JP4911708B2

JP4911708B2 - 電子写真感光体の製造方法および電子写真感光体、それを用いた画像形成装置、画像形成方法および画像形成装置用プロセスカートリッジ

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Publication number: JP4911708B2
Application number: JP2007067770A
Authority: JP
Inventors: 宜輝梁川; 美知夫木村; 望田元; 裕美多田; 哲也利根; 知幸島田; 千秋田中
Original assignee: Ricoh Co Ltd
Current assignee: Ricoh Co Ltd
Priority date: 2007-03-16
Filing date: 2007-03-16
Publication date: 2012-04-04
Anticipated expiration: 2027-03-16
Also published as: JP2008225411A

Description

本発明は複写機やレーザープリンター及びファクシミリ等の電子写真感光体の製造方法、およびそれを用いて形成した電子写真感光体、それを用いた画像形成装置、画像形成方法および画像形成装置用プロセスカートリッジに関する。
具体的には長期使用において極めて安定した電気特性および高い機械的耐久性を維持可能な電子写真感光体の製造方法および電子写真感光体、それを用いた画像形成装置、画像形成方法および画像形成装置用プロセスカートリッジに関する。

近年、有機感光体（ＯＰＣ）は良好な性能、様々な利点から、無機感光体に代わり複写機、ファクシミリ、レーザープリンター及びこれらの複合機に多く用いられている。この理由としては、例えば（ｉ）光吸収波長域の広さ及び吸収量の大きさ等の光学特性、(ii)高感度、安定な帯電特性等の電気的特性、（iii）材料の選択範囲の広さ、（iv）製造の容易さ、（ｖ）低コスト、（vi）無毒性、等が挙げられる。

一方、最近画像形成装置の小型化から感光体の小径化が進み、機械の高速化やメンテナンスフリーの動きも加わり感光体の高耐久化が切望されるようになってきた。この観点からみると、有機感光体は、表面層が低分子電荷輸送材料と不活性高分子を主成分としているため一般に柔らかく、電子写真プロセスにおいて繰り返し使用された場合、現像システムやクリーニングシステムによる機械的な負荷により摩耗が発生しやすいという欠点を有している。加えて高画質化の要求からトナー粒子の小粒径化に伴いクリーニング性を上げる目的でクリーニングブレードのゴム硬度の上昇と当接圧力の上昇が余儀なくされ、このことも感光体の摩耗を促進する要因となっている。このような感光体の摩耗は、感度の劣化、帯電性の低下などの電気的特性を劣化させ、画像濃度低下、地肌汚れ等の異常画像の原因となる。また摩耗が局所的に発生した傷は、クリーニング不良によるスジ状汚れ画像をもたらす。現状では感光体の寿命はこの摩耗や傷が律速となり、交換に至っている。
したがって、有機感光体の高耐久化においては前述の摩耗量を低減し、安定した電気特性を長期間に渡り維持することが不可欠であり、更に優れたクリーニング性、転写性を付与させるために、良好な表面性を有する有機感光体が必要とされており、これらが当分野でもっとも解決が迫られている課題である。

感光層の耐摩耗性を改良する技術としては、（１）表面層に硬化性バインダーを用いたもの（特許文献１）、（２）高分子型電荷輸送物質を用いたもの（特許文献２）、（３）表面層に無機フィラーを分散させたもの（特許文献３）等が挙げられる。これらの技術の内、（１）の硬化性バインダーを用いたものは、電荷輸送物質との相溶性が悪いためや重合開始剤、未反応残基などの不純物により残留電位が上昇し画像濃度低下が発生し易い傾向がある。また、（２）の高分子型電荷輸送物質を用いたもの、及び（３）の無機フィラーを分散させたものは、ある程度の耐摩耗性向上が可能であるものの、有機感光体に求められている耐久性を十二分に満足させるまでには至っていない。更に（３）の無機フィラーを分散させたものは、無機フィラー表面に存在するトラップにより残留電位が上昇し、画像濃度低下が発生し易い傾向にある。これら（１）、（２）、（３）の技術では、有機感光体に求められる電気的な耐久性、機械的な耐久性をも含めた総合的な耐久性を十二分に満足するには至っていない。

更に、（１）の耐摩耗性と耐傷性を改良するために多官能の硬化型アクリレートモノマーを含有させた感光体も知られている（特許文献４）。しかし、この感光体においては、感光層上に設けた保護層にこの多官能の硬化型アクリレートモノマーを含有させる旨の記載があるものの、この保護層においては電荷輸送物質を含有せしめてもよいことが記載されているのみで具体的な記載はなく、しかも、単に表面層に低分子の電荷輸送物質を含有させた場合には、上記硬化物との相溶性の問題があり、これにより、低分子電荷輸送物質の析出、クラックの発生が起こり、機械強度も低下してしまうことがあった。また相溶性向上のためにポリカーボネート樹脂を含有させる記載もあるが、硬化型アクリルモノマー含有量が減少し、結果的には十分な耐摩耗性を達成できていない。また表面層に電荷輸送物質を含まない感光体については、露光部電位低下のために表面層を薄膜とする記載があるが、膜厚が薄いために感光体の寿命が短い。また帯電電位や露光部電位の環境安定性が悪く温湿度環境の影響によりその値は大きく変動し、十分な値を維持するには至っていないのが現状である。

これらに代わる感光層の耐摩耗技術として、炭素−炭素二重結合を有するモノマーと、炭素−炭素二重結合を有する電荷輸送物質及びバインダー樹脂からなる塗工液を用いて形成した電荷輸送層を設けることが知られており（特許文献５）、このバインダー樹脂には、炭素−炭素二重結合を有し、上記電荷輸送物質に対して反応性を有するものと、上記二重結合を有せず反応性を有しないものが含まれる。この感光体は耐摩耗性と良好な電気的特性を両立させており注目されるが、バインダー樹脂として反応性を有しないものを使用した場合においては、バインダー樹脂と、上記モノマーと電荷輸送物質との反応により生成した硬化物との相溶性が悪く、層分離から架橋時に表面凹凸が生じ、クリーニング不良を引き起こす傾向が見られた。また、上記のように、この場合バインダー樹脂がモノマーの硬化を妨げるほか、この感光体において使用される上記モノマーとして具体的に記載されているものは２官能性のものであり、この２官能性モノマーでは官能基数が少なく充分な架橋密度が得られず、耐摩耗性の点では未だ満足するには至らなかった。また、反応性を有するバインダーを使用した場合においても、上記モノマーおよび上記バインダー樹脂に含有される官能基数の低さから、上記電荷輸送物質の結合量と架橋密度との両立は難しく、電気特性及び耐摩耗性も充分とは言えないものであった。

また、同一分子内に二つ以上の連鎖重合性官能基を有する正孔輸送性化合物を硬化した化合物を含有する感光層も知られている（特許文献６）。しかし、この感光層は嵩高い正孔輸送性化合物が二つ以上の連鎖重合性官能基を有するため硬化物中に歪みが発生し内部応力が高くなり、表面層の荒れや経時におけるクラックが発生しやすい場合があり、十分な耐久性を有していない。また硬化物中の歪みが大きいことから、膜密度が十分に向上されていない場合があり、十分に高い耐摩耗性を達成することができない。さらに、膜密度が低いために緻密な架橋膜が実現されておらず、酸化性ガスや湿度といった環境変化で特性が安定しないときがあり、実使用環境において残像が異常画像として発生することがあった。つまり長期に安定した画像出力が実現されていない。

さらに、電荷輸送性構造を有しない３官能以上のラジカル重合性モノマーと電荷輸送性構造を有する１官能のラジカル重合性化合物を硬化させた架橋型電荷輸送層も知られていおり（特許文献７〜２０）、電荷輸送性構造を有する１官能のラジカル重合性化合物を用いることにより、機械的および電気的な耐久性と同時に感光層のクラックを抑制している。しかし、架橋表面層の形成方法によっては、架橋型電荷輸送層の膜密度が十分高くない場合があり、そのような場合に緻密な架橋表面層が実現されず、酸化性ガスや湿度といった環境変化で特性が安定しないときがあり、実使用環境において残像が異常画像として発生することがあった。また架橋表面層を光硬化する際に電荷輸送性構造を有する化合物や機能性付与の目的で添加されている化合物についても高エネルギーの光が照射されることで、電荷輸送機能や付与したい機能を担う化合物の分解が避けられず安定した電気特性および電子写真感光体特性を維持することが困難であった。つまり長期に安定した高画質画像出力が実現されていない。

以上のようなことから、これら従来技術における電荷輸送性構造を化学結合させた架橋感光層を有する感光体においても、高い機械的耐久性と長期に安定した電気特性の両立は達成されておらず、長期間における高画質画像出力は実現されていない。つまり現状では充分な総合特性を有しているとは言えない。
特開昭５６−４８６３７号公報特開昭６４−１７２８号公報特開平４−２８１４６１号公報特許第３２６２４８８号公報特許第３１９４３９２号公報特開２０００−６６４２５号公報特開２００４─３０２４５０号公報特開２００４─３０２４５１号公報特開２００４─３０２４５２号公報特開２００５─０９９６８８号公報特開２００５─１０７４０１号公報特開２００５─１０７４９０号公報特開２００５─１１５３２２号公報特開２００５─１４０８２５号公報特開２００５─１５６７８４号公報特開２００５─１５７０２６号公報特開２００５─１５７２９７号公報特開２００５─１８９８２１号公報特開２００５─１８９８２８号公報特開２００６─７１８５６号公報

本発明は上記従来技術の有する課題に鑑みてなされたものであり、長期に渡り極めて安定した電気特性と高い機械的耐久性を維持することによって、長期間、高精細な画像を得ることができる電子写真感光体の製造方法、およびそれを用いて形成した電子写真感光体、それを用いた画像形成装置、画像形成方法および画像形成装置用プロセスカートリッジを提供することを目的とする。

本研究者らは上記目的を達成すべく鋭意研究を重ねた結果、導電性支持体上に少なくとも感光層と表面保護層を有する電子写真感光体において、該表面保護層が少なくともラジカル重合性化合物を光硬化することにより形成された後、該表面保護層にアルキルアミノ基を有する化合物を少なくとも一種以上含む超臨界流体及び／または亜臨界流体を接触させることによって、長期に渡って極めて安定な電気特性と高い機械的耐久性を維持することができる電子写真感光体が作製できることを見いだした。つまり、本発明では硬化終了後の架橋表面保護層にアルキルアミノ基を有する化合物を含む超臨界流体及び／又は亜臨界流体を接触させることで、十分に発達した架橋膜中にアルキルアミノ基を有する化合物を注入することができるため、架橋密度が極めて高く、より緻密な架橋表面保護層を構築することができ、高い機械的耐久性が実現される。また、一般的にアルキルアミノ基を有する化合物は光硬化に必要な波長領域に大きな吸光係数を有していることが多く、ラジカル重合性化合物の重合を阻害することが知られているが、本発明においては光硬化後にアルキルアミノ基を有する化合物の注入を行なうのでこの影響も受けない。また、この様にして作製した電子写真感光体を用いれば、架橋表面保護層中のアルキルアミノ基を有する化合物に高エネルギー光が照射されずに済み、従って架橋表面層におけるアルキルアミノ基を有する化合物の劣化が極めて少なく、長期間に渡り安定した電気特性を維持することが可能となる。従って高い機械的耐久性と長期に渡り安定した電気特性の両立が可能となった。

すなわち、本発明は以下の構成要件により完成するに至った。
（１）導電性支持体上に少なくとも感光層と表面保護層を有する電子写真感光体において、該表面保護層が少なくともラジカル重合性化合物を光硬化することにより形成された後、該表面保護層にアルキルアミノ基を有する化合物を少なくとも一種以上含む超臨界流体及び／または亜臨界流体を接触させることを特徴とする電子写真感光体の製造方法。

（２）前記アルキルアミノ基を有する化合物の少なくとも一種が一般式（１）で表される化合物であることを特徴とする前記（１）記載の電子写真感光体の製造方法。
（式中、Ｒ₁、Ｒ₂は、芳香環基置換もしくは無置換の炭素数１〜４のアルキル基を表し、同一でも異なっていてもよい。ｈは１〜４の整数を表す。Ａｒ₁は置換もしくは無置換の芳香環基を表す。）

（３）前記アルキルアミノ基を有する化合物の少なくとも一種が一般式（２）で表される化合物であることを特徴とする前記（１）又は（２）に記載の電子写真感光体の製造方法。
（式中、Ｒ₃、Ｒ₄は芳香環基置換もしくは無置換の炭素数１〜４のアルキル基を表し、同一でも異なっていてもよい。ｉ、ｊは０〜３の整数を表す。ただしｉとｊが同時に０となることはない。Ｒ₅、Ｒ₆は水素原子、置換もしくは無置換の炭素数１〜１１のアルキル基、置換もしくは無置換の芳香環基を表し、それぞれ同一でも異なっていてもよい。また、Ａｒ₂、Ａｒ₃は置換もしくは無置換の芳香環基を表し、それぞれ同一でも異なっていてもよい。）

（４）前記アルキルアミノ基を有する化合物の少なくとも一種が一般式（３）で表される化合物であることを特徴とする前記（１）に記載の電子写真感光体の製造方法。
（式中、Ｒ₇、Ｒ₈は、置換若しくは無置換のアルキル基、芳香族炭化水素基を有し、同一でも異なってもよい。但しＲ₇、Ｒ₈のいずれか一つは置換若しくは無置換のアルキル基である。Ａｒ₄は置換もしくは無置換の芳香族炭化水素基を表す。）

（５）前記アルキルアミノ基を有する化合物の少なくとも一種が一般式（４）で表される化合物であることを特徴とする前記（１）に記載の電子写真感光体の製造方法。
（式中、Ｒ₉、Ｒ₁₀は、置換若しくは無置換の炭素数１〜４のアルキル基、芳香族炭化水素基を表し、同一でも異なっていてもよい。但しＲ₉、Ｒ₁₀のいずれか一つは置換若しくは無置換の炭素数１〜４のアルキル基である。Ａｒ₅、Ａｒ₆は置換若しくは無置換の芳香環基を表す。ｋ、ｌはそれぞれ０〜３の整数を表す。但し、ｋ、ｌが同時に０となることはない。ｍは１または２の整数を表す。）

（６）前記表面保護層に電荷輸送性化合物を含有し、前記アルキルアミノ基を有する化合物の酸化電位が該電荷輸送物質の酸化電位よりも０．２（V vs SCE）以上大きいことを特徴とする前記（１）乃至（５）のいずれかに記載の電子写真感光体の製造方法。
（７）前記超臨界流体及び／または亜臨界流体のいずれかもしくは両方が、二酸化炭素であることを特徴とする前記（１）乃至（６）のいずれかに記載の電子写真感光体の製造方法。
（８）前記超臨界流体及び／または亜臨界流体のいずれかもしくは両方が、二酸化炭素との混合物であることを特徴とする前記（１）乃至（６）のいずれかに記載の電子写真感光体の製造方法。
（９）前記混合物が、二酸価炭素とメタノールおよびエタノールから選択される少なくとも一種との混合物であることを特徴とする前記（８）に記載の電子写真感光体の製造方法。
（１０）前記超臨界流体及び／または亜臨界流体におけるアルキルアミノ基を有する化合物の含有量が０．５ｇ／Ｌ以上であることを特徴とする前記（１）乃至（９）のいずれかに記載の電子写真感光体の製造方法。
（１１）前記超臨界流体及び／または亜臨界流体の温度が３０〜１４０℃であることを特徴する前記（１）乃至（１０）のいずれかに記載の電子写真感光体の製造方法。

（１２）前記ラジカル重合性化合物が電荷輸送性構造を有しないこと特徴とする前記（１）乃至（１１）のいずれかに記載の電子写真感光体の製造方法。
（１３）前記ラジカル重合性化合物のラジカル重合性官能基が３つ以上であることを特徴とする前記（１）乃至（１２）のいずれかに記載の電子写真感光体の製造方法。

（１４）前記超臨界流体及び／または亜臨界流体に含有される電荷輸送性化合物がラジカル重合性官能基を有していないことを特徴とする前記（６）乃至１３のいずれかに記載の電子写真感光体の製造方法。
（１５）前記電荷輸送性化合物がトリアリールアミン構造、ヒドラゾン構造、ピラゾリン構造およびカルバゾール構造よりなる群から選ばれた構造を有することを特徴とする前記（６）乃至（１４）のいずれかに記載の電子写真感光体の製造方法。
（１６）前記電荷輸送性化合物がトリアリールアミン構造を有することを特徴とする前記（６）乃至（１５）のいずれかに記載の電子写真感光体の製造方法。

本発明によると、従来における諸問題を解決でき、長期間に渡り極めて安定した電気特性および高い機械的耐久性を維持できる電子写真感光体の製造方法、およびそれを用いて形成した電子写真感光体、それを用いた画像形成装置、画像形成方法および画像形成装置用プロセスカートリッジが提供される。

次に本発明の実施の形態の説明として初めに超臨界流体および亜臨界流体について説明する。
超臨界流体とは、気体と液体が共存できる限界の温度・圧力（臨界点）を超えた状態にある流体を指す。超臨界流体の特徴としては、高密度状態において、一般に物質を溶かす能力がその流体の常温での溶解力よりも非常に大きいという特徴を有する。これは流体が高圧力下にあるため、流体の運動エネルギーが大きいこと、また、粘性が小さいためと考えられている。また、温度・圧力による密度の調整によって溶解性の制御ができるため、適用範囲が広いことも特筆すべき特性である。一般には密度０．２ｇ／ｃｍ³以上の超臨界流体が化学物質に対する溶媒として用いられることが多い。また、超臨界流体は前述の通り、流体の運動エネルギーが大きいこと、また、粘性が小さいことから媒質への拡散が早い。このため一般に用いられる溶媒では多孔質体へ浸透しにくいが、超臨界流体を用いれば比較的容易に多孔質体へ浸透することが知られている。さらに、熱伝導度は液体よりも大きいため、超臨界中で生じた化学反応による反応熱は速やかに除去することが可能である。また、亜臨界流体とは物質毎に決まっている超臨界状態よりも温度、圧力の両方、又はいずれか一方が低い状態で気体および液体とは異なる性質を備えた流体であって、物質毎に異なるので一概には言えないが、例えば一般的には温度が臨界点温度より０〜３０℃、圧力が臨界点圧力より０〜５ＭＰａ低い状態の流体を言う。

前記超臨界流体としては、気体と液体とが共存できる限界（臨界点）を超えた温度・圧力領域において非凝縮性高密度流体として存在し、圧縮しても凝縮を起こさず、臨界温度以上、かつ、臨界圧力以上の状態にある流体である限り、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。また、超臨界流体の臨界温度および臨界圧力としては特に制限はない。これらの流体としては、たとえば一酸化炭素、二酸化炭素、アンモニア、窒素、水、メタノール、エタノール、エタン、プロパン、ブタン、ヘキサン、２，３ −ジメチルブタン、ベンゼン、クロロトリフロロメタン、ジメチルエーテルなどが挙げられる臨界温度としては、−２７３〜３００℃が好ましく、３０〜１４０℃が特に好ましい。超臨界中に対する媒質が熱により変性するようなものを用いる場合には臨界温度が低いものが好ましい。たとえば、二酸化炭素（臨界温度３１．０℃）、エタン（臨界温度３２．２℃）、プロパン（臨界温度９６．６℃）、アンモニア（臨界温度１３２．３℃）などが挙げられる。また、亜臨界流体としては、臨界点近傍の温度・圧力領域において高圧液体として存在する限り、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。超臨界流体として挙げられる各種材料は、亜臨界流体としても好適に使用することができる。本発明に対しては超臨界流体または亜臨界流体を単独で使用しても良いし、２種類以上混合して用いても良い。

本発明に記載するような有機材料に対して超臨界流体または亜臨界流体を適用する場合、媒体として二酸化炭素を主媒体として用いることが好ましい。二酸化炭素は超臨界圧力が７．３ＭＰａ、超臨界温度が３１．０℃と比較的容易に超臨界状態を作り出せ、有機材料に対する熱ダメージが小さいこと、さらに不燃性・低毒性で取り扱いが容易であることが利点として挙げられるため、食品工業の分野では広く用いられている。

超臨界流体および亜臨界流体に対する本発明に記載の有機材料の溶解性を制御するために、超臨界流体または亜臨界流体に有機溶媒をエントレーナーとして添加することができる。一般には超臨界流体または亜臨界流体に溶解させたい溶質、本発明においては有機材料に対して親和力が強い溶媒をエントレーナーとして選択することが好ましい。エントレーナー添加によって所望の溶質に対する超臨界流体や亜臨界流体の溶解度を調整することができる。エントレーナーとして用いる溶媒には特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。たとえば、メタノール、エタノール、アセトン、酢酸エチル、プロパノール、アンモニア、メラミン、尿素、チオエチレングリコール、一酸化炭素、窒素、水、エタン、プロパンなどが挙げられるが、これに限定されるわけではない。

本発明においては導電性支持体上に少なくとも感光層と表面保護層を有する電子写真感光体において、該表面保護層が少なくともラジカル重合性化合物を光硬化することにより形成された後、該表面保護層にアルキルアミノ基を有する化合物を含む超臨界流体及び／または亜臨界流体を接触させることで架橋表面保護層中にアルキルアミノ基を有する化合物を注入する。具体的には電子写真感光体が固定された高圧セル中にアルキルアミノ基を有する化合物を含有する超臨界流体または亜臨界流体を導入し、両者を接触させることで行う。この処理によって架橋表面保護層中に超臨界流体または亜臨界流体が入り込み、架橋膜を可塑化することにより架橋膜の粘性が低下し、超臨界流体または亜臨界流体中に溶解しているアルキルアミノ基を有する化合物が架橋表面層中に入り込むことでアルキルアミノ基を有する化合物が注入される。架橋膜中に取り込まれたアルキルアミノ基を有する化合物は粘性が低下した架橋膜中を比較的速く拡散することができるため、架橋膜深部に至るまでアルキルアミノ基を有する化合物を注入することができる。従って本発明においては光硬化後にアルキルアミノ基を有する化合物の注入を行なうので従来のような高エネルギー光照射による分解が一切なく、目的の機能を付与することが出来、さらに長期間に渡り高画質画像出力が可能な高信頼電子写真感光体が実現できた。

