JP4885126B2

JP4885126B2 - 半導体レーザ駆動装置、及び半導体レーザ駆動方法

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Publication number: JP4885126B2
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Inventors: 淳一古川; 潔立石
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Description

本発明は、半導体レーザなどの駆動を行う半導体レーザ駆動装置、及び半導体レーザ駆動方法に関する。

従来より、半導体レーザの特性や半導体レーザ駆動装置の周波数特性によって、レーザ駆動信号に対する半導体レーザの応答の立ち上がりや立ち下がりが遅れてしまうことが知られている。このような応答の遅れが生じてしまうと、光ディスクに対する記録に必要なレーザパワーが十分に得られず、正確な記録ができなくなるという問題が生じる場合がある。

一般的には、このような問題に対処するために、レーザ駆動信号に対して補正信号を重畳して、この重畳した信号によって半導体レーザを駆動する技術が知られている。例えば、特許文献１には、レーザ駆動信号を微分したものを補正信号として用い、このような補正信号をレーザ駆動信号に対して重畳する技術が記載されている。

特開２００３−２０９３１９号公報

ところで、例えば青色レーザダイオードなどの半導体レーザなどにおいては、半導体レーザの温度によって応答特性が変化することが知られている。また、記録を行う光ディスクが有する記録層の数によって、記録するために必要なレーザパワーが異なる。例えば、２層型の光ディスクに対しては、１層型の光ディスクに対して用いる場合の概ね２倍のレーザパワーを有するレーザ駆動信号を用いる必要がある。

しかしながら、前述した特許文献１に記載された技術においては、半導体レーザの温度や光ディスクの記録層の数などに基づいて補正信号を変更せずに用いていたため、レーザ駆動信号の補正が適切に行われない場合があった。例えば、常温で設定した補正信号を半導体レーザの温度が高くなったときに用いた場合、半導体レーザから過剰な応答が発生し、半導体レーザが出力するレーザ光にリンギングが生じて、記録性能が悪化してしまう場合があった。逆に、常温で設定した補正信号を半導体レーザの温度が低くなったときに用いた場合、補正が十分に行われずに、記録性能が悪化してしまう場合があった。

本発明が解決しようとする課題は上記のようなものが例として挙げられる。本発明は、半導体レーザの温度などを考慮に入れて補正信号を生成することにより、半導体レーザを駆動するレーザ駆動信号を適切に補正することが可能な半導体レーザ駆動装置、及び半導体レーザ駆動方法を提供することを課題とする。

本発明の好適な実施形態では、半導体レーザ駆動装置は、レーザ光を出射する半導体レーザと、前記半導体レーザの温度を検出する温度検出手段と、前記半導体レーザを駆動するためのレーザ駆動信号を生成するレーザ駆動信号生成手段と、検出された前記温度に基づいて、前記レーザ駆動信号を補正するために用いる補正信号を生成する補正信号生成手段と、前記補正信号に基づいて前記レーザ駆動信号を補正する補正手段と、補正された前記レーザ駆動信号に基づいて、前記半導体レーザを駆動する駆動手段と、を有し、検出された前記温度に基づいて前記レーザ光の出力を変化させる。

上記の半導体レーザ駆動装置は、情報記録再生装置などに搭載され、例えば光ディスクなどの記録媒体に情報を記録したり、記録媒体に記録された情報を再生するために好適に使用される。詳しくは、半導体レーザ駆動装置は、温度検出手段が検出した半導体レーザの温度に基づいてレーザ光の出力を変化させる。また、レーザ駆動信号生成手段は、レーザ光を出射する半導体レーザ（例えば、レーザダイオード）を駆動するためのレーザ駆動信号を生成し、補正信号生成手段は、レーザ駆動信号を補正するために用いる補正信号を生成する。補正手段は、補正信号に基づいてレーザ駆動信号を補正する。そして、駆動手段は、レーザ駆動信号に基づいて半導体レーザを駆動する。この場合、補正信号生成手段は、温度検出手段が検出した半導体レーザの温度に基づいて補正信号を生成する。これにより、半導体レーザ駆動装置は、半導体レーザの温度に因らずに、半導体レーザの応答特性を改善することが可能となる。よって、半導体レーザ駆動装置は、半導体レーザの温度に影響を受けることなく、光ディスクに対する記録性能を確保することが可能となる。
好適な実施例では、前記補正信号生成手段は、検出された前記温度が所定温度であるときに前記補正信号を基準補正量に設定し、検出された前記温度が前記所定温度よりも高い場合には、前記補正信号を前記基準補正量より小さい補正量に変更し、検出された前記温度が前記所定温度よりも低い場合には、前記補正信号を前記基準補正量より大きい補正量に変更する。

上記の半導体レーザ駆動装置の他の一態様では、半導体レーザ駆動装置は、前記半導体レーザを駆動するためのレーザ駆動信号を生成するレーザ駆動信号生成手段と、検出された前記温度に基づいて、前記レーザ駆動信号を補正するために用いる補正信号を生成する補正信号生成手段と、前記補正信号に基づいて前記レーザ駆動信号を補正する補正手段と、補正された前記レーザ駆動信号に基づいて、前記半導体レーザを駆動する駆動手段と、を備える。

この態様では、補正信号生成手段は、レーザ駆動信号の変化に基づいて補正信号を生成し、補正手段は補正信号に基づいてレーザ駆動信号を補正する。そして、駆動手段は、補正されたレーザ駆動信号に基づいて半導体レーザを駆動する。これにより、半導体レーザ駆動装置は、レーザ駆動信号の変化に因らずに、半導体レーザの応答特性を適切に改善することが可能となる。

好適な実施例では、前記補正信号生成手段は、前記レーザ駆動信号の変化量が所定量であるときに前記補正信号を基準補正量に設定し、前記レーザ駆動信号の変化量が前記所定量以上である場合には、前記補正信号を前記基準補正量より大きい補正量に設定し、前記レーザ駆動信号の変化量が前記所定量未満である場合には、前記補正信号を前記基準補正量より小さい補正量に変更する。

上記の半導体レーザ駆動装置の他の一態様では、前記補正手段は、前記レーザ駆動信号が立ち上がるタイミング、及び、前記レーザ駆動信号が立ち下がるタイミングにおいて、前記レーザ駆動信号を補正する。この態様では、半導体レーザの立ち上がり時と立ち下がり時の応答速度を効果的に速くすることができる。

好適には、前記補正手段は、前記レーザ駆動信号の立ち上がり及び立ち下がりを補正することができる。

上記の半導体レーザ駆動装置の好適な実施例では、前記補正信号はパルス信号であり、前記補正手段は前記補正信号を前記レーザ駆動信号に重畳し、前記補正信号生成手段は、前記補正信号の変更時には、前記補正信号のパルス幅、前記レーザ駆動信号に対して前記補正信号を重畳するタイミング、及び、前記補正信号のレベルのうち少なくとも１つを変更する。

上記の半導体レーザ駆動装置の他の一態様では、前記補正信号生成手段は、前記レーザ光が照射される記録媒体の記録層の数に基づいて、前記補正信号を生成する。この態様では、半導体レーザ駆動装置は、記録対象とする記録媒体の記録層の数が変わった場合に、補正信号を変更する。これにより、記録媒体の記録層の数が変わり、記録に用いるレーザパワーが変化しても、半導体レーザの応答特性を適切に改善することが可能となる。

