JP4916083B2 - 半導体構成要素の製造法 - Google Patents
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Description
(技術分野)
本発明は、電力電子工学の分野に関する。本発明は、請求項1及び8のプレアンブルよる半導体構成要素の製造法、及び請求項11のプレアンブルによる半導体要素に関する。
【0002】
(背景技術)
例えば、IGBT(絶縁ゲートバイポーラトランジスタ)の実施例などのような半導体電力スイッチが、最善の実現可能な電気的特性を得るためには、該半導体要素の活性ゾーンの厚みは、可能な限り小さくなるように選択しなければならない。
【0003】
例示として、厚みは、オン状態損失、及び電子雪崩降伏電圧に直接的に影響を与える。従って、60から1800Vの降伏電圧の場合には、半導体要素の厚みは、60から250μmであるのが望ましい。しかしながら、100ミリメートル又はそれよりも大きい直径を有するウェハーは、製造中に破壊する危険性を最小にするためには、少なくとも300μmの厚みを有さなければならないので、その様に厚みが小さいことは、半導体要素の製造に大きな問題を提起する。
【0004】
従来技術では、通常、所謂エピタキシシャル成長法によって、突き抜け電力用半導体(PT)のこの厚みの問題を解決してきた。この方法において、電気的活性層が、400から600μmの比較的大きな厚みを有するキャリヤ基板上に成長する。この場合、半導体要素の意図された絶縁強度が大きければ大きいほど、活性層を厚くしなければならないと言う法則が当てはまる。しかしながら、この層を利用することは、非常に時間がかかり、また高価である。
【0005】
より大きな降伏電圧に対しては、従来技術では、バッファとも呼ばれる阻止層が、キャリヤ層と電気的活性ゾーンの間に導入されることが好ましい。電界がアノードに届く場合には、半導体要素が破壊される恐れがあるので、阻止する場合には、前記阻止層は、電界を電極の前で急激に減少させるように働き、それによって電界を前記アノードに近付けないようにする。透過性のアノードエミッタと組み合わせて、阻止層は更に、アノードエミッタの注入効率に影響を与える。このタイプの阻止層、及び透過性のアノードエミッタを具備するサイリスタは、欧州特許公開第0,700,095号に記載されている。
【0006】
非突き抜け電力用半導体の製造の場合、エピタキシシャル成長法ではなく、例えば、Darryl Burns等の、”NPT−IGBT−Optimaizing for manufacturability”、IEEE、109ページ−112ページ、0−7803−3106−0/1996、Andreas Karlの、IGBT Modules Reach New Levels of Efficiency、PCIM Europe、1998年1月発行、8ページ−12ページ、及びJ.Yamasita等の、A novel effective switching loss estimation of non−punchthrough IGBTs、IEEE、331ページ−334ページ、0−7803−3993−2/1997、で記載されている方法が利用される。この方法では、エピタキシャル層のない比較的厚いウェハーが、出発原料として使用される。典型的な厚みは、400から600μmである。第1段階において、ウェハーはカソード側で処理され、即ち、光リソグラフィー、イオン注入、拡散、エッチング、及び他の半導体要素の製造に必要な処理が実行される。第2段階で、ウェハーはカソードとは反対側で、その所望の厚みに低減される。これは、通常の技術で、一般的には研磨、及びエッチングによって行われる。第3段階では、次にアノードがこの低減された側で拡散される。
【0007】
