JP4886767B2 - 多周波電磁放射線を用いて薄膜内の引張応力を増大させる方法 - Google Patents

Description

本発明は半導体処理に関し、より具体的には、薄膜内の引張応力を増大させる方法及びシステムに関する。

窒化シリコン（ＳｉＮ）膜は半導体デバイス及び超大規模集積回路にて幅広く使用されている。例えば、ＳｉＮ膜は、多くの用途の中でもとりわけ、ドーパントの拡散障壁、微細な造形物のエッチングにおけるエッチング停止膜、及び製造されたデバイスの封止のための最後の保護膜として、半導体デバイスにて幅広く使用されている。

ＳｉＮ膜は、多様な処理システム及び処理ガスを用いて、低圧又は大気圧にて堆積されることが可能である。これらの処理システムは、例えば、熱的化学気相堆積（ＴＣＶＤ）、プラズマ化学気相堆積（ＰＥＣＶＤ）又はリモートＰＥＣＶＤを行うことができる。ここで、リモートＰＥＣＶＤにおいては、処理される基板はプラズマに直接的に接触するようには置かれず、とりわけ、プラズマ放電の下流に置かれる。デバイス品質のＳｉＮ膜は、シラン（ＳｉＨ_４）とアンモニア（ＮＨ_３）若しくは窒素（Ｎ_２）とを用いるＰＥＣＶＤ、又はジクロロシラン（ＳｉＨ_２Ｃｌ_２）とＮＨ_３とを用いる熱的ＣＶＤにより堆積されている。

堆積されたＳｉＮ膜はしばしば応力を受けている。この応力は圧縮応力又は引張応力の何れともなり得るものであり、堆積法、ガス混合、堆積速度、基板温度、ＳｉＮ膜の水素含有率、イオン衝撃、又はその他のプロセスパラメータに応じて変わり得る。ＳｉＮ膜では約１ＧＰａを超える引張応力が観測されている。ＰＥＣＶＤ法においては、膜の密度を高め、より大きい圧縮応力を生じさせるために、ＳｉＮ膜のイオン衝撃が使用され得る。ＳｉＮ保護膜の大きい引張応力は、このＳｉＮ保護膜と下地の基板との間に大きい応力を生じさせ得る。一例において、ゲートスタックを含むｎ型金属酸化物半導体（ＮＭＯＳ）デバイスを大きい引張応力のＳｉＮ膜を用いて覆うことは、ＮＭＯＳ構造内に引張チャネル歪みを生じさせ、それにより電子移動度及びデバイスのスピードが高められることが示された。また、引張応力の増大に応じて電子衝撃及び／又はアニール中にＳｉＮ膜内の結合水素の量が減少することが観測された。

本発明は、大きい引張応力を有するＳｉＮ膜を形成する方法及びシステムを提供することを目的とする。

大きい引張応力を有するＳｉＮ膜を形成するための方法及びシステムが提供される。

窒化膜の引張応力を増大させる方法は、水素を含有するＳｉＮ膜が上に形成された基板を設ける設置工程、及び水素含有率を低下させて前記ＳｉＮ膜の引張応力を増大させるように、約５００ｎｍ未満の波長群に相当する周波数群を含む多周波電磁放射線に前記ＳｉＮ膜を曝す曝露工程を有する。

処理システムは、処理チャンバー、前記チャンバー内に配置された基板ホルダー、及び前記基板ホルダー上の基板を照射するように、約５００ｎｍ未満の波長群に相当する周波数群を有する多周波電磁放射線を前記チャンバー内に生成する電磁放射線源を有する。

半導体デバイスは、基板、及び前記基板上に配置されたＳｉＮ膜を有する。配置されるＳｉＮ膜は水素を含有する。そして、ＳｉＮ膜は、水素含有率を低下させてＳｉＮ膜の引張応力を増大させるように、約５００ｎｍ未満の波長群に相当する周波数群を含む多周波電磁放射線に曝される。

