電流特性を示す。(17)式で示した正常動作する入力電圧範囲は、破線で示される。
クァドリテールセルは1つのテール電流しか持たないので、入力信号が増加していくとリミッティングがかかる。
また、クァドリテールセルの動作範囲は、従来文献での誤記を訂正して図3のように示され、奇しくも、ハート形を上下に2つ合わせた領域であり、正常動作する入力電圧範囲(V,V)は斜線で示した菱形の領域でもある。
次に、電圧加算回路を説明する。図4に、2対のMOS差動対(M1、M2)、(M5、M6)を用いて実現される電圧加算回路の構成を示す。共通接続されたソースが定電流源に接続されゲートにVINを差動入力するnチャネルMOS差動対(M1、M2)と、共通接続されたソースが定電流源に接続されたnチャネルMOS差動対(M5、M6)と、pチャネルカレントミラー(M3、M4)を備え、pチャネルMOSトランジスタM3、M4のドレインはMOSトランジスタM1、M6のドレインにそれぞれ接続され、MOSトランジスタM2のドレインは電源VDDに接続され、MOSトランジスタM5のドレインは電源VDDに接続されゲートはVREFに接続され、MOSトランジスタM6のドレインとゲートは接続され、該ドレイン(=ゲート)電位がVOUTとされる。MOSトランジスタM1とM6のドレイン電流(ID1、ID6)が等しくなり(ID1=ID6)、ゲート・ソース間電圧VGS1=VGS6が成り立つ。ID1+ID2=ID5+ID6=IOO、したがってID2=ID5となり、MOSトランジスタM2とM5のゲート・ソース間電圧VGS2=VGS5が成り立つ。
OUT−VREF=VGS6−VGS5=VGS1−VGS2=VIN
となる。
よって、出力電圧VOUTは次式で表される。
OUT=VREF+VIN (18)
図4に示す電圧加算回路を入力回路に用いた乗算回路を図5に示す(特許文献1の図6参照)。ただし、この能動電圧加算回路ではpチャネルトランジスタの遮断周波数fで高周波動作が制限されており、周波数特性を考慮する必要がある。付け加えるならば、ブルト(Bult)が提案した乗算回路ではa=1/2、b=c=1を用いており、この回路を集積化した場合の内容はWang(王)の論文に詳しいが、電圧加算回路には、3対のMOS差動対を用いて、図4に示す電圧加算回路が2個に相当する入力回路を備えた乗算回路が提案されている。
しかし、本願発明者が提案した回路(図5)よりもMOS差動対が1対増えているために利点がないものと考えられる。
特許第2671872号公報 K.Kimura"An MOS Four−Quadrant Analog Multiplier Based on the Multitail Technique Using a Quadritail Cell as a Multiplier Core," IEEE Transactions on Circuits and Systems−I,Vol.42,No.8,pp.448−454,August 1995.
なお、上記特許文献1、及び非特許文献1の全開示内容はその引用をもって本書に繰込まれる。以下の分析は本発明によって与えられる。
上述した従来の乗算回路では、電流出力となっているために、出力電圧を得るためには負荷に抵抗を付加する必要がある。
したがって、抵抗の製造バラツキが付加されて特性の製造バラツキが大きくなるという問題があった。
第1の問題点は、製造バラツキが大きくなるということである。その理由は、出力に抵抗負荷を用いているからである。
第2の問題点は、出力に温度特性がある、ということである。その理由は、出力電流はトランスコンダクタイスパラメータβに依存しているからである。
本発明は上記問題点に鑑みて創案されたものであって、その目的は、製造バラツキが小さく、出力電圧の温度補正を簡易化し、半導体集積回路上に形成して好適とされる乗算回路を提供することにある。
本発明の乗算回路は、電圧加算回路と電圧減算回路にそれぞれ第1の入力電圧と第2の入力電圧が入力されて前記第1の入力電圧と前記第2の入力電圧の差動加算電圧と差動減算電圧を出力し、前記差動加算電圧と前記差動減算電圧をそれぞれ入力する2つの2乗回路を有し、前記2つの2乗回路の出力がそれぞれ前記ダイオード接続されたMOSトランジスタの端子電圧であり、2つの端子電圧の差動電圧が前記第1の入力電圧と前記第2の入力電圧の積である乗算回路において、前記2乗回路がダイオード接続されたMOSトランジスタに差動MOSトランジスタが縦積み(カスコード接続)される。
