JP4874769B2 - 表面保護テープ及びこの表面保護テープを用いた半導体装置の製造方法 - Google Patents

Description

この発明は、ＤＢＧ（Dicing Before Grinding）技術におけるウェーハの裏面研削工程で使用される表面保護テープ、及びこの表面保護テープを用いた半導体装置の製造方法に関する。

近年、カード状の薄いパッケージに実装するため、あるいは複数の半導体チップを積層して実装面積を削減するために、半導体チップの薄厚化が望まれている。しかし、素子形成の終了したウェーハの裏面を研削して薄厚化し、ダイシングして個々の半導体チップに分割すると、ウェーハが割れたり裏面チッピングが発生したりする。また、薄いウェーハはハンドリングが難しく、製造装置間の搬送時にも破損する恐れがある。

このようなウェーハの割れや裏面チッピングを極力減らすために、ＤＢＧ技術（先ダイシング法）が採用されている。ＤＢＧでは、ウェーハの主表面（素子形成面側）から所定の深さに切り込み（溝）を入れた後、ウェーハの裏面を研削及び研磨することにより個片化と薄厚化を同時に行う（例えば特許文献１参照）。

ところで、上記裏面研削工程では、ウェーハの主表面にＢＳＧテープ（表面保護テープ）を貼り付けて保護した状態でウェーハの裏面を研削及び研磨して除去する。このＤＢＧの研削工程で使用されるＢＳＧテープには、通常、ノンメタリックテープが使用されている。しかしながら、ノンメタリックテープは、その材料特性からテープが縮み、裏面研削後の工程でチップが互いに干渉してチッピング（カケ）を起こす問題がある。
特開昭６１−１１２３４５号公報

この発明は上記のような事情に鑑みてなされたもので、その目的とするところは、テープの縮みを抑制して、裏面研削工程の後においてチップの干渉によるチッピングを抑制できる表面保護テープを提供することにある。

また、裏面研削工程の後においてチップの干渉によるチッピングを抑制できる半導体装置の製造方法を提供することにある。

この発明の一態様によると、基材となるノンメタリックテープと、前記ノンメタリックテープの一方の面に形成された接着剤層と、前記ノンメタリックテープの一方または他方の面に形成され、前記ノンメタリックテープの収縮を抑制する収縮防止メタル層とを具備する表面保護テープが提供される。

この発明の他の一態様によると、第１のノンメタリックテープと、前記第１のノンメタリックテープの一方の面に接着され、前記第１のノンメタリックテープと共に基材となる第２のノンメタリックテープと、前記第１のノンメタリックテープと前記第２のノンメタリックテープとの間に介在され、前記第１，第２のノンメタリックテープの収縮を抑制する収縮防止メタル層と、前記第１または第２のノンメタリックテープの一方の面に形成された接着剤層とを具備する表面保護テープが提供される。

この発明の更に他の一態様によると、半導体ウェーハ中に半導体素子を形成する工程と、前記半導体ウェーハをダイシングラインに沿ってハーフカット・ダイシングして素子形成面に溝を形成する工程と、前記半導体ウェーハにおける前記半導体素子の形成面に表面保護テープを貼り付ける工程と、前記半導体ウェーハにおける前記半導体素子の形成面の裏面を、少なくとも前記溝に達する深さまで除去する工程とを具備し、前記表面保護テープは、基材となるノンメタリックテープと、前記ノンメタリックテープの一方の面に形成され、前記半導体ウェーハにおける前記半導体素子の形成面に貼り付けられる接着剤層と、前記ノンメタリックテープの一方または他方の面に形成され、前記ノンメタリックテープの収縮を抑制する収縮防止メタル層とを備える半導体装置の製造方法が提供される。

この発明の別の一態様によると、半導体ウェーハ中に半導体素子を形成する工程と、前記半導体ウェーハをダイシングラインに沿ってハーフカット・ダイシングして素子形成面に溝を形成する工程と、前記半導体ウェーハにおける前記半導体素子の形成面に表面保護テープを貼り付ける工程と、前記半導体ウェーハにおける前記半導体素子の形成面の裏面を、少なくとも前記溝に達する深さまで除去する工程とを具備し、前記表面保護テープは、第１のノンメタリックテープと、前記第１のノンメタリックテープの一方の面に形成され、前記第１のノンメタリックテープと共に基材となる第２のノンメタリックテープと、前記第１のノンメタリックテープと前記第２のノンメタリックテープとの間に介在され、前記第１，第２のノンメタリックテープの収縮を抑制する収縮防止メタル層と、前記第１または第２のノンメタリックテープの一方の面に形成され、前記半導体ウェーハにおける前記半導体素子の形成面に貼り付けられる接着剤層とを備える半導体装置の製造方法が提供される。