以下の記載においては、本発明の完全な理解を助けるため、また、限定目的ではなく説明目的で、プラズマ処理システムの具体的な幾何学構成や様々な構成要素の記載などの具体的な詳細事項が説明される。しかしながら、本発明はこれら具体的な詳細事項を逸脱する他の実施形態において実施されてもよいことは理解されるべきである。

図面を参照するに、図１は、本発明の一実施形態に従ったＳｉＮ膜を含むＭＯＳデバイスの断面図を概略的に示している。デバイス１００は基板１１２を含んでおり、基板１１２はドープト領域１１３及び１１４（例えば、ソース及びドレイン）、ゲートスタック１２０、スペーサ１２１、及びＳｉＮ保護膜１２２を有している。基板１１２は、例えば、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｉ／Ｇｅ、又はＧａＡｓを含み得る。基板（ウェハ）１１２は如何なる大きさであってもよく、例えば、２００ｍｍ基板、３００ｍｍ基板、又は更に大きい基板であってもよい。

ゲートスタック１２０はチャネル領域１１５上に誘電体層１１６を含んでいる。誘電体層１１６は、例えば、酸化膜（例えば、ＳｉＯ_２）、窒化膜（例えば、ＳｉＮ_ｘ）若しくは酸窒化膜（例えば、ＳｉＯ_ｘＮ_ｙ）、又はこれら若しくはその他の適当な材料の組み合わせを含み得る。誘電体層１１６は更に、高誘電率（ｈｉｇｈ−ｋ）誘電体材料を含んでいてもよい。ｈｉｇｈ−ｋ誘電体材料は、例えば、Ｔａ_２Ｏ_５、ＴｉＯ_２、ＺｒＯ_２、Ａｌ_２Ｏ_３、Ｙ_２Ｏ_３、ＨｆＳｉＯ_ｘ、ＨｆＯ_２、ＺｒＯ_２、ＺｒＳｉＯ_ｘ、ＴａＳｉＯ_ｘ、ＳｒＯ_ｘ、ＳｒＳｉＯ_ｘ、ＬａＯ_ｘ、ＬａＳｉＯ_ｘ、ＹＯ_ｘ若しくはＹＳｉＯ_ｘ、又はこれらの２つ以上の組み合わせを含む、金属酸化物及びそれらのケイ酸塩を含み得る。誘電体層１１６上に導電層１１７が形成され、導電層１１７の電気抵抗を低減するように導電層１１７上にシリサイド層１１８が形成されている。ゲートスタック１２０の頂部にはゲート１２０を保護するキャップ層１１９が配置されている。キャップ層１１９は例えばＳｉＮとし得る。

一例において、導電層１１７はドープトポリシリコンとすることができ、シリサイド層１１８はタングステンシリサイドとすることができる。当業者に認識されるように、ゲートスタック１２０は、図１に示されたのとは異なる層や、より少ない或いは多い層から成っていてもよい。一例において、層１１７及び／又は１１８は金属ゲート層で置き換えられてもよい。