あるいは、前記電圧加算回路と前記電圧減算回路が、第1の入力電圧をそれぞれ入力する2組のMOS差動対と第2の入力電圧を入力する1組のMOS差動対とを有し、前記第1の入力電圧をそれぞれ入力する各組のMOS差動対は、それぞれ一方のMOSトランジスタには前記第1の入力電圧の正相信号が入力され他方のMOSトランジスタはダイオード接続されて正相出力端子を構成し、それぞれ一方のMOSトランジスタには前記第1の入力電圧の逆相信号が入力され他方のMOSトランジスタはダイオード接続されて逆相出力端子を構成し、前記2組のMOS差動対の一方が電圧加算回路の出力対を構成し、前記2組のMOS差動対の他方が電圧減算回路の出力対を構成し、前記第2の入力電圧を入力する1組のMOS差動対は、それぞれ一方のMOSトランジスタには前記第2の入力電圧の正相信号と逆相信号が入力され他方のそれぞれのMOSトランジスタには前記第2の入力電圧のコモンモード電圧が入力され、前記第2の入力電圧の正相、逆相信号がそれぞれ入力されるMOSトランジスタに流れるそれぞれの電流がカレントミラー回路を介して前記電圧加算回路のそれぞれ正相、逆相出力端子に電流が供給され、前記第2の入力電圧のコモンモード電圧がそれぞれ入力されるMOSトランジスタに流れるそれぞれの電流がカレントミラー回路を介して前記電圧減算回路のそれぞれ正相、逆相出力端子に電流が供給される。
あるいは、電圧加算回路に第1の入力電圧と第2の入力電圧が入力されて前記第1の入力電圧と前記第2の入力電圧の差動加算電圧を出力し、前記差動加算電圧とコモンモード電圧がそれぞれ入力される第1と第2の差動MOSトランジスタと前記第1の入力電圧と第2の入力電圧がそれぞれ入力される第3と第4の差動MOSトランジスタを有し、前記第1と第2の差動MOSトランジスタと前記第3と第4の差動MOSトランジスタがそれぞれダイオード接続されたMOSトランジスタに縦積みされてそれぞれの端子電圧の差動電圧が前記第1の入力電圧と前記第2の入力電圧の積である。
あるいは、前記電圧加算回路が前記に記載された電圧加算回路である。
本発明によれば、製造バラツキが小さくなる。その理由は、本発明の乗算回路においては、抵抗素子を用いずに回路を構成しているからである。
本発明によれば、温度特性を相殺することができる。その理由は、本発明においては、出力電圧はトランスコンダクタンスパラメータβに依存していないからである。
図6は、本願請求項1に記載された乗算回路に用いる2乗回路の回路構成を示す図である。共通接続されたソースが、MOSトランジスタM3(電流源)のドレインに接続されゲートに(VCM+V/2、VCM−V/2)をそれぞれ入力する差動MOSトランジスタ対M1、M2を備え、MOSトランジスタM3のゲートとドレインが接続されている。MOSトランジスタのドレイン電位(ゲート電位)が2乗電圧VSQとされる。
MOSトランジスタM1、M2、M3の各ドレイン電流は次式(19)〜(21)で表される。
D1=β(VCM+V/2−VSQ−VTH (19)
D2=β(VCM−V/2−VSQ−VTH (20)
D3=2β(VSQ−VTH (21)
ここで、
D1+ID2=ID3 (22)
である。
これを解くと
Figure 0004918012
と求められ、VSQから差動入力電圧Vの2乗電圧が得られる。
式(23)において、留意すべき点は、2乗回路の出力電圧VSQにおいて、トランスコンダクタンスパラメータβが掛らなく、2乗電圧V の係数は、1/{8(VCM−2VTH)}となっている。
したがって、この係数を温度で一定になるように設定することで、温度特性を持たない2乗回路が実現できる。
ちなみに、これまでの2乗回路では2乗電圧V の係数にトランスコンダクタンスパラメータβが掛かり、トランスコンダクタンスパラメータβが負の温度特性を持つために、出力電圧は負の温度特性を持つのが一般的であった。
次に、図6の回路の動作電圧範囲を求めてみる。
(19)式と(20)式において、MOSトランジスタM1、M2に電流が流れる条件は
CM+V/2−VSQ−VTH,VCM−V/2−VSQ−VTH≧0
(24)
であるから、(23)式を代入してこれを解くと、
≧0の場合に、
Figure 0004918012
≦0の場合に、
Figure 0004918012
と求められることから、
Figure 0004918012
となる。
図7は、図6に示した2乗回路を2つ備えたものである。ダイオード接続された電流源MOSトランジスタM3、M6に、MOS差動対(M1、M2)、MOS差動対(M4、M5)を、それぞれ、カスコード接続して構成される2つの2乗回路を有し、2つの2乗回路は、電圧加算回路と電圧減算回路からの差動加算電圧(V+V)と差動減算電圧(Vx−Vy)をそれぞれ入力し、それぞれダイオード接続されたMOSトランジスタM3、M6のドレイン電圧(VSQ1、VSQ2)はV×Vに対応する。
