JP4863030B2 - 電子装置の製造方法、電子装置、電子装置パッケージの製造方法および電子装置パッケージ - Google Patents

電子装置の製造方法、電子装置、電子装置パッケージの製造方法および電子装置パッケージ Download PDF

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Description

本発明は、電子装置の製造方法、電子装置、電子装置パッケージの製造方法および電子装置パッケージに関する。
近年、集積回路を搭載する半導体チップ等の電子部品は、様々な用途に用いられるようになり、多岐にわたる機能が求められている。また、情報処理量の増大および処理能力の高速化の要求があり、半導体チップの高密度化が進んできており、半導体チップの配線数が増えてきているが、配線ピッチには限界があり、また、入出力の配線数は半導体チップの面積に依存されるものであり、配線数には限界があった。
このような問題を解決し高密度実装を実現するために、半導体チップを電気的に積層するＣＯＣ（チップ オン チップ）技術が提案されているが、半導体チップを積層する際の歩留りが悪いという問題や接続信頼性が悪いといった問題が発生する場合があった。
このような問題に鑑み、支持基板に接着層を形成し、次に、接着層上に個片化した半導体チップ等の電子部品を間隔を空けて配置および固定し、次いで、半導体封止材等の封止材で電子部品を覆うように封止し、次いで、電子部品が配置された封止材の硬化物を接着層から剥離し、次いで、電子部品の接着層に接していた面に再配線技術を利用して、電子部品の外径よりも外側に配線を引きまわし、入出力の配線数を増大させ高密度化に対応する再配置型の電子装置が提案されてきている（例えば、特許文献１参照。）。
この再配置型の電子装置に使われる接着層は、封止材で封止する温度において電子部品が位置ずれを起こさないように電子部品を支持基板に固定する機能を有し、さらに、封止材を熱硬化させた後、電子部品が配置された封止材の硬化物を接着層が設けられた支持基板から容易に剥離し得ることが要求される。また、この剥離の際に、電子部品が配置された封止材の硬化物に接着層の残渣が付着しないことが好ましい。
一方、従来提案されている接着層は、熱可塑性の接着層や熱発泡型の接着層であるため、電子部品を位置ずれが生じることなく固定する機能、封止材の硬化物を支持基板から容易に剥離させる機能、さらには残渣が付着しない機能を両立することは困難であった（例えば、特許文献２、３参照。）。
電子部品が位置ずれしてしまうと、その後の再配線プロセスで正確に再配線することができず、また、封止材の硬化物を容易に剥離させることができないと、封止材や電子部品に亀裂等が生じ破損の原因となり、さらに、接着層の残渣が電子部品が配置された封止材の硬化物に付着すると、電子装置の信頼性が低下するといった問題が発生する。
特開２００６−２８７２３５号公報 特開２００５−１９１２９６号公報 特開２００５−２４３７０２号公報
本発明の目的は、再配置型の電子装置の製造工程において、電子部品の位置ずれが発生せず、また、封止材や電子部品に破損が生じにくく、さらに、たとえ残渣が付着した場合でも簡便に除去することが可能な電子装置の製造方法、かかる電子装置の製造方法で作製された信頼性の高い電子装置、かかる電子装置の製造方法を含む電子装置パッケージの製造方法、およびかかる電子装置パッケージの製造方法で作製された信頼性の高い電子装置パッケージを提供することにある。
このような目的は、下記（１）〜（２２）に記載の本発明により達成される。
（１）支持基材の表面に固定樹脂層を設ける固定樹脂層形成工程と、
該固定樹脂層上に、隣同士の電子部品の間に隙間が形成されるように複数の電子部品を配置し、該固定樹脂層を介して該支持基材上に複数の該電子部品を固定する電子部品固定工程と、
封止材で該電子部品を覆い、該固定樹脂層及び該電子部品上に封止材層を形成させる封止材層形成工程と、
該封止材を加熱することにより該封止材を硬化し、該支持基材に支持されており、該電子部品が配置された電子部品配置封止材硬化物を得る封止材硬化工程と、
該支持基材に支持されている該電子部品配置封止材硬化物を該支持基材から剥離させる剥離工程と、
を有する電子装置の製造方法であり、
該剥離工程において、該固定樹脂層に含有されている樹脂を低分子化させて、該電子部品配置封止材硬化物を該支持基材から剥離することを特徴とする電子装置の製造方法。
（２）前記剥離工程において、前記固定樹脂層を加熱して熱分解させることにより、前記電子部品配置封止材硬化物を前記支持基材から剥離することを特徴とする（１）の電子装置の製造方法。
（３）前記剥離工程において、前記固定樹脂層に活性エネルギー線を照射した後、前記固定樹脂層を加熱して熱分解させることにより、前記電子部品配置封止材硬化物を前記支持基材から剥離することを特徴とする（１）の電子装置の製造方法。
（４）前記剥離工程において、前記固定樹脂層に活性エネルギー線を照射した後、前記固定樹脂層を加熱して溶融させることにより、前記電子部品配置封止材硬化物を前記支持基材から剥離することを特徴とする（１）の電子装置の製造方法。
（５）前記封止材硬化工程で前記封止材を加熱する温度が、前記剥離工程で前記固定樹脂層を加熱する温度よりも低い（１）〜（４）いずれかの電子装置の製造方法。
（６）前記剥離工程で前記固定樹脂層を加熱する温度が１３０〜２００℃である（３）又は（４）いずれかの電子装置の製造方法。
（７）前記活性エネルギー線を照射した後の前記固定樹脂層の１８０℃での溶融粘度が、０．０１〜１００Ｐａ・ｓである（４）の電子装置の製造方法。
（８）支持基材の表面に固定樹脂層を設ける固定樹脂層形成工程と、
該固定樹脂層上に、隣同士の電子部品の間に隙間が形成されるように複数の電子部品を配置し、該固定樹脂層を介して該支持基材上に該電子部品を固定する電子部品固定工程と、
封止材で該電子部品を覆い、該固定樹脂層及び該電子部品上に封止材層を形成させる封止材層形成工程と、
該封止材を加熱することにより封止材を硬化し、該支持基材に支持されており、該電子部品が配置された電子部品配置封止材硬化物を得ると共に、該電子部品配置封止材硬化物を該支持基材から剥離させる封止材硬化兼剥離工程と、
を有する電子装置の製造方法であり、
該封止材硬化兼剥離工程において、該固定樹脂層に含有されている樹脂を低分子化させて、該電子部品配置封止材硬化物を該支持基材から剥離することを特徴とする電子装置の製造方法。
（９）前記封止材硬化兼剥離工程において、前記固定樹脂層を加熱して熱分解させることにより、前記電子部品配置封止材硬化物を前記支持基材から剥離することを特徴とする（８）の電子装置の製造方法。
（１０）前記封止材硬化兼剥離工程において、前記固定樹脂層に活性エネルギー線を照射した後、前記固定樹脂層を加熱して熱分解させることにより、前記電子部品配置封止材硬化物を前記支持基材から剥離することを特徴とする（８）の電子装置の製造方法。
（１１）前記封止材硬化兼剥離工程において、前記固定樹脂層に活性エネルギー線を照射した後、前記固定樹脂層を加熱して溶融させることにより、前記電子部品配置封止材硬化物を前記支持基材から剥離することを特徴とする（８）の電子装置の製造方法。
（１２）前記封止材硬化兼剥離工程で前記封止材及び前記固定樹脂層を加熱する温度が１３０〜２００℃である（１０）又は（１１）に記載の電子装置の製造方法。
（１３）前記活性エネルギー線を照射した後の前記固定樹脂層の１８０℃での溶融粘度が、０．０１〜１００Ｐａ・ｓである（１１）の電子装置の製造方法。
（１４）さらに、前記電子部品配置封止材硬化物の前記電子部品が配置されている面に配線層を形成し、該配線層が形成された電子部品配置封止材硬化物を得る配線層形成工程を有する（１）〜（１３）いずれかの電子装置の製造方法。
（１５）さらに、前記配線層が形成された前記電子部品配置封止材硬化物を分割することにより、前記配線層が形成された前記電子部品配置封止材硬化物を個片化し、個片化された前記電子部品配置封止材硬化物を得る個片化工程を有する（１４）の電子装置の製造方法。
（１６）前記固定樹脂層は、酸又は塩基の存在下において熱分解温度が低下する樹脂と、活性エネルギー線の照射により、酸を発生する光酸発生剤又は塩基を発生する光塩基発生剤と、を含有することを特徴とする（３）又は（１０）いずれかの電子装置の製造方法。
（１７）前記固定樹脂層は、酸又は塩基の存在下において溶融温度が低下する樹脂と、活性エネルギー線の照射により、酸を発生する光酸発生剤又は塩基を発生する光塩基発生剤と、を含有することを特徴とする（４）又は（１１）いずれかの電子装置の製造方法。
（１８）前記樹脂が、ポリカーボネート系樹脂であることを特徴とする（１６）又は（１７）いずれかの電子装置の製造方法。
（１９）前記ポリカーボネート系樹脂が、少なくとも２つの環状構造を有するカーボネート構成単位からなるポリカーボネート樹脂であることを特徴とする（１８）の電子装置の製造方法。
（２０）（１）〜（１９）いずれかの電子装置の製造方法で作製されたことを特徴とする電子装置。
（２１）（１５）の個片化された前記電子部品配置封止材硬化物を基板に実装する実装工程を有することを特徴とする電子装置パッケージの製造方法。
（２２）（２１）の電子装置パッケージの製造方法で作製されたことを特徴とする電子装置パッケージ。
本発明の電子装置の製造方法によれば、再配置型の電子装置の製造工程において、電子部品の位置ずれが発生せず、また、封止材や電子部品に破損が生じにくく、さらに、たとえ残渣が付着した場合でも簡便に除去することが可能な電子装置の製造方法、かかる電子装置の製造方法で作製された信頼性の高い電子装置、かかる電子装置の製造方法を含む電子装置パッケージの製造方法、およびかかる電子装置パッケージの製造方法で作製された信頼性の高い電子装置パッケージを提供することができる。