図１は更に、ゲート１２０をダメージから保護し且つ該ゲートの電気的性能を確保するためにゲート１２０のそれぞれの側面に形成されたスペーサ１２１を示している。さらに、スペーサ１２１はＭＯＳデバイス１００のソース・ドレイン１１３、１１４を形成するためのハードマスクとしても使用可能である。他の例では、１つより多いスペーサ１２１が用いられてもよい。デバイス１００は更に、基板１１２上に堆積されたＳｉＮ保護膜１２２を含んでいる。当業者に認識されるように、このＳｉＮ膜は様々なＳｉ／Ｎ比を有することができる。本発明の一実施形態によれば、堆積されたＳｉＮ保護膜１２２は高い水素含有率を有している。一例において、水素含有率は約１０原子％と約５０原子％との間とし得る。他の一例においては、水素含有率は約２０原子％と約４０原子％との間とし得る。堆積されたＳｉＮ保護膜１２２は、例えば約１ＧＰａ又はそれ以上といった、大きい引張応力を有し得る。このような膜は、低圧化学気相堆積法（ＬＰＣＶＤ）を用いて形成されることが可能である。米国特許第６４２９１３５号明細書が参照され、該文献の内容は参照することによりここに組み込まれる。他の例では、このような膜は、およそ１００℃から５００℃の基板温度にて、窒素、ヘリウム及びシランを含む処理ガスを用いる大気圧リモートＰＥＣＶＤ法によって形成されてもよい。Ｇ．Ｒ．Ｎｏｗｌｉｎｇ等による「Ｒｅｍｏｔｅ Ｐｌａｓｍａ−Ｅｎｈａｎｃｅｄ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｕｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ ｏｆ Ｓｉｌｉｃｏｎ Ｎｉｔｒｉｄｅ ａｔ Ａｔｍｏｓｐｈｅｒｉｃ Ｐｒｅｓｓｕｒｅ」（Ｐｌａｓｍａ Ｓｏｕｒｃｅ Ｓｃｉ． Ｔｅｃｈｎｏｌ． ２００２年、１１巻、ｐ．９７−１０３）、及び「Ｐｌａｓｍａ−Ｅｎｈａｎｃｅｄ ＣＶＤ ｏｆ Ｓｉｌｉｃｏｎ Ｎｉｔｒｉｄｅ」（ｈｔｔｐ：／／ｗｗｗ．ｔｉｍｅｄｏｍａｉｎｃｖｄ．ｃｏｍ／ＣＶＤ＿Ｆｕｎｄａｍｅｎｔａｌｓ／ｆｉｌｍｓ／ＳｉＮ＿ｐｌａｓｍａ＿ＣＶＤ．ｈｔｍｌ）が参照可能である。

本発明の実施形態により、ＳｉＮ保護膜１２２の水素含有率を低減し、その引張応力を増大させる方法が提供される。増大された引張応力はＭＯＳ構造のチャネル（例えば、図１のチャネル１１５）内に引張歪みを生じさせることができ、それにより電子移動度及びデバイス１００のスピードが高められ得る。

図１において、ＳｉＮ保護膜１２２の水素含有率を低下させて引張応力を増大させるため、ＭＯＳデバイス１００は電磁放射線１２４に曝されている。電磁放射線は、光子の形態の放射エネルギーを含んでおり、エネルギーが小さくなる順に、ガンマ線、Ｘ線、紫外線（ＵＶ）、可視光、赤外エネルギー、マイクロ波放射線、及び電波が含まれる。本発明の一実施形態によれば、デバイス１００を電磁放射線１２４に曝すことによりＳｉＮ膜１２２の水素含有率が低減され、それによりＳｉＮ膜１２２の引張応力が増大される。本発明の一実施形態によれば、この曝露工程はデバイス１００のアニールと組み合わされてもよい。すなわち、曝露工程の前、最中、及び／又は後にアニールが行われてもよい。

本発明の一実施形態によれば、電磁放射線１２４は、約５００ｎｍ未満の波長群に相当する周波数群を有する多周波電磁放射線とし得る。本発明の他の一実施形態によれば、電磁放射線は約５００ｎｍと約１２５ｎｍとの間にある波長群を含んでいてもよい。あるいは、電磁放射線は紫外域の波長群を含んでいてもよい。多周波電磁放射線の成分群を発生するために使用可能な電磁放射線の例には、Ｘｅ（１７２ｎｍ）、ＫｒＣｌ（２２２ｎｍ）、ＫｒＦ（２４８ｎｍ）、Ｆ_２（１５７ｎｍ）、ＡｒＦ（１９３ｎｍ）、ＸｅＣｌ（３０８ｎｍ）又はＸｅＦ（３５１ｎｍ）エキシマランプが含まれる。

