JP4897523B2 - 汚泥脱水剤および汚泥脱水方法 - Google Patents
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代表的なものとして特開昭63−158200は、無機凝結剤を添加後のpHを5〜8にした後、特定のイオン性を有する両性高分子を添加し脱水するものである。その後無機と両性高分子を併用した処方は、改良が重ねられ特開平7―256300はアクリレートカチオン性単量体とメタクリレートカチオン性単量体を特定の比率で共重合した両性高分子を使用している。また二種両性高分子の混合物を使用した例も提案されている(特開2003−117309)。更に架橋性高分子は、汚泥によっては特異的に高性能を示す場合があり、古くから検討がされていて、特開昭61−293510は、架橋度が高い高分子を用いた凝集処理方法が開示されている。また比較的架橋度が低い高分子を用いた例としては、特開平9−225499がある。また最近ではポリオキシアルキレン鎖を有する高分子がある(特開2005−68336)。
一般式(1)
R1は水素又はメチル基、R2、R3は炭素数1〜3のアルキルあるいはアルコキシル基、R4は水素、炭素数1〜3のアルキル基、アルコキシル基あるいはベンジル基であり、Aは酸素またはNH、Bは炭素数2〜4のアルキレン基またはアルコキシレン基を表わす、X1は陰イオンをそれぞれ表わす。
一般式(2)
R5は水素又はメチル基、R6、R7は炭素数1〜3のアルキル基、アルコキシ基あるいはベンジル基、X2は陰イオンをそれぞれ表わす
一般式(3)
R8は水素、メチル基またはカルボキシメチル基、QはSO3、C6H4SO3、
CONHC(CH3)2CH2SO3、C6H4COOあるいはCOO、R9は水素またはCOO、Y1は水素または陽イオン
R1は水素又はメチル基、R2、R3は炭素数1〜3のアルキルあるいはアルコキシル基、R4は水素、炭素数1〜3のアルキル基、アルコキシル基あるいはベンジル基であり、Aは酸素またはNH、Bは炭素数2〜4のアルキレン基またはアルコキシレン基を表わす、X1は陰イオンをそれぞれ表わす。
一般式(2)
R5は水素又はメチル基、R6、R7は炭素数1〜3のアルキル基、アルコキシ基あるいはベンジル基、X2は陰イオンをそれぞれ表わす
一般式(3)
R8は水素、メチル基またはカルボキシメチル基、QはSO3、C6H4SO3、
CONHC(CH3)2CH2SO3、C6H4COOあるいはCOO、R9は水素またはCOO、Y1は水素または陽イオン
電荷内包率[%]=(1−α/β)×100
αは酢酸にてpH4.0に調整した架橋性水溶性イオン性高分子0.01%水溶液をミューテック社製PCD滴定装置(Mütek PCD 03、Mütek PCD−Two Titrator Version2)により、滴下液:1/1000N
ポリビニルスルホン酸カリウム水溶液、滴下速度:0.05ml/10sec、終点判定:0mvにて 滴定し、求めた滴定量である。βは酢酸にてpH4.0に調整した架橋性水溶性イオン性高分子0.01%水溶液に1/400N ポリビニルスルホン酸カリウム水溶液を電荷の中和を行うに十分な量加え、十分に攪拌し、同様にPCD滴定装置により、滴下液:1/1000N ジアリルジメチルアンモニウムクロライド水溶液、滴下速度:0.05ml/10sec、終点判定:0mvにて滴定し、この滴定量をブランク値から差し引いた値とする。ブランク値とは酢酸にてpH4.0に調整した前記サンプルと同濃度のポリビニルスルホン酸カリウム水溶液を同様にPCD滴定装置により、滴下液:1/1000N ジアリルジメチルアンモニウムクロライド水溶液、滴下速度:0.05ml/10sec、終点判定:0mvにて滴定し、求めた滴定量である。
電荷内包率[%]=(1−α/β)×100
αはアンモニアにてpH10.0に調整した架橋性水溶性イオン性高分子0.01%水溶液をミューテック社製PCD滴定装置(Mütek PCD 03、Mütek PCD−Two Titrator Version2)により、滴下液:1/1000N