本発明の電子装置パッケージの一実施形態を示す模式的な縦断面図である。 本発明の電子装置の製造方法に係る固定樹脂層形成工程から封止材層形成工程までの形態例を示す模式的な縦断面図である。 本発明の電子装置の製造方法に係る封止材硬化工程及び剥離工程の形態例を示す模式的な縦断面図である。 本発明の電子装置の製造方法に係る封止材硬化工程及び剥離工程の形態例を示す模式的な縦断面図である。 本発明の電子装置の製造方法に係る封止材硬化兼剥離工程の形態例を示す模式的な縦断面図である。 本発明の電子装置の製造方法に係る封止材硬化兼剥離工程の形態例を示す模式的な縦断面図である。 本発明の電子装置の製造方法に係る配線層形成工程の形態例を示す模式的な縦断面図である。 本発明の電子装置の製造方法に係る配線層形成工程及び個片化工程の形態例を示す模式的な縦断面図である。
以下、本発明の電子装置の製造方法、本発明の電子装置、本発明の電子装置パッケージの製造方法および本発明の電子装置パッケージを図面に示す好適実施形態に基づいて詳細に説明する。
図１は、本発明の電子装置の製造方法により製造された電子装置、電子装置パッケージの一例を示す縦断面図である。なお、以下の説明では、図１中の上側を「上」、下側を「下」と言う。
図１に示す電子装置パッケージ１０は、配線回路１９が形成されたインターポーザ２０と、インターポーザ２０上に配置された電子装置３０とを有している。インターポーザ２０と電子装置３０は、それぞれの配線回路とバンプ１８により電気的に接続されている。
また、電子装置３０は、半導体チップ１１と、半導体チップ１１を覆うように封止部１３が設けられ、また、半導体チップ１１の機能面１２の下には、半導体チップ１１の端子（図示しない）と連結する導電性のビア１５及び導電性のビア１５の周辺には第１の絶縁層１４が設けられ、また、導電性のビア１５の下には、導電性のビア１５と連結した導体層１６および第２の絶縁層１７が設けられ、さらに、導体層１６の下には、導体層１６と連結したバンプ１８が設けられている。
インターポーザ（基板）２０は、電子装置３０を支持する基板であり、その平面視形状は、通常、正方形、長方形等の四角形とされる。また、インターポーザ２０は、ポリイミド、エポキシ、シアネート、ビスマレイミドトリアジン（ＢＴレジン）等の各種樹脂材料で構成されている。
インターポーザ２０の上面（一方の面）には、例えば、銅等の導電性金属材料で構成される配線回路１９が、所定形状で設けられている。
導電性のビア１５は、半導体チップ１１の端子（図示しない）と導体層１６を電気的に接続しているものであり、ビア１５の壁面のみに導電層１６が形成されていてもよく、ビア１５全体に導電層１６が形成されていてもよい。ビア１５の壁面のみに導電層１６が形成されている場合、ビア１５の空隙は絶縁性の物質で充填されていることが好ましい。
導体層１６は、導電性のビア１５とバンプ１８を電気的に接続しているものであり、例えば、銅等の導電性金属材料から構成されている。
バンプ１８は、導体層１６とインターポーザ２０上の配線回路１９を電気的に接続しており、電子装置３０から突出する部分は、ほぼ球形状（Ｂａｌｌ状）をなしている。また、このバンプ１８は、例えば、半田、銀ろう、銅ろう、燐銅ろうのようなろう材を主材料として構成されている。
図１に示す電子装置３０は、例えば、本発明の電子装置の製造方法により製造される。
＜電子装置の製造方法＞
本発明の第１の形態の電子装置の製造方法（以下、本発明の電子装置の製造方法（１）とも記載する。）は、支持基材の表面に固定樹脂層を設ける固定樹脂層形成工程と、
該固定樹脂層上に、隣同士の電子部品の間に隙間が形成されるように複数の電子部品を配置し、該固定樹脂層を介して該支持基材上に該電子部品を固定する電子部品固定工程と、
封止材で該電子部品を覆い、該固定樹脂層及び該電子部品上に封止材層を形成させる封止材層形成工程と、
該封止材を加熱することにより該封止材を硬化し、該支持基材に支持されており、該電子部品が配置された電子部品配置封止材硬化物を得る封止材硬化工程と、
該支持基材に支持されている該電子部品配置封止材硬化物を前記支持基材から剥離させる剥離工程と、
を有する電子装置の製造方法であり、
該剥離工程において、該固定樹脂層に含有されている樹脂を低分子化させて、該電子部品配置封止材硬化物を該支持基材から剥離することを特徴とする電子装置の製造方法である。
本発明の第２の形態の電子装置の製造方法（以下、本発明の電子装置の製造方法（２）とも記載する。）は、支持基材の表面に固定樹脂層を設ける固定樹脂層形成工程と、
該固定樹脂層上に、隣同士の電子部品の間に隙間が形成されるように複数の電子部品を配置し、該固定樹脂層を介して該支持基材上に該電子部品を固定する電子部品固定工程と、
封止材で該電子部品を覆い、該固定樹脂層及び該電子部品上に封止材層を形成させる封止材層形成工程と、
該封止材を加熱することにより封止材を硬化し、該支持基材に支持されており、該電子部品が配置された電子部品配置封止材硬化物を得るとともに、該電子部品配置封止材硬化物を該支持基材から剥離させる封止材硬化兼剥離工程と、
を有する電子装置の製造方法であり、
該封止材硬化兼剥離工程において、該固定樹脂層に含有されている樹脂を低分子化させて、該電子部品配置封止材硬化物を該支持基材から剥離することを特徴とする電子装置の製造方法である。
つまり、本発明の電子装置の製造方法（１）では、封止材硬化工程を行った後、剥離工程を行い、一方、本発明の電子装置の製造方法（２）では、封止材の硬化と共に剥離を行う、すなわち、封止材硬化兼剥離工程を行う点が異なり、それ以外の点は、本発明の電子装置の製造方法（１）と本発明の電子装置の製造方法（２）とは同様である。
そして、本発明の電子装置の製造方法（１）では、剥離工程において、固定樹脂層に含有されている樹脂を低分子化させて、電子部品配置封止材硬化物を支持基材から剥離する。また、本発明の電子装置の製造方法（２）では、封止材硬化兼剥離工程において、固定樹脂層に含有されている樹脂を低分子化させて、電子部品配置封止材硬化物を支持基材から剥離する。
本発明の電子装置の製造方法（１）に係る剥離工程及び本発明の電子装置の製造方法（２）に係る封止材硬化兼剥離工程において、固定樹脂層に含有されている樹脂を低分子させる方法としては、特に制限されないが、例えば、以下に示す第１〜第３の実施形態が挙げられる。
本発明の電子装置の製造方法（１）の第１実施形態（以下、本発明の電子装置の製造方法（１Ａ））は、固定樹脂層として、熱分解性の固定樹脂層（以下、固定樹脂層（Ａ）とも記載する。）を用い、剥離工程において、固定樹脂層に含有されている熱分解性樹脂の熱分解温度以上の温度で固定樹脂層を加熱して熱分解させることにより、固定樹脂層に含有されている熱分解性樹脂を低分子化させ、さらに揮発させて、電子部品配置封止材硬化物を支持基材から剥離する実施形態である。本発明の電子装置の製造方法（１Ａ）は、先に固定樹脂層に活性エネルギー線を照射することなく、固定樹脂層を加熱して熱分解させる実施形態である。また、本発明の電子装置の製造方法（２）の第１実施形態（以下、本発明の電子装置の製造方法（２Ａ））は、固定樹脂層として、熱分解性の固定樹脂層（固定樹脂層（Ａ））を用い、封止材硬化兼剥離工程において、固定樹脂層に含有されている熱分解性樹脂の熱分解温度以上の温度で、固定樹脂層を加熱して、固定樹脂層に含有されている熱分化性樹脂を低分子化させ、さらに揮発させて、電子部品配置封止材硬化物を支持基材から剥離する実施形態である。つまり、本発明の電子装置の製造方法（２Ａ）は、先に固定樹脂層に活性エネルギー線を照射することなく、固定樹脂層を加熱して熱分解させる実施形態である。
固定樹脂層（Ａ）とは、熱分解温度以上の温度で加熱することにより、固定樹脂層が熱分解して、詳細には、固定樹脂層に含有されている熱分解性樹脂が熱分解して、支持基材からの電子部品配置封止材硬化物の剥離が可能となる固定樹脂層を指す。
なお、本発明において、固定樹脂層の熱分解温度とは、固定樹脂層に含有されている熱分解性樹脂の５％重量減少温度を指す。
本発明の電子装置の製造方法（１）の第２実施形態（以下、本発明の電子装置の製造方法（１Ｂ））は、固定樹脂層として、活性エネルギー線の照射により熱分解温度が低下する熱分解性の固定樹脂層（以下、固定樹脂層（Ｂ）とも記載する。）を用い、剥離工程において、先に、固定樹脂層（Ｂ）に活性エネルギー線を照射した後、活性エネルギー線照射後の熱分解性の固定樹脂層（Ｂ）の熱分解温度以上の温度で固定樹脂層を加熱して熱分解させることにより、電子部品配置封止材硬化物を支持基材から剥離する実施形態である。また、本発明の電子装置の製造方法（２）の第２実施形態（以下、本発明の電子装置の製造方法（２Ｂ））は、固定樹脂層として、活性エネルギー線の照射により熱分解温度が低下する熱分解性の固定樹脂層（固定樹脂層（Ｂ））を用い、封止材硬化兼剥離工程において、先に、固定樹脂層（Ｂ）に活性エネルギー線を照射した後、活性エネルギー線照射後の熱分解性の固定樹脂層（Ｂ）の熱分解温度以上の温度で固定樹脂層（Ｂ）を加熱して熱分解させることにより、電子部品配置封止材硬化物を支持基材から剥離する実施形態である。固定樹脂層（Ｂ）は、活性エネルギー線の照射により酸を発生する光酸発生剤又は塩基を発生する光塩基発生剤と、酸又は塩基の存在下で加熱されることにより低分子化して熱分解温度が低下する熱分解性樹脂を含有しているので、本発明の電子装置の製造方法（１Ｂ）及び（２Ｂ）では、先に活性エネルギー線を固定樹脂層（Ｂ）に照射して、固定樹脂層（Ｂ）中に酸又は塩基を発生させ、次いで、酸又は塩基の存在下で固定樹脂層（Ｂ）を加熱して、固定樹脂層（Ｂ）に含有されている熱分解性樹脂を低分子化させ、更に、低分子化した熱分解性樹脂を熱分解又は揮発させることにより、電子部品配置封止材硬化物を支持基材から剥離する。