本発明の他の実施形態では、半導体レーザ駆動方法は、レーザ光を出射する半導体レーザを駆動するためのレーザ駆動信号を生成するレーザ駆動信号生成工程と、前記半導体レーザの温度を検出する温度検出工程と、検出された前記温度に基づいて、前記レーザ駆動信号を補正するために用いる補正信号を生成する補正信号生成工程と、前記補正信号に基づいて前記レーザ駆動信号を補正する補正手段と、補正された前記レーザ駆動信号に基づいて、前記半導体レーザを駆動する駆動工程と、を備える。上記の半導体レーザ駆動方法によっても、半導体レーザの温度に因らずに、半導体レーザの応答特性を適切に改善することが可能となる。

本発明の他の実施形態では、半導体レーザ駆動方法は、レーザ光を出射する半導体レーザを駆動するためのレーザ駆動信号を生成するレーザ駆動信号生成工程と、前記レーザ駆動信号の変化に基づいて、前記レーザ駆動信号を補正するために用いる補正信号を生成する補正信号生成工程と、前記補正信号に基づいて前記レーザ駆動信号を補正する補正手段と、補正された前記レーザ駆動信号に基づいて、前記半導体レーザを駆動する駆動工程と、を備える。上記の半導体レーザ駆動方法によっても、レーザ駆動信号の変化に因らずに、半導体レーザの応答特性を適切に改善することが可能となる。

本発明の第１実施例に係る情報記録再生装置の概略構成を示すブロック図である。レーザダイオードの応答光波形などの具体例を示す。レーザダイオードが高温である場合に用いる補正信号の具体例を示す。レーザダイオードが低温である場合に用いる補正信号の具体例を示す。本発明の第２実施例に係る情報記録再生装置の概略構成を示すブロック図である。固定した補正信号によって駆動した場合における、レーザダイオードの応答光波形を示す。レーザ駆動信号に応じて変更した補正信号によって駆動した場合における、レーザダイオードの応答光波形を示す。図７とは異なる形状を有するレーザ駆動信号に対して補正を行ったときの、レーザダイオードの応答光波形を示す。

符号の説明

１ライト電流源
２ａ、２ｂパルス幅調整部
３ａ、３ｂ遅延調整部
４ａ、４ｂ電流量設定部
７加算器
８ＡＰＣ
１０レーザダイオード
１５フロントモニタ
２０、２１半導体レーザ駆動装置
２５温度センサ
３０ＣＰＵ
１００、１０１情報記録再生装置

以下、図面を参照して本発明の好適な実施例について説明する。

［第１実施例］
まず、本発明の第１実施例に係る情報記録再生装置の構成について、図１を用いて説明する。

図１は、情報記録再生装置１００の概略構成を示すブロック図である。情報記録再生装置１００は、主に、レーザダイオード（ＬＤ）１０と、半導体レーザ駆動装置２０と、温度センサ２５と、ＣＰＵ３０と、を備える。詳しくは、半導体レーザ駆動装置２０は、ライト電流源１と、パルス幅調整部２ａ、２ｂと、遅延調整部３ａ、３ｂと、電流量設定部４ａ、４ｂと、スイッチ部５ａ、５ｂと、加算器７と、を備える。情報記録再生装置１００は、図示しない光ディスクに記録された情報の再生、及び光ディスクへの情報の記録を行う装置である。

レーザダイオード１０は、半導体レーザであり、図示しない光ディスクに対してレーザ光を出射する。詳しくは、レーザダイオード１０は、半導体レーザ駆動装置２０から信号Ｓ１０を取得し、この信号Ｓ１０に応じたレーザパワーを有するレーザ光を出力する。レーザダイオード１０は、例えば、青色レーザダイオードなどによって構成することができる。

温度センサ２５は、レーザダイオード１０の温度を検出し、検出した温度に対応する信号Ｓ２を半導体レーザ駆動装置２０に供給する。具体的には、温度センサ２５は、パルス幅調整部２ａ、２ｂと、遅延調整部３ａ、３ｂと、電流量設定部４ａ、４ｂと、に信号Ｓ２を供給する。

半導体レーザ駆動装置２０内のライト電流源１は、外部からストラテジーデータＳ１を取得する。このストラテジーデータＳ１は、光ディスクに情報を記録するための情報を有している。ライト電流源１は、取得したストラテジーデータＳ１に基づいて、レーザダイオード１０を駆動するためのレーザ駆動信号Ｓ３を生成し、レーザ駆動信号Ｓ３を出力する。なお、ストラテジーデータＳ１は、パルス幅調整部２ａ、２ｂにも供給される。

次に、パルス幅調整部２ａ、２ｂ、遅延調整部３ａ、３ｂ、及び電流量設定部４ａ、４ｂにおいて行われる処理について説明する。これらの処理部は、ライト電流源１が生成したレーザ駆動信号Ｓ３を補正するための補正信号を生成する。この補正信号は、レーザダイオード１０の応答特性を改善するために用いられる。具体的には、レーザ駆動信号Ｓ３によるレーザダイオード１０の応答の立ち上がりと立ち下がりの速度を速くするために用いられる。詳しくは、パルス幅調整部２ａ、遅延調整部３ａ、及び電流量設定部４ａは、レーザ駆動信号Ｓ３の立ち上がり時にレーザ駆動信号Ｓ３に対して重畳する補正信号Ｓ７ａを生成する。一方、パルス幅調整部２ｂ、遅延調整部３ｂ、及び電流量設定部４ｂは、レーザ駆動信号Ｓ３の立ち下がり時にレーザ駆動信号Ｓ３に対して重畳する補正信号Ｓ７ｂを生成する。

以上のように、パルス幅調整部２ａ、２ｂ、遅延調整部３ａ、３ｂ、及び電流量設定部４ａ、４ｂは、補正信号生成手段及び補正手段として機能する。具体的には、パルス幅調整部２ａ、２ｂは、補正信号のパルス幅を変更する処理を行う。遅延調整部３ａ、３ｂは、レーザ駆動信号Ｓ３の開始タイミング及び終了タイミングに対して補正信号を入力するタイミングを変更する処理を行う。電流量設定部４ａ、４ｂは、補正信号に設定する電流量を変更する。以下では、パルス幅調整部２ａ、２ｂ、遅延調整部３ａ、３ｂ、及び電流量設定部４ａ、４ｂが変更する量を、まとめて「補正量」とも呼ぶ。

更に、第１実施例においては、パルス幅調整部２ａ、２ｂ、遅延調整部３ａ、３ｂ、及び電流量設定部４ａ、４ｂは、温度センサ２５からレーザダイオード１０の温度に対応する信号Ｓ２を取得し、レーザダイオード１０の温度に基づいて補正信号を生成する。具体的には、これらの処理部は、レーザダイオード１０の温度が常温よりも高ければ、補正信号に対して設定する補正量を小さくする処理を行う。逆に、レーザダイオード１０の温度が常温よりも低ければ、補正信号に対して設定する補正量を大きくする処理を行う。詳しくは、パルス幅調整部２ａ、２ｂ、遅延調整部３ａ、３ｂ、及び電流量設定部４ａ、４ｂは、レーザダイオード１０が常温にあるときに補正信号に対して設定した補正量を基準として、レーザダイオード１０の温度に基づいて、この基準とした補正量に対して補正量を変更する処理を行う。以下、この基準とした補正量を「基準補正量」とも呼ぶ。更に、レーザ駆動信号Ｓ３が補正される量が大きくなるように基準補正量に対して補正量を変更することを「補正量を大きくする」と呼び、レーザ駆動信号Ｓ３が補正される量が小さくなるように基準補正量を変更することを「補正量を小さくする」と呼ぶ。

