JP4884440B2 - ノズルアセンブリー、これを有する処理液供給装置、及びこれを用いる処理液供給方法 - Google Patents

ノズルアセンブリー、これを有する処理液供給装置、及びこれを用いる処理液供給方法 Download PDF

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Description

本発明は処理液を供給するノズルアセンブリー、ノズルアセンブリーを有する処理液供給装置、及びこれを用いて基板上に処理液を供給する方法に関する。より詳しくは、シリコンウェハーのような半導体基板を処理するための処理液を提供するノズルアセンブリー、ノズルアセンブリーを有する処理液供給装置、及びこれを用いて基板上に処理液を供給する方法に関する。
一般的に、半導体メモリー装置または液晶ディスプレー装置、プラズマディスプレー装置、有機発光ダイオード(Organic Light Emitting Diode;OLED)ディスプレー装置などのような平板ディスプレー装置はシリコンウェハーのような半導体基板またはガラス基板などに対して多用な単位工程を繰り返して遂行することによって製造されることができる。
例えば、半導体基板またはガラス基板のような対象基板に対して膜形成工程、パターニング工程、洗浄工程などのような単位工程が遂行されることによって前記基板上には目的とする電気的光学的特性を有する回路パターンが形成されることができ、これらの単位工程は目的とする装置のために提供される特定レシピによってクリーンルーム内に位置する多様な工程設備によって遂行されることができる。
特に、半導体基板上にスピンコーティング方法を利用して特定膜を形成するか、或いは半導体基板を洗浄または乾燥する場合、半導体基板を回転チャック上で回転させつつ、前記半導体基板上に処理液を供給する方法が使用されることができる。例えば、前記半導体基板上の不純物を除去するための洗浄工程の場合、前記半導体基板上に洗浄のための多様な洗浄液が供給されることができる。
前記処理液は、多数のノズルを通じて回転する半導体基板の中心部位に供給されることができる。この場合、前記ノズルはノズル移送装置によって選択的に半導体基板の上部へ移動でき、設定されたレシピによって半導体基板の回転速度及び処理液の供給流量などが制御できる。
図1は従来の処理液供給装置を説明するための概略的な構成図である。
図1を参照すると、従来の処理液供給装置10はシリコンウェハーのような半導体基板1を処理するための工程において使用することができ、多数のノズルパイプ(11a,11b,11c)と駆動部12及び処理液提供部15を含むことができる。
前記半導体基板1を処理するための装置は半導体基板1を把持して回転させるための回転チャック2と、前記回転チャック2上に把持された半導体基板1を包むように配置されたボウル(bowl;3)を含むことができる。
前記ノズルパイプ(11a,11b,11c)は、前記回転チャック2に把持された基板1の一側から一方向へ平行に延長するように配置できる。
各々のノズルパイプ(11a,11b,11c)の一側端部には前記半導体基板1上へ処理液を供給するためのノズルが具備され、前記ノズルパイプ(11a,11b,11c)の一側端部は前記処理工程が進行される間、前記半導体基板1の上部表面と隣接して位置するように下方に向かって折り曲げることができる。
また、ノズルパイプ(11a,11b,11c)の他の側の端部は前記処理液の提供部15との接続のために垂直方向に折り曲げることができ、前記折り曲がった端部には前記処理液提供部15との接続のための接続部材(16a,16b,16c)が接続されることができる。
各々の接続部材(16a,16b,16c)は垂直下方に延長し、前記処理液はノズルパイプ(11a,11b,11c)で各々提供するための流路が前記延長方向に各々の接続部材(16a,16b,16c)内に配置される。他方、前記各々の接続部材(16a,16b,16c)は前記ボウル3の一側に配置されるシリンダー形態のハウジング17内に配置されることができる。しかし、前述の従来の処理液供給装置は相対的に複雑な構造を有する。従って、複雑な構造を有する処理液供給装置の各々のユニットを駆動及び制御するための駆動ユニットが複雑になる。尚、複雑な順序に従ってノズルパイプを上昇及び回転させることによって相対的に長い移動経路を有することになり、工程時間が長くなることができる。また、従来の処理液供給装置の製造費用が増加する問題が生じ得る。