本発明の一実施形態によれば、電磁放射線１２４はほぼ等方的な（すなわち、強い指向性を有しない）拡散放射線とし得る。デバイス１００を拡散放射線に曝すことにより、ＳｉＮ膜１２２の水素含有率が実質的に等方的に低減され、それによりＳｉＮ膜１２２の横方向及び縦方向の領域の引張応力が非選択的に増大される。基板を拡散放射線に曝すように構成された処理システムは図４に示されている（これについては、より詳細に後述する）。

一例として、パターニングされていない基板上の一様な水素含有ＳｉＮ膜を、１７２ｎｍの波長を有する５０ｍＷ／ｃｍ^２の拡散電磁放射線に曝した。ＳｉＮ膜の引張応力は、電磁放射線に曝されることにより、約１．２ＧＰａから約１．６ＧＰａに増大した。

本発明の一実施形態によれば、電磁放射線１２４は平行放射線、すなわち、放射線源からの全ての電磁光線が互いに実質的に平行である放射線とし得る。縦方向に平行にされた放射線にデバイス１００を曝すことにより、ＳｉＮ膜１２２の水素含有率が実質的に非等方的に低減され、それによりＳｉＮ膜１２２の縦方向の領域に対してＳｉＮ膜１２２の横方向の領域の引張応力が選択的に増大される。基板を平行放射線に曝すように構成された処理システムは図５に示されている（これについては、より詳細に後述する）。

図２は、本発明の一実施形態に従って基板を多周波電磁放射線に曝すフロー図である。プロセス２００は、工程２０２にて、水素を含有するＳｉＮ膜が上に形成された基板を設けることを含んでいる。工程２０４にて、水素含有率を低下させてＳｉＮ膜の引張応力を増大させるよう、ＳｉＮ膜は多周波電磁放射線に曝される。この曝露工程は、所定の処理条件下で、所望の水素除去及びＳｉＮ膜の所望の引張応力を生じさせる時間にわたって行われ得る。水素を除去するプロセスレシピは直接実験及び／又は実験計画法（ＤＯＥ）によって決定されることが可能である。本発明の実施形態に従って基板を処理した後、ＳｉＮ膜の水素含有率及び／又は引張応力は測定されることができる。

図３は、本発明の一実施形態に従ってゲートスタックを処理するフロー図である。プロセス３００は、工程３０２にて、水素を含有するＳｉＮ膜が上に形成された基板を設けることを含んでいる。工程３０４にて、非等方的に水素含有率を低下させてＳｉＮ膜の引張応力を増大させるよう、ＳｉＮ膜は平行電磁放射線に曝される。この曝露工程は、所定の処理条件下で、所望の非等方的な水素除去及びＳｉＮ膜の所望の引張応力を生じさせる時間にわたって行われ得る。水素を除去するプロセスレシピは直接実験及び／又は実験計画法（ＤＯＥ）によって決定されることが可能である。本発明の実施形態に従って基板を処理した後、ＳｉＮ膜の水素含有率及び／又は引張応力を測定することができる。

図２及び３に示されたプロセス２００及び３００は更に、ＳｉＮ膜を電磁放射線に曝す工程の前、最中、及び／又は後に、基板をアニールするアニール工程を含んでいてもよい。このアニール工程は、例えば、ＳｉＮ膜の水素含有率を更に低下させるために行われてもよい。アニール温度は、例えば、約２００℃と約１０００℃との間とし得る。他の例では、アニール温度は約４００℃と約７００℃との間とし得る。

