JP4884440B2 - ノズルアセンブリー、これを有する処理液供給装置、及びこれを用いる処理液供給方法 - Google Patents
ノズルアセンブリー、これを有する処理液供給装置、及びこれを用いる処理液供給方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4884440B2 JP4884440B2 JP2008222104A JP2008222104A JP4884440B2 JP 4884440 B2 JP4884440 B2 JP 4884440B2 JP 2008222104 A JP2008222104 A JP 2008222104A JP 2008222104 A JP2008222104 A JP 2008222104A JP 4884440 B2 JP4884440 B2 JP 4884440B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- processing liquid
- liquid supply
- substrate
- housing
- supply line
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000007788 liquid Substances 0.000 title claims description 211
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 36
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 110
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims description 47
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims description 47
- 239000007921 spray Substances 0.000 claims description 39
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 6
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 30
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 6
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 4
- 239000003517 fume Substances 0.000 description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 3
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 3
- 238000004148 unit process Methods 0.000 description 3
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 2
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 2
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 238000005086 pumping Methods 0.000 description 1
- 238000004064 recycling Methods 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
- H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
- H01L21/67051—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
Description
以下、本発明による実施例を添付図面を参照しつつ、ノズルアセンブリー、これを含む処理液供給装置、及びこれを利用する処理液供給方法に関して詳細に説明すると次のようである。しかし、本発明は下記の実施例に限定されず、他の形態として具現されることもできる。ここで紹介される実施例は開示される内容がより完全に成るように、そして当業者に本発明の思想と特徴が充分に伝わるように提供される。図面において、各装置の大きさまたは形態などは本発明の明確性に基づくため、誇張して図示し、また各装置は本明細書において説明されていない多様な付加装置を具備することができる。
110 ハウジング
120 処理液供給ライン
130 噴射ノズル
140 駆動ユニット
200 処理液供給装置
210 回転チャック
220 処理液供給源
230 ノズルアセンブリー
240 駆動ユニット
Claims (13)
- ハウジングと、
前記ハウジング内部に収納され、異種の処理液が各々流れる複数の流路が形成された処理液供給ラインと、
前記処理液供給ラインと各々接続され、いずれかの1つの端部が基板に向かう際、他の端部は前記基板から離れるように前記ハウジングの一端部から延長される噴射ノズルと、を含むノズルアセンブリー。 - 前記噴射ノズルは前記ハウジングの延長方向に向かって方錐形に延長されることを特徴とする請求項1記載のノズルアセンブリー。
- 前記噴射ノズルは前記ハウジングの延長方向を同心軸とする円錐の外周面に沿って等角に配列されることを特徴とする請求項2記載のノズルアセンブリー。
- 3つの噴射ノズルが配置され、3つの前記噴射ノズルからなる形状がピラミッド形状であることを特徴とする請求項3記載のノズルアセンブリー。
- 回転力を発生するモーター及び前記噴射ノズルを停止状態で時計方向に180°以内に回転させるか、或いは反時計方向に180°以内に回転させる制御部を具備する駆動ユニットをさらに含むことを特徴とする請求項1記載のノズルアセンブリー。
- 基板を支持する回転チャックと、
前記基板上に複数の種類の処理液を供給する処理液供給源と、