パルス幅調整部２ａ、２ｂ、遅延調整部３ａ、３ｂ、及び電流量設定部４ａ、４ｂにおける具体的な処理について説明する。パルス幅調整部２ａ、２ｂは、外部から供給されるストラテジーデータＳ１と、温度センサ２５から供給されるレーザダイオード１０の温度に対応する信号Ｓ２とを取得する。パルス幅調整部２ａ、２ｂは、レーザダイオード１０の温度に基づいて、補正信号のパルス幅を調整する。具体的には、パルス幅調整部２ａ、２ｂは、レーザダイオード１０の温度が常温よりも高ければ、常温時に設定したパルス幅を狭くする。一方、パルス幅調整部２ａ、２ｂは、レーザダイオード１０の温度が常温よりも低ければ、常温時に設定したパルス幅を広くする。パルス幅調整部２ａ、２ｂは、レーザダイオード１０の温度が常温から離れている量が大きいほど、常温時に設定したパルス幅を大きく変更する。以上の処理が終了すると、パルス幅調整部２ａ、２ｂは、調整後のパルス幅に対応する信号Ｓ４ａ、Ｓ４ｂを出力する。

遅延調整部３ａ、３ｂは、温度センサ２５から供給される信号Ｓ２と、パルス幅調整部２ａ、２ｂから供給される信号Ｓ４ａ、Ｓ４ｂを取得する。遅延調整部３ａ、３ｂは、レーザダイオード１０の温度に基づいて、レーザ駆動信号Ｓ３の開始タイミング及び終了タイミングに対して補正信号を入力するタイミングを調整する。即ち、遅延調整部３ａ、３ｂは、レーザ駆動信号Ｓ３の開始タイミング及び終了タイミングに対して、補正信号を入力するタイミングの遅延量を調整する。

具体的には、遅延調整部３ａは、レーザダイオード１０の温度が常温よりも高ければ、レーザダイオード１０の立ち上がり時の応答速度が速くならないように、補正信号を入力するタイミングを早くする。一方、遅延調整部３ａは、レーザダイオード１０の温度が常温よりも低ければ、レーザダイオード１０の立ち上がり時の応答速度が速くなるように、補正信号を入力するタイミングを遅くする。こうするのは、レーザ駆動信号Ｓ３の立ち上がりの終了付近で補正信号を入力することにより、レーザダイオード１０の応答速度を効果的に速くすることができるからである。更に、遅延調整部３ｂは、レーザダイオード１０の温度が常温よりも高ければ、レーザダイオード１０の立ち下がり時の応答速度が速くならないように、補正信号を入力するタイミングを遅くする。一方、遅延調整部３ｂは、レーザダイオード１０の温度が常温よりも低ければ、レーザダイオード１０の立ち下がり時の応答速度が速くなるように、補正信号を入力するタイミングを早くする。なお、遅延調整部３ａ、３ｂは、レーザダイオード１０の温度が常温から離れている量が大きいほど、常温時に設定した遅延量を大きく変更する。以上の処理が終了すると、遅延調整部３ａ、３ｂは、求めた遅延量に対応する信号Ｓ５ａ、Ｓ５ｂを出力する。

電流量設定部４ａ、４ｂは、温度センサ２５から供給される信号Ｓ２を取得する。電流量設定部４ａ、４ｂは、レーザダイオード１０の温度に基づいて、補正信号に対して設定する電流量を調整する。電流量が調整されることにより、パルスの高さが変化する。具体的には、電流量設定部４ａ、４ｂは、レーザダイオード１０の温度が常温よりも高ければ、常温時に設定した電流量を小さくする。一方、電流量設定部４ａ、４ｂは、レーザダイオード１０の温度が常温よりも低ければ、常温時に設定した電流量を大きくする。以上の処理が終了すると、電流量設定部４ａ、４ｂは、設定した電流量に対応する信号Ｓ６ａ、Ｓ６ｂを出力する。なお、電流量設定部４ａ、４ｂは、レーザダイオード１０の温度が常温から離れている量が大きいほど、常温時に設定した電流量を大きく変更する。

スイッチ部５ａ、５ｂは、遅延調整部３ａ、３ｂから供給される信号Ｓ５ａ、Ｓ５ｂに基づいて、スイッチのオン／オフを切り替える。即ち、スイッチ部５ａ、５ｂは、遅延調整部３ａ、３ｂが出力した、補正信号を入力するタイミングを示す信号Ｓ５ａ、Ｓ５ｂに基づいて、スイッチの切り替えを実行する。スイッチ部５ａ、５ｂがオンに設定されると、パルス幅や電流量の設定が行われた補正信号Ｓ７ａ、Ｓ７ｂが加算器７に入力される。

加算器７には、レーザ駆動信号Ｓ３と補正信号Ｓ７ａ、Ｓ７ｂが供給される。加算器７は、供給されるレーザ駆動信号Ｓ３と、補正信号Ｓ７ａ又は補正信号Ｓ７ｂとを加算する処理を行う。そして、加算器７は、加算後の信号Ｓ１０をレーザダイオード１０に供給する。よって、レーザダイオード１０は、レーザ駆動信号Ｓ３に対して補正信号Ｓ７ａ、Ｓ７ｂが重畳された信号Ｓ１０によって駆動される。

なお、上記した補正量の変更は、パルス幅、遅延量、及び電流量のすべてを変更する必要はなく、少なくともいずれか１つの変更によって行うことができる。

ＣＰＵ３０は、上記した種々の処理部に対して設定値などを供給して、各処理部の制御を行う。

ここで、上記した補正信号Ｓ７ａ、Ｓ７ｂを用いて補正を行ったときの、レーザダイオード１０の応答波形の具体例を図２に示す。図２は横軸に時間を示し、図２（ａ）と図２（ｃ）と図２（ｄ）の縦軸は電圧を示し、図２（ｂ）と図２（ｅ）の縦軸は光パワーの強度を示している。

図２（ａ）は、ライト電流源１から出力されるレーザ駆動信号Ｓ３を示している。図２（ｂ）は、補正信号Ｓ７ａ、Ｓ７ｂが重畳されていないレーザ駆動信号Ｓ３のみによって駆動したときの、レーザダイオード１０の応答光波形を示している。これより、補正信号Ｓ７ａ、Ｓ７ｂを用いない場合には、レーザダイオード１０の応答は、立ち上がりと立ち下がりの速度が遅いことがわかる。

図２（ｃ）、図２（ｄ）は、図２（ａ）のようなレーザ駆動信号Ｓ３に対して用いる補正信号Ｓ７ａ、Ｓ７ｂを示している。図２（ｃ）は、レーザ駆動信号Ｓ３の開始タイミングにおいて用いる補正信号Ｓ７ａを示している。この場合、補正信号Ｓ７ａは、パルス幅ＰＷ４０に設定されている。また、補正信号Ｓ７ａは、遅延量が「０」に設定されている。即ち、補正信号Ｓ７ａは、レーザ駆動信号Ｓ３の開始タイミングｔ１と同じタイミングでレーザダイオード１０に入力される。

一方、図２（ｄ）は、レーザ駆動信号Ｓ３の終了タイミングにおいて用いる補正信号Ｓ７ｂを示している。この場合、補正信号Ｓ７ｂは、パルス幅ＰＷ４１に設定されている（ＰＷ４０＜ＰＷ４１）。また、補正信号Ｓ７ｂは、遅延量が「０」に設定されている。即ち、補正信号Ｓ７ｂは、レーザ駆動信号Ｓ３の終了タイミングｔ２と同じタイミングでレーザダイオード１０に入力される。

上記のような補正信号Ｓ７ａ、Ｓ７ｂをレーザ駆動信号Ｓ３に対して重畳した信号によってレーザダイオード１０を駆動することにより、図２（ｅ）で示すような応答光波形がレーザダイオード１０から得られる。これより、レーザダイオード１０の立ち上がり及び立ち下がりの速度が速くなっており、レーザ駆動信号Ｓ３に対するレーザダイオード１０の応答特性が改善されていることがわかる。

