JP4907962B2 - 表面実装用水晶発振器 - Google Patents

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Description

本発明は表面実装用水晶発振器(以下、表面実装発振器とする）の製造方法を技術分野とし、特にＩＣチップの保護樹脂の形成方法に関する。
（発明の背景）
表面実装発振器は小型・軽量であることから、特に携帯電話を代表としてコンパクトな移動型の電子機器に、周波数や時間の基準源として内蔵される。このようなものの一つに、例えば両主面に凹部を有する容器本体に水晶片とＩＣチップとを別個に収容した断面Ｈ構造の表面実装発振器がある。近年では、一層の小型化からますますの工夫が求められている。
（従来技術の一例）
第２図は一従来例を説明する表面実装発振器の図で、同図（ａ）は断面図、同図（ｂ）は底面図である。
表面実装発振器は基本的に容器本体１と水晶片２とＩＣチップ３とを備える。容器本体１は中央層１ａと上下枠層１（ｂｃ）から形成された両主面に凹部を有する積層セラミックからなる。水晶片２は両主面に図示しない励振電極を有して一端部両側に引出電極を延出する。そして、容器本体１の一方の凹部底面に設けられた水晶保持端子４に一端部両側が導電性接着剤５等によって固着される。一方の凹部を形成する上枠層１ｂの枠壁上面には図示しない金属リング等が設けられ、シーム溶接等によって金属カバー６が接合される。これにより、一方の凹部内に水晶片２を密閉封入する。
ＩＣチップ３は例えば温度補償機構を含む発振回路を集積化し、回路機能面としての一主面に図示しないＩＣ端子を有する。そして、容器本体１の他方の凹部底面に設けられた回路端子に、ＩＣチップ３の一主面がバンプ７を用いた超音波熱圧着によって固着される。ＩＣ端子中の電源、出力、自動周波数制御（ＡＦＣ）及びアース端子は、下枠層の４角部に設けられた実装電極８と電気的に接続する。また、ＩＣ端子中の水晶端子は水晶片２を保持する水晶保持端子４に電気的に接続する。
凹部底面に対するＩＣチップ３の固着後には、下枠層１ｃの両短辺に設けた円弧状の空間部９にニードル（注入針）１０を挿入し、ＩＣチップ３を保護する液状の保護樹脂１１を注入する。これにより、所謂アンダーフィルを形成し、ＩＣチップ３の一主面の回路機能面を保護する。
なお、小型化のためにＩＣチップ３と下枠層１ｃとの間隔が狭くなり、下枠層１ｃに空間部９を設けないとニードル１０が挿入できない。この場合、保護樹脂１１がＩＣチップ３の表面上や下枠上面及び実装電極８上に広がり、外観規格を満足しなくなる。特に、実装電極８上に付着した場合は、セット基板への実装時に問題を生じることから、樹脂注入用の空間部９が必要になる。
特開２００５−６１７１号公報
（従来技術の問題点）
しかしながら、上記構成の表面実装発振器では、下枠層１ｃに樹脂注入用の空間部９を形成する必要があるので、さらなる小型化を阻害する要因となっていた。すなわち、樹脂注入用の空間部９を形成するので、強度を維持するため、下枠層１ｃの短辺の枠幅を予め大きくしなければならない。したがって、同一大きさのＩＣチップ３を収容する場合には大型化して小型化を阻害する問題があった。
（発明の目的）
本発明はＩＣチップを保護して小型化を促進する表面実装発振器の製造方法を提供することを目的とする。
本発明は、特許請求の範囲（請求項１）に示したように、両主面に凹部を有する容器本体と、前記容器本体の一方の凹部に収容されて密閉封入された水晶片と、前記容器本体の他方の凹部底面にバンプを用いた熱圧着によって一主面が固着されたＩＣチップと、前記ＩＣチップの一主面を保護する保護樹脂とを有する表面実装用水晶発振器の製造方法において、前記保護樹脂をシリコーン系の柔軟性樹脂とするとともに、この保護樹脂を前記他方の凹部の内周部に塗布して硬化させた後に、前記ＩＣチップの外周部を前記柔軟性樹脂に当接して押圧しながら前記他方の凹部底面に固着する構成とする。
このような構成であれば、他方の凹部の内周部に塗布された柔軟性樹脂にＩＣチップの外周部を押圧して固着するので、ＩＣチップの外周部は柔軟性樹脂によって閉塞される。したがって、ＩＣチップの一主面である回路機能面は外部と遮断されて保護される。そして、他方の凹部の内周部に柔軟性樹脂を予め塗布すればよいので、下枠層に空間部を形成する必要がない。
（実施形態）
第１図は本発明の一実施形態を説明する表面実装発振器の製造工程図で、同図（ａｂ）は断面図、同図（ｃ）は底面図である。なお、断面図は従来例とは便宜的に上下を逆としている。また、前従来例と同一部分には同番号を付与してその説明は簡略又は省略する。
表面実装発振器は、前述したように、中央層１ａと上下枠層１（ｂｃ）から両主面に凹部を有する容器本体１と、一方の凹部底面の水晶保持端子４に固着されて密閉封入された水晶片２と、回路機能面としての一主面が他方の凹部底面に固着されたＩＣチップ３とを備える。
ここでは、先ず、容器本体１の一方の凹部に水晶片２を密閉封入した後、容器本体１を反転して他方の凹部底面を上向きにする。そして、他方の凹部の内周部（４辺の隅部）にニードル１０を接近させて保護樹脂を塗布する。保護樹脂１１は柔軟性樹脂とし、この例ではシリコーン系で加熱硬化型とする。
次に、ＩＣ端子にバンプ７を有するＩＣチップ３の外周部を保護樹脂（柔軟性樹脂）１１に当接して密着させる。このとき、柔軟性樹脂１１は既に硬化されているものとし、ＩＣ端子のバンプ７は凹部底面の図示しない回路端子上に位置決めされる。次に、超音波熱圧着によって、ＩＣチップ３のバンプ７と凹部底面の回路端子とが機械的・電気的に接合し、ＩＣチップ３の一主面が凹部底面に固着する。
このような製造方法であれば、容器本体１の他方の凹部の内周部に塗布された柔軟性樹脂１１にＩＣチップ３の外周部を押圧して固着するので、ＩＣチップ３の外周部は柔軟性樹脂１１によって閉塞される。これにより、ＩＣチップ３の一主面である回路機能面は外部と遮断されて、ゴミ等が侵入することなく保護される。そして、他方の凹部の内周部に柔軟性樹脂１１を予め塗布して硬化させればよいので、容器本体１の下枠層１ｃに従来例の空間部９を形成する必要がない。
上記実施形態での柔軟性樹脂はシリコーン系として熱硬化型としたが、これに限らず、紫外線硬化型でも常温硬化型でもよく基本的に弾性機能を有してＩＣチップの外周を閉塞してゴミ等の侵入を防止できればよい。本発明では、保護樹脂１１がシリコーン系樹脂であることから硬化後に充分な弾性（柔軟性）を有しているので、保護樹脂１１を硬化させた後にＩＣチップ３を固着させることができる。
また、容器本体１は両主面に凹部を有するとしたが、この場合、例えば水晶片を密閉封した水晶振動子の底面に、ＩＣチップを収容した凹状の実装基板を接合した場合でも同様に適用できる。この場合、実装基板は開口面側を接合しても、閉塞面側を接合してもいずれにも適用できる。
本発明の一実施形態を説明する表面実装発振器の製造工程図で、同図（ａｂ）は断面図、同図（ｃ）は底面図である。 従来例を説明する表面実装発振器の図で、同図（ａ）は断面図、同図（ｂ）は底面図である。
符号の説明
１ 容器本体、２ 水晶片、３ ＩＣチップ、４ 水晶保持端子、５ 導電性接着剤、６ 金属カバー、７ バンプ、８ 実装電極、９ 空間部、１０ ニードル、１１ 保護樹脂。

