CN111451010A - 用于半导体制造工艺的喷嘴机构 - Google Patents

Abstract

一种用于半导体制造工艺的喷嘴机构，包括：承载体；贯穿所述承载体上表面和下表面的多个管道；所述管道在所述承载体的上表面形成上管口，所述管道在所述承载体的下表面形成下管口；所述上管口用于连接外部送液管；全部所述下管口朝向同一喷涂点。所述喷嘴机构使用便捷，装配简单。

Description

用于半导体制造工艺的喷嘴机构

技术领域

本发明涉及半导体制造领域，尤其涉及一种用于半导体制造工艺的喷嘴机构。

背景技术

在晶圆加工等半导体制造工艺过程中，经常需要利用喷嘴装置向晶圆上的各种表面喷射处理液体。例如，对于光刻工艺中的显影技术，需要利用喷嘴装置在光刻工艺中的显影步骤向晶圆上的光致抗蚀剂表面喷射显影液，由此可通过喷射的显影液使晶圆上的光致抗蚀剂显影。

对于用于晶圆加工(半导体制造工艺)的喷嘴装置，经常是只能用于单一种液体的喷涂。在反复执行光刻法(photo Lithography)等蚀刻工程，进行光刻及蚀刻工程时，必然会残留蚀刻副产物等不纯物质，需要除掉此类蚀刻不纯物。而去掉此类蚀刻不纯物，需要在晶圆、半导体元件、平板显示元件制造上进行清洗。清洗时，需要利用其它清洗溶液，通常也需要相应的喷嘴装置，对清洗对象进行喷射清洗等。此类通常的清洗液喷嘴，由喷射口喷射出来的清洗液只能直线运动，清洗对象的部位是限定的位置。

可见，在各种需要多个喷嘴配合时，经常需要逐步固定和配合。操作人员往往不得不反复调试。由此，希望能够提供一种能够实现多喷嘴配合使用的用于半导体加工的喷嘴装置。

发明内容

本发明解决的问题是提供一种用于半导体制造工艺的喷嘴机构，以更好地实现语音的传送和交互过程。

为解决上述问题，本发明提供了一种用于半导体制造工艺的喷嘴机构，包括：承载体；贯穿所述承载体上表面和下表面的多个管道；所述管道在所述承载体的上表面形成上管口，所述管道在所述承载体的下表面形成下管口；所述上管口用于连接外部送液管；全部所述下管口朝向同一喷涂点。

可选的，所述上管口大于所述下管口。

可选的，所述管道的上端内壁具有上螺纹，所述上螺纹用于所述上管口与所述送液管的连接。

可选的，所述上管口的周沿具有上环形槽，所述上环形槽限定所述管道的上端成为上凸起，所述上凸起的外侧面具有上部螺纹，所述上部螺纹用于所述上管口与所述送液管的连接。

可选的，所述上管口在所述承载体上表面呈行列排布，或者所述上管口在所述承载体上表面呈单圈排布，或者所述上管口在所述承载体上表面呈多圈排布，或者所述上管口在所述承载体上表面呈具有中心的单圈排布，或者所述上管口在所述承载体上表面呈具有中心的多圈排布。

可选的，所述承载体为长方体、圆柱体、截顶圆锥体、棱台或者球体。

可选的，所述下管口连接下管嘴，所述下管嘴连接在所述下管口之后，全部所述下管嘴朝向同一个喷涂点。

可选的，所述管道的下端内壁具有下螺纹，所述下螺纹用于所述下管口与所述下管嘴的连接。

可选的，所述下管口的周沿具有下环形槽，所述下环形槽限定所述管道的下端成为下凸起，所述下凸起的外侧面具有下部螺纹，所述下部螺纹用于所述下管口与所述下管嘴的连接。

可选的，所述下管嘴内部的通道呈上宽下窄的形状。

本发明技术方案的其中一个方面中，用于半导体制造工艺的喷嘴机构结构设置为载体加通道的结构，能够利用一个机构实现多个喷嘴共同组合在一起。在使用过程中，只要调整好相应的位置，就能够采用这个用于半导体制造工艺的喷嘴机构同时实现多种液体对同一个工作点的喷涂，而不必对不同喷嘴进行一一调整和配合，因此，使用起来更加快捷方便。