すなわち、2乗回路の2つのMOS差動対(M1、M2)、(M4、M5)にそれぞれ、V+VとV−Vの差動入力電圧(いずれのコモンモード電圧もVCMとする)を印加すると、2つの2乗回路の出力電圧VSQ1、VSQ2はそれぞれ式(23)のVに(V+V)と(V−V)を代入して求められ、差動出力電圧VOUT(=VSQ1−VSQ2)は
Figure 0004918012
と求められる。すなわち、2信号VとVの積Vが得られる。したがって、乗算回路が実現できる。
式(28)において留意すべき点は、乗算回路の出力には、トランスコンダクタンスパラメータβが掛らなく、積(乗算)電圧Vの係数は、1/{2(VCM−2VTH)}となっている。この係数を温度で一定になるように設定することで、温度特性を持たない2乗回路が実現できる。
ちなみに、これまでの乗算回路では、(17)式に示すように、積(乗算)電圧Vの係数にトランスコンダクタンスパラメータβが掛かり、トランスコンダクタンスパラメータβが負の温度特性を持つために、出力電圧は負の温度特性を持つのが一般的であった。
図7の回路動作範囲は、(27)式から
Figure 0004918012
となる。
図8は、本願請求項2に記載された乗算回路に用いる電圧加算回路と電圧減算回路を示す回路である。
電圧加算回路は、第1の入力電圧Vを入力するMOS差動対(M1、M2)、(M3、M4)と、第2の入力電圧Vを入力するMOS差動対(M9、M10)、(M11、M12)を有する。第1の入力電圧Vを入力するMOS差動対(M1、M2)、(M3、M4)のそれぞれ一方のMOSトランジスタM1、M3のゲートには第1の入力電圧Vが入力され、他方のMOSトランジスタM2、M4はダイオード接続されドレイン・ゲート接続点が正相出力端子、逆相出力端子をそれぞれ構成している。
電圧減算回路は、第1の入力電圧Vを入力するMOS差動対(M5、M6)、(M7、M8)と、第2の入力電圧Vを入力する前記MOS差動対(M9、M10)、(M11、M12)を有する(ただし、MOS差動対(M9、M10)、(M11、M12)は前記電圧加算回路と共用される)。第1の入力電圧Vを入力するMOS差動対(M5、M6)、(M7、M8)のそれぞれ、一方のMOSトランジスタM5、M7のゲートには第1の入力電圧Vxが入力され、他方のMOSトランジスタM6、M8はダイオード接続されドレイン・ゲート接続点が正相出力端子、逆相出力端子をそれぞれ構成している。
第2の入力電圧Vを入力するMOS差動対(M9、M10)、(M11、M12)の、それぞれ、一方のMOSトランジスタM9、M11のゲートには、第2の入力電圧Vの正相信号(VCM+V/2)と逆相信号(VCM−V/2)が入力され、他方のそれぞれのMOSトランジスタM10、M12のゲートには、第2の入力電圧Vのコモンモード電圧VCMが入力される。
第2の入力電圧Vの正相信号(VCM+V/2)と逆相信号(VCM−V/2)がそれぞれ入力されるMOSトランジスタM9、M11のドレイン電流のミラー電流が、第1のカレントミラー回路(M17、M13)、第2のカレントミラー回路(M19、M14)を介して、それぞれ、電圧加算回路のMOSトランジスタM2、M4のドレイン・ゲート接続点(正相出力端子、逆相出力端子)に供給される。
第2の入力電圧Vのコモンモード電圧VCMがそれぞれ入力されるMOSトランジスタM10、M12のドレイン電流のミラー電流が、第3のカレントミラー回路(M18、M15)、第3のカレントミラー回路(M20、M16)を介して、電圧減算回路のMOSトランジスタM6、M8のドレイン・ゲート接続点(正相出力端子、逆相出力端子)に供給される。
MOSトランジスタM2、M4のそれぞれのドレイン・ゲート接続点(正相、逆相出力端子)から、第1の入力電圧(差動入力電圧)Vと第2の入力電圧(差動入力電圧)Vの電圧加算値V+Vが差動出力される。MOSトランジスタ(M6、M8)のそれぞれのドレイン・ゲート接続点(正相、逆相出力端子)から、第1の入力電圧(差動入力電圧)Vと第2の入力電圧(差動入力電圧)Vの電圧減算値V−Vが差動出力される。