次にアルキルアミノ基を有する化合物について説明する。アルキルアミノ基を有する化合物はメチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ヘキシル基およびウンデカニル基などのアルキル基で置換されたアミノ基を有している電荷輸送性化合物である。アルキルアミノ基は強い電子供与性であり、メソメリー効果（＋Ｍ効果）を示す。これによりアルキルアミノ基を有する化合物自体は強い塩基性を示す。画像ボケに対してはその原因物質と考えられている酸化性ガスに対して中和効果が推測され、画像ボケを抑制するものと考えられる。またアルキルアミノ基を有する化合物は電荷輸送構造を有しているので、これを注入した場合に電荷のトラップとして働くことがなく、残留電位上昇等の電気特性劣化の副作用が殆ど見られない。一方、アルキルアミノ基を有する化合物は前述の＋Ｍ効果によりイオン化ポテンシャルが異常に小さくなる場合がある。つまり電荷輸送物質としてアルキルアミノ基を有する化合物を単体で用いた場合は電子写真感光体の帯電性を保持することが難しく、地肌汚れなどを引き起こす場合がある。また他の電荷輸送物質と併用した場合はイオン化ポテンシャルが小さいために電荷のトラップになり、残留電位上昇などを引き起こす場合がある。これについてはアルキルアミノ基を有する化合物のイオン化ポテンシャルをあるレベル以上にすることで解決でき、具体的には電荷輸送物質としてアルキルアミノ基を有する化合物を単体で用いる場合はイオン化ポテンシャルが０．５Ｖ以上、他の電荷輸送物質と併用する場合はアルキルアミノ基を有する化合物の酸化電位が電荷輸送物質の酸化電位よりも０．２Ｖ以上大きくすることで前述の問題を解決することができ、より信頼性の高い電子写真感光体を実現できる。

本発明におけるアルキルアミノ基を有する化合物の一般式を以下に示す。但し本発明はこれらの一般式のみに限定されるわけではない。
（式中、Ｒ₁、Ｒ₂は、芳香環基置換もしくは無置換の炭素数１〜４のアルキル基を表し、同一でも異なっていてもよい。ｈは１〜４の整数を表す。Ａｒ₁は置換もしくは無置換の芳香環基を表す。）

（式中、Ｒ₃、Ｒ₄は芳香環基置換もしくは無置換の炭素数１〜４のアルキル基を表し、同一でも異なっていてもよい。ｉ、ｊは０〜３の整数を表す。ただしｉとｊが同時に０となることはない。Ｒ₅、Ｒ₆は水素原子、置換もしくは無置換の炭素数１〜１１のアルキル基、置換もしくは無置換の芳香環基を表し、それぞれ同一でも異なっていてもよい。また、Ａｒ₂、Ａｒ₃は置換もしくは無置換の芳香環基を表し、それぞれ同一でも異なっていてもよい。）

（式中、Ｒ₇、Ｒ₈は置換若しくは無置換のアルキル基、芳香族炭化水素基を有し、同一でも異なってもよい。但しＲ₇、Ｒ₈のいずれか一つは置換若しくは無置換のアルキル基である。Ａｒ₄は置換もしくは無置換の芳香族炭化水素基を表す。）

（式中、Ｒ₉、Ｒ₁₀は、置換若しくは無置換の炭素数１〜４のアルキル基、芳香族炭化水素基を表し、同一でも異なっていてもよい。但しＲ₉、Ｒ₁₀のいずれか一つは置換若しくは無置換の炭素数１〜４のアルキル基である。Ａｒ₅、Ａｒ₆は置換若しくは無置換の芳香環基を表す。ｋ、ｌはそれぞれ０〜３の整数を表す。但し、ｋ、ｌが同時に０となることはない。ｍは１または２の整数を表す。）

〔（１０）式中、Ｒ¹、Ｒ²は、芳香環基置換もしくは無置換の炭素数１〜４のアルキル基を表し、同一でも異なっていてもよい。ｌ、ｍ、ｎは０〜３の整数を表す。ただしｌ、ｍ、ｎが同時に０となることはない。Ａｒ¹、Ａｒ²、Ａｒ³は置換若しくは無置換の芳香環基を表し、同一でも異なっていてもよい。また、Ａｒ¹とＡｒ²、Ａｒ²とＡｒ³、もしくはＡｒ³とＡｒ¹はそれぞれ共同で窒素原子を含む複素環基を形成してもよい。〕

〔（１１）式中、Ｒ¹、Ｒ²は、芳香環基置換もしくは無置換の炭素数１〜４のアルキル基を表し、同一でも異なっていてもよい。ｋ、ｌ、ｍ、ｎは０〜３の整数を表す。ただしｋ、ｌ、ｍ、ｎが同時に０となることはない。Ａｒ¹、Ａｒ²、Ａｒ³およびＡｒ⁴は置換もしくは無置換の芳香環基を表し、それぞれ同一でも異なっていてもよい。また、Ａｒ¹とＡｒ²、Ａｒ¹とＡｒ⁴、もしくはＡｒ³とＡｒ⁴はそれぞれ共同で環を形成してもよい。〕

〔（１２）式中、Ｒ¹、Ｒ²は、芳香環基置換もしくは無置換の炭素数１〜４のアルキル基を表し、同一でも異なっていてもよい。ｋ、ｌ、ｍ、ｎは０〜３の整数を表す。ただしｋ、ｌ、ｍ、ｎが同時に０となることはない。Ａｒ¹、Ａｒ²、Ａｒ³およびＡｒ⁴は置換もしくは無置換の芳香環基を表し、それぞれ同一でも異なっていてもよい。また、Ａｒ¹とＡｒ²、Ａｒ¹とＡｒ³、もしくはＡｒ³とＡｒ⁴はそれぞれ共同で環を形成してもよい。〕

〔（１３）式中、Ｒ¹、Ｒ²は、芳香環基置換もしくは無置換の炭素数１〜４のアルキル基を表し、同一でも異なっていてもよい。ｋ、ｌ、ｍ、ｎは０〜３の整数を表す。ただしｋ、ｌ、ｍ、ｎが同時に０となることはない。Ａｒ¹、Ａｒ²、Ａｒ³およびＡｒ⁴は置換もしくは無置換の芳香環基を表し、それぞれ同一でも異なっていてもよい。また、Ａｒ¹とＡｒ²、Ａｒ¹とＡｒ³、もしくはＡｒ¹とＡｒ⁴はそれぞれ共同で環を形成してもよい。Ｘはメチレン基、シクロヘキシリデン基、酸素原子、硫黄原子などを表す。〕

〔（１４）式中、Ｒ¹、Ｒ²は、芳香環基置換もしくは無置換の炭素数１〜４のアルキル基を表し、同一でも異なっていてもよい。ｌ、ｍは０〜３の整数を表す。ただしｌ、ｍが同時に０となることはない。Ａｒ¹、Ａｒ²及びＡｒ³は置換もしくは無置換の芳香環基を表し、それぞれ同一でも異なっていてもよい。また、Ａｒ¹とＡｒ²、Ａｒ¹とＡｒ³はそれぞれ共同で環を形成してもよい。ｎは１〜４の整数を表す。〕

〔（１６）式中、Ｒ¹、Ｒ²は、芳香環基置換もしくは無置換の炭素数１〜４のアルキル基を表し、同一でも異なっていてもよい。ｍ、ｎは０〜３の整数を表す。ただしｍとｎが同時に０となることはない。Ｒ³は水素原子、置換もしくは無置換の炭素数１〜１１のアルキル基、置換もしくは無置換の芳香環基を表す。また、Ａｒ¹、Ａｒ²、Ａｒ³、Ａｒ⁴およびＡｒ⁵は置換もしくは無置換の芳香環基を表し、同一でも異なっていてもよい。また、Ａｒ¹、Ａｒ²、もしくはＡｒ¹、Ａｒ³は共同で窒素原子を含む複素環基を形成してもよい。〕

〔（１７）式中、Ｒ¹、Ｒ²は、芳香環基置換もしくは無置換の炭素数１〜４のアルキル基を表し、同一でも異なっていてもよい。ｍ、ｎは０〜３の整数を表す。ただしｍとｎが同時に０となることはない。また、Ａｒ¹、Ａｒ²、Ａｒ³、Ａｒ⁴およびＡｒ⁵は置換もしくは無置換の芳香環基を表し、同一でも異なっていてもよい。Ａｒ¹、Ａｒ²もしくはＡｒ¹、Ａｒ³は共同で窒素原子を含む複素環基を形成してもよい。〕

〔（１８）式中、Ｒ¹、Ｒ²は、芳香環基置換もしくは無置換の炭素数１〜４のアルキル基を表し、同一でも異なっていてもよい。ｎは１〜３の整数を表す。また、Ａｒ¹、Ａｒ²、Ａｒ³、およびＡｒ⁴は置換もしくは無置換の芳香環基を表し、同一でも異なっていてもよい。Ａｒ¹、Ａｒ²もしくはＡｒ¹、Ａｒ³は共同で窒素原子を含む複素環基を形成してもよい。〕

〔（１９）式中、Ｒ¹、Ｒ²は、芳香環基置換もしくは無置換の炭素数１〜４のアルキル基を表し、同一でも異なっていてもよい。ｌは１〜３の整数を表す。Ａｒ¹、Ａｒ²は置換若しくは無置換の芳香環基を表し、同一でも異なっていてもよい。Ｒ³、Ｒ⁴は水素原子、置換もしくは無置換の炭素数１〜４のアルキル基、または置換もしくは無置換の芳香環基、あるいは下記一般式（２０）を表し、同一でも異なっていても良い。Ｒ³とＲ⁴、Ｒ⁵とＲ⁶、もしくはＡｒ¹とＡｒ²は共同で環を形成してもよい。

（２０）式中、Ｒ¹、Ｒ²は、芳香環基置換もしくは無置換の炭素数１〜４のアルキル基を表し、同一でも異なっていてもよい。また、Ｒ¹、Ｒ²は互いに結合し窒素原子を含む複素環基を形成してもよい。ｍ、ｎは０〜３の整数を表す。Ｒ⁵、Ｒ⁶は水素原子、置換もしくは無置換の炭素数１〜４のアルキル基、または置換もしくは無置換の芳香環基を表し、同一でも異なっていてもよい。〕

〔（２１）式中、Ｒ¹、Ｒ²は、芳香環基置換もしくは無置換の炭素数１〜４のアルキル基を表し、同一でも異なっていてもよい。ｎは１〜３の整数を表す。Ａｒ¹、Ａｒ²は置換若しくは無置換の芳香環基を表し、同一でも異なっていてもよい。Ｒ³、Ｒ⁴は水素原子、置換もしくは無置換の炭素数１〜４のアルキル基、または置換もしくは無置換の芳香環基、あるいは下記（２２）式を表し、同一でも異なっていても良い。ただし、Ｒ³、Ｒ⁴は同時に水素原子となることはない。Ｒ³とＲ⁴、もしくはＡｒ¹とＡｒ²は共同で環を形成してもよい。

（２２）式中、Ｒ¹、Ｒ²は、芳香環基置換もしくは無置換の炭素数１〜４のアルキル基を表し、同一でも異なっていてもよい。また、Ｒ¹、Ｒ²は互いに結合し窒素原子を含む複素環基を形成してもよい。ｍ、ｎは０〜３の整数を表す。Ｒ⁵、Ｒ⁶は水素原子、置換もしくは無置換の炭素数１〜４のアルキル基、または置換もしくは無置換の芳香環基を表し、同一でも異なっていてもよい。Ｒ⁵とＲ⁶は共同で環を形成してもよい。〕

〔（２３）式中、Ｒ¹、Ｒ²は、芳香環基置換もしくは無置換の炭素数１〜４のアルキル基を表し、同一でも異なっていてもよい。Ｒ³、Ｒ⁴は置換もしくは無置換の炭素数１〜４のアルキル基、または置換もしくは無置換の芳香環基を表し、同一でも異なっていても良い。Ｒ⁵、Ｒ⁶、及びＲ⁷は水素原子、置換もしくは無置換の炭素数１〜４のアルキル基、または置換もしくは無置換の芳香環基を表す。Ａｒ¹、Ａｒ²は置換若しくは無置換の芳香環基を表し、同一でも異なっていてもよい。Ｒ³、Ｒ⁴、もしくはＡｒ²、Ｒ⁴は共同で窒素原子を含む複素環基を形成してもよい。またＡｒ¹とＲ⁵は共同で環を形成してもよい。ｌは１〜３の、ｍは０〜３の、ｎは０または１の整数を表す。〕

〔（２４）式中、Ｒ¹、Ｒ²は、芳香環基置換もしくは無置換の炭素数１〜４のアルキル基を表し、同一でも異なっていてもよい。Ｒ³、Ｒ⁴は置換もしくは無置換の炭素数１〜４のアルキル基、または置換もしくは無置換の芳香環基を表し、同一でも異なっていても良い。Ｒ⁵、Ｒ⁶、及びＲ⁷は水素原子、置換もしくは無置換の炭素数１〜４のアルキル基、または置換もしくは無置換の芳香環基を表す。Ａｒ¹、Ａｒ²は置換若しくは無置換の芳香環基を表し、同一でも異なっていてもよい。Ｒ³、Ｒ⁴、もしくはＡｒ²、Ｒ⁴は共同で窒素原子を含む複素環基を形成してもよい。またＡｒ¹とＲ⁵は共同で環を形成してもよい。ｌは１〜３の、ｍは０〜３の、ｎは０または１の整数を表す。〕

〔（２５）式中、Ｒ¹、Ｒ²は、芳香環基置換もしくは無置換の炭素数１〜４のアルキル基を表し、同一でも異なっていてもよい。ｌ、ｍは０〜３の整数を表す。ただしｌとｍが同時に０となることはない。Ｒ³は置換もしくは無置換の炭素数１〜４のアルキル基、または置換もしくは無置換の芳香環基を表す。Ｒ⁴は水素原子、置換もしくは無置換の炭素数１〜４のアルキル基、または置換もしくは無置換の芳香環基を表す。Ａｒ¹、Ａｒ²は置換若しくは無置換の芳香環基を表す。Ａｒ¹とＲ⁴、Ａｒ²とＲ³、もしくはＡｒ²同士は、共同で環を形成してもよい。ｎは０または１の整数を表す。〕

〔（２６）式中、Ｒ¹、Ｒ²は、芳香環基置換もしくは無置換の炭素数１〜４のアルキル基を表し、同一でも異なっていてもよい。ｌ、ｍは０〜３の整数を表す。ただしｌとｍが同時に０となることはない。Ｒ³は置換もしくは無置換の炭素数１〜４のアルキル基、または置換もしくは無置換の芳香環基を表す。Ｒ⁴は水素原子、置換もしくは無置換の炭素数１〜４のアルキル基、または置換もしくは無置換の芳香環基を表す。Ａｒ¹、Ａｒ²は置換若しくは無置換の芳香環基を表す。Ａｒ¹とＲ⁴、Ａｒ²とＲ³、もしくはＡｒ²同士は、共同で環を形成してもよい。ｎは０または１の整数を表す。〕

〔（２７）式中、Ｒ¹、Ｒ²は、芳香環基置換もしくは無置換の炭素数１〜４のアルキル基を表し、同一でも異なっていてもよい。ｋ、ｌ、ｍは０〜３の整数を表す。ただしｋ、ｌ、ｍが同時に０となることはない。Ｒ³は置換もしくは無置換の炭素数１〜４のアルキル基、または置換もしくは無置換の芳香環基を表す。Ｒ⁴は水素原子、置換もしくは無置換の炭素数１〜４のアルキル基、または置換もしくは無置換の芳香環基を表す。Ａｒ¹、Ａｒ²は置換若しくは無置換の芳香環基を表す。Ａｒ¹とＲ⁴、Ａｒ²とＲ³、もしくはＡｒ²同士は、共同で環を形成してもよい。ｎは０または１の整数を表す。〕

〔（２８）式中、Ｒ¹、Ｒ²は、芳香環基置換もしくは無置換の炭素数１〜４のアルキル基を表し、同一でも異なっていてもよい。ｋ、ｌ、ｍは０〜３の整数を表す。ただしｋ、ｌ、ｍが同時に０となることはない。Ｒ³は置換もしくは無置換の炭素数１〜４のアルキル基、または置換もしくは無置換の芳香環基を表す。Ｒ⁴は水素原子、置換もしくは無置換の炭素数１〜４のアルキル基、または置換もしくは無置換の芳香環基を表す。Ａｒ¹、Ａｒ²は置換若しくは無置換の芳香環基を表す。Ａｒ¹とＲ⁴、Ａｒ²とＲ³、もしくはＡｒ²同士は、共同で環を形成してもよい。ｎは０または１の整数を表す。〕

〔（２９）式中、Ｒ¹、Ｒ²は、芳香環基置換もしくは無置換の炭素数１〜４のアルキル基を表し、同一でも異なっていてもよい。Ｒ³、Ｒ⁴は置換もしくは無置換の炭素数１〜４のアルキル基、または置換もしくは無置換の芳香環基を表し、同一でも異なっていても良い。Ｒ⁵は水素原子、置換もしくは無置換の炭素数１〜４のアルキル基、または置換もしくは無置換の芳香環基を表す。Ａｒ¹、Ａｒ²は置換若しくは無置換の芳香環基を表す。Ｒ³、Ｒ⁴、もしくはＡｒ¹、Ｒ⁴は共同で窒素原子を含む複素環基を形成してもよい。ｋ、ｌ、ｍは０〜３の整数を表す。ｎは１または２の整数を表す。ただし、ｋ、ｌ、ｍが同時に０の場合は、Ｒ³、Ｒ⁴、は炭素数１〜４のアルキル基を表し、同一でも異なっていてもよく、また、Ｒ³、Ｒ⁴は互いに結合し窒素原子を含む複素環基を形成してもよい。〕

〔（３０）式中、Ｒ¹、Ｒ²は、芳香環基置換もしくは無置換の炭素数１〜４のアルキル基を表し、同一でも異なっていてもよい。Ｒ³、Ｒ⁴は置換もしくは無置換の炭素数１〜４のアルキル基、または置換もしくは無置換の芳香環基を表し、同一でも異なっていても良い。Ｒ⁵は水素原子、置換もしくは無置換の炭素数１〜４のアルキル基、または置換もしくは無置換の芳香環基を表す。Ａｒ¹、Ａｒ²は置換若しくは無置換の芳香環基を表す。Ｒ³、Ｒ⁴、もしくはＡｒ¹、Ｒ⁴は共同で窒素原子を含む複素環基を形成してもよい。ｍは０〜４の、ｎは１または２の整数を表す。ただし、ｍが０の場合は、Ｒ³、Ｒ⁴、は炭素数１〜４のアルキル基を表し、同一でも異なっていてもよく、また、Ｒ³、Ｒ⁴は互いに結合し窒素原子を含む複素環基を形成してもよい。〕

〔（３１）式中、Ｒ¹、Ｒ²は、芳香環基置換もしくは無置換の炭素数１〜４のアルキル基を表し、同一でも異なっていてもよい。Ａｒは置換若しくは無置換の芳香環基を表す。Ｒ³、Ｒ⁴は水素原子、置換もしくは無置換の炭素数１〜４のアルキル基、または置換もしくは無置換の芳香環基を表す。ｌ、ｍ、ｎは０〜３の整数を表し、同時に０となることはない。〕

〔（３２）式中、Ｒ¹、Ｒ²は、芳香環基置換もしくは無置換の炭素数１〜４のアルキル基を表し、同一でも異なっていてもよい。Ａｒ¹、Ａｒ²、Ａｒ³は置換若しくは無置換の芳香環基を表す。Ｒ³は水素原子、置換もしくは無置換の炭素数１〜４のアルキル基、または置換もしくは無置換の芳香環基を表す。ｌ、ｍは０〜３の整数を表し、同時に０となることはない。ｎは１〜３の整数を表す。〕

〔（３３）式中、Ｒ¹、Ｒ²は、芳香族炭化水素基置換もしくは無置換のアルキル基を表し、同一でも異なっていてもよい。Ａｒ¹、Ａｒ²は置換若しくは無置換の芳香環基を表す。ｌ、ｍはそれぞれ０〜３の整数を表す。ただし、ｌ、ｍが同時に０となることはない。ｎは１または２の整数を表す。〕

一般式（１）〜（４）及び（１０）〜（３３）の説明にある、アルキル基の具体例としては、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ヘキシル基、及びウンデカニル基などが挙げられる。また、芳香族炭化水素基としてはベンゼン、ビフェニル、ナフタレン、アントラセン、フルオレン及びピレンなどの芳香族環、並びにピリジン、キノリン、チオフェン、フラン、オキサゾール、オキサジアゾール、カルバゾールなど芳香族複素環の基が挙げられる。また、これらの置換基としては、上記アルキル基の具体例で挙げたもの、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基などのアルコキシ基、またはフッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子のハロゲン原子、前記芳香族炭化水素基、及びピロリジン、ピペリジン、ピペラジンなどの複素環の基などが挙げられる。更に、Ｒ¹、Ｒ²が互いに結合し窒素原子を含む複素環基を形成する場合、その複素環基としてはピロリジノ基、ピペリジノ基、ピペラジノ基などに芳香族炭化水素基が縮合した縮合複素環基を挙げることができる。
上記アルキル基を有する化合物の中でも、特に一般式（１）〜（４）で示される化合物を好ましく用いることができる。

次に酸化電位の測定方法について述べる。ここでの酸化電位とは第一酸化半波電位のことであり、電気化学的分析手段により測定することができる。具体的には測定する物質を所定量のアセトニトリルと過塩素酸テトラブチルアンモニウム、過塩素テトラエチルアンモニウム等の無関係塩を支持電解質として溶解し被検液とする。この被検液をポーラログラフやサイクリックボルタムメトリー等の電気化学的分析手段で測定することで目的とする物質の酸化電位を測定することが出来る。かかる電気化学的分析手段についてはA.J.Bard,L.Ｒ.Faulkner著「Electrochemical Methods」 Wiley社１９８０年刊等の成書に詳しい。ここでは作用電極に滴下水銀電極、対極に白金、参照電極に飽和甘コウ電極（SCE）を用い、ポテンショスタットを用いた電位走査法で測定することができる。