この発明によれば、テープの縮みを抑制して、裏面研削工程の後においてチップの干渉によるチッピングを抑制できる表面保護テープが得られる。

また、裏面研削工程の後においてチップの干渉によるチッピングを抑制できる半導体装置の製造方法が得られる。

以下、この発明の実施形態について図面を参照して説明する。
［第１の実施形態］
図１及び図２はそれぞれ、この発明の第１の実施形態に係る表面保護テープ（ＢＳＧテープ）について説明するための平面図及び断面図である。この第１の実施形態のＢＳＧテープは、基材となるノンメタリックテープ、例えばポリオレフィン（polyolefin）テープ１１の一方の面に接着剤層１２を形成し、このポリオレフィンテープ１１と上記接着剤層１２との間に、上記ポリオレフィンテープ１１の収縮を抑制する収縮防止メタル層１３を介在させた構成になっている。

そして、半導体ウェーハ中に半導体素子を形成し、この半導体ウェーハをダイシングラインに沿ってハーフカット・ダイシングして素子形成面に溝を形成した後、半導体素子の形成面に表面保護テープの接着剤層１２を貼り付ける。引き続き、半導体素子の形成面の裏面を、少なくとも上記溝に達する深さまで研削して個片化と薄厚化を行い、半導体チップを形成する。

上記収縮防止メタル層１３は、ポリオレフィンテープ１１を貼る方向（図示矢印Ａ）と平行な方向に沿って延設された金属系物質の板、膜、箔及び線などで形成される。この金属系物質としてはアルミニウムや銅などの金属を用いることができるが、単一元素の金属ではなく種々の合金を用いることもできる。この収縮防止メタル層１３の幅は０．５μｍ程度からウェーハサイズに相当する任意の値を選択でき、収縮防止メタル層１３の厚さは０．５μｍ程度から接着剤層１２に相当する値を選択できる。

なお、上記収縮防止メタル層１３は、テープ１１の厚さのばらつきに大きく関与しない程度の厚さであれば、テープ１１における接着剤層１２の裏面に接着することも可能である。

上記のような構成の表面保護テープによれば、裏面研削工程の後において収縮防止メタル層１３により、基材であるポリオレフィンテープ１１の縮みを抑制して、チップの干渉によるチッピングを抑制できる。

（変形例１）
図３は、上記図１及び図２に示した表面保護テープの変形例を示す平面図である。この表面保護テープは、プリカットテープに適用したものであり、ウェーハと同じ外形並びにサイズにカットして用いられる。収縮防止メタル層１３はウェーハ１０の中心を横切るように延設された金属系物質の板、膜、箔及び線などで形成される。この金属系物質としてはアルミニウムや銅などの金属を用いることができるが、単一元素の金属ではなく種々の合金を用いることもできる。収縮防止メタル層１３の幅は０．５μｍ程度からウェーハサイズに相当する任意の値を選択でき、収縮防止メタル層１３の厚さは０．５μｍ程度から接着剤層１２に相当する値を選択できる。

また、上記収縮防止メタル層１３は、テープ１１の厚さのばらつきに大きく関与しない程度の厚さであれば、テープ１１における接着剤層１２の裏面に接着することも可能である。

このような構成であっても、裏面研削工程の後において、基材であるポリオレフィンテープ１１の縮みを上記収縮防止メタル層１３により抑制して、チップの干渉によるチッピングを抑制できる。

［第２の実施形態］
図４は、この発明の第２の実施形態に係る表面保護テープの平面図である。この第２の実施形態のＢＳＧテープは、基材となるノンメタリックテープ、例えばポリオレフィンテープ１１の一方の面に接着剤層１２を形成し、このポリオレフィンテープ１１と上記接着剤層１２との間に、上記ポリオレフィンテープ１１の収縮を抑制する収縮防止メタル層１３−１，１３−２，１３−３を介在させた構成になっている。

上記表面保護テープは、収縮防止メタル層１３−１，１３−２，１３−３がポリオレフィンテープ１１を貼る方向Ａと平行な方向に沿って延設された複数本の金属系物質の板、膜、箔及び線などで形成される。上記収縮防止メタル層１３−１，１３−２，１３−３間の距離は、ポリオレフィンテープ１１の収縮の影響を受けない距離に設定されている。図４では３本の収縮防止メタル層１３−１，１３−２，１３−３を設けているが、２本でも良く、４本以上でも構わない。

上記金属系物質としてはアルミニウムや銅などの金属を用いることができるが、単一元素の金属ではなく種々の合金を用いることもできる。この収縮防止メタル層１３−１，１３−２，１３−３の幅は０．５μｍ程度以上から任意の値を選択でき、収縮防止メタル層１３の厚さは０．５μｍ程度から接着剤層１２に相当する値を選択できる。