ドイツ特許公開第19829614は、エピタキシャル成長法を利用する必要のない、比較的薄い半導体要素を製造可能にするPTタイプに基づく、電力用半導体要素の製造法が開示されている。この目的のために、電気的に必要な厚みよりも大きい厚みを有する阻止層が、低濃度にドーピングしたベースゾーンに導入され、次いで半導体要素のカソード側のパターン形成表面の実現処理段階が実行され、その後、阻止層の厚みが、研削及び/又は研磨によって、電気的に必要なサイズに低減される。その結果、比較的厚いウェハー上でカソード処理段階を実行することが可能になり、それによって破壊の危険が小さくなる。それでも尚、後続のウェハー薄化により、厚みを所望の小さな厚さを有する半導体要素を製造することができる。仕上がった半導体要素の最小限の厚みは、その開始時材料が達成可能な最小限の厚みによっては、もはや制限されない。更に有利なことは、残りの阻止層のドーピングが比較的低濃度であるので、エミッタ効率は、アノードエミッタのドーピングによって設定することができる。
【0008】
欧州特許公開第1,017,093号もまた、まだ公告されていないが、やはり同様な半導体要素の製造法を説明している。この方法によって、典型的な厚みが30から180μmを有する比較的薄い半導体要素の製造が可能になる。この方法では、ガウス分布、又は誤差関数分布に相当するドーピング分布を採用するのが好ましい。従って、薄化の後、障壁ゾーンの残り全ては、残余ゾーン、又は末端であり、以後、末端障壁ゾーンと呼ぶ。ドーピング、及び次の薄化は、末端障壁ゾーンが、そのアノード表面で、少なくとも5×1014cm3、好ましくは1×1015cm3、及び最大で6×1016cm3、好ましくは1×1016cm3のドーピング密度を有するように実行される。これらの値は、出願人によって見出された実験に基づいた値に相当し、アノード効率上負の影響を避けるように意図されている。
【0009】
これらの実験に基づいた値を使用して良好な結果が得られるが、このようにして薄くした半導体要素の製造は、尚エピタキシャル成長法によるPT半導体要素の製造、及び薄化されていないNPT半導体要素の製造で得られた経験値に基づいている。従って、薄化半導体要素を最適化する可能性が全て開発されたものではない。
【0010】
(発明の開示)
従って、本発明の目的は、最適化された半導体要素を製造することができるように、薄型電力用半導体要素を製造するための上述の方法を改善することである。詳細には、その厚みをそれぞれの所望の絶縁強度に合わせて最適化することができることを意図している。
【0011】
この目的は、請求項1及び請求項8の特徴を有する方法、及び請求項11の特徴を有する半導体要素によって達成される。
【0012】
本発明によって、製造方法の定量的最適化、従って、薄型半導体要素の定量的最適化が可能になる。前記定量的最適化では、種々のパラメータ、及びそれらの互いの関係、特に、末端障壁ゾーンの不純物領域密度、末端障壁ゾーンのアノード表面の不純物密度、ベースの不純物密度、末端障壁ゾーンのドーピング分布の特性減衰長又はスロープ、及び更にはウェハーから生じるベースの、アノードからカソードまでの厚み、が考慮される。
【0013】
本方法の第1の変形形態において、それぞれの所要の絶縁強度に対し、末端障壁ゾーンの不純物領域密度の上限及び下限が定められる。この場合、該上下限は、上記で定められたパラメータに直接及び/又は間接的に依存して変化する。上限は、末端障壁ゾーンのドーピング分布の特性減衰長を考慮に入れ、下限は、式(8)による突き抜け電圧と、電子雪崩降伏電圧の比として定義される突き抜け度を考慮に入れる。
【0014】
本発明の第2の変形において、半導体要素は、表面における末端障壁ゾーンのドープ原子密度と末端障壁ゾーンの減衰長との積を、電子雪崩降伏電圧との固定的な関係に持ち込むことによって、最適化される。
【0015】
さらに別の有利な変形形態及び実施形態は、添付の特許請求の範囲から明らかになる。
【0016】
