JP4867108B2

JP4867108B2 - 袋状容器の製造装置

Info

Publication number: JP4867108B2
Application number: JP2001262254A
Authority: JP
Inventors: 秀夫倉島; 正一稲葉
Original assignee: Toyo Seikan Kaisha Ltd
Current assignee: Toyo Seikan Kaisha Ltd
Priority date: 2001-08-30
Filing date: 2001-08-30
Publication date: 2012-02-01
Anticipated expiration: 2021-08-30
Also published as: JP2003075413A

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、内容物を注口部へ送り出しやすくするための溝部を形成したフィルム製の袋状容器の製造装置に関し、特に、上記溝部の検査を袋状容器の製造工程中に組み込むことによって、製造と検査を一体化した袋状容器の製造装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、台所洗剤や洗濯洗剤，糊剤，漂白剤，洗髪洗剤，洗顔洗剤等、各種の液体製品は、内容物がなくなってもプラスチック樹脂等からなる容器本体が半永久的に使用できることから、内容物のみが詰替え用と提供されるようになっている。このような場合、詰替え用の容器としては、軽量で耐久性，耐水性に富み、処分も容易なフィルム製の袋状容器が使用されている。
【０００３】
このような袋状容器では、内容物を他の容器に移し替える際の容易性，利便性を向上させるため、フィルムに、内容物を注口部まで送り出す溝部が施されることがある。
これは、フィルム製の袋状容器が有する、柔軟性，可撓性に富むという長所が、液体の詰替え等の際には、容器が撓み易く、特に大容量の液体容器として使用した場合、所望の方向や箇所に内容物を流出させることが難しくなるという短所となってしまうためである。
そこで、このようなフィルム製の袋状容器の柔軟性，可撓性を補完するとともに、容器内における内容物の流動性をよくするため、注口部と容器本体との間に溝部を形成した袋状容器が開発されるようになった。
【０００４】
図２１は、この種の溝部加工が施された袋状容器を示し、図２１（ａ）は容器全体の外観図を示し、図２１（ｂ）は図２１（ａ）のＡ−Ａ線拡大切断図を示している。
溝部の成形加工は、フィルム２（２ａ，２ｂ）が貼り合わされる前の工程で、容器１の注口部４の近傍に溝部を形成するもので、図２１に示す容器１では、液体の流出方向に沿って二本の溝部３（３ａ，３ｂ）が、フィルム２ａ，２ｂの外（表）面側に膨出するよう成形されている。
このような溝部を成形することにより、袋状容器の撓みが規制されるとともに、液体は溝部３ａ，３ｂに沿って注口部４から流出されるので、液体の詰替え等が容易かつ確実に行えるようになる。
【０００５】
ところで、このような溝部３ａ，３ｂをフィルム２ａ，２ｂ上に加圧成形すると、加工時の加圧力によって、溝部やその近傍にクラックやピンホール等が生じることがあった。特に、フィルムの散粉剤が固まったりした異物を成形時にかみ込むと、クラックやピンホールが生じやすかった。
このため、このような溝部３ａ，３ｂを形成するフィルム２ａ，２ｂに対しては、溝部の成形加工後、フィルムを重ね合わせる前に、フィルムの溝部３ａ，３ｂやその近傍にクラック等の欠陥が生じているかどうかの検査を行うことが必要であった。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、従来は、この種の袋状容器は、容器内に内容物を充填した最終製品の段階で、内容物の漏れがあるか否かの検査を行うことによって、容器全体の検査と同時に溝部の欠陥検査を行っていた。
しかしながら、内容物を充填した後における検査で、不良品を検出した場合には、容器だけでなく内容物も廃棄することになり、経済的に好ましくなかった。特に、溝部の欠陥は、他の部分の欠陥に比べると発生率が高いことから、内容物を充填する前の段階での検査が望まれていた。
このような観点から、内容物を充填する前の容器に対して検査を行うことも考えられるが、この場合には、容器として完成した後に製造工程と別個に検査工程を設けて行うため、製造装置と、別個に検査装置を設備しなければならず、設備投資に費用がかかり、コスト的に好ましくなかった。
【０００７】
本発明は、このような事情にかんがみてなされたものであり、溝部を形成したフィルム製の袋状容器を製造するに際し、溝部の欠陥検査をフィルムの段階で実行することにより、その欠陥の検出を製造工程の一環として行えるようにした袋状容器の製造装置の提供を目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するため、本発明の袋状容器の製造装置は、袋状容器を形成するためのフィルムを供給するフィルム供給手段と、このフィルム供給手段から送られてきたフィルムに、袋状容器の注口部に一部が位置する溝部を成形する溝部成形手段と、前記溝部の欠陥を検出するための欠陥検出手段と、この欠陥検出手段において検査が行われたフィルムを重ね合わせて、縁部をシールするシール手段と、重ね合わせられかつ縁部をシールされたフィルムを、所定の形状の袋状容器に裁断する裁断手段とを具備し、前記欠陥検出手段が、フィルムに電圧を印加して電流計で検知される電流値が最大値に到達した後、所定時間経過後の電流値の積分値を算出し、積分値が所定の値を超えたときに前記フィルムに欠陥ありと判定する構成としてある。
【００１１】
これにより、溝部の欠陥検出手段を、袋状容器の製造装置中の一手段として組み込むことができる。
【００１２】
また、これにより、一定期間の充電電流及び放電電流の積分値を算出し、この積分値に基づいてフィルム上の欠陥の有無を判定することができるので、単なる充電電流の波高値の比較ではなく、電流値の積分値の比較によってフィルムの良否を判定することができる。
フィルムに欠陥がない場合には、通常のコンデンサと同様、充電電流は、充電終了後、小さくなるのに対し、フィルム上にクラック等の欠陥がある場合に生じる放電電流は、正常な場合の充電電流よりも長い時間電流が流れることになる。
従って、フィルムに欠陥がある場合の電流値の積分値は、欠陥がない場合の電流値の積分値と比較して大きくなるので、この積分値を所定の判定基準値と比較，判定することにより、フィルムの良否を明確に判別することができる。
【００１３】
この結果、充電電流の増大や、単発的，偶発的に生じる気中放電によって、充電電流と放電電流の波高値の区別が困難となる場合でも、検知される電流値の積分値を比較，判定することにより、両者を明確に区別することができ、溝部の成形等によって生ずるフィルム上の欠陥を確実に検出することが可能となる。
特に、充電電流が最大値に到達して充電が終了した後、一定時間経過後の積分電流値を算出，判定することにより、単発的，偶発的に発生する気中放電等の影響を無視することができ、より確実かつ正確なフィルムの良否の判定を行うことができる。
【００１４】
また、本発明の袋状容器の製造装置を、前記フィルム供給手段が、フィルムを、上下方向において二条連続して送り出し、前記溝部成形手段と欠陥検出手段がこれら二条のフィルムについてそれぞれ設けられ、二条のフィルムに対してそれぞれ溝部を成形するとともに、成形した溝部の欠陥検出を行う構成とすることもできる。
これにより、袋状容器を形成する二枚のフィルムに対し、同時に溝部を成形し、かつ、成形した溝部の欠陥検査を同時に行うことができる。
【００１５】
また、この場合、前記欠陥検出手段が、立上げ時間を遅延させつつ電圧を印加するとともに、このとき流れる電流値が所定の値を超えたときに前記フィルムに欠陥ありと判定する構成とすることが好ましい。
【００１６】
これにより、フィルムの充電電流を小さくすることができる。これは、コンデンサ（キャパシタ）に直流電圧を印加する場合の充電電流は、キャパシタンスを比例定数とする電圧の時間微分に比例するので（ｉ＝Ｃ・ｄｖ／ｄｔ）、電圧印加手段で印加電圧の立上げ時間を遅らせることにより、コンデンサを構成するフィルムの充電電流を小さくすることができるからである。