他方、図示されていないが、1つのハウジングの内部に互いに異なる種類の処理液が個別的に流れることのできる処理液供給ライン及び前記処理液供給ラインと接続された1つの噴射ノズルを有する処理液供給装置が使用できる。この場合、1つの噴射のノズルを通じて処理液を供給することによって前記処理液が噴射ノズルに残留することができ、また、フッ化水素酸のようなエッチング液が基板上へ供給される場合、ヒューム(fume)が発生して噴射ノズルが汚染されることができる。
大韓民国特許第10−0637719号明細書
前記のような問題点を解決するための本発明の一目的は単純化された構造を有するノズルアセンブリーを提供することにある。
前記のような問題点を解決するための本発明の他の目的は互いに異なる種類の処理液を基板上に噴射する際、噴射ノズルの汚染を抑制できる処理液提供装置を提供することにある。
前記のような問題点を解決するための本発明のさらに他の目的は前述の処理液提供装置を利用して互いに異なる種類の処理液を効率的に基板上に供給できる処理液を基板に提供する方法を提供することにある。
前記目的を達成するための本発明の一側面によるノズルアセンブリーはハウジング、前記ハウジング内部に収納されて異種の処理液が流れる複数の流路を形成する処理液供給ライン、及び前記処理液供給ラインと各々接続され、いずれかの1つの端部が基板に向かう際、他の端部は前記基板から離れるように前記ハウジングの一端部から延長される噴射ノズルを含む。ここで、前記噴射ノズルは前記ハウジングの延長方向に対して方錐形に配列されることができる。また、ノズルアセンブリーは前記噴射ノズルを前記ハウジングの延長方向を中心に回転させる駆動ユニットをさらに含むことができる。また、前記駆動ユニットは回転力を発生するモーター及び前記噴射ノズルを停止状態で時計方向に180°回転させるか、或いは反時計方向に180°回転させる制御部を含むことができる。尚、前記噴射ノズルは前記ハウジングの延長方向を同心軸とする円錐の外周面に沿って等角に配列されることができる。例えば、3つの噴射ノズルが配置され、3つの前記噴射ノズルからなる形状がピラミッド形状を有することができる。
前記目的を達成するための本発明の他の側面による処理液供給装置は、基板を支持する回転チャック、前記基板上に複数の種類の処理液を供給する処理液供給源、前記回転チャックに隣接して配置され、前記処理液供給液から前記基板に向かって前記処理液が流動できる処理液供給ライン、前記処理液供給ラインを収容するハウジング及び前記処理液供給ラインと各々接続され、いずれかの1つの端部が基板に向かう際、他の端部は前記基板から離れるように前記ハウジングの一端部から延長される噴射ノズルを有するノズルアセンブリー、及び前記処理液供給ラインを回転させる駆動ユニットを含む。ここで、前記噴射ノズルは前記ハウジングの延長方向に対して方錐形に配列されることができる。また、前記ノズルアセンブリーは、前記駆動ユニットが前記処理液供給ラインを前記ハウジングの延長方向を中心に回転させることができる。また、前記駆動ユニットは回転力を発生するモーター及び前記噴射ノズルを停止状態で時計方向に180°回転させるか、或いは反時計方向に180°回転させる制御部を含むことができる。他方、前記噴射ノズルは前記ハウジングの延長方向を同心軸とする円錐の外周面に沿って等角に配列されることができる。そして、前記ハウジングは前記回転チャックに対して垂直方向に延長されたボディー及び前記ボディーの一端部から前記回転チャックに対して平行な方向に延長され、前記基板を向かうように前記ボディーを中心に回転する回転部を含むことができる。