以下にアルキルアミノ基を有する化合物の具体例とその酸化電位を表に挙げる。但し、本発明は、これらの化合物に限定されるものではない。

本発明に記載している架橋表面保護層とアルキルアミノ基を有する化合物を含有した超臨界流体及び／または亜臨界流体の接触とは、両者が物理的に接触していれば形態はとくに限定されない。たとえば高圧セル中に一定量の超臨界流体または亜臨界流体を導入した後封止し、所定時間経過後に超臨界流体または亜臨界流体を高圧セルから取り除くことで電子写真感光体を取り出しても良いし、高圧セル中に超臨界流体または亜臨界流体を連続的に供給、排出し、所定時間経過後に電子写真感光体を取り出しても良い。前者のプロセスでは高圧セル中に導入されるアルキルアミノ基を有する化合物の量は、超臨界流体または亜臨界流体中に含まれる量のみであり、電子写真感光体内部と超臨界流体または亜臨界流体中とのアルキルアミノ基を有する化合物の濃度勾配は経時で小さくなり、注入速度も濃度勾配の減少に従って小さくなる。結果として、架橋表面層中へのアルキルアミノ基を有する化合物の注入速度は比較的小さいといった欠点がある一方で、製造設備が比較的単純で安価に電子写真感光体を製造することができる。後者のプロセスでは、架橋表面層には一定濃度の超臨界流体または亜臨界流体が供給されるため、架橋表面層内部と超臨界流体または亜臨界流体中のアルキルアミノ基を有する化合物の濃度勾配は前者のプロセスと比較して大きくなることから、短時間で所望量のアルキルアミノ基を有する化合物を注入することが可能である。しかしながら、超臨界流体または亜臨界流体を循環させる装置が必要であること、さらに超臨界流体または亜臨界流体中のアルキルアミノ基を有する化合物の濃度を制御する装置が必要であることから、比較的大がかりな製造装置を要するといった欠点が挙げられる。本発明においてはいずれのプロセスも適用可能であり、目的に応じて適宜選択することが可能である。

超臨界流体または亜臨界流体中のアルキルアミノ基を有する化合物の含有量としては０．５ｇ／Ｌであることが良く、好ましくは１ｇ／Ｌ以上である。０．５ｇ／Ｌを下回る場合は、架橋表面層中へのアルキルアミノ基を有する化合物の注入速度が遅く、所望の電子写真感光体を得るために要する時間が長くなる。
架橋表面保護層にアルキルアミノ基を有する化合物を含有する超臨界流体または亜臨界流体を接触させる時間は、アルキルアミノ基を有する化合物の注入速度、架橋表面層膜厚によって適宜決定すると良い。

また、エントレーナー効果が期待できる溶媒以外に、架橋表面層中に含有させたいレベリング剤や電荷輸送性化合物などを超臨界流体または亜臨界流体中に予め溶解させておいても良い。これによって、アルキルアミノ基を有する化合物と同時にこれらを注入することが可能となり、付与したい機能を有する電子写真感光体が実現できる。また予め架橋表面層に含有されている物質の除去を抑制することを目的として、含有化合物を超臨界流体または亜臨界流体中に予め溶解させておいても良い。

本発明に記載の架橋表面層は熱により変質・分解することがあることから、本発明に記載のアルキルアミノ基を有する化合物を架橋表面層中に注入する工程での温度は好ましくは３０℃以上１４０℃以下、さらに好ましくは３０℃以上１００℃以下が良い。３０℃を下回る場合には超臨界流体または亜臨界流体の溶解性・拡散性が低いためにアルキルアミノ基を有する化合物を架橋表面層中に注入することが困難となる場合が多く、また、１４０℃を上回る場合には、架橋表面層の構成成分の変性・分解が生じたり、電子写真感光体が機能分離型積層感光体である場合には隣接層に含まれる構成成分のしみ出しなどの原因になるため好ましくない。

より効率的にアルキルアミノ基を有する化合物を架橋表面層中に注入するためには、温度条件をアルキルアミノ基を有する化合物の軟化点よりも５℃以上高い温度条件で行うことが好ましい。この場合、超臨界流体または亜臨界流体中でアルキルアミノ基を有する化合物が溶融することにより、流体中の濃度が均一になりやすい。この場合、超臨界流体または亜臨界流体中で粘性の下がった架橋表面層中にアルキルアミノ基を有する化合物が入り込みやすい状態となる。本現象の理由はまだ明確となっていないが、超臨界流体中または亜臨界流体中のアルキルアミノ基を有する化合物の濃度が飽和状態以上であり、溶け残っていたとしても、流体中で比較的均一な状態であり、架橋表面層中にアルキルアミノ基を有する化合物が注入されることで流体中のアルキルアミノ基を有する化合物の濃度が低下したとしても、流体中に均一に分散しているアルキルアミノ基を有する化合物が速やかに流体中に溶解することで、流体中のアルキルアミノ基を有する化合物の濃度が飽和状態を維持するためと考えられる。

次に、本発明の電子写真感光体の構成を図面に沿って説明する。
図１は、本発明の電子写真感光体の構成を表わす断面図であり、導電性支持体３１上に、感光層３３と表面保護層３９が設けられている。
図２は、本発明の電子写真感光体の別の構成例を示す断面図であり、導電性支持体３１上に、電荷発生層３５、電荷輸送層３７と表面保護層３９が設けられている。
図３は、本発明の更に別の構成を表す断面図であり、導電性支持体３１上に、中間層４１、電荷発生層３５、電荷輸送層３７と表面保護層３９が設けられている。

導電性支持体３１としては、体積抵抗１０¹⁰Ω・ｃｍ以下の導電性を示すもの、例えば、アルミニウム、ニッケル、クロム、ニクロム、銅、金、銀、白金などの金属、酸化スズ、酸化インジウムなどの金属酸化物を、蒸着またはスパッタリングにより、フィルム状もしくは円筒状のプラスチック、紙に被覆したもの、あるいは、アルミニウム、アルミニウム合金、ニッケル、ステンレスなどの板およびそれらを、押し出し、引き抜きなどの工法で素管化後、切削、超仕上げ、研摩などの表面処理した管などを使用することができる。また、エンドレスニッケルベルト、エンドレスステンレスベルトも導電性支持体として用いることができる。

この他、上記支持体上に導電性粉体を適当な結着樹脂に分散して塗工したものも、本発明の導電性支持体として用いることができる。この導電性粉体としては、カーボンブラック、アセチレンブラック、またアルミニウム、ニッケル、鉄、ニクロム、銅、亜鉛、銀などの金属粉、あるいは導電性酸化スズ、ＩＴＯなどの金属酸化物粉体などがあげられる。また、同時に用いられる結着樹脂には、ポリスチレン、スチレン−アクリロニトリル共重合体、スチレン−ブタジエン共重合体、スチレン−無水マレイン酸共重合体、ポリエステル、ポリ塩化ビニル、塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体、ポリ酢酸ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリアリレート樹脂、フェノキシ樹脂、ポリカーボネート、酢酸セルロース樹脂、エチルセルロース樹脂、ポリビニルブチラール、ポリビニルホルマール、ポリビニルトルエン、ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール、アクリル樹脂、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、メラミン樹脂、ウレタン樹脂、フェノール樹脂、アルキッド樹脂などの熱可塑性、熱硬化性樹脂または光硬化性樹脂があげられる。このような導電性層は、これらの導電性粉体と結着樹脂を適当な溶剤、例えば、テトラヒドロフラン、ジクロロメタン、メチルエチルケトン、トルエンなどに分散して塗布することにより設けることができる。

更に、適当な円筒基体上にポリ塩化ビニル、ポリプロピレン、ポリエステル、ポリスチレン、ポリ塩化ビニリデン、ポリエチレン、塩化ゴム、テフロン（登録商標）などの素材に前記導電性粉体を含有させた熱収縮チューブによって導電性層を設けてなるものも、本発明の導電性支持体として良好に用いることができる。

また、これらの中でも陽極酸化皮膜処理を簡便に行うことのできるアルミニウムからなる円筒状支持体が最も良好に使用できる。ここでいうアルミニウムとは、純アルミニウム系あるいはアルミニウム合金のいずれをも含むものである。具体的には、ＪＩＳ１０００番台、３０００番台、６０００番台のアルミニウムあるいはアルミニウム合金が最も適している。陽極酸化皮膜は各種金属、各種合金を電解質溶液中において陽極酸化処理したものであるが、中でもアルミニウムもしくはアルミニウム合金を電解質溶液中で陽極酸化処理を行ったアルマイトと呼ばれる被膜が本発明に用いる感光体には最も適している。特に、反転現像（ネガ及びポジ現像）に用いた際に発生する点欠陥（黒ポチ、地汚れ）を防止する点で優れている。

陽極酸化処理は、クロム酸、硫酸、蓚酸、リン酸、硼酸、スルファミン酸などの酸性浴中において行われる。このうち、硫酸浴による処理が最も適している。一例を挙げると、硫酸濃度：１０〜２０％、浴温：５〜２５℃、電流密度：１〜４Ａ／ｄｍ²、電解電圧：５〜３０Ｖ、処理時間：５〜６０分程度の範囲で処理が行われるが、これに限定するものではない。このように作製される陽極酸化皮膜は、多孔質であり、また絶縁性が高いため、表面が非常に不安定な状況である。このため、作製後の経時変化が存在し、陽極酸化皮膜の物性値が変化しやすい。これを回避するため、陽極酸化皮膜を更に封孔処理することが好ましい。封孔処理には、フッ化ニッケルや酢酸ニッケルを含有する水溶液に陽極酸化皮膜を浸漬する方法、陽極酸化皮膜を沸騰水に浸漬する方法、加圧水蒸気により処理する方法などがある。このうち、酢酸ニッケルを含有する水溶液に浸漬する方法が最も好ましい。封孔処理に引き続き、陽極酸化皮膜の洗浄処理が行われる。これは、封孔処理により付着した金属塩等の過剰なものを除去することが主な目的である。これが支持体（陽極酸化皮膜）表面に過剰に残存すると、この上に形成する塗膜の品質に悪影響を与えるだけでなく、一般的に低抵抗成分が残ってしまうため、逆に地汚れの発生原因にもなってしまう。洗浄は純水１回の洗浄でも構わないが、通常は多段階の洗浄を行う。この際、最終の洗浄液が可能な限りきれい（脱イオンされた）ものであることが好ましい。また、多段階の洗浄工程のうち１工程に接触部材による物理的なこすり洗浄を施すことが好ましい。以上のようにして形成される陽極酸化皮膜の膜厚は、５〜１５μｍ程度が好ましい。これより薄すぎる場合には陽極酸化皮膜としてのバリア性の効果が充分でなく、これより厚すぎる場合には電極としての時定数が大きくなりすぎて、残留電位の発生や感光体のレスポンスが低下する場合がある。

本発明の感光体においては、導電性支持体と感光層（電荷発生層）との間に中間層を設けることができる。中間層は一般には樹脂を主成分とするが、これらの樹脂はその上に感光層を溶媒で塗布することを考えると、一般の有機溶剤に対して耐溶剤性の高い樹脂であることが好ましい。このような樹脂としては、ポリビニルアルコール、カゼイン、ポリアクリル酸ナトリウム等の水溶性樹脂、共重合ナイロン、メトキシメチル化ナイロン等のアルコール可溶性樹脂、ポリウレタン、メラミン樹脂、フェノール樹脂、アルキッド−メラミン樹脂、エポキシ樹脂等、三次元網目構造を形成する硬化型樹脂等が挙げられる。また、中間層にはモアレ防止、残留電位の低減等のために酸化チタン、シリカ、アルミナ、酸化ジルコニウム、酸化スズ、酸化インジウム等で例示できる金属酸化物の微粉末顔料を加えてもよい。

これらの中間層は感光層の如く適当な溶媒、塗工法を用いて形成することができる。更に本発明の中間層として、シランカップリング剤、チタンカップリング剤、クロムカップリング剤等を使用することもできる。この他、本発明の中間層には、Ａｌ₂Ｏ₃を陽極酸化にて設けたものや、ポリパラキシリレン（パリレン）等の有機物やＳｉＯ₂、ＳｎＯ₂、ＴｉＯ₂、ＩＴＯ、ＣｅＯ₂等の無機物を真空薄膜作成法にて設けたものも良好に使用できる。このほかにも公知のものを用いることができる。中間層の膜厚は０〜５μｍが適当である。

中間層３９は、感光体の帯電時に電極側に誘起される逆極性の電荷の感光層への注入を防止する機能と、レーザー光のようなコヒーレント光による書き込み時に生じるモアレを防止する機能の少なくとも２つの機能を有する。この機能を２つ以上の層に機能分離した機能分離型中間層は、本発明に用いられる感光体には有効な手段である。以下に、電荷ブロッキング層とモアレ防止層の機能分離型中間層について説明する。

電荷ブロッキング層は、感光体帯電時に電極（導電性支持体３１）に誘起される逆極性の電荷が、支持体から感光層に注入するのを防止する機能を有する層である。負帯電の場合には正孔注入防止、正帯電の場合には電子注入防止の機能を有する。電荷ブロッキング層としては、酸化アルミ層に代表される陽極酸化被膜、ＳｉＯに代表される無機系の絶縁層、金属酸化物のガラス質ネットワークから形成される層、ポリフォスファゼンからなる層、アミノシラン反応生成物からなる層、この他には絶縁性の結着剤樹脂からなる層、硬化性の結着剤樹脂からなる層等が挙げられる。中でも湿式塗工法で形成可能な絶縁性の結着樹脂あるいは硬化性の結着樹脂から構成される層が良好に使用できる。電荷ブロッキング層は、その上にモアレ防止層や感光層を積層するものであるから、これらを湿式塗工法で設ける場合には、これらの塗工溶媒により塗膜が侵されない材料あるいは構成からなることが肝要である。

使用できる結着剤樹脂としては、ポリアミド、ポリエステル、塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体等の熱可塑性樹脂や熱硬化性樹脂例えば、活性水素（−ＯＨ基、−ＮＨ₂基、−ＮＨ基等の水素）を複数個含有する化合物とイソシアネート基を複数個含有する化合物及び／又はエポキシ基を複数個含有する化合物とを熱重合させた熱硬化性樹脂等も使用できる。この場合活性水素を複数個含有する化合物としては、例えばポリビニルブチラール、フェノキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリアミド、ポリエステル、ポリエチレングリコール、ポリプロピレングリコール、ポリブチレングリコール、ヒドロキシエチルメタアクリレート基等の活性水素を含有するアクリル系樹脂等があげられる。イソシアネート基を複数個含有する化合物としては、たとえば、トリレンジイソシアネート、ヘキサメチレンジイソシアネート、ジフェニルメタンジイソシアネート等とこれらのプレポリマー等があげられ、エポキシ基を複数有する化合物としては、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂等があげられる。中でも、成膜性、環境安定性、溶剤耐性の点などから、ポリアミドが最も良好に用いられる。その中でもＮ−メトキシメチル化ナイロンが最も好ましい。ポリアミド樹脂は、電荷の注入を抑制する効果が高い上に残留電位に与える影響が少ない。また、これらのポリアミド樹脂は、アルコール可溶性の樹脂であって、ケトン系溶媒には不溶性を示し、また浸積塗工においても均一な薄膜を形成することができ、塗工性に優れている。特に、この中間層は残留電位上昇の影響を最小限にするために薄膜にする必要がある上、膜厚の均一性が要求されるため、塗工性は画質安定性において重要な意味を持っている。

しかし、一般にアルコール可溶性樹脂は湿度依存性が大きく、それにより低湿環境下では抵抗が高くなり残留電位上昇が、高湿環境下では抵抗が低くなり、帯電低下が引き起こされ、環境依存性が大きいことが大きな課題であった。しかし、Ｎ−メトキシメチル化ナイロンは、高い絶縁性を示し、導電性支持体から注入される電荷のブロッキング性に非常に優れている上、残留電位に与える影響が少なく、さらに環境依存性が大幅に低減され、画像形成装置の使用環境が変化しても常に安定した画質を維持することが可能であるため、中間層を積層した場合に最も好適に用いられる。加えて、Ｎ−メトキシメチル化ナイロンを用いた場合には残留電位の膜厚依存性が小さく、そのため残留電位への影響を低減し、かつ高い地汚れ抑制効果を得ることが可能となる。

Ｎ−メトキシメチル化ナイロンにおけるメトキシメチル基の置換率は、特に限定されるものではないが、１５ｍｏｌ％以上であることが好ましい。Ｎ−メトキシメチル化ナイロンを用いたことによる上記効果は、メトキシメチル化度によって影響され、メトキシメチル基の置換率がこれより低い場合には、湿度依存性が増加したり、アルコール溶液とした場合に白濁したりする傾向が見られ、塗工液の経時安定性がやや低下する場合がある。
また、オイルフリーアルキッド樹脂とアミノ樹脂例えば、ブチル化メラミン樹脂等を熱重合させた熱硬化性樹脂、さらにまた、不飽和結合を有するポリウレタン、不飽和ポリエステル等の不飽和結合を有する樹脂と、チオキサントン系化合物、メチルベンジルフォルメート等の光重合開始剤との組合せ等の光硬化性樹脂も結着剤樹脂として使用できる。
また、整流性のある導電性高分子や、帯電極性に合わせてアクセプター（ドナー）性の樹脂・化合物などを加えて、基体からの電荷注入を制抑するなどの機能を持たせても良い。

また、電荷ブロッキング層の膜厚は０．１μｍ以上２．０μｍ未満、好ましくは０．３μｍ以上２．０μｍ以下程度が適当である。電荷ブロッキング層が厚くなると、帯電と露光の繰返しによって、特に低温低湿で残留電位の上昇が著しく、また、膜厚が薄すぎるとブロッキング性の効果が小さくなる、また電荷ブロッキング層には、必要に応じて硬化（架橋）に必要な薬剤、溶剤、添加剤、硬化促進材等を加えて、常法により、ブレード塗工、浸漬塗工法、スプレーコート、ビートコート、ノズルコート法などにより基体上に形成される。塗布後は乾燥や加熱、光等の硬化処理により乾燥あるいは硬化させる。

モアレ防止層は、レーザー光のようなコヒーレント光による書き込みを行う際に、感光層内部での光干渉によるモアレ像の発生を防止する機能を有する層である。基本的には、前記書き込み光の光散乱を起こす機能を有する。このような機能を発現するために、モアレ防止層は屈折率の大きな材料を有することが有効である。一般には、無機顔料とバインダー樹脂を含有し、無機顔料がバインダー樹脂に分散された構成からなる。特に、無機顔料の中でも白色の顔料が有効に使用され、例えば、酸化チタン、フッ化カルシウム、酸化カルシウム、酸化珪素、酸化マグネシウム、酸化アルミニウムなどが良好に用いられる。中でも、隠蔽力の大きな酸化チタンが最も有効に使用出来る。

また、機能分離型中間層を有する感光体では支持体３１からの電荷注入を電荷ブロッキング層にて防止するものであるから、モアレ防止層においては少なくとも感光体表面に帯電される電荷とは同極性の電荷を移動できる機能を有することが残留電位防止の観点から好ましい。このため、例えば負帯電型感光体の場合、モアレ防止層には電子伝導性を付与することが望ましく、使用する無機顔料に電子伝導性を有するものを使用するか、導電性のものを使用することが望ましい。あるいは、モアレ防止層に電子伝導性の材料（例えば、アクセプター）などを使用することは本発明の効果を一層顕著なものにするものである。

バインダー樹脂としては電荷ブロッキング層と同様のものを使用できるが、モアレ防止層の上に感光層３３（電荷発生層３５、電荷輸送層３７）を積層することを考慮すると、感光層（電荷発生層、電荷輸送層）の塗工溶媒に侵されないことが肝要である。
バインダー樹脂としては、熱硬化型樹脂が良好に使用される。特に、アルキッド／メラミン樹脂の混合物が最も良好に使用される。この際、アルキッド／メラミン樹脂の混合比は、モアレ防止層の構造及び特性を決定する重要な因子である。両者の比（重量比）が５／５〜８／２の範囲が良好な混合比の範囲として挙げることが出来る。５／５よりもメラミン樹脂がリッチであると、熱硬化の際に体積収縮が大きくなり塗膜欠陥を生じやすくり、感光体の残留電位を大きくする方向にあり望ましくない。また、８／２よりもアルキッド樹脂がリッチであると、感光体の残留電位低減には効果があるものの、バルク抵抗が低くなりすぎて地汚れが悪くなる方向になり望ましくない。

モアレ防止層においては、無機顔料とバインダー樹脂の容積比が重要な特性を決定する。このため、無機顔料とバインダー樹脂の容積比が１／１乃至３／１の範囲であることが重要である。両者の容積比が１／１未満である場合には、モアレ防止能が低下するだけでなく、繰り返し使用における残留電位の上昇が大きくなる場合が存在する。一方、容積比が３／１以上の領域ではバインダー樹脂における結着能が劣るだけでなく、塗膜の表面性が悪化し、上層の感光層の成膜性に悪影響を与える場合がある。この影響は感光層が積層タイプで構成され、電荷発生層のような薄層を形成する場合に深刻な問題になり得るものである。また容積比が３／１以上の場合には、無機顔料表面をバインダー樹脂が覆い尽くせない場合が存在し、電荷発生物質と直接接触することで、熱キャリア生成の確率が大きくなり、地汚れに対して悪影響を与える場合がある。

更に、モアレ防止層には、平均粒径の異なる２種類の酸化チタンを用いることで、導電性基体に対する隠蔽力を向上させモアレを抑制することが可能となるとともに、異常画像の原因となるピンホールをなくすことができる。このためには、用いる２種の酸化チタンの平均粒径の比が一定の範囲内（０．２＜Ｄ２／Ｄ１≦０．５）にあることが重要である。本発明で規定する範囲外の粒径比の場合、すなわち平均粒径の大きな酸化チタン（Ｔ１）の平均粒径（Ｄ１）に対する他方の酸化チタン（Ｔ２）の平均粒径（Ｄ２）の比が小さすぎる場合（０．２≧Ｄ２／Ｄ１）は、酸化チタン表面での活性が増加し電子写真感光体としたときの静電的安定性が著しく損なわれるようになる。また、一方の酸化チタン（Ｔ１）の平均粒径に対する他方の酸化チタン（Ｔ２）の平均粒径の比が大きすぎる場合（Ｄ２／Ｄ１＞０．５）は、導電性基体に対する隠蔽力が低下し、モアレや異常画像に対する抑制力が低下する。ここで言う平均粒径は、水系で強分散を行なったときに得られる粒度分布測定から得られる。