この結果、フィルムの充電電流の波高値を低くすることができ、欠陥のない場合の充電電流の波高値とクラック等の欠陥がある場合に生じる放電電流の波高値の差を大きくすることができ、両者を明確に区別することができる。
【００１７】
また、本発明の袋状容器の製造装置は、前記欠陥検出手段を、電圧を印加するとともに、このときの印加電圧の低下量を算出し、算出した電圧低下量が所定の値を超えたときに前記フィルムに欠陥ありと判定する構成とすることもできる。
この場合、前記欠陥検出手段を、前記電圧低下量の積分値を算出し、この積分値が所定の値を超えたときに前記フィルムに欠陥ありと判定する構成とすることもできる。
【００１８】
これにより、充電電流の波高値によらず、印加電圧の電圧低下量が所定の値を超えるか否かによってフィルムの良否を判定することができる。
フィルムに印加される電圧は、フィルム上に欠陥のない正常な場合には一定の傾斜をもって上昇及び低下する。これに対し、フィルム上にクラック等の欠陥がある場合は、大きな放電電流が流れることにより、印加されている電圧が低下し、その結果、放電が止まり、再び電圧が上昇して放電電流が流れる、というように放電の繰り返しが激しく生ずることになる。
従って、フィルムに欠陥がある場合の電圧低下量は、欠陥がない場合の電圧低下量と比較して大きくなるので、この印加電圧の低下量を検出，判定することで、フィルム上の欠陥の有無を確実に検出することが可能となる。
【００１９】
特に、印加される電圧の低下量の積分値を算出すると、電圧が激しく昇降を繰り返す欠陥時と、電圧の昇降が生じない正常時とでは、フィルム上に欠陥がある場合の電圧低下量の積分値が、欠陥がない場合の電圧低下量の積分値と比較して大きくなる。
従って、この電圧低下量の積分値を算出，判定することにより、フィルムの欠陥の有無によって積分値の差が大きくなるので、両者を明確に区別することができ、より正確なフィルムの良否の判定が行えるようになる。
【００２０】
また、本発明の袋状容器の製造装置は、前記フィルムが、樹脂層の間に金属膜層を有する多層フィルムとした構成としてある。
本発明は、袋状容器を構成するフィルム全般に適用することができるが、金属膜層を有する多層フィルムを用いた袋状容器の製造装置において、より好適に適用できる。
すなわち、金属箔層やアルミ蒸着層等の金属膜層を有する多層フィルムでは、金属膜層がフィルム全体に形成されるため、金属膜層の面積が大きくなり、電極と多層フィルムで構成されるコンデンサの静電容量が増大し、充電電流が大きくなってしまうため、正常な場合の充電電流と、クラック等により生じる放電電流との区別がつけにくい。また、金属膜層に高い電圧が誘起されて気中放電が発生することがあるため、欠陥のない正常なフィルムに高電圧を印加した場合にも、検知される電流値が大きくなり、クラック等の欠陥がある場合に流れる放電電流との区別がつけにくい、といった問題点を有するが、本発明によれば、これらの問題を解消する。
【００２１】
また、本発明の袋状容器の製造装置は、前記欠陥検出手段が、多層フィルムの厚みの大きい樹脂層側を高電位、厚みの小さい側を低電位として電圧を印加する構成とすることもできる。
これにより、充電電流を小さくすることができる。すなわち、コンデンサを構成する多層フィルムでは、厚みの小さい樹脂層側の方が、厚みの大きい樹脂層側よりキャパシタンスが大きくなるので分担電圧は低くなる。従って、厚みの小さい樹脂層側を低電位とし、厚みの大きい樹脂層側を高電位として電圧を印加することで、多層フィルムの金属膜層に誘起される電圧を低くすることができ、多層フィルムの充電電流の増大化を抑制することができる。
【００２２】
この結果、従来法で採用されていた、多層フィルムの層厚の暑い側を低電位、薄い側を高電位とする電極構造に比較して、５０％以上充電電流を小さくすることが可能となり、欠陥のない場合の充電電流の波高値と、クラック等の欠陥のある場合に生じる放電電流の波高値とを明確に区別することができ、溝部成形等によって生じるフィルム上の欠陥の有無を容易かつ正確に検出することができる。
【００２３】
また、本発明の袋状容器の製造装置は、接地された導電体を、絶縁部材を介して、又は接触面積を小さくして前記多層フィルムの表面に接触させた場合に、前記欠陥検出手段が、前記多層フィルムの厚み方向に対し、前記金属膜層を基準にして厚みの大きい樹脂層側を低電位、厚みの小さい樹脂層側を高電位として電圧を印加する構成とすることができる。
【００２４】
上記のようにすると、多層フィルムに印加される電圧が、金属膜層を基準にして多層フィルムの厚みの大きい（厚い）樹脂層側を低電位、厚みの小さい（薄い）樹脂層側を高電位となる場合でも、例えば接地された溝部成形手段等、多層フィルムに接触する金属等の導電体を、絶縁部材を介して間接的に又は接触面積を小さくして直接、多層フィルムの表面に接触させることにより、充電電流を小さくすることができる。
【００２５】
通常、溝部成形手段の金型等は、安全のためにアース（接地）されていることから、多層フィルムの厚みの厚い樹脂層側を低電位、厚みの薄い樹脂層側を高電位とする電極印加方法（比較装置）を採用すると、キャパシタンスが小さくなる樹脂側に対して、アースされた金型等に挟まれた多層フィルムの大きなキャパシタンスが合成されることになり、電極間のキャパシタンスが増大し、充電電流が非常に大きくなってしまう。
この場合、溝部成形手段の金型等のアースを取り外すことで充電電流を抑制することが可能であるが、実際には、安全を確保するために備えられている金型等のアースを取り外すことは不可能であった。
【００２６】
そこで、多層フィルムに接触する溝部成形手段の金型等の導電体とフィルム表面の間に絶縁部材を介在させるか、又はフィルム表面に接触する金型等の導電体の接触面積を小さくすることにより、金型等からアースを取り除いた場合と同程度に充電電流を小さくするようにしてある。
これにより、金属膜層にかかる電圧も、比較装置の半分以下とすることができ、安全性が向上するとともに、充電による電荷量も小さくすることができ、後の工程への影響をなくすことができる。
【００２７】
また、本発明の袋状容器の製造装置は、前記欠陥検出手段の下流の少なくとも一カ所に、フィルムに帯電した電荷を除電するための除電手段を配置した構成としてある。
これにより、欠陥検出手段で電圧を印加した際にフィルムに帯電した電荷を、確実に除去することが可能となる。その結果、電荷の帯電に起因するフィルムの付着現象を防止して、後工程におけるフィルムの処理が容易となる。
【００２８】
【発明の実施の形態】
以下、本発明にかかる袋状容器の製造装置の好ましい実施形態について説明する。
まず、図１にもとづいて、本発明にかかる袋状容器の製造装置の実施形態について説明する。
図１は、装置の全体を示す概略図であり、１０はフィルムの原反ロール、２０はフィルムの供給手段、３０は溝部成形手段、４０は欠陥検出手段、５０は除電手段、６０はボトムシール手段、７０はサイドシール手段、８０はカットライン加工手段、９０は裁断手段である。
【００２９】
原反ロール１０
原反ロール１０は、一条のフィルム（本実施形態では多層フィルム）２を順次送り出し、フィルム２がなくなると交換される。
なお、以下の説明では、フィルム２として、図２に示すような、外（表）層となるナイロン層２₁と、外（裏）層となるＰＥＴ層２₂及びＰＥ層２₃の間に、内層となる金属膜層２_４を備えた多層フィルム（以下、単にフィルムと称することがある。）を対象とするが、本発明は、上記多層フィルム以外のフィルムにも適用できる。
【００３０】
フィルム供給手段２０
フィルム供給手段２０は、原反ロール１０から送られてきたフィルム２を中心線上で順次切断して幅方向に二等分し、二条のフィルム（上部フィルム２ａ，下部フィルム２ｂ）を供給する。また、このフィルム供給手段２０は、フィルムのチャンバ機構を有しており、たとえば、４０〜５０ｍのフィルムを貯留できるようになっている。このチャンバ機構を有することにより、原反ロール１０の交換時に、一時的に原反ロールからフィルムが供給されない場合おいても、製造装置にフィルムを連続して供給することが可能となる。
【００３１】
溝部成形手段３０
