JP4909219B2 - 微細構造作製方法 - Google Patents

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Description

本発明は、微細構造作製方法に係り、特に、フォトニック結晶や量子ドッドのような磁性粒子の数百nm〜数十nmの微細パタンを作製するために、微細パタンのテンプレートを作製すると共に、そのテンプレートを用いて対象物表面に微細パタンを複製するための微細構造作製方法に関する。
フォトニック結晶や量子ドットに代表されるように、微細構造に起因する特異な性質を利用するデバイスの検討が盛んに行われている。このようなデバイスの作製に当たっては、数百nm〜数十nmのパタンサイズを有する微細パタンの形成が必要となる。現在、このような微細パタンの形成には、電子ビーム(EB)リソグラフィを用いる必要がある。しかしながら、EBリソグラフィの作製スループットは大量生産に十分なものとは言いがたい。
近年、このような目的にナノインプリント技術を適用することが提案されている。この方法は、凹凸構造を表面に有するモールドを対象物に押し付けることにより、モールド表面の凹凸構造を対象物表面に転写するものである。モールドの作製に当たっては、電子ビームリソグラフィとエッチングなど、従来の微細構造作製プロセスを用いるが、一旦モールドが作製できれば、繰り返し微細パタンを対象物表面に複製することが可能となる。
図5は、従来のナノインプリント技術による微細構造の作製方法を示す。
まず、モールド材料となる基板401の上にレジスト402を塗布し、電子ビーム露光と現像プロセスにより、レジストパタン403を形成する(図5(A))。金属404を形成されたレジストパタン403に蒸着し(図5(B))、その後にリフトオフを行うことにより金属マスクパタン405が形成される(図6(C))。この金属マスクパタンを使ってエッチング(図5(D))、金属除去することにより凹凸パタン406を有するモールド407を作製することができる(図5(E))。
次に、このモールド407を対象基板408上のレジスト409にプレスした後(図5(F))、分離することによりレジスト表面に凹凸パタン410を形成する(図5(G))。RIE(Reactive Ion Etching)による残膜除去の後(図5(H))、金属411を蒸着(図5(I))、リフトオフ(図5(J))、エッチング(図5(K))、金属除去(図5(L))というプロセスを経て、対象基板上に微細構造412を作製することができる(例えば、非特許文献1、2参照)。
S. Y. Chou他、J. Vac. Sci. Technol. B, Vol. 14, No. 6, pp.4129-4133, 1996年 M. Colburn 他、SPIE Vol. 3676, pp. 379-389, 1999年
上記のように、ナノインプリント技術によれば、サブミクロンパタンを簡単に複製することが可能であるが、パタン複製の元となるモールドは、EBリソグラフィとエッチングプロセスを用いて作製する必要がある。このことは、ナノインプリント技術による微細構造作製プロセスにおいては、モールド作製に要するコストが大きな割合を占めることを意味する。また、効率よくパタン転写を行うためには、大面積のモールドを多数準備することが必要となるが、EBリソグラフィのように特殊な装置を必要とするプロセスを用いて大面積のモールドを大量に作製することは、コストや生産可能量からみて現実的ではない。また、EBリソグラフィとエッチングプロセスを行うことのできる施設は限られており、それぞれの目的に応じた微細パタンをタイムリーに供給することは困難である。
そのため、より簡単に微細パタンを提供できる手法が求められている。
本発明は、上記の点に鑑みなされたもので、電子ビームリソグラフィなど高度な微細パタン描画プロセスを用いることなく、微細パタンテンプレートを作製し、そのテンプレートを用いて対象基板表面に微細構造を転写可能な微細構造作製方法を提供することを目的とする。
図1は、本発明の原理を説明するための図である。
本発明(請求項1)は、微細パタンのテンプレートを作製し、該テンプレートを用いて対象物表面に微細パタンを複製するための微細構造作製方法であって、
磁気記録媒体上に磁化パタンを形成する工程(ステップ1)と、
磁性粒子を磁化パタンに従って磁気記録媒体表面に配列する工程(ステップ2)と、
磁性粒子が表面に配列された磁気記録媒体をテンプレートとして別な基板に対して押し付ける工程(ステップ3)と、を少なくとも含む。