また、粒径の小さい方の酸化チタン（Ｔ２）の平均粒径（Ｄ２）の大きさが重要な因子であり、０．０５μｍ＜Ｄ２＜０．２０μｍであることが重要である。０．０５μｍよりも小さい場合には隠蔽力が低下し、モアレを発生させる場合がある。一方、０．２０μｍよりも大きな場合には、モアレ防止層の酸化チタンの充填率を低下させ、地汚れ抑制効果が十分に発揮出来ない。

また、２種の酸化チタンの混合比率（重量比）も重要な因子である。Ｔ２／（Ｔ１＋Ｔ２）が０．２よりも小さい場合には、酸化チタンの充填率がそれほど大きくなく、地汚れ抑制効果が十分に発揮出来ない。一方、０．８よりも大きな場合には、隠蔽力が低下し、モアレを発生させる場合がある。従って、０．２≦Ｔ２／（Ｔ１＋Ｔ２）≦０．８であることが重要である。
また、モアレ防止層の膜厚は１〜１０μｍ、好ましくは２〜５μｍとするのが適当である。膜厚が１μｍ未満では効果の発現性が小さく、１０μｍを越えると残留電位の蓄積を生じるので望ましくない。

無機顔料は溶剤とバインダー樹脂と共に常法により、例えばボールミル、サンドミル、アトライラー等により分散し、また、必要に応じて硬化（架橋）に必要な薬剤、溶剤、添加剤、硬化促進剤等を加えて、常法により、ブレード塗工、浸漬塗工法、スプレーコート、ビートコート、ノズルコート法などにより基体上に形成される。塗布後は乾燥や加熱、光等の硬化処理により乾燥あるいは硬化させる。

次に感光層について説明する。感光層は電荷発生物質と電荷輸送物質を含む単層構成の感光層（第１図）でも構わないが、電荷発生層と電荷輸送層で構成される積層型（第２、３図）が感度、耐久性において優れた特性を示し、良好に使用される。説明の都合上、積層構成からなる感光層について先に述べる。
電荷発生層は、電荷発生物質を主成分とする層である。電荷発生物質としては、特に限定はなく、公知の材料を用いることが出来る。中でも、ＣｕＫαの特性Ｘ線（波長１．５４２Å）に対するブラッグ角２θの回折ピーク（±０．２゜）として、少なくとも２７．２゜に最大回折ピークを有するチタニルフタロシアニンは有用に用いることが出来る。特に、特開２００１−１９８７１号公報に記載の結晶型、ＣｕＫαの特性Ｘ線（波長１．５４２Å）に対するブラッグ角２θの回折ピーク（±０．２゜）として、少なくとも２７．２゜に最大回折ピークを有し、更に９．４゜、９．６゜、２４．０゜に主要なピークを有し、最も低角側の回折ピークとして７．３゜にピークを有し、７．３°のピークと９．４゜のピークの間にピークを有さないチタニルフタロシアニン結晶が良好に用いられ、更に２６．３°にピークを有さない結晶は有効に使用できる。更に、上記結晶型を有し、結晶合成時あるいは分散濾過処理により、平均粒子サイズを０．２５μｍ以下にし、粗大粒子の存在しないチタニルフタロシアン結晶（特開２００４−８３８５９号公報、特開２００４−７８１４１号公報）は最も有用に使用できる。

電荷発生層は、前記電荷発生物質を必要に応じて結着樹脂とともに適当な溶剤中にボールミル、アトライター、サンドミル、超音波などを用いて分散し、これを導電性支持体上に塗布し、乾燥することにより形成される。
必要に応じて電荷発生層に用いられる結着樹脂としては、ポリアミド、ポリウレタン、エポキシ樹脂、ポリケトン、ポリカーボネート、シリコン樹脂、アクリル樹脂、ポリビニルブチラール、ポリビニルホルマール、ポリビニルケトン、ポリスチレン、ポリスルホン、ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール、ポリアクリルアミド、ポリビニルベンザール、ポリエステル、フェノキシ樹脂、塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体、ポリ酢酸ビニル、ポリフェニレンオキシド、ポリアミド、ポリビニルピリジン、セルロース系樹脂、カゼイン、ポリビニルアルコール、ポリビニルピロリドン等があげられる。結着樹脂の量は、電荷発生物質１００重量部に対し０〜５００重量部、好ましくは１０〜３００重量部が適当である。

ここで用いられる溶剤としては、例えばイソプロパノール、アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、テトラヒドロフラン、ジオキサン、エチルセルソルブ、酢酸エチル、酢酸メチル、ジクロロメタン、ジクロロエタン、モノクロロベンゼン、シクロヘキサン、トルエン、キシレン、リグロイン等が挙げられる。塗布液の塗工法としては、浸漬塗工法、スプレーコート、ビートコート、ノズルコート、スピナーコート、リングコート等の方法を用いることができる。電荷発生層の膜厚は、０.０１〜５μｍ程度が適当であり、好ましくは０.１〜２μｍである。

電荷輸送層は、電荷輸送物質および結着樹脂を適当な溶剤に溶解ないし分散し、これを電荷発生層上に塗布、乾燥することにより形成できる。また、必要により可塑剤、レベリング剤、酸化防止剤等を添加することもできる。
電荷輸送物質には、正孔輸送物質と電子輸送物質とがある。正孔輸送物質としては、ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾールおよびその誘導体、ポリ−γ−カルバゾリルエチルグルタメートおよびその誘導体、ピレン−ホルムアルデヒド縮合物およびその誘導体、ポリビニルピレン、ポリビニルフェナントレン、ポリシラン、オキサゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、モノアリールアミン誘導体、ジアリールアミン誘導体、トリアリールアミン誘導体、スチルベン誘導体、α−フェニルスチルベン誘導体、ベンジジン誘導体、ジアリールメタン誘導体、トリアリールメタン誘導体、９−スチリルアントラセン誘導体、ピラゾリン誘導体、ジビニルベンゼン誘導体、ヒドラゾン誘導体、インデン誘導体、ブタジエン誘導体、ピレン誘導体等、ビススチルベン誘導体、エナミン誘導体等その他公知の材料が挙げられる。これらの電荷輸送物質は単独、または２種以上混合して用いられる。

電子輸送物質としては、例えばクロルアニル、ブロムアニル、テトラシアノエチレン、テトラシアノキノジメタン、２，４，７−トリニトロ−９−フルオレノン、２，４，５，７−テトラニトロ−９−フルオレノン、２，４，５，７−テトラニトロキサントン、２，４，８−トリニトロチオキサントン、２，６，８−トリニトロ−４Ｈ−インデノ〔１，２−ｂ〕チオフェン−４−オン、１，３，７−トリニトロジベンゾチオフェン−５，５−ジオキサイド、ベンゾキノン誘導体等の電子受容性物質が挙げられる。

結着樹脂としてはポリスチレン、スチレン−アクリロニトリル共重合体、スチレン−ブタジエン共重合体、スチレン−無水マレイン酸共重合体、ポリエステル、ポリ塩化ビニル、塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体、ポリ酢酸ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリアレート、フェノキシ樹脂、ポリカーボネート、酢酸セルロース樹脂、エチルセルロース樹脂、ポリビニルブチラール、ポリビニルホルマール、ポリビニルトルエン、ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール、アクリル樹脂、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、メラミン樹脂、ウレタン樹脂、フェノール樹脂、アルキッド樹脂等の熱可塑性または熱硬化性樹脂が挙げられる。

電荷輸送物質の量は結着樹脂１００重量部に対し、２０〜３００重量部、好ましくは４０〜１５０重量部が適当である。また、電荷輸送層の膜厚は５〜１００μｍ程度とすることが好ましい。

ここで用いられる溶剤としては、テトラヒドロフラン、ジオキサン、トルエン、ジクロロメタン、モノクロロベンゼン、ジクロロエタン、シクロヘキサノン、メチルエチルケトン、アセトンなどが用いられる。中でも、環境への負荷低減等の意図から、非ハロゲン系溶媒の使用は望ましいものである。具体的には、テトラヒドロフランやジオキソラン、ジオキサン等の環状エーテルやトルエン、キシレン等の芳香族系炭化水素、及びそれらの誘導体が良好に用いられる。

また、電荷輸送層には電荷輸送物質としての機能とバインダー樹脂の機能を持った高分子電荷輸送物質も良好に使用される。これら高分子電荷輸送物質から構成される電荷輸送層８は耐摩耗性に優れたものである。高分子電荷輸送物質としては、公知の材料が使用できるが、特に、トリアリールアミン構造を主鎖および／または側鎖に含むポリカーボネートが良好に用いられる。中でも、（Ｉ）〜（Ｘ）式で表わされる高分子電荷輸送物質が良好に用いられ、これらを以下に例示し、具体例を示す。

（Ｉ）式中、Ｒ₁、Ｒ₂、Ｒ₃はそれぞれ独立して置換もしくは無置換のアルキル基又はハロゲン原子、Ｒ₄は水素原子又は置換もしくは無置換のアルキル基、Ｒ₅、Ｒ₆は置換もしくは無置換のアリール基、ｏ、ｐ、ｑはそれぞれ独立して０〜４の整数、ｋ、ｊは組成を表し、０．１≦ｋ≦１、０≦ｊ≦０．９、ｎは繰り返し単位数を表し５〜５０００の整数である。Ｘは脂肪族の２価基、環状脂肪族の２価基、または下記一般式で表される２価基を表す。尚、（Ｉ）式は２つの共重合種が交互共重合体の形で記載されているが、ランダム共重合体でも構わない。

Ｒ₁₀₁、Ｒ₁₀₂は各々独立して置換もしくは無置換のアルキル基、アリール基またはハロゲン原子を表す。ｌ、ｍは０〜４の整数、Ｙは単結合、炭素原子数１〜１２の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキレン基、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＳＯ−、−ＳＯ₂−、−ＣＯ−、−ＣＯ−Ｏ−Ｚ−Ｏ−ＣＯ−（式中Ｚは脂肪族の２価基を表す。）または、
（ａは１〜２０の整数、ｂは１〜２０００の整数、Ｒ₁₀₃、Ｒ₁₀₄は置換または無置換のアルキル基又はアリール基を表す）を表す。ここで、Ｒ₁₀₁とＲ₁₀₂、Ｒ₁₀₃とＲ₁₀₄は、それぞれ同一でも異なってもよい。）

（II）式中、Ｒ₇、Ｒ₈は置換もしくは無置換のアリール基、Ａｒ₁、Ａｒ₂、Ａｒ₃は同一又は異なるアリレン基を表す。Ｘ、ｋ、ｊおよびｎは、（Ｉ）式の場合と同じである。尚、（II）式は２つの共重合種が交互共重合体の形で記載されているが、ランダム共重合体でも構わない。

（III）式中、Ｒ₉、Ｒ₁₀は置換もしくは無置換のアリール基、Ａｒ₄、Ａｒ₅、Ａｒ₆は同一又は異なるアリレン基を表す。Ｘ、ｋ、ｊおよびｎは、（Ｉ）式の場合と同じである。尚、（III）式は２つの共重合種が交互共重合体の形で記載されているが、ランダム共重合体でも構わない。

（IV）式中、Ｒ₁₁、Ｒ₁₂は置換もしくは無置換のアリール基、Ａｒ₇、Ａｒ₈、Ａｒ₉は同一又は異なるアリレン基、ｐは１〜５の整数を表す。Ｘ、ｋ、ｊおよびｎは、（Ｉ）式の場合と同じである。尚、（IV）式は２つの共重合種が交互共重合体の形で記載されているが、ランダム共重合体でも構わない。

（Ｖ）式中、Ｒ₁₃、Ｒ₁₄は置換もしくは無置換のアリール基、Ａｒ₁₀、Ａｒ₁₁、Ａｒ₁₂は同一又は異なるアリレン基、Ｘ₁、Ｘ₂は置換もしくは無置換のエチレン基、又は置換もしくは無置換のビニレン基を表す。Ｘ、ｋ、ｊおよびｎは、（Ｉ）式の場合と同じである。尚、（Ｖ）式は２つの共重合種が交互共重合体の形で記載されているが、ランダム共重合体でも構わない。

（VI）式中、Ｒ₁₅、Ｒ₁₆、Ｒ₁₇、Ｒ₁₈は置換もしくは無置換のアリール基、Ａｒ₁₃、Ａｒ₁₄、Ａｒ₁₅、Ａｒ₁₆は同一又は異なるアリレン基、Ｙ₁、Ｙ₂、Ｙ₃は単結合、置換もしくは無置換のアルキレン基、置換もしくは無置換のシクロアルキレン基、置換もしくは無置換のアルキレンエーテル基、酸素原子、硫黄原子、ビニレン基を表し同一であっても異なってもよい。Ｘ、ｋ、ｊおよびｎは、（Ｉ）式の場合と同じである。尚、（VI）式は２つの共重合種が交互共重合体の形で記載されているが、ランダム共重合体でも構わない。

（VII）式中、Ｒ₁₉、Ｒ₂₀は水素原子、置換もしくは無置換のアリール基を表し、Ｒ₁₉とＲ₂₀は環を形成していてもよい。Ａｒ₁₇、Ａｒ₁₈、Ａｒ₁₉は同一又は異なるアリレン基を表す。Ｘ、ｋ、ｊおよびｎは、（Ｉ）式の場合と同じである。尚、（VII）式は２つの共重合種が交互共重合体の形で記載されているが、ランダム共重合体でも構わない。

（VIII）式中、Ｒ₂₁は置換もしくは無置換のアリール基、Ａｒ₂₀、Ａｒ₂₁、Ａｒ₂₂、Ａｒ₂₃は同一又は異なるアリレン基を表す。Ｘ、ｋ、ｊおよびｎは、（Ｉ）式の場合と同じである。尚、（VIII）式は２つの共重合種が交互共重合体の形で記載されているが、ランダム共重合体でも構わない。

（IX）式中、Ｒ₂₂、Ｒ₂₃、Ｒ₂₄、Ｒ₂₅は置換もしくは無置換のアリール基、Ａｒ₂₄、Ａｒ₂₅、Ａｒ₂₆、Ａｒ₂₇、Ａｒ₂₈は同一又は異なるアリレン基を表す。Ｘ、ｋ、ｊおよびｎは、（Ｉ）式の場合と同じである。尚、（IX）式は２つの共重合種が交互共重合体の形で記載されているが、ランダム共重合体でも構わない。

（Ｘ）式中、Ｒ₂₆、Ｒ₂₇は置換もしくは無置換のアリール基、Ａｒ₂₉、Ａｒ₃₀、Ａｒ₃₁は同一又は異なるアリレン基を表す。Ｘ、ｋ、ｊおよびｎは、（Ｉ）式の場合と同じである。尚、（Ｘ）式は２つの共重合種が交互共重合体の形で記載されているが、ランダム共重合体でも構わない。

また、電荷輸送層に使用される高分子電荷輸送物質として、上述の高分子電荷輸送物質の他に、電荷輸送層の成膜時には電子供与性基を有するモノマーあるいはオリゴマーの状態で、成膜後に硬化反応あるいは架橋反応をさせることで、最終的に２次元あるいは３次元の架橋構造を有する重合体も含むものである。
更に電荷輸送層の構成として、架橋構造からなる電荷輸送層も有効に使用される。架橋構造の形成に関しては、１分子内に複数個の架橋性官能基を有する反応性モノマーを使用し、光や熱エネルギーを用いて架橋反応を起こさせ、３次元の網目構造を形成するものである。この網目構造がバインダー樹脂として機能し、高い耐摩耗性を発現するものである。

また、上記反応性モノマーとして、全部もしくは一部に電荷輸送能を有するモノマーを使用することは非常に有効な手段である。このようなモノマーを使用することにより、網目構造中に電荷輸送部位が形成され、電荷輸送層としての機能を十分に発現することが可能となる。電荷輸送能を有するモノマーとしては、トリアリールアミン構造を有する反応性モノマーが有効に使用される。
このような網目構造を有する電荷輸送層は、耐摩耗性が高い反面、架橋反応時に体積収縮が大きく、あまり厚膜化するとクラックなどを生じる場合がある。このような場合には、電荷輸送層を積層構造として、下層（電荷発生層側）には低分子分散ポリマーの電荷輸送層を使用し、上層（表面側）に架橋構造を有する電荷輸送層を形成しても良い。

これら電子供与性基を有する重合体から構成される電荷輸送層、あるいは架橋構造を有する重合体は耐摩耗性に優れたものである。通常、電子写真プロセスにおいては、帯電電位（未露光部電位）は一定であるため、繰り返し使用により感光体の表面層が摩耗すると、その分だけ感光体にかかる電界強度が高くなってしまう。この電界強度の上昇に伴い、地汚れの発生頻度が高くなるため、感光体の耐摩耗性が高いことは、地汚れに対して有利である。これら電子供与性基を有する重合体から構成される電荷輸送層は、自身が高分子化合物であるため成膜性に優れ、低分子分散型高分子からなる電荷輸送層に比べ、電荷輸送部位を高密度に構成することが可能で電荷輸送能に優れたものである。このため、高分子電荷輸送物質を用いた電荷輸送層を有する感光体には高速応答性が期待できる。

その他の電子供与性基を有する重合体としては、公知単量体の共重合体や、ブロック重合体、グラフト重合体、スターポリマーや、また、例えば特開平３―１０９４０６号公報、特開２０００―２０６７２３号公報、特開２００１―３４００１号公報等に開示されているような電子供与性基を有する架橋重合体などを用いることも可能である。

本発明において電荷輸送層中に可塑剤やレベリング剤を添加してもよい。可塑剤としては、ジブチルフタレート、ジオクチルフタレートなど一般の樹脂の可塑剤として使用されているものがそのまま使用でき、その使用量は、結着樹脂に対して０〜３０重量％程度が適当である。レベリング剤としては、ジメチルシリコーンオイル、メチルフェニルシリコーンオイルなどのシリコーンオイル類や、側鎖にパーフルオロアルキル基を有するポリマーあるいは、オリゴマーが使用され、その使用量は結着樹脂に対して、０〜１重量％が適当である。

上記は感光層が積層構成の場合について述べたが、本発明においては感光層が単層構成でも構わない。感光層を単層構成とするためには、少なくとも上述の電荷発生物質とバインダー樹脂を含有する単一層を設けることで感光層は構成され、バインダー樹脂としては電荷発生層や電荷輸送層の説明の所に記載したものが良好に使用される。また、単層感光層には電荷輸送物質を併用することで、高い光感度、高いキャリア輸送特性、低い残留電位が発現され、良好に使用できる。この際、使用する電荷輸送物質は、感光体表面に帯電させる極性に応じて、正孔輸送物質、電子輸送物質の何れかが選択される。更に、上述した高分子電荷輸送物質もバインダー樹脂と電荷輸送物質の機能を併せ持つため、単層感光層には良好に使用される。

本発明の電子写真感光体には、感光層保護の目的で、保護層が感光層の上に設けられる。近年、日常的にコンピュータの使用が行われるようになり、プリンターによる高速出力とともに、装置の小型化も望まれている。従って、保護層を設け、耐久性を向上させることによって、本発明の電気特性の極めて安定した感光体を有用に用いることができる。

本発明で使用できる保護層としては、少なくともラジカル重合性化合物を硬化することにより形成されるものが用いられる。機械的耐久性の観点からラジカル重合性官能基の数は３つ以上が好ましく用いられる。つまり３官能以上のラジカル重合性化合物を硬化することで３次元の網目構造が発達し、架橋密度が非常に高い高硬度且つ高弾性な表面層が得られ、かつ均一で平滑性も高く、高い耐摩耗性、耐傷性が達成される。この様に感光体表面の架橋密度すなわち単位体積あたりの架橋結合数を増加させることが重要であるが、硬化反応において瞬時に多数の結合を形成させるため体積収縮による内部応力が発生する。この内部応力は架橋型保護層の膜厚が厚くなるほど増加するため保護層全層を硬化させると、クラックや膜剥がれが発生しやすくなる。この現象は初期的に現れなくても、電子写真プロセス上で繰り返し使用され帯電、現像、転写、クリーニングのハザード及び熱変動の影響を受けることにより、経時で発生しやすくなることもある。

この問題を解決する方法としては、（１）架橋層及び架橋構造に高分子成分を導入する、（２）１官能及び２官能のラジカル重合性モノマーを多量に用いる、（３）柔軟性基を有する多官能モノマーを用いる、などの硬化樹脂層を柔らかくする方向性が挙げられるが、いずれも架橋層の架橋密度が希薄となり、飛躍的な耐摩耗性が達成されない。これに対し、本発明の感光体は、電荷輸送層上に３次元の網目構造が発達した架橋密度の高い保護層を好ましくは１μｍ以上、１５μｍ以下の膜厚で設けることで、上記のクラックや膜剥がれが発生せず、且つ非常に高い耐摩耗性が達成される。かかる保護層の膜厚を２μｍ以上、１０μｍ以下の膜厚にすることにより、さらに上記問題に対する余裕度が向上することに加え、更なる耐摩耗性向上に繋がる高架橋密度化の材料選択が可能となる。

本発明の感光体がクラックや膜剥がれを抑制できる理由としては、保護層を薄膜化できるため内部応力が大きくならないこと、下層に感光層もしくは電荷輸送層を有するため表面の保護層の内部応力を緩和できることなどによる。このため保護層に高分子材料を多量に含有させる必要がなく、この時生ずる、高分子材料とラジカル重合性組成物（ラジカル重合性モノマーや電荷輸送性構造を有するラジカル重合性化合物）の反応より生じた硬化物との不相溶が原因の傷やトナーフィルミングも起こりにくい。さらに、一般的には保護層全層にわたる厚膜を光エネルギー照射により硬化する場合、電荷輸送性構造等による吸収から内部への光透過が制限され、硬化反応が十分に進行しない現象が起こることがあるが、本発明の保護層においては硬化終了後にアルキルアミノ基を有する化合物を注入することから、これによる硬化阻害が全くなく、内部まで均一に硬化反応が進行し、表面と同様に内部でも高い耐摩耗性が維持される。さらにそれと同時にアルキルアミノ基を有する化合物の劣化が極めて少なく、安定した電気特性を長期間の間維持することが可能となる。また、本発明の保護層の形成においては、ラジカル重合性化合物に加え、電荷輸送性化合物（ラジカル重合性官能基の有無は問わないが、機械的耐久性の観点からはラジカル重合性官能基を有するものの方が好ましく使用できる）を含有することも可能である。ラジカル重合性官能基を有する電荷輸送性化合物としては硬化樹脂構造の歪みや、保護層の内部応力の観点から官能基数が少ない方が好ましく、１官能の電荷輸送性化合物が良好に用いることが出来る。

