JP4882244B2 - 転写方法、転写物の製造方法及び回路基板の製造方法 - Google Patents
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Description
すなわち、本発明(参考例)は、1以上の被転写体が形成されている第1基材上の転写対象領域の外周を取り囲む囲み手段を形成する工程と、上記第1基材と第2基材とを、上記囲み手段により取り囲まれた上記転写対象領域に接着剤を充填することにより形成される接着層を介して接合する工程と、上記囲み手段を除去する工程と、上記第1基材と上記第2基材とを離隔して、上記接着層により上記第2基材に接着された被転写体を当該第2基材に転写する工程と、を備えた被転写体の転写方法を提供するものである。
図1乃至図8は、本実施形態に係る回路基板の製造方法の製造工程図である。これらの図において(a)は斜視図を示し、(b)はA−A切断面における断面図を示す。
まず図1に示すように、基板100上に剥離層101及び被転写層102を形成して転写元基板1(第1基材)を製造する。基板100は、光が透過し得る透光性を有するものであることが好ましい。後の工程で基板100を介して剥離層101に光を照射することができ、剥離層を光照射によって迅速かつ正確に剥離させることができるからである。光の透過率は10%以上であることが好ましく、50%以上であることがより好ましい。透過率が高い程光の減衰(ロス)が少なくなり、剥離層101を剥離するのにより小さな光量で済むからである。
このアモルファスシリコン中には、水素(H)が含有されていてもよい。この場合、Hの含有量は、2原子%以上程度であるのが好ましく、2〜20原子%程度であるのがより好ましい。このように、水素(H)が所定量含有されていると、光の照射によって水素が放出され、剥離層101に内圧が発生し、それが上下の薄膜を剥離する力となる。アモルファスシリコン中の水素(H)の含有量は、成膜条件、例えばCVDにおけるガス組成、ガス圧、ガス雰囲気、ガス流量、温度、基板温度、投入パワー等の条件を適宜設定することにより調整することができる。アモルファスシリコンは光吸収性がよく、また、成膜も容易であり実用性が高い。したがって、剥離層をアモルファスシリコンで構成することによって、光照射により正確に剥離を生じる剥離層を安価に形成することができる。
酸化ケイ素としては、SiO、SiO2、Si3O2が挙げられ、ケイ酸化合物としては、例えばK2SiO3、Li2SiO3、CaSiO3、ZrSiO4、Na2SiO3が挙げられる。
(強誘電体)
金属としては、例えば、Al,Li,Ti,Mn,In,Sn,Y,La,Ce,Nd,Pr,Gd,Smまたはこれらのうちの少なくとも1種を含む合金が挙げられる。
次に、図2に示すように被転写層102の今回転写対象となる被転写体10を含む転写対象領域11の外周を取り囲むように囲み枠13を形成する。隣接する被転写体10同士は、囲み枠13の外側に形成される流路17で分離されている。なお、ここでは基板100上に形成された被転写体10総てを一括して転写することとするが、一部のみを取り囲んで一部の被転写体10のみを転写するようにしてもよい。
次いで、図3に示すように、各囲み枠13に接着剤を個別に充填し、接着層3を形成する。このような接着層3の個別形成は、例えばディスペンス法や印刷法、インクジェット法を利用できる。インクジェット法を実施するためには液滴吐出装置を利用する。ここで「液滴吐出装置」とは、接着成分を含む液体材料を圧力変化を利用して吐出するように構成された装置をいう。液滴吐出装置の構造は、静電駆動タイプ、ピエゾ駆動タイプ、熱駆動タイプ等に分けられるが、その中でも静電駆動タイプ及びピエゾ駆動タイプの装置は、材料液に熱を加えず吐出させるため熱により接着剤の性質を変化させるおそれがないので好ましい。
次に、図4に示すように、囲み枠13及び接着層3が形成された転写元基板1の面に転写先基板2(第2基材)を重ね合わせる。転写先基板2としては、特に限定されないが、基板(板材)、特に透明基板が挙げられる。なお、このような基板は平板であっても、湾曲板であってもよい。また転写先基板2は、転写元基板1に比べ、耐熱性・耐食性等の特性が劣るものであってもよい。本発明では、転写元基板1側に被転写体10を形成し、その後、被転写体10を転写先基板2に転写するため、転写先基板2には、被転写体10の形成時に要求されるような耐熱性等の特性が要求されないからである。
次いで、図5に示すように、充填された接着層3を硬化させた後、囲み枠13を除去する。
なお、囲み枠13が除去された部分は、後の工程で流体が通過する流路17の一部となる。