図9は、本願請求項1に記載された乗算回路の一実施例を示す回路構成を示す図である。MOS差動対を用いた電圧加算回路は、図4の構成とされる。図9において、差動対(M1、M2)、(M3、M4)、(M10、M9)、(M11、M12)、カレントミラー(M17、M13)、(M19、M14)は、図8の電圧加算回路に対応し、差動対(M21、M22)とダイオード接続されたMOSトランジスタM23は、図6の2乗回路(差動対(M1、M2)とダイオード接続されたMOSトランジスタM3)に対応し、式(23)にしたがって、MOSトランジスタM23のドレイン・ゲート接続端子VSQ1から、電圧加算回路の出力電圧(V+V)(M2のドレイン・ゲート接続端子とM4のドレイン・ゲート接続端子の差電圧)の2乗(V+Vに比例した電圧を出力する。
差動対(M5、M6)、(M7、M8)、(M10、M9)、(M11、M12)、カレントミラー(M18、M15)、(M20、M16)は、図8の電圧加算回路に対応し、差動対(M24、M25)とダイオード接続されたMOSトランジスタM26は、図6の2乗回路(差動対(M1、M2)とダイオード接続されたMOSトランジスタM3)に対応し、MOSトランジスタM26のドレイン・ゲート接続端子VSQ2から、電圧減算回路の出力電圧(V−V)(M6のドレイン・ゲート接続端子とM8のドレイン・ゲート接続端子の差電圧)の2乗(V−Vに比例した電圧を出力する。
本願請求項1の2乗回路は、差動入力電圧を必要とするため、図8、図9に示したように、図4の電圧加算回路を2組用いて差動出力電圧を得ている。
図8を参照すると、
IN=VCM+V/2、
IN’=VCM−V/2
を2組の電圧加算回路のMOS差動対(M9、M10)、MOS差動対(M11、M12)のそれぞれの一方のトランジスタM9、M11のゲートに与え、MOS差動対(M9、M10)、MOS差動対(M11、M12)の他方のトランジスタM10、M12のゲートにはコモンモード電圧VCMを印加する。
また、
REF=VCM+V/2、
REF’=VCM−V/2
(ただし、VCMはVのコモンモード電圧)を、MOS差動対(M1、M2)、MOS差動対(M3、M4)のそれぞれの一方のトランジスタM1、M3のゲートにそれぞれ与え、MOS差動対(M1、M2)、MOS差動対(M3、M4)のそれぞれの他方のトランジスタM2、M4のそれぞれの正相出力端子(M2のドレイン・ゲート接続点)と逆相出力端子(M4のドレイン・ゲート接続点)には、電圧VOUT、OUT’として、
OUT=2VCM+V/2+V/2、
OUT’=2VCM−V/2−V/2
が現れ、差動出力電圧(差動加算電圧)VOUTOUT’=V+Vyが得られる。
さらに、電圧減算回路も、図4に示される電圧加算回路を2組用いることで実現でき、差動出力電圧を得ることができる。ただし、2組の電圧加算回路のVREFとVREF’の印加電圧を入れ替える。MOS差動対(M5、M6)、MOS差動対(M7、M8)のそれぞれの一方のトランジスタM5、M7には、VCM+V/2、VCM−V/2がそれぞれ印加され、他方のトランジスタM6、M8の正相出力端子(M6のドレイン・ゲート接続点)と逆相出力端子(M8のドレイン・ゲート接続点)には、電圧VOUT、OUT’として、
OUT=2VCM+V/2−V/2、
OUT’=2VCM−V/2+V/2
が現れ、差動出力電圧(差動減算電圧)VOUTOUT’=V−Vが得られる。
こうして得られた電圧加算回路と電圧減算回路(図8、図9)を見比べると、V入力と出力はそのままにして、V入力側(MOS差動対(M9、M10)、(M11、M12)、カレントミラーの入力側(M17、M19、M18、M20)は、電圧加算回路と電圧減算回路とで共用化できる。すなわち、図8のように、V入力側の2組の差動対では、それぞれのトランジスタに流れる電流をカレントミラー回路でそれぞれの4つの出力端子に電流を供給することで、2組の差動対を削減できる。
ここで、電圧加算回路と電圧減算回路の動作範囲は、MOS差動対の動作範囲と等しくなり、
Figure 0004918012
となる。
(29)式と(30)式の右辺が等しくなるように設定すれば動作範囲が最大となる。すなわち、
Figure 0004918012
に設定すれば良い。
図10は、本願請求項3に記載された乗算回路に用いる2乗和回路を示す回路構成を示す図である。ソースが共通接続され、ダイオード接続された電流源MOSトランジスタM5のドレインに接続されたMOS差動対(M1、M2)、(M3、M4)を備え、MOS差動対(M1、M2)はゲートに第1の電圧Vを差動入力し、MOS差動対(M3、M4)はゲートに第2の電圧Vを差動入力する。
入力対を構成する差動MOSトランジスタ対(M1、M2)と(M3、M4)の各ドレイン電流ID1〜ID4は次式で表される。
D1=β(VCM+V/2−VSQ−VTH (32)