次に、本発明の保護層塗布液の構成材料について説明する。
本発明に用いられるラジカル重合性化合物のうち、電荷輸送性構造を有しないラジカル重合性化合物としては、例えばトリアリールアミン、ヒドラゾン、ピラゾリン、カルバゾールなどの正孔輸送性構造、例えば縮合多環キノン、ジフェノキノン、シアノ基やニトロ基を有する電子吸引性芳香族環などの電子輸送構造を有しておらず、且つラジカル重合性官能基を有するモノマーを指す。このラジカル重合性官能基とは、炭素−炭素２重結合を有し、ラジカル重合可能な基であれば何れでもよい。これらラジカル重合性官能基としては、例えば、下記に示す１−置換エチレン官能基、１，１−置換エチレン官能基等が挙げられる。

（１）１−置換エチレン官能基としては、例えば以下の式で表される官能基が挙げられる。
ＣＨ₂＝ＣＨ−Ｘ₁− ・・・・式１０
（ただし、式１０中、Ｘ₁は、置換基を有していてもよいフェニレン基、ナフチレン基等のアリーレン基、置換基を有していてもよいアルケニレン基、−ＣＯ−基、−ＣＯＯ−基、−ＣＯＮ（Ｒ₁₀）−基（Ｒ₁₀は、水素、メチル基、エチル基等のアルキル基、ベンジル基、ナフチルメチル基、フェネチル基等のアラルキル基、フェニル基、ナフチル基等のアリール基を表す。）、または−Ｓ−基を表す。）
これらの官能基を具体的に例示すると、ビニル基、スチリル基、２−メチル−１，３−ブタジエニル基、ビニルカルボニル基、アクリロイルオキシ基、アクリロイルアミド基、ビニルチオエーテル基等が挙げられる。

（２）１，１−置換エチレン官能基としては、例えば以下の式で表される官能基が挙げられる。
ＣＨ₂＝Ｃ（Ｙ）−Ｘ₂− ・・・・式１１
（ただし、式１１中、Ｙは、置換基を有していてもよいアルキル基、置換基を有していてもよいアラルキル基、置換基を有していてもよいフェニル基、ナフチル基等のアリール基、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、メトキシ基あるいはエトキシ基等のアルコキシ基、−ＣＯＯＲ₁₁基（Ｒ₁₁は、水素原子、置換基を有していてもよいメチル基、エチル基等のアルキル基、置換基を有していてもよいベンジル、フェネチル基等のアラルキル基、置換基を有していてもよいフェニル基、ナフチル基等のアリール基、または−ＣＯＮＲ₁₂Ｒ₁₃（Ｒ₁₂およびＲ₁₃は、水素原子、置換基を有していてもよいメチル基、エチル基等のアルキル基、置換基を有していてもよいベンジル基、ナフチルメチル基、あるいはフェネチル基等のアラルキル基、または置換基を有していてもよいフェニル基、ナフチル基等のアリール基を表し、互いに同一または異なっていてもよい。）、また、Ｘ₂は上記式１０のＸ₁と同一の置換基及び単結合、アルキレン基を表す。ただし、Ｙ、Ｘ₂の少なくとも何れか一方がオキシカルボニル基、シアノ基、アルケニレン基、及び芳香族環である。）
これらの官能基を具体的に例示すると、α−塩化アクリロイルオキシ基、メタクリロイルオキシ基、α−シアノエチレン基、α−シアノアクリロイルオキシ基、α−シアノフェニレン基、メタクリロイルアミノ基等が挙げられる。

なお、これらＸ₁、Ｘ₂、Ｙについての置換基にさらに置換される置換基としては、例えばハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、メチル基、エチル基等のアルキル基、メトキシ基、エトキシ基等のアルコキシ基、フェノキシ基等のアリールオキシ基、フェニル基、ナフチル基等のアリール基、ベンジル基、フェネチル基等のアラルキル基等が挙げられる。

これらのラジカル重合性官能基の中では、特にアクリロイルオキシ基、メタクリロイルオキシ基が有用であり、アクリロイルオキシ基を有する化合物は、例えば水酸基がその分子中にある化合物とアクリル酸（塩）、アクリル酸ハライド、アクリル酸エステルを用い、エステル反応あるいはエステル交換反応させることにより得ることができる。また、メタクリロイルオキシ基を有する化合物も同様にして得ることができる。また、ラジカル重合性官能基を２個以上有する単量体中のラジカル重合性官能基は、同一でも異なっても良い。

電荷輸送性構造を有しないラジカル重合性化合物としては、以下のものが例示されるが、これらの化合物に限定されるものではない。
すなわち、本発明において使用する上記ラジカル重合性化合物としては、例えば、２−エチルヘキシルアクリレート、２−ヒドロキシエチルアクリレート、２−ヒドロキシプロピルアクリレート、テトラヒドロフルフリルアクリレート、２−エチルヘキシルカルビトールアクリレート、３−メトキシブチルアクリレート、ベンジルアクリレート、シクロヘキシルアクリレート、イソアミルアクリレート、イソブチルアクリレート、メトキシトリエチレングリコールアクリレート、フェノキシテトラエチレングリコールアクリレート、セチルアクリレート、イソステアリルアクリレート、ステアリルアクリレート、スチレンモノマー、１，３−ブタンジオールジアクリレート、１，４−ブタンジオールジアクリレート、１，４−ブタンジオールジメタクリレート、１，６−ヘキサンジオールジアクリレート、１，６−ヘキサンジオールジメタクリレート、ジエチレングリコールジアクリレート、ネオペンチルグリコールジアクリレート、ビスフェノールＡ−ＥＯ変性ジアクリレート、ビスフェノールＦ−ＥＯ変性ジアクリレート、ネオペンチルグリコールジアクリレート、トリメチロールプロパントリアクリレート（ＴＭＰＴＡ）、トリメチロールプロパントリメタクリレート、トリメチロールプロパンアルキレン変性トリアクリレート、トリメチロールプロパンエチレンオキシ変性（以後ＥＯ変性）トリアクリレート、トリメチロールプロパンプロピレンオキシ変性（以後ＰＯ変性）トリアクリレート、トリメチロールプロパンカプロラクトン変性トリアクリレート、トリメチロールプロパンアルキレン変性トリメタクリレート、ペンタエリスリトールトリアクリレート、ペンタエリスリトールテトラアクリレート（ＰＥＴＴＡ）、グリセロールトリアクリレート、グリセロールエピクロロヒドリン変性（以後ＥＣＨ変性）トリアクリレート、グリセロールＥＯ変性トリアクリレート、グリセロールＰＯ変性トリアクリレート、トリス（アクリロキシエチル）イソシアヌレート、ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート（ＤＰＨＡ）、ジペンタエリスリトールカプロラクトン変性ヘキサアクリレート、ジペンタエリスリトールヒドロキシペンタアクリレート、アルキル化ジペンタエリスリトールペンタアクリレート、アルキル化ジペンタエリスリトールテトラアクリレート、アルキル化ジペンタエリスリトールトリアクリレート、ジメチロールプロパンテトラアクリレート（ＤＴＭＰＴＡ）、ペンタエリスリトールエトキシテトラアクリレート、リン酸ＥＯ変性トリアクリレート、２，２，５，５，−テトラヒドロキシメチルシクロペンタノンテトラアクリレートなどが挙げられ、これらは単独又は２種類以上を併用しても差し支えない。

また、本発明に用いられるラジカル重合性化合物のうち、電荷輸送性構造を有しないラジカル重合性化合物としては、保護層中に緻密な架橋結合を形成するために、該モノマー中の官能基数に対する分子量の割合（分子量／官能基数）は２５０以下が望ましい。また、この割合が２５０より大きい場合、架橋型保護層は柔らかく耐摩耗性が幾分低下する傾向が出てくるため、上記例示したモノマー等中、ＥＯ、ＰＯ、カプロラクトン等の変性基を有する化合物においては、極端に長い変性基を有するものを単独で使用することは好ましくはない。また、保護層に用いられる電荷輸送性構造を有しないラジカル重合性モノマーの成分割合は、保護層全量に対し２０〜８０重量％、好ましくは３０〜７０重量％である。モノマー成分が２０重量％未満では保護層の３次元架橋結合密度が少なく、従来の熱可塑性バインダー樹脂を用いた場合に比べ飛躍的な耐摩耗性向上が望めない傾向がある。また、８０重量％を超えると電荷輸送性化合物の含有量が低下し、電気特性の劣化が生じる傾向がある。使用されるプロセスによって要求される電気特性や耐摩耗性が異なり、それに伴い本感光体の保護層の膜厚も異なるため一概には言えないが、両特性のバランスを考慮すると３０〜７０重量％の範囲が最も好ましい。

本発明の保護層に用いられる電荷輸送性化合物にはラジカル重合性官能基を有しないもの及び有するものいずれも良好に用いることができる。また電気特性的には光硬化時には電荷輸送性化合物は含まないことが好まれるが、さらなら機械的耐久性の向上等の高機能化を目的としては、ラジカル重合性官能基を有する電荷輸送性化合物も同時に光硬化してもよい。ラジカル重合性官能基を有しない電荷輸送性化合物としては電荷輸送層の部分で記載した電荷輸送材料が良好に用いられる。またラジカル重合性官能基を有するものとしては従来から知られているもの（特開２００５−１０７４０１、特開２００６−０１１０１４、特開２００６−１５４７９６）が良好に用いられるが、例えばトリアリールアミン、ヒドラゾン、ピラゾリン、カルバゾールなどの正孔輸送性構造、例えば縮合多環キノン、ジフェノキノン、シアノ基やニトロ基を有する電子吸引性芳香族環などの電子輸送構造を有しており、且つラジカル重合性官能基を有する化合物を指す。このラジカル重合性官能基としては、先の電荷輸送性構造を有しないラジカル重合性モノマーで示したものが挙げられ、特にアクリロイルオキシ基、メタクリロイルオキシ基が有用である。また、電荷輸送性構造としてはトリアリールアミン構造が高い効果を有し、中でも下記一般式（４１）又は（４２）の構造で示される化合物を用いた場合、感度、残留電位等の電気的特性が良好に持続される。

｛式中、Ｒ₁は水素原子、ハロゲン原子、置換基を有してもよいアルキル基、置換基を有してもよいアラルキル基、置換基を有してもよいアリール基、シアノ基、ニトロ基、アルコキシ基、−ＣＯＯＲ₇（Ｒ₇は水素原子、置換基を有してもよいアルキル基、置換基を有してもよいアラルキル基又は置換基を有してもよいアリール基）、ハロゲン化カルボニル基若しくはＣＯＮＲ₈Ｒ₉（Ｒ₈及びＲ₉は水素原子、ハロゲン原子、置換基を有してもよいアルキル基、置換基を有してもよいアラルキル基又は置換基を有してもよいアリール基を示し、互いに同一であっても異なっていてもよい）を表わし、Ａｒ₁、Ａｒ₂は置換もしくは無置換のアリーレン基を表わし、同一であっても異なってもよい。Ａｒ₃、Ａｒ₄は置換もしくは無置換のアリール基を表わし、同一であっても異なってもよい。Ｘは単結合、置換もしくは無置換のアルキレン基、置換もしくは無置換のシクロアルキレン基、置換もしくは無置換のアルキレンエーテル基、酸素原子、硫黄原子、ビニレン基を表わす。Ｚは置換もしくは無置換のアルキレン基、置換もしくは無置換のアルキレンエーテル２価基、アルキレンオキシカルボニル２価基を表わす。ｍ、ｎは０〜３の整数を表わす。｝

以下に、一般式（４１）、（４２）の具体例を示す。
前記一般式（４１）、（４２）において、Ｒ₁の置換基中、アルキル基としては、例えばメチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基等、アリール基としては、フェニル基、ナフチル基等が、アラルキル基としては、ベンジル基、フェネチル基、ナフチルメチル基が、アルコキシ基としては、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基等がそれぞれ挙げられ、これらは、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、メチル基、エチル基等のアルキル基、メトキシ基、エトキシ基等のアルコキシ基、フェノキシ基等のアリールオキシ基、フェニル基、ナフチル基等のアリール基、ベンジル基、フェネチル基等のアラルキル基等により置換されていても良い。
Ｒ₁の置換基のうち、特に好ましいものは水素原子、メチル基である。

Ａｒ₃、Ａｒ₄は置換もしくは無置換のアリール基を表わし、本発明において、該アリール基としては縮合多環式炭化水素基、非縮合環式炭化水素基及び複素環基が含まれる。
該縮合多環式炭化水素基としては、好ましくは環を形成する炭素数が１８個以下のもの、例えば、ペンタニル基、インデニル基、ナフチル基、アズレニル基、ヘプタレニル基、ビフェニレニル基、ａｓ−インダセニル基、ｓ−インダセニル基、フルオレニル基、アセナフチレニル基、プレイアデニル基、アセナフテニル基、フェナレニル基、フェナントリル基、アントリル基、フルオランテニル基、アセフェナントリレニル基、アセアントリレニル基、トリフェニレル基、ピレニル基、クリセニル基、及びナフタセニル基等が挙げられる。

該非縮合環式炭化水素基としては、ベンゼン、ジフェニルエーテル、ポリエチレンジフェニルエーテル、ジフェニルチオエーテル及びジフェニルスルホン等の単環式炭化水素化合物の１価基、あるいはビフェニル、ポリフェニル、ジフェニルアルカン、ジフェニルアルケン、ジフェニルアルキン、トリフェニルメタン、ジスチリルベンゼン、１，１−ジフェニルシクロアルカン、ポリフェニルアルカン、及びポリフェニルアルケン等の非縮合多環式炭化水素化合物の１価基、あるいは９，９−ジフェニルフルオレン等の環集合炭化水素化合物の１価基が挙げられる。
複素環基としては、カルバゾール、ジベンゾフラン、ジベンゾチオフェン、オキサジアゾール、及びチアジアゾール等の１価基が挙げられる。

また、前記Ａｒ₃、Ａｒ₄で表わされるアリール基は例えば以下に示すような置換基を有してもよい。
（１）ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基等。
（２）アルキル基、好ましくは、Ｃ₁〜Ｃ₁₂とりわけＣ₁〜Ｃ₈、さらに好ましくはＣ₁〜Ｃ₄の直鎖または分岐鎖のアルキル基であり、これらのアルキル基にはさらにフッ素原子、水酸基、シアノ基、Ｃ₁〜Ｃ₄のアルコキシ基、フェニル基又はハロゲン原子、Ｃ₁〜Ｃ₄のアルキル基もしくはＣ₁〜Ｃ₄のアルコキシ基で置換されたフェニル基を有していてもよい。具体的にはメチル基、エチル基、ｎ−ブチル基、ｉ−プロピル基、ｔ−ブチル基、ｓ−ブチル基、ｎ−プロピル基、トリフルオロメチル基、２−ヒドロキシエチル基、２−エトキシエチル基、２−シアノエチル基、２−メトキシエチル基、ベンジル基、４−クロロベンジル基、４−メチルベンジル基、４−フェニルベンジル基等が挙げられる。

（３）アルコキシ基（−ＯＲ₂）であり、Ｒ₂は（２）で定義したアルキル基を表わす。具体的には、メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、ｉ−プロポキシ基、ｔ−ブトキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｓ−ブトキシ基、ｉ−ブトキシ基、２−ヒドロキシエトキシ基、ベンジルオキシ基、トリフルオロメトキシ基等が挙げられる。
（４）アリールオキシ基であり、アリール基としてはフェニル基、ナフチル基が挙げられる。これは、Ｃ₁〜Ｃ₄のアルコキシ基、Ｃ₁〜Ｃ₄のアルキル基またはハロゲン原子を置換基として含有してもよい。具体的には、フェノキシ基、１−ナフチルオキシ基、２−ナフチルオキシ基、４−メトキシフェノキシ基、４−メチルフェノキシ基等が挙げられる。
（５）アルキルメルカプト基またはアリールメルカプト基であり、具体的にはメチルチオ基、エチルチオ基、フェニルチオ基、ｐ−メチルフェニルチオ基等が挙げられる。

（６）
（式中、Ｒ₃及びＲ₄は各々独立に水素原子、前記（２）で定義したアルキル基、またはアリール基を表わす。アリール基としては、例えばフェニル基、ビフェニル基又はナフチル基が挙げられ、これらはＣ₁〜Ｃ₄のアルコキシ基、Ｃ₁〜Ｃ₄のアルキル基またはハロゲン原子を置換基として含有してもよい。Ｒ₃及びＲ₄は共同で環を形成してもよい。）
具体的には、アミノ基、ジエチルアミノ基、Ｎ−メチル−Ｎ−フェニルアミノ基、Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノ基、Ｎ，Ｎ−ジ（トリール）アミノ基、ジベンジルアミノ基、ピペリジノ基、モルホリノ基、ピロリジノ基等が挙げられる。

（７）メチレンジオキシ基、又はメチレンジチオ基等のアルキレンジオキシ基又はアルキレンジチオ基等が挙げられる。
（８）置換又は無置換のスチリル基、置換又は無置換のβ−フェニルスチリル基、ジフェニルアミノフェニル基、ジトリルアミノフェニル基等。

前記Ａｒ₁、Ａｒ₂で表わされるアリーレン基としては、前記Ａｒ₃、Ａｒ₄で表されるアリール基から誘導される２価基である。
前記Ｘは単結合、置換もしくは無置換のアルキレン基、置換もしくは無置換のシクロアルキレン基、置換もしくは無置換のアルキレンエーテル基、酸素原子、硫黄原子、ビニレン基を表わす。
置換もしくは無置換のアルキレン基としては、Ｃ₁〜Ｃ₁₂、好ましくはＣ₁〜Ｃ₈、さらに好ましくはＣ₁〜Ｃ₄の直鎖または分岐鎖のアルキレン基であり、これらのアルキレン基にはさらにフッ素原子、水酸基、シアノ基、Ｃ₁〜Ｃ₄のアルコキシ基、フェニル基又はハロゲン原子、Ｃ₁〜Ｃ₄のアルキル基もしくはＣ₁〜Ｃ₄のアルコキシ基で置換されたフェニル基を有していてもよい。具体的にはメチレン基、エチレン基、ｎ−ブチレン基、ｉ−プロピレン基、ｔ−ブチレン基、ｓ−ブチレン基、ｎ−プロピレン基、トリフルオロメチレン基、２−ヒドロキシエチレン基、２−エトキシエチレン基、２−シアノエチレン基、２−メトキシエチレン基、ベンジリデン基、フェニルエチレン基、４−クロロフェニルエチレン基、４−メチルフェニルエチレン基、４−ビフェニルエチレン基等が挙げられる。

置換もしくは無置換のシクロアルキレン基としては、Ｃ₅〜Ｃ₇の環状アルキレン基であり、これらの環状アルキレン基にはフッ素原子、水酸基、Ｃ₁〜Ｃ₄のアルキル基、Ｃ₁〜Ｃ₄のアルコキシ基を有していても良い。具体的にはシクロヘキシリデン基、シクロへキシレン基、３，３−ジメチルシクロヘキシリデン基等が挙げられる。
置換もしくは無置換のアルキレンエーテル基としては、エチレンオキシ、プロピレンオキシ、エチレングリコール、プロピレングリコール、ジエチレングリコール、テトラエチレングリコール、トリプロピレングリコールを表わし、アルキレンエーテル基アルキレン基はヒドロキシル基、メチル基、エチル基等の置換基を有してもよい。

ビニレン基は、
で表わされ、Ｒ₅は水素、アルキル基（前記（２）で定義されるアルキル基と同じ）、アリール基（前記Ａｒ₃、Ａｒ₄で表わされるアリール基と同じ）、ａは１または２、ｂは１〜３を表わす。

前記Ｚは置換もしくは無置換のアルキレン基、置換もしくは無置換のアルキレンエーテル２価基、アルキレンオキシカルボニル２価基を表わす。
置換もしくは無置換のアルキレン基としては、前記Ｘのアルキレン基と同様なものが挙げられる。
置換もしくは無置換のアルキレンエーテル２価基としては、前記Ｘのアルキレンエーテル２価基が挙げられる。
アルキレンオキシカルボニル２価基としては、カプロラクトン２価変性基が挙げられる。

また、本発明の１官能の電荷輸送性構造を有するラジカル重合性化合物として更に好ましくは、下記一般式（４３）の構造の化合物が挙げられる。
（式中、ｏ、ｐ、ｑはそれぞれ０又は１の整数、Ｒａは水素原子、メチル基を表わし、Ｒｂ、Ｒｃは水素原子以外の置換基で炭素数１〜６のアルキル基を表わし、複数の場合は異なっても良い。ｓ、ｔは０〜３の整数を表わす。Ｚａは単結合、メチレン基、エチレン基、
を表わす。）

上記一般式で表わされる化合物としては、Ｒｂ、Ｒｃの置換基として、特にメチル基、エチル基である化合物が好ましい。

本発明で用いる上記一般式（４１）及び（４２）特に（４３）の１官能のラジカル重合性官能基を有する電荷輸送性化合物は、炭素−炭素間の二重結合が両側に開放されて重合するため、末端構造とはならず、連鎖重合体中に組み込まれ、電荷輸送性構造を有しないラジカル重合性モノマーとの重合で架橋形成された重合体中では、高分子の主鎖中に存在し、かつ主鎖−主鎖間の架橋鎖中に存在（この架橋鎖には１つの高分子と他の高分子間の分子間架橋鎖と１つの高分子内で折り畳まれた状態の主鎖のある部位と主鎖中でこれから離れた位置に重合したモノマー由来の他の部位とが架橋される分子内架橋鎖とがある）するが、主鎖中に存在する場合であってもまた架橋鎖中に存在する場合であっても、鎖部分から懸下するトリアリールアミン構造は、窒素原子から放射状方向に配置する少なくとも３つのアリール基を有し、バルキーであるが、鎖部分に直接結合しておらず鎖部分からカルボニル基等を介して懸下しているため立体的位置取りに融通性ある状態で固定されているので、これらトリアリールアミン構造は重合体中で相互に程よく隣接する空間配置が可能であるため、分子内の構造的歪みが少なく、また、電子写真感光体の表面層とされた場合に、電荷輸送経路の断絶を比較的免れた分子内構造をとりうるものと推測される。