また、上記収縮防止メタル層１３−１，１３−２，１３−３は、テープ１１の厚さのばらつきに大きく関与しない程度の厚さであれば、テープ１１における接着剤層１２の裏面に接着することも可能である。

上記のような構成の表面保護テープによれば、裏面研削工程の後において収縮防止メタル層１３−１，１３−２，１３−３により、基材であるポリオレフィンテープ１１の縮みを抑制して、チップの干渉によるチッピングを抑制できる。

（変形例２）
図５は、上記図４に示した表面保護テープの変形例を示す平面図である。この表面保護テープは、プリカットテープに適用したものであり、ウェーハと同じ外形並びにサイズにカットして用いられる。収縮防止メタル層１３−１，１３−２，１３−３はウェーハ１０を横切るように延設された複数本の金属系物質の板、膜、箔及び線などで形成される。上記収縮防止メタル層１３−１，１３−２，１３−３間の距離は、ポリオレフィンテープ１１の収縮の影響を受けない距離に設定されている。図５では３本の収縮防止メタル層１３−１，１３−２，１３−３を設けているが、２本でも良く、４本以上でも構わない。

この金属系物質としてはアルミニウムや銅などの金属を用いることができる。また、単一元素の金属ではなく、種々の合金を用いることもできる。この収縮防止メタル層１３−１，１３−２，１３−３の幅は０．５μｍ程度以上から任意の値を選択でき、収縮防止メタル層１３−１，１３−２，１３−３の厚さは０．５μｍ程度から接着剤層１２に相当する値を選択できる。また、上記収縮防止メタル層１３−１，１３−２，１３−３は、テープ１１の厚さのばらつきに大きく関与しない程度の厚さであれば、テープ１１における接着剤層１２の裏面に接着することも可能である。

このような構成であっても、裏面研削工程の後において収縮防止メタル層１３−１，１３−２，１３−３により、基材であるポリオレフィンテープ１１の縮みを抑制して、チップの干渉によるチッピングを抑制できる。

［第３の実施形態］
図６は、この発明の第３の実施形態に係る表面保護テープの平面図である。この第３の実施形態のＢＳＧテープは、基材となるノンメタリックテープ、例えばポリオレフィンテープ１１の一方の面に接着剤層１２を形成し、このポリオレフィンテープ１１と上記接着剤層１２との間に、上記ポリオレフィンテープ１１の収縮を抑制する収縮防止メタル層１３Ａを介在させた構成になっている。

上記収縮防止メタル層１３Ａは、格子状の金属系物質の板、膜及び箔などで形成される。上記収縮防止メタル層１３Ａにおける格子間の距離は、ポリオレフィンテープ１１の収縮の影響を受けない距離に設定されている。

この金属系物質としてはアルミニウムや銅などの金属を用いることができるが、単一元素の金属ではなく種々の合金を用いることもできる。この収縮防止メタル層１３Ａの格子の幅は０．５μｍ程度から任意の値を選択でき、収縮防止メタル層１３Ａの厚さは０．５μｍ程度から接着剤層１２に相当する値を選択できる。また、上記収縮防止メタル層１３Ａは、テープ１１の厚さのばらつきに大きく関与しない程度の厚さであれば、テープ１１における接着剤層１２の裏面に接着することも可能である。

上記のような構成の表面保護テープによれば、裏面研削工程の後において収縮防止メタル層１３Ａにより、基材であるポリオレフィンテープ１１の縮みを抑制して、チップの干渉によるチッピングを抑制できる。

（変形例３）
図７は、上記図６に示した表面保護テープの変形例を示す平面図である。この表面保護テープは、プリカットテープに適用したものであり、ウェーハと同じ外形並びにサイズにカットして用いられる。収縮防止メタル層１３Ａは、ウェーハ１０に対応する格子状の金属系物質の板、膜及び箔などで形成される。この金属系物質としてはアルミニウムや銅などの金属を用いることができるが、単一元素の金属ではなく種々の合金を用いることもできる。収縮防止メタル層１３Ａの幅は０．５μｍ程度からウェーハサイズに相当する任意の値を選択でき、収縮防止メタル層１３Ａの厚さは０．５μｍ程度から接着剤層１２に相当する値を選択できる。また、上記収縮防止メタル層１３Ａは、テープ１１の厚さのばらつきに大きく関与しない程度の厚さであれば、テープ１１における接着剤層１２の裏面に接着することも可能である。

このような構成であっても、裏面研削工程の後において収縮防止メタル層１３Ａにより、基材であるポリオレフィンテープ１１の縮みを抑制して、チップの干渉によるチッピングを抑制できる。