固定樹脂層（Ｂ）とは、熱分解温度以上の温度で加熱することにより、固定樹脂層が熱分解して、電子部品配置封止材硬化物を支持基材から剥離することができる固定樹脂層であって、固定樹脂層に活性エネルギー線が照射されることにより、固定樹脂層（Ｂ）中に酸又は塩基が発生し、次いで、酸又は塩基の存在下で固定樹脂層（Ｂ）が加熱されることにより、固定樹脂層（Ｂ）に含有されている熱分解性樹脂が低分子化し、更に、低分子化した熱分解性樹脂が熱分解又は揮発して、支持基材からの電子部品配置封止材硬化物の剥離が可能となる固定樹脂層を指す。
本発明の電子装置の製造方法（１）の第３実施形態（以下、本発明の電子装置の製造方法（１Ｃ））は、固定樹脂層として、活性エネルギー線の照射により溶融温度が低下する熱溶融性の固定樹脂層（以下、固定樹脂層（Ｃ）とも記載する。）を用い、剥離工程において、先に、固定樹脂層（Ｃ）に活性エネルギー線を照射した後、活性エネルギー線照射後の熱溶融性の固定樹脂層（Ｃ）の溶融温度以上の温度で固定樹脂層を加熱して溶融させることにより、電子部品配置封止材硬化物を支持基材から剥離する実施形態である。また、本発明の電子装置の製造方法（２）の第３実施形態（以下、本発明の電子装置の製造方法（２Ｃ））は、固定樹脂層として、活性エネルギー線の照射により溶融温度が低下する熱溶融性の固定樹脂層（固定樹脂層（Ｃ））を用い、封止材硬化兼剥離工程において、先に、固定樹脂層（Ｃ）に活性エネルギー線を照射した後、活性エネルギー線照射後の熱溶融性の固定樹脂層（Ｃ）の溶融温度以上の温度で固定樹脂層（Ｃ）を加熱して溶融させることにより、電子部品配置封止材硬化物を支持基材から剥離する実施形態である。固定樹脂層（Ｃ）は、活性エネルギー線の照射により酸を発生する光酸発生剤又は塩基を発生する光塩基発生剤と、酸又は塩基の存在下で加熱されることにより低分子化して溶融温度が低下する熱溶融性樹脂を含有しているので、本発明の電子装置の製造方法（１Ｃ）及び（２Ｃ）では、先に活性エネルギー線を固定樹脂層（Ｃ）に照射して、固定樹脂層（Ｃ）中に酸又は塩基を発生させ、次いで、酸又は塩基の存在下で固定樹脂層（Ｃ）を加熱して、固定樹脂層（Ｃ）に含有されている熱溶融性樹脂を低分子化させて、溶融粘度を低下させることにより、電子部品配置封止材硬化物を支持基材から剥離する。
固定樹脂層（Ｃ）とは、溶融温度以上の温度で加熱することにより、固定樹脂層が溶融して、電子部品配置封止材硬化物を支持基材から剥離することができる固定樹脂層であって、固定樹脂層に活性エネルギー線が照射されることにより、固定樹脂層（Ｃ）中に酸又は塩基が発生し、次いで、酸又は塩基の存在下で固定樹脂層（Ｃ）が加熱されて、固定樹脂層（Ｃ）に含有されている熱溶融性樹脂が低分子化し、溶融粘度が低下することにより、電子部品配置封止材硬化物の支持基材からの剥離が可能となる固定樹脂層を指す。
なお、本発明において、固定樹脂層の溶融温度とは、固定樹脂層に含有されている熱溶融性樹脂の溶融粘度が１００Ｐａ・ｓ以下となる温度を指す。
本発明の電子装置の製造方法（１Ｂ）、（１Ｃ）、（２Ｂ）及び（２Ｃ）は、剥離工程又は封止材硬化兼剥離工程で加熱して電子部品配置封止材硬化物を支持基材から剥離するときに、先に、活性エネルギー線を照射することにより、熱分解温度又は溶融温度を低下させることができるので、低い温度で加熱することにより、電子部品配置封止材硬化物を支持基材から剥離させることができるため、電子部品配置封止材硬化物へのダメージを低減させつつ、電子部品や封止材に亀裂等の破損が生じるのを的確に防止することができる。
以下、本発明の電子装置の製造方法（１）及び（２）について、図２〜図８を参照して説明する。図２〜図８は、電子装置３０を平面視した場合（図２の紙面の上側から見たとき）に、電子部品４０の外縁より外側に配線を引きまわす再配置型の電子装置３０の製造方法を説明するための縦断面図である。図２〜図８の紙面の上側を「上」、下側を「下」と言う。なお、本発明の電子装置の製造方法（１）と本発明の電子装置の製造方法（２）とは、封止材硬化工程を行った後、剥離工程を行うか、封止材硬化と共に剥離を行うかという点が異なるが、その他の工程は共通する。
［１］まず、図２（ａ）に示すような、電子部品４０と、平坦性、剛直性及び耐熱性を有する支持基板５０と、を用意する。
電子部品４０としては、特に限定されるものではなく、半導体チップ等の能動素子、コンデンサ、フィルター等の受動素子等が挙げられる。
支持基板５０としては、平坦性、剛直性及び耐熱性を有しているものであれば、特に限定されず、シリコンウエハ、セラミック板、ステンレス板、銅板等の金属板等が挙げられる。これらの中でも、後述する、封止材層形成工程や配線層形成工程での作業性及び現状の設備が利用できる利便性に優れるシリコンウエハが好ましい。また、剥離工程又は封止材硬化兼剥離工程で、先に、活性エネルギー線を照射させる場合は、支持基材５０としては、平坦性、剛直性及び耐熱性を有しており且つ活性エネルギー線を透過する材料であれば、特に限定されず、例えば、石英ガラス、ソーダガラス等のガラス材料、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリプロピレン、シクロオレフィンポリマー、ポリアミド、ポリカーボネート等の樹脂材料が挙げられる。
［２］次に、支持基材５０上に電子部品４０を固定するための固定樹脂層６０を形成する（図２（ｂ）、固定樹脂層形成工程）。
この固定樹脂層６０は、後述する、配線層形成工程で配線を精度良く形成できるようにするために、膜厚を均一に形成させることが好ましい。固定樹脂層６０を形成する方法としては、特に限定されるわけではないが、液状の固定樹脂組成物を、スピンコート法、印刷法、ディスペンス法により成形して、固定樹脂層６０を形成する方法、フィルム状の固定樹脂組成物を、ラミネートして固定樹脂層６０を形成する方法等が挙げられるが、固定樹脂層６０の膜厚均一性に優れる、液状の固定樹脂組成物をスピンコートする方法及びフィルム状の固定樹脂組成物をラミネートする方法が好ましい。
液状の固定樹脂組成物をスピンコート法、印刷法、ディスペンス法により成形して、固定樹脂層６０を形成する方法としては、特に限定されるわけではなく、室温で液状の固定樹脂組成物又は室温で固形の固定樹脂組成物を溶剤や希釈剤に溶解させたワニス状の固定樹脂組成物を、公知のスピンコーター、印刷機、ディスペンサーを用い固定樹脂層６０を形成する方法が挙げられる。
また、フィルム状の固定樹脂組成物をラミネートするする方法としては、特に限定されるわけではないが、ワニス状の固定樹脂組成物をポリエチレン、ポリプロピレン、ポリエチレンテレフタレート等の基材フィルムに塗布及び乾燥することによりフィルム状の固定樹脂組成物を作製し、次いで、公知のラミネータ等を用いることにより、固定樹脂層６０を形成する方法が挙げられる。
ここで、本発明の電子装置の製造方法（１Ａ）、（１Ｂ）、（１Ｃ）、（２Ａ）、（２Ｂ）及び（２Ｃ）で用いられる固定樹脂層６０について説明する。なお、以下に示す固定樹脂層は例示であって、固定樹脂層に含有される樹脂を低分子化させる方法により、適宜選択される。
本発明の電子装置の製造方法（１Ａ）において、固定樹脂層６０は、熱分解性の固定樹脂層（Ａ）であり、熱分解温度以上の温度で加熱されることにより熱分解する熱分解性樹脂を含有する。ここで、固定樹脂層（Ａ）に含まれる熱分解性樹脂の５％重量減少温度が、４００℃以下であることが好ましく、３５０℃以下であることが特に好ましい。固定樹脂層（Ａ）に含まれる熱分解性樹脂の５％重量減少温度を上記範囲にすることにより、固定樹脂層６０を熱分解する際に、電子部品４０や封止材硬化物層７１への熱の影響を少なくすることができる。すなわち、固定樹脂層（Ａ）に含まれる熱分解性樹脂の５％重量減少温度を上記範囲にし、加熱時間を調整することで、４００℃を超える加熱を行わずに、固定樹脂層（Ａ）を熱分解することができる。従って、固定樹脂層（Ａ）を熱分解する際に、電子部品４０や封止材硬化物層７１への熱の影響を少なくすることができる。
なお、固定樹脂層（Ａ）に含まれる熱分解性樹脂の５％重量減少温度を、上記範囲にするためには、例えば、樹脂として、脂環族及び芳香族の骨格を有さない直鎖又は分岐状の熱分解性の樹脂を選択すればよい。
また、固定樹脂層（Ａ）の加熱温度で加熱したときの固定樹脂層（Ａ）に含まれる熱分解性樹脂の重量減少量は、１％以上が好ましく、５％以上が特に好ましい。固定樹脂層（Ａ）の加熱温度で加熱したときの固定樹脂層（Ａ）に含まれる熱分解性樹脂の重量減少量が上記範囲にあることにより、電子部品配置封止材硬化物に付着する固定樹脂層（Ａ）の残渣を低減することができる。すなわち、固定樹脂層（Ａ）を加熱する温度における重量減少を上記範囲以上とすることで、加熱時間を調整することにより固定樹脂層（Ａ）を熱分解させることができる。
本発明において、固定樹脂層を加熱する温度における熱分解性樹脂の重量減少量は、ＴＧ／ＤＴＡ（熱重量／示差熱分析、雰囲気：窒素、温度：固定樹脂層の加熱温度までは１０℃／分で昇温し、固定樹脂層の加熱温度に達した後はその温度で一定）で測定される値である。そして、樹脂を約１０ｍｇ精秤し、ＴＧ／ＤＴＡ装置（セイコーインスツルメンツ社製）により測定（雰囲気：窒素、温度：固定樹脂層の加熱温度までは１０℃／分で昇温し、固定樹脂層の加熱温度に達した後はその温度で一定）することにより、ＴＧ／ＤＴＡ測定を行うことができる。
また、固定樹脂層（Ａ）に含有される熱分解性樹脂の５％重量減少温度は、５０℃以上が好ましく、１００℃以上が特に好ましい。固定樹脂層（Ａ）に含有される熱分解性樹脂の５％重量減少温度が上記範囲にあることにより、封止材層７０を形成し、さらに、封止材層７０を硬化させるプロセス中に固定樹脂層（Ａ）が不要に熱分解してしまうことを抑制できる。
なお、固定樹脂層（Ａ）に含有される熱分解性樹脂の５％重量減少温度を５０℃以上とするためには、例えば、樹脂の分子量を調整すればよい。