次に、レーザダイオード１０の温度が高温又は低温である場合に用いる補正信号Ｓ７ａについて、図３及び図４を用いて説明する。ここでは、レーザダイオード１０の温度に基づいて補正信号のパルス幅を変更する例について説明する。

図３は、レーザダイオード１０が高温である場合に用いる補正信号Ｓ７ａなどの具体例を示している。図３は横軸に時間を示し、図３（ａ）と図３（ｂ）と図３（ｅ）の縦軸は電圧を示し、図３（ｃ）と図３（ｄ）と図３（ｆ）の縦軸は光パワーの強度を示している。

図３（ａ）は、ライト電流源１から出力されるレーザ駆動信号Ｓ３を示している。図３（ｂ）は、常温時に設定された補正信号Ｓ７ａを示している。この補正信号Ｓ７ａは、常温時のレーザダイオード１０に基づいて設定されており、パルス幅はＰＷ４２に設定されている。なお、パルス幅ＰＷ４２が基準補正量として用いられる。レーザダイオード１０が常温である場合に、図３（ｂ）に示す補正信号Ｓ７ａを重畳した信号によってレーザダイオード１０を駆動すると、図３（ｃ）で示す応答光波形がレーザダイオード１０から得られる。これより、レーザダイオード１０の立ち上がりの速度が速く、応答特性が改善されていることがわかる。

一方、レーザダイオード１０が常温よりも高温であるとき、基準補正量に設定された補正信号Ｓ７ａ（図３（ｂ）に示す補正信号Ｓ７ａ）によってレーザダイオード１０の駆動を行うと、図３（ｄ）で示すような応答光波形がレーザダイオード１０から得られる。これより、破線領域４３で示すように、レーザダイオード１０は過剰な応答を示していることがわかる。即ち、レーザダイオード１０は、出力すべきレーザパワー以上のレーザパワーを有するレーザ光を出力している。このような過剰な応答は、基準補正量に設定された補正信号Ｓ７ａによって、過剰な補正が行われてしまったために生じている。詳しくは、基準補正量に対応するパルス幅ＰＷ４２が、高温にあるレーザダイオード１０を適切に補正するために設定すべきパルス幅よりも大きいために生じている。このような過剰な応答が発生した場合には、レーザダイオード１０から出力されるレーザ光にリンギングが生じてしまい、光ディスクに対する書き込み性能が悪化してしまう。

したがって、第１実施例に係る半導体レーザ駆動装置２０は、レーザダイオード１０の温度に基づいて補正信号を生成する。即ち、レーザダイオード１０の温度に応じて常温時において設定した基準補正量を変更し、変更後の補正量に設定した補正信号を生成する。具体的には、半導体レーザ駆動装置２０は、図３（ｅ）で示すような補正信号Ｓ７ａを生成する。この場合、補正信号Ｓ７ａにおけるパルス幅ＰＷ４４は、基準補正量に対応するパルス幅ＰＷ４２よりも狭い。このようにパルス幅を設定するのは、レーザダイオード１０が高温であるので、補正信号Ｓ７ａによってレーザ駆動信号Ｓ３が補正される量が、基準補正量に設定された補正信号Ｓ７ａによってレーザ駆動信号Ｓ３が補正される量よりも小さくなるようにするためである。このように設定された補正信号Ｓ７ａを用いてレーザダイオード１０の駆動を行うことにより、図３（ｆ）で示すような応答光波形がレーザダイオード１０から得られる。これより、レーザダイオード１０が高温である場合にも、立ち上がり時の応答特性が適切に改善されていることがわかる。

図４は、レーザダイオード１０が低温である場合に用いる補正信号Ｓ７ａなどの具体例を示している。図４は横軸に時間を示し、図４（ａ）と図４（ｂ）と図４（ｅ）の縦軸は示し、図４（ｃ）と図４（ｄ）と図４（ｆ）の縦軸は光パワーの強度を示している。

図４（ａ）は、ライト電流源１から出力されるレーザ駆動信号Ｓ３を示している。図４（ｂ）は、常温時に設定された補正信号Ｓ７ａを示している。この補正信号Ｓ７ａは、常温時のレーザダイオード１０に基づいて設定されており、パルス幅はＰＷ４５で示す量に設定されている。なお、パルス幅ＰＷ４５が基準補正量として用いられる。レーザダイオード１０が常温である場合に、図４（ｂ）に示す補正信号Ｓ７ａを重畳した信号によってレーザダイオード１０を駆動すると、図４（ｃ）で示す応答光波形がレーザダイオード１０から得られる。これより、レーザダイオード１０の立ち上がりの速度が速く、応答特性が改善されていることがわかる。

一方、レーザダイオード１０が常温よりも低温であるとき、基準補正量に設定された補正信号Ｓ７ａ（図４（ｂ）に示す補正信号Ｓ７ａ）によってレーザダイオード１０の駆動を行うと、図４（ｄ）で示すような応答光波形がレーザダイオード１０から得られる。これより、破線領域４６で示すように、レーザダイオード１０の応答は立ち上がり時の速度が遅いことがわかる。このような応答は、基準補正量に設定された補正信号Ｓ７ａでは、補正量が不足しており、十分な補正を行うことができなかったために生じている。即ち、基準補正量に対応するパルス幅ＰＷ４５が、低温にあるレーザダイオード１０を適切に補正するために設定すべきパルス幅よりも狭いために生じている。このような応答が発生した場合には、光ディスクへの記録パワーが不足し、書き込み性能が悪化してしまう。

この場合にも、第１実施例に係る半導体レーザ駆動装置２０は、常温時において設定した基準補正量をレーザダイオード１０の温度に応じて変更し、変更後の補正量に設定した補正信号を生成する。具体的には、半導体レーザ駆動装置２０は、図４（ｅ）で示すような補正信号Ｓ７ａを生成する。この場合、補正信号Ｓ７ａにおけるパルス幅ＰＷ４７は、基準補正量に対応するパルス幅ＰＷ４５よりも広い。このようにパルス幅を設定するのは、レーザダイオード１０が低温であるので、補正信号Ｓ７ａによってレーザ駆動信号Ｓ３が補正される量が、基準補正量に設定された補正信号Ｓ７ａによってレーザ駆動信号Ｓ３が補正される量よりも大きくなるようにするためである。上記のように設定した補正信号Ｓ７ａを用いてレーザダイオード１０の駆動を行うことにより、図４（ｆ）で示すような応答光波形がレーザダイオード１０から得られる。これより、レーザダイオード１０が低温である場合にも、立ち上がり時の応答特性が適切に改善されていることがわかる。

以上のように、第１実施例に係る半導体レーザ駆動装置２０は、レーザダイオード１０の温度に基づいて、レーザダイオード１０の応答特性を改善するための補正信号を生成する。これにより、レーザダイオード１０の温度が変化しても、レーザダイオード１０の応答特性を適切に改善することが可能となる。よって、半導体レーザ駆動装置２０は、レーザダイオード１０の温度に影響を受けることなく、光ディスクに対する記録性能を確保することが可能となる。