また、本発明(請求項2)は、磁性粒子が表面に配列された磁気記録媒体を別な基板に押し付けることにより、該磁気記録媒体の表面に該磁性粒子により形成された凹凸形状が別な基板表面に転写される。
また、本発明(請求項3)は、磁性粒子が表面に配列された磁気記録媒体を別な基板に押し付けることにより、該磁性粒子が別な基板表面に移動する。
また、本発明(請求項4)は、別な基板が、該基板の表面にレジストもしくは金属薄膜を持つ。
また、本発明(請求項5)は、磁性粒子が表面に配列された磁気記録媒体を別な基板に押し付けた後に、該別な基板に対してエッチングを行う。
本発明(請求項6)は、微細パタンのテンプレートを作製し、該テンプレートを用いて対象物表面に微細パタンを複製するための微細構造作製方法であって、
磁気記録媒体上に磁化パタンを形成する工程と、
磁性粒子を磁化パタンに従って磁気記録媒体表面に配列する工程と、
磁性粒子が表面に配列された磁気記録媒体を、該磁性粒子をエッチングマスクとしてエッチングすることにより該磁気記録媒体に凹凸形状を形成する工程と、
表面に凹凸形状が形成された磁気記録媒体を別な基板に対して押し付ける工程と、を
少なくとも含む。
上記のように本発明によれば、磁性記録媒体上に磁性パタンとして記録された微細パタンを、その磁性記録媒体上への磁性粒子の配列による磁性粒子パタンとして現像し、磁性記録媒体表面の磁性粒子配列により生じた凹凸形状を、別な基板表面に転写して基板表面の微細構造を作製する。また、磁性粒子配列を別な基板表面に移動させて基板表面の微細構造を作製する。これにより、高機能な特製を持つ微細デバイスが安価で、かつ、高スループットで作製できる。
以下、図面と共に本発明の実施の形態を説明する。
以下の本実施の形態では、磁気記録媒体上に目的の微細パタンに応じて磁化パタンに応じて磁化パタンを形成し、その磁化パタンに沿って磁性粒子を吸着させて、磁気記録媒体表面に凹凸形状を形成することを含む。さらに、凹凸形状が表面に形成された磁気記録媒体をテンプレートとして、別な基板表面に凹凸形状を複製することを含む。さらに、複製された凹凸形状を元に、残膜除去・金属蒸着・リフトオフ・エッチングなどのプロセスを行って基板表面に微細構造を作製することを含む。
また、上記の実施の形態において、磁気記録媒体への磁性粒子の吸着により形成された磁性粒子パタンを別の基板表面に転写させることを含む。さらに、基板表面に転写された磁性粒子パタンをエッチングマスクとして基板の微細加工を行う。
[第1の実施の形態]
図2は、本発明の第1の実施の形態における微細構造作製方法の模式図である。
同図において、磁気記録媒体101に磁気記録ヘッドを用いて磁性パタン102を形成する(図2(A))。磁気記録媒体101上に磁性粒子が溶液中に分散された磁性流体103を塗布し(図2(B))、余分な溶液を除くことにより、磁性パタン102に沿って磁性粒子104が吸着し、磁性粒子パタン105を形成する(図2(C))。磁気記録媒体表面に磁性粒子104により形成された凹凸を、基板106に押し付けることにより(図2(D))、基板106上に凹凸パタン107が形成される(図2(E))。
なお、基板106上にレジスト108を塗布しておき、基板上レジストに凹凸パタン109を形成してもよい(図2(G))。
さらに、対象物に凹凸パタンを形成した後、ナノインプリントリソグラフィで行われているように、残膜除去・金属蒸着・リフトオフ・エッチングなどのプロセスを組み合わせて微細構造を作製してもよい。
[第2の実施の形態]
図3は、本発明の第2の実施の形態における微細構造作製方法の模式図である。
図2と同様に、磁気記録媒体201上の磁化パタン202に沿って磁性粒子204を吸着させて磁性粒子パタン205を形成する(図3(A))。磁気記録媒体201を基板206に押し付けることにより、磁気記録媒体上の磁性粒子パタン205が基板206に移動し、基板上の磁性粒子パタン207となる(図3(B))。磁性粒子パタン207をエッチングマスクとして、基板205に磁性粒子204を表面に残した微細構造208を作製することができる(図3(C))。さらに、磁性粒子を除去することにより、微細構造209とすることができる(図3(D))。
また、基板206表面に磁性粒子パタン207を形成した後に(図3(E))、金属などのエッチングマスク材料や機能性材料210を蒸着することにより、磁性粒子パタン207の有する逆メサ構造により薄膜の一部が分断された微細構造211を形成することができる(図3(F))。