D2=β(VCM−V/2−VSQ−VTH (33)
D3=β(VCM+V/2−VSQ−VTH (34)
D4=β(VCM−V/2−VSQ−VTH (35)
D5=4β(VSQ−VTH (36)
ここで、
D1+ID2+ID3+ID4=ID5 (37)
であることから、これを解くと
Figure 0004918012
と求められ、差動入力電圧の2乗電圧の和電圧が得られる。
式(38)において留意すべき点は、2乗和回路の出力にはトランスコンダクタンスパラメータβが掛らなく、2乗和電圧(V +V )の係数は、
1/{16(VCM−2VTH)}となっており、この係数を温度で一定になるように設定することで、温度特性を持たない2乗和回路が実現できる。
ちなみに、これまでの2乗和回路では、2乗和電圧(V +V )の係数にトランスコンダクタンスパラメータβが掛かり、トランスコンダクタンスパラメータβが負の温度特性を持つために、出力電圧は負の温度特性を持つのが一般的であった。
次に、動作電圧範囲を求めてみる。
(32)式〜(35)式において、MOSトランジスタM1、M2、M3、M4に電流が流れる条件は
CM+V/2−VSQ−VTH,VCM−V/2−VSQ−VTH≧0 (39)
CM+V/2−VSQ−VTH,VCM−V/2−VSQ−VTH≧0 (40)
であるから、(38)式を代入してこれを解くと、

Figure 0004918012

Figure 0004918012
したがって、動作範囲(V,V)は、(41)式でV=0とおいて

Figure 0004918012
図11に示すように、図10の2つの2乗和回路(差動対(M1、M2)、(M3、M4)と電流源M5からなる2乗和回路、差動対(M6、M7)、(M8、M9)と電流源M10からなる2乗和回路)にそれぞれ、V+Vの差動入力電圧(いずれのコモンモード電圧もVCMとする)とコモンモード電圧VCM、VとVの差動入力電圧(いずれのコモンモード電圧もVCMとする)を印加すれば、2つの2乗和回路の出力VSQ1とVSQ2の差動出力電圧は
Figure 0004918012
と求められ、2信号VとVの積Vが得られる。したがって、乗算回路が実現できる。
式(43)において留意すべき点は、乗算回路の出力にはトランスコンダクタンスパラメータβが掛らなく、積(乗算)電圧Vの係数は1/{8(VCM−2VTH)}となっており、この係数を温度で一定になるように設定することで温度特性を持たない2乗回路が実現できる。
ちなみに、これまでの乗算回路では、(17)式に示すように、積(乗算)電圧VxVyの係数にトランスコンダクタンスパラメータβが掛かり、トランスコンダクタンスパラメータβが負の温度特性を持つために、出力電圧は負の温度特性を持つのが一般的であった。
図12は本願請求項4に記載された乗算回路に用いる電圧加算回路を示す回路である。図13は本願請求項3に記載された乗算回路の一実施例を示す回路構成を示す図である。
図12において、MOS差動対を用いた電圧加算回路は、図4に示されている。電圧加算回路は、GNDに一端が接続された第1の電流源(I00)と、第1の電流源(I00)に共通接続されたソースが接続されたMOSトランジスタ対であって、ドレインが電源VDDに接続され第1の入力信号Vxの正相電圧信号(VCM+V/2)をゲートに受けるMOSトランジスタM1と、ダイオード接続されたMOSトランジスタM2とを含む第1のMOS差動対(M1、M2)と、
GNDに一端が接続された第2の電流源(I00)と、第2の電流源(I00)に共通接続されたソースが接続されたMOSトランジスタ対であって、ドレインが電源VDDに接続され第1の入力信号Vxの逆相電圧信号(VCM+V/2)をゲートに受けるMOSトランジスタM3と、ダイオード接続されたMOSトランジスタM4とを含む第2のMOS差動対(M2、M4)と、
GNDに一端が接続された第3の電流源(I00)と、第3の電流源(I00)に共通接続されたソースが接続されたMOSトランジスタ対であって、第2の入力信号Vyの正相電圧信号(VCM+V/2)をゲートに受けるMOSトランジスタM6と、ドレインが電源VDDに接続され第2の入力信号のコモンモード電圧VCMをゲートに受けるMOSトランジスタM5とを含む第3のMOS差動対(M5、M6)と、
GNDに一端が接続された第4の電流源(I00)と、第4の電流源(I00)に共通接続されたソースが接続されたMOSトランジスタ対であって、第2の入力信号Vyの逆相電圧信号(VCM−V/2)をゲートに受けるMOSトランジスタM7と、ドレインが電源VDDに接続され第2の入力信号のコモンモード電圧VCMをゲートに受けるMOSトランジスタM8とを含む第4のMOS差動対(M7、M8)と、