前記回転チャックに隣接して配置され、前記処理液供給液から前記基板に向かって前記処理液が流動できる処理液供給ライン、前記処理液供給ラインを収容するハウジング及び前記処理液供給ラインと各々接続されていずれかの1つの端部が基板に向かう際、他の端部は前記基板から離れるように前記ハウジングの一端部から延長される噴射ノズルを有するノズルアセンブリーと、
前記処理液供給ラインを回転させる駆動ユニットと、を含む処理液供給装置。 - 前記ハウジングは、
前記回転チャックに対して垂直方向に延長されたボディーと、
前記ボディーの一端部から前記回転チャックに対して平行な方向に延長され、中心軸に対して回転する回転部と、を含むことを特徴とする請求項6記載の処理液供給装置。 - 前記噴射ノズルは前記ハウジングの延長方向に向かって方錐形に延長されることを特徴とする請求項7記載の処理液供給装置。
- 前記噴射ノズルは前記ハウジングの延長方向を同心軸とする円錐の外周面に沿って等角に配列されることを特徴とする請求項8記載の処理液供給装置。
- 前記駆動ユニットは回転力を発生するモーター及び前記噴射ノズルを停止状態から時計方向に180°回転させるか、或いは反時計方向に180°回転させる制御部を含むことを特徴とする請求項6記載の処理液供給装置。
- ハウジング、前記ハウジングの内部に収納され、基板と実質的に並行に延長された処理液供給ライン及び前記処理液供給ラインと各々接続され、いずれかの1つの端部が基板に向かう際、他の端部は前記基板から離れるように前記ハウジングの一端部から延長される噴射ノズルを含む処理液供給装置を利用して基板を処理する方法として、
前記ハウジングに収納された処理液供給ラインのうち、いずれかの1つを選択する段階と、
前記ハウジングの延長方向を中心に前記選択された処理液供給ラインと接続された選択ノズルが前記基板に向かうように前記処理液供給ラインを回転させる段階と、
前記選択された噴射ノズルを通じて前記基板に処理液を供給する段階と、を含む処理液供給方法。 - 前記処理液供給ラインを回転させる段階は、非選択された処理液供給ラインと接続された非選択噴射ノズルが基板から離れた方向に配列されるようにすることを特徴とする請求項11記載の処理液供給方法。
- 少なくとも3つの処理液供給ラインのうち、選択された処理液供給ラインが前記基板上に前記処理液を供給し、前記選択された噴射ノズルを通じて前記基板に前記処理液を供給する際、前記噴射ノズルは前記ハウジングの延長方向を同心軸とする円錐の外周面に沿って等角に配列されること特徴とする請求項11記載の処理液供給方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR10-2007-0087367 | 2007-08-30 | ||
KR1020070087367A KR100865475B1 (ko) | 2007-08-30 | 2007-08-30 | 노즐 어셈블리, 이를 갖는 처리액 공급 장치 및 이를이용하는 처리액 공급 방법 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009056460A JP2009056460A (ja) | 2009-03-19 |
JP4884440B2 true JP4884440B2 (ja) | 2012-02-29 |
Family
ID=40177625
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008222104A Active JP4884440B2 (ja) | 2007-08-30 | 2008-08-29 | ノズルアセンブリー、これを有する処理液供給装置、及びこれを用いる処理液供給方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20090061642A1 (ja) |
JP (1) | JP4884440B2 (ja) |
KR (1) | KR100865475B1 (ja) |
CN (1) | CN101376124B (ja) |
TW (1) | TWI347220B (ja) |
Families Citing this family (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101036592B1 (ko) * | 2008-11-28 | 2011-05-24 | 세메스 주식회사 | 처리액 공급 유닛과, 이를 이용한 기판 처리 장치 |
US20100178433A1 (en) * | 2009-01-14 | 2010-07-15 | Gm Global Technology Operations, Inc. | Method and apparatus for applying bonding adhesive |
KR101337368B1 (ko) | 2010-10-27 | 2013-12-05 | 엘지디스플레이 주식회사 | 코팅장치 및 이를 이용한 코팅막 형성방법 |
JP5845633B2 (ja) * | 2011-05-26 | 2016-01-20 | セイコーエプソン株式会社 | 液滴吐出装置 |
CN103826720B8 (zh) * | 2011-08-22 | 2016-10-26 | 喷雾系统公司 | 多旋流喷雾喷嘴 |
US20180345302A1 (en) * | 2017-06-02 | 2018-12-06 | Deere & Company | Dispensing nozzle |
CN107214002A (zh) * | 2017-06-14 | 2017-09-29 | 苏州金钜松机电有限公司 | 一种喷水装置 |
CN108816559A (zh) * | 2018-08-09 | 2018-11-16 | 杭州前茂保健食品有限公司 | 一种环保多色喷漆装置 |
CN108855730A (zh) * | 2018-08-09 | 2018-11-23 | 杭州前茂保健食品有限公司 | 一种封闭式喷漆装置 |
CN111451010A (zh) * | 2020-04-07 | 2020-07-28 | 芯米(厦门)半导体设备有限公司 | 用于半导体制造工艺的喷嘴机构 |
Family Cites Families (28)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
LU52106A1 (ja) * | 1966-10-05 | 1968-05-07 | ||