また本発明においては下記一般式（４４）で示した特定のアクリル酸エステル化合物もラジカル重合性官能基を有する電荷輸送性化合物として良好に用いることができる。

Ａｒ₅は置換又は無置換の芳香族炭化水素骨格からなる一価基または二価基を表す。芳香族炭化水素としては、ベンゼン、ナフタレン、フェナントレン、ビフェニル、１,２,３,４−テトラヒドロナフタレン等が挙げられる。
置換基としては、炭素数１〜１２のアルキル基、炭素数１〜１２のアルコキシ基、ベンジル基、ハロゲン原子が挙げられる。また、上記アルキル基、アルコキシ基は、さらにハロゲン原子、フェニル基を置換基として有していても良い。
Ａｒ₆は、少なくとも１個の３級アミノ基を有する芳香族炭化水素骨格からなる一価基または二価基もしくは少なくとも１個の３級アミノ基を有する複素環式化合物骨格からなる一価基または二価基を表すが、ここで、３級アミノ基を有する芳香族炭化水素骨格とは下記一般式（Ａ）で表される。

（式中、Ｒ₁₃、Ｒ₁₄はアシル基、置換もしくは無置換のアルキル基、置換もしくは無置換のアリール基を表す。Ａｒ₇はアリール基を表す。ｗは１〜３の整数を表す。）
Ｒ₁₃、Ｒ₁₄のアシル基としてはアセチル基、プロピオニル基、ベンゾイル基等が挙げられる。
Ｒ₁₃、Ｒ₁₄の置換もしくは無置換のアルキル基はＡｒ₅の置換基で述べたアルキル基と同様である。
Ｒ₁₃、Ｒ₁₄の置換もしくは無置換のアリール基は、フェニル基、ナフチル基、ビフェニリル基、ターフェニリル基、ピレニル基、フルオレニル基、９，９−ジメチル−２−フルオレニル基、アズレニル基、アントリル基、トリフェニレニル基、クリセニル基に加えて下記一般式（Ｂ）で表される基を挙げることができる。

[式中、Ｂは−Ｏ−、−Ｓ−、−ＳＯ−、−ＳＯ_２−、−ＣＯ−及び以下の２価基から選ばれる。
（ここで、Ｒ₂₁は、水素原子、Ａｒ₅で定義された置換もしくは無置換のアルキル基、アルコキシ基、ハロゲン原子、Ｒ₁₃で定義された置換もしくは無置換のアリール基、アミノ基、ニトロ基、シアノ基を表し、Ｒ₂₂は、水素原子、Ａｒ₅で定義された置換もしくは無置換のアルキル基、Ｒ₁₃で定義された置換もしくは無置換のアリール基を表し、ｉは１〜１２の整数、ｊは１〜３の整数を表す。）]

Ｒ₂₁のアルコキシ基の具体例としてはメトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、ｉ−プロポキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｉ−ブトキシ基、ｓ−ブトキシ基、ｔ−ブトキシ基、２−ヒドロキシエトキシ基、２−シアノエトキシ基、ベンジルオキシ基、４−メチルベンジルオキシ基、トリフルオロメトキシ基等が挙げられる。
Ｒ₂₁のハロゲン原子としてはフッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子が挙げられる。
Ｒ₂₁のアミノ基としては、ジフェニルアミノ基、ジトリルアミノ基、ジベンジルアミノ基、４−メチルベンジル基等が挙げられる。

Ａｒ₇のアリール基としてはフェニル基、ナフチル基、ビフェニリル基、ターフェニリル基、ピレニル基、フルオレニル基、９，９−ジメチル−２−フルオレニル基、アズレニル基、アントリル基、トリフェニレニル基、クリセニル基を挙げることができる。
Ａｒ₇、Ｒ₁₃、Ｒ₁₄は、Ａｒ₅で定義されたアルキル基、アルコキシ基、ハロゲン原子を置換基として有していても良い。

また、３級アミノ基を有する複素環式化合物骨格としては、ピロール、ピラゾール、イミダゾール、トリアゾール、ジオキサゾール、インドール、イソインドール、ベンズイミダゾール、ベンゾトリアゾール、ベンゾイソキサジン、カルバゾール、フェノキサジン等のアミン構造を有する複素環化合物が挙げられる。これらは、Ａｒ₅で定義されたアルキル基、アルコキシ基、ハロゲン原子を置換基として有していても良い。

Ｂ₁、Ｂ₂はアクリロイルオキシ基、メタクリロイルオキシ基、ビニル基、アクリロイルオキシ基又はメタクリロイルオキシ基又はビニル基を有するアルキル基、アクリロイルオキシ基又はメタクリロイルオキシ基又はビニル基を有するアルコキシ基を表す。アルキル基、アルコキシ基は、Ａｒ₅で述べたものが同様に適用される。これら、Ｂ₁、とＢ₂は、どちらか一方のみが存在し、両方の存在は除外される。

一般式（４４）のアクリル酸エステル化合物においてより好ましい構造として下記一般式（４５）の化合物を挙げることができる。

式中、Ｒ₈、Ｒ₉は、置換もしくは無置換のアルキル基、置換もしくは無置換のアルコキシ基、ハロゲン原子を表し、Ａｒ₇、Ａｒ₈は、置換もしくは無置換のアリール基またはアリレン基、置換又は無置換のベンジル基をあらわす。アルキル基、アルコキシ基、ハロゲン原子は前記Ａｒ₅で述べたものが同様に適用される。
アリール基は、Ｒ₁₃、Ｒ₁₄で定義されたアリール基と同様である。アリレン基は、そのアリール基から誘導される二価基である。
Ｂ₁〜Ｂ₄は、一般式（４４）におけるＢ₁、Ｂ₂と同様であり、Ｂ₁〜Ｂ₄の内、どれか一つだけが存在し、二つ以上の存在は除外される。ｕは０〜５の整数、ｖは０〜４の整数を表す。

特定のアクリル酸エステル化合物は次のような特徴を有する。スチルベン型共役構造を有した三級アミン化合物であり、発達した共役系を有している。こういった共役系の発達した電荷輸送性化合物を用いることで、架橋層界面部分での電荷注入性が非常に良好となり、さらに架橋結合間に固定化された場合でも分子間相互作用が阻害されにくく、電荷移動度に関しても良好な特性を有する。また、ラジカル重合性の高いアクリロイルオキシ基、又はメタクリロイルオキシ基を分子中に１個有しており、ラジカル重合時に速やかにゲル化するとともに過度な架橋歪を生じない。分子中のスチルベン構造部の二重結合が部分的に重合に参加し、しかもアクリロイルオキシ基、又はメタクリロイルオキシ基よりも重合性が低いために架橋反応に時間差が生じることで歪みを最大に大きくする事が無く、しかも分子中の二重結合を使用する為に分子量当りの架橋反応数を上げることが出来る為に、架橋密度を高めることができ、耐摩耗性のさらなる向上が実現可能となった。また、この二重結合は、架橋条件により重合度を調整することができ、容易に最適架橋膜を作製できる。この様なラジカル重合への架橋参加は、アクリル酸エステル化合物の特異的な特徴であり、前述したようなα−フェニルスチルベン型の構造では起こらない。

以上のことから、一般式（４４）特に一般式（４５）に示したラジカル重合性官能基を有する電荷輸送性化合物を用いることで良好な電気特性を維持しつつ、且つ、クラック等の発生を起さずに架橋密度の極めて高い膜を形成することができ、それにより感光体の諸特性を満足し、且つシリカ微粒子等が感光体に刺さることを防止し、白斑点等の画像欠陥を減らすことができる。

以下に本発明において用いられる電荷輸送性構造を有するラジカル重合性化合物の具体例を示すが、これらの構造の化合物に限定されるものではない。

また、本発明に用いられるラジカル重合性官能基を有する電荷輸送性化合物は、架橋表面層の電荷輸送性能を付与するために重要で、この成分は架橋表面層全量に対し２０〜８０重量％、好ましくは３０〜７０重量％になるように塗工液成分の含有量を調整する。この成分が２０重量％未満では架橋表面層の電荷輸送性能が充分に保てず、繰り返しの使用で感度低下、残留電位上昇などの電気特性の劣化が現れる。また、８０重量％を超えると電荷輸送構造を有しないラジカル重合性化合物の含有量が低下し、架橋結合密度の低下を招き高い耐摩耗性が発揮されない。使用されるプロセスによって要求される電気特性や耐摩耗性が異なるため一概には言えないが、両特性のバランスを考慮すると３０〜７０重量％の範囲が最も好ましい。

本発明の電子写真感光体を構成する保護層は、塗工時の粘度調整、保護層の応力緩和、低表面エネルギー化や摩擦係数低減などの機能付与の目的で機能性モノマー及びラジカル重合性オリゴマーを併用することができる。これらの機能性モノマー及びラジカル重合性オリゴマーとしては公知のものが利用できる。機能性モノマーとしては、例えば、オクタフルオロペンチルアクリレート、２−パーフルオロオクチルエチルアクリレート、２−パーフルオロオクチルエチルメタクリレート、２−パーフルオロイソノニルエチルアクリレートなどのフッ素原子を置換したもの、特公平５−６０５０３号公報、特公平６−４５７７０号公報記載のシロキサン繰り返し単位：２０〜７０のアクリロイルポリジメチルシロキサンエチル、メタクリロイルポリジメチルシロキサンエチル、アクリロイルポリジメチルシロキサンプロピル、アクリロイルポリジメチルシロキサンブチル、ジアクリロイルポリジメチルシロキサンジエチルなどのポリシロキサン基を有するビニルモノマー、アクリレート及びメタクリレートが挙げられる。ラジカル重合性オリゴマーとしては、例えば、エポキシアクリレート系、ウレタンアクリレート系、ポリエステルアクリレート系オリゴマーが挙げられる。

但し、官能基数の低い１官能及び２官能のラジカル重合性モノマーやラジカル重合性オリゴマーを多量に含有させると架橋表面保護層の３次元架橋結合密度が実質的に低下し、耐摩耗性の低下を招く。このためこれらのモノマーやオリゴマーの含有量は架橋表面層全量に対して５０重量％以下、好ましくは３０重量％以下である。

また、本発明の保護層は少ラジカル重合性化合物を光硬化することにより形成された後、該表面保護層にアルキルアミノ基を有する化合物を含む超臨界流体及び／または亜臨界流体を接触させることで得られるが、必要に応じてこの光硬化時の反応効率向上を目的として保護層塗布液中に重合開始剤を含有させても良い。重合開始剤としては従来から知られている熱重合開始剤および光重合開始剤が良好に使用できる。

熱重合開始剤としては、２，５−ジメチルヘキサン−２，５−ジヒドロパーオキサイド、ジクミルパーオキサイド、ベンゾイルパーオキサイド、ｔ−ブチルクミルパーオキサイド、２，５−ジメチル−２，５−ジ（パーオキシベンゾイル）ヘキシン−３、ジ−ｔ−ブチルベルオキサイド、ｔ−ブチルヒドロベルオキサイド、クメンヒドロベルオキサイド、ラウロイルパーオキサイド、２，２−ビス（４，４−ジ−ｔ−ブチルパーオキシシクロヘキシ）プロパンなどの過酸化物系開始剤、アゾビスイソブチルニトリル、アゾビスシクロヘキサンカルボニトリル、アゾビスイソ酪酸メチル、アゾビスイソブチルアミジン塩酸塩、４，４’−アゾビス−４−シアノ吉草酸などのアゾ系開始剤が挙げられる。

光重合開始剤としては、ジエトキシアセトフェノン、２，２−ジメトキシ−１，２−ジフェニルエタン−１−オン、１−ヒドロキシ−シクロヘキシル−フェニル−ケトン、４−（２−ヒドロキシエトキシ）フェニル−（２−ヒドロキシ−２−プロピル）ケトン、２−ベンジル−２−ジメチルアミノ−１−（４−モルフォリノフェニル）ブタノン−１、２−ヒドロキシ−２−メチル−１−フェニルプロパン−１−オン、２−メチル−２−モルフォリノ（４−メチルチオフェニル）プロパン−１−オン、１−フェニル−１，２−プロパンジオン−２−（ｏ−エトキシカルボニル）オキシム、などのアセトフェノン系またはケタール系光重合開始剤、ベンゾイン、ベンゾインメチルエーテル、ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインイソブチルエーテル、ベンゾインイソプロピルエーテル、などのベンゾインエーテル系光重合開始剤、ベンゾフェノン、４−ヒドロキシベンゾフェノン、ｏ−ベンゾイル安息香酸メチル、２−ベンゾイルナフタレン、４−ベンゾイルビフェニル、４−ベンゾイルフェニールエーテル、アクリル化ベンゾフェノン、１，４−ベンゾイルベンゼン、などのベンゾフェノン系光重合開始剤、２−イソプロピルチオキサントン、２−クロロチオキサントン、２，４−ジメチルチオキサントン、２，４−ジエチルチオキサントン、２，４−ジクロロチオキサントン、などのチオキサントン系光重合開始剤、その他の光重合開始剤としては、エチルアントラキノン、２，４，６−トリメチルベンゾイルジフェニルホスフィンオキサイド、２，４，６−トリメチルベンゾイルフェニルエトキシホスフィンオキサイド、ビス（２，４，６−トリメチルベンゾイル）フェニルホスフィンオキサイド、ビス（２，４−ジメトキシベンゾイル）−２，４，４−トリメチルペンチルホスフィンオキサイド、メチルフェニルグリオキシエステル、９，１０−フェナントレン、アクリジン系化合物、トリアジン系化合物、イミダゾール系化合物、が挙げられる。また、光重合促進効果を有するものを単独または上記光重合開始剤と併用して用いることもできる。例えば、トリエタノールアミン、メチルジエタノールアミン、４−ジメチルアミノ安息香酸エチル、４−ジメチルアミノ安息香酸イソアミル、安息香酸（２−ジメチルアミノ）エチル、４，４’−ジメチルアミノベンゾフェノン、などが挙げられる。

これらの重合開始剤は１種又は２種以上を混合して用いてもよい。重合開始剤の含有量は、ラジカル重合性を有する総含有物１００重量部に対し、０．５〜４０重量部、好ましくは１〜２０重量部である。

更に、本発明の保護層形成用塗工液は必要に応じて各種可塑剤（応力緩和や接着性向上の目的）、レベリング剤、ラジカル反応性を有しない低分子電荷輸送物質などの添加剤が含有できる。これらの添加剤は公知のものが使用可能であり、可塑剤としてはジブチルフタレート、ジオクチルフタレート等の一般の樹脂に使用されているものが利用可能で、その使用量は塗工液の総固形分に対し２０重量％以下、好ましくは１０重量％以下に抑えられる。また、レベリング剤としては、ジメチルシリコーンオイル、メチルフェニルシリコーンオイル等のシリコーンオイル類や、側鎖にパーフルオロアルキル基を有するポリマーあるいはオリゴマーが利用でき、その使用量は塗工液の総固形分に対し３重量％以下が適当である。

本発明の保護層は、少なくとも上記のラジカル重合性化合物を含有する塗工液を前述の感光層あるいは電荷輸送層上に塗布及び光硬化した後、アルキルアミノ基を有する化合物を含む超臨界流体及び／または亜臨界流体を接触させることにより形成されるが、かかる塗工液はラジカル重合性化合物が液体である場合、これに他の成分を溶解して塗布することも可能であるが、必要に応じて溶媒により希釈して塗布される。このとき用いられる溶媒としては、メタノール、エタノール、プロパノール、ブタノールなどのアルコール系、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノンなどのケトン系、酢酸エチル、酢酸ブチルなどのエステル系、テトラヒドロフラン、ジオキサン、プロピルエーテルなどのエーテル系、ジクロロメタン、ジクロロエタン、トリクロロエタン、クロロベンゼンなどのハロゲン系、ベンゼン、トルエン、キシレンなどの芳香族系、メチルセロソルブ、エチルセロソルブ、セロソルブアセテートなどのセロソルブ系などが挙げられる。これらの溶媒は単独または２種以上を混合して用いてもよい。溶媒による希釈率は組成物の溶解性、塗工法、目的とする膜厚により変わり、任意である。塗布は、浸漬塗工法やスプレーコート、ビードコート、リングコート法などを用いて行うことができる。

本発明においては、架橋表面保護層の塗工液を塗布後、外部から光エネルギーを与え硬化させ架橋表面層を形成するものであるが、このとき用いられる光エネルギーとしては主に紫外光に発光波長をもつ高圧水銀灯やメタルハライドランプなどのＵＶ照射光源が利用できるが、ラジカル重合性含有物や光重合開始剤の吸収波長に合わせ可視光光源の選択も可能である。照射光量は５０ｍＷ／ｃｍ²以上、好ましくは５００ｍＷ／ｃｍ²以上、より好ましくは１０００ｍＷ／ｃｍ²以上である。１０００ｍＷ／ｃｍ²より強い照射光を用いることで重合反応の進行速度が大幅に速くなり、より均一な架橋表面層を形成することが可能となる。均一な重合反応を行い、一様な架橋表面層を構築するためには照度の範囲としては被照射物上の照度が最大となる場所での照度を１００％とすると、小さくても７０％以上、好ましくは８０％以上、より好ましくは９０％以上の範囲とすることで照度ムラが少ない、均一な特性を有する架橋表面層を実現できる。

次に、図面を用いて本発明の画像形成装置を詳しく説明する。
図４は、本発明の画像形成プロセスおよび画像形成装置を説明するための概略図であり、下記に示すような変形例も本発明の範疇に属するものである。
図４において、感光体１は導電性支持体上に少なくとも感光層と特定の保護層が設けられてなる。感光体はドラム状の形状を示しているが、シート状、エンドレスベルト状のものであっても良い。帯電ローラ３、転写前チャージャ７、転写チャージャ１０、分離チャージャ１１、クリーニング前チャージャ１３には、コロトロン、スコロトロン、固体帯電器（ソリッド・ステート・チャージャー）、帯電ローラ、転写ローラを始めとする公知の手段が用いられる。

これらの、帯電方式のうち、特に接触帯電方式、あるいは非接触の近接配置方式が望ましい。接触帯電方式においては帯電効率が高くオゾン発生量が少ない、装置の小型化が可能である等のメリットを有する。ここでいう接触方式の帯電部材とは、感光体表面に帯電部材の表面が接触するタイプのものであり、帯電ローラ、帯電ブレード、帯電ブラシの形状がある。中でも帯電ローラや帯電ブラシが良好に使用される。

また、近接配置した帯電部材とは、感光体表面と帯電部材表面の間に２００μｍ以下の空隙（ギャップ）を有するように非接触状態で近接配置したタイプのものである。空隙の距離から、コロトロン、スコロトロンに代表される公知の帯電器とは区別されるものである。本発明において使用される近接配置された帯電部材は、感光体表面との空隙を適切に制御できる機構のものであればいかなる形状のものでも良い。例えば、感光体の回転軸と帯電部材の回転軸を機械的に固定して、適正ギャップを有するような配置にすればよい。中でも、帯電ローラの形状の帯電部材を用い、帯電部材の非画像形成部両端にギャップ形成部材を配置して、この部分のみを感光体表面に当接させ、画像形成領域を非接触配置させる、あるいは感光体非画像形成部両端ギャップ形成部材を配置して、この部分のみを帯電部材表面に当接させ、画像形成領域を非接触配置させる様な方法が、簡便な方法でギャップを安定して維持できる方法である。特に特開２００２−１４８９０４号、特開２００２−１４８９０５号に記載された方法は良好に使用できる。帯電部材側にギャップ形成部材を配置した近接帯電機構の一例を図５に示す。前記方式を用いることで、帯電効率が高くオゾン発生量が少ない、装置の小型化が可能、さらには、トナー等による汚れが生じない、接触による機械的摩耗が発生しない等の利点を有していることから良好に使用される。さらに印加方式としては、交流重畳を用いることでより帯電ムラが生じにくい等の利点を有し、良好に使用できる。

このような接触方式の帯電部材あるいは非接触帯電方式の帯電部材を用いた場合、感光体の絶縁破壊を生じやすいという欠点を有している。しかしながら、本発明に用いられる感光体は、電荷ブロッキング層とモアレ防止層の積層構成からなる中間層を有してもよく、更に感光層には電荷発生物質の粗大粒子が含有されていないため、感光体の耐圧性が極めて高い。このため、感光体の絶縁破壊に対する耐性が高く、上記帯電部材のメリット（帯電ムラ防止）が生かせるものである。

このような帯電部材により感光体に帯電が施されるが、通常の画像形成装置においては、感光体に起因する地汚れが発生し易いため、感光体にかかる電界強度は低めに設定される（４０Ｖ／μｍ以下、好ましくは３０Ｖ／μｍ以下）。これは、地汚れの発生が電界強度に依存し、電界強度が上昇すると地汚れ発生確率が上昇するためである。しかしながら、感光体にかかる電界強度を低下させることは、光キャリア発生効率を低下させ、光感度を低下させる。また、感光体表面と導電性支持体との間にかかる電界強度が低下するため、感光層で生成する光キャリアの直進性が低下し、クローン反発による拡散が大きくなり、結果として解像度の低下を生じる。一方、本発明の電子写真感光体を用いることにより、地汚れ発生確率を極端に低下させることが出来るため、電界強度を必要以上に低下させる必要はなくなり、４０Ｖ／μｍ以上の電界強度下でも使用できるようになる。このため、感光体光減衰におけるゲイン量を十分に確保でき、後述の現像（ポテンシャル）に対しても大きな余裕度を生み出し、解像度も低下させることなく現像が出来るようになる。

また、画像露光部５には、発光ダイオード（ＬＥＤ）、半導体レーザー（ＬＤ）、エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）などの高輝度を確保できる光源が使用される。
除電ランプ２等の光源には、蛍光灯、タングステンランプ、ハロゲンランプ、水銀灯、ナトリウム灯、発光ダイオード（ＬＥＤ）、半導体レーザー（ＬＤ）、エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）などの発光物全般を用いることができる。そして、所望の波長域の光のみを照射するために、シャープカットフィルター、バンドパスフィルター、近赤外カットフィルター、ダイクロイックフィルター、干渉フィルター、色温度変換フィルターなどの各種フィルターを用いることもできる。
これらの光源のうち、発光ダイオード、及び半導体レーザーは照射エネルギーが高く、また６００〜８００ｎｍの長波長光を有するため、前述の電荷発生材料であるフタロシアニン顔料が高感度を示すことから良好に使用される。かかる光源等は、図４に示される工程の他に光照射を併用した転写工程、除電工程、クリーニング工程、あるいは前露光などの工程を設けることにより、感光体に光が照射される。