前記目的を達成するための本発明のさらに他の側面によるハウジング、前記ハウジング内部に収納されて、基板と実質的に並行に延長された処理液供給ライン及び前記処理液供給ラインと各々接続され、いずれかの1つの端部が基板に向かう際、他の端部は前記基板から離れるように前記ハウジングの一端部から延長される噴射ノズルを含む処理液供給装置を利用して基板を処理する方法において、前記ハウジングに収納された処理液供給ラインのうち、いずれかの1つを選択した後、前記ハウジングの延長方向を中心に前記選択された処理液供給ラインと接続された選択された噴射ノズルが前記基板に向かうように前記処理液供給ラインを回転させる。その後、前記選択された噴射ノズルを通じて前記基板に処理液を供給する。ここで、前記処理液供給ラインを回転させる段階は、非選択の処理液供給ラインと接続された非選択噴射ノズルが基板から離れた方向に配列されるようにすることができる。また、3つの処理液供給ラインのうち、選択された処理液供給ラインが前記基板上に前記処理液を供給し、前記選択されたノズルを通じて前記基板に前記処理液を供給する際、前記噴射ノズルは前記ハウジングの延長方向を同心軸とする円錐の外周面に沿って等角に配列されることができる。
このような本発明によると、選択された処理液を独立的に基板上に供給する場合、非選択の噴射ノズルの汚染を抑制することができるため、非選択の噴射ノズルが後に選択されてこれを通じて処理液を基板上に供給する際、相対的に純粋な処理液を基板上に供給できる。また、ハウジング内部においてノズルの選択と回転による製造設備が単純化されることができる。
(実施例)
以下、本発明による実施例を添付図面を参照しつつ、ノズルアセンブリー、これを含む処理液供給装置、及びこれを利用する処理液供給方法に関して詳細に説明すると次のようである。しかし、本発明は下記の実施例に限定されず、他の形態として具現されることもできる。ここで紹介される実施例は開示される内容がより完全に成るように、そして当業者に本発明の思想と特徴が充分に伝わるように提供される。図面において、各装置の大きさまたは形態などは本発明の明確性に基づくため、誇張して図示し、また各装置は本明細書において説明されていない多様な付加装置を具備することができる。
図2は本発明の一実施例によるノズルアセンブリーを説明するための断面図である。図3は図2に図示されたノズルアセンブリーの右側面図である。図4は図2のI−I′線に沿って切断した断面図である。
図2〜図4を参照すると、本発明の一実施例によるノズルアセンブリー100は半導体基板または平面表示パネルのガラス基板などを処理する工程において適用できる。ノズルアセンブリー100はハウジング110、ハウジング110の内部に固定されて処理液が流れる多数の処理液供給ライン120及び処理液供給ライン120と各々接続されて処理液を基板上へ供給する噴射ノズル130を含む。
ハウジング110は基板と平行に延長できる。ハウジング110は円通形状を有する。ハウジング110はハウジング110の延長方向を中心に回転できる。また、ハウジング110の内部には処理液供給ライン120が収容できる中空管形状を有することができる。
処理液供給ライン120はハウジング110の内部に収容される。処理液供給ライン120の内部には処理液が独立的に流れることのできる流路が各々形成される。本発明の一実施例によると、処理液供給ライン120はハウジング110と機械的に分離できる。本発明の他の実施例によると、処理液供給ライン120はハウジング110の内壁に固定できる。したがって、ハウジング110が回転することにより処理液供給ライン120も共に回転できる。
処理液供給ライン120は互いに異なる種類の処理液が個別的に流れることができる。3つの処理液供給ライン(121,122,123)がハウジング110の内部に収容されるものと図示したが、その数に制限はない。
噴射ノズル130は各々の処理液供給ライン120と接続され、噴射ノズル130はハウジング110の一端部から突出される。噴射ノズル130は、例えば、シリンダー形状を有することができる。噴射ノズル130はハウジング110の延長方向を同心軸として方錐形に延長されて相互一定の角度(θ)で離隔されることができる。本発明の一実施例において、3つの噴射ノズル130がハウジング110の内部に収容される場合、ハウジング110の延長方向に向かって噴射ノズル130を見ると、相互120°の一定角度を有する。この場合、3つの噴射ノズル130が配列された形態は3つの噴射ノズル130が交差する交差部を1つの頂点とするピラミッド形状を有することができる。