溝部成形手段３０は、上部成形機と下部成形機からなっており、これら成形機の金型によって、図３に示すような溝部３ａ，３ｂをそれぞれのフィルム２ａ，２ｂに成形する。
この溝部成形手段（成形機）３０としては、金型を上記溝部３ａ，３ｂの形状と対応したものとすれば、公知のプレス機構などからなる成形機を採用することができる。
【００３２】
なお、図３において、（ａ）は上部のフィルム２ａを外表面側から見た状態を示しており、（ｂ）は下部のフィルム２ｂ内表面側から見た状態を示している。ここで、上部フィルム２ａに成形される溝部３ａは、図３（ａ）において裏側（内表面側）に形成され、表側（外表面側）は溝部３ａと同形状に膨出している。
したがって、図３（ａ）では溝部３ａを鎖線で示している。
【００３３】
このようにして、袋状容器１に溝部３（３ａ，３ｂ）を成形すると、可撓性に富むフィルム製容器における一種のリブとして機能してフィルム撓みが規制され、また、容器の内容物となる液体の流路として機能する。
【００３４】
欠陥検出手段４０
欠陥検出手段４０は、溝部成形手段３０で溝部３ａ，３ｂを成形したときに、フィルム２ａ，２ｂの溝部及びその近辺に生じるクラックやピンホール等の欠陥を検査（検出）するためのものであり、上部フィルム２ａを検査する上部欠陥検出手段４０ａと下部フィルム２ｂを検査する下部欠陥検出手段４０ｂとからなっている。
欠陥検出手段４０（４０ａ，４０ｂ）としては、次の第一〜第五実施形態のものを用いることができる。
【００３５】
（第一実施形態）
第一実施形態にかかる欠陥検出手段４０は、図４に示すように、電圧印加手段となる高電圧電源４１及び電極４２と、電流計４３及び良否判定回路４４を備えている。
【００３６】
高電圧電源４１は、多層フィルム２の厚み方向に配設される一対の電極４２（４２ａ，４２ｂ）を介して、多層フィルム２に形成された溝部３に高電圧を印加するようになっている。
本実施形態では、溝部３に約１０００〜１００００ボルト、好ましくは、２０００〜８０００ボルトの高電圧を印加する電源となっている。
多層フィルム２は、表層のナイロン層２₁が約１５μｍと薄いため、印加電圧を高くし過ぎると破壊されるおそれがある。
そこで、本実施形態では、高電圧電源４１の印加電圧を約１０００〜１００００ボルトとしてある。
【００３７】
一対の電極４２は、図４及び図５に示すように、一方が高電位となる導電性ブラシ電極４２ａ、もう一方が低電位（アース電位）となる金属電極４２ｂにより構成してある。
具体的には、導電性ブラシ電極４２ａは溝部３より一回り大きな面積を有し、金属電極４２ｂは溝部３をカバーする大きさの長方形状に形成してある。
導電性ブラシ電極４２ａは、電極の先端が針状となるので、先端の電界強度が高くなり、印加電圧を高くすることなく、クラック，ピンホール等の検出性を向上させることが可能であり、特に溝状に形成され、他のフィルム表面と高低差のある溝部３を検査する欠陥検出装置４０の電極として好適である。
【００３８】
なお、電極４２を導電性ブラシで構成する場合、多層フィルム２の散粉剤が電極に溜まることがあるので、これを防止するために、印加電圧は、間欠印加又は間欠接触とすることが好ましい。
また、この電極４２の形状としては、双方とも導電性ブラシ電極又は金属電極とすることもでき、溝部３の表面に均等に接触できる限り、他の電極を採用してもよい。
【００３９】
電流計４３は、図４に示すように、高電圧電源４１に直列に接続される電流検知手段で、高電圧電源４１の印加電圧により発生する電流を検知するようになっている。
多層フィルム２の厚み方向に高電圧電源４１により高電圧が印加されると、一対の電極４２と多層フィルム２によりコンデンサが構成されて充電電流が流れることになり、この電流値が電流計４３で検知されるようになっている。
ここで、多層フィルム２にクラック等の欠陥があると、孔の大きさ等に関係したインピーダンスでコンデンサと並列に接続回路が形成されたことになり、放電電流が発生し、この放電電流が電流計４３で検知されることになる。
【００４０】
そして、本実施形態では、電圧印加手段となる高電圧電源４１が、多層フィルムへの電圧印加の立上げ時間を遅延させるようにしてある。
コンデンサ（キャパシタ）に直流電圧を印加する場合の充電電流は、キャパシタンスを比例定数とする電圧の時間微分に比例する（ｉ＝Ｃ・ｄｖ／ｄｔ）。
従って、高電圧電源４１による印加電圧の立上げ時間を遅らせることにより、発生する充電電流を小さくすることができる。
【００４１】
これまで、アルミ蒸着層等からなる金属膜層２_４を有する多層フィルム２では、フィルム全体に形成される金属膜層２_４によって静電容量が増大し、印加電圧によって生じる充電電流が大きくなってしまい、クラック等の欠陥によって生じる放電電流と区別がつかなくなり、正確な欠陥判定が行えなかった。
そこで、本実施形態では、高電圧電源４１による印加電圧の立上げ時間を遅らせることにより、発生する充電電流を小さくするようにしてある。
【００４２】
具体的には、本実施形態では、高電圧電源４１による印加電圧の最大値までの立上げ時間を、例えば、２０００ボルトの印加電圧を通常は５０ｍｓで立ち上げるところを、１００〜１５０ｍｓ程度に遅延させるようにしてある。
このように印加電圧の立上げ時間を遅らせると、電圧の時間微分（ｄｖ／ｄｔ）が小さくなるので、キャパシタンスを比例定数とする電圧の時間微分に比例定数とする充電電流（ｉ＝Ｃ・ｄｖ／ｄｔ）の値を小さくすることができる。
そして、この電流計４３で検知された電流値が良否判定回路４４に入力され、検知された電流値に基づく多層フィルム２の欠陥の有無の判定が行われる。
【００４３】
良否判定回路４４は、図４に示すように、設定部４４ａと比較部４４ｂを備えている。
設定部４４ａは、電流計４３で検知される電流値と比較される所定の判定基準値が予め設定されており、本実施形態では、多層フィルム２に欠陥がない場合に流れる充電電流値を判定基準値として設定してある。
本実施形態では、上述したように、多層フィルム２の充電電流の波高値を低くすることができるので、クラック等の欠陥がある場合に生じる放電電流の波高値との差を大きくすることができ、両者を明確に区別することができる。
これによって、良否の判定基準値として多層フィルム２に欠陥がない場合の充電電流の電流値を設定して、この判定基準値を超える電流が検知された場合に欠陥ありと判定することができる。
【００４４】
比較部４４ｂは、電流計４３で検知された電流値と、設定部４４ａに予め設定された設定値が入力されるようになっており、両者を比較して、多層フィルム２の欠陥の有無を判定する判定手段となっている。
具体的には、まず、多層フィルム２に欠陥がない正常な場合には、印加電圧の立上げ時間が遅くなることから、充電電流の値が小さくなり、電流計４３で検知される電流の波高値も小さくなる。
そして、この波高値は、設定部４４ａに設定された判定基準値と同じ値となるので、比較部４４ｂでは、多層フィルム２に欠陥がないと判定される。
【００４５】
一方、多層フィルム２にクラック等の欠陥（図５（ｂ）の欠陥部２_５参照）がある場合は、印加電圧によって放電電流が発生し、瞬間的に大きな電流が流れ、電流計４３で検知される電流の波高値も、欠陥がない場合の波高値よりも大きくなる。
従って、この波高値は、設定部４４ａに設定された判定基準値より大きくなるので、比較部４４ｂでは、多層フィルム２に欠陥があると判定されることになる。
これによって、多層フィルム２の欠陥の有無が検出され、特に、金属膜層２_４の存在によって充電電流が大きくなって、クラック等の欠陥によって生じる放電電流と区別がつかなくなるという従来の問題を解消することができる。
【００４６】
なお、比較部４４ｂにおける判定結果は、信号として出力され、例えば、図示しないディスプレイ等を介して外部に表示等されることになる。
また、このように検知される電流の波高値に基づいて多層フィルム２の欠陥の有無を判定する良否判定手段として、電流値を検知する電流計４３のモニタを人的に監視することによって良否判定を行うことも可能である。
【００４７】
以上説明したように、多層フィルム２に高電圧を印加する電圧印加手段となる高電圧電源４１が、印加電圧の最大値までの立上げ時間を遅延させることにより、金属膜層２_４を有する多層フィルム２の充電電流を小さくすることができる。