［第４の実施形態］
図８は、この発明の第４の実施形態に係る表面保護テープの平面図である。この第４の実施形態のＢＳＧテープは、基材となるノンメタリックテープ、例えばポリオレフィンテープ１１の一方の面に接着剤層１２を形成し、このポリオレフィンテープ１１と上記接着剤層１２との間に、上記ポリオレフィンテープ１１の収縮を抑制する収縮防止メタル層１３Ｂを介在させた構成になっている。

上記収縮防止メタル層１３Ｂは、ウェーハの外周に沿った環状の金属系物質の板、膜、箔及び線などで形成される。

この金属系物質としてはアルミニウムや銅などの金属を用いることができるが、単一元素の金属ではなく種々の合金を用いることもできる。この収縮防止メタル層１３Ｂの幅は０．５μｍ程度以上の任意の値を選択でき、収縮防止メタル層１３Ｂの厚さは０．５μｍ程度から接着剤層１２に相当する値を選択できる。また、上記収縮防止メタル層１３Ｂは、テープ１１の厚さのばらつきに大きく関与しない程度の厚さであれば、テープ１１における接着剤層１２の裏面に接着することも可能である。

上記のような構成の表面保護テープによれば、裏面研削工程の後において収縮防止メタル層１３Ｂにより、基材であるポリオレフィンテープ１１の縮みを抑制して、チップの干渉によるチッピングを抑制できる。

（変形例４）
図９は、上記図８に示した表面保護テープの変形例を示す平面図である。この表面保護テープは、プリカットテープに適用したものであり、ウェーハと同じ外形並びにサイズにカットして用いられる。収縮防止メタル層１３Ｂはウェーハの外周に沿った環状の金属系物質の板、膜、箔及び線などで形成される。この金属系物質としてはアルミニウムや銅などの金属を用いることができるが、単一元素の金属ではなく種々の合金を用いることもできる。この収縮防止メタル層１３Ｂの幅は０．５μｍ程度以上の任意の値を選択でき、収縮防止メタル層１３Ｂの厚さは０．５μｍ程度から接着剤層１２に相当する値を選択できる。また、上記収縮防止メタル層１３Ｂは、テープ１１の厚さのばらつきに大きく関与しない程度の厚さであれば、テープ１１における接着剤層１２の裏面に接着することも可能である。

このような構成であっても、裏面研削工程の後において収縮防止メタル層１３Ｂにより、基材であるポリオレフィンテープ１１の縮みを抑制して、チップの干渉によるチッピングを抑制できる。

［第５の実施形態］
図１０は、この発明の第５の実施形態に係る表面保護テープの平面図である。この第５の実施形態のＢＳＧテープは、基材となるノンメタリックテープ、例えばポリオレフィンテープ１１の一方の面に接着剤層１２を形成し、このポリオレフィンテープ１１と上記接着剤層１２との間に、上記ポリオレフィンテープ１１の収縮を抑制する収縮防止メタル層１３Ｃを介在させた構成になっている。

上記収縮防止メタル層１３Ｃは、ウェーハの外周に沿った円形の金属系物質の板、膜及び箔などで形成される。

この金属系物質としてはアルミニウムや銅などの金属を用いることができるが、単一元素の金属ではなく種々の合金を用いることもできる。この収縮防止メタル層１３の厚さは０．５μｍ程度から接着剤層１２に相当する値を選択できる。また、上記収縮防止メタル層１３Ｃは、テープ１１における接着剤層１２の裏面に接着することも可能である。

上記のような構成の表面保護テープによれば、裏面研削工程の後において収縮防止メタル層１３Ｃにより、基材であるポリオレフィンテープ１１の縮みを抑制して、チップの干渉によるチッピングを抑制できる。

（変形例５）
図１１は、上記図１０に示した表面保護テープの変形例を示す平面図である。この表面保護テープは、プリカットテープに適用したものであり、ウェーハと同じ外形並びにサイズにカットして用いられる。収縮防止メタル層１３Ｃはウェーハの外周に沿った円形の金属系物質の板、膜及び箔などで形成される。この金属系物質としてはアルミニウムや銅などの金属を用いることができるが、単一元素の金属ではなく種々の合金を用いることもできる。この収縮防止メタル層１３Ｃの厚さは０．５μｍ程度から接着剤層１２に相当する値を選択できる。また、上記収縮防止メタル層１３Ｃは、テープ１１における接着剤層１２の裏面に接着することも可能である。

このような構成であっても、裏面研削工程の後において収縮防止メタル層１３により、基材であるポリオレフィンテープ１１の縮みを抑制して、チップの干渉によるチッピングを抑制できる。

［第６の実施形態］
図１２は、この発明の第６の実施形態に係る表面保護テープの平面図である。この第６の実施形態のＢＳＧテープは、基材となるノンメタリックテープ、例えばポリオレフィンテープ１１の一方の面に接着剤層１２を形成し、このポリオレフィンテープ１１と上記接着剤層１２との間に、上記ポリオレフィンテープ１１の収縮を抑制する収縮防止メタル層１３−１Ｄ，１３−２Ｄを介在させた構成になっている。