本発明による方法、及び、本発明の目的事項は、添付の図面に示される好ましい例示的実施形態を使用して、以下により詳細に説明される。
【0017】
(発明を実施するための最良の形態)
図1aから1bは、欧州公開特許第1,017,093号に詳細に記載されている薄型電力用半導体要素の製造法を示している。この方法は、特にIGBTの製造に適しているが、また、他の電力用半導体要素にも適用することができる。以下の本文において、本方法を包括的に論じるのではなく、最も本質的な段階のみを提示する。本方法の開始点は、単一構成型の、図1aに示されているような典型的には400−600μmの厚みを有する、一様にn-にドープされたウェハー1であることが好ましい。図1bに見られるように、拡散分布2は、ウェハー1内に生成され、該拡散分布は、ソース側(図2)で増加し、低濃度にnにドープされたゾーンから、高濃度にドーピングされたn-型ゾーンへの遷移が起こる。この場合、ドーピング分布の形状は、ガウス分布即ち誤差関数に相当することが好ましい。図1cに示されている次の段階で、n+にドープされたカソード3’を含むカソード構造体3、カソード・メタライゼーション(metalization)層4、及び好ましくは制御用電極7が、既知の処理によって設けられ、及び導入される。
【0018】
図1dによる次の段階では、ウェハー1の厚みは、次にアノード側で、残り全てが末端障壁ゾーン21になるように、好ましくは研磨及びエッチングによって低減される。この場合には、先の拡散分布ができるだけ深くなるように、できる限り平坦な側面を有し、低ドーピングされた末端障壁ゾーンであるのが好ましい。その後、p+にドープされた、透過性のアノードエミッタを含むアノードが、エッジゾーンの対応するドープによって前記末端障壁ゾーン21の表面上に導入される。その後、第2の金属層、アノードメタライゼーション層6が、接触接続の目的で、またこの側部に設けられる。
【0019】
本発明によれば、この製造法は、寸法基準の手法により定量的に最適化される。この場合、予め定められた、降伏電圧とも呼ばれる最大電子雪崩降伏電圧に関して、最適化がもたらされる。この寸法基準は、多様なパラメータ、及びそれらの互いの関係、特に、末端障壁ゾーンのドープ原子領域密度、アノード表面でのドープ原子密度、ウェハー及びそれから製造されたベースのドープ原子密度、末端障壁ゾーンの特性減衰長、及び半導体要素の厚み、より詳細には、アノードからカソードまでのベースの厚み、を考慮に入れている。
【0020】
以下は、本発明による方法の第1の変形形態による寸法規準を説明している。開始点は、ガウス分布型、又は誤差関数型での深い拡散分布から生成された末端障壁ゾーンによって形成される。所望の絶縁強度に応じて、末端障壁ゾーンのドープ原子領域密度に対して、下限値、又は上限値が特定される。この場合、上限は、末端障壁ゾーンのドーピング分布の特性減衰長を考慮に入れ、また下限は、以下に説明する突き抜け度を考慮に入れる。
【0021】
上限は、これを超えると、アノードの効率に無視できない影響を及ぼす範囲内で定義される。この上限に届かない限り、処理パラメータは更に制御可能な状態を維持し、欠陥半導体要素の数を、製造中少数に止めておくことができる。
【0022】
末端障壁ゾーンは、基本ドーピングN0と、及び近似的に少なくとも次の関数に従う付加的ドーピング分布とを有する。
【数7】
ここで、NSは、末端障壁ゾーンのアノード表面における不純物密度[cmー3]であり、N0は、ウェハー、又はそれから製造されたベースの不純物密度である。xは、pn接合に原点とする座標系のシステムにおける、末端障壁ゾーンからアノードに向かう位置[cm]であり、xは、図3に示すように、カソードに向かう方向に増加している。Lは、末端障壁ゾーンにおける減衰長であり、LSは、N(x=0)及びN(xj)を通る直線の傾きによって与えられ、xjは、ドープがベースドープN0の値の2倍になる点である。