当業者に認識されるように、図２及び３のフローチャート内の工程又は段階の各々は、１つ又は複数の別個の処理を含んでいてもよい。従って、２０２と２０４、又は３０２と３０４という２つの処理のみを列挙していることは、本発明に係る方法を専ら２つの処理に限定するように理解されるべきではない。また、典型的な処理２０２、２０４、又は３０２、３０４の各々は単一プロセスに限定されるように理解されるべきではない。当然ながら、プロセス３００が如何なる基板又は構造にも用いられ得るであろうように、プロセス２００はゲートスタック構造又は他の如何なる構造にも用いられ得る。

段階２０２と２０４、又は段階３０２と３０４は、何らかの厚さのＳｉＮ膜を形成するのに望まれる回数だけ繰り返され得る。例えば、段階２０２と２０４、又は段階３０２と３０４は、約１０Åから約５０Åの厚さを有するＳｉＮ膜を設けるために用いられ得る。そして、段階２０２と２０４、又は段階３０２と３０４は、約１０Åから約５０Åの厚さを有する第２のＳｉＮ膜を堆積するために繰り返され得る。段階２０２と２０４、又は段階３０２と３０４を繰り返すことにより、ＳｉＮ膜は例えば約１００Åから約１μｍといった任意の所望厚さまで構築され得る。

図４は、本発明の一実施形態に従った処理システムを概略的に示している。処理システム１は処理チャンバー１０を含んでおり、処理チャンバー１０は、ＳｉＮ膜を含む基板２５を支持するように構成された基板ホルダー２０を有している。処理チャンバー１０は更に、基板２５を電磁放射線に曝すための電磁放射手段３０を含んでいる。さらに、処理システム１は、電磁放射手段３０に結合された電源５０と、基板ホルダー２０に結合され且つ基板２５の温度を制御するように構成された基板温度制御系６０とを含んでいる。ガス供給系４０が処理チャンバー１０に結合されており、処理チャンバー１０に処理ガスを導入するように構成されている。処理ガスは、例えば窒素又は希ガス（すなわち、ヘリウム、ネオン、アルゴン、キセノン、クリプトン）等の不活性ガスを含み得る。他の例では、処理ガスは用いられなくてもよい。

図４の電磁放射手段３０は基板２５を、ほぼ等方的な（すなわち、強い指向性を有しない）拡散放射線４５に曝すように構成されている。言い換えれば、拡散放射線４５は主として或る特定方向から基板２５に入射するわけではない。拡散放射線を発生することが可能な電磁放射手段は当業者に周知である。例えば、電磁放射手段３０は約１０ｍＷ／ｃｍ^２と約１０００ｍＷ／ｃｍ^２との間の出力を発生可能である。本発明の他の一実施形態によれば、出力は約５０ｍＷ／ｃｍ^２と約５００ｍＷ／ｃｍ^２との間とし得る。本発明の一実施形態によれば、電磁放射線４５の波長は約５００ｎｍ未満とし得る。本発明の他の一実施形態によれば、この波長は約５００ｎｍと約１２５ｎｍとの間とし得る。

なおも図４を参照するに、処理システム１は２００ｍｍ基板、３００ｍｍ基板又はそれより大きいサイズの基板を処理するように構成されていてもよい。実際、当業者に認識されるように、処理システムは基板、ウェハ又はＬＣＤをそれらのサイズに関わりなく処理するように構成されることが意図される。故に、本発明の態様は半導体基板の処理に関連させて説明されるが、本発明はそれのみに限定されるものではない。

温度制御系６０は、例えば、冷却時に基板ホルダー２０から熱を受け取って熱交換系（図示せず）に熱を伝達し、あるいは加熱時に熱交換系から熱を伝達する冷却剤循環系などの温度制御素子を有している。さらに、温度制御素子は、例えば抵抗加熱素子又は熱電加熱器／冷却器などの、基板ホルダー２０や処理チャンバー１０のチャンバー壁及び処理システム１内のその他の何らかの構成要素に備えられ得る加熱／冷却素子を含むことができる。