上記収縮防止メタル層１３−１Ｄ，１３−２Ｄは、ポリオレフィンテープ１１を貼る方向Ａと平行な方向に沿って延設された金属系物質の板、膜、箔及び線などで形成される。また、収縮防止メタル層１３−２Ｄには、破線で示すウェーハ１０のノッチ１４に対応する位置に切り欠き部（マーク）１５が形成されている。この切り欠き部１５は、裏面研削後の工程、特にマウント工程でウェーハの方向が重要になるため、ウェーハのノッチ１４に代えて検出することによりＸＹステージへ搭載する際の位置決めを容易化するものである。

この金属系物質としてはアルミニウムや銅などの金属を用いることができるが、単一元素の金属ではなく種々の合金を用いることもできる。この収縮防止メタル層１３−１Ｄ，１３−２Ｄの幅は０．５μｍ程度以上から任意の値を選択でき、収縮防止メタル層１３−１，１３−２，１３−３の厚さは０．５μｍ程度から接着剤層１２に相当する値を選択できる。また、上記収縮防止メタル層１３−１Ｄ，１３−２Ｄは、テープ１１の厚さのばらつきに大きく関与しない程度の厚さであれば、テープ１１における接着剤層１２の裏面に接着する方法でも可能である。

上記のような構成の表面保護テープによれば、裏面研削工程の後において収縮防止メタル層１３−１Ｄ，１３−２Ｄにより、基材であるポリオレフィンテープ１１の縮みを抑制して、チップの干渉によるチッピングを抑制できる。また、ウェーハ１０のノッチ１４に代えて収縮防止メタル層の切り欠き部１５を検出することによりＸＹステージへ搭載する際の位置決めを容易化できる。

（変形例６）
図１３は、上記図１２に示した表面保護テープの変形例を示す平面図である。この表面保護テープは、プリカットテープに適用したものであり、ウェーハ１０と同じ外形並びにサイズにカットして用いられる。収縮防止メタル層１３−１Ｄ，１３−２Ｄはウェーハを横切るように延設された金属系物質の板、膜、箔及び線などで形成される。この金属系物質としてはアルミニウムや銅などの金属を用いることができるが、単一元素の金属ではなく種々の合金を用いることもできる。この収縮防止メタル層１３−１Ｄ，１３−２Ｄの幅は０．５μｍ程度以上から任意の値を選択でき、収縮防止メタル層１３−１Ｄ，１３−２Ｄの厚さは０．５μｍ程度から接着剤層１２に相当する値を選択できる。また、上記収縮防止メタル層１３−１Ｄ，１３−２Ｄは、テープ１１の厚さのばらつきに大きく関与しない程度の厚さであれば、テープ１１における接着剤層１２の裏面に接着する方法でも可能である。

このような構成であっても、裏面研削工程の後において収縮防止メタル層１３により、基材であるポリオレフィンテープ１１の縮みを抑制して、チップの干渉によるチッピングを抑制できる。また、ウェーハのノッチ１４に代えて収縮防止メタル層の切り欠き部１５を検出することによりＸＹステージへ搭載する際の位置決めを容易化できる。

なお、本第６の実施形態と変形例６において、ウェーハ１０のノッチ１４と収縮防止メタル層１３−２Ｄの切り欠き部１５とが同じ位置に（重なって）配置されている例を示したが、必ずしも重なるように切り欠き部１５を形成する必要はなく、対応関係が認識できれば良い。

また、一方の収縮防止メタル層１３−２Ｄのみに切り欠き部１５を設けたが、収縮防止メタル層１３−１Ｄにも切り欠き部を設けて左右対称に配置しても良い。

更に、図１４及び図１５に示すように、ウェーハ１０のノッチ１４に対応する位置に金属系物質の板、膜、箔及び線などでマーク１６を形成し、ウェーハ１０のノッチ１４に代えて検出すれば、ＸＹステージへ搭載する際の位置決めを容易化することができる。この場合にも、ノッチ１４とマーク１６とを同じ位置に配置する必要はないのはもちろんである。

ウェーハ１０のノッチ１４と切り欠き部１５、ノッチ１４とマーク１６、ノッチ１４と金属系物質の板、膜、箔及び線などの位置関係を決めておけば、第１乃至第５の実施形態においても適用可能である。

更にまた、上記収縮防止メタル層は上述した第１乃至第６の実施形態の形状に限らず、正方形、長方形、三角形、四角形、五角形などの多角形、楕円などでも適用できる。

（表面保護テープの製造方法）
図１６乃至図１８はそれぞれ、上記図１及び図２に示した表面保護テープの製造方法について説明するための断面図である。まず、図１６に示すように、基材となるポリオレフィンテープ１１の一方の表面に、金属系物質からなる収縮防止メタル層１３を圧着または接着する。