Claims (1)

  1. 両主面に凹部を有する容器本体と、前記容器本体の一方の凹部に収容されて密閉封入された水晶片と、前記容器本体の他方の凹部底面にバンプを用いた熱圧着によって一主面が固着されたＩＣチップと、前記ＩＣチップの一主面を保護する保護樹脂とを有する表面実装用水晶発振器の製造方法において、
    前記保護樹脂をシリコーン系の柔軟性樹脂とするとともに、この保護樹脂を前記他方の凹部の内周部に塗布して硬化させた後に、前記ＩＣチップの外周部を前記柔軟性樹脂に当接して押圧しながら前記他方の凹部底面に固着することを特徴とする表面実装用水晶発振器の製造方法。
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Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006245098A (ja) * 2005-03-01 2006-09-14 Seiko Epson Corp 電子部品及びその製造方法、並びに電子機器
JP5150220B2 (ja) * 2007-11-19 2013-02-20 日本電波工業株式会社 表面実装用の水晶発振器
JP5561993B2 (ja) * 2009-10-13 2014-07-30 日本電波工業株式会社 表面実装水晶発振器の製造方法
JP2013051582A (ja) * 2011-08-31 2013-03-14 Kyocera Crystal Device Corp パッケージ及び圧電デバイス
JP6077813B2 (ja) * 2012-01-23 2017-02-08 日本電波工業株式会社 圧電モジュール

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6448665B1 (en) * 1997-10-15 2002-09-10 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor package and manufacturing method thereof
EP1255292A1 (en) * 2000-01-14 2002-11-06 Toray Engineering Co., Ltd. Chip mounting method
JP2001257223A (ja) * 2000-03-10 2001-09-21 Ricoh Co Ltd バンプ付電子部品の実装構造
JP3422312B2 (ja) * 2000-03-29 2003-06-30 日本電気株式会社 半導体装置の実装方法
JP2001298102A (ja) * 2000-04-13 2001-10-26 Nec Corp 機能素子の実装構造およびその製造方法
JP2002198459A (ja) * 2000-12-27 2002-07-12 Kyocera Corp 表面実装型電子部品及びその製造方法
JP3997078B2 (ja) * 2001-07-27 2007-10-24 東京電波株式会社 水晶発振器、及び水晶発振器の製造方法
JP2003168695A (ja) * 2001-11-30 2003-06-13 Kinseki Ltd アンダーフィル樹脂の注入方法
EP1343251B1 (en) * 2002-03-07 2010-07-28 Nihon Dempa Kogyo Co., Ltd. Surface-mount crystal oscillator
JP4072020B2 (ja) * 2002-08-09 2008-04-02 日本電波工業株式会社 表面実装水晶発振器
JP4033744B2 (ja) * 2002-09-13 2008-01-16 日本電波工業株式会社 実装基板の製造方法及び表面実装型の水晶発振器
JP4354744B2 (ja) 2003-06-13 2009-10-28 日本電波工業株式会社 表面実装水晶発振器
JP4239798B2 (ja) * 2003-11-21 2009-03-18 エプソントヨコム株式会社 表面実装型圧電発振器

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