附图说明

图1是本发明实施例提供的用于半导体制造工艺的喷嘴机构示意图；

图2是图1所示喷嘴机构另一角度示意图；

图3是本发明另一实施例提供的另一种用于半导体制造工艺的喷嘴机构示意图；

图4是图3所示喷嘴机构另一角度示意图；

图5是本发明另一实施例提供的另一种用于半导体制造工艺的喷嘴机构示意图；

图6是图5所示喷嘴机构沿AA虚线剖切得到的部分切面结构示意图；

图7是图5所示喷嘴机构另一角度且安装下管嘴的示意图；

图8是图7所示喷嘴机构安装下管嘴后的示意图；

图9是本发明另一实施例提供的另一种用于半导体制造工艺的喷嘴机构未安装下管嘴的示意图；

图10是图9所示喷嘴机构沿BB虚线剖切得到的部分切面结构示意图；

图11是图10所示部分切面结构安装下管嘴后的示意图。

具体实施方式

现有喷嘴机构多单独设置，没有统筹设计，当需要不同喷涂不同液体时，需要不同喷嘴机构的调换与配合。

为此，本发明提供一种新的用于半导体制造工艺的喷嘴机构，以解决上述存在的不足。为更加清楚的表示，下面结合附图对本发明做详细的说明。

本发明实施例提供一种用于半导体制造工艺的喷嘴机构，请结合参考图1和图2，其包括：

承载体100；

贯穿承载体100上表面(未标注)和下表面(未标注)的多个管道110(由于管道110位于承载体100内，图1中用虚线显示管道110)；本实施例承载体100上表面如图1中最顶部的表面所示；

管道110在承载体100的上表面形成上管口101，管道110在承载体100的下表面形成下管口102(图1中，下管口102用虚线表示，未标注，下管口102的标注参考图2)；

上管口101用于连接外部送液管(图中未示出)；

全部下管口102朝向同一喷涂点。

在图1中，全部下管口102朝向同一喷涂点用点划线表示。

请结合图1和图2，本实施例中，设置上管口101大于下管口102。本实施例中，上管口101和下管口102的开口形状均为圆形，因此，此时，上管口101的开口直径大于下管口102的开口直径。这一结构设置，可以是将管道110设置为管道110内径从上到下逐渐减小的结构，也可以直接将下管口102设置为较小。

需要说明的是，其它实施例中，上管口的开口形状可以是椭圆形或者多边形等各种形状，相应的下管口的开口形状也可以是椭圆形或者多边形等各种形状；在此基础上，上管口大于下管口可以理解为，上管口的开口面积大于下管口的开口面积。

请参考图1，管道110的上端内壁具有上螺纹(未标注，可参考图1所示)，上螺纹用于上管口101与送液管的连接。此时，表示送液管(未示出)的端部与具有相应的螺纹，用于与所述上螺纹配合。

请参考图1，上管口101在承载体100上表面呈行列排布。本实施例中呈现的排布是两列两行排布。其它实施例中，可以是呈其它行列排布。

上管口101呈规则的行列排布有利于上管口101与相应送液管的规范连接，便于相应的连接安装过程，也便于统筹安排用于半导体制造工艺的喷嘴机构与送液管的配合。

本实施例中，上管口101呈规则的行列排布，而下管口102朝向同一喷涂点，说明下管口102也是相应的呈规则的行列排布的。并且，可知管道110会是呈倾斜状态的(如图1中所示)，这也使得下管口102形成的行列排布区域会小于上管口101形成的行列排布区域。

本实施例中，承载体100为长方体。长方体为规则立体形状，因此，采用这种形状结构，有利于后续喷嘴机构固定在相应的装置或设备上，即有利于喷嘴机构与其它机构的配合与组装。