これにより、特に、金属膜層２_４を有する多層フィルム２の充電電流の波高値を小さくすることができるので、欠陥のない場合の充電電流の波高値とクラック等の欠陥がある場合に生じる放電電流の波高値との差を大きくして、両者を明確に区別することができ、多層フィルム２上の欠陥の有無を容易かつ正確に検出，判定することが可能となる。
しかも、本実施形態では、高電圧電源４１において印加電圧の立上げ時間を遅延させるようにしてあるので、特別な装置や複雑な手段等を別途必要とすることなく、既存の装置を利用して多層フィルム２の良否を正確に判定することができる。
【００４８】
（第二実施形態）
第二実施形態にかかる欠陥検出手段４０は、上述した第一実施形態の変形実施形態であり、第一実施形態における欠陥検出装置に、フィルムの欠陥の有無を検出，判定する良否判定手段となる積分器，ゲートパルス回路及び積分電流判定回路を備えることにより、充電電流の積分値を算出，判定することによりフィルムの良否を判定するようにしたものである。
従って、その他の構成部分は、第一実施形態と同様となっており、同様の構成部分については、図中で第一実施形態と同一符号を付し、詳細な説明は省略する。
【００４９】
本実施形態の欠陥検出装置４０として、図６に示すように、フィルム２の欠陥の有無を判定する良否判定手段４５となる積分器４５ａ，ゲートパルス回路４５ｂ及び積分電流判定回路４５ｃを備えている。
この積分器４５ａ，ゲートパルス回路４５ｂ及び積分電流判定回路４５ｃからなる良否判定手段４５は、電流計４３で検知される電流値に基づき、充電電流及び放電電流の積分電流値を算出するとともに、この積分電流値を所定の判定基準値と比較することによって、フィルム２の良否を判定するようになっている。
具体的には、積分電流判定回路４５ｃは、電流計４３から入力される電流値の積分値を算出する演算部、所定の判定基準値を設定する設定部、算出された積分電流値を判定基準値と比較する比較部を備えるようになっている（図示省略）。
そして、算出された電流値の積分値が、予め設定された所定の判定基準値より大きいときに、フィルムに欠陥があるものと判定されようになっている。
なお、積分電流判定回路４５ｃによる判定結果については、所定の態様で外部に表示等される。
【００５０】
以下、本実施形態における積分電流値を用いたフィルムの良否判定方法について、図７及び図８を参照しつつ、多層フィルム２に４０００ボルトの高電圧が印加される場合を例にとって説明する（図７及び図８（ａ）参照）。
４０００ボルトの高電圧が印加されると、まず、多層フィルム２に欠陥がない場合には、図７に示すように、充電電流として最大値が約２ｍＡの電流が流れ、充電が終了した後は、電流値は短時間で小さくなる（図８（ｂ）参照）。
これに対し、多層フィルム２にクラック等の欠陥がある場合には、クラック等によって電極間に放電が生じ、図７及び図８に示すように、最大値が充電電流とほぼ等しい約２ｍＡの放電電流が、正常な場合の充電電流よりも長い時間電流が流れることになる（図８（ｃ）参照）。
【００５１】
この場合、電流計４３で検知される電流の波高値は、正常時，異常時とも約２ｍＡとなり、この波高値のみでは両者を判別することはできない。
一方、良否判定手段４５の積分電流判定回路４５ｃでは、電流計４３で検知される充電電流及び放電電流について、一定期間における所定の閾値を超える電流値の積分値が算出されるようになっており、図７及び図８に示すように、算出される積分値は、異常時の方が正常時よりも大きくなる（図８（ｄ）参照）。
この積分値が、所定の判定基準値と比較されることにより、積分値が判定基準値より大きいときには多層フィルム２に欠陥があるものと判定され、これによって、多層フィルム２上の欠陥の有無が検出されることになる。
【００５２】
このように電流値の積分値を用いて多層フィルム２の良否判定を行うことにより、瞬間的に生じる放電の影響を無視することができる。
上述したように、電圧印加により多層フィルム２の欠陥を検出しようとする場合、クラック等の欠陥により発生する放電に加えて、多層フィルム２の金属膜層２_４が導体となって高い電圧が誘起され、溝部成形手段３０のフレーム等との間で気中放電を生じることがある。
このような気中放電が生じると、欠陥のない正常な部分に高電圧を印加した場合でも、検知される電流値が大きくなるため、電流の波高値を比較するだけでは、欠陥がある場合に流れる放電電流と区別がつかない場合がある。
【００５３】
そこで、電極間に流れる電流の一定期間の積分値を算出し、この積分値に基づいて欠陥の有無を判定することにより、瞬間的に流れる電流の影響を無視することが可能となる。
これにより、本実施形態の欠陥検出装置４０では、多層フィルム２の充電電流が増大しても、また、高電圧印加による単発的，偶発的な気中放電が生じた場合でも、積分電流判定回路４５ｃで電流値の積分値を算出し、これを所定の判定基準値と比較することによって、多層フィルム２の欠陥を確実に検出することが可能となる。
【００５４】
さらに、本実施形態の積分電流判定回路４５ｃでは、電流計４３で検知される電流値が最大値に到達した後、所定時間経過以後の電流値の積分値を算出し、これによって多層フィルム２の欠陥の有無を判定するようにしてある。
図８に示すように、多層フィルム２に欠陥がない正常時と、欠陥のある異常時とでは、電流値が最大値に到達する時間はほぼ等しく、ほとんど差がない。
一方、電流値が最大値に到達した後は、正常な場合には、充電終了後短時間で電流値が小さくなるのに対し、欠陥がある場合には、電流値は最大値のまま一定期間継続する。
【００５５】
そこで、本実施形態の積分電流判定回路４５ｃでは、図８に示すように、充電電流及び放電電流が最大値に到達して充電が終了した後、一定時間、例えば、１０ｍｓｅｃ経過した後の積分電流値を算出するようにしてある。
これによって、正常時と異常時における積分値の差をより大きくすることができ、両者の判別をより容易かつ明確に行えるようになる。
これにより、図８（ｄ）に示すように、所定の判定基準値を予め設定しておき、この判定基準値を超える場合を異常、すなわち多層フィルム２に欠陥があると判定し、この判定基準値を超えない場合には正常、すなわち多層フィルム２に欠陥なしと判定することができる。
【００５６】
以上のように、本実施形態にかかるフィルムの欠陥検出方法及び欠陥検出装置では、良否判定手段４５として積分電流判定回路４５ｃを設けることにより、多層フィルム２上の欠陥の有無を、単なる充電電流の波高値の比較ではなく、一定期間の電流値の積分値を算出，比較することにより判定するようにしてある。
すなわち、電極間に一定期間流れる電流値の積分値は、多層フィルム２に欠陥があると、欠陥がない正常の場合と比較して積分値が大きくなるので、この積分値を比較，判定することで、電流の波高値によることなく、多層フィルム２の欠陥の有無を正確に検出することができる。
【００５７】
これにより、特に、多層フィルム２の金属膜層２_４による充電電流の増大や、単発的，偶発的に生じる気中放電によって、電流計４３により検知される電流の波高値ではその区別が困難となる場合でも、電流値の積分値の比較によって多層フィルム２の欠陥を確実に検出することができ、正確な良否判定を行うことが可能となる。
特に、充電電流が最大値に到達して充電が終了した後、一定時間経過後の積分電流値を算出して判定することにより、単発的，偶発的に発生する気中放電等の影響を無視することができ、より確実かつ正確な多層フィルム２の良否の判定を行うことができる。
しかも、本実施形態では、既存の回路と同様の構成からなる積分電流判定回路４５において充電電流の積分値を算出，判定するようにしてあるので、特別な装置や複雑な手段等を別途必要とすることなく、既存の装置を利用して多層フィルム２の良否を正確に判定することができる。
【００５８】
なお、本実施形態の欠陥検出装置４０において、第一実施形態の場合と同様に、電圧印加手段となる高電圧電源４１について、多層フィルム２への電圧印加の立上げ時間を遅延させる構成とすることもできる。
このようにすると、高電圧電源４１が印加電圧の最大値までの立上げ時間を遅延させることにより、特に、金属膜層２_４を有する多層フィルム２の充電電流を小さくすることができ、多層フィルム２の欠陥の有無を充電電流の積分値に基づいて判定する本実施形態においても、充電電流の波高値を低くして、放電電流と波高値との差を明確にすることができ、欠陥検出装置として、より正確な良否判定を行うことができる。