さて、現像ユニット６により感光体１上に現像されたトナーは、転写紙９に転写されるが、全部が転写されるわけではなく、感光体１上に残存するトナーも生ずる。このようなトナーは、ファーブラシ１４およびクリーニングブレード１５により、感光体より除去される。クリーニングは、クリーニングブラシだけで行なわれることもあり、クリーニングブラシにはファーブラシ、マグファーブラシを始めとする公知のものが用いられる。

電子写真感光体に正(負)帯電を施し、画像露光を行なうと、感光体表面上には正(負)の静電潜像が形成される。これを負(正)極性のトナー（検電微粒子）で現像すれば、ポジ画像が得られ、また正(負)極性のトナーで現像すれば、ネガ画像が得られる。かかる現像手段には、公知の方法が適用されるし、また、除電手段にも公知の方法が用いられる。

図６には、本発明による電子写真プロセスの別の例を示す。感光体２１は導電性支持体上に少なくとも感光層と特定の保護層が設けられてなる。駆動ローラー２２ａ，２２ｂにより駆動され、帯電器（帯電チャージャ）２３による帯電、光源２４による像露光、現像（図示せず）、転写器（転写チャージャ）２５を用いる転写、光源２６によるクリーニング前露光、ブラシ２７によるクリーニング、光源２８による除電が繰返し行なわれる。

以上の図示した電子写真プロセスは、本発明における実施形態を例示するものであって、もちろん他の実施形態も可能である。例えば、第６図において支持体側よりクリーニング前露光を行っているが、これは感光層側から行ってもよいし、また、除電光の照射を支持体側から行ってもよい。
一方、光照射工程は、像露光、クリーニング前露光、除電露光が図示されているが、他に転写前露光、像露光のプレ露光、およびその他公知の光照射工程を設けて、感光体に光照射を行なうこともできる。

以上に示すような画像形成手段は、複写装置、ファクシミリ、プリンター内に固定して組み込まれていてもよいが、プロセスカートリッジの形でそれら装置内に組み込まれてもよい。プロセスカートリッジとは、感光体を内蔵し、他に帯電器、潜像形成器、現像器、転写器、クリーニング器、除電器等を含んだ１つの装置（部品）である。プロセスカートリッジの形状等は多く挙げられるが、一般的な例として、図７に示すものが挙げられる。感光体１は導電性支持体上に少なくとも感光層と特定の保護層が設けられてなる。

図８は、本発明のタンデム方式のフルカラー電子写真装置を説明するための概略図であり、下記するような変形例も本発明の範疇に属するものである。
図８において、符号１Ｃ，１Ｍ，１Ｙ，１Ｋはドラム状の感光体であり、感光体１は導電性支持体上に少なくとも感光層と特定の保護層が設けられてなる。

この感光体１Ｃ，１Ｍ，１Ｙ，１Ｋは図中の矢印方向に回転し、その周りに少なくとも回転順に帯電部材２Ｃ，２Ｍ，２Ｙ，２Ｋ、現像部材４Ｃ，４Ｍ，４Ｙ，４Ｋ、クリーニング部材５Ｃ，５Ｍ，５Ｙ，５Ｋが配置されている。帯電部材２Ｃ，２Ｍ，２Ｙ，２Ｋは、感光体表面を均一に帯電するための帯電装置を構成する帯電部材である。この帯電部材２Ｃ，２Ｍ，２Ｙ，２Ｋと現像部材４Ｃ，４Ｍ，４Ｙ，４Ｋの間の感光体表面側より、図示しない露光部材からのレーザー光３Ｃ，３Ｍ，３Ｙ，３Ｋが照射され、感光体１Ｃ，１Ｍ，１Ｙ，１Ｋに静電潜像が形成されるようになっている。そして、このような感光体１Ｃ，１Ｍ，１Ｙ，１Ｋを中心とした４つの画像形成要素６Ｃ，６Ｍ，６Ｙ，６Ｋが、転写材搬送手段である転写搬送ベルト１０に沿って並置されている。転写搬送ベルト１０は各画像形成ユニット６Ｃ，６Ｍ，６Ｙ，６Ｋの現像部材４Ｃ，４Ｍ，４Ｙ，４Ｋとクリーニング部材５Ｃ，５Ｍ，５Ｙ，５Ｋの間で感光体１Ｃ，１Ｍ，１Ｙ，１Ｋに当接しており、転写搬送ベルト１０の感光体側の裏側に当たる面（裏面）には転写バイアスを印加するための転写ブラシ１１Ｃ，１１Ｍ，１１Ｙ，１１Ｋが配置されている。各画像形成要素６Ｃ，６Ｍ，６Ｙ，６Ｋは現像装置内部のトナーの色が異なることであり、その他は全て同様の構成となっている。

図８に示す構成のカラー電子写真装置において、画像形成動作は次のようにして行われる。まず、各画像形成要素６Ｃ，６Ｍ，６Ｙ，６Ｋにおいて、感光体１Ｃ，１Ｍ，１Ｙ，１Ｋが矢印方向（感光体と連れ周り方向）に回転する帯電部材２Ｃ，２Ｍ，２Ｙ，２Ｋにより帯電され、次に感光体の外側に配置された露光部（図示しない）でレーザー光３Ｃ，３Ｍ，３Ｙ，３Ｋにより、作成する各色の画像に対応した静電潜像が形成される。次に現像部材４Ｃ，４Ｍ，４Ｙ，４Ｋにより潜像を現像してトナー像が形成される。現像部材４Ｃ，４Ｍ，４Ｙ，４Ｋは、それぞれＣ（シアン），Ｍ（マゼンタ），Ｙ（イエロー），Ｋ（ブラック）のトナーで現像を行う現像部材で、４つの感光体１Ｃ，１Ｍ，１Ｙ，１Ｋ上で作られた各色のトナー像は転写紙上で重ねられる。転写紙７は給紙コロ８によりトレイから送り出され、一対のレジストローラ９で一旦停止し、上記感光体上への画像形成とタイミングを合わせて転写搬送ベルト１０に送られる。転写搬送ベルト１０上に保持された転写紙７は搬送されて、各感光体１Ｃ，１Ｍ，１Ｙ，１Ｋとの当接位置（転写部）で各色トナー像の転写が行われる。感光体上のトナー像は、転写ブラシ１１Ｃ，１１Ｍ，１１Ｙ，１１Ｋに印加された転写バイアスと感光体１Ｃ，１Ｍ，１Ｙ，１Ｋとの電位差から形成される電界により、転写紙７上に転写される。そして４つの転写部を通過して４色のトナー像が重ねられた記録紙７は定着装置１２に搬送され、トナーが定着されて、図示しない排紙部に排紙される。また、転写部で転写されずに各感光体１Ｃ，１Ｍ，１Ｙ，１Ｋ上に残った残留トナーは、クリーニング装置５Ｃ，５Ｍ，５Ｙ，５Ｋで回収される。尚、第８図の例では画像形成要素は転写紙搬送方向上流側から下流側に向けて、Ｃ（シアン），Ｍ（マゼンタ），Ｙ（イエロー），Ｋ（ブラック）の色の順で並んでいるが、この順番に限るものでは無く、色順は任意に設定されるものである。また、黒色のみの原稿を作成する際には、黒色以外の画像形成要素（６Ｃ，６Ｍ，６Ｙ）が停止するような機構を設けることは本発明に特に有効に利用できる。更に、図８において帯電部材は感光体と当接しているが、図５に示したような帯電機構にすることにより、両者の間に適当なギャップ（１０−２００ μｍ程度）を設けてやることにより、両者の摩耗量が低減できると共に、帯電部材へのトナーフィルミングが少なくて済み良好に使用できる。

以上に示すような画像形成手段は、複写装置、ファクシミリ、プリンター内に固定して組み込まれていてもよいが、各々の電子写真要素はプロセスカートリッジの形でそれら装置内に組み込まれてもよい。プロセスカートリッジとは、感光体を内蔵し、他に帯電器、潜像形成器、現像器、転写器、クリーニング器、除電器等を含んだ１つの装置（部品）である。

＜電荷輸送性構造を有する１官能のラジカル重合性化合物の合成例＞
本発明における電荷輸送性構造を有する化合物は、例えば特許第３１６４４２６号公報記載の方法にて合成される。また、下記にこの一例を示す。
（１）ヒドロキシ基置換トリアリールアミン化合物（下記構造式Ｂ）の合成
メトキシ基置換トリアリールアミン化合物（下記構造式Ａ）１１３．８５ｇ（０．３ｍｏｌ）と、ヨウ化ナトリウム１３８ｇ（０．９２ｍｏｌ）にスルホラン２４０ｍｌを加え、窒素気流中で６０℃に加温した。この液中にトリメチルクロロシラン９９ｇ（０．９１ｍｏｌ）を１時間で滴下し、約６０℃の温度で４時間半撹拌し反応を終了させた。この反応液にトルエン約１．５Ｌを加え室温まで冷却し、水と炭酸ナトリウム水溶液で繰り返し洗浄した。その後、このトルエン溶液から溶媒を除去し、カラムクロマト処理（吸着媒体：シリカゲル、展開溶媒：トルエン：酢酸エチル＝２０：１）にて精製した。得られた淡黄色オイルにシクロヘキサンを加え、結晶を析出させた。このようにして下記構造式Ｂの白色結晶８８．１ｇ（収率＝８０．４％）を得た。
融点：６４．０〜６６．０℃

（２）トリアリールアミノ基置換アクリレート化合物（表１中の例示化合物ＮＯ．５４）の合成
上記（１）で得られたヒドロキシ基置換トリアリールアミン化合物（構造式Ｂ）８２．９ｇ（０．２２７ｍｏｌ）をテトラヒドロフラン４００ｍｌに溶解し、窒素気流中で水酸化ナトリウム水溶液（ＮａＯＨ：１２．４ｇ，水：１００ｍｌ）を滴下した。この溶液を５℃に冷却し、アクリル酸クロライド２５．２ｇ（０．２７２ｍｏｌ）を４０分かけて滴下した。その後、５℃で３時間撹拌し反応を終了させた。この反応液を水に注ぎ、トルエンにて抽出した。この抽出液を炭酸水素ナトリウム水溶液と水で繰り返し洗浄した。その後、このトルエン溶液から溶媒を除去し、カラムクロマト処理（吸着媒体：シリカゲル、展開溶媒：トルエン）にて精製した。得られた無色のオイルにｎ−ヘキサンを加え、結晶を析出させた。このようにして例示化合物ＮＯ．５４の白色結晶８０．７３ｇ（収率＝８４．８％）を得た。
融点：１１７．５〜１１９．０℃

（３）アクリル酸エステル化合物の合成例
（２−ヒドロキシベンジルホスホン酸ジエチルの調製）
かき混ぜ装置、温度計、滴下漏斗をつけた反応容器に、２−ヒドロキシベンジルアルコール（東京化成品製）３８．４ｇ、ｏ−キシレン８０ｍｌを入れ、窒素気流下、亜リン酸トリエチル（東京化成品製）６２．８ｇを８０℃でゆっくり滴下し、さらに同温度で１時間反応を行った。その後、減圧蒸留により、生成したエタノール、溶媒のｏ−キシレン、未反応の亜リン酸トリエチルを除去し、６６ｇの２−ヒドロキシベンジルホスホン酸ジエチルを得た。（沸点１２０．０℃／１．５ｍｍＨｇ）（収率９０％）

（２−ヒドロキシ−４’−（Ｎ，Ｎ−ビス（４−メチルフェニル）アミノ）スチルベンの調製）
かき混ぜ装置、温度計、滴下漏斗をつけた反応容器に、カリウム−tert−ブトキサイド１４．８ｇ、テトラヒドロフラン５０ｍｌを入れ、窒素気流下、２−ヒドロキシベンジルホスホン酸ジエチル９．９０ｇと４−（Ｎ，Ｎ−ビス（４−メチルフェニル）アミノ）ベンズアルデヒド５．４４ｇとをテトラヒドロフランに溶解させた溶液を室温でゆっくり滴下し、その後、同温度で２時間反応させた。その後、水冷下、水を加え、次いで２規定の塩酸水溶液を加えて酸性化したのち、テトラヒドロフランをエバポレーターにより除き、粗生成物をトルエンで抽出した。トルエン相を水、炭酸水素ナトリウム水溶液、飽和食塩水の順に洗浄し、硫酸マグネシウムを加えて脱水した。ろ過後、トルエンを除いてオイル状の粗収物を得、さらにシリカゲルによりカラム精製を行った後、ヘキサン中で晶析させ、５．０９ｇの２−ヒドロキシ−４’−（Ｎ，Ｎ−ビス（４−メチルフェニル）アミノ）スチルベンを得た。（収率７２％、融点１３６．０〜１３８．０℃）

（４’−（Ｎ，Ｎ−ビス（４−メチルフェニル）アミノ）スチルベン−２−イルアクリレートの調製）
かき混ぜ装置、温度計、滴下漏斗をつけた反応容器に、２−ヒドロキシ−４’−（Ｎ，Ｎ−ビス（４−メチルフェニル）アミノ）スチルベン１４．９ｇ、テトラヒドロフラン１００ｍｌ、１２％濃度の水酸化ナトリウム水溶液２１．５ｇを入れ、窒素気流下、５℃でアクリル酸クロリド５．１７ｇを３０分かけて滴下した。その後、同温度で３時間反応させた。反応液を水にあけ、トルエンで抽出した後、濃縮してシリカゲルによるカラム精製を行った。得られた粗収物をエタノールで再結晶し、黄色針状晶の４’−（Ｎ，Ｎ−ビス（４−メチルフェニル）アミノ）スチルベン−２−イルアクリレート（例示化合物ＮＯ．１０５）１３．５ｇを得た。（収率７９．８％、融点１０４．１〜１０５．２℃）
元素分析結果を以下に示す。

以上の様に、２−ヒドロキシベンジルホスホン酸エステル誘導体と種々のアミノ置換ベンズアルデヒド誘導体を反応させることにより数多くの２−ヒドロキシスチルベン誘導体を合成し、そのアクリル化またはメタクリル化を行なう事で種々のアクリル酸エステル化合物を合成することができる。

以下、本発明について、実施例を挙げて説明するが、本発明は、これら実施例により制約を受けるものではない。なお、部は、全て重量部である。

実施例１
長さ３４０ｍｍ、φ３０ｍｍアルミニウムシリンダー（JIS1050）上に下記組成の中間層用塗工液を用いて塗布後、１３０℃／２０分間乾燥を行い、約３．５μｍの中間層を形成した。続いて下記組成の電荷発生層用塗工液を用いて塗布後、１３０℃／２０分間乾燥を行い、約０．２μｍの電荷発生層を形成した。さらに、下記組成の電荷輸送層用塗工液を用いて塗布後、１３０℃／２０分間乾燥を行い、約２０μｍの電荷輸送層を形成した。塗布はいずれもブレード塗工法を用いた。

（中間層用塗工液）
酸化チタンＣＲ−ＥＬ（石原産業社製）：５０部
アルキッド樹脂ベッコライトＭ６４０１−５０
（固形分５０重量％、大日本インキ化学工業社製）：１５部
メラミン樹脂Ｌ−１４５−６０
（固形分６０重量％、大日本インキ化学工業社製）：８部
２−ブタノン：１２０部

（電荷発生層用塗工液）
下記構造式の非対称ビスアゾ顔料：２．５部
ポリビニルブチラール（「ＸＹＨＬ」ＵＣＣ製）：０．５部
メチルエチルケトン：１１０部
シクロヘキサノン：２６０部

（電荷輸送層用塗工液）
ポリカーボネートＺポリカ（帝人化成社製）：１０部
下記構造式で示される電荷輸送性化合物：７部
テトラヒドロフラン：８０部
シリコーンオイル（ＫＦ５０−１００ｃｓ、信越化学工業社製）：０．００２部

上記のようにして得られた感光体について下記組成の架橋表面層用塗工液を塗布し、ウシオ製ＵＶランプシステムを用いて、ＵＶ照射時間を１２０秒とし光硬化を行ない、更に１３０℃／５分乾燥を行い約１０μｍの架橋表面架橋層を設けた。
（架橋表面層用塗工液）
トリメチロールプロパントリアクリレート
（日本化薬製、ＫＡＹＡＲＡＤＴＭＰＴＡ）：１０部
１−ヒドロキシ−シクロヘキシル−フェニル−ケトン
（イルガキュア１８４、日本化薬製、分子量：２０４）：１部
テトラヒドロフラン：５０部

上記の様にして得られた感光体及びアルキルアミノ基を有する化合物として例示化合物Ｎｏ．１８の化合物０．５ｇを内容積が７００ｍＬの耐圧容器内に入れ、超臨界流体として二酸化炭素を選択し、下記の条件にて循環方式により処理を行った。常温、０．１０ＭＰａにて、２〜３℃／分の加温速度、０．２ＭＰａ／分の加圧速度で加温及び加圧を行い、４０℃、７ＭＰａとした。ここで、流量を５．０Ｌ／分（標準状態換算値）として、２〜３℃／分の加温速度、１０ＭＰａ／分の加圧速度で加温及び加圧を行い、８０℃、３０ＭＰａの超臨界流体とした。流量を５．０Ｌ／分（標準状態換算値）を保ったまま２時間処理を行った。その後、流量を１．０〜３．０Ｌ／分（標準状態換算値）にして、２〜３℃／分の冷却速度、３〜５ＭＰａ／分の減圧速度で冷却減圧し、常温、０．１ＭＰａ（１気圧）まで戻した。以上のように実施例１の電子写真感光体を得た。

実施例２
実施例１における中間層を電荷ブロッキング層及びモアレ防止層の積層構成とし、下記組成の塗工液を用いて、０．５μｍの電荷ブロッキング層、３．５μｍのモアレ防止層を設け、超臨界流体を二酸化炭素とエタノ−ルの混合物とし、超臨界処理条件を以下のようにした以外は実施例１と同様に電子写真感光体を作製した。
（電荷ブロッキング層塗工液）
Ｎ−メトキシメチル化ナイロン（鉛市製、ＦＲ１０１）：５部
メタノール：７０部
ｎ−ブタノール：３０部
（モアレ防止層塗工液）
酸化チタン（石原産業社製、ＣＲ−ＥＬ）：１２６部
アルキッド樹脂（大日本インキ化学工業製、ベッコライトＭ６４０１−５０−Ｓ）：
３３．６部
メラミン樹脂（大日本インキ化学工業製、スーパーベッカミンＬ−１２１−６０）：
１８．７部
２−ブタノン：１００部
（超臨界処理条件）
エタノールの混合比：二酸化炭素に対して５重量％
超臨界温度：４０℃
超臨界圧力：１５Ｍｐａ
処理時間：１時間

実施例３
実施例１における超臨界処理を以下のように変更した意外は実施例１と同様に電子写真感光体を作製した。
架橋表面層を設けた感光体及びアルキルアミノ基を有する化合物として例示化合物Ｎｏ．１８の化合物０．１ｇおよび電荷輸送層用塗工液に含有した電荷輸送性化合物０．５ｇを内容積が７００ｍＬの耐圧容器内に入れ、超臨界流体として二酸化炭素を選択し、下記の条件にて循環方式により処理を行った。常温、０．１０ＭＰａにて、２〜３℃／分の加温速度、０．２ＭＰａ／分の加圧速度で加温及び加圧を行い、４０℃、７ＭＰａとした。ここで、流量を５．０Ｌ／分（標準状態換算値）として、２〜３℃／分の加温速度、１０ＭＰａ／分の加圧速度で加温及び加圧を行い、８０℃、３０ＭＰａの超臨界流体とした。流量を５．０Ｌ／分（標準状態換算値）を保ったまま２時間処理を行った。その後、流量を１．０〜３．０Ｌ／分（標準状態換算値）にして、２〜３℃／分の冷却速度、３〜５ＭＰａ／分の減圧速度で冷却減圧し、常温、０．１ＭＰａ（１気圧）まで戻した。

実施例４
実施例３における架橋表面層塗工液を以下のように変更し、さらに超臨界処理条件を以下のように変更した以外は実施例１と同様に電子写真感光体を作製した。
（架橋表面層用塗工液）
エトキシ化ビスフェノールＡジアクリレート（新中村化学製、ＡＢＥ−３００）：
１０部
２−クロロチオキサントン（東京化成製）：１部
テトラヒドロフラン：５０部
（超臨界処理条件）
超臨界流体：二酸化炭素に対してメタノールを５重量％混合
超臨界温度：６０℃
アルキルアミノ基を有する化合物：例示化合物No.４

実施例５
実施例３における架橋表面層塗工液を以下のように変更し、さらに超臨界処理条件を以下のように変更した以外は実施例１と同様に電子写真感光体を作製した。
（架橋表面層用塗工液）
ウレタンアクリレート（新中村化学製、Ｕ−１５ＨＡ）：１０部
ジベンジル（東京化成製）：１部
テトラヒドロフラン：５０部
酢酸ブチル：２０部
（超臨界処理条件）
超臨界温度：８０℃
アルキルアミノ基を有する化合物：例示化合物No.６

実施例６
実施例３における架橋表面層塗工液を以下のように変更し、さらに超臨界処理条件を以下のように変更した以外は実施例１と同様に電子写真感光体を作製した。
（架橋表面層用塗工液）
ペンタエリスリトールテトラアクリレート（日本化薬製、ＳＲ−２９５）：１０部
ベンゾインイソプロピルエーテル（東京化成製）：１部
テトラヒドロフラン：５０部
（超臨界処理条件）
超臨界温度：１００℃
アルキルアミノ基を有する化合物：例示化合物No.８

実施例７
実施例３における架橋表面層塗工液を以下のように変更し、さらに超臨界処理条件を以下のように変更した以外は実施例１と同様に電子写真感光体を作製した。
（架橋表面層用塗工液）
ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート
（日本化薬製、ＫＡＹＡＲＡＤＤＰＨＡ）：１０部
２，４−ジエチルチオキサントン（東京化成製）：１部
テトラヒドロフラン：５０部
（超臨界処理条件）
超臨界温度：１２０℃
アルキルアミノ基を有する化合物：例示化合物No.９