次に、図１７に示すように、上記ポリオレフィンテープ１１の収縮防止メタル層１３を形成した表面に、接着剤を塗布して接着剤層１２を形成する。

このようにして、ポリオレフィンテープ１１と接着剤層１２との間に、収縮防止メタル層１３が挟み込まれた、図１８に示すような表面保護テープを製造する。

なお、上記ポリオレフィンテープ１１の一方の表面に収縮防止メタル層１３を形成する工程は、図１９に示すようにポリオレフィンテープ１１の一方の表面に金属系物質を印刷して収縮防止メタル層１３を形成しても良い。

また、第１の実施形態に係る表面保護テープの製造方法を例にとって説明したが、基本的には第２乃至第６の実施形態に係る表面保護テープも同様にして形成できる。

（表面保護テープの製造方法の第１の変形例）
図２０乃至図２３はそれぞれ、上記図１及び図２に示した表面保護テープの他の製造方法について説明するための断面図である。まず、図２０に示すように、基材となるポリオレフィンテープ１１の一方の表面に、金属系物質を圧着または接着する。この金属系物質としてはアルミニウムや銅などの金属を用いることができるが、単一元素の金属ではなく種々の合金を用いることもできる。この金属系物質は、板、膜及び箔などであり、厚さは０．５μｍ程度から接着剤層１２に相当する値を選択する。

次に、図２１に示すように、上記金属系物質を選択的にエッチングして収縮防止メタル層１３を形成する。

その後、図２２に示すように、上記ポリオレフィンテープ１１の収縮防止メタル層１３を形成した表面に、接着剤を塗布して接着剤層１２を形成する。

このようにして、ポリオレフィンテープ１１と接着剤層１２との間に、収縮防止メタル層１３が挟み込まれた、図２３に示すような表面保護テープを製造する。

このような製造方法であっても、上述した製造方法と同様な表面保護テープを製造できる。

なお、ここでは第１の実施形態に係る表面保護テープの製造方法を例にとって説明したが、基本的には第２乃至第６の実施形態に係る表面保護テープも同様にして形成できる。

（表面保護テープの製造方法の第２の変形例）
図２４乃至図２７はそれぞれ、表面保護テープの更に他の製造方法について説明するための断面図である。まず、図２４に示すように、基材となる第１，第２のポリオレフィンテープ１１−１，１１−２の間に、金属系物質からなる収縮防止メタル層１３を挟んで、図２５に示すように圧着または接着する。

次に、図２６に示すように、上記収縮防止メタル層１３を挟み込んだ第１，第２のポリオレフィンテープ１１−１，１１−２の一方の表面に、接着剤を塗布して接着剤層１２を形成する。

このようにして、収縮防止メタル層１３を挟み込んだ第１，第２のポリオレフィンテープ１１−１，１１−２の一方の表面に接着剤層１２を形成した、図２７に示すような表面保護テープを製造する。

このような製造方法では、基材となる第１，第２のポリオレフィンテープ１１−１，１１−２に収縮防止メタル層１３を挟み込んだ表面保護テープを製造できる。

なお、上述した製造方法では、基材であるポリオレフィンテープが１層の場合と２層の場合を例にとって説明したが、図２８に示すように３層でも良く、必要に応じて４層以上積層して用いることもできる。

また、上記のような製造方法で形成した表面保護テープは、第１乃至第６の実施形態のいずれにも適用できる。

［第７の実施形態］
次に、上記表面保護テープを用いた半導体装置の製造方法について、図２９の工程図により説明する。

まず、周知の製造工程により、半導体ウェーハの主表面に種々の半導体素子を形成する（ＳＴＥＰ１）。

次に、上記素子形成が終了した半導体ウェーハの主表面（素子形成面側）をダイシングし、ダイシングラインやチップ分割ラインに沿って、上記ウェーハの主表面側から裏面に達しない深さの溝、いわゆるハーフカット溝を形成する（ＳＴＥＰ２）。このハーフカット溝の形成には、例えばダイヤモンドスクライバー、ダイヤモンドブレード及びレーザースクライバー等を用いる。切り込みの深さは、チップの最終仕上げ厚さよりも、およそ１０〜３０μｍ（少なくとも５μｍ）だけ深くする。どれだけ多めにするかは、ダイサーとグラインダーの精度により決まる。

その後、上記ハーフカット・ダイシング済みの半導体ウェーハの素子形成面に上述したＢＳＧテープ（表面保護テープ）を貼り付けてウェーハリングに装着する（ＳＴＥＰ３）。この表面保護テープによって、ウェーハの裏面を削り取り、薄くする過程で半導体素子にダメージが入るのを防止できる。