【００５９】
（第三実施形態）
第三実施形態にかかる欠陥検出手段４０は、上述した第一実施形態の変形実施形態であり、欠陥検出装置４０として、高電圧電源４１と電極の間に直列に接続された高耐圧抵抗器４８と、電極の印加電圧の低下量を検知する分圧抵抗器４６ａ及び検知された電圧低下量を判定する電圧低下判定回路４６を備えることにより、印加電圧の低下量と積分値を算出，判定することによりフィルムの良否を判定するようにしたものである。
これは、図９に示すように、高電圧電源なる高電圧印加装置４１と電極４２の間に高耐圧抵抗器４８を直列に接続することにより、充電電流や放電電流が流れると、電極４２にかかる電圧が低下することを利用したものである。
【００６０】
電圧低下判定回路４６は、電極４２に並列に接続された分圧抵抗器４６ａに接続され、この分圧抵抗器４６ａの電圧を検知することにより、電極４２に印加される電圧の低下量を検知するとともに、検知された印加電圧の低下量の積分値を算出するようになっている。
具体的には、電圧低下判定回路４６は、電極の印加電圧の低下量検知電圧の入力部、電極印加電圧低下量の積分値を算出する演算部、所定の判定基準値を設定する設定部、算出された電圧低下量及び／又はその積分値を判定基準値と比較する比較部を備えるようになっている（図示省略）。
そして、電圧低下量及び／又はその積分値が、予め設定された所定の判定基準値より大きいときに、多層フィルム２に欠陥があるものと判定される。
なお、この電圧低下判定回路４６での判定結果についても、所定の態様で外部に表示等されることになる。
【００６１】
以下、印加電圧の低下量を用いた本実施形態におけるフィルムの良否判定方法について、図９及び図１０を参照しつつ説明する。
多層フィルム２に電圧が印加されると、印加電圧は、フィルム上に欠陥のない正常な場合、一定の傾斜をもって上昇及び低下する。
これに対し、多層フィルム２上にクラック等の欠陥がある場合、大きな放電電流が流れることになり、これによって印加されている電圧が低下する。その結果、放電が止まり、再度電圧が上昇して放電電流が流れる、というように放電の繰り返しが激しく生ずることになる（図１０に示す「異常」参照）。
従って、電圧低下判定回路４６において、この印加電圧の低下量及び／又はその積分値を算出することで、多層フィルム２上の欠陥の有無を確実に検出することができる。
【００６２】
具体的には、まず、電圧低下判定回路４６では、分圧抵抗器４６ａを介して電極４２の印加電圧の低下量とその積分値が算出される。
図９に示すように、電圧が激しく昇降を繰り返す異常時の場合、電圧の昇降が生じない正常時よりも積分値が大きくなる。
従って、算出された電圧低下量の積分値を比較，判定することにより、両者を明確に判別することができる。
本実施形態では、電圧低下判定回路４６の図示しない設定部に所定の判定基準値を設定してあり、検知、算出された電圧低下量やその積分値が、図示しない比較部において判定基準値と比較される。
そして、比較の結果、判定基準値を超える場合は「異常」、すなわち多層フィルム２に欠陥があると判定され、判定基準を超えない場合は「正常」、すなわち多層フィルム２に欠陥なしと判定されるようになっている。
【００６３】
このように、多層フィルム２に欠陥がある場合の電圧低下量及びその積分値は、欠陥がない場合の電圧低下量，積分値と比較して大きくなるので、これによって当該多層フィルムの欠陥の有無を判定することが可能となる。
これによって、充電電流の増大や、気中放電が生じる場合でも、電圧低下判定回路４６によって印加電圧の低下量とその積分値を算出，比較することで、多層フィルム２の欠陥を確実に検出することができる。
【００６４】
以上説明したように、本実施形態にかかるフィルムの欠陥検出方法及び欠陥検出装置によれば、印加電圧の低下量を検知，算出する電圧低下判定回路４６を設けることにより、フィルム上の欠陥の有無を、充電電流の波高値によらず、印加電圧の電圧低下量によって判定することができ、特に多層フィルム２の金属膜層２_４による充電電流の増大の影響を受けることなく、正確な良否判定を行うことができる。
これにより、充電電流の大きさや、偶発的な気中放電による電流の波高値に影響されることなく、印加電圧の低下量の比較によってフィルムの良否を確実かつ正確な判定することができる。
【００６５】
特に、本実施形態では、印加電圧の低下量の積分値を算出，比較するようにしてあるので、電圧が激しく昇降を繰り返す欠陥部分と、そのような電圧の昇降が生じない正常部分とを、確実に区別でき、より正確なフィルムの良否の判定が行えるようになる。
しかも、本実施形態では、既存の回路と同様の構成からなる電圧低下判定回路４６により印加電圧の低下量や積分値を算出，判定するようにしてあるので、特別な装置や複雑な手段等を別途必要とすることなく、既存の装置を利用してフィルムの良否を正確に判定することができる。
なお、本実施形態では、電圧低下判定回路４６において、印加電圧の低下量の検知と、その積分値の算出の双方を行うようにしてあるが、印加電圧の低下量の波高値を比較して正常時と異常時の区別が行える場合には、積分値の算出を省略することができる。
【００６６】
また、本実施形態の欠陥検出装置４０において、第一実施形態の場合と同様に、電圧印加手段となる高電圧電源４１が、フィルムへの電圧印加の立上げ時間を遅延させる構成とすることもできる。
このようにすると、高電圧電源４１が印加電圧の最大値までの立上げ時間を遅延させることで、特に、金属膜層２_４を有する多層フィルム２の充電電流を小さくすることができ、多層フィルム２の欠陥の有無を印加電圧の電圧低下量に基づいて判定する本実施形態においても、充電電流の波高値を低くして、放電電流と波高値との差を明確にすることができるので、電流値と電圧値の両面からの欠陥検出が行え、より正確な良否判定を行う欠陥検出装置として好ましい。
【００６７】
（第四実施形態）
第四実施形態にかかる欠陥検出手段４０は、上述した第一実施形態における高電圧電源４１の印加方向に特徴をもたせたものであり、金属膜層２_４を有する多層フィルム２の欠陥検出に適している。
具体的には、図１１に示すように、多層フィルム２の樹脂層のうち、厚みの大きいＰＥＴ層２₂及びＰＥ層２₃（容器内側層）側に高電位となる高圧側金属電極２２ａ、厚みの小さいナイロン層２₁（容器外側層）側に低電位となるアース側導電性ブラシ電極２２ｂを配設するようにしてある。
【００６８】
電圧が印加されることによりコンデンサを構成する多層フィルム２は、厚みの小さいナイロン層２₁側の方が、厚みの大きいＰＥＴ層２₂及びＰＥ層２₃側よりキャパシタンスが大きくなるので、分担電圧は低くなる。
従って、厚みの小さいナイロン層２₁側を低電位とし、厚みの大きいＰＥＴ層２₂及びＰＥ層２₃側を高電位とすることで、多層フィルム２の金属膜層２_４に誘起される電圧を低くすることができ、これによって、多層フィルム２の充電電流の増大を抑制することが可能となる。
【００６９】
これに対して、図１４に示す比較装置の電極配置では、厚みの小さいナイロン層２₁側が高電位で、厚みの大きいＰＥＴ層２₂及びＰＥ層２₃側が低電位となっていたので、多層フィルム２の金属膜層２_４に誘起される電圧を低くすることができない。
これにより、後述するように、比較装置で採用されていた多層フィルムの層厚の厚い側を低電位，薄い側を高電位とする電極構造と比較して、５０％以上金属膜層を有する多層フィルムの充電電流を小さくすることができる。
【００７０】
本実施形態の欠陥検出手段による判定は、次のようにして行われる。
まず、多層フィルム２に欠陥がない正常な場合には、上述のように、厚みの小さいナイロン層２₁側を低電位とし、厚みの大きいＰＥＴ層２₂及びＰＥ層２₃側を高電位とすることで、充電電流の値が小さくなり、電流計４３で検知される電流の波高値は、設定部４４ａに設定された判定基準値と同じ値となる。
従って、比較部４４ｂでは、多層フィルム２に欠陥がないと判定される。
【００７１】
一方、多層フィルム２にクラック等の欠陥がある場合は、印加電圧によって放電電流が発生し、瞬間的に大きな電流が流れ、電流計４３で検知される電流の波高値も、欠陥がない場合の波高値よりも大きくなる。