本発明において、熱分解性樹脂の５％重量減少温度とは、ＴＧ／ＤＴＡ（熱重量／示差熱分析）で測定した時の５％の重量が失われる温度を指す。そして、樹脂を約１０ｍｇ精秤し、ＴＧ／ＤＴＡ装置（セイコーインスツルメンツ社製）により測定（雰囲気：窒素、昇温速度：５℃／分）することにより、ＴＧ／ＤＴＡ測定を行うことができる。
固定樹脂層（Ａ）に含有される熱分解性樹脂としては、例えば、ポリカーボネート系樹脂、ポリエステル系樹脂、ポリアミド系樹脂、ポリイミド系樹脂、ポリエーテル系樹脂、ポリウレタン系樹脂等が挙げられる。これらの樹脂の中でも、固定樹脂層（Ａ）の熱分解時間を効果的に短縮することができる、ポリカーボネート系樹脂が好ましい。なお、固定樹脂層（Ａ）に含有される熱分解性樹脂は１種であってもよく、また、２種以上であってもよい。
ここで、ポリカーボネート系樹脂とは、少なくとも主鎖にカーボネート基（−Ｏ−（Ｃ＝Ｏ）−Ｏ−）を構造単位として有する樹脂であり、他の構造単位を有していてもよい。
また、ポリエステル系樹脂とは、少なくとも主鎖にエステル基（−（Ｃ＝Ｏ）−Ｏ−）を構造単位として有する樹脂であり、他の構造単位を有していてもよい。
また、ポリアミド系樹脂とは、少なくとも主鎖にアミド結合（−ＮＨ−（Ｃ＝Ｏ）−）を構造単位として有する樹脂であり、他の構造単位を有していてもよい。
また、ポリイミド系樹脂とは、少なくとも主鎖にイミド結合（−（Ｃ＝Ｏ）−ＮＲ−（Ｃ＝Ｏ）−）を構造単位として有する樹脂であり、他の構造単位を有していてもよい。ここで、Ｒは有機基を示す。
また、ポリエーテル系樹脂とは、少なくとも主鎖にエーテル基（−Ｏ−）を構造単位として有する樹脂であり、他の構造単位を有していてもよい。
また、ポリウレタン系樹脂とは、少なくとも主鎖にウレタン結合（−Ｏ−（Ｃ＝Ｏ）−ＮＨ−）を構造単位として有する樹脂であり、他の構造単位を有していてもよい。
固定樹脂層（Ａ）に含有される熱分解性樹脂であるポリカーボネート系樹脂としては、特に限定されないが、例えば、ポリプロピレンカーボネート樹脂、ポリエチレンカーボネート樹脂、１，２−ポリブチレンカーボネート樹脂、１，３−ポリブチレンカーボネート樹脂、１，４−ポリブチレンカーボネート樹脂、ｃｉｓ−２，３−ポリブチレンカーボネート樹脂、ｔｒａｎｓ−２，３−ポリブチレンカーボネート樹脂、α，β−ポリイソブチレンカーボネート樹脂、α，γ−ポリイソブチレンカーボネート樹脂、ｃｉｓ−１，２−ポリシクロブチレンカーボネート樹脂、ｔｒａｎｓ−１，２−ポリシクロブチレンカーボネート樹脂、ｃｉｓ−１，３−ポリシクロブチレンカーボネート樹脂、ｔｒａｎｓ−１，３−ポリシクロブチレンカーボネート樹脂、ポリヘキセンカーボネート樹脂、ポリシクロプロペンカーボネート樹脂、ポリシクロヘキセンカーボネート樹脂、１，３−ポリシクロヘキサンカーボネート樹脂、ポリ（メチルシクロヘキセンカーボネート）樹脂、ポリ（ビニルシクロヘキセンカーボネート）樹脂、ポリジヒドロナフタレンカーボネート樹脂、ポリヘキサヒドロスチレンカーボネート樹脂、ポリシクロヘキサンプロピレンカーボネート樹脂、ポリスチレンカーボネート樹脂、ポリ（３−フェニルプロピレンカーボネート）樹脂、ポリ（３−トリメチルシリロキシプロピレンカーボネート）樹脂、ポリ（３−メタクリロイロキシプロピレンカーボネート）樹脂、ポリパーフルオロプロピレンカーボネート樹脂、ポリノルボルネンカーボネート樹脂、ポリノルボルナンカーボネート樹脂並びにこれらの組合せが挙げられる。
固定樹脂層（Ａ）に含有される熱分解性樹脂であるポリカーボネート系樹脂としては、さらに、例えば、ポリプロピレンカーボネート／ポリシクロヘキセンカーボネート共重合体、１，３−ポリシクロヘキサンカーボネート／ポリノルボルネンカーボネート共重合体、ポリ［（オキシカルボニルオキシ−１，１，４，４−テトラメチルブタン）−ａｌｔ−（オキシカルボニルオキシ−５−ノルボルネン−２−ｅｎｄｏ−３−ｅｎｄｏ−ジメタン）］樹脂、ポリ［（オキシカルボニルオキシ−１，４−ジメチルブタン）−ａｌｔ−（オキシカルボニルオキシ−５−ノルボルネン−２−ｅｎｄｏ−３−ｅｎｄｏ−ジメタン）］樹脂、ポリ［（オキシカルボニルオキシ−１，１，４，４−テトラメチルブタン）−ａｌｔ−（オキシカルボニルオキシ−ｐ−キシレン）］樹脂、及びポリ［（オキシカルボニルオキシ−１，４−ジメチルブタン）−ａｌｔ−（オキシカルボニルオキシ−ｐ−キシレン）］樹脂等が挙げられる。
固定樹脂層（Ａ）に含有される熱分解性樹脂であるポリカーボネート系樹脂の重量平均分子量（Ｍｗ）は、好ましくは１，０００〜１，０００，０００、特に好ましくは５，０００〜８００，０００である。固定樹脂層（Ａ）に含有される熱分解性樹脂であるポリカーボネート系樹脂の重量平均分子量を上記下限以上とすることにより、電子部品４０および支持基板５０に対する濡れ性が向上すること、さらに、成膜性を向上するという効果を得ることができ、また、上記上限値以下とすることで、各種溶剤に対する溶解性、さらには、固定樹脂層６０の熱分解性を向上するという効果を得ることができる。
固定樹脂層（Ａ）に含有される熱分解性樹脂であるポリカーボネート系樹脂の重合方法は、特に限定されるわけではないが、例えば、ホスゲン法（溶剤法）又はエステル交換法（溶融法）等の公知の重合方法が挙げられる。
固定樹脂層（Ａ）中の熱分解性樹脂の含有量は、固定樹脂層（Ａ）の全量の３０〜１００重量％が好ましく、５０〜１００重量％が特に好ましく、６０〜１００重量％が更に好ましい。固定樹脂層（Ａ）中の熱分解性樹脂の含有量が上記範囲にあることにより、固定樹脂層（Ａ）を熱分解した後の残渣を低減できるという効果がある。
固定樹脂層（Ａ）に含有される熱分解性樹脂として、封止材層７０を熱硬化する温度で熱分解し難く、また、封止材層７０を熱硬化させる温度以上での熱分解性に優れる点から、ポリプロピレンカーボネート、１，４−ポリブチレンカーボネート、１，３−ポリシクロヘキサンカーボネート／ポリノルボルネンカーボネート共重合体が特に好ましい。
本発明の電子装置の製造方法（１Ｂ）において、固定樹脂層６０は、活性エネルギー線を照射することにより、熱分解温度が低下する固定樹脂層（Ｂ）である。固定樹脂層（Ｂ）としては、酸又は塩基の存在下において熱分解温度が低下する熱分解性樹脂と、活性エネルギー線を照射することにより、酸を発生させる光酸発生剤又は塩基を発生させる光塩基発生剤と、を含有する固定樹脂層が挙げられる。
固定樹脂層（Ｂ）が、酸又は塩基の存在により熱分解温度が低下する熱分解性樹脂と、活性エネルギー線を照射することにより、酸を発生させる光酸発生剤又は塩基を発生させる光塩基発生剤と、を含有する場合、固定樹脂層（Ｂ）に活性エネルギー線が照射されると、固定樹脂層（Ｂ）内で酸又は塩基が発生し、そして、発生した酸又は塩基の存在下で、酸又は塩基の存在により熱分解温度が低下する熱分解性樹脂が加熱されることにより、樹脂の分子鎖が切断されて、樹脂が低分子化する。そのため、固定樹脂層（Ｂ）に活性エネルギー線が照射されることにより、固定樹脂層（Ｂ）の熱分解温度が低下する。
酸又は塩基の存在により熱分解温度が低下する熱分解性樹脂としては、固定樹脂層（Ａ）で説明した熱分解性樹脂であるポリカーボネート系樹脂、ポリエステル系樹脂、ポリアミド系樹脂、ポリイミド系樹脂、ポリエーテル系樹脂、ポリウレタン系樹脂等が挙げられる。
そして、固定樹脂層６０として、固定樹脂層（Ｂ）を用いる場合、固定樹脂層（Ｂ）に活性エネルギー線を照射することで、固定樹脂層（Ｂ）の熱分解温度を低下させることができるので、支持基材５０上に固定樹脂層（Ｂ）を形成した後、活性エネルギー線を照射することにより熱分解温度を低下させることが、電子装置の熱損傷を防止することができる点で、好ましい。
固定樹脂層（Ｂ）が、酸又は塩基の存在により熱分解温度が低下する熱分解性樹脂として、ポリカーボネート系樹脂であるポリプロピレンカーボネート樹脂を含有する場合を例に、熱分解温度が低下するメカニズムについて説明する。下記式（１）で示すように、先ず、前記光酸発生剤由来のＨ＋が、ポリプロピレンカーボネート樹脂のカルボニル酸素をプロトン化し、さらに極性遷移状態を転移させ不安定な互変異性中間体［Ａ］及び［Ｂ］を生じる。次に、中間体［Ａ］は、アセトン及びＣＯ２として断片化する熱切断が起こるため、低分子化して、熱分解温度が低下する。また、中間体［Ｂ］は炭酸プロピレンを生成し、炭酸プロピレンはＣＯ２及びプロピレンオキシドとして断片化する熱閉環構造を形成するため、低分子化して、熱分解温度が低下する。
光酸発生剤は、活性エネルギー線を照射することにより酸を発生する化合物であれば、特に限定されるものではなく、例えば、求核ハロゲン化物、錯金属ハライド陰イオン等が挙げられる。光酸発生剤としては、より具体的には、テトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート−４−メチルフェニル［４−（１−メチルエチル）フェニル］ヨードニウム（ＤＰＩ−ＴＰＦＰＢ）、トリス（４−ｔ−ブチルフェニル）スルホニウムテトラキス−（ペンタフルオロフェニル）ボレート（ＴＴＢＰＳ−ＴＰＦＰＢ）、トリス（４−ｔ−ブチルフェニル）スルホニウムヘキサフルオロホスフェート（ＴＴＢＰＳ−ＨＦＰ）、トリフェニルスルホニウムトリフレート（ＴＰＳ−Ｔｆ）、ビス（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）ヨードニウムトリフレート（ＤＴＢＰＩ−Ｔｆ）、トリアジン（ＴＡＺ−１０１）、トリフェニルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート（ＴＰＳ−１０３）、トリフェニルスルホニウムビス（パーフルオロメタンスルホニル）イミド（ＴＰＳ−Ｎ１）、ジ−（ｐ−ｔ−ブチル）フェニルヨードニウム、ビス（パーフルオロメタンスルホニル）イミド（ＤＴＢＰＩ−Ｎ１）、トリフェニルスルホニウム、トリス（パーフルオロメタンスルホニル）メチド（ＴＰＳ−Ｃ１）、ジ−（ｐ−ｔ−ブチルフェニル）ヨードニウムトリス（パーフルオロメタンスルホニル）メチド（ＤＴＢＰＩ−Ｃ１）等が挙げられる。これらは、１種単独であっても２種以上の組み合わせであってもよい。