本实施例中，用于半导体制造工艺的喷嘴机构结构设置为载体加通道的结构，能够利用一个机构实现多个喷嘴共同组合在一起。在使用过程中，只要调整好相应的位置，就能够采用这个用于半导体制造工艺的喷嘴机构同时实现多种液体对同一个工作点的喷涂，而不必对不同喷嘴进行一一调整和配合，因此，使用起来更加快捷方便。

本发明另一实施例提供另一种用于半导体制造工艺的喷嘴机构，请结合参考图3和图4，其包括：

承载体200；

贯穿承载体200上表面(未标注)和下表面(未标注)的多个管道210(由于管道210位于承载体200内，图3中用虚线显示管道210)；本实施例承载体200上表面如图3中最顶部的表面所示；

管道210在承载体200的上表面形成上管口201，管道210在承载体200的下表面形成下管口202(图3中，下管口202用虚线表示，未标注，下管口202的标注参考图4)；

上管口201用于连接外部送液管(图中未示出)；

全部下管口202朝向同一喷涂点。

请结合图3和图4，本实施例中，设置上管口201大于下管口202。这一结构设置，可以是将管道210设置内径从上到下逐渐减小的结构，也可以直接将下管口202设置为较小。

请参考图3，管道210的上端内壁具有上螺纹(未标注，可参考图3所示)，上螺纹用于上管口201与送液管的连接。此时，表示送液管的端部与具有相应的螺纹，用于与所述上螺纹配合。

请参考图3，上管口201在承载体200上表面呈具有中心的单圈排布。本实施例中呈现的排布中心为一个上管口201，外部单圈为四个上管口201围成的结构。其它实施例中，单圈可以是包含其它个数，例如五个、六个或者八个等。

需要说明的是，其它实施例中，上管口在承载体上表面也可以是呈具有中心的多圈排布。

上管口201呈具有中心的单圈排布有利于上管口201与相应送液管的规范连接，便于相应的连接安装过程，也便于统筹安排用于半导体制造工艺的喷嘴机构与送液管的配合。

本实施例中，上管口201呈具有中心的单圈排布，而下管口202朝向同一喷涂点，说明下管口202也是相应的呈具有中心的单圈排布的。并且，可知管道210会是呈倾斜状态的(如图3中所示)，这也使得下管口202形成的排布区域会小于上管口201形成的排布区域。

本实施例中，承载体200为圆柱体。圆柱体为规则立体形状，因此，采用这种形状结构，有利于后续喷嘴机构固定在相应的装置或设备上，即有利于喷嘴机构与其它机构的配合与组装。

同时，承载体200为圆柱体，相同体积下，其上表面和下表面的面积通常也更大，此时，也有助于通道的设置。并且，圆柱体侧面为曲面，也有助于承载体200与其它结构装配，在装配过程中不易碰伤或划伤其它结构。

更多有关本实施例的优点和性质，可以参考前述实施例相应内容。

本发明另一实施例提供另一种用于半导体制造工艺的喷嘴机构，请结合参考图5至图8，其包括：

承载体300；

贯穿承载体300上表面(未标注)和下表面(未标注)的多个管道(管道未标注，后续图6中对应于上管口302下方是管道的一部分)；本实施例承载体300上表面如图5中的表面所示；

管道在承载体300的上表面形成上管口301(如图5中所示)，管道在承载体300的下表面形成下管口302(如图7中所示)；

上管口301用于连接外部送液管(图中未示出)；

全部下管口302朝向同一喷涂点。

请参考图5，上管口301在承载体300上表面呈具有中心的单圈排布。本实施例中呈现的排布中心为一个上管口301，外部单圈为四个上管口301围成的结构。其它实施例中，单圈可以是包含其它个数，例如五个、六个或者八个等。其它实施例中，也可以不必具有中心，而是上管口在承载体上表面呈单圈排布，或者上管口在承载体上表面呈多圈排布。

