JP4899347B2 - 磁気メモリ - Google Patents
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Description
TMR素子を構成する一方の強磁性層(固定層)は、磁化の向きを固定しており、他方の強磁性層(感磁層又は自由層)は磁化の向きが外部磁界に応じて回転する。なお、固定層の構造としては、反強磁性層(FeMn、IrMn、PtMn、NiMn等)を一方の強磁性層に付与した交換結合型が良く用いられる。
メモリ情報の「1」、「0」は、TMR素子を構成する2つの強磁性体の磁化の向きの状態に応じて、すなわち、磁化の方向が平行であるか、反平行であるかに依存して規定される。これら2つの強磁性体の磁化の向きが反平行の時、磁化の向きが平行の時に比べて、厚み方向の電気抵抗の値が大きい。
したがって、「1」、「0」の情報の読出しは、TMR素子の厚み方向に電流を流し、MR(磁気抵抗)効果によるTMR素子の抵抗値又は電流値を測定することで行う。
「1」、「0」の情報の書き込みは、TMR素子近傍に配置した配線に電流を流すことで形成される磁界の作用によって、TMR素子の自由層の磁化の向きを回転させることで行う。
このような磁気メモリに磁気ヨークを用いたものが知られており(例えば、下記特許文献1)、かかる構造の磁気メモリによれば、書き込み電流を低減することができる。
なお、磁気ヨーク8の縦断面形状は、書き込み配線6の周囲に位置し、且つ、感磁層2に磁界を提供できるものであれば、同図のような方形環状である必要はなく、円環状や三角形環状であってもよい。
Claims (4)
- 二次元配列した複数の記憶領域を備えた磁気メモリにおいて、
前記複数の記憶領域のそれぞれは、
下地基板上に設けられ、感磁層と固定層との間に非磁性層を有する磁気抵抗効果素子と、
書き込み配線の周囲に、前記書き込み配線上に形成された絶縁層を介して設けられ、前記感磁層に与える磁力線を発生する磁気ヨークと、
前記磁気抵抗効果素子に電気的に接続された読み出し配線と、
を備え、
前記磁気ヨークは、
前記下地基板上に形成された一対の下部磁気ヨークと、
前記下部磁気ヨークから立設した一対の側部磁気ヨークと、
一対の前記側部磁気ヨークの上部間を接続する上部磁気ヨークと、
を備え、前記書き込み配線の周囲を囲むように環状をなし、
前記磁気抵抗効果素子は、一対の前記下部磁気ヨーク間に位置しており、
前記感磁層の位置における前記固定層が発生した静磁界を相殺するように、前記磁気ヨークの内側であって、一対の前記下部磁気ヨーク上の前記側部磁気ヨークの形成されていない領域上に、永久磁石層を設け、
前記永久磁石層からの磁界の向きは、前記感磁層の位置において、前記固定層の静磁界の向きと逆向きとなるよう配置されていることを特徴とする磁気メモリ。 - 前記永久磁石層における前記書き込み配線の長手方向の寸法は、前記磁気抵抗効果素子における前記書き込み配線の長手方向の寸法よりも大きいことを特徴とする請求項1に記載の磁気メモリ。
- 前記磁気ヨークと前記永久磁石層との間に介在するスペーサ層を備えることを特徴とする請求項1又は2に記載の磁気メモリ。
- 二次元配列した複数の記憶領域を備えた磁気メモリにおいて、
前記複数の記憶領域のそれぞれは、
下地基板上に設けられ、感磁層と固定層との間に非磁性層を有する磁気抵抗効果素子と、
書き込み配線の周囲に、前記書き込み配線上に形成された絶縁層を介して設けられ、前記感磁層に与える磁力線を発生する磁気ヨークと、
前記磁気抵抗効果素子に電気的に接続された読み出し配線と、
を備え、
前記磁気ヨークは、
前記下地基板上に形成された一対の下部磁気ヨークと、
前記下部磁気ヨークから立設した一対の側部磁気ヨークと、
一対の前記側部磁気ヨークの上部間を接続する上部磁気ヨークと、
を備え、前記書き込み配線の周囲を囲むように環状をなし、
前記磁気抵抗効果素子は、一対の前記下部磁気ヨーク間に位置しており、
前記感磁層の位置における前記固定層が発生した静磁界を相殺する方向に、前記磁気ヨークに永久磁石層を設け、前記永久磁石層は、前記磁気ヨークと、この磁気ヨークの前記下部磁気ヨークがその上に形成される前記下地基板との間に介在しており、
前記永久磁石層からの磁界の向きは、前記感磁層の位置において、前記固定層の静磁界の向きと逆向きとなるよう配置されていることを特徴とする磁気メモリ。
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