光塩基発生剤としては、特に限定されないが、例えば、５−ベンジル−１，５−ジアザビシクロ（４．３．０）ノナン、１−（２−ニトロベンゾイルカルバモイル）イミダゾール等が挙げられる。これらは、１種単独であっても２種以上の組み合わせであってもよい。これらのうち、光塩基発生剤としては、樹脂の熱分解温度又は後述する溶融温度を効率的に下げることができるという観点から、５−ベンジルー１，５−ジアザビシクロ（４．３．０）ノナンおよびこの誘導体が好ましい。
固定樹脂層（Ｂ）中の光酸発生剤又は光塩基発生剤の含有量は、固定樹脂層（Ｂ）中の酸又は塩基の存在により熱分解温度が低下する熱分解性樹脂１００重量部に対して０．１〜１５重量部であることが好ましく、０．５〜１０重量部であることが特に好ましい。固定樹脂層（Ｂ）中の光酸発生剤又は光塩基発生剤の含有量が上記範囲にあることにより、活性エネルギー線の照射により効果的に熱分解温度を低下させることができ、さらに、熱分解後の残渣を低減することができる。
固定樹脂層（Ｂ）としては、活性エネルギー線が照射された後の熱分解温度、すなわち、活性エネルギー線が照射された後の固定樹脂層（Ｂ）に含有されている酸又は塩基の存在下において熱分解温度が低下する熱分解性樹脂の５％重量減少温度が、１００〜２００℃であることが好ましく、１２０〜１９０℃であることが特に好ましい。
固定樹脂層（Ｂ）は、光酸発生剤又は光塩基発生剤と共に、特定のタイプ又は波長の光に対する光酸発生剤又は光塩基発生剤の反応性を発現あるいは増大させる機能を有する成分である増感剤を含んでいても良い。
固定樹脂層（Ｂ）に含有される増感剤としては、特に限定されるものではないが、例えば、アントラセン、フェナントレン、クリセン、ベンツピレン、フルオランテン、ルブレン、ピレン、キサントン、インダンスレン、チオキサンテン−９−オン、２‐イソプロピル−９Ｈ−チオキサンテン−９−オン、４−イソプロピル−９Ｈ−チオキサンテン−９−オン、１−クロロ−４‐プロポキシチオキサントン、及びこれらの混合物等が挙げられる。固定樹脂層（Ｂ）中の増感剤の含有量は、光酸発生剤又は光塩基発生剤１００重量部に対して、１００重量部以下が好ましく、５０重量部以下が特に好ましい。
本発明の電子装置の製造方法（１Ｃ）において、固定樹脂層６０は、活性エネルギー線を照射することにより、溶融温度が低下する固定樹脂層（Ｃ）である。固定樹脂層（Ｃ）としては、例えば、酸又は塩基の存在下において溶融温度が低下する熱溶融性樹脂と、活性エネルギー線の照射により、酸を発生する光酸発生剤又は塩基を発生する光塩基発生剤と、を含有する固定樹脂層が挙げられる。
固定樹脂層（Ｃ）が、酸又は塩基の存在下において溶融温度が低下する熱溶融性樹脂と、活性エネルギー線の照射により、酸を発生する光酸発生剤又は塩基を発生する光塩基発生剤と、を含有する場合、固定樹脂層（Ｃ）に活性エネルギー線が照射されると、固定樹脂層（Ｃ）内で酸又は塩基が発生し、そして、発生した酸又は塩基の存在下で、酸又は塩基の存在下において溶融温度が低下する熱溶融性樹脂が加熱されることにより、樹脂の分子鎖が切断されて、樹脂が低分子化するため、固定樹脂層（Ｃ）中の熱溶融性樹脂の溶融温度が低下する。そのため、固定樹脂層（Ｃ）に活性エネルギー線が照射されることにより、固定樹脂層（Ｃ）の溶融温度が低下する。
固定樹脂層（Ｃ）に含有される酸又は塩基の存在により溶融温度が低下する熱溶融性樹脂としては、酸又は塩基の存在下において溶融温度が低下するものであればよく、特に限定されるものではないが、例えば、ポリカーボネート系樹脂、ポリエステル系樹脂、ポリアミド系樹脂、ポリエーテル系樹脂、ポリウレタン系樹脂、ビニル系樹脂、（メタ）アクリレート系樹脂等が挙げられ、これらは、１種単独又は２種以上の組み合わせであってもよい。これらのうち、熱溶融性樹脂としては、酸又は塩基の存在下において、溶融温度の低下が顕著である点で、ポリカーボネート系樹脂、ビニル系樹脂および（メタ）アクリル系樹脂が好ましく、ポリカーボネート系樹脂が特に好ましい。
固定樹脂層（Ｃ）に含有される酸又は塩基の存在により溶融温度が低下する熱溶融性樹脂であるビニル系樹脂としては、特に制限されないが、例えば、ポリスチレン、ポリ−α−メチルスチレンのようなスチレン誘導体の重合体、ポリ（エチルビニルエーテル）、ポリ（ブチルビニルエーテル）、ポリビニルホルマールのようなポリビニルエーテル類やその誘導体等が挙げられ、これらは、１種単独であっても２種以上の組み合わせであってもよい。これらのうち、ビニル系樹脂としては、ポリ−α−メチルスチレンが、作業性に優れるという点から、好ましい。
固定樹脂層（Ｃ）に含有される酸又は塩基の存在により溶融温度が低下する熱溶融性樹脂である（メタ）アクリル系樹脂としては、特に制限されないが、例えば、（メタ）アクリル酸メチル、（メタ）アクリル酸エチル、（メタ）アクリル酸ｎ−プロピル、（メタ）アクリル酸ｎ−ブチル、（メタ）アクリル酸、２−ヒドロキシエチル（メタ）アクリレートのような各種（メタ）アクリル系モノマーから選択される共重合体等が挙げられる。これらのうち、（メタ）アクリル樹脂としては、ポリメタクリル酸メチル又はポリメタクリル酸エチルが、作業性に優れる点で、好ましい。
固定樹脂層（Ｃ）に含有される酸又は塩基の存在により溶融温度が低下する熱溶融性樹脂であるポリカーボネート系樹脂としては、特に制限されないが、ポリプロピレンカーボネート、ポリエチレンカーボネート、ポリブチレンカーボネートのような直鎖状の化学構造を有するカーボネート構成単位からなるポリカーボネート系樹脂、環状の化学構造をカーボネート構造単位中に有する樹脂が挙げられるが、これらのうち、環状の化学構造を有するカーボネート構造単位からなるポリカーボネート系樹脂が、作業性に優れる点で、好ましい。以下、この環状の化学構造をカーボネート構造単位中に有するポリカーボネート系樹脂について、詳述する。
環状の化学構造を有するカーボネート構造単位からなるポリカーボネート系樹脂は、カーボネート構造単位中に、環状の化学構造（以下、「環状体」と言うこともある。）を有するものであれば如何なる構成のものであってよいが、少なくとも２つの環状体を有するカーボネート構造単位からなるポリカーボネート樹脂が好ましい。環状の化学構造を有するカーボネート構造単位からなるポリカーボネート系樹脂では、環状体の数又は種類を適宜選択することにより、活性エネルギー線の照射により光酸発生剤又は光塩基発生剤から発生した酸又は塩基の作用により、活性エネルギー線照射後の樹脂の１８０℃での溶融粘度を、後述するような範囲内に設定することが容易となる。
また、環状の化学構造を有するカーボネート構造単位からなるポリカーボネート系樹脂において、カーボネート構造単位１単位中の環状体の数は、好ましくは２〜５、特に好ましくは２又は３、更に好ましくは２である。カーボネート構成単位がこのような数の環状体を有することにより、活性エネルギー線の照射前において、固定樹脂層（Ｃ）が、電子部品３０を支持基板５０に接合したときの密着性に優れる。
また、環状の化学構造を有するカーボネート構造単位からなるポリカーボネート系樹脂において、カーボネート構造単位１単位中の環状体の数が２以上の場合、複数の環状体は、それぞれの頂点同士が互いに連結している連結多環系構造をなしていてもよいが、それぞれが有する一辺同士が互いに連結している縮合多環系構造をなしているのが好ましい。これにより、カーボネート構造単位の平面性が向上するため、活性エネルギー線の照射前後における溶融温度の差を大きくすることが可能となる。
さらに、環状の化学構造を有するカーボネート構造単位からなるポリカーボネート系樹脂において、環状体は、５員環又は６員環が好ましい。これにより、カーボネート構成単位の平面性がより保たれることから、活性エネルギー線の照射前後における溶融温度の差を大きくすることが可能となるとともに、後述する溶媒に対する溶解性をより安定させることができる。
環状の化学構造を有するカーボネート構造単位からなるポリカーボネート系樹脂において、環状体は、脂環式構造が好ましい。各環状体が脂環式構造である場合に、前述したような効果がより顕著に発揮されることになる。
これらのことを考慮すると、環状の化学構造を有するカーボネート構造単位からなるポリカーボネート系樹脂において、カーボネート構成単位としては、例えば、下記化学式（２）で表わされるカーボネート構造単位が特に好ましい構造である。
なお、上記化学式（２）で表わされるカーボネート構成単位を有するポリカーボネートは、デカリンジオールと、炭酸ジフェニルのような炭酸ジエステルとの重縮合反応により得られる。
また、上記化学式（２）で表わされるカーボネート構成単位において、デカリンジオールが有する２つの水酸基に由来する２つの酸素原子は、それぞれ、デカリン（すなわち、縮合多環系構造を形成する２つの環状体）を構成する炭素原子に直接結合し、且つ、これら２つの酸素原子が結合する炭素原子の間に３つ以上の原子が介在しているのが好ましい。これにより、ポリカーボネート系樹脂の直線性が保たれ、その結果、活性エネルギー線の照射前後における溶融温度の差をより確実に大きくすることが可能となり、さらに、後述する溶媒に対する溶解性をより安定させることができる。
このようなカーボネート構成単位としては、例えば、下記化学式（２Ａ）、（２Ｂ）で表わされるものが挙げられる。
さらに、環状の化学構造を有するカーボネート構造単位からなるポリカーボネート系樹脂において、カーボネート構造単位が有する複数の環状体は、上記のような脂環式構造である他、複素脂環式構造であってもよい。各環状体が複素脂環式構造である場合であっても、前述したような効果がより顕著に発揮されることになる。