従って、この波高値は、設定部４４ａに設定された判定基準値より大きくなるので、比較部４４ｂでは、多層フィルム２に欠陥があると判定される。
これによって、多層フィルム２の欠陥の有無が検出され、金属膜層２_４の存在によって充電電流が大きくなって、クラック等の欠陥によって生じる放電電流と区別がつかなくなるという従来の問題を解消することができる。
【００７２】
また、このように充電電流の電流の波高値に基づく判定方法以外の方法により多層フィルム２の欠陥の有無を判定することもできる。例えば、多層フィルム２によって形成されるコンデンサ（キャパシタ）に高圧を充電させておき、その状態で、電極に電圧を印加したときに流れる電流や電気量の大きさを検知し、放電したときの電圧低下を検出，判定することにより、多層フィルム２の欠陥の有無を判定することができる。
【００７３】
さらに、本実施形態では、多層フィルム２の金属膜層２_４が、電圧印加手段以外の箇所においてフィルムで形成されたキャパシタンスを介して接地されるようになっている。
具体的には、図１２に示すように、多層フィルム２の溝部３を成形する溝部成形手段３０が接地（アース）されており、この溝部成形手段３０と接触する多層フィルム２の金属膜層２_４がアースされるようになっている。
このように、多層フィルム２の金属膜層２_４電圧印加手段以外の箇所でアースされると、図１３に示すように、電極４２と多層フィルム２のナイロン層２₁で構成されるコンデンサに、溝部成形手段３０と多層フィルム２で構成されるコンデンサが並列に接続されたことになり、ナイロン層２₁側のキャパシタンスが増加する。
【００７４】
これに対して、図１４に示す比較装置では、多層フィルム２の金属膜層２_４が電圧印加手段以外の箇所でアースされると、図１５に示すように、電極４２と多層フィルム２のＰＥＴ層２₂及びＰＥ層２₃で構成されるコンデンサに、溝部成形手段３０と多層フィルム３で構成されるコンデンサが並列に接続されたことになり、ＰＥＴ層２₂及びＰＥ層２₃側のキャパシタンスが増加する結果となる。
これにより、ナイロン層２₁側のキャパシタンスが増加する本実施形態の欠陥検出装置では、ＰＥＴ層２₂及びＰＥ層２₃側のキャパシタンスが増加する比較装置と比較して、９８％以上充電電流を小さくすることができる。
【００７５】
なお、この多層フィルム２の金属膜層２_４の間接的なアースは、本実施形態で示す溝部成形手段３０の接触による場合に限定されるものではなく、他の金属製部品をフィルム上に接触させる等、多層フィルム２の金属膜層２_４が直接アースされない限り、どのような箇所，部位であってもよい。
【００７６】
次に、本実施形態の欠陥検出装置４０を用いた欠陥検出方法で検出される充電電流値を、比較装置の場合と比較して説明する。
まず、多層フィルム２の金属膜層２_４が溝部成形手段３０等でアースされていない場合について示す。
本実施形態の欠陥装置４０では、図１６ａに示すように、ナイロン層２₁の分担電圧は、印加電圧が２０００ボルトの場合１５０ボルトとなり、以下、３０００ボルトの場合２００ボルト、４０００ボルトの場合２５０ボルト、５０００ボルトの場合３００ボルト、６０００ボルトの場合３５０ボルトとなる（図１８（ａ）の▲１▼−ａ参照）。
そして、充電電流は、２０００ボルトの場合０．０１０ｍＡの充電電流が流れ、以下、３０００ボルトで０．０２０ｍＡ、４０００ボルトで０．０２８ｍＡ、５０００ボルトで０．０４０ｍＡ、６０００ボルトで０．０５０ｍＡの充電電流が流れる（図１８（ｂ）の▲１▼−ａ参照）。
【００７７】
これに対して、図１４に示した比較装置では、図１７ａに示すように、ナイロン層２₁の分担電圧は、印加電圧が２０００ボルトの場合４００ボルトとなり、以下、２５００ボルトの場合６００ボルト、３０００ボルトの場合８００ボルト、３５００ボルトの場合１０００ボルトとなる（図１８（ａ）の▲２▼−ａ参照）。
そして、充電電流は、２０００ボルトの場合０．０２０ｍＡの充電電流が流れ、以下、２５００ボルトで０．０３０ｍＡ、３０００ボルトで０．０４４ｍＡ、３５００ボルトで０．０６８ｍＡの充電電流が流れる（図１８（ｂ）の▲２▼−ａ参照）。
従って、本実施形態の欠陥検出装置４０では、比較装置と比較して、５０％以上充電電流が小さくなる。
【００７８】
次に、多層フィルム２の金属膜層２_４が溝部成形手段３０等でアースされている場合について示す。
本実施形態の欠陥検出装置４０では、図１６ｂに示すように、ナイロン層２₁の分担電圧は、印加電圧が２０００ボルトの場合２０ボルトとなり、以下、３０００ボルトの場合５０ボルト、４０００ボルトの場合１００ボルト、５０００ボルトの場合１１０ボルト、６０００ボルトの場合１５０ボルトとなり、アースされていない場合よりさらに低くなる（図１８（ａ）の▲１▼−ｂ参照）。
そして、充電電流は、２０００ボルトの場合０．００８ｍＡの充電電流が流れ、以下、３０００ボルトで０．０１６ｍＡ、４０００ボルトで０．０２６ｍＡ、５０００ボルトで０．０３６ｍＡ、６０００ボルトで０．０５０ｍＡの充電電流が流れる（図１８（ｂ）の▲１▼−ｂ参照）。
【００７９】
これに対して、図１４に示した比較装置では、図１７ｂに示すように、ナイロン層２₁の分担電圧は、印加電圧が２０００ボルトの場合１２００ボルトとなり、以下、２５００ボルトの場合１６００ボルト、３０００ボルトの場合１８００ボルト、３５００ボルトの場合２２００ボルトとなり、アースされていない場合よりさらに大きくなる（図１８（ａ）に示す▲２▼−ｂ参照）。
そして、充電電流は、２０００ボルトの場合０．４００ｍＡの充電電流が流れ、以下、２５００ボルトで０．６００ｍＡ、３０００ボルトで０．９００ｍＡ、３５００ボルトで１．４００ｍＡの充電電流が流れる（図１８（ｂ）の▲２▼−ｂ参照）。
従って、この場合、本実施形態の欠陥検出装置４０では、比較装置と比較して、９８％以上充電電流が小さくなる。
【００８０】
これにより、充電電流が大きくなることにより、クラック等の欠陥により生じる放電電流と区別がつかなくなるという従来の問題を有効に解消することができる。
しかも、本実施形態では、比較装置で採用されていた多層フィルムの層厚の厚い側を低電位，薄い側を高電位とする電極構造を反転させるのみで、比較装置と比較して充電電流を大幅に低減するが可能となるので、特別な装置や複雑な手段等を別途設けることなく、欠陥のない場合の充電電流の波高値又は電気量とクラック等の欠陥がある場合に生じる放電電流の波高値又は電気量の差を大きくすることができ、溝部成形等によって生じるフィルム上の欠陥の有無を容易かつ正確に検出，判定することができる欠陥検出装置を実現することが可能となる。
【００８１】
（第五実施形態）
第五実施形態にかかる欠陥検出手段４０は、上述した第四実施形態と電極の配置を逆にしたものである。
具体的には、本実施形態では、多層フィルム２に高電圧を印加する高電圧電源４１の電極４２の配置を、金属膜層２_４を基準にして、多層フィルム２の厚みの大きい樹脂層（ＰＥＴ層２₂及びＰＥ層２₃）側に、低電位となる金属電極４２ａ、厚みの小さい樹脂層（ナイロン層２₁）側に、高電位となるブラシ電極４２ｂを配設してある。
【００８２】
これによって、本実施形態では、上述した比較方法と同様に、多層フィルム２の厚みの大きい樹脂層側を低電位、厚みの小さい樹脂層側を高電位として、多層フィルム２に対して高電圧が印加されるようになっている。
そして、本実施形態では、図１９及び図２０に示すように、接地された溝部成形手段３０が多層フィルム２の表面に接触しており、この溝部成形手段３０と多層フィルム２の表面の接触部分について絶縁層３１を配設し（図１９参照）、又は、多層フィルム２への接触面積が小さくなるように溝部成形手段３０の形状を変更してある（図２０参照）。
【００８３】
一般に、溝部成形手段３０の金型等は、安全のためにアース（接地）されていることから、第四実施形態で説明したように（図１４）、多層フィルム２の厚みの厚い樹脂層側を低電位、厚みの薄い樹脂層側を高電位とする電圧の印加方法では、キャパシタンスが小さくなる樹脂側に対して、アースされた溝部成形手段３０の金型等に挟まれた多層フィルム２が形成する大きなキャパシタンスが合成されることになる（図１５参照）。