［第２実施例］
次に、本発明の第２実施例について説明する。

第２実施例に係る半導体レーザ駆動装置は、レーザダイオード１０の温度の代わりに、レーザ駆動信号Ｓ３の変化に基づいて補正信号Ｓ７ａ、Ｓ７ｂを生成する点で、前述した第１実施例に係る半導体レーザ駆動装置２０とは異なる。このようにレーザ駆動信号Ｓ３の変化に基づいて補正信号Ｓ７ａ、Ｓ７ｂ生成する理由は、レーザダイオード１０は、レーザパワーに対してその抵抗値が変化するといった負荷特性を有しているため、レーザパワーに応じて補正信号Ｓ７ａ、Ｓ７ｂを生成する必要があるからである。基本的には、レーザダイオード１０は、レーザパワーが小さいときは抵抗値が大きく、レーザパワーが大きいときは抵抗値が小さい。

図５（ａ）は、第２実施例に係る情報記録再生装置１０１の概略構成を示すブロック図である。情報記録再生装置１０１は、温度センサ２５を具備せずにフロントモニタ（ＦＭ）１５を有し、半導体レーザ駆動装置２０の代わりに半導体レーザ駆動装置２１を有する点で、前述した情報記録再生装置１００とは構成が異なる。また、半導体レーザ駆動装置２１は、ＡＰＣ（Automatic Power Control）８を有する点で、半導体レーザ駆動装置２０とは構成が異なる。情報記録再生装置１０１は、上記した情報記録再生装置１００と同一の構成要素及び同一の信号については同一の符号を付し、その説明は省略する。

フロントモニタ１５は、レーザダイオード１０の光量を検出するモニタダイオードであり、検出したレーザダイオード１０の光量を信号Ｓ１５としてＡＰＣ８に供給する。ＡＰＣ８は、供給される信号Ｓ１５に基づいて、ライトピークパワー及びイレースパワーをサンプル又はピークホールドして、それぞれの目標値との誤差を補正する信号を出力する。図５（ｂ）は、レーザダイオード１０の光波形における、ライトピークパワーとイレースパワーの一例を示している。更に、ＡＰＣ８は、リードパワーについても目標値との誤差を補正する信号を出力する。ＡＰＣ８は、これらのライトピークパワー、イレースパワー、及びリードパワーの誤差を補正する信号を有する信号Ｓ８をライト電流源１に供給する。このようにＡＰＣ８で処理を行うことにより、レーザダイオード１０の出力パワーを適切に調整することができる。

次に、半導体レーザ駆動装置２１において行われる、補正信号を生成するための処理について説明する。

パルス幅調整部２ａ、２ｂ、遅延調整部３ａ、３ｂ、及び電流量設定部４ａ、４ｂは、ライト電流源１から供給される信号Ｓ１２に基づいて、補正信号を生成する。第２実施例においては、ライト電流源１は、入力されるストラテジーデータＳ１からレーザ駆動信号Ｓ３を生成し、生成したレーザ駆動信号Ｓ３の変化量を求め、この変化量に対応する信号Ｓ１２を出力する。具体的には、ライト電流源１は、所定時間の間における、レーザ駆動信号Ｓ３の変化量を求める。そして、パルス幅調整部２ａ、２ｂ、遅延調整部３ａ、３ｂ、及び電流量設定部４ａ、４ｂは、レーザ駆動信号Ｓ３における基準となる変化量に基づいて補正信号に対して設定した補正量を変更する処理を行う。なお、基準となる変化量に基づいて設定された補正量は、前述した基準補正量に対応する。以下では、基準となる変化量に基づいて設定された補正量を、基準補正量として用いる。

具体的には、パルス幅調整部２ａ、２ｂは、外部から供給されるストラテジーデータＳ１と、ライト電流源１から供給される信号Ｓ１２とを取得する。パルス幅調整部２ａ、２ｂは、レーザ駆動信号Ｓ３の変化量に基づいて、補正信号のパルス幅を調整する。具体的には、パルス幅調整部２ａ、２ｂは、レーザ駆動信号Ｓ３の変化量が小さければ、基準補正量に対応するパルス幅を狭くする変更を行う。一方、パルス幅調整部２ａ、２ｂは、変化量が大きければ、基準補正量に対応するパルス幅を広くする変更を行う。以上の処理が終了すると、パルス幅調整部２ａ、２ｂは、変更後のパルス幅に対応する信号Ｓ４ａ、Ｓ４ｂを出力する。なお、パルス幅調整部２ａ、２ｂは、レーザ駆動信号Ｓ３の変化量が基準となる変化量から離れている量が大きいほど、基準補正量に対応するパルス幅を大きく変更する。

遅延調整部３ａ、３ｂは、ライト電流源１から供給される信号Ｓ１２と、パルス幅調整部２ａ、２ｂから供給される信号Ｓ４ａ、Ｓ４ｂを取得する。遅延調整部３ａ、３ｂは、レーザ駆動信号Ｓ３の変化量に基づいて、レーザ駆動信号Ｓ３の開始タイミング及び終了タイミングに対して補正信号を入力するタイミングの遅延量を調整する。具体的には、遅延調整部３ａは、レーザ駆動信号Ｓ３の変化量が小さければ、レーザダイオード１０の立ち上がり時の応答速度が速くならないように、補正信号を入力するタイミングを早くする。一方、遅延調整部３ａは、変化量が大きければ、レーザダイオード１０の立ち上がり時の応答速度が速くなるように、補正信号を入力するタイミングを遅くする。更に、遅延調整部３ｂは、変化量が小さければ、レーザダイオード１０の立ち下がり時の応答速度が速くならないように、補正信号を入力するタイミングを遅くする。一方、遅延調整部３ｂは、変化量が大きければ、レーザダイオード１０の立ち下がり時の応答速度が速くなるように、補正信号を入力するタイミングを早くする。以上の処理が終了すると、遅延調整部３ａ、３ｂは、求めた遅延量に対応する信号Ｓ５ａ、Ｓ５ｂを出力する。なお、遅延調整部３ａ、３ｂは、レーザ駆動信号Ｓ３の変化量が基準となる変化量から離れている量が大きいほど、基準補正量に対応する遅延量を大きく変更する。

電流量設定部４ａ、４ｂは、ライト電流源１から供給される信号Ｓ１２を取得する。電流量設定部４ａ、４ｂは、レーザ駆動信号Ｓ３の変化量に基づいて、補正信号に対して設定する電流量を調整する。具体的には、電流量設定部４ａ、４ｂは、変化量が小さければ、基準補正量に対応する電流量を小さくする変更を行う。一方、電流量設定部４ａ、４ｂは、変化量が大きければ、基準補正量に対応する電流量を大きくする変更を行う。以上の処理が終了すると、電流量設定部４ａ、４ｂは、設定した電流量に対応する信号Ｓ６ａ、Ｓ６ｂを出力する。なお、電流量設定部４ａ、４ｂは、レーザ駆動信号Ｓ３の変化量が基準となる変化量から離れている量が大きいほど、基準補正量に対応する電流量を大きく変更する。

このようにして、パルス幅調整部２ａ、２ｂ、遅延調整部３ａ、３ｂ、及び電流量設定部４ａ、４ｂで生成された補正信号Ｓ７ａ、Ｓ７ｂは、加算器７においてレーザ駆動信号Ｓ３に対して重畳される。なお、上記した補正量の変更は、パルス幅、遅延量、及び電流量のすべてを変更する必要はなく、少なくともいずれか１つの変更によって行うことができる。

ここで、レーザ駆動信号Ｓ３の変化量を考慮に入れないで生成した補正信号Ｓ７ａ、Ｓ７ｂによって、レーザダイオード１０を駆動した場合に生じる不具合について図６を用いて説明する。図６は、横方向に時間を示し、縦方向に光パワーを示している。