接着層3が硬化したら、図6に示すように、転写元基板1側から剥離層101にレーザ光Lを照射して剥離層の密着性を弱める。剥離層101は、光が照射されると剥離(層内剥離および/または界面剥離)を生じる。層内剥離および/または界面剥離が生じる原理は、剥離層101の構成材料にアブレーションが生じること、また、剥離層101に含まれているガスの放出、さらには照射直後に生じる溶融、蒸散等の相変化によるものである。
次いで、図7に示すように、流体として空気流W1〜W4を流路17に目がけて供給する。上記したように、転写元基板1と転写先基板2との間であって囲み枠13の外側には、空気が流通しうる空間が形成され流路17となっている。このため、四方から流入した空気流により流路17内部は高圧状態となり、図7(b)の白抜き矢印の方向に応力が作用する。剥離層101にはレーザ光が照射されその密着性が喪失しているので、空気流によって生ずる応力によって基板100と転写先基板2とが容易に分離する(図8参照)。ここで被転写体10は接着層3のみによって転写先基板2に接着されているため転写先基板2とともに剥離される。
従来の転写方法においては、図12に示すように被転写体10上に囲み枠13(シール材)が形成されており、囲み枠13の密着力が剥離層101の密着力よりも弱い場合には、囲み枠13で剥離が生じることになる。すなわち、破線B−Bに沿って上下に剥離する力が働くことになり、接着層3と囲み枠13の境界部では被転写体10を上下逆方向に引き寄せる力が働くため、被転写体の一部が破損し、転写不良が生じる場合があった。
なお、上記実施形態では、接着層3及び囲み枠13を第1基材1側に形成したが、第2基材2側に設けてもよい。
図9(a)は、本実施形態において用いられる被転写体10の一例である薄膜トランジスタTの断面図である。この薄膜トランジスタTは、剥離層101に絶縁膜103を介して形成されており、ゲート絶縁膜104、ゲート電極106、層間絶縁膜105、及びアルミニウム等からなる電極107、チャネル領域108、及びポリシリコン層にn型不純物やp型不純物を導入して形成されたソース,ドレイン領域109を具備する。薄膜トランジスタTはこのような構成に限定されることなく、シリコンベースのトランジスタやSOI(silicon on insulator)などの種々の構造を適用し得る。
次に、上述した回路基板の製造方法によって製造される電気光学装置について説明する。
次に、上述した回路基板の製造方法によって製造される電子機器、特にフレキシブル表示装置について説明する。
Claims (8)
- 1以上の被転写体が形成されている第1基材上の転写対象領域の外周を取り囲む囲み手段を形成する工程と、
前記第1基材と第2基材とを、前記囲み手段により取り囲まれた前記転写対象領域に接着剤を充填することにより形成される接着層を介して接合する工程と、
前記囲み手段を除去する工程と、
前記第1基材と前記第2基材とを離隔して、前記接着層により前記第2基材に接着された被転写体を当該第2基材に転写する工程と、を備え、
前記接着剤及び前記囲み手段を構成する材料が互いに硬化反応性の異なる硬化性材料からなり、前記囲み手段を除去する工程の前に、前記囲み手段を硬化させずに、前記接着剤を硬化させる工程を含み、前記囲み手段を除去する工程が、未硬化の前記囲み手段を溶剤により選択的に除去する工程である、転写方法。 - 前記接着剤が紫外線硬化性樹脂からなり、前記囲み手段が難紫外線硬化性樹脂からなり、前記接着剤を硬化させる工程が紫外線照射により前記接着剤を選択的に硬化させる工程である、請求項1に記載の転写方法。
- 前記囲み手段の難紫外線硬化性樹脂が熱硬化性樹脂からなる、請求項2に記載の転写方法。
- 前記囲み手段を形成する工程が、前記第1基材と前記第2基材との間であって、前記転写対象領域の外周に流路が生じるように前記囲み手段を形成する工程である、請求項1乃至3のいずれかに記載の転写方法。
- 前記転写する工程が、前記流路に物理的作用を施すことにより、前記第1基材を前記第2基材より離隔する工程を含む、請求項1乃至3のいずれかに記載の転写方法。
- 前記物理的作用が、前記流路に流体を供給することにより及ぼされる、請求項5記載の転写方法。
- 請求項1乃至6のいずれかの転写方法を使用して、前記被転写体を転写する工程を含むことを特徴とする転写物の製造方法。
- 記被転写体が薄膜素子であり、請求項1乃至6のいずれかの転写方法を使用して、当該薄膜素子を転写する工程を含むことを特徴とする回路基板の製造方法。
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