第3のMOS差動対のMOSトランジスタM6のドレインに入力が接続され、出力が第1のMOS差動対の前記ダイオード接続されたMOSトランジスタM2に接続された第1のカレントミラー回路(M11、M9)と、
第4のMOS差動対のMOSトランジスタM7のドレインに入力が接続され、出力が第2のMOS差動対の前記ダイオード接続されたMOSトランジスタM4に接続された第2のカレントミラー回路(M12、M10)と、を備えている。図12のMOS差動対(M1、M2)、(M3、M4)は、図8のMOS差動対(M1、M2)、(M3、M4)に対応し、図12のMOS差動対(M5、M6)、(M7、M8)は図8のMOS差動対(M9、M10)、(M11,M12)に対応し、図12のカレントミラー(M9、M11)、(M10、M12)は、図8のカレントミラー(M13、M17)、(M14、M19)に対応し、MOSトランジスタM2のドレイン・ゲート接続点には2VCM+V/2+V/2が現れ、MOSトランジスタM4のドレイン・ゲート接続点には2VCM+V/2−V/2が現れ、MOSトランジスタM2、M4のドレイン・ゲート接続点間に、差動加算電圧V+Vが出力される。
図13を参照すると、本願請求項3の2乗和回路は差動入力電圧を必要とするから、図4に示される電圧加算回路を2組用いて差動出力電圧を得る。なお、図13の差動対(M1、M2)、(M3、M4)と電流源M5、差動対(M6、M7)、(M8、M9)と電流源M10は、図11の構成のそれぞれに対応している。
図13において、
IN=VCM+V/2、
IN’=VCM−V/2
とし、それぞれのMOS差動対(M15、M16)、(M17、M18)の一方のトランジスタM16、M17のゲートに入力し、他方のトランジスタM15、M18のゲートにはコモンモード電圧VCMを印加する。
また、
REF=VCM+V/2、
REF’=VCM−V/2
とし、それぞれのMOS差動対(M11、M12)、(M13、M14)の一方のトランジスタM11、M13のゲートに入力し、他方のMOSトランジスタM12、M14のドレイン・ゲート接続端子に、出力電圧、
OUT=2VCM+V/2+V/2、
OUT’=2VCM−V/2−V/2
がそれぞれ現れ、MOSトランジスタM12、M14のドレイン・ゲート接続端子間の差動出力電圧V+Vが、差動対(M1、M2)のゲートに差動入力される。差動対(M3、M4)のゲートにはVCMが共通に入力される。また、図11と同様、差動対(M6、M7)のゲートにはVxが差動入力され、差動対(M8、M9)のゲートにはVyが差動入力される。
ここで、電圧加算回路の動作範囲は、MOS差動対の動作範囲と等しくなり、
Figure 0004918012
となる。
(41)式、および(42)式と(44)式の右辺が等しくなるように設定すれば動作範囲が最大となるが、上述した菱形の内側ではなく、菱形に内接する円が最大動作点となり、すなわち、(41)式、および(42)式でV=Vとおいて求められる。
この時に、
Figure 0004918012
に設定すれば良い。
本発明の活用例として、アナログ信号処理回路、整流回路や検波器、周波数変換回路や自動利得制御回路としての利用等が考えられる。
従来のクァドリテールセルで構成される乗算器コア回路の構成を示す図である。 従来のクァドリテールセルで構成される乗算器コア回路の差動出力電流特性を示す図である。 従来のクァドリテールセルで構成される乗算器コア回路の動作範囲を示す図である。 従来の電圧加算回路の構成を示す図である。 従来の乗算回路の構成を示す図である。 本発明の乗算回路に用いる2乗回路の構成を示す図である。 本発明の2つの乗算回路を用いた乗算回路の構成を示す図である。 本発明の乗算回路に用いる電圧加算回路と電圧減算回路の構成を示す図である。 本発明の電圧加算回路と電圧減算回路を用いた乗算回路の構成を示す図である。 本発明の乗算回路に用いる2乗和回路の構成を示す図である。 本発明の2つの乗算和回路を用いた乗算回路の構成を示す図である。 本発明の乗算回路に用いる電圧加算回路の構成を示す図である。 本発明の電圧加算回路を用いた乗算回路の構成を示す図である。
符号の説明
00 定電流源
D1〜ID9 ドレイン電流
M1〜M26 MOSトランジスタ
、Y 入力電圧
CM コモンモード電圧

Claims (8)

  1. 第1の入力電圧と第2の入力電圧を入力し、前記第1の入力電圧と前記第2の入力電圧の差動加算電圧と差動減算電圧をそれぞれ出力する電圧加算回路と電圧減算回路と、