【0023】
末端障壁ゾーンに含まれるドープ原子領域密度は、次式で与えられる。
【数8】
WPTは、さらに以下の文中で定義される。実際の場合には、NSは、カソードで0に減衰するので、該積分は、大きな誤差も無く∞と設定することができる。
【0024】
【数9】
(3)式は、従って、末端障壁ゾーンにおけるドープ原子領域密度を表面濃度NSの関数として定めている。最大許容表面濃度NS,max=1016cmー3から進んで、末端障壁ゾーンでは、従ってそ、れで最大ドープ原子領域密度Ntail,maxが得られ、それで上限
【数10】
が得られる。
【0025】
末端障壁ゾーンのドナー型がnの値を有する場合、ここでnは、室温で伝導帯に注入される電子数に相当し、式(4)による値は、nで除算される。
【0026】
ドープ原子領域密度の下限は、阻止動作において、末端障壁ゾーンにおける電子雪崩降伏に達する前に、電界を完全に低減することが必要な範囲において、定義される。詳細には、電界は、どのような状況であっても、電子雪崩降伏が生じる前にアノード拡散に到達してはならない。さもなければ、突き抜け降伏が生じ、それは、電子雪崩降伏とは対照的に、半導体の破壊を非常に引き起こしやすい。この場合、電子雪崩降伏開始時における最大電界Emaxは、次式を満足することを意図している。
【数11】
ここで、K=4010Vcmー5/8。
【0027】
阻止層における最小ドープ原子領域密度の計算は、最悪の場合を表すため、室温に限られる。より高温の場合には、電子雪崩降伏における増加した電界の強さのために、やはりより高いドープ原子領域密度が要求される。しかし、前記密度は、既述の上限よりは、まだ遙かに低い。同様のことが、同様に行われる理想化においても当てはまり、即ち、電子雪崩降伏の電圧収率は、100パーセントである。
【0028】
電子雪崩降伏の場合の電圧Vbr、PTと、厚さWPTを有するn型ベースとの間に、次の関係が存在し、ここで、WPTは、ベースのカソード表面までの距離、又は、ベースのpn接合までの距離xjとして定義される。
【数12】
ここでεSiは、ここではケイ素である、ウェハー材料の誘電定数で、この場合ほぼ11.9であり、ε0は、自由空間での誘電率を表す。qは、電子の電荷である。
【0029】
下限を決定するために、次に突き抜け度γが導入される。
【数13】
ここでVpunch-throughは、末端障壁ゾーンに働く電界の電圧を表している。この場合、Vpunch-throughは、定義により外部接点に印加される電圧であり、該点で電界は、x=xjである位置に阻止層がない時、0に近づいていく。
【数14】
したがって、次式となる。
【数15】
【0030】
電子雪崩降伏(Vbr、PT)の間の電界の分布は、ここでポアソンの方程式を使用して、Nbr、PT、及び、WPTから決定することができる。阻止層のある境界で、これらの条件から電界は次式で表される。
【数16】
【0031】
電界をE(WPT)から0に下げるために、ドープ原子領域密度の下限として、阻止層のドーピング分布の形状とは独立して、次式が必要である。
【数17】
この値は、数字で得ることができる。図4は、様々な降伏電圧値Vに対するγの関数として、ドープ原子領域密度の下限Ntail,minを示している。末端障壁ゾーンにおけるドナー型がn値である場合、図4にしたがうドープ原子領域密度の値は、nで除算される。
【0032】
以下は、本発明による方法の第2の変形形態による寸法規準を説明している。
開始点は、ドーピング濃度がほぼ次の式を有する末端障壁ゾーンによって、再び形成される。
【数18】
この場合、N0はやはりベースのドープであり、NSは、末端障壁ゾーンのアノード表面における表面濃度であり、Lは、末端障壁ゾーンにおけるドーピング分布の特性減衰長である。
【0033】