噴射ノズル130のうち、いずれかの1つが選択される場合、選択された噴射ノズル133は下方、即ち、基板に向かって処理液を噴射する噴射位置P1に固定される。また、他の非選択された噴射ノズル(131,132)は上方、即ち、基板から離れて処理液をホールディングする非噴射位置P2に固定される。選択された噴射ノズル133が噴射位置P1から下方に向かって処理液を噴射する場合、非選択噴射ノズル(131,132)は非噴射位置P2で処理液をホールディングしつつ、相対的に基板と離隔される。結果的に選択された噴射ノズル133を通じて基板上に処理液が噴射されて基板を処理する際、ヒューム(fume)が発生しても非選択噴射ノズル(131,132)が汚染される現象が抑制できる。また、ハウジング110をその延長方向を中心に回転させることによって、処理液供給ライン120のうち、いずれかの1つ及びこれに対応する噴射ノズル133を選択することができる。従って、処理液供給ライン120のうち、いずれかの1つを選択する方法が簡単になり、尚、ノズルアセンブリー100の全体的な構造が単純化される。
本発明の一実施例において、噴射ノズル130はハウジング110に固定される場合、ハウジング110が回転することによって噴射ノズル130も一緒に回転できる。
ハウジング110の一端部が開放されていて、前記ハウジング110と繋がる開口が形成されており、前記開口の下部に前記駆動ユニット140が配置されることができる。
前記駆動ユニット140は処理液供給ライン120を回転させるために回転力を発生させるモーター141及びモーターの回転速度及び回転角度を制御する制御部143を含む。制御部143は結果的に処理液供給ライン120の回転速度、回転角度、及び維持時間などを制御する。
本発明の一実施例において、駆動ユニット140は停止状態を基準にして処理液供給ライン120を時計方向に180°以内と反時計方向に180°以内に回転させることができる。例えば、第1、第2、及び第3の3つの処理液供給ライン(121,122,123)が同一の中心角を有するように時計方向に離隔されて前記ハウジング11内に配置され、前記第2処理液供給ラインと接続された噴射ノズルが選択されたノズルである場合、前記第3処理液供給ラインと接続された噴射ノズルを選択された噴射ノズルに変更しようとすると、前記ハウジングを反時計方向に240°回転するのではなく、時計方向に120°回転するように制御する。即ち、選択ノズルと非選択ノズルとの間の転換は中心角が180°を超えない範囲内で行われる前記ハウジングの回転を通じて遂行される。これによって、前記ハウジング内に配置された前記処理液供給ラインの相互間のよりを最小化することができ、前記処理液供給ラインのよりによる前記ノズルアセンブリーの損傷を最小化することができる。
図5は本発明の一実施例による処理液供給装置を説明するための断面図である。
図5を参照すると、本発明の一実施例による処理液供給装置200は半導体基板20を把持して回転させるための回転チャック210と、回転チャック210上に把持された半導体基板20を包むように配置されたボウル(bowl;260)を含むことができる。詳しくは図示していないが、回転チャック210とボウル260は基板処理工程の遂行のための工程チェンバー(図示せず)の内部に配置できる。また、回転チャック210とボウル260はベースプレート205上に配置できる。
前記ボウル260の内部には半導体基板20の処理に使用された処理液を種類別に収容できる空間が隔壁によって具備されていて、前記処理液を種類別に区分して排出するためのドレイン配管が前記ボウル260と接続されることができる。また、前記処理液を再活用するためのリサイクルユニット(図示せず)が追加的に配置されることができる。尚、前記処理工程を遂行する間に発生される微細粒子を排出するパンピングシステムが前記ボウル260と接続されることができる。
処理液供給装置200は複数の種類の処理液を供給する処理液供給源220、処理液供給源220から処理液の供給を受けて、半導体基板20上に処理液を提供するノズルアセンブリー230、及びノズルアセンブリー230を駆動する駆動ユニット240を含む。