次に、上記ウェーハの裏面研削（ＳＴＥＰ４）を行う。裏面研削工程では、砥石のついたホイールを４０００〜７０００ｒｐｍの高速で回転させながらウェーハの裏面を所定の厚さに削って行く。上記砥石は、人工ダイヤモンドをフェノール樹脂で固めて成形したものである。この裏面研削工程は、２軸で行うことが多い。また、予め１軸で３２０〜６００番の砥石で荒削りした後、２軸で１５００〜２０００番の砥石で仕上げる方法もある。更には、３軸で研削する方法でも良い。そして、研削が溝に達すると、半導体ウェーハは個々の半導体チップに個片化される。半導体ウェーハが個片化されてからも裏面研削を続けて所定の厚さにすることにより、半導体チップの側面と裏面とが交わる位置に形成されたチッピングを除去することができる。

引き続き、ウェットエッチング、プラズマエッチング、ポリッシング、バフ研磨、あるいはＣＭＰ（Chemical Mechanical Polishing）等により半導体チップの裏面に鏡面加工を施す。これによって、裏面研削の条痕を除去できるので、より抗折強度を高めることができる。

上記裏面研削工程によって半導体ウェーハを個片化した後、半導体チップのピックアップ工程（ＳＴＥＰ５）、リードフレームやＴＡＢテープへのマウント工程（ＳＴＥＰ６）、パッケージへの封止工程（ＳＴＥＰ７）等の実装工程を経て半導体装置が完成される。

上記第１乃至第４の実施形態と第６の実施形態の表面保護テープでは、接着剤層１２にＵＶ硬化型を用いれば、上記ピックアップ工程の前にＵＶ照射を行うことによって接着力を低下させ、半導体チップを表面保護テープから容易に隔離できる。

このような半導体装置の製造方法によれば、裏面研削工程の後においてチップの干渉によるチッピングを抑制できる。

なお、上述した種々の実施形態では、ＤＢＧ技術を用いることを前提に説明したが、裏面研削を行ってからダイシングする製造方法のＢＳＧテープとして用いても良い。この場合には、テープの収縮に起因するウェーハの反りを抑制できる。また、ノッチの検出が容易に行えるようになるため工程時間の短縮も図れる。

以上第１乃至第７の実施形態と種々の変形例を用いてこの発明の説明を行ったが、この発明は上記各実施形態に限定されるものではなく、実施段階ではその要旨を逸脱しない範囲で変形することが可能である。また、上記各実施形態には種々の段階の発明が含まれており、開示される複数の構成要件の適宜な組み合わせにより種々の発明が抽出され得る。例えば各実施形態に示される全構成要件からいくつかの構成要件が削除されても、発明が解決しようとする課題の欄で述べた課題の少なくとも１つが解決でき、発明の効果の欄で述べられている効果の少なくとも１つが得られる場合には、この構成要件が削除された構成が発明として抽出され得る。

この発明の第１の実施形態に係る表面保護テープについて説明するための平面図。 この発明の第１の実施形態に係る表面保護テープについて説明するための断面図。 図１及び図２に示した表面保護テープの変形例を示す平面図。 この発明の第２の実施形態に係る表面保護テープの平面図。 図４に示した表面保護テープの変形例を示す平面図。 この発明の第３の実施形態に係る表面保護テープの平面図。 図６に示した表面保護テープの変形例を示す平面図。 この発明の第４の実施形態に係る表面保護テープの平面図。 図８に示した表面保護テープの変形例を示す平面図。 この発明の第５の実施形態に係る表面保護テープの平面図。 図１０に示した表面保護テープの変形例を示す平面図。 この発明の第６の実施形態に係る表面保護テープの平面図。 図１０に示した表面保護テープの変形例を示す平面図。 図１０に示した表面保護テープの他の変形例を示す平面図。 図１０に示した表面保護テープの更に他の変形例を示す平面図。 図１及び図２に示した表面保護テープの製造方法について説明するための断面図。 図１及び図２に示した表面保護テープの製造方法について説明するための断面図。 図１及び図２に示した表面保護テープの製造方法について説明するための断面図。 図１及び図２に示した表面保護テープの製造方法の他の例について説明するための断面図。 図１及び図２に示した表面保護テープの他の製造方法（第１の変形例）について説明するための断面図。 図１及び図２に示した表面保護テープの他の製造方法（第１の変形例）について説明するための断面図。 図１及び図２に示した表面保護テープの他の製造方法（第１の変形例）について説明するための断面図。 図１及び図２に示した表面保護テープの他の製造方法（第１の変形例）について説明するための断面図。 図１及び図２に示した表面保護テープの他の製造方法（第２の変形例）について説明するための断面図。 図１及び図２に示した表面保護テープの他の製造方法（第２の変形例）について説明するための断面図。 図１及び図２に示した表面保護テープの他の製造方法（第２の変形例）について説明するための断面図。 図１及び図２に示した表面保護テープの他の製造方法（第２の変形例）について説明するための断面図。 図１及び図２に示した表面保護テープの製造方法の更に他の例について説明するための断面図。 この発明の第６の実施形態に係る表面保護テープを用いた半導体装置の製造方法について説明するための工程図。