この場合、環状の化学構造を有するカーボネート構造単位からなるポリカーボネート系樹脂において、カーボネート構成単位としては、例えば、下記化学式（３Ｘ）で表わされるカーボネート構造単位が特に好ましい構造である。
なお、上記化学式（３Ｘ）で表わされるカーボネート構成単位を有するポリカーボネート系樹脂は、下記化学式（３ａ）で表わされる環状エーテルジオールと、炭酸ジフェニルのような炭酸ジエステルとの重縮合反応により得られる。
また、上記化学式（３Ｘ）で表わされるカーボネート構成単位において、上記化学式（３ａ）で表わされる環状エーテルジオールが有する水酸基に由来する２つの酸素原子は、それぞれ、上記環状エーテル（すなわち、縮合多環系構造を形成する２つの環状体）を構成する炭素原子に結合し、且つ、これら２つの酸素原子が結合する炭素原子の間に３つ以上の原子が介在しているのが好ましい。これにより、ポリカーボネートの分解性を制御でき、その結果、活性エネルギー線の照射前後における溶融温度の差をより確実に大きく設定することが可能となり、さらに、後述する溶媒に対する溶解性をより安定させることができる。
このようなカーボネート構成単位としては、例えば、下記化学式（３Ａ）で表わされる１，４：３，６−ジアンヒドロ−Ｄ−ソルビトール（イソソルビド）型のものや、下記化学式（３Ｂ）で表わされる１，４：３，６−ジアンヒドロ−Ｄ−マンニトール（イソマンニド）型ものが挙げられる。
固定樹脂層（Ｃ）に含有される酸又は塩基の存在下において溶融温度が低下する熱溶融性樹脂の重量平均分子量（Ｍｗ）は、好ましくは１，０００〜１，０００，０００、特に好ましくは５，０００〜８００，０００である。固定樹脂層（Ｃ）に含有されるポリカーボネート系樹脂の重量平均分子量を上記下限以上とすることにより、固定樹脂層（Ｃ）を形成するための樹脂組成物の支持基板５０に対する濡れ性が向上する効果、さらに、固定樹脂層（Ｃ）の成膜性が向上するという効果が得られる。
固定樹脂層（Ｃ）中の酸又は塩基の存在下において溶融温度が低下する熱溶融性樹脂の含有量は、固定樹脂層（Ｃ）全量の１０〜１００重量％が好ましく、３０〜１００重量％が特に好ましい。固定樹脂層（Ｃ）中の酸又は塩基の存在下において溶融温度が低下する熱溶融性樹脂の含有量を上記下限値以上とすることで、後述する剥離工程後における、電子部品配置封止材硬化物８０に対する固定樹脂層の密着性を確実に低減させることができる。
また、固定樹脂層（Ｂ）に含有される酸又は塩基の存在下において熱分解温度が低下する熱分解性樹脂（固定樹脂層（Ａ）で説明したポリカーボネート系樹脂、ポリエステル系樹脂、ポリアミド系樹脂、ポリエーテル系樹脂、ポリウレタン系樹脂等）も、酸又は塩基の存在により樹脂の分子鎖が切断されて低分子化するので、固定樹脂層（Ｃ）に含有される酸又は塩基の存在下において溶融温度が低下する熱溶融性樹脂として、用いられる。
固定樹脂層（Ｃ）に含有される光酸発生剤及び光塩基発生剤は、固定樹脂層（Ｂ）に含有される光酸発生剤及び光塩基発生剤と同様である。
固定樹脂層（Ｃ）中の光酸発生剤及び光塩基発生剤の含有量は、固定樹脂層（Ｃ）の全量の０．０１〜５０重量％程度が好ましく、０．１〜３０重量％程度が特に好ましい。固定樹脂層（Ｃ）中の光酸発生剤及び光塩基発生剤の含有量を上記範囲にすることにより、樹脂の溶融温度を安定的に目的とする範囲内に下げることが可能となる。
固定樹脂層（Ｃ）としては、活性エネルギー線が照射された後の溶融温度、すなわち、活性エネルギー線が照射された後の固定樹脂層（Ｃ）に含有されている酸又は塩基の存在下において溶融温度が低下する熱溶融性樹脂の溶融温度が、１００〜２００℃であることが好ましく、１２０〜１９０℃であることが特に好ましい。
また、固定樹脂層（Ｃ）としては、活性エネルギー線が照射された後の固定樹脂層（Ｃ）の１８０℃での溶融粘度が、０．０１〜１００Ｐａ・ｓであることが好ましい。
また、固定樹脂層６０、例えば、固定樹脂層（Ａ）、固定樹脂層（Ｂ）、固定樹脂層（Ｃ）等は、酸化防止剤を含んでいてもよい。酸化防止剤は、望ましくない酸の発生や、固定樹脂層６０の自然酸化を防止する機能を有している。
酸化防止剤としては、特に限定されるわけではないが、例えば、ニューヨーク州タリータウンのＣｉｂａ Ｆｉｎｅ Ｃｈｅｍｉｃａｌｓ社から入手可能なＣｉｂａ ＩＲＧＡＮＯＸ（登録商標） １０７６又はＣｉｂａ ＩＲＧＡＦＯＳ（登録商標）１６８が好適に用いられる。
また、他の酸化防止剤としては、例えば、Ｃｉｂａ Ｉｒｇａｎｏｘ（登録商標） １２９、Ｃｉｂａ Ｉｒｇａｎｏｘ １３３０、Ｃｉｂａ Ｉｒｇａｎｏｘ １０１０、Ｃｉｂａ Ｃｙａｎｏｘ（登録商標） １７９０、Ｃｉｂａ Ｉｒｇａｎｏｘ ３１１４、Ｃｉｂａ Ｉｒｇａｎｏｘ ３１２５等が用いられる。
固定樹脂層６０中の酸化防止剤の含有量は、固定樹脂層６０に含有されている樹脂１００重量部に対して、０．１〜１０重量部が好ましく、０．５〜５重量部が特に好ましい。
また、固定樹脂層６０、例えば、固定樹脂層（Ａ）、固定樹脂層（Ｂ）、固定樹脂層（Ｃ）等は、必要によりアクリル系、シリコーン系、フッ素系、ビニル系等のレベリング剤、シランカップリング剤等の添加剤等を含有してもよい。
固定樹脂層６０に含有されるシランカップリング剤としては、特に限定されるものではないが、例えば、３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、３−グリシドキシプロピルメチルジエトキシシラン、３−グリシドキシプロピルトリエトキシシラン、ｐ−スチリルトリメトキシシラン、３−メタクリロキシプロピルメチルジメトキシシラン、３−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、３−メタクリロキシプロピルメチルジエトキシシラン、３−メタクリロキシプロピルトリエトキシシラン、３−アクリロキシプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−２−（アミノエチル）−３−アミノプロピルメチルジメトキシシラン、Ｎ−２−（アミノエチル）−３−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−２−（アミノエチル）−３−アミノプロピルトリエトキシシラン、３−アミノプロピルトリメトキシシラン、３−アミノプロピルトリエトキシシラン、Ｎ−フェニル−３−アミノプロピルトリメトキシシラン、３−メルカプトプロピルメチルジメトキシシラン、３−メルカプトプロピルトリメトキシシラン、ビス（トリエトキシプロピル）テトラスルフィド、３−イソシアネートプロピルトリエトキシシラン等が挙げられ、これらは、１種単独でも２種以上の組み合わせであってもよい。固定樹脂層６０がシランカップリング剤を含むことにより、固定樹脂層６０の電子部品４０や支持基材５０に対する密着性が向上するという効果がある。
［３］次に、固定樹脂層６０の上に電子部品４０を配置し、固定樹脂層６０を介して支持基材５０の上に電子部品４０を固定する（図２（ｃ）、電子部品固定工程）。
電子部品４０を配置する際は、電子部品４０の端子（図示しない）を有する面を下（固定樹脂層６０と接する面）に向けて、複数の電子部品４０を配置する。このとき、隣同士の電子部品４０との間に隙間４２が形成されるように、複数の電子部品４０を配置する。言い換えると、隙間４２の間隔を開けて、複数の電子部品４０を並べるように配置する。なお、図２では、左右方向に、一定の隙間が形成されるように、複数の電子部品４０が配置されているが、電子部品４０は、前後方向（図２の紙面の表裏方向）にも、複数個配置されるので、前後方向においても、隣同士の電子部品４０との間に隙間が形成されるように、複数の電子部品４０を配置する。また、電子部品４０を配置する際は、後述する、配線層形成工程で配線層を精度良く形成することができるように、精密に電子部品４０を配置する必要がある。
電子部品４０を配置する方法としては、特に限定されるわけではないが、フリップチップボンダーを適用することにより電子部品４０を精密に配置することができる。
電子部品４０の固定樹脂層６０への固定は、特に限定されるわけではなく、固定樹脂層６０が液状である場合、加圧（電子部品４０の自重のみで加圧する場合を含む）することにより、電子部品４０を固定樹脂層６０に固定することができる。また、固定樹脂層６０が固形である場合、必要により適宜加熱及び加圧することにより、電子部品４０を固定樹脂層６０に固定することができる。電子部品４０を固定樹脂層６０に固定する際の加熱温度としては、特に限定されるわけではないが、好ましくは５０〜２００℃、特に好ましくは８０〜１８０℃である。電子部品４０を固定樹脂層６０に固定する際の加圧力は、好ましくは０．０５〜１ＭＰａ、特に好ましくは０．１〜０．８ＭＰａである。さらに、電子部品４０を固定樹脂層６０に固定する際の加熱及び加圧する時間は、好ましくは０．１〜３０秒、特に好ましくは１〜１５秒である。電子部品４０を固定樹脂層６０に固定する際の加熱及び加圧条件を上記範囲とすることで、電子部品４０を確実に固定すること及び電子部品４０の破損や変形を防止することの両方を実現することができる。
［４］次に、封止材で、電子部品４０間の隙間４２及び電子部品４０を覆うように、電子部品４０及び固定樹脂層６０上に、封止材層７０を形成する（図２（ｄ）、封止材層形成工程）。
ここで、電子部品４０を覆うようにとは、電子部品４０が完全に覆われる場合と電子部品４０の一部が覆われる場合の両方を含むものであるが、電子部品４０が完全に覆われている方が、電子装置３０の信頼性が良好であるため好ましい。