本实施例中，承载体300为截顶圆锥体(也可以称为锥台)。截顶圆锥体为规则立体形状，因此，采用这种形状结构，有利于后续喷嘴机构固定在相应的装置或设备上，即有利于喷嘴机构与其它机构的配合与组装。同时，本实施例中，截顶圆锥体有两个底面，面积较大的底面作为上表面，面积较小的底面作为下表面，以更好实现全部下管口302朝向同一喷涂点。截顶圆锥体形状的承载体300，还可以配合直接装入到例如漏斗形状安装孔的位置中，截顶圆锥体形状的侧面没有倒角，既方便放入，又保证了放入后的稳定性高，因此，是一种更加理想的立体形状。

图5还显示，上管口301的周沿具有上环形槽303。进一步参考图6，图6是图5所示结构沿AA虚线进行部分剖切得到的剖面结构。在图6所示剖面结构中，剖面结构仅剖切至略大于上环形槽303的深度，图6中用虚线界定出剖切的区域。

结合参考图5和图6可知，上管口301的周沿具有的上环形槽303限定所述管道的上端成为上凸起304，上凸起304的外侧面具有上部螺纹(未标注)，上部螺纹用于上管口301与送液管(如前所述，未示出)的连接。所述上部螺纹的设置，也使得所述管道的上端内侧面不需要设置螺纹，如图6中所示。

需要说明的是，结合图5和图6，在其它实施例中，还可以在图5所示的上表面上，开设其它固定螺孔，这些固定螺孔用于在所述送液管与上管口连接之后，进一步将送液管可靠固定在承载体上，以保证送液管不易与上管口发生泄漏或者分离的情况。

参考图6可知，承载体300上表面为平面，以上表面作为水平面，并以垂直上表面的平面剖开上凸起304时，得到的正是图6所示的结构，此时上凸起304的截面总是略有倾斜的。

请结合参考图7和图8，本实施例中，下管口302(如图7)还连接有下管嘴305(如图8)，下管嘴305连接在下管口302之后，全部下管嘴305也朝向同一个喷涂点。即本实施例中，用于半导体制造工艺的喷嘴机构还包括下管嘴305。

请结合参考图7和图8，管道的下端内壁具有下螺纹(如图7所示，未标注)，下螺纹用于下管口302与下管嘴305的连接(如图8所示)。

下管嘴305的设置，使整个用于半导体制造工艺的喷嘴机构的使用功能更加灵活，可以通过下管嘴305改变喷涂流量，也可以通过下管嘴305改变喷涂点的上下位置等。另外，还可以通过下管嘴305本身的结构设计，实现通过下管嘴305来控制喷涂的进行。

更多有关本实施例的优点和性质，可以参考前述实施例相应内容。

本发明另一实施例提供另一种用于半导体制造工艺的喷嘴机构，请结合参考图9至图11，其包括：

承载体400；

贯穿承载体400上表面(未标注)和下表面(未标注)的多个管道(管道未标注，后续图10中对应于下管口402上方是管道的一部分)；本实施例承载体400上表面如图9中位于中间的表面所示；

管道在承载体400的上表面形成上管口(上管口未示出，参考前述实施例相应内容)，管道在承载体400的下表面形成下管口402(如图10中所示)；

上管口用于连接外部送液管(送液管图中未示出)；

全部下管口402朝向同一喷涂点。

请参考图9，下管口402在承载体400下表面呈行列排布。并且，本实施例中，承载体400为棱台。

其它实施例中，承载体的立体形状还可以是球体。虽然球体只有一个面，但是，可以将表面的不同区域分别划分为上表面和下表面。具体将位于球体上半部分的表面划分上表面，将位于球体下半部分的表面划分为下表面。

需要说明的是，本实施例中，上管口的周沿可以具有上环形槽。可以参考前述实施例相应内容。

请结合参考图10和图11，本实施例中，下管口402(如图10)还连接有下管嘴405(如图11)。虽然图11仅显示一个下管嘴405，但是，结合图9可知，五个下管嘴405连接在下管口402之后，全部下管嘴405也朝向同一个喷涂点。可见，本实施例的用于半导体制造工艺的喷嘴机构包括下管嘴405。