さらに、磁性粒子を除去するリフトオフプロセスによって、基板206表面に前述のエッチングマスク材料や機能材料からなるパタン212を形成することができる(図3(G))。エッチングマスク材料の場合には、さらに、エッチングプロセスにより基板表面を加工し、微細構造を作製することができる。
また、磁気記録媒体201上の磁性粒子パタン205を転写する対象を、基板206上に塗布されたレジストや機能性材料からなる薄膜213とすることができ(図3(H))、同様に薄膜213表面上に磁性粒子パタン214を形成することができる(図3(I))。さらに、磁性粒子パタン214をエッチングマスクとして薄膜213をエッチング加工することにより、薄膜213表面に磁性粒子204を残した微細構造215を作製することもできる(図3(J))。さらに、磁性粒子を除去することにより、薄膜213表面の微細構造216とすることが可能である(図3(K))。
一方、同図における磁性粒子パタン207,214、及び、磁性粒子を表面に残した微細構造208,211,215は、磁気記録媒体201において、記録領域を分断することにより、記録密度を向上させるパタンドメディアとして利用することができる。
[第3の実施の形態]
図4は、本発明の第3の実施の形態における微細構造作製方法の模式図である。
前述の図2と同様に、磁気記録媒体301上の磁化パタン302に沿って磁性粒子304を吸着させて磁性粒子パタン305を形成する(図4(A))。磁性粒子パタン305をエッチングマスクとして、磁気記録媒体301上に凹凸パタン306を形成する(図4(B))。磁気記録媒体301上の凹凸パタン306を別な基板307に押し付けることにより、基板307上に凹凸パタン308を形成する(図4(C))。
なお、基板307上にレジスト材料や機能性材料309を塗布しておき、基板307上のレジスト材料や機能性材料309に凹凸パタン310を形成してもよい(図4(D))。
さらに、対象物に凹凸パタン形成した後、ナノインプリントリソグラフィで行われているように、残膜除去・金属蒸着・リフトオフ・エッチングなどのプロセスを組み合わせて微細構造を作製してもよい。
以下、本発明の実施例を説明する。
[第1の実施例]
磁気記録ディスク媒体上にディスクドライブを使用して磁化パタンを書き込んだ。平均粒径10nmの酸化鉄粒子を含有する磁性流体中にディスクを含浸し、一定方向に引き上げた。ディスク表面に磁性粒子が吸着し、高さ100nmの磁性粒子集合体を形成した。磁性粒子集合体は、ライン幅1μm、長さ300μmの直線状パタンを形成しており、磁性粒子集合体が形成されていないスペース部(幅1μm)と合わせて、ピッチ2μmのライン・アンド・スペース(L/S)パタンが形成された。Si基板上にポリメタクリル酸メチル(PMMA)レジスト膜100nmを形成したものに対し、圧力0.5kg/mmで、磁性粒子パタンが形成されているディスクを押し付けた。レジスト膜上の深さ100nmの凹凸からなるL/Sパタン(ピッチ2μm)が形成された。この凹凸パタンを元に、ナノインプリントリソグラフィにおいて行われる残膜除去・金属蒸着・リフトオフ・エッチングの各プロセスを行い、Si基板上に凹凸形状を作製することができた。
[第2の実施例]
磁気記録ディスク媒体上にディスクドライブを使用して磁化パタンンを書き込んだ。平均粒径10nmの酸化鉄粒子を含有する磁性流体上にディスクを含浸し、一定方向に引き上げた。ディスク表面に磁性粒子が吸着し、高さ50nmの磁性粒子集合体を形成した。磁性粒子集合体は、ライン幅0.1μm、長さ50μmの直線状パタンを形成しており、磁性粒子集合体が形成されていないスペース部(幅0.1μm)と合わせて、ピッチ0.2μmのライン・アンド・スペース(L/S)パタンが形成された。Si基板表面に対し、圧力1kg/mnで、磁性粒子パタンが形成されているディスクを押し付けた。ディスクからSi基板表面へ磁性粒子が移動し、Si基板表面に磁性粒子パタン(ライン部高さ50nm、ライン幅0.1μm、スペース幅0.1μm)が形成された。この磁性粒子パタンをエッチングマスクとして、Si基板をエッチングし、Si基板表面に深さ100nmの凹凸からなるL/Sパタン(ピッチ0.1μm)の微細構造を作製することができた。
なお、磁性粒子を対象物に移動させた後のディスクを再度磁性流体中に含浸することにより、ディスク上に磁性粒子パタンを再生することができ、プロセスを繰り返すことが可能であった。