封止材で封止材層７０を形成する方法は、特に限定されるわけではなく、トランスファー成形法、圧縮成形法、インジェクション成形法等が挙げられるが、固定された電子部品４０の位置ずれが発生し難い圧縮成形法が好ましい。また、封止材を成形する際の成形温度は、特に限定されるわけではないが、好ましくは５０〜２００℃、特に好ましくは８０〜１８０℃である。また、封止材を成形する際の成形圧力は、特に限定されるわけではないが、好ましくは０．５〜１２ＭＰａ、特に好ましくは１〜１０ＭＰａである。さらに、封止材を成形する際の成形時間は、好ましくは３０秒〜１５分、特に好ましくは１〜１０分である。封止材を成形する際の成形温度、圧力、時間を上記範囲とすることで、封止材の未充填部分が発生することと電子備品４０が位置ずれしてしまうことの両方を防止することができる。
封止材としては、特に限定されるわけではなく、液状の封止材、固形状の封止材を使用できる。封止材としては、例えば、エポキシ樹脂と、硬化剤と、無機充填材とを主材料として構成されるものが好ましい。かかる構成材料で構成される封止材は、優れた密着性で電子部品４０を封止できるとともに、熱膨張係数を比較的容易に調整することができる。
以下、液状の封止材について詳細に説明するが、液状の封止材はこれに限定されるものではない。
本発明に係る液状の封止材としては、特に制限されるわけではないが、エポキシ樹脂、酸無水物、無機充填材、及び硬化促進剤を必須成分とする液状の封止材が好ましい。また、硬化促進剤は、ホスホニウム塩型硬化促進剤が好ましい。
液状の封止材を構成するエポキシ樹脂は、特に限定されるわけではないが、一分子中にエポキシ基を２個以上有するもので、かつ常温において液状であれば、特に分子量や構造は限定されるものではない。
液状の封止材を構成するエポキシ樹脂としては、例えば、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂などのノボラック型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、Ｎ，Ｎ-ジグリシジルアニリン、Ｎ，Ｎ−ジグリシジルトルイジン、ジアミノジフェニルメタン型グリシジルアミン、アミノフェノール型グリシジルアミンのような芳香族グリシジルアミン型エポキシ樹脂、ハイドロキノン型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、スチルベン型エポキシ樹脂、トリフェノールメタン型エポキシ樹脂、トリフェノールプロパン型エポキシ樹脂、アルキル変性トリフェノールメタン型エポキシ樹脂、トリアジン核含有エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン変性フェノール型エポキシ樹脂、ナフトール型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、フェニレンおよび／またはビフェニレン骨格を有するフェノールアラルキル型エポキシ樹脂、フェニレンおよび／またはビフェニレン骨格を有するナフトールアラルキル型エポキシ樹脂などのアラルキル型エポキシ樹脂などのエポキシ樹脂、ビニルシクロヘキセンジオキシド、ジシクロペンタジエンオキシド、アリサイクリックジエポキシ−アジペイドなどの脂環式エポキシなどの脂肪族エポキシ樹脂が挙げられる。
液状の封止材を構成するエポキシ樹脂としては、芳香族環にグリシジルエーテル構造又はグリシジルアミン構造が結合した構造を有するものが耐熱性、機械特性、耐湿性という観点から好ましい。また、液状の封止材を構成するエポキシ樹脂として、脂肪族又は脂環式エポキシ樹脂を用いる場合、信頼性、特に接着性という観点から、脂肪族又は脂環式エポキシ樹脂の含有量を限定するほうが好ましい。これらは１種単独でも２種以上の組み合わせであってもよい。封止材を構成するエポキシ樹脂は、常温（２５℃）で液状であることが好ましいが、常温で固体のエポキシ樹脂であっても常温で液状のエポキシ樹脂に溶解させることにより、封止材が液状の状態であればよい。
液状の封止材を構成する酸無水物としては、無水フタル酸、無水マレイン酸、無水トリメリット酸、無水ピロメリット酸、ヘキサヒドロ無水フタル酸、３−メチル−ヘキサヒドロ無水フタル酸、４−メチル−ヘキサヒドロ無水フタル酸、３−メチル−ヘキサヒドロ無水フタル酸と４−メチル−ヘキサヒドロ無水フタル酸との混合物、テトラヒドロ無水フタル酸、無水ナジック酸、または無水メチルナジック酸などが挙げられる。これらは、低温での硬化が早いことと、封止材の硬化物のガラス転移温度が高くなることから好ましく、常温で液状であり且つ粘度も低いことから、液状の封止材を構成する酸無水物としては、テトラヒドロ無水フタル酸が特に好ましい。これらは、１種単独であっても２種以上の組み合わせであってもよい。
また、封止材中の酸無水物の配合量は、全液状封止材に対して、２〜１０重量％が好ましく、５〜７重量％が特に好ましい。封止材中の酸無水物の配合量が、上記下限値未満の場合には硬化性が悪くなり、生産性が低下する。封止材中の酸無水物の配合量が上記上限値を越えると、耐湿信頼性が低下する。
液状の封止材は、酸無水物以外の硬化剤を含有してもよく、酸無水物と併用される酸無水物以外の硬化剤としては、１分子内にエポキシと反応する官能基を有するモノマー、オリゴマー、ポリマー全般が挙げられる。酸無水物以外の硬化剤としては、例えば、フェノールノボラック樹脂、クレゾールノボラック樹脂、ジシクロペンタジエン変性フェノール樹脂、テルペン変性フェノール樹脂、トリフェノールメタン型樹脂、フェノールアラルキル樹脂（フェニレン骨格、ジフェニレン骨格などを有する）などのフェノール類が挙げられる。
液状の封止材を構成する無機充填材としては、一般に封止材に使用されているものが挙げられる。無機充填剤としては、例えば、溶融シリカ、結晶シリカ、タルク、アルミナ、窒化珪素などが挙げられ、これらは１種単独でも２種類以上の組み合わせであってもよい。これらのうち、封止材の硬化物の耐熱性、耐湿性、強度などを向上できることから、無機充填材としては、溶融シリカ、結晶シリカ、合成シリカ粉末が好ましい。
無機充填材の形状は、特に限定されないが、粘度特性や流動特性の観点から形状は球状であることが好ましい。
無機充填材が溶融シリカの場合の封止材中の溶融シリカの含有量は、成形性と耐半田クラック性のバランスから、全液状封止材に対して、好ましくは３０〜９０重量％、特に好ましくは４０〜８５重量％である。封止材中の溶融シリカの含有量が上記下限値未満の場合には、吸水率の上昇に伴う耐半田クラック性が低下し、上記上限値を越えると液状封止材のディスペンス性能に問題が生じる可能性がある。また、無機充填剤が溶融シリカ以外の無機充填材の場合の封止材中の無機充填材の含有量は、全液状封止材に対して、好ましくは３０〜９０体積％、特に好ましくは４０〜８５体積％である。
液状の封止材を構成する硬化促進剤は、特に限定されるわけではないが、ホスホニウム塩型硬化促進剤であることが好ましい。ホスホニウム塩型硬化促進剤としては、例えば、一般式（４）又は（５）で示される構造を有するホスホニウム塩型硬化促進剤が挙げられるが、これらに限定されるものではない。
（ただし、Ｒ７、Ｒ８、Ｒ９、Ｒ１０は芳香族もしくは複素環を有する１価の有機基または１価の脂肪族基であって、それらの内の少なくとも１つは、分子外に放出しうるプロトンを少なくとも１個有するプロトン供与体がプロトンを１個放出してなる基であり、これらは互いに同一であっても異なっていても良い。また、Ａｒは置換または無置換の芳香族基を表し、同一分子内の二つの酸素原子は、芳香族炭素位の隣接に位置する。ｎは２〜１２の整数を示す。)
一般式（４）又は（５）で示される構造を有するホスホニウム塩型硬化促進剤を用いることにより、液状の封止材硬化物と封止された電子部品との密着性の向上させること、及び固定樹脂層６０との密着性を向上させることができる。
前記一般式（４）で示される構造を有する硬化促進剤としては、例えば、下記式（６）、式（７）及び式（８）で示されるホスホニウム塩型硬化促進剤が挙げられる。
また、一般式（５）で示される構造を有する硬化促進剤としては、下記式（９）、式（１０）及び式（１１）で示されるホスホニウム塩型硬化促進剤が挙げられる。
これらホスホニウム塩型硬化促進剤の中でも、硬化性と密着性のバランスに優れる点で、式（７）又は式（１１）で示されるホスホニウム塩型硬化促進剤が好ましい。
液状封止材中の硬化促進剤の配合量は、全液状封止材に対して、０．１〜１．０重量％であることが好ましく、０．３〜０．８重量％であることが特に好ましい。液状封止材中の硬化促進剤の配合量が上記下限値未満の場合には硬化が遅く生産性が低下し、上記上限値を越える場合には保存性が悪化するためである。
さらに、液状封止材中の酸無水物と硬化促進剤の配合比［（酸無水物配合量）／（硬化促進剤配合量）］は、３〜３５が好ましく、５〜３０が特に好ましく、１０〜２０が更に好ましい。液状封止材中の酸無水物と硬化促進剤の配合比が、上記下限値未満の場合には保存性が悪化し、上記上限値を越える場合には硬化が遅く生産性が悪くなるためである。
上記以外に、液状封止材に含有される成分としては、消泡剤としてのシリコーン化合物やワックスなどの離型剤、シリコーンゴムなどの低応力剤が挙げられる。
本発明に係る液状の封止材の製造方法は、特に限定されるわけではないが、エポキシ樹脂、酸無水物、無機充填材、硬化促進剤、添加剤などをプラネタリーミキサー、三本ロール、二本熱ロール、ライカイ機などの装置を用いて分散混練したのち、真空下で脱泡処理する製造方法が挙げられる。
以下、固形状の封止材について詳細に説明するが、固形状の封止材はこれに限定されるものではない。
固形状の封止材を構成するエポキシ樹脂としては、例えば、ビフェニル型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、スチルベン型エポキシ樹脂、ハイドロキノン型エポキシ樹脂等の結晶性エポキシ樹脂；クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、ナフトールノボラック型エポキシ樹脂等のノボラック型エポキシ樹脂；フェニレン骨格含有フェノールアラルキル型エポキシ樹脂、ビフェニレン骨格含有フェノールアラルキル型エポキシ樹脂、フェニレン骨格含有ナフトールアラルキル型エポキシ樹脂等のフェノールアラルキル型エポキシ樹脂；トリフェノールメタン型エポキシ樹脂、アルキル変性トリフェノールメタン型エポキシ樹脂等の３官能型エポキシ樹脂；ジシクロペンタジエン変性フェノール型エポキシ樹脂、テルペン変性フェノール型エポキシ樹脂等の変性フェノール型エポキシ樹脂；トリアジン核含有エポキシ樹脂等の複素環含有エポキシ樹脂等が挙げられ、これらは１種単独であっても又は２種以上の組み合わせであってもよい。