FR2470632A1 (fr) * | 1979-12-07 | 1981-06-12 | Elf Aquitaine | Procede et dispositif de dispersion de gaz combustibles dans l'atmosphere |
ATE246545T1 (de) * | 1998-05-19 | 2003-08-15 | Eugene A Pankake | System zum auftragen von unter druck zugeführtem beschichtungsmaterial |
US6689215B2 (en) * | 1998-09-17 | 2004-02-10 | Asml Holdings, N.V. | Method and apparatus for mitigating cross-contamination between liquid dispensing jets in close proximity to a surface |
IT251168Y1 (it) * | 2000-10-11 | 2003-11-04 | Cefla Coop | Macchina universale per la verniciatura automatica di pannelli od altri manufatti di forma semplice o complessa, sia in movimento che fermi |
DE10224128A1 (de) * | 2002-05-29 | 2003-12-18 | Schmid Rhyner Ag Adliswil | Verfahren zum Auftrag von Beschichtungen auf Oberflächen |
US6770424B2 (en) * | 2002-12-16 | 2004-08-03 | Asml Holding N.V. | Wafer track apparatus and methods for dispensing fluids with rotatable dispense arms |
US7041172B2 (en) * | 2003-02-20 | 2006-05-09 | Asml Holding N.V. | Methods and apparatus for dispensing semiconductor processing solutions with multi-syringe fluid delivery systems |
US7311004B2 (en) * | 2003-03-10 | 2007-12-25 | Capstan Ag Systems, Inc. | Flow control and operation monitoring system for individual spray nozzles |
US7467635B2 (en) * | 2003-05-12 | 2008-12-23 | Sprout Co., Ltd. | Apparatus and method for substrate processing |
JP4421956B2 (ja) * | 2003-07-18 | 2010-02-24 | 芝浦メカトロニクス株式会社 | 基板の処理装置及び処理方法 |
US7083830B2 (en) * | 2003-10-02 | 2006-08-01 | E. I. Dupont De Nemours And Company | Electrostatically-assisted high-speed rotary application process for the production of special effect base coat/clear coat two-layer coatings |
IL159104A (en) * | 2003-11-27 | 2010-11-30 | Shlomo Kline | Apparatus and method for spraying maintenance enhancing material onto the periphery of a tubular member |
US7588199B2 (en) * | 2004-08-25 | 2009-09-15 | Spraying Systems Co. | Build-up resistant air atomizing spray nozzle assembly |
JP2006108304A (ja) * | 2004-10-04 | 2006-04-20 | Nec Electronics Corp | 基板処理装置 |
CN2750871Y (zh) * | 2004-10-09 | 2006-01-11 | 西北农林科技大学 | 一种大射程微型旋转式喷头 |
KR100607199B1 (ko) | 2005-03-29 | 2006-08-01 | 삼성전자주식회사 | 웨이퍼 이면 연마 장치 |
US7278294B2 (en) * | 2005-04-12 | 2007-10-09 | Durham Kenimer Giles | System and method for determining atomization characteristics of spray liquids |
KR100637719B1 (ko) * | 2005-10-05 | 2006-10-25 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 장치 |
KR100922798B1 (ko) * | 2005-12-29 | 2009-10-21 | 엘지디스플레이 주식회사 | 화상 표시장치의 제조용 스프레이 노즐과 이를 이용한습식장치 |
US7401898B2 (en) * | 2005-12-30 | 2008-07-22 | Lexmark International, Inc. | Ink jet print head adapted to minimize orientation-induced line-width variation |
US20080260963A1 (en) * | 2007-04-17 | 2008-10-23 | Hyungsuk Alexander Yoon | Apparatus and method for pre and post treatment of atomic layer deposition |