ベースの処理パラメータ幅W、ドーピング分布の特性長L、ベースのドーピング密度N0、及び末端障壁ゾーンの表面ドーピング密度NSは、本発明に基づく最適薄型電力用半導体要素を製造するために、相互に最適の関係にするよう意図されている。この場合、以下の基準を最適化のために満足する。
− 降伏電圧Vで、空間電荷ゾーンは、少なくともほぼ正確にアノードまで拡大する。
− 降伏電圧Vで、カソードの最大電界は、降伏電界に相当するように意図される。
− ベースの所定の厚さで、降伏電圧は最大になる。
【0034】
本方法のこの変形形態において、WはWbとして指示され、これは上記で使用したWPTとは異なっている。Wbはベースの幅であり、アノードpn接合からベースのカソード表面まで、又はベースのpn接合まで測定される。
【0035】
式(12)から、電界に対して、以下が得られる。
【数19】
exp(−Wb/L)<<1であるので、式(13)から次式が導かれる。
【数20】
【0036】
最大降伏電圧は、次式で与えられる。
【数21】
この場合、降伏電圧Vは、第1の変形で説明したVbr、PTに相当する。
【0037】
バッファ電荷は次式で定義される。
【数22】
またn型ベースの電荷は、次式で定義される。
【数23】
従って、以下の結果となる。
【数24】
ここで、降伏間の電界を考慮に入れると、
【数25】
となり、ここでK=4010・V・cm-6/8が通常成立し、最大電圧に対し、次の結果となる。
【数26】
【0038】
ベースの最適ドーピング密度は、接合部における電界が、最大電界に相当する場合のN0から計算することができる。
【数27】
(Wb/L)2>>1である場合、新しい変数Wred=Wb−Lを定義することができ、その結果、式(20)、及び(21)から次式が導かれる。
【数28】
【数29】
【0039】
最適降伏電圧は、それから計算することができ、
【数30】
また、やはりこの降伏電圧に適しているベース、又は半導体要素の最小厚みは、
【数31】
であり、これは数字的には、
【数32】
となり、ここで、Wは、μm、Vは、ボルトである。
これは、n型ベースの最適ドーピング密度に対して、次式を生じる。
【数33】
これは数字で表すと、
Nopt(cm-3で)=6.31 1017V-4/3(Volt-4/3で) (28)
この場合、8・1017V-1/8までのNoptに対する値は、使用可能な値を生じることが導かれる。
【0040】
末端障壁ゾーンの最適表面濃度に対し、最適バッファ電荷を計算することによって、次式が生じる。
【数34】
即ち、数字(Vはボルト、Nはcmー3、L及びWはμm)で表して、
【数35】
【数36】
【0041】
したがって、本方法のこの第2の変形形態は、表面における末端障壁ゾーンのドープ原子密度と、降伏電圧の関数としての末端障壁ゾーンの減衰長との積の間に、固定的な関係を生じる。NS、及びLに対し、少なくとも近似的に、前記積に相当する値が選択されると、最適の半導体要素が製造される。少なくとも近似的に、というのは、詳細には、係数Fが、0.5と1.2の間にあることを意味する。
Lに対して、5から10μmの長さが選択されることが好ましく、その結果、1015cmー3のオーダーの大きさの表面濃度NSを得ることが可能である。
【0042】
図5から7は、個別の処理パラメータ、又はその組合せの数値を示している。これらの数値は、本方法の第2の変形形態で使用された式を通じて得られたものである。図5は、一方で最適ベースドーピングNoptを、他方で最大降伏電圧Vmaxの関数としての最適ベース比抵抗を示している。図6は、半導体要素の最適の厚みWと、末端障壁ゾーンの特性長Lとの間の差を、最大降伏電圧Vmaxの関数として示しており、また図7は、表面濃度NSと、特性減衰長Lとの最適積を、最大降伏電圧Vmaxの関数として示している。
【0043】
上述の寸法規準を使用すれば、特定の意図された用途に最適化された半導体要素を製造することが可能であり、それらの開発時間、及びそれらの製造コストをも最小にすることが可能である。