このため、図１４に示す比較装置では、電極間のキャパシタンスが増大してしまい、充電電流が非常に大きくなって、多層フィルム２の欠陥検出が正確に行えないという問題が生じていた。
【００８４】
このような場合、溝部成形手段３０の金型等のアースを取り外すことで充電電流を抑制することが可能であるが、実際には、安全を確保するために備えられている金型等のアースを取り外すことは不可能である。
そこで、本実施形態では、溝部成形手段３０の金型等、多層フィルム２の表面に接触する導電体について、フィルム表面との間に絶縁部材（図１９に示す絶縁層３１）を介在させるか、又はフィルム表面に接触する導電体の接触面積を小さくする（図２０参照）ようにしてある。
このようにすること、多層フィルム２に対して高電圧を印加した場合でも、溝部成形手段３０からアースを取り除いた場合と同程度に充電電流を小さくすることができる。
【００８５】
これにより、本実施形態の欠陥検出方法では、上述した第四実施形態の場合と同様に、比較装置と比べると、充電電流を９５％以上小さくすることができ、多層フィルムの良否を容易かつ明確に判定することが可能となる。
しかも、本実施形態の欠陥検出方法によれば、多層フィルム２の金属膜層２_４にかかる電圧も、比較装置と比べて半分以下とすることができ、安全性が向上するとともに、充電による電荷量も小さくすることができ、後の工程への影響をなくすことができる。
なお、本実施形態では、多層フィルム２に接触する導電体として、溝部成形手段３０のみを示したが、これ以外にも、例えば他の金属部品をフィルム上に接触させる等、アースされた導電体を多層フィルム２に接触できる限り、どのような導電体であってもよい。
【００８６】
以上のように、本実施形態では、溝部成形手段３０のアースを確保して安全性を維持しつつ、溝部成形手段３０が接触することによって形成されるキャパシタンスの増大を構造的な工夫によって抑制でき、同様な電極の配置構造を採る比較装置と比較して、９５％以上充電電流を小さくすることができる。
【００８７】
このように、本実施形態にかかる欠陥検出装置では、特別な装置や複雑な手段等を別途設けることなく、欠陥のない場合の充電電流の波高値又は電気量と、クラック等の欠陥がある場合に生じる放電電流の波高値又は電気量の差を大きくすることができるので、第一実施形態の場合と同様、注口成形加工等によって生じるフィルム上の欠陥の有無を容易かつ正確に検出，判定することができる欠陥検出装置を実現することができる。
【００８８】
除電手段５０
除電手段５０は、欠陥検出手段４０で印加される高電圧によってフィルム２に帯電した電荷を除去する除電手段であり、本実施形態では、フィルム２の表面に接触する導電性の除電ブラシによって構成してある。
このような除電ブラシを用いることにより、フィルム２に帯電した電荷を確実に除電することができる。その結果、電荷の帯電に起因するフィルムの付着現象を防止して、後工程におけるフィルムの処理が容易となる。
なお、除電手段としては、除電ブラシだけでなく、除電リボンや除電バーなどを用いることができる。
【００８９】
なお、除電は欠陥検出手段４０の直後において行うのは当然であるが、ここだけでなく他の箇所においても除電手段５０を配置して除電を行っている。カットライン加工手段８０の下流側に配置してある除電手段５０はその一例である（図示しない箇所にも除電手段が配置してある）。
【００９０】
ボトムシール手段６０
ボトムシール手段６０は、除電手段５０から送られてきた上下のフィルム２ａ，２ｂをロール６２で重ね合せた後、熱圧着装置などによって重ね合せた上下フィルム２ａ，２ｂの両側縁をシールする。上下フィルム２ａ，２ｂを重ね合せた状態では、フィルム２ａ，２ｂの中心線を線対称として、フィルムの幅方向に二つの袋状容器が形成された状態となり、フィルムの両側縁は、ちょうど袋状容器のボトム側となる。
【００９１】
ボトムシール手段６０の熱圧着装置６１は、図示してないが、多段になっており、たとえば、フィルムの送られる方向に三台の熱圧着部を並べて設け、下流の熱圧着部ほど加熱温度を高く設定してある。したがって、フィルム２ａ，２ｂは下流に送られながら徐々に高温まで加熱され圧着される。これにより、上下フィルム２ａ，２ｂの両側縁はしっかりと熱圧着され、確実にシールされる。
ボトムシール手段６０は、冷却手段６３を有しており、加熱圧着した上下フィルム２ａ，２ｂの両側縁シール部を冷却している。
【００９２】
サイドシール手段７０
サイドシール手段７０は、ボトムシール手段６０から送られてきた上下フィルム２ａ，２ｂを、フィルムの送り方向に一定の間隔で熱圧着する。これにより、袋状容器のサイドがシールされ、上部を除いた三方がシールされた状態となる。このサイドシール手段７０の熱圧着装置７１も、図示していないが、多段となっており、たとえば、フィルムの送られる方向に袋状容器の幅寸法とほぼ同じ距離隔てて三台の熱圧着部を並べて設け、下流の圧着部ほど加熱温度を高温に設定してある。したがって、この場合も、フィルム２ａ，２ｂは下流に送られながら徐々に高温まで加熱され圧着される。
このサイドシール手段７０も冷却手段７２を有しており、加熱圧着した上下フィルム２ａ，２ｂのシール部を冷却している。
【００９３】
カットライン加工手段８０
カットライン加工手段８０は、図２１（ａ）に示す袋状容器１の注口部４にカットライン５を形成するためのものである。
多層フィルム２としては、通常、強度をもたせるため延伸により配向が与えられた配向性樹脂フィルムを含むものが用いられている。しかし、このような配向性樹脂フィルムを用いた袋状容器は強度が高いため、注口部４を手で引き裂いて開封することが困難である。
そこで、カットライン加工手段８０によって、注口部４に、例えばレーザを照射し、加熱処理を施してフィルムの配向を崩し、切断の容易なカットライン５を形成する。
【００９４】
本実施形態では、カットライン５の加工を、レーザを用いた例について説明したが、レーザ以外のものを用いてもよく、たとえば、高周波による加熱処理、あるいは温調ロールによる加熱処理を行なってもよいことは勿論である。
【００９５】
裁断手段９０
裁断手段９０は、上記のようにして内容物充填前の状態まで製造された袋状容器を所定の形状にカットして、個々の袋状容器１とするものであり、ダイセットのような、通常の装置が用いられる。
【００９６】
上記のような構成からなる製造装置を用いて袋状容器を製造する方法は、例えば、次のようになる。
原反ロール１０は、一条のフィルム（例えば、多層フィルム）２をフィルム供給手段２０に順次送り出す。
【００９７】
フィルム供給手段２０は、原反ロール１０から送られてきたフィルム２を中心線上で切断し、幅方向に二等分する。分断したフィルムの一方は上部フィルム２ａとし、他方は下部フィルム２ｂとして、同期して溝部成形手段３０に送られる。このフィルム供給手段２０は、常時４０〜５０ｍ程度のフィルムを貯留していて、原反ロール１０の交換時に、貯留しているフィルムを送り出すことにより、溝部成形手段３０へのフィルムの供給が途絶えないようにしてある。これにより、連続した袋状容器の製造が可能となる。
【００９８】
溝部成形手段３０は、上部の溝部成形手段３０ａと下部の溝部成形手段３０ｂによって、上部フィルム２ａと下部フィルム２ｂに対しそれぞれ溝部３ａと溝部３ｂの成形を行う。上部及び下部のフィルム２ａ，２ｂに成形した溝部３ａ，３ｂは、図３に示すように内表面側から見て同一の形状となっている。
なお、図３において、（ａ）は上部のフィルム２ａを外表面側から見た状態を示しており、（ｂ）は下部のフィルム２ｂ内表面側から見た状態を示している。
【００９９】
溝部成形手段３０（３０ａ，３０ｂ）において溝部３（３ａ，３ｂ）が形成されたフィルム２（２ａ，２ｂ）は、欠陥検出手段４０（４０ａ，４０ｂ）に送られる。欠陥検出手段４０としては、上記したように種々形態のものがあり、フィルムの種類あるいは厚みなどを考慮して、好適なものを使用する。
この欠陥検出手段４０では、成形した溝部やその近傍にクラックピンホール等が生じていないかを検査する。そして、欠陥の発生を検出すると、図示しない制御部に検出信号を送る。
【０１００】
制御部は、欠陥の検出信号を受信すると、例えば、どの溝部に欠陥があるかを記憶しておき、その溝部が成形されたフィルムが袋状容器１となったときに、排出する。また、連続して、欠陥が発生したような場合は、制御部は、製造装置に対し作動の停止を指令する信号を出力したりすることも可能である。