US8733274B2 (en) * | 2006-10-20 | 2014-05-27 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Tube mounted inkjet printhead die |
KR100819019B1 (ko) | 2006-12-27 | 2008-04-02 | 세메스 주식회사 | 기판 세정 장치 |
US8287647B2 (en) * | 2007-04-17 | 2012-10-16 | Lam Research Corporation | Apparatus and method for atomic layer deposition |
ITMO20070134A1 (it) * | 2007-04-17 | 2008-10-18 | Gruppo Barbieri & Tarozzi S P A | "metodo ed impianto di decoro per decorare manufatti ceramici" |
KR100744023B1 (ko) | 2007-04-24 | 2007-07-30 | 세메스 주식회사 | 노즐 어셈블리 |
JP4347372B2 (ja) * | 2007-08-10 | 2009-10-21 | トヨタ自動車株式会社 | 静電塗装装置 |
-
2007
- 2007-08-30 KR KR1020070087367A patent/KR100865475B1/ko active IP Right Grant
-
2008
- 2008-08-28 US US12/199,857 patent/US20090061642A1/en not_active Abandoned
- 2008-08-28 TW TW097132862A patent/TWI347220B/zh active
- 2008-08-29 JP JP2008222104A patent/JP4884440B2/ja active Active
- 2008-09-01 CN CN2008102149956A patent/CN101376124B/zh active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR100865475B1 (ko) | 2008-10-27 |
CN101376124A (zh) | 2009-03-04 |
TWI347220B (en) | 2011-08-21 |
TW200909069A (en) | 2009-03-01 |
CN101376124B (zh) | 2012-01-04 |
JP2009056460A (ja) | 2009-03-19 |
US20090061642A1 (en) | 2009-03-05 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4884440B2 (ja) | ノズルアセンブリー、これを有する処理液供給装置、及びこれを用いる処理液供給方法 | |
KR100935280B1 (ko) | 처리액 공급노즐 및 처리액 공급장치 | |
KR101486165B1 (ko) | 기판처리장치 및 노즐 | |
JP5954862B2 (ja) | 基板処理装置 | |
CN107799438B (zh) | 基板处理装置和喷嘴清洗方法 | |
KR20130116855A (ko) | 기판처리장치 및 기판처리방법 | |
KR20140113511A (ko) | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 | |
JP2004006672A (ja) | 基板処理方法および基板処理装置 | |
JP2007318140A (ja) | 基板処理装置及び方法、そしてこれに用いられる噴射ヘッド | |
US10685856B2 (en) | Substrate processing method and substrate processing apparatus | |
JP2009032846A (ja) | 基板処理装置 | |
JP2013026381A (ja) | 基板処理装置および基板処理方法 | |
JP7290695B2 (ja) | 超音波洗浄装置および洗浄具のクリーニング装置 | |
JP4357943B2 (ja) | 基板処理法及び基板処理装置 | |
JP5837788B2 (ja) | ノズル、基板処理装置、および基板処理方法 | |
JP2014179566A (ja) | 基板処理装置および基板処理方法 | |
JP2008226900A (ja) | 基板洗浄方法、半導体装置の製造方法及び基板洗浄装置。 | |
CN108475630B (zh) | 基板处理装置及基板处理方法 | |
JP7199602B2 (ja) | 基板処理方法、及び基板処理装置 | |
KR20160008720A (ko) | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 | |
KR20160005824A (ko) | 분사유닛 및 기판 처리 장치 | |
TWI697948B (zh) | 基板處理方法以及基板處理裝置 | |
KR100895319B1 (ko) | 기판 처리 장치 | |
TWM548887U (zh) | 基板處理裝置和噴頭清洗裝置 | |
KR20230143765A (ko) | 디스플레이/반도체 공정에서 사용되는 디스펜서용 노즐세정장치 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20111108 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20111206 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20141216 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4884440 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |