JP4901827B2 - 半導体記憶装置及びその書き込み方法ならびに書き込み方法が記憶された記憶媒体 - Google Patents
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Description
本発明においては、電流制御手段により所定値に制御された少なくとも3種類の電流値を発生し、これらの電流値から選択された1つの電流値をメモリセルに印加する。メモリセルに印加されるそれぞれの電流値の上限値が、メモリセルが耐え得る電流値に確実に制御されているため、メモリセルに過電流を印加することなく書き込み動作を行うことが可能となる。しかも、本発明においては、これらの制御された電流値を少なくとも3種類用意することにより、電流値を多値メモリセルのしきい値のそれぞれに対応させて、多値情報を1つのメモリセルに記憶させることが可能となる。
p型シリコン基板201の表面部に選択的にフィールド酸化膜202(素子分離絶縁構造体)を形成することによってメモリセルアレーを形成する所定領域にアレー状に複数のトランジスタ形成領域が区画されている。
3 行デコーダ
4 行セレクタ
5 アドレスバッファ
6 書き込み電圧発生回路
8 電流制御回路
8a 選択手段
8b 負荷手段
9 入出力回路
10,11,12,13 メモリセル
20,21 ワード線
22,23 ビット線
31 記憶媒体
32 記憶再生装置
101 シリコン半導体基板
102 素子活性領域
103 ソース
104 ドレイン
105 トンネル酸化膜
106 浮遊ゲート
107 誘電体膜
108 制御ゲート
109 ソース線
Claims (6)
- 半導体基板上に形成された第1の絶縁層と、
前記第1の絶縁層上に形成されたゲート電極と、
前記ゲート電極の片側の一方の前記半導体基板上に形成された第1の導電領域と、
前記ゲート電極の片側の他方の前記半導体基板上に形成された第2の導電領域と、
書き込み動作の間、複数の所定の電流値を提供するように構成された電流制御手段と、を備え、
前記電流制御手段は更に、複数の入力データのそれぞれに応じて、前記複数の所定の電流値のうちの1つを所定の時間にわたって、前記ゲート電極と前記第2の導電領域とのうちの一方に印加するように構成されている、ことを特徴とする半導体装置。 - 前記第1、第2の導電領域の内の一方の導電領域に接続された下部電極と、前記下部電極上に形成された誘電体層と、前記誘電体層上に形成された上部電極とを備え、
前記下部電極、前記誘電体層、前記上部電極がキャパシタとして機能することを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。 - 前記第1の導電領域は、ソースとして機能し、前記第2の導電領域は、ドレインとして機能し、前記電流制御手段が、前記ドレインに流れる電流値を制御する電流制御手段であって、
前記ゲート電極が、電荷蓄積層として機能し、
前記電荷蓄積層上に第2の絶縁層を介して形成された制御ゲート電極と、
前記電荷蓄積層に電荷を導入する電荷蓄積手段と、
を備えたことを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。 - 前記半導体装置は、3値以上の記憶状態を格納可能な多値半導体記憶装置であることを特徴とする請求項2又は3に記載の半導体装置。
- 前記電荷蓄積手段が、
多段階に電荷量を可変させる電荷量調整手段と、
前記電荷量調整手段によって、少なくとも3種類の異なるしきい値から選択された1つのしきい値に対応するデータを前記電荷蓄積層に電荷量として導入する電荷導入手段と、
を備えることを特徴とする請求項3に記載の半導体装置。 - 前記電流制御手段が、抵抗値を可変可能な機能を備えた可変抵抗手段を有することを特徴とする請求項1〜5のいずれか1項に記載の半導体装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008214061A JP4901827B2 (ja) | 2008-08-22 | 2008-08-22 | 半導体記憶装置及びその書き込み方法ならびに書き込み方法が記憶された記憶媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP15203098A Division JPH11330432A (ja) | 1998-05-15 | 1998-05-15 | 半導体記憶装置及びその書き込み方法ならびに書き込み方法が記憶された記憶媒体 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
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JP2009016858A JP2009016858A (ja) | 2009-01-22 |
JP4901827B2 true JP4901827B2 (ja) | 2012-03-21 |
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ID=40357296
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008214061A Expired - Lifetime JP4901827B2 (ja) | 2008-08-22 | 2008-08-22 | 半導体記憶装置及びその書き込み方法ならびに書き込み方法が記憶された記憶媒体 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4901827B2 (ja) |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS626493A (ja) * | 1985-06-29 | 1987-01-13 | Ricoh Co Ltd | 書込みと消去が可能な半導体メモリ装置 |
JP3095918B2 (ja) * | 1992-12-07 | 2000-10-10 | 新日本製鐵株式会社 | 不揮発性半導体メモリ |
JP2768341B2 (ja) * | 1996-02-22 | 1998-06-25 | 日本電気株式会社 | 半導体記憶装置 |
JPH09293387A (ja) * | 1996-02-29 | 1997-11-11 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体メモリ |
JPH1055690A (ja) * | 1996-08-07 | 1998-02-24 | Nec Corp | 電気的書込可能な不揮発性半導体記憶装置 |
JP3615348B2 (ja) * | 1997-03-28 | 2005-02-02 | 三洋電機株式会社 | 不揮発性半導体メモリ装置 |
JP3489978B2 (ja) * | 1997-10-20 | 2004-01-26 | Necエレクトロニクス株式会社 | 不揮発性半導体メモリ |
JPH11330432A (ja) * | 1998-05-15 | 1999-11-30 | Nippon Steel Corp | 半導体記憶装置及びその書き込み方法ならびに書き込み方法が記憶された記憶媒体 |
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- 2008-08-22 JP JP2008214061A patent/JP4901827B2/ja not_active Expired - Lifetime
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Publication number | Publication date |
---|---|
JP2009016858A (ja) | 2009-01-22 |
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