基板２５と基板ホルダー２０との間の熱伝達を向上させるため、基板ホルダー２０は、基板２５を基板ホルダー２０の頂面に貼り付ける、機械的な取付手段、又は例えば静電クランピングシステム等の電気的な取付手段を含んでいてもよい。また、基板ホルダー２０は更に、基板２５と基板ホルダー２０との間のガスギャップの熱伝導を向上させるため、基板２５の裏面側にガスを導入するように構成された基板裏面側ガス配給系を含んでいてもよい。このガス配給系は加熱温度又は冷却温度での基板の温度制御が必要とされるときに用いられ得る。例えば、基板裏面側ガス配給系は、ヘリウムガスのギャップ圧が基板２５の中心部とエッジ部とで独立して変化させられ得るような２区画のガス配給系を有していてもよい。

また、処理チャンバー１０は更に、ダクト３８を介して圧力制御系３２に結合されることが可能である。圧力制御系３２は、例えば、真空ポンプ系３４及びバルブ３６を含んでおり、基板２５上に薄膜を形成するのに適し、また第１及び第２の加工材料の使用に適した圧力まで処理チャンバーを制御可能に排気するように構成されている。

真空ポンプ系３４は、最大で毎秒５０００リットルの（及び、これより大きい）ポンピング速度が可能なターボ分子真空ポンプ（ＴＭＰ）を含むことができ、バルブ３６はチャンバー圧力を絞るための仕切り弁を含むことができる。ドライプラズマエッチング用に使用される従来からのプラズマ処理装置においては、毎秒１０００から３０００リットルのＴＭＰが一般的に使用される。さらに、処理チャンバー１０にチャンバー圧力を監視する装置（図示せず）が結合されてもよい。圧力測定装置は、例えば、ＭＫＳインスツルメント社から商業的に入手可能な６２８Ｂ型バラトロン（Ｂａｒａｔｒｏｎ）絶対静電容量式圧力計とし得る。

また、処理システム１は、処理チャンバー１０、基板ホルダー２０、電磁放射手段３０、電源５０、及び基板温度制御系６０に結合されたコントローラ７０を含んでいる。これに代えて、或いは加えて、コントローラ７０は１つ以上の更なるコントローラ／コンピュータ（図示せず）に結合されることができ、コントローラ７０は更なるコントローラ／コンピュータから設定及び／又は構成情報を得ることができる。

図４においては単数の処理用要素（１０、２０、３０、５０、６０及び７０）が示されているが、このことは本発明に必要なことではない。処理システム１は、独立した処理用要素に加え、何らかの数のコントローラに伴われる如何なる数の処理用要素を有していてもよい。

コントローラ７０は何らかの数の処理用要素（１０、２０、３０、５０及び６０）を設定するために使用されることができ、また、処理用要素からのデータを収集し、提供し、処理し、記憶し、表示することができる。コントローラ７０は処理用要素の１つ以上を制御する多数のアプリケーションを有し得る。例えば、コントローラ７０は、ユーザが１つ又は複数の処理用要素の監視及び／又は制御を行うことを可能にする使い易いインターフェースを提供し得るグラフィック・ユーザ・インターフェース（ＧＵＩ）要素（図示せず）を含み得る。

コントローラ７０はマイクロプロセッサ、メモリー及び処理システム１からの出力を監視するとともに、処理システム１への入力を伝達しアクティブにするのに十分な制御電圧を生成することが可能なデジタル入／出力ポートを含んでいる。例えば、メモリー内に格納されたプログラムが、プロセスを実行するためにプロセスレシピに従って、処理システム１の上述の要素への入力をアクティブにするために使用されてもよい。コントローラ７０の一例はデル社から入手可能なＤＥＬＬ ＰＲＥＣＩＳＩＯＮ ＷＯＲＫＳＴＡＴＩＯＮ６１０（登録商標）である。