実施例８
実施例３における架橋表面層塗工液を以下のように変更し、さらに超臨界処理条件を以下のように変更した以外は実施例１と同様に電子写真感光体を作製した。
（架橋表面層用塗工液）
カプロラクトン変性ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート
（日本化薬製、ＫＡＹＡＲＡＤＤＰＣＡ−１２０）：１０部
フェニルビス（２，４，６−トリメチルベンゾイル）ホスフィンオキサイド
（東京化成製）：１部
テトラヒドロフラン：５０部
（超臨界処理条件）
超臨界温度：１４０℃
アルキルアミノ基を有する化合物：例示化合物No.１２

実施例９
実施例３における架橋表面層塗工液を以下のように変更し、さらに超臨界処理条件を以下のように変更した以外は実施例１と同様に電子写真感光体を作製した。
（架橋表面層用塗工液）
トリメチロールプロパントリアクリレート
（日本化薬製、ＫＡＹＡＲＡＤＴＭＰＴＡ）：１０部
１−ヒドロキシ−シクロヘキシル−フェニル−ケトン
（イルガキュア１８４、日本化薬製、分子量：２０４）：１部
テトラヒドロフラン：５０部
以下構造式の電荷輸送性化合物：３部
（超臨界処理条件）
超臨界温度：１４０℃
アルキルアミノ基を有する化合物：例示化合物No.１３

実施例１０
実施例３における架橋表面層塗工液を以下のように変更し、さらに超臨界処理条件を以下のように変更した以外は実施例１と同様に電子写真感光体を作製した。
（架橋表面層用塗工液）
トリメチロールプロパントリアクリレート
（日本化薬製、ＫＡＹＡＲＡＤＴＭＰＴＡ）：１０部
１−ヒドロキシ−シクロヘキシル−フェニル−ケトン
（イルガキュア１８４、日本化薬製、分子量：２０４）：１部
テトラヒドロフラン：５０部
以下構造式の電荷輸送性化合物：３部
（超臨界処理条件）
超臨界温度：１４０℃
アルキルアミノ基を有する化合物：例示化合物No.１７

実施例１１
実施例３における架橋表面層塗工液を以下のように変更し、さらに超臨界処理条件を以下のように変更した以外は実施例１と同様に電子写真感光体を作製した。
（架橋表面層用塗工液）
トリメチロールプロパントリアクリレート
（日本化薬製、ＫＡＹＡＲＡＤＴＭＰＴＡ）：１０部
１−ヒドロキシ−シクロヘキシル−フェニル−ケトン
（イルガキュア１８４、日本化薬製、分子量：２０４）：１部
テトラヒドロフラン：５０部
以下構造式の電荷輸送性化合物：３部
（超臨界処理条件）
超臨界温度：１４０℃
アルキルアミノ基を有する化合物：例示化合物No.２９
（酸化電位：０．８５５V vs SCE）
電荷輸送性化合物：下記構造式の化合物（酸化電位：０．６３０V vs SCE）

実施例１２
実施例３におけるアルキルアミノ基を有する化合物を例示化合物No.２５とした以外は実施例３と同様に電子写真感光体を作製した。
実施例１３
実施例３におけるアルキルアミノ基を有する化合物を例示化合物No.２７とした以外は実施例３と同様に電子写真感光体を作製した。
実施例１４
実施例３におけるアルキルアミノ基を有する化合物を例示化合物No.３２に変更した以外は実施例３と同様に電子写真感光体を作製した。

比較例１
実施例１において表面層を設けず、電荷輸送層を３７μｍとして電子写真感光体を作製した。
比較例２
実施例１において超臨界処理を行なわない以外は実施例１と同様にして電子写真感光体を作製した。
比較例３
実施例１において超臨界処理の際のアルキルアミノ基を有する化合物を含有しない以外は実施例１と同様に電子写真感光体を作製した。

比較例４
特開２００６−０９９０２８の実施例５に準じて以下のように電子写真感光体を作製した。
アルミニウム製支持体（外径３０ｍｍ）に、下記組成の下引き層用塗工液を乾燥後の膜厚が３．５μｍになるように浸漬法で塗工し、下引き層を形成した。
＜下引き層用塗工液の組成＞
・アルキッド樹脂
（ベッコゾール１３０７−６０−ＥＬ、大日本インキ化学工業株式会社製）６部
・メラミン樹脂
（スーパーベッカミンＧ−８２１−６０、大日本インキ化学工業株式会社製）４部
・酸化チタン（ＣＲ−ＥＬ、石原産業株式会社製）４０部
・メチルエチルケトン５０部

次に、この下引き層上に、下記組成の電荷発生層塗工液で浸漬塗工し、加熱乾燥させて、膜厚０．２μｍの電荷発生層を形成した。
＜電荷発生層用塗工液の組成＞
・下記構造式で表されるビスアゾ顔料２．５部
・ポリビニルブチラール（ＸＹＨＬ、ＵＣＣ社製）０．５部
・シクロヘキサノン２００部
・メチルエチルケトン８０部

次に、電荷発生層上に、下記組成の電荷輸送層用塗工液を用いて、浸積塗工し、加熱乾燥させ、膜厚２２μｍの電荷輸送層を形成した。
＜電荷輸送層用塗工液の組成＞
・ビスフェノールＺ型ポリカーボネート１０部
・下記構造式で表される低分子電荷輸送物質１０部
・テトラヒドロフラン８０部
・１質量％シリコーンオイルのテトラヒドロフラン溶液
（ＫＦ５０、信越化学工業株式会社製）０．２部

次に、電荷輸送層上に、下記構成の架橋表面層用塗工液を用いて、スプレー塗工した後、メタルハライドランプ、照射光強度：４５０ｍＷ／ｃｍ²、照射時間：１２０秒の条件で光照射を行った。更に１３０℃で３０分乾燥を加え、膜厚４．０μｍの架橋表面層を形成した。以上により、静電潜像担持体を作製した。
＜架橋表面層用塗工液の組成＞
・電荷輸送性構造を有さない３官能以上のラジカル重合性モノマー１
（ＫＡＹＡＲＡＤＴＭＰＴＡ、日本化薬株式会社製）５部
・電荷輸送性構造を有さない３官能以上のラジカル重合性モノマー２
（ＫＡＹＡＲＡＤＤＰＨＡ、日本化薬株式会社製）５部
・電荷輸送性構造を有する１官能のラジカル重合性化合物
（例示化合物Ｎｏ．５４）１０部
・光重合開始剤としての１−ヒドロキシ−シクロヘキシル−フェニル−ケトン
（イルガキュア１８４、チバ・スペシャルティ・ケミカルズ社製）１部
・テトラヒドロフラン
（フェノール系酸化防止剤２，６−ジ−ｔ−ブチル−ｐ−クレゾール
０．０２部含有）８０部
・テトラキス[３−（３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオニル
オキシメチル]メタン
（スミライザーＢＰ−７６、住友化学株式会社製）０．５部

比較例５
特開２００６−０１１０１４の実施例１に準じて以下のように電子写真感光体を作製した。
φ３０ｍｍのアルミニウムシリンダー上に、下記組成の下引き層用塗工液、電荷発生層用塗工液、電荷輸送層用塗工液を順次、塗布、乾燥することにより、３．５μｍの下引き層、０．２μｍの電荷発生層、１８μｍの電荷輸送層を形成した。この電荷輸送層上に下記組成の架橋表面層用塗工液をスプレー塗工し、メタルハライドランプ：１６０Ｗ／ｃｍ、照射距離：１２０ｍｍ、照射強度：５００ｍＷ／ｃｍ²、照射時間：３０秒の条件で光照射を行ない、更に１３０℃で２０分加熱を加え４μｍの表面架橋層を設け、本発明の電子写真感光体を得た。

［下引き層用塗工液］
アルキッド樹脂
（ベッコゾール１３０７−６０−ＥＬ、大日本インキ化学工業製）６部
メラミン樹脂
（スーパーベッカミンＧ−８２１−６０、大日本インキ化学工業製）４部
酸化チタン４０部
メチルエチルケトン５０部

［電荷発生層用塗工液］
下記構造式で表されるのビスアゾ顔料２．５部
ポリビニルブチラール（ＸＹＨＬ、ＵＣＣ製）０．５部
シクロヘキサノン２００部
メチルエチルケトン８０部

［電荷輸送層用塗工液］
ビスフェノールＺポリカーボネート
（パンライトＴＳ−２０５０、帝人化成製）１０部
下記構造式で表されるの低分子電荷輸送物質（Ｄ−１）７部
テトラヒドロフラン１００部
１％シリコーンオイルのテトラヒドロフラン溶液
（ＫＦ５０−１００ＣＳ、信越化学工業製）０．２部

［架橋表面層用塗工液］
電荷輸送性構造を有さない３官能以上のラジカル重合性モノマー：
トリメチロールプロパントリアクリレート
（ＫＡＹＡＲＡＤＴＭＰＴＡ、日本化薬製）
分子量：２９６、官能基数：３官能、分子量／官能基数＝９９１０部
１官能の電荷輸送性構造を有するラジカル重合性化合物：
（例示化合物Ｎｏ．５３）１０部
光重合開始剤：
１−ヒドロキシ−シクロヘキシル−フェニル−ケトン
（イルガキュア１８４、チバ・スペシャルティ・ケミカルズ製）２部
フェノール化合物：
2-ターシャリーブチル-6-(3-ターシャリーフ゛チル-2-ヒドロキシ-5-メチルベンジ
ル)-4-メチルフェニルアクリレート（スミライザーＧＭ、住友化学社製）２部
テトラヒドロフラン１００部

（ＮＯｘガス暴露評価）
先に作製した実施例１〜１４及び比較例１〜５の電子写真感光体を図７に示すようなプロセスカートリッジに装着し、図８に示すようなタンデム型フルカラー画像形成装置に搭載し、画像露光光源を６５５ｎｍの半導体レーザー（ポリゴン・ミラーによる画像書き込み）、帯電部材としてローラー帯電器、転写部材として転写ベルト、除電光源として６５５ｎｍＬＥＤを用いた。試験前のプロセス条件が下記になるように設定した。評価は、感光体未露光部電位および露光部電位を測定した。測定方法としては、図４に示す現像部位置に、表面電位計を搭載し、感光体が初期状態で−７００Ｖに帯電される印加バイアスに固定し、現像部位置における未露光部表面電位および露光部表面電位を測定した。また図９に示す画像を出力し、ハーフトーン部における残像の程度を評価した。極めて良好なものを◎、良好なものを○、やや劣るものを△、非常に悪いものを×で表わした。これらの評価についてはＮＯｘガス暴露前後で行なった。ＮＯｘガス暴露条件は以下に示した通りである。以上の結果を表６に示す。

・試験前プロセス条件
感光体帯電電位（未露光部電位）：−７００Ｖ
現像バイアス：−５００Ｖ
・ＮＯｘガス暴露条件
装置：ダイレック製ＮＯｘ暴露試験装置
一酸化窒素濃度：５０ｐｐｍ
二酸化窒素濃度：３０ｐｐｍ
温度：４０℃
相対湿度：５５％
暴露期間：7日間

本発明の実施例においてガス暴露後においても残像は発生しておらず、また未露光部電位の低下もみられない。これに対して架橋表面保護層を設けていない比較例１は良好な結果を示しているが、超臨界処理を行なっていない比較例２及び超臨界処理の際にアルキルアミノ基を有する化合物を含有させていない比較例３については、架橋表面層中に電荷輸送性化合物が存在しないため、光減衰特性が得られず、初期から露光部電位が著しく大きく、評価を中止した。また特開２００６−０９９０２８に準じて作製した比較例４および特開２００６−０１１０１４に準じて作製した比較例５ではＮＯｘガス暴露後において著しく程度の悪い残像画像が発生し、未露光部電位についても大幅な電位低下がわかる。

（実機加速疲労評価）
先に作製した実施例１〜１４及び比較例１、４及び５の電子写真感光体を図７に示すようなプロセスカートリッジに装着し、図８に示すようなタンデム型フルカラー画像形成装置に搭載し、画像露光光源を６５５ｎｍの半導体レーザー（ポリゴン・ミラーによる画像書き込み）、帯電部材としてローラー帯電器、転写部材として転写ベルト、除電光源として６５５ｎｍＬＥＤを用いた。試験前のプロセス条件が下記になるように設定した。通紙条件としては書き込み率６％のチャート（Ａ４全面に対して、画像面積として６％相当の文字が平均的に書かれている）を用い、クリーニングブレードの当接圧力及び電子写真感光体の通過電荷量が試験前プロセス条件の２倍になるように帯電部材への印加バイアス、半導体レーザーの光量を設定し連続１０万枚印刷を行った。
・試験前プロセス条件
感光体帯電電位（未露光部電位）：−７００Ｖ
現像バイアス：−５００Ｖ

評価は、１０万枚の画像印刷前後における感光体未露光部電位および露光部電位を測定した。測定方法としては、図４に示す現像部位置に、表面電位計を搭載し、感光体が初期状態で−７００Ｖに帯電される印加バイアスに固定し、現像部位置における未露光部表面電位及び露光部電位を測定した。また、全ての試験前後における膜厚の差（摩耗量）を評価した。尚、膜厚の測定は、感光体長手方向の両端５ｃｍを除き、１ｃｍ間隔に測定し、その平均値を膜厚とした。更に、５万枚印刷後において白ベタ画像を出力し、地肌部の汚れを評価した。尚、地汚れ画像評価は４段階にて行ない、極めて良好なものを◎、良好なものを○、やや劣るものを△、非常に悪いものを×で表わした。また、１０万枚の印刷後において、ＩＳＯ／ＪＩＳ−ＳＣＩＤ画像Ｎ１（ポートレート）を出力して、カラー色の再現性について評価した。尚、色再現性評価は４段階にて行ない、極めて良好なものを◎、良好なものを○、やや劣るものを△、非常に悪いものを×で表わした。以上の結果を表７に示す。

本発明の実施例において１０万枚通紙後も極めて安定な電気特性を示しており、地肌汚れ及びカラーバランスといった画像特性も極めて良好である。架橋表面層の摩耗量も小さい。一方、保護層を有していない比較例１は摩耗量が大きく、膜厚の減少量が大きいことから未露光部電位の低下も著しい。比較例４および比較例５は未露光部電位の低下、露光部電位の上昇の程度が大きく、実施例と比較すると電気特性の安定性に欠け、カラーバランスが実施例に比べやや劣る結果となった。

以上の結果から本発明の実施例においてはいずれも良好な結果が得られており、電気特性が極めて安定し、且つ機械的耐久性が高い高信頼性の電子写真感光体が実現されている。つまり高い耐摩耗性、良好な電気特性を長期に渡り達成した電子写真感光体が実現されている。一方、比較例１〜５ではＮＯｘガス暴露後での残像やカラーバランスといった画像特性等が劣化しており、信頼性の高い電子写真感光体は実現できていない。
したがって、導電性支持体上に少なくとも感光層と表面保護層を有する電子写真感光体において、該表面保護層が少なくともラジカル重合性化合物を光硬化することにより形成された後、該表面保護層にアルキルアミノ基を有する化合物を含む超臨界流体及び／または亜臨界流体を接触させることにより高い耐久性を維持し、極めて安定した電気特性を有することで、信頼性の極めて高い電子写真感光体が実現され、長期間にわたって高画質画像出力を実現できる電子写真感光体を提供できることが明らかとなった。また、本発明の電子写真感光体を用いた画像形成方法、画像形成装置及び画像形成装置用プロセスカートリッジが高性能、高信頼性を有していることが明らかとなった。

本発明の電子写真感光体の一例を示す断面概略図である。本発明の電子写真感光体の他の例を示す断面概略図である。本発明の電子写真感光体の他のを示す断面概略図である。本発明の画像形成装置の一例を示す概略図である。近接帯電機構の一例を示す概略図である。本発明の画像形成装置の他の例を示す概略図である。本発明のプロセスカートリッジの一例を示す概略図である。本発明の画像形成装置の一例を示す概略図である。実施例における評価に用いた画像である。

符号の説明

１感光体
３帯電ローラ
５画像露光部
１Ｃ、１Ｍ、１Ｙ、１Ｋ感光体
２Ｃ、２Ｍ、２Ｙ、２Ｋ帯電部材
３Ｃ、３Ｍ、３Ｙ、３Ｋレーザー光
４Ｃ、４Ｍ、４Ｙ、４Ｋ現像部材
５Ｃ、５Ｍ、５Ｙ、５Ｋクリーニング部材
６Ｃ、６Ｍ、６Ｙ、６Ｋ画像形成要素
１０転写搬送ベルト
１１Ｃ、１１Ｍ、１１Ｙ、１１Ｋ転写ブラシ
１２定着装置
１５クリーニングブラシ
１６現像ローラ
１７転写ローラ
２１ギャップ形成部材
２２金属シャフト
２３画像形成領域
２４非画像形成領域
３１導電性支持体
３３感光層
３５電荷発生層
３７電荷輸送層
３９表面保護層
４１中間層

Claims

導電性支持体上に少なくとも感光層と表面保護層を有する電子写真感光体において、該表面保護層が少なくともラジカル重合性化合物を光硬化することにより形成された後、該表面保護層にアルキルアミノ基を有する化合物を少なくとも一種以上含む超臨界流体及び／または亜臨界流体を接触させることを特徴とする電子写真感光体の製造方法。
前記アルキルアミノ基を有する化合物の少なくとも一種が一般式（１）で表される化合物であることを特徴とする請求項１記載の電子写真感光体の製造方法。
（式中、Ｒ₁、Ｒ₂は、芳香環基置換もしくは無置換の炭素数１〜４のアルキル基を表し、同一でも異なっていてもよい。ｈは１〜４の整数を表す。Ａｒ₁は置換もしくは無置換の芳香環基を表す。）
前記アルキルアミノ基を有する化合物の少なくとも一種が一般式（２）で表される化合物であることを特徴とする請求項１又は２に記載の電子写真感光体の製造方法。
（式中、Ｒ₃、Ｒ₄は芳香環基置換もしくは無置換の炭素数１〜４のアルキル基を表し、同一でも異なっていてもよい。ｉ、ｊは０〜３の整数を表す。ただしｉとｊが同時に０となることはない。Ｒ₅、Ｒ₆は水素原子、置換もしくは無置換の炭素数１〜１１のアルキル基、置換もしくは無置換の芳香環基を表し、それぞれ同一でも異なっていてもよい。また、Ａｒ₂、Ａｒ₃は置換もしくは無置換の芳香環基を表し、それぞれ同一でも異なっていてもよい。）
前記アルキルアミノ基を有する化合物の少なくとも一種が一般式（３）で表される化合物であることを特徴とする請求項１に記載の電子写真感光体の製造方法。
（式中、Ｒ₇、Ｒ₈は置換若しくは無置換のアルキル基、芳香族炭化水素基を有し、同一でも異なってもよい。但しＲ₇、Ｒ₈のいずれか一つは置換若しくは無置換のアルキル基である。Ａｒ₄は置換もしくは無置換の芳香族炭化水素基を表す。）
前記アルキルアミノ基を有する化合物の少なくとも一種が一般式（４）で表される化合物であることを特徴とする請求項１に記載の電子写真感光体の製造方法。
（式中、Ｒ₉、Ｒ₁₀は、置換若しくは無置換の炭素数１〜４のアルキル基、芳香族炭化水素基を表し、同一でも異なっていてもよい。但しＲ₉、Ｒ₁₀のいずれか一つは置換若しくは無置換の炭素数１〜４のアルキル基である。Ａｒ₅、Ａｒ₆は置換若しくは無置換の芳香環基を表す。ｋ、ｌはそれぞれ０〜３の整数を表す。但し、ｋ、ｌが同時に０となることはない。ｍは１または２の整数を表す。）
前記表面保護層に電荷輸送性化合物を含有し、前記アルキルアミノ基を有する化合物の酸化電位が該電荷輸送物質の酸化電位よりも０．２（V vs SCE）以上大きいことを特徴とする請求項１乃至５のいずれかに記載の電子写真感光体の製造方法。
前記超臨界流体及び／または亜臨界流体のいずれかもしくは両方が、二酸化炭素であることを特徴とする請求項１乃至６のいずれかに記載の電子写真感光体の製造方法。
前記超臨界流体及び／または亜臨界流体のいずれかもしくは両方が、二酸化炭素との混合物であることを特徴とする請求項１乃至６のいずれかに記載の電子写真感光体の製造方法。
前記混合物が、二酸化炭素とメタノールおよびエタノールから選択される少なくとも一種との混合物であることを特徴とする請求項８に記載の電子写真感光体の製造方法。
前記超臨界流体及び／または亜臨界流体におけるアルキルアミノ基を有する化合物の含有量が０．５ｇ／Ｌ以上であることを特徴とする請求項１乃至９のいずれかに記載の電子写真感光体の製造方法。
前記超臨界流体及び／または亜臨界流体の温度が３０〜１４０℃であることを特徴とする請求項１乃至１０のいずれかに記載の電子写真感光体の製造方法。
前記ラジカル重合性化合物が電荷輸送性構造を有しないこと特徴とする請求項１乃至１１のいずれかに記載の電子写真感光体の製造方法。
前記ラジカル重合性化合物のラジカル重合性官能基が３つ以上であることを特徴とする請求項１乃至１２のいずれかに記載の電子写真感光体の製造方法。
前記超臨界流体及び／または亜臨界流体に含有される電荷輸送性化合物がラジカル重合性官能基を有していないことを特徴とする請求項６乃至１３のいずれかに記載の電子写真感光体の製造方法。
前記電荷輸送性化合物がトリアリールアミン構造、ヒドラゾン構造、ピラゾリン構造およびカルバゾール構造よりなる群から選ばれた構造を有することを特徴とする請求項６乃至１４のいずれかに記載の電子写真感光体の製造方法。
前記電荷輸送性化合物がトリアリールアミン構造を有することを特徴とする請求項６乃至１５のいずれかに記載の電子写真感光体の製造方法。
導電性支持体上に少なくとも感光層と表面保護層を有する電子写真感光体において、該表面保護層が少なくともラジカル重合性化合物を光硬化することにより形成された後、該表面保護層にアルキルアミノ基を有する化合物を少なくとも一種以上含む超臨界流体及び／または亜臨界流体を接触させて得られることを特徴とする電子写真感光体。