図６は、左から順に、トップパルス区間ＴＰ１、マルチパルス区間ＴＰ２、スペース区間ＴＰ３を示している。図６（ａ）は、補正信号Ｓ７ａ、Ｓ７ｂが重畳されていないレーザ駆動信号Ｓ３によって駆動したときの、レーザダイオード１０の応答光波形を示している。これより、トップパルス区間ＴＰ１においては、レーザダイオード１０の応答の立ち上がりの速度は速いが、マルチパルス区間ＴＰ２においては、レーザダイオード１０の応答の立ち上がり及び立ち下がりの速度が遅いことがわかる。

図６（ｂ）は、補正信号Ｓ７ａ、Ｓ７ｂを用いた補正後のレーザダイオード１０の応答光波形を示している。この場合、補正信号Ｓ７ａは、マルチパルスに対応するレーザ駆動信号Ｓ３の変化量に基づいて設定されている。即ち、このような補正信号Ｓ７ａに対して設定された補正量が基準補正量に対応する。なお、補正信号Ｓ７ａは、レーザ駆動信号Ｓ３の変化量に基づいて変更はされず、固定されている。つまり、補正信号Ｓ７は常に基準補正量に設定されている。

上記のように設定された補正信号Ｓ７ａを用いて補正を行った場合、図６（ｂ）中の破線領域５１で示すように、トップパルスの立ち上がり時において、レーザダイオード１０が過剰な応答を示していることがわかる。即ち、レーザダイオード１０は、出力すべきレーザパワー以上のレーザパワーを有するレーザ光を出力している。このような過剰な応答を示す理由を説明する。基準補正量に設定された補正信号Ｓ７ａでは、トップパルスに対応するレーザ駆動信号Ｓ３が適切に補正されるべき量として大き過ぎるために生じている。これは、トップパルスに対応するレーザ駆動信号Ｓ３が比較的高いパワーから立ち上がりが開始しているため、トップパルスに対応するレーザ駆動信号Ｓ３がマルチパルスに対応するレーザ駆動信号Ｓ３と比較して、立ち上がったときの変化量が小さいために生じている。一方、破線領域５２で示すようなマルチパルス期間Ｔ２においては、適切な補正が行われていることがわかる。これは、マルチパルスに対応するレーザ駆動信号Ｓ３に基づいて基準補正量を設定したからである。

更に、スペース区間ＴＰ３におけるレーザ駆動信号Ｓ３に対して補正信号Ｓ７ａを用いて補正を行った場合にも、図６（ｂ）中の破線領域５３で示すように、レーザダイオード１０が過剰な応答を示していることがわかる。このような過剰な応答は、基準補正量に設定された補正信号Ｓ７ａがレーザ駆動信号Ｓ３を補正する量が、スペース区間ＴＰ３におけるレーザ駆動信号Ｓ３が補正されるべき量よりも大きいために生じている。これは、スペース区間ＴＰ３におけるレーザ駆動信号Ｓ３のレーザパワーが小さいため、スペース区間ＴＰ３におけるレーザ駆動信号Ｓ３がマルチパルスに対応するレーザ駆動信号Ｓ３と比較して、立ち上がったときの変化量が小さいために生じている。

図６（ｃ）は、レーザ駆動信号Ｓ３をボトムパワー７０から光パワーＶｕ上げた場合（以下、「増加ボトムパワー時」と呼ぶ。）における、補正後のレーザダイオード１０の応答光波形を示している。この場合は、レーザ駆動信号Ｓ３をボトムパワー７０から上げない状態（以下、「通常ボトムパワー時」と呼ぶ。）における、マルチパルスに対応するレーザ駆動信号Ｓ３に基づいて基準補正量が設定されている。このような補正信号Ｓ７ａを用いて補正を行った場合、図６（ｃ）中の破線領域５５、５６、５７で示すように、レーザダイオード１０が過剰な応答を示していることがわかる。特に、トップパルスの立ち上がり時とスペース区間ＴＰ３において、レーザダイオード１０が過剰な応答を示していることがわかる。

次に、レーザ駆動信号Ｓ３の変化量に基づいて生成した補正信号によって駆動した場合のレーザダイオード１０の応答について、図７を用いて説明する。図７は、横方向に時間を示し、縦方向に光パワーを示している。

図７は、左から順に、トップパルス区間ＴＰ１、マルチパルス区間ＴＰ２、スペース区間ＴＰ３を示している。図７（ａ）は、上記した図６（ａ）と同一の図を示しており、補正信号Ｓ７ａ、Ｓ７ｂが重畳されていないレーザ駆動信号Ｓ３によって駆動したときの、レーザダイオード１０の応答光波形を示している。これより、マルチパルス区間ＴＰ２において、レーザダイオード１０の応答は立ち上がり及び立ち下がりの速度が遅いことがわかる。

図７（ｂ）は、補正信号Ｓ７ａ、Ｓ７ｂを用いた補正後のレーザダイオード１０の応答光波形を示している。この場合も、半導体レーザ駆動装置２１は、マルチパルスに対応するレーザ駆動信号Ｓ３の変化量に基づいて補正信号Ｓ７ａを設定している。即ち、このような補正信号Ｓ７ａに対して設定された補正量が基準補正量に対応する。第２実施例に係る半導体レーザ駆動装置２１は、このように設定された基準補正量を、レーザ駆動信号Ｓ３の変化量に基づいて変更する。

具体的には、半導体レーザ駆動装置２１は、トップパルス区間ＴＰ１においては、トップパルスに対応するレーザ駆動信号Ｓ３の変化量に基づいて補正信号Ｓ７ａを生成する。詳しくは、トップパルスに対応するレーザ駆動信号Ｓ３の変化量がマルチパルスに対応するレーザ駆動信号Ｓ３の変化量と比較して小さいため、半導体レーザ駆動装置２１は、レーザ駆動信号Ｓ３が補正される量が小さくなるように基準補正量を変更した補正量を設定する。これにより、破線９１で示すような過剰な応答がレーザダイオード１０から発生せずに、適切な補正が行われていることがわかる。即ち、レーザダイオード１０は出力すべきレーザパワーを出力し、その出力の立ち上がりの速度も速い。

一方、マルチパルス区間ＴＰ２においては、半導体レーザ駆動装置２１は、基準補正量をそのまま用いる。即ち、半導体レーザ駆動装置２１は、基準補正量に設定された補正信号Ｓ７ａを用いてレーザダイオード１０を駆動する。これにより、破線９２で示すような過剰な応答がレーザダイオード１０から発生せずに、適切な補正が行われていることがわかる。

更に、スペース区間ＴＰ３においては、半導体レーザ駆動装置２１は、スペース区間ＴＰ３におけるレーザ駆動信号Ｓ３の変化量に基づいて補正信号Ｓ７ａを生成する。詳しくは、スペース区間ＴＰ３におけるレーザ駆動信号Ｓ３の変化量がマルチパルスに対応するレーザ駆動信号Ｓ３の変化量と比較して小さいため、半導体レーザ駆動装置２１は、レーザ駆動信号Ｓ３が補正される量が小さくなるように基準補正量を変更した補正量を設定する。これにより、破線９３で示すような過剰な応答がレーザダイオード１０から発生せずに、適切な補正が行われていることがわかる。

一方、図７（ｃ）は、増加ボトムパワー時における、補正後のレーザダイオード１０の応答光波形を示している。この場合も、半導体レーザ駆動装置２１は、通常ボトムパワー時のマルチパルスに対応するレーザ駆動信号Ｓ３の変化量に基づいて補正信号Ｓ７ａを設定している。即ち、この場合に用いる基準補正量は、前述した図７（ｂ）において用いたものと同一である。そして、半導体レーザ駆動装置２１は、レーザ駆動信号Ｓ３の変化量に基づいて基準補正量を変更した補正量によって補正信号Ｓ７ａを設定する。