符号の説明

１０…ウェーハ、１１…ポリオレフィンテープ、１２…接着剤層、１３，１３−１，１３−２，１３−３，１３Ａ，１３Ｂ，１３Ｃ，１３−１Ｄ，１３−２Ｄ…収縮防止メタル層、１４…ノッチ、１５…切り欠き部（マーク）、１６…マーク。

Claims (4)

1. 基材となるノンメタリックテープと、
   前記ノンメタリックテープの一方の面に形成された接着剤層と、
   前記ノンメタリックテープと前記接着剤層との間に介在させた構成で部分的に形成され、前記ノンメタリックテープの収縮を抑制する収縮防止メタル層と
   を具備した半導体ウェーハに貼り付けられて用いられる表面保護テープであって、
   半導体ウェーハにおける半導体素子の形成面に前記接着剤層を介して前記ノンメタリックテープを貼り付けたときに、前記収縮防止メタル層と前記半導体ウェーハとが重なるように前記収縮防止メタル層を設ける
   ことを特徴とする表面保護テープ。
2. 第１のノンメタリックテープと、
   前記第１のノンメタリックテープの一方の面に接着され、前記第１のノンメタリックテープと共に基材となる第２のノンメタリックテープと、
   前記第１のノンメタリックテープと前記第２のノンメタリックテープとの間に部分的に介在され、前記第１，第２のノンメタリックテープの収縮を抑制する収縮防止メタル層と、
   前記第１または第２のノンメタリックテープの一方の面に形成された接着剤層と
   を具備した半導体ウェーハに貼り付けられて用いられる表面保護テープであって、
   半導体ウェーハにおける半導体素子の形成面に前記接着剤層を介して前記第１または第２のノンメタリックテープを貼り付けたときに、前記収縮防止メタル層と前記半導体ウェーハとが重なるように前記収縮防止メタル層を設ける
   ことを特徴とする表面保護テープ。
3. 半導体ウェーハ中に半導体素子を形成する工程と、
   前記半導体ウェーハをダイシングラインに沿ってハーフカット・ダイシングして素子形成面に溝を形成する工程と、
   前記半導体ウェーハにおける前記半導体素子の形成面に表面保護テープを貼り付ける工程と、
   前記半導体ウェーハにおける前記半導体素子の形成面の裏面を、少なくとも前記溝に達する深さまで除去する工程とを具備し、
   前記表面保護テープは、
   基材となるノンメタリックテープと、
   前記ノンメタリックテープの一方の面に形成され、前記半導体ウェーハにおける前記半導体素子の形成面に貼り付けられる接着剤層と、
   前記ノンメタリックテープと前記接着剤層との間に介在させた構成で部分的に形成され、前記ノンメタリックテープの収縮を抑制する収縮防止メタル層とを備え、
   前記半導体ウェーハにおける前記半導体素子の形成面に前記接着剤層を介して前記ノンメタリックテープを貼り付けたときに、前記収縮防止メタル層と前記半導体ウェーハとが重なるように前記収縮防止メタル層を設ける
   ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
4. 半導体ウェーハ中に半導体素子を形成する工程と、
   前記半導体ウェーハをダイシングラインに沿ってハーフカット・ダイシングして素子形成面に溝を形成する工程と、
   前記半導体ウェーハにおける前記半導体素子の形成面に表面保護テープを貼り付ける工程と、
   前記半導体ウェーハにおける前記半導体素子の形成面の裏面を、少なくとも前記溝に達する深さまで除去する工程とを具備し、
   前記表面保護テープは、
   第１のノンメタリックテープと、
   前記第１のノンメタリックテープの一方の面に形成され、前記第１のノンメタリックテープと共に基材となる第２のノンメタリックテープと、
   前記第１のノンメタリックテープと前記第２のノンメタリックテープとの間に部分的に介在され、前記第１，第２のノンメタリックテープの収縮を抑制する収縮防止メタル層と、
   前記第１または第２のノンメタリックテープの一方の面に形成され、前記半導体ウェーハにおける前記半導体素子の形成面に貼り付けられる接着剤層とを備え、
   前記半導体ウェーハにおける前記半導体素子の形成面に前記接着剤層を介して前記第１または第２のノンメタリックテープを貼り付けたときに、前記収縮防止メタル層と前記半導体ウェーハとが重なるように前記収縮防止メタル層を設ける
   ことを特徴とする半導体装置の製造方法。

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