処理液供給源220は処理液を保存する。前記処理液の例としては、フッ化水素酸水溶液、SC−1(standard cleaning 1)水溶液、脱イオン水などが使用でき、除去しようとする不純物または膜質によって多様な選択が可能である。従って、処理液供給源220は互いに異なる種類の処理液を保存する複数の保存タンク及び前記保存タンクから処理液を個別的にノズルアセンブリー230に供給する供給ラインを含む。他方、前記半導体基板20に対する処理工程が遂行される間、複数の保存タンクが既に設定された速度で回転するか、或いは一定温度を維持することができる。
ノズルアセンブリー230はボウル260の一側でボウル260の上部と隣接するように配置できる。ノズルアセンブリー230は処理液供給源220より処理液の提供を受けて基板20上に処理液を供給する。
ノズルアセンブリー230は処理液供給ライン231、ハウジング233、及び噴射ノズル235を含む。
処理液供給ライン231は複数の処理液供給源220と各々接続される。処理液供給ライン231には処理液供給源220から基板20に向かって処理液が流動できる流路が形成される。
ハウジング233は処理液供給ライン231を収容する。本発明の一実施例において、ハウジング233はベースプレート205から垂直方向、即ち、回転チャック210の垂直方向に延長されたボディー233a及びボディー233aの端部から回転チャック210に平行な回転部233bを含むことができる。
ボディー233aと回転部233bはシリンダー形状を有することができる。また、ボディー233aと回転部233bは中空管の形態を有することができる。中空管の形態を有するボディー233aと回転部233bの内部に処理液供給ライン231が収容される。
回転部233bはボディー233aを中心軸にして回転できる。従って、回転部233bの端部に突出した噴射ノズル235が基板20と隣接することができる。また、回転部233bは回転部233bの延長方向を中心に回転できる。
処理液供給ライン231はハウジング233の内部に収容される。処理液供給ライン233の内部には処理液が独立的に流れることができる流路が各々形成される。本発明の一実施例によると、処理液供給ライン231はハウジング233と機械的に分離できる。これとは別に、処理液供給ライン231はハウジング233の内壁に固定できる。この場合、ハウジング233が回転することによって、処理液供給ライン231も一緒に回転できる。
処理液供給ライン231は互いに異なる種類の処理液が個別的に流れることができる。3つの処理液供給ライン231がハウジング233の内部に収容されるものと図示したが、その数に制限はない。
噴射ノズル235は各々の処理液供給ライン231と接続され、噴射ノズル235はハウジング233の一端部から突出される。噴射ノズル235は、例えば、シリンダー形状を有することができる。噴射ノズル235はハウジング233の延長方向を同心軸として方錐形に延長されて相互一定の角度で離隔されることができる。本発明の一実施例において、3つの噴射ノズル235がハウジング233の内部に収容される場合、ハウジング233の延長方向に向かって噴射ノズル235を見ると、相互120°の一定角度を有する。この場合、3つの噴射ノズル235が配列された形態は3つの噴射ノズル235が交差する交差部を1つの頂点とするピラミッド形状を有することができる。
処理液供給ライン231のうち、いずれかの1つが選択される場合、選択された処理液供給ライン231と接続された噴射ノズルは下方、即ち、基板に向かって処理液を噴射する噴射位置に固定される。また、他の非選択処理液供給ラインと接続された噴射ノズルは上方、即ち、基板20から離れて処理液をホールディングする非噴射位置に固定される。選択された供給ラインと接続される噴射ノズルが噴射位置から下方に処理液を噴射する場合、非選択噴射ノズルは非噴射位置で処理液をホールディングしつつ、相対的に基板20と離隔される。結果的に選択された噴射ノズルを通じて基板20上に処理液が噴射されて基板20を処理する際、ヒューム(fume)が発生しても非選択噴射ノズルが汚染される現象が抑制できる。
処理液供給ライン231をその延長方向を中心に回転させることによって、処理液供給ライン231のうち、選択されたいずれかの1つ及びこれに対応する噴射ノズル235が基板20に向かうことができる。従って、処理液供給ライン231のうち、選択されたいずれかの1つを基板に向かうようにする方法が簡単になり、尚、ノズルアセンブリー230の全体的な構造が単純化される。