半導体レーザ駆動装置２１は、トップパルス区間ＴＰ１においては、トップパルスに対応するレーザ駆動信号Ｓ３の変化量に基づいて補正信号Ｓ７ａを生成する。詳しくは、トップパルスに対応するレーザ駆動信号Ｓ３の変化量が、通常ボトムパワー時におけるマルチパルスに対応するレーザ駆動信号Ｓ３の変化量と比較して小さいため、半導体レーザ駆動装置２１は、レーザ駆動信号Ｓ３が補正される量が小さくなるように基準補正量を変更した補正量を設定する。これにより、破線９４で示すような過剰な応答がレーザダイオード１０から発生せずに、適切な補正が行われる。

また、マルチパルス区間ＴＰ２においては、半導体レーザ駆動装置２１は、マルチパルスに対応するレーザ駆動信号Ｓ３の変化量に基づいて補正信号Ｓ７ａを生成する。詳しくは、増加ボトムパワー時には、通常ボトムパワー時と比較して、レーザ駆動信号Ｓ３の変化量が小さいため、半導体レーザ駆動装置２１は、レーザ駆動信号Ｓ３が補正される量が小さくなるように基準補正量を変更した補正量を設定する。これにより、破線９５で示すような過剰な応答がレーザダイオード１０から発生せずに、適切な補正が行われていることがわかる。同様に、半導体レーザ駆動装置２１は、マルチパルスに対応するレーザ駆動信号Ｓ３の立ち下がり時の変化量に基づいて設定された基準補正量を変更し、この変更後の補正量に設定した補正信号Ｓ７ｂを生成する。このような補正信号Ｓ７ｂによってレーザダイオード１０を駆動することにより、破線９６で示すような過剰な応答がレーザダイオード１０から発生せずに、レーザダイオード１０の応答特性は改善される。

更に、スペース区間ＴＰ３においては、半導体レーザ駆動装置２１は、スペース区間ＴＰ３におけるレーザ駆動信号Ｓ３の変化量に基づいて補正信号Ｓ７ａを生成する。詳しくは、スペース区間ＴＰ３におけるレーザ駆動信号Ｓ３の変化量が、通常ボトムパワー時におけるマルチパルスに対応するレーザ駆動信号Ｓ３の変化量と比較して小さいため、半導体レーザ駆動装置２１は、レーザ駆動信号Ｓ３が補正される量が小さくなるように基準補正量を変更した補正量を設定する。このような補正量に設定した補正信号Ｓ７ｂによってレーザダイオード１０を駆動することにより、破線９７で示すような過剰な応答がレーザダイオード１０から発生せずに、レーザダイオード１０の応答特性は改善される。

図８は、上記したレーザ駆動信号とは異なる時間変化を有するレーザ駆動信号に対して補正を行った場合の、レーザダイオード１０の応答を示す。この場合、ライト電流源１には、異なる形状を有するストラテジーデータＳ１が入力されている。なお、図８は、横方向に時間を示し、縦方向に光パワーを示している。

図８（ａ）は、補正信号Ｓ７ａ、Ｓ７ｂが重畳されていないレーザ駆動信号Ｓ３によって駆動したときの、レーザダイオード１０の応答光波形を示している。これより、レーザ駆動信号Ｓ３に対する、レーザダイオード１の応答の立ち上がり及び立ち下がりの速度が遅いことがわかる。

図８（ｂ）は、補正信号Ｓ７ａ、Ｓ７ｂを用いた補正後のレーザダイオード１０の応答光波形を示している。この場合、半導体レーザ駆動装置２１は、信号の立ち上がり時に用いる補正信号Ｓ７ａに対しては、破線領域７１で示すレーザ駆動信号Ｓ３の変化量に基づいて設定した補正量を基準補正量として用いる。また、半導体レーザ駆動装置２１は、信号の立ち下がり時に用いる補正信号Ｓ７ｂに対しては、破線領域７２で示すレーザ駆動信号Ｓ３の変化量に基づいて設定した補正量を基準補正量として用いる。そして、半導体レーザ駆動装置２１は、このように補正信号Ｓ７ａ、Ｓ７ｂの各々に対して設定した基準補正量を、レーザ駆動信号Ｓ３の変化量に基づいて変更する。

具体的には、半導体レーザ駆動装置２１は、レーザ駆動信号Ｓ３の立ち上がり時においては、レーザ駆動信号Ｓ３の変化量が領域７１におけるレーザ駆動信号Ｓ３の変化量よりも小さい場合には、レーザ駆動信号Ｓ３が補正される量が小さくなるように基準補正量を変更した補正量を設定する。逆に、レーザ駆動信号Ｓ３の変化量が領域７１におけるレーザ駆動信号Ｓ３の変化量よりも大きい場合には、レーザ駆動信号Ｓ３が補正される量が大きくなるように基準補正量を変更した補正量を設定する。また、半導体レーザ駆動装置２１は、レーザ駆動信号Ｓ３の立ち下がり時において、レーザ駆動信号Ｓ３の変化量が領域７２におけるレーザ駆動信号Ｓ３の変化量よりも小さい場合には、レーザ駆動信号Ｓ３が補正される量が小さくなるように基準補正量を変更した補正量を設定する。逆に、レーザ駆動信号Ｓ３の変化量が領域７２におけるレーザ駆動信号Ｓ３の変化量よりも大きい場合には、レーザ駆動信号Ｓ３が補正される量が大きくなるように基準補正量を変更した補正量を設定する。

上記のように設定した補正信号Ｓ７ａ、Ｓ７ｂを用いてレーザダイオード１０を駆動することにより、レーザダイオード１０からは、破線７３、７４、７５で示すような過剰な補正や不十分な補正を示す応答が生じていないことがわかる。即ち、補正信号Ｓ７ａ、Ｓ７ｂによってレーザダイオード１０の応答特性が改善され、レーザダイオード１０の応答の立ち上がり及び立ち下がりの速度が速くなっている。

以上のように、第２実施例に係る半導体レーザ駆動装置２１は、レーザ駆動信号Ｓ３の変化に基づいて、レーザダイオード１０の応答特性を改善するための補正信号を生成する。これにより、レーザ駆動信号Ｓ３の変化に因らずに、レーザダイオード１０の応答特性を適切に改善することが可能となる。

［変形例］
本発明は、レーザダイオード１０の温度、又はレーザ駆動信号Ｓ３の変化量のいずれか一方のみに基づいて補正信号を生成することに限定はされない。他の例では、半導体レーザ駆動装置は、レーザダイオード１０の温度及びレーザ駆動信号Ｓ３の変化量の両方に基づいて補正信号を生成することができる。

他の例では、半導体レーザ駆動装置は、光ディスクの記録層の数に応じて、補正信号を生成することができる。具体的には、半導体レーザ駆動装置は、２層型の光ディスクに対して記録を行う場合、１層型の光ディスクを記録する際に用いた補正信号を変更する。例えば、半導体レーザ駆動装置は、記録対象を１層型の光ディスクから２層型の光ディスクへと変更する場合、補正信号のパルス幅を概ね２倍に変更する。こうするのは、通常、２層型の光ディスクに対する記録は、１層型の光ディスクに対して用いるレーザパワーの概ね２倍のレーザパワーによって行うからである。

更に、他の例では、半導体レーザ駆動装置は、光ディスクに対する記録速度に応じて、補正信号を生成することができる。この場合、半導体レーザ駆動装置は、記録速度が速くなった場合には、補正信号によって補正される量がより大きくなるような補正信号を生成する。