[第3の実施例]
磁気記録ディスク媒体上に市販のディスクドライブを使用して磁化パタンを書き込んだ。平均粒径10nmの酸化鉄粒子を含有する磁性流体中にディスクを含浸し、一定方向に引き上げた。ディスク表面に磁性粒子が吸着し、高さ40nmの磁性粒子集合を形成した。磁性粒子集合体は、ライン幅0.1μm、長さ50μmの直線状パタンを形成しており、磁性流体集合体が形成されていないスペース部(幅0.1μm)と合わせて、ピッチ0.2μmのライン・アンド・スペース(L/S)パタンが形成された。Si基板表面に対し、圧力1kg/mmで、磁性粒子パタンが形成されているディスクを押し付けた。Si基板表面へ磁性粒子が移動し、Si基板表面に磁性粒子パタン(ライン部高さ50nm、スペース幅0.1μm)が形成された。このSi基板表面に対してAu薄膜(厚さ20nm)を蒸着によって形成した後、超音波洗浄によって磁性粒子を除去するリフトオフを行うことにより、Auからなる細線(厚さ20nm、幅60nm、長さ50μm)を形成することができた。
さらに、このAu細線をマスクとしてSi基板をエッチングし、Si基板表面に深さ100nmの凹凸からなるL/Sパタン(ピッチ0.1μm)の微細構造を作製することができた。
なお、磁性粒子を対象物に移動させた後のディスクを再度磁性流体中に含浸することにより、ディスク上に磁性粒子パタンを再生することができ、プロセスを繰り返すことが可能であった。
[第4の実施例]
磁気記録ディスク媒体上に市販のディスクドライブを使用して磁化パタンを書き込んだ。平均粒径10nmの酸化鉄粒子を含有する磁性流体中にディスクを含浸し、一定方向に引き上げた。ディスク表面に磁性粒子が吸着し、高さ50nmの磁性粒子集合体を形成した。磁性粒子集合体は、ライン幅0.1μm、長さ50μmの直線状パタンを形成しており、磁性粒子集合体が形成されていないスペース部(幅0.1μm)と合わせて、ピッチ0.2μmのライン・アンド・スペース(L/S)パタンが形成された。Si基板上にポリメタクリル酸メチル(PMMA)レジスト膜(厚さ50nm)を形成したものに対し、圧力1kg/mmで、磁性粒子パタンが形成されているディスクを押し付けた。ディスクからレジスト膜へ磁性粒子が移動し、レジスト膜表面に磁性粒子パタン(ライン部高さ50nm、ライン幅0.1μm、スペース幅0.1μm)が形成された。この磁性粒子パタンをエッチングマスクとして、レジスト及びSi基板をエッチングし、Si基板表面に微細構造を作製することができた。なお、磁性粒子を対象物に移動させた後のディスクを再度磁性流体中に含浸することにより、ディスク上に磁性粒子パタンを再生することができ、プロセスを繰り返すことが可能であった。
[第5の実施例]
SPM探針先端に電流を流すことにより、微小磁気ヘッドとして用い、ハードディスク媒体上に磁化パタンを書き込んだ。平均粒径10nmの酸化鉄粒子を含有する磁性流体中にディスクを含浸し、一定方向に引き上げた。ディスク表面に磁性粒子が吸着し、高さ30nmの磁性粒子集合体を形成した。磁性粒子集合体は、ドッド径50nmのドッドを形成しており、磁性粒子集合体が形成されていない部分を合わせて、ピッチ100nmの六方最密充填ドットパタンが形成された。この磁性粒子パタンをエッチングマスクとして、ハードディスク表面をエッチングし、超音波洗浄により磁性粒子を除去することにより、表面に深さ100nmの凹凸からなる六方最密充填パタン(ピッチ100nm)を形成した。
Si基板上にポリメタクリル酸メチル(PMMA)レジスト膜(厚さ20nm)を形成したものに対し、圧力1kg/mmで、凹凸パタンを元に、残膜除去・金属蒸着・リフトオフ・エッチングの各プロセスを行い、Si基板上に深さ300nmの凹凸からなる六方最密充填パタン微細構造を作製することができた。
なお、本発明は、上記の実施の形態及び実施例に限定されることなく、特許請求の範囲内において種々変更・応用が可能である。
本発明は、デバイスの作製における微細パタンを形成するための技術に適用可能である。
本発明の原理を説明するための図である。 本発明の第1の実施の形態における微細構造作製方法の模式図である。 本発明の第2の実施の形態における微細構造作製方法の模式図である。 本発明の第3の実施の形態における微細構造作製方法の模式図である。 従来のナノインプリント技術による微細構造の作製方法を示す図である。
符号の説明
101 磁気記録媒体
102 磁性パタン
103 磁性流体
104 磁性粒子
105 磁性粒子パタン
106 基板