本発明の一実施例において、噴射ノズル235はハウジング233に固定される場合、ハウジング233が回転することによって噴射ノズル235も一緒に回転できる。結果的に、ハウジング233を回転させることによって、選択された処理液供給ライン231及びこれと接続された噴射ノズル235が基板20に向かうようにすることができる。これと同時に、非選択された処理液供給ライン231及びこれと接続された噴射ノズル235は基板20と離れた方向に配列できる。
ハウジング233の一端部が開放されていて、前記ハウジング233と繋がる開口が形成されていて、前記開口の下部に前記駆動ユニット240が配置されることができる。
駆動ユニット240は処理液供給ライン230を回転させるために回転力を発生させるモーター241及びモーターの回転速度及び回転角度を制御する制御部243を含む。制御部243は結果的に処理液供給ライン231の回転速度、回転角度、及び維持時間などを制御する。
本発明の一実施例において、駆動ユニット240は停止状態を基準にして処理液供給ライン231を時計方向に180°以内及び反時計方向に180°以内に回転させることができる。例えば、3つの処理液供給ライン231がハウジング233内に収容される場合、基板に向かう1つの噴射ノズルを基準に時計方向及び反時計方向の各々120°回転できる。従って、3つの処理液供給ライン231と接続された噴射ノズルを通じて処理液が基板上に各々提供されることができる。また、3つの処理液供給ライン231が相互ツイストされて、3つの処理液供給ライン231が互いに交差し過ぎて前記処理液供給ラインの損傷が抑制されることができる。
図6は図5に図示された処理液供給装置を利用して基板に処理液を供給する方法の工程段階を示すフローチャートである。
図5及び図6を参照すると、駆動ユニット240は半導体基板20上に供給するための処理液の種類によって処理液供給ライン231のうち、1つを決定する(S100)。駆動ユニット240はボディー233aを中心軸としてハウジング233の回転部233bを回転させる。従って、回転部233bの端部が基板20に接近できるようにする。この後、選択された処理液供給ラインと接続された噴射ノズル235が基板に向かい、非選択処理液供給ラインと接続された噴射ノズルは基板から離れた方向へ処理液供給ラインを回転させる(S110)。結果的に選択された処理液供給ラインと接続された噴射ノズルは基板と近接する反面、非選択された処理液供給ラインと接続された噴射ノズルは基板から離れた方向に向かう非噴射位置に位置するようになる。
前記選択された処理液供給ラインと接続された噴射ノズルが半導体基板20上に位置された後、前記選択された処理液供給ラインを通じて半導体基板20上に処理液が供給される(S120)。前記処理液としては、フッ化水素酸水溶液、SC−1(standard cleaning 1)水溶液、脱イオン水などが使用されることができ、除去しようする不純物または膜質によって多様な選択が可能にある。また、前記半導体基板20は処理工程が遂行される間、既に設定された速度で回転できる。
前述のような本発明の実施例によると、選択された処理液を独立的に基板上に供給する場合、非選択された噴射ノズルの汚染が抑制できるため、非選択の噴射ノズルが後に選択されてこれを通じて処理液を基板上に供給する際、相対的に純粋な処理液を基板上に供給することができる。また、ハウジングの内部において、ノズルの選択と回転による製造設備が単純化できる。従って、本発明は半導体基板を処理する工程に適用されることができるだけでなく、ガラス基板を利用する平板ディスプレー装置の製造工程にも適用することができる。
従来の処理液供給装置を説明するための概略的な構成図である。 本発明の一実施例によるノズルアセンブリーを説明するための断面図である。 図2に図示されたノズルアセンブリーの右側面図である。 図2のI−I′線に沿って切断した断面図である。 本発明の一実施例による処理液供給装置を説明するための断面図である。 図5に図示された処理液供給装置を利用して基板に処理液を供給する方法の工程段階を示すフローチャートである。
符号の説明
100 ノズルアセンブリー
110 ハウジング
120 処理液供給ライン
130 噴射ノズル