コントローラ７０は、処理システム１に対してローカルに位置付けられてもよいし、あるいは処理システム１に対して遠隔に位置付けられてもよい。例えば、コントローラ７０は、直接接続、イントラネット、インターネット及び無線接続の少なくとも１つを用いて堆積システム１とデータを交換してもよい。コントローラ７０は、例えば顧客側（すなわち、デバイスメーカー等）のイントラネットに結合されていてもよいし、例えば製造供給元（すなわち、装置製造者）のイントラネットに結合されていてもよい。さらに、例えば、コントローラ７０はインターネットに結合されていてもよい。また、他のコンピュータ（すなわち、コントローラ、サーバ等）が、例えば、直接接続、イントラネット及びインターネットの少なくとも１つを介してデータ交換するために、コントローラ７０にアクセスしてもよい。当業者に認識されるように、コントローラ７０は処理システム１と無線接続を介してデータ交換してもよい。

処理条件には更に、約０℃と約１０００℃との間の基板温度が含まれる。他の例では、基板温度は約２００℃と約１０００℃との間、又は約４００℃と約７００℃との間とし得る。処理チャンバー１０内の圧力は、例えば、約１０^−５Ｔｏｒｒ未満と約３０００ｍＴｏｒｒとの間に維持され得る。他の例では、圧力は約２０ｍＴｏｒｒと約１０００ｍＴｏｒｒとの間に維持され得る。更に他の例では、圧力は約５０ｍＴｏｒｒと約５００ｍＴｏｒｒとの間に維持され得る。約１０^−５Ｔｏｒｒ又はそれより低い圧力といった非常に低い圧力においては、処理ガスが用いられ得る。他の例では、処理ガスは用いられない。

図５は、本発明の一実施形態に従った処理システムを概略的に示している。図５に示された処理システム２は、図４に示された処理システム１に似ているが、互いに実質的に平行な電磁光線を有する平行放射線４６に基板２５を曝すように構成された電磁放射手段３１を含んでいる。平行放射線を発生することが可能な電磁放射手段は当業者に周知である。例えば、平行放射線４６は、電磁放射手段３１内に格納された１つ以上の放射線源からの拡散放射線を、集光レンズ又は例えば１つ以上の調節板（バッフル）等のその他の装置を用いて平行にすることによって形成されることができる。例えば、電磁放射手段３１は約１０ｍＷ／ｃｍ^２と約１０００ｍＷ／ｃｍ^２との間の出力を発生可能である。本発明の他の一実施形態によれば、出力は約５０ｍＷ／ｃｍ^２と約５００ｍＷ／ｃｍ^２との間とし得る。本発明の一実施形態によれば、電磁放射線４６の波長は約５００ｎｍ未満とし得る。本発明の他の一実施形態によれば、この波長は約２７５ｎｍと約１２５ｎｍとの間とし得る。

本発明を実施するに当たっては本発明の様々な変更例及び変形例が用いられ得る。故に、添付の請求項の範囲内で、本発明はここに具体的に記載されたものとは別の手法で実施され得ることは理解されるであろう。

本発明の一実施形態に従った大きい引張応力のＳｉＮ膜を含むＭＯＳデバイスを概略的に示す断面図である。 本発明の一実施形態に従って基板を電磁放射線に曝すフロー図である。 本発明の他の一実施形態に従って基板を平行電磁放射線に曝すフロー図である。 本発明の一実施形態に従った処理システムを示す概略図である。 本発明の他の一実施形態に従った処理システムを示す概略図である。

Claims (23)