本発明は、例えば各種の光ディスクなど、レーザ光を照射することにより情報を記録及び／又は再生する装置におけるレーザ光源の駆動制御に利用することができる。

Claims

レーザ光を出射する半導体レーザを駆動するためのレーザ駆動信号を生成するレーザ駆動信号生成工程と、
前記レーザ駆動信号の変化に基づいて、前記レーザ駆動信号を補正するために用いる補正信号を生成する補正信号生成工程と、
前記補正信号に基づいて前記レーザ駆動信号を補正する補正工程と、
補正された前記レーザ駆動信号に基づいて、前記半導体レーザを駆動する駆動工程と、を備え、
前記補正信号生成工程は、前記レーザ駆動信号の変化量が所定量であるときに前記補正信号を基準補正量に設定し、
前記レーザ駆動信号の変化量が前記所定量以上である場合には、前記補正信号を前記基準補正量より大きい補正量に変更し、
前記レーザ駆動信号の変化量が前記所定量未満である場合には、前記補正信号を前記基準補正量より小さい補正量に変更することを特徴とする半導体レーザ駆動方法。
レーザ光を出射する半導体レーザと、
前記半導体レーザを駆動するためのレーザ駆動信号を生成するレーザ駆動信号生成手段と、
前記レーザ駆動信号の変化に基づいて、前記レーザ駆動信号を補正するために用いる補正信号を生成する補正信号生成手段と、
前記補正信号に基づいて前記レーザ駆動信号を補正する補正手段と、
補正された前記レーザ駆動信号に基づいて、前記半導体レーザを駆動する駆動手段と、を有し、
前記レーザ駆動信号の変化に基づいて前記レーザ光の出力を変化させ、
前記補正信号生成手段は、前記レーザ駆動信号の変化量が所定量であるときに前記補正信号を基準補正量に設定し、
前記レーザ駆動信号の変化量が前記所定量以上である場合には、前記補正信号を前記基準補正量より大きい補正量に変更し、
前記レーザ駆動信号の変化量が前記所定量未満である場合には、前記補正信号を前記基準補正量より小さい補正量に変更することを特徴とする半導体レーザ駆動装置。
レーザ光を出射する半導体レーザと、
前記半導体レーザの温度を検出する温度検出手段と、
前記半導体レーザを駆動するためのレーザ駆動信号を生成するレーザ駆動信号生成手段と、
検出された前記温度に基づいて、前記レーザ駆動信号を補正するために用いる補正信号を生成する補正信号生成手段と、
前記補正信号に基づいて前記レーザ駆動信号を補正する補正手段と、
補正された前記レーザ駆動信号に基づいて、前記半導体レーザを駆動する駆動手段と、を有し、
前記補正信号生成手段は、検出された前記温度が所定温度であるときに前記補正信号を基準補正量に設定し、
検出された前記温度が前記所定温度よりも高い場合には、前記補正信号を前記基準補正量より小さい補正量に変更し、
検出された前記温度が前記所定温度よりも低い場合には、前記補正信号を前記基準補正量より大きい補正量に変更すると共に、
検出された前記温度が前記所定温度よりも高い場合には、前記所定温度において設定したパルス幅を狭くする変更を行い、検出された前記温度が前記所定温度よりも低い場合には、前記所定温度において設定したパルス幅を広くする変更を行うことを特徴とする半導体レーザ駆動装置。
レーザ光を出射する半導体レーザと、
前記半導体レーザの温度を検出する温度検出手段と、
前記半導体レーザを駆動するためのレーザ駆動信号を生成するレーザ駆動信号生成手段と、
検出された前記温度に基づいて、前記レーザ駆動信号を補正するために用いる補正信号を生成する補正信号生成手段と、
前記補正信号に基づいて前記レーザ駆動信号を補正する補正手段と、
補正された前記レーザ駆動信号に基づいて、前記半導体レーザを駆動する駆動手段と、を有し、
前記補正信号生成手段は、検出された前記温度が所定温度であるときに前記補正信号を基準補正量に設定し、
検出された前記温度が前記所定温度よりも高い場合には、前記補正信号を前記基準補正量より小さい補正量に変更し、
検出された前記温度が前記所定温度よりも低い場合には、前記補正信号を前記基準補正量より大きい補正量に変更すると共に、
検出された前記温度が前記所定温度よりも高い場合には、前記レーザ駆動信号の立ち上がり時においては、前記所定温度において設定した前記補正信号を重畳するタイミングを早くする変更を行い、前記レーザ駆動信号の立ち下がり時においては、前記所定温度において設定した前記補正信号を重畳するタイミングを遅くする変更を行い、
検出された前記温度が前記所定温度よりも低い場合には、前記レーザ駆動信号の立ち上がり時においては、前記所定温度において設定した前記補正信号を重畳するタイミングを遅くする変更を行い、前記レーザ駆動信号の立ち下がり時においては、前記所定温度において設定した前記補正信号を重畳するタイミングを早くする変更を行うことを特徴とする半導体レーザ駆動装置。
レーザ光を出射する半導体レーザを駆動するためのレーザ駆動信号を生成するレーザ駆動信号生成工程と、
前記半導体レーザの温度を検出する温度検出工程と、
検出された前記温度に基づいて、前記レーザ駆動信号を補正するために用いる補正信号を生成する補正信号生成工程と、
前記補正信号に基づいて前記レーザ駆動信号を補正する補正工程と、
補正された前記レーザ駆動信号に基づいて、前記半導体レーザを駆動する駆動工程と、を備え、
前記補正信号生成工程は、検出された前記温度が所定温度であるときに前記補正信号を基準補正量に設定し、
検出された前記温度が前記所定温度よりも高い場合には、前記補正信号を前記基準補正量より小さい補正量に変更し、
検出された前記温度が前記所定温度よりも低い場合には、前記補正信号を前記基準補正量より大きい補正量に変更すると共に、
検出された前記温度が前記所定温度よりも高い場合には、前記所定温度において設定したパルス幅を狭くする変更を行い、検出された前記温度が前記所定温度よりも低い場合には、前記所定温度において設定したパルス幅を広くする変更を行うことを特徴とする半導体レーザ駆動方法。
レーザ光を出射する半導体レーザを駆動するためのレーザ駆動信号を生成するレーザ駆動信号生成工程と、
前記半導体レーザの温度を検出する温度検出工程と、
検出された前記温度に基づいて、前記レーザ駆動信号を補正するために用いる補正信号を生成する補正信号生成工程と、
前記補正信号に基づいて前記レーザ駆動信号を補正する補正工程と、
補正された前記レーザ駆動信号に基づいて、前記半導体レーザを駆動する駆動工程と、を備え、
前記補正信号生成工程は、検出された前記温度が所定温度であるときに前記補正信号を基準補正量に設定し、
検出された前記温度が前記所定温度よりも高い場合には、前記補正信号を前記基準補正量より小さい補正量に変更し、
検出された前記温度が前記所定温度よりも低い場合には、前記補正信号を前記基準補正量より大きい補正量に変更すると共に、
検出された前記温度が前記所定温度よりも高い場合には、前記レーザ駆動信号の立ち上がり時においては、前記所定温度において設定した前記補正信号を重畳するタイミングを早くする変更を行い、前記レーザ駆動信号の立ち下がり時においては、前記所定温度において設定した前記補正信号を重畳するタイミングを遅くする変更を行い、
検出された前記温度が前記所定温度よりも低い場合には、前記レーザ駆動信号の立ち上がり時においては、前記所定温度において設定した前記補正信号を重畳するタイミングを遅くする変更を行い、前記レーザ駆動信号の立ち下がり時においては、前記所定温度において設定した前記補正信号を重畳するタイミングを早くする変更を行うことを特徴とする半導体レーザ駆動方法。