下管嘴405的设置，使整个用于半导体制造工艺的喷嘴机构的使用功能更加灵活，可以通过下管嘴405改变喷涂流量，也可以通过下管嘴405改变喷涂点的上下位置等。另外，还可以通过下管嘴405本身的结构设计，实现通过下管嘴405来控制喷涂的进行。

图9还显示，下管口402的周沿具有下环形槽406。进一步参考图10，图10是图9所示结构沿BB虚线进行部分剖切得到的剖面结构。在图10所示剖面结构中，剖面结构仅剖切至略大于下环形槽406的深度，图10中用虚线界定出剖切的区域。

本实施例中，下管口402的周沿具有下环形槽406，下环形槽406限定所述管道的下端成为下凸起407，下凸起407的外侧面具有下部螺纹(未标注)，所述下部螺纹用于下管口402与下管嘴405的连接。

参考图10可知，承载体400下表面为平面，以下表面作为水平面，并以垂直上表面的平面剖开下凸起407时，得到的正是图10所示的结构，此时下凸起407的截面总是略有倾斜的。

如图11所示，本实施例中，下管嘴405内部的通道呈上宽下窄的形状，因此，下管嘴405可以直接利用这一结构进一步调节相应的喷涂流量。其它实施例中，下管嘴可以有其它的结构设计，从而实现对喷涂流量的控制，以及其它控制。

更多有关本实施例的优点和性质，可以参考前述实施例相应内容。

虽然本发明披露如上，但本发明并非限定于此。任何本领域技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，均可作各种更动与修改，因此本发明的保护范围应当以权利要求所限定的范围为准。

Claims (10)

1.一种用于半导体制造工艺的喷嘴机构，其特征在于，包括：

承载体；

贯穿所述承载体上表面和下表面的多个管道；

所述管道在所述承载体的上表面形成上管口，所述管道在所述承载体的下表面形成下管口；

所述上管口用于连接外部送液管；

全部所述下管口朝向同一喷涂点。

2.如权利要求1所述的用于半导体制造工艺的喷嘴机构，其特征在于，所述上管口大于所述下管口。

3.如权利要求1所述的用于半导体制造工艺的喷嘴机构，其特征在于，所述管道的上端内壁具有上螺纹，所述上螺纹用于所述上管口与所述送液管的连接。

4.如权利要求1所述的用于半导体制造工艺的喷嘴机构，其特征在于，所述上管口的周沿具有上环形槽，所述上环形槽限定所述管道的上端成为上凸起，所述上凸起的外侧面具有上部螺纹，所述上部螺纹用于所述上管口与所述送液管的连接。

5.如权利要求1所述的用于半导体制造工艺的喷嘴机构，其特征在于，所述上管口在所述承载体上表面呈行列排布，或者所述上管口在所述承载体上表面呈单圈排布，或者所述上管口在所述承载体上表面呈多圈排布，或者所述上管口在所述承载体上表面呈具有中心的单圈排布，或者所述上管口在所述承载体上表面呈具有中心的多圈排布。

6.如权利要求1所述的用于半导体制造工艺的喷嘴机构，其特征在于，所述承载体为长方体、圆柱体、截顶圆锥体、棱台或者球体。

7.如权利要求1至6任意一项所述的用于半导体制造工艺的喷嘴机构，其特征在于，所述下管口连接下管嘴，所述下管嘴连接在所述下管口之后，全部所述下管嘴朝向同一个喷涂点。

8.如权利要求7所述的用于半导体制造工艺的喷嘴机构，其特征在于，所述管道的下端内壁具有下螺纹，所述下螺纹用于所述下管口与所述下管嘴的连接。

9.如权利要求8所述的用于半导体制造工艺的喷嘴机构，其特征在于，所述下管口的周沿具有下环形槽，所述下环形槽限定所述管道的下端成为下凸起，所述下凸起的外侧面具有下部螺纹，所述下部螺纹用于所述下管口与所述下管嘴的连接。

10.如权利要求9所述的用于半导体制造工艺的喷嘴机构，其特征在于，所述下管嘴内部的通道呈上宽下窄的形状。

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