107 凹凸パタン
108 レジスト
109 凹凸パタン
201 磁気記録媒体
202 磁性パタン
203 磁性流体
204 磁性粒子
205 磁性粒子パタン
206 基板
207 磁性粒子パタン
208 磁性粒子を表面に残した微細構造
209 基板上の微細構造
210 エッチングマスク材料や機能性材料
211 薄膜の一部が分断された微細構造
212 エッチングマスク材料や機能材料からなるパタン
213 レジストや機能性材料からなる薄膜
214磁性粒子パタン
215 薄膜表面に磁性粒子を残した微細構造
216 薄膜表面の微細構造
301 磁気記憶媒体
302 磁性パタン
303 磁性流体
304 磁性粒子
305 磁性粒子パタン
306 磁気記録媒体上の凹凸パタン
307 加工対象基板
308 基板上の凹凸パタン
309 レジスト材料や機能性材料の薄膜
310 レジスト材料や機能性材料上の凹凸パタン
401 モールド材料となる基板
402 レジスト
403 レジストパタン
404 金属
405 金属マスクパタン
406 凹凸パタン
407 モールド
408 対象基板
409 レジスト
410 レジスト上の凹凸パタン
411 金属
412 対象基板上の微細構造

Claims (6)

  1. 微細パタンのテンプレートを作製し、該テンプレートを用いて対象物表面に微細パタンを複製するための微細構造作製方法であって、
    磁気記録媒体上に磁化パタンを形成する工程と、
    磁性粒子を前記磁化パタンに従って前記磁気記録媒体表面に配列する工程と、
    前記磁性粒子が表面に配列された前記磁気記録媒体をテンプレートとして別な基板に対して押し付ける工程と、を
    少なくとも含むことを特徴とする微細構造作製方法。
  2. 前記磁性粒子が表面に配列された前記磁気記録媒体を前記別な基板に押し付けることにより、該磁気記録媒体の表面に該磁性粒子により形成された凹凸形状が別な基板表面に転写される
    請求項1記載の微細構造作製方法。
  3. 前記磁性粒子が表面に配列された前記磁気記録媒体を前記別な基板に押し付けることにより、該磁性粒子が別な基板表面に移動する
    請求項1記載の微細構造作製方法。
  4. 前記別な基板が、該基板の表面にレジストもしくは金属薄膜を持つ
    請求項1乃至3記載の微細構造作製方法。
  5. 前記磁性粒子が表面に配列された前記磁気記録媒体を前記別な基板に押し付けた後に、該別な基板に対してエッチングを行う
    請求項1乃至4記載の微細構造作製方法。
  6. 微細パタンのテンプレートを作製し、該テンプレートを用いて対象物表面に微細パタンを複製するための微細構造作製方法であって、
    磁気記録媒体上に磁化パタンを形成する工程と、
    磁性粒子を前記磁化パタンに従って前記磁気記録媒体表面に配列する工程と、
    前記磁性粒子が表面に配列された前記磁気記録媒体を、該磁性粒子をエッチングマスクとしてエッチングすることにより該磁気記録媒体に凹凸形状を形成する工程と、
    表面に前記凹凸形状が形成された前記磁気記録媒体を別な基板に対して押し付ける工程と、を
    少なくとも含むことを特徴とする微細構造作製方法。
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JP5928025B2 (ja) * 2012-03-15 2016-06-01 セイコーエプソン株式会社 センサー基板およびその製造方法並びに検出装置
JP2014210361A (ja) * 2013-04-18 2014-11-13 住友ベークライト株式会社 微細構造形成用母型およびその製造方法

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS57116607A (en) * 1981-01-14 1982-07-20 Aica Kogyo Co Ltd Production of harmoniously embossed decorative board
JPH08180457A (ja) * 1994-12-27 1996-07-12 Nec Corp 光ディスク及びその製造方法
JP2004237526A (ja) * 2003-02-05 2004-08-26 Fujitsu Ltd 微細パターン及びその母型を形成する方法

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