1. 窒化膜の引張応力を増大させる方法であって：
   水素を含有するＳｉＮ膜が上に形成された基板を設ける設置工程；及び
   水素含有率を低下させて前記ＳｉＮ膜の引張応力を増大させるように、１２５ｎｍと２７５ｎｍとの間の波長群に相当する周波数群を含む多周波電磁放射線に前記ＳｉＮ膜を曝す曝露工程；
   を有する方法。
2. 前記電磁放射線は１５７ｎｍ、１７２ｎｍ、１９３ｎｍ、２２２ｎｍ、若しくは２４８ｎｍの波長、又はこれらの２つ以上の組み合わせを含む、請求項１に記載の方法。
3. 前記電磁放射線の強度は１０ｍＷ／ｃｍ^２ と１０００ｍＷ／ｃｍ^２との間である、請求項１に記載の方法。
4. 前記電磁放射線の強度は５０ｍＷ／ｃｍ^２ と５００ｍＷ／ｃｍ^２との間である、請求項１に記載の方法。
5. 前記設置工程は、１ＧＰａと１．５ＧＰａとの間の引張応力を有するＳｉＮ膜を設けることを有する、請求項１に記載の方法。
6. 前記曝露工程は、１．５ＧＰａより大きい引張応力を有するＳｉＮ膜を形成することを有する、請求項５に記載の方法。
7. 前記曝露工程は、１．５ＧＰａと３ＧＰａとの間の引張応力を有するＳｉＮ膜を形成することを有する、請求項５に記載の方法。
8. 前記基板は更に、該基板に形成された少なくとも１つのドープト領域及びゲートスタックを含むデバイスを有する、請求項１に記載の方法。
9. 前記曝露工程の前、最中若しくは後、又はこれらの２つ以上の組み合わせにおいて、前記ＳｉＮ膜をアニールするアニール工程；
   を更に有する請求項１に記載の方法。
10. 前記設置工程は、原子百分率で１０％と５０％との間の水素を含有するＳｉＮ膜を設けることを有する、請求項１に記載の方法。
11. 前記設置工程は、原子百分率で２０％と４０％との間の水素を含有するＳｉＮ膜を設けることを有する、請求項１に記載の方法。
12. 前記基板は２００℃と１０００℃との間の温度範囲内に維持される、請求項１に記載の方法。
13. 前記基板は４００℃と７００℃との間の温度範囲内に維持される、請求項１に記載の方法。
14. 前記ＳｉＮ膜が所定の厚さになるまで前記設置工程と前記曝露工程とを繰り返す反復段階を更に有する請求項１に記載の方法。
15. 前記反復段階後の前記ＳｉＮ膜の厚さは１００Åと１μｍとの間である、請求項１４に記載の方法。
16. 前記曝露工程は１０^−５Ｔｏｒｒと３０００ｍＴｏｒｒとの間の圧力で行われる、請求項１に記載の方法。
17. 半導体デバイスを製造する方法であって：
    少なくとも１つのドープト領域を含む基板を設ける設置工程であり、該基板は更に、該基板上に形成されたゲートスタックと、該ゲートスタック上に形成された、水素を含有するＳｉＮ膜とを含む、設置工程；及び
    前記ＳｉＮ膜を、水素含有率を低下させて前記ＳｉＮ膜の引張応力を増大させるように、１２５ｎｍと２７５ｎｍとの間の波長群に相当する周波数群を含む多周波電磁放射線に曝す曝露工程；
    を有する方法。
18. 前記曝露工程前の前記ＳｉＮ膜は１ＧＰａと１．５ＧＰａとの間の引張応力を有する、請求項１７に記載の方法。
19. 前記曝露工程後の前記ＳｉＮ膜は１．５ＧＰａより大きい引張応力を有する、請求項１８に記載の方法。
20. 前記曝露工程後の前記ＳｉＮ膜は１．５ＧＰａと３ＧＰａとの間の引張応力を有する、請求項１８に記載の方法。
21. 前記曝露工程前の前記ＳｉＮ膜は原子百分率で１０％と５０％との間の水素を含有する、請求項１７に記載の方法。
22. 前記曝露工程前の前記ＳｉＮ膜は原子百分率で２０％と４０％との間の水素を含有する、請求項１７に記載の方法。
23. 前記ＳｉＮ膜の厚さは１００Åと１μｍとの間である、請求項１７に記載の方法。

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