    ダイオード接続された第1のMOSトランジスタと、前記第1のMOSトランジスタに縦積み(カスコード接続)され前記差動加算電圧を入力する第1の差動MOSトランジスタ対と、を備えた第1の2乗回路と、
    ダイオード接続された第2のMOSトランジスタと、前記第2のMOSトランジスタに縦積み(カスコード接続)され前記差動加算電圧を入力する第2の差動MOSトランジスタ対と、を備えた第2の2乗回路と、
    を有し、
    前記第1、第2の2乗回路の出力が、それぞれ、前記ダイオード接続された第1、第2のMOSトランジスタの第1、第2の端子電圧であり、前記第1、第2の端子電圧の差動電圧が、前記第1の入力電圧と前記第2の入力電圧の積に対応する、ことを特徴とする乗算回路。
  2. 前記電圧加算回路が、
    前記第1の入力電圧をそれぞれ入力する第1、第2のMOS差動対を備え、
    前記電圧減算回路が、
    前記第1の入力電圧をそれぞれ入力する第3、第4のMOS差動対を備え、
    前記電圧加算回路と前記電圧減算回路に共通に、
    前記第2の入力電圧をそれぞれ入力する第5、第6のMOS差動対を備え、
    前記電圧加算回路において、
    前記第1のMOS差動対の一方のMOSトランジスタのゲートには、前記第1の入力電圧の正相信号が入力され、他方のMOSトランジスタはダイオード接続されて正相出力端子を構成し、
    前記第2のMOS差動対の一方のMOSトランジスタのゲートには前記第1の入力電圧の逆相信号が入力され、他方のMOSトランジスタはダイオード接続されて逆相出力端子を構成し、
    前記電圧減算回路において、
    前記第3のMOS差動対の一方のMOSトランジスタのゲートには前記第1の入力電圧の正相信号が入力され、他方のMOSトランジスタはダイオード接続されて正相出力端子を構成し、
    前記第4のMOS差動対の一方のMOSトランジスタのゲートには前記第1の入力電圧の逆相信号が入力され、他方のMOSトランジスタはダイオード接続されて逆相出力端子を構成し、
    前記第5のMOS差動対の一方のMOSトランジスタのゲートには前記第2の入力電圧の正相信号が入力され、他方のMOSトランジスタのゲートにはコモンモード電圧が入力され、
    前記第6のMOS差動対の一方のMOSトランジスタのゲートには前記第2の入力電圧の正相信号が入力され、他方のMOSトランジスタのゲートにはコモンモード電圧が入力され、
    前記第5、第6のMOS差動対の前記第2の入力電圧の正相、逆相信号がそれぞれ入力される前記一方のMOSトランジスタに流れるそれぞれの電流が、第1、第2のカレントミラー回路を介して、前記電圧加算回路のそれぞれ正相、逆相出力端子に電流が供給され、
    前記第5、第6のMOS差動対の前記第2の入力電圧のコモンモード電圧がそれぞれ入力される前記他方のMOSトランジスタに流れるそれぞれの電流が、第3、第4のカレントミラー回路を介して、前記電圧減算回路のそれぞれ正相、逆相出力端子に電流が供給される、ことを特徴とする請求項1記載の乗算回路。
  3. 電圧加算回路に第1の入力電圧と第2の入力電圧が入力されて前記第1の入力電圧と前記第2の入力電圧の差動加算電圧を出力し、
    前記差動加算電圧とコモンモード電圧がそれぞれ入力される第1、第2のMOS差動対と、
    前記第1の入力電圧と前記第2の入力電圧がそれぞれ入力される第3、第4のMOS差動M対と、
    を有し、
    前記第1と第2のMOS差動対と、前記第3と第4のMOS差動対とがそれぞれダイオード接続されたMOSトランジスタに縦積みされ、それぞれの端子電圧の差動電圧が、前記第1の入力電圧と前記第2の入力電圧の積である、ことを特徴とする乗算回路。
  4. 請求項3記載の乗算回路において、
    前記電圧加算回路が、請求項2に記載の電圧加算回路である、ことを特徴とする乗算回路。
  5. 前記第1の2乗回路において、
    前記第1の差動MOSトランジスタ対は、ソースが共通接続され、ドレインが第1の電源に共通に接続され、ゲートに入力電圧を差動で受け、
    前記第1のMOSトランジスタは、ソースが第2の電源に接続され、ドレインが前記第1の差動MOSトランジスタ対の共通ソースに接続され、ドレインとゲートが接続され、
    前記第2の2乗回路において、
    前記第2の差動MOSトランジスタ対は、ソースが共通接続され、ドレインが前記第1の電源に共通に接続され、ゲートに入力電圧を差動で受け、