【図面の簡単な説明】
【図1a】 欧州特許公開第1,017,093号による、開始材料から最終製品までの半導体要素の製造。
【図1b】 欧州特許公開第1,017,093号による、開始材料から最終製品までの半導体要素の製造。
【図1c】 欧州特許公開第1,017,093号による、開始材料から最終製品までの半導体要素の製造。
【図1d】 欧州特許公開第1,017,093号による、開始材料から最終製品までの半導体要素の製造。
【図1e】 欧州特許公開第1,017,093号による、開始材料から最終製品までの半導体要素の製造。
【図2】 拡散分布、及び図1bによる断面A−A’、及び図1eによる断面A−Bに沿った電界の阻止動作のグラフ図。
【図3】 アノードからの距離xの関数としてのドーピング密度のグラフ図。
【図4】 種々の電子雪崩降伏電圧値Vに対するγの関数としてのドープ原子領域密度の下限Ntail,minの下限値のグラフ図。
【図5】 最適ベースドーピングNoptと、最大電子雪崩降伏電圧Vの関数としての最適ベース比抵抗のグラフ図。
【図6】 半導体要素の最適厚さWと、最大降伏電圧関数としての末端障壁ゾーンの特性長さLの差のグラフ図。
【図7】 表面濃度Nと、最大降伏電圧Vの関数としての特性減衰長との最適積のグラフ。
Claims (5)
- カソードおよびアノードを含む半導体構成要素に、末端障壁ゾーンを生成する方法において、当該方法は、
カソード側および前記カソード側と反対側のアノード側を含む、不純物密度N 0 を有するウェハー上において、カソード金属被覆(メタライゼーション)を含むカソードが、前記カソード側で最初に生成されるステップと、
前記ウェハーの厚みを、前記アノード側で低減させるステップと、
前記ウェハーの厚みを低減した後、アノードが前記アノード側で生成されるステップを含み、
阻止層は、前記カソードを生成する前に、前記アノード側で導入され、そして、前記ウェハーの厚みを低減することによって、前記阻止層は、末端障壁ゾーンを除いて取り除かれることを特徴とする方法であって、
残された前記末端障壁ゾーンは、最小不純物領域密度と最大不純物領域密度との間にある不純物領域密度を有し、
前記最大不純物領域密度は、前記アノード側における前記末端障壁ゾーンの表面における最大表面不純物密度N S と、
前記最小不純物領域密度は、
を特徴とする末端障壁ゾーンを生成する方法。 - 前記最大表面不純物密度は、1016cm-3であることを特徴とする、請求項1に記載の方法。
- 突き抜け電圧と電子雪崩降伏電圧との比として定義される突き抜け度を用いて、カソードおよびアノードを含む半導体構成要素に、末端障壁ゾーンを生成する方法において、当該方法は、
カソード側および前記カソード側と反対側のアノード側を含む、不純物密度N 0 を有するウェハー上において、カソード金属被覆(メタライゼーション)を含むカソードが、前記カソード側で最初に生成されるステップと、
前記ウェハーの厚みを、前記アノード側で低減させるステップと、
前記ウェハーの厚みを低減した後、アノード金属被覆(メタライゼーション)を含むアノードが、前記アノード側で生成されるステップを含み、
阻止層は、前記カソードを生成する前に、前記アノード側で導入され、そして、前記ウェハーの厚みを低減することによって、前記阻止層は、末端障壁ゾーンを除いて取り除かれることを特徴とする方法であって、
残された前記末端障壁ゾーンは、
ただし、W red min は、前記ウェハーの厚さとドーピング分布減衰長Lとの間の差の最小厚みであり、Kは4010V*cm -3 であり、ε Si は前記ウェハーの誘電率であり、ε 0 は自由空間の誘電率であり、qは電子の電荷であること
を特徴とする末端障壁ゾーンを生成する方法。
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