140 駆動ユニット
200 処理液供給装置
210 回転チャック
220 処理液供給源
230 ノズルアセンブリー
240 駆動ユニット

Claims (13)

  1. ハウジングと、
    前記ハウジング内部に収納され、異種の処理液が各々流れる複数の流路が形成された処理液供給ラインと、
    前記処理液供給ラインと各々接続され、いずれかの1つの端部が基板に向かう際、他の端部は前記基板から離れるように前記ハウジングの一端部から延長される噴射ノズルと、を含むノズルアセンブリー。
  2. 前記噴射ノズルは前記ハウジングの延長方向に向かって方錐形に延長されることを特徴とする請求項1記載のノズルアセンブリー。
  3. 前記噴射ノズルは前記ハウジングの延長方向を同心軸とする円錐の外周面に沿って等角に配列されることを特徴とする請求項2記載のノズルアセンブリー。
  4. 3つの噴射ノズルが配置され、3つの前記噴射ノズルからなる形状がピラミッド形状であることを特徴とする請求項3記載のノズルアセンブリー。
  5. 回転力を発生するモーター及び前記噴射ノズルを停止状態で時計方向に180°以内に回転させるか、或いは反時計方向に180°以内に回転させる制御部を具備する駆動ユニットをさらに含むことを特徴とする請求項1記載のノズルアセンブリー。
  6. 基板を支持する回転チャックと、
    前記基板上に複数の種類の処理液を供給する処理液供給源と、
    前記回転チャックに隣接して配置され、前記処理液供給液から前記基板に向かって前記処理液が流動できる処理液供給ライン、前記処理液供給ラインを収容するハウジング及び前記処理液供給ラインと各々接続されていずれかの1つの端部が基板に向かう際、他の端部は前記基板から離れるように前記ハウジングの一端部から延長される噴射ノズルを有するノズルアセンブリーと、
    前記処理液供給ラインを回転させる駆動ユニットと、を含む処理液供給装置。
  7. 前記ハウジングは、
    前記回転チャックに対して垂直方向に延長されたボディーと、
    前記ボディーの一端部から前記回転チャックに対して平行な方向に延長され、中心軸に対して回転する回転部と、を含むことを特徴とする請求項6記載の処理液供給装置。
  8. 前記噴射ノズルは前記ハウジングの延長方向に向かって方錐形に延長されることを特徴とする請求項7記載の処理液供給装置。
  9. 前記噴射ノズルは前記ハウジングの延長方向を同心軸とする円錐の外周面に沿って等角に配列されることを特徴とする請求項8記載の処理液供給装置。
  10. 前記駆動ユニットは回転力を発生するモーター及び前記噴射ノズルを停止状態から時計方向に180°回転させるか、或いは反時計方向に180°回転させる制御部を含むことを特徴とする請求項6記載の処理液供給装置。
  11. ハウジング、前記ハウジングの内部に収納され、基板と実質的に並行に延長された処理液供給ライン及び前記処理液供給ラインと各々接続され、いずれかの1つの端部が基板に向かう際、他の端部は前記基板から離れるように前記ハウジングの一端部から延長される噴射ノズルを含む処理液供給装置を利用して基板を処理する方法として、
    前記ハウジングに収納された処理液供給ラインのうち、いずれかの1つを選択する段階と、
    前記ハウジングの延長方向を中心に前記選択された処理液供給ラインと接続された選択ノズルが前記基板に向かうように前記処理液供給ラインを回転させる段階と、
    前記選択された噴射ノズルを通じて前記基板に処理液を供給する段階と、を含む処理液供給方法。
  12. 前記処理液供給ラインを回転させる段階は、非選択された処理液供給ラインと接続された非選択噴射ノズルが基板から離れた方向に配列されるようにすることを特徴とする請求項11記載の処理液供給方法。
  13. 少なくとも3つの処理液供給ラインのうち、選択された処理液供給ラインが前記基板上に前記処理液を供給し、前記選択された噴射ノズルを通じて前記基板に前記処理液を供給する際、前記噴射ノズルは前記ハウジングの延長方向を同心軸とする円錐の外周面に沿って等角に配列されること特徴とする請求項11記載の処理液供給方法。
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