ジアリルジメチルアンモニウムクロライド水溶液、滴下速度:0.05ml/10sec、終点判定:0mvにて 滴定し、求めた滴定量である。βはアンモニアにてpH10.0に調整した架橋性水溶性イオン性高分子0.01%水溶液に1/400N ジアリルジメチルアンモニウムクロライド水溶液を電荷の中和を行うに十分な量加え、十分に攪拌し、同様にPCD滴定装置により、滴下液:1/1000N ポリビニルスルホン酸カリウム水溶液、滴下速度:0.05ml/10sec、終点判定:0mvにて滴定し、この滴定量をブランク値から差し引いた値とする。ブランク値とはアンモニアにてpH10.0に調整した前記サンプルと同濃度のジアリルジメチルアンモニウムクロライド水溶液を同様にPCD滴定装置により、滴下液:1/1000N ポリビニルスルホン酸カリウム水溶液、滴下速度:0.05ml/10sec、終点判定:0mvにて滴定し、求めた滴定量である。
DMQ:アクリロイルオキシエチルトリメチルアンモニウムクロリド、AAM:アクリルアミド、AAC:アクリル酸、エマルジョン粘度(25℃);mPa・s、架橋性単量体添加量;対単量体質量%、電荷内包率;%
配合比;質量比、C;カチオン当量値、A;アニオン当量値、
フロック径;mm、濾液量;mL、含水率;質量%、
薬注量;対汚泥分散液(ppm)
フロック径;mm、濾液量;mL、含水率;質量%、
薬注量;対汚泥分散液(ppm)
Claims (4)
- 電荷内包率が10%以上、50%以下であり、かつ下記一般式(1)及び/または(2)で表されるカチオン性単量体共重合率が15〜25モル%であり、下記一般式(3)で表されるアニオン性単量体共重合率との差が5〜10モル%であるカチオン性リッチの(メタ)アクリルアミド系両性高分子凝集剤(A)と、電荷内包率が10%以上、50%以下であり、前記一般式(1)及び/または(2)で表されるカチオン性単量体共重合率が40〜50モル%であり、前記一般式(3)で表されるアニオン性単量体共重合率との差が10〜15モル%であるアニオン性リッチの(メタ)アクリルアミド系両性高分子凝集剤(B)の混合物であって、混合物のイオン性がカチオン性リッチであることを特徴とする汚泥脱水剤。
一般式(1)
R1は水素又はメチル基、R2、R3は炭素数1〜3のアルキルあるいはアルコキシル基、R4は水素、炭素数1〜3のアルキル基、アルコキシル基あるいはベンジル基であり、Aは酸素またはNH、Bは炭素数2〜4のアルキレン基またはアルコキシレン基を表わす、X1は陰イオンをそれぞれ表わす。
一般式(2)
R5は水素又はメチル基、R6、R7は炭素数1〜3のアルキル基、アルコキシ基あるいはベンジル基、X2は陰イオンをそれぞれ表わす
一般式(3)
R8は水素、メチル基またはカルボキシメチル基、QはSO3、C6H4SO3、
CONHC(CH3)2CH2SO3、C6H4COOあるいはCOO、R9は水素またはCOO、Y1は水素または陽イオン - 電荷内包率が10%以上、50%以下であり、かつ下記一般式(1)及び/または(2)で表されるカチオン性単量体共重合率が15〜25モル%であり、下記一般式(3)で表されるアニオン性単量体共重合率との差が5〜10モル%であるアニオン性リッチの(メタ)アクリルアミド系両性高分子凝集剤(A)と、電荷内包率が10%以上、50%以下であり、前記一般式(1)及び/または(2)で表されるカチオン性単量体共重合率が40〜50モル%であり、前記一般式(3)で表されるアニオン性単量体共重合率との差が10〜15モル%であるカチオン性リッチの(メタ)アクリルアミド系両性高分子凝集剤(B)の混合物であって、混合物のイオン性がカチオン性リッチであることを特徴とする汚泥脱水剤。
R1は水素又はメチル基、R2、R3は炭素数1〜3のアルキルあるいはアルコキシル基、R4は水素、炭素数1〜3のアルキル基、アルコキシル基あるいはベンジル基であり、Aは酸素またはNH、Bは炭素数2〜4のアルキレン基またはアルコキシレン基を表わす、X1は陰イオンをそれぞれ表わす。
一般式(2)
R5は水素又はメチル基、R6、R7は炭素数1〜3のアルキル基、アルコキシ基あるいはベンジル基、X2は陰イオンをそれぞれ表わす
一般式(3)
R8は水素、メチル基またはカルボキシメチル基、QはSO3、C6H4SO3、
CONHC(CH3)2CH2SO3、C6H4COOあるいはCOO、R9は水素またはCOO、Y1は水素または陽イオン - 前記(メタ)アクリルアミド系両性高分子凝集剤(A)及び(B)が、油中水型エマルジョンであることを特徴とする請求項1あるいは2に記載の汚泥脱水剤。
- 請求項1〜3のいずれかに記載の排水処理剤を汚泥に添加し脱水することを特徴とする汚泥脱水方法。
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