    前記第2のMOSトランジスタは、ソースが前記第2の電源に接続され、ドレインが前記第2の差動MOSトランジスタ対の共通ソースに接続され、ドレインとゲートが接続され、
    前記第1、第2のMOSトランジスタのドレインからそれぞれ、前記入力電圧の2乗に比例した電圧が得られる、ことを特徴とする請求項1記載の乗算回路。
  6. ソースが共通接続されドレインが第1の電源に共通に接続された第1、第2、第3、第4のMOSトランジスタと、
    ソースが第2の電源に接続されドレインが前記第1乃至第4のMOSトランジスタの共通ソースに接続され、ドレインとゲートが接続された第5のMOSトランジスタと、
    を備え、
    前記第1のMOSトランジスタのゲートと前記第2のMOSトランジスタのゲートに第1の入力信号を差動で受け、
    前記第3のMOSトランジスタのゲートと前記第4のMOSトランジスタのゲートに第2の入力信号を差動で受け、
    前記第5のMOSトランジスタのドレインから、前記第1の入力信号の電圧と前記第2の入力信号の電圧の2乗和に比例した電圧が得られる、ことを特徴とする乗算回路。
  7. 請求項6記載の乗算回路を2つ備え、
    前記第1の乗算回路に差動で入力される前記第1の入力信号と前記第2の入力信号として、第1の電圧信号と第2の電圧信号の電圧加算値と、前記第1の電圧信号のコモンモード電圧とがそれぞれ入力され、
    前記第2の乗算回路に差動で入力される前記第1の入力信号と前記第2の入力信号として、前記第1の電圧信号と前記第2の電圧信号とがそれぞれ入力され、
    前記第1の乗算回路の前記第5のMOSトランジスタのドレインと、前記第2の乗算回路の前記第5のMOSトランジスタのドレインとの差電圧より、前記第1の電圧信号と前記第2の電圧信号の電圧の乗算値に対応する電圧が得られる、ことを特徴とする乗算回路。
  8. 前記第1の信号電圧と前記第2の信号電圧の電圧加算値を得る電圧加算回路を備え、
    前記電圧加算回路は、
    前記第2の電源に一端が接続された第1の電流源と、
    共通接続されたソースが前記第1の電流源の他端に接続されたMOSトランジスタ対であって、ドレインが前記第1の電源に接続され前記第1の電圧信号の正相電圧信号をゲートに受けるMOSトランジスタと、ダイオード接続されたMOSトランジスタとを含む第1のMOS差動対と、
    前記第2の電源に一端が接続された第2の電流源と、
    共通接続されたソースが前記第2の電流源の他端に接続されたMOSトランジスタ対であって、ドレインが前記第1の電源に接続され前記第1の電圧信号の逆相電圧信号をゲートに受けるMOSトランジスタと、ダイオード接続されたMOSトランジスタとを含む第2のMOS差動対と、
    前記第2の電源に一端が接続された第3の電流源と、
    共通接続されたソースが前記第3の電流源の他端に接続されたMOSトランジスタ対であって、前記第2の電圧信号の正相電圧信号をゲートに受けるMOSトランジスタと、ドレインが前記第1の電源に接続され前記第2の電圧信号のコモンモード電圧をゲートに受けるMOSトランジスタとを含む第3のMOS差動対と、
    前記第2の電源に一端が接続された第4の電流源と、
    共通接続されたソースが前記第4の電流源の他端に接続されたMOSトランジスタ対であって、前記第2の電圧信号の逆相電圧信号をゲートに受けるMOSトランジスタと、ドレインが前記第1の電源に接続され前記第2の電圧信号のコモンモード電圧をゲートに受けるMOSトランジスタとを含む第4のMOS差動対と、
    前記第3のMOS差動対の前記第2の電圧信号の正相電圧信号をゲートに受けるMOSトランジスタのドレインに入力が接続され、出力が前記第1のMOS差動対の前記ダイオード接続されたMOSトランジスタに接続された第1のカレントミラー回路と、
    前記第4のMOS差動対の前記第2の電圧信号の逆相電圧信号を入力するMOSトランジスタのドレインに入力が接続され、出力が前記第2のMOS差動対の前記ダイオード接続されたMOSトランジスタに接続された第2のカレントミラー回路と、
    を備え、
    前記第1のMOS差動対のダイオード接続されたMOSトランジスタのドレインと、前記第2のMOS差動対のダイオード接続されたMOSトランジスタのドレインから、前記第1の電圧信号と前記第2の電圧信号の電圧加算値が差動で出力される、ことを特徴とする請求項7記載の乗算回路。
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