【０１０１】
欠陥検出手段４０（４０ａ，４０ｂ）では、フィルム（２ａ，２ｂ）に電圧を印加することによって検査が行われる。そのため、欠陥検出手段４０から送られてくるフィルム２（２ａ，２ｂ）には、電荷が帯電している。そこで、ボトムシール手段６０にフィルム（２ａ，２ｂ）を送る間に除電手段５０でフィルムに帯電している電荷の除去が行われる。
【０１０２】
除電手段５０を介し欠陥検出手段４０から送られてきたフィルム（２ａ，２ｂ）は、上下のフィルム２ａ，２ｂをロール６２で重ね合せた後、熱圧着装置などによって重ね合さった上下フィルム２ａ，２ｂの両側縁をシールする。上下フィルム２ａ，２ｂを重ね合せた状態では、フィルム２ａ，２ｂの中心線を線対称として、フィルムの幅方向に二つの袋状容器が形成された状態となり、フィルムの両側縁は、ちょうど袋状容器のボトム側となる。
このとき、上部フィルム２ａの溝部３ａと下部フィルム２ｂの溝部３ｂとの位置関係が、図２１（ａ）に示すように所定の関係となるように位置合せを行う。この位置合せは、上下のフィルム２ａ，２ｂを重ね合せるときに、フィルム２ａ，２ｂに付したアイマーク等をセンサ（図示せず）で検出し、上記重ね合せ用のロール６２あるいは図示しないテンションロール等の回転数や位置を制御することによって行う。
【０１０３】
ボトムシール手段６０は、袋状容器の底部をしっかりとシールするため、フィルム２ａ，２ｂを下流に送り、徐々に高温となるように加熱しながら段階的に熱圧着を繰り返す。
加熱圧着されたシール部は、冷却手段６３によって冷却される。
【０１０４】
サイドシール手段７０は、ボトムシール手段６０から送られてきた、底部がシールされた上下フィルム２ａ，２ｂの容器側部に相当する部分（注口部４に相当する部分を含む）をシールする。このサイドシールも、上記ボトムシールと同様に多段に配置した熱圧着装置７１で段階的に行う。
このサイドシール手段７０も冷却手段７２を有しており、加熱圧着した上下フィルム２ａ，２ｂのシール部を冷却する。
【０１０５】
カットライン加工手段８０は、サイドシール手段７０から送られてきた、底部と両側部がシールされた上下フィルム２ａ，２ｂの容器注口部４０に相当する部分に、例えば、レーザ光を照射してカットライン５を形成する。
カットライン５を形成された部分は上下フィルム２ａ，２ｂが溶着するとともに、上下フィルム２ａ，２ｂの配向が崩されることによって、袋状容器１における注口部４の開封を容易にする。
【０１０６】
裁断手段９０は、カットライン加工手段８０から送られてきた袋状容器を所定の形状にカットして、個々の袋状容器１とする。裁断手段９０で裁断された袋状容器１は、注口部４を除く上縁が開口された状態となっている。
このようにして製造された袋状容器１は、内容物のメーカにおいて、上縁の開口部から洗剤等の内容物が充填された後、開口部がシールされ、最終製品として一般ユーザに提供される。
【０１０７】
本発明の袋状容器の製造装置は、上記実施形態のものに限られるものではなく、要旨の範囲内において種々変形実施を行えることは勿論である。例えば、上記した各手段は、本発明に適用可能なものであれば、どのようなものであってもよい。
【０１０８】
【発明の効果】
以上のように、本発明によれば、溝部を形成したフィルム製の袋状容器を製造するに際し、クラックやピンホールの生じやすい溝部の欠陥検査を、フィルムの段階で、しかも製造工程中の一工程として実行することにより、検査の簡略化を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】図１は、本発明の一実施形態にかかる袋状容器製造装置の概略構成図である。
【図２】図２は、本発明の一実施形態にかかる袋状容器の製造装置及び方法で用いるフィルムの一例の模式図である。
【図３】図３（ａ）は溝部が成形された上部フィルムの概略図を示し、図３（ｂ）は溝部が成形された下部フィルムの概略図を示す。
【図４】図４は、欠陥検出装置の第一実施形態を模式的に示す概略正面図である。
【図５】図５は、図４に示す欠陥検出装置の電極部分とフィルムを模式的に示す概略正面図であり、（ａ）はフィルムに欠陥がない場合、（ｂ）は欠陥がある場合を示す。
【図６】図６は、欠陥検出装置の第二実施形態を模式的に示す概略正面図である。
【図７】図７は、欠陥検出装置の第二実施形態で検出される印加電圧，充電電流，放電電流及び積分電流値を示すグラフ図である。
【図８】図８は、図７に示す印加電圧，充電電流，放電電流及び積分電流値の関係を模式的に示すグラフ図である。
【図９】図９は、欠陥検出装置の第三実施形態を模式的に示す概略正面図である。
【図１０】図１０は、欠陥検出装置の第三実施形態で検出される印加電圧値及び印加電圧低下量の積分値を示すグラフ図である。
【図１１】図１１は、欠陥検出装置の第三実施形態を模式的に示す概略正面図である。
【図１２】図１２は、欠陥検出装置の第三実施形態の全体を模式的に示す概略正面図である。
【図１３】図１３は、図１２に示す欠陥検出装置を用いたときのフィルムにおけるキャパシタンスの状態を模式的に示す概略正面図である。
【図１４】図１４は、比較装置における電極構造による欠陥検出装置の全体を模式的に示す概略正面図である。
【図１５】図１５は、図１４に示す欠陥検出装置を用いたときのフィルムにおけるキャパシタンスの状態を模式的に示す概略正面図である。
【図１６】図１６は、欠陥検出装置の第三実施形態を用いた欠陥検出方法における印加電圧と充電電流のデータ結果を示す表である。
【図１７】図１７は、図１４に示す比較例の欠陥検出装置を用いた欠陥検出方法における印加電圧と充電電流のデータ結果を示す表である。
【図１８】図１８は、図１６及び図１７に示すデータを表したグラフ図である。
【図１９】図１９は、欠陥検出装置の第四実施形態を模式的に示す説明図で、（ａ）は欠陥検出装置の概略正面図、（ｂ）は（ａ）に示す溝部成形機のアース部分の拡大図である。
【図２０】図２０は、欠陥検出装置の第四実施形態の他の例を模式的に示す説明図で、（ａ）は欠陥検出装置の概略正面図、（ｂ）は（ａ）に示す溝部成形機のアース部分の拡大図である。
【図２１】図２１（ａ）は本発明の製造装置及び製造方法によって製造された袋状容器の完成状態を示す概略図、図２１（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ線拡大切断図である。
【符号の説明】
１袋状容器
２（２ａ，２ｂ）フィルム
３（３ａ，３ｂ）溝部
４注口部
５カットライン
１０原反ロール
２０フィルム供給手段
３０溝部成形手段
４０欠陥検出手段
５０除電手段
６０ボトムシール手段
７０サイドシール手段
８０カットライン加工手段
９０裁断手段

Claims

袋状容器を形成するためのフィルムを供給するフィルム供給手段と、
このフィルム供給手段から送られてきたフィルムに、袋状容器の注口部に一部が位置する溝部を成形する溝部成形手段と、
前記溝部の欠陥を検出するための欠陥検出手段と、
この欠陥検出手段において検査が行われたフィルムを重ね合わせて、縁部をシールするシール手段と、
重ね合わせられかつ縁部をシールされたフィルムを、所定の形状の袋状容器に裁断する裁断手段とを具備し、
前記欠陥検出手段が、フィルムに電圧を印加して電流計で検知される電流値が最大値に到達した後、所定時間経過後の電流値の積分値を算出し、積分値が所定の値を超えたときに前記フィルムに欠陥ありと判定する
ことを特徴とする袋状容器の製造装置。
前記フィルム供給手段が、フィルムを、上下方向において二条連続して送り出し、前記溝部成形手段と欠陥検出手段がこれら二条のフィルムについてそれぞれ設けられ、二条のフィルムに対してそれぞれ溝部を成形するとともに、成形した溝部の欠陥検出を行うことを特徴とする請求項１に記載の袋状容器の製造装置。
前記フィルムが、樹脂層の間に金属膜層を有する多層フィルムであることを特徴とする請求項１又は２に記載の袋状容器の製造装置。
前記欠陥検出手段の下流の少なくとも一カ所に、フィルムに帯電した電荷を除電するための除電手段を配置したことを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の袋状容器の製造装置。