これらのうち、固形状の封止材を構成するエポキシ樹脂としては、下記一般式（１２）で表されるエポキシ樹脂が好ましい。下記一般式（１２）で表されるエポキシ樹脂は２官能であるため、これを含有する封止材の硬化物は、架橋密度が低く抑えられ、熱膨張係数が低く、半田リフロー工程時、すなわち、電子装置３０の加熱時における応力緩和に適しているため、かかる工程時における反りの大きさが小さくなる。また、下記一般式（１２）で表されるエポキシ樹脂は、結晶性で低分子量の樹脂であるため溶融粘度が低く、これを含有する封止材は、流動性に優れる。
［式（１２）中、Ｘは、単結合、−Ｏ−、−Ｓ−、−Ｒ１２ＣＲ１２−の中から選択される基である。Ｒ１１は、炭素数１〜６のアルキル基であり、互いに同一であっても異なっていてもよい。また、ａは０〜４の整数である。Ｒ１２は、水素原子または炭素数１〜４のアルキル基であり、互いに同一であっても異なっていてもよい。］
前記一般式（１２）で表されるエポキシ樹脂のうち、４，４’−ジグリシドキシビフェニル、３，３’，５，５’−テトラメチル−４，４’−ジグリシドキシビフェニル、又はこれらの溶融混合物が、作業性及び実用性のバランスに優れると共に、封止材硬化物層７１の熱膨張係数を低く設定することができる点で、好ましい。
本発明に係る固形状の封止材は、例えば、エポキシ樹脂と、硬化剤と、無機充填材とを必須成分とする固形状の封止材が好ましい。
固形状の封止材を構成する硬化剤としては、例えば、エチレンジアミン、トリメチレンジアミン、テトラメチレンジアミン、ヘキサメチレンジアミン等の炭素数２〜２０の直鎖脂肪族ジアミン、メタフェニレンジアミン、パラフェニレンジアミン、パラキシレンジアミン、４，４’−ジアミノジフェニルメタン、４，４’−ジアミノジフェニルプロパン、４，４’−ジアミノジフェニルエーテル、４，４’−ジアミノジフェニルスルホン、４，４’−ジアミノジシクロヘキサン、ビス（４−アミノフェニル）フェニルメタン、１，５−ジアミノナフタレン、メタキシレンジアミン、パラキシレンジアミン、１，１−ビス（４−アミノフェニル）シクロヘキサン、ジシアノジアミド等のアミノ類；アニリン変性レゾール樹脂やジメチルエーテルレゾール樹脂等のレゾール型フェノール樹脂；フェノールノボラック樹脂、クレゾールノボラック樹脂、ｔｅｒｔ−ブチルフェノールノボラック樹脂、ノニルフェノールノボラック樹脂等のノボラック型フェノール樹脂；フェニレン骨格含有フェノールアラルキル樹脂、ビフェニレン骨格含有フェノールアラルキル樹脂等のフェノールアラルキル樹脂；ナフタレン骨格やアントラセン骨格のような縮合多環構造を有するフェノール樹脂；ポリパラオキシスチレン等のポリオキシスチレン；ヘキサヒドロ無水フタル酸（ＨＨＰＡ）、メチルテトラヒドロ無水フタル酸（ＭＴＨＰＡ）等の脂環族酸無水物、無水トリメリット酸（ＴＭＡ）、無水ピロメリット酸（ＰＭＤＡ）、ベンゾフェノンテトラカルボン酸（ＢＴＤＡ）等の芳香族酸無水物等を含む酸無水物等；ポリサルファイド、チオエステル、チオエーテル等のポリメルカプタン化合物；イソシアネートプレポリマー、ブロック化イソシアネート等のイソシアネート化合物；カルボン酸含有ポリエステル樹脂等の有機酸類が挙げられ、これらは、１種単独であっても２種以上を組み合わせであってもよい。
これらのうち、固形状封止材を構成する硬化剤としては、１分子内に少なくとも２個のフェノール性水酸基を有する化合物が好ましく、このような硬化剤としては、例えば、フェノールノボラック樹脂、クレゾールノボラック樹脂、ｔｅｒｔ−ブチルフェノールノボラック樹脂、ノニルフェノールノボラック樹脂等のノボラック型フェノール樹脂；レゾール型フェノール樹脂；ポリパラオキシスチレン等のポリオキシスチレン；フェニレン骨格含有フェノールアラルキル樹脂、ビフェニレン骨格含有フェノールアラルキル樹脂等が挙げられる。固定封止材を構成する硬化材が、かかる化合物であることにより、封止材硬化物層７１の熱膨張係数を低く設定でき、また、耐湿性、信頼性等にも優れる。
さらに、１分子内に少なくとも２個のフェノール性水酸基を有する硬化剤としては、下記一般式（１３）で表されるフェノール樹脂が、特に好ましい。下記一般式（１３）で表されるフェノール樹脂は、その基本骨格がノボラック型フェノール樹脂とトリフェノールメタン型フェノール樹脂の構造をあわせもっており、ノボラック型フェノール樹脂を基本骨格として有することにより、構造面で、樹脂骨格の架橋点間距離が短く、良好な硬化性、成形性を発揮するという効果を有し、また、トリフェノールメタン型フェノール樹脂を基本骨格として有することにより、一分子中に３個以上の水酸基を有することになるため、架橋密度が高くなるので、硬化物のＴｇが高く、線膨張係数が小さく、強度が高くなるという効果を有している。そのため、下記一般式（１３）で表されるフェノール樹脂を含有する固形状封止材は、良好な硬化性で優れた成形性を持ち、また、成形及び硬化後並びに熱処理後の熱膨張及び熱収縮が比較的小さくなるため、電子装置３０において反り量を小さくすることができる。
［式（１３）中、Ｒ１３、Ｒ１４、Ｒ１５は、炭素数１〜４のアルキル基から選択される基であり、互いに同一であっても、異なっていてもよい。ｂは０〜３の整数、ｃは０〜４の整数、ｄは０〜３の整数である。ｍ、ｎはモル比を表し、０＜ｍ＜１、０＜ｎ＜１で、ｍ＋ｎ＝１である。］
また、上記一般式（１３）中のｍとｎとのモル比（ｍ／ｎ）は、１／５〜５／１であるのが好ましく、１／２〜２／１であるのがより好ましい。これにより、ノボラック型フェノール樹脂およびノボラック型フェノール樹脂の双方が含まれることにより得られる効果を相乗的に発揮させることができる。
なお、前記一般式（１３）で表されるフェノール樹脂の具体例としては、例えば、下記式（１４）に示すものが挙げられる。
［ただし、式（１４）中、ｍ、ｎはモル比を表し、０＜ｍ＜１、０＜ｎ＜１で、ｍ＋ｎ＝１である。］
また、固形状の封止材を構成する無機充填材としては、例えば、溶融破砕シリカ、溶融球状シリカ、結晶シリカ、２次凝集シリカ等のシリカ；アルミナ；チタンホワイト；水酸化アルミニウム；タルク；クレー；マイカ；ガラス繊維等が挙げられ、これらは、１種単独であっても２種以上の組み合わせであってもよい。これらのうち、無機充填材としては、溶融球状シリカが、封止材硬化物層７１の熱膨張係数を低く設定することができる点で、好ましい。
なお、無機充填材の粒子形状は、限りなく真球状であることが好ましい。さらに、粒子の大きさの異なる無機充填材を併用することにより、充填量を多くすることができる。無機充填材の粒径は、電子部品４０の隙間への充填性を考慮すると、０．０１〜１５０μｍが好ましい。
さらに、固形状の封止材は、エポキシ樹脂、硬化剤及び無機充填材の他に、シランカップリング剤、芳香環を構成する２個以上の隣接する炭素原子にそれぞれ水酸基が結合した化合物、硬化促進剤を含有していてもよい。
固形状の封止材に係るシランカップリング剤としては、特に限定されないが、例えば、エポキシシラン、アミノシラン、ウレイドシラン、メルカプトシラン等が挙げられ、これらは１種単独であっても２種以上の組み合わせであってもよい。このようなシランカップリング剤が、固形状の封止材に含有されることにより、エポキシ樹脂と無機充填剤との間で反応が生じるため、エポキシ樹脂と無機充填剤との界面強度を向上させることができる。
エポキシシランとしては、例えば、γ−グリシドキシプロピルトリエトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルメチルジメトキシシランおよびβ−（３，４エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン等が挙げられる。アミノシランとしては、例えば、γ−アミノプロピルトリエトキシシラン、γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−β（アミノエチル）γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−β（アミノエチル）γ−アミノプロピルメチルジメトキシシラン、Ｎ−フェニルγ−アミノプロピルトリエトキシシラン、Ｎ−フェニルγ−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−β（アミノエチル）γ−アミノプロピルトリエトキシシラン、Ｎ−６−（アミノヘキシル）３−アミノプロピルトリメトキシシランおよびＮ−（３−（トリメトキシシリルプロピル）−１，３−ベンゼンジメタナン等が挙げられる。また、ウレイドシランとしては、例えば、γ−ウレイドプロピルトリエトキシシラン、ヘキサメチルジシラザン等が挙げられ、メルカプトシランとしては、例えば、γ−メルカプトプロピルトリメトキシシランが挙げられる。
なお、固形状の封止材に係るシランカップリング剤は、後述する芳香環を構成する２個以上の隣接する炭素原子にそれぞれ水酸基が結合した化合物（以下、かかる化合物を「水酸基結合化合物」と言うこともある）との相乗効果により、樹脂組成物の粘度を下げ、流動性を向上させる効果を有するため、封止材中に水酸基結合化合物が含まれる場合には、水酸基結合化合物を添加することにより得られる効果を十分に発揮させるためにはシランカップリング剤も含まれる構成とするのが好ましい。これにより、比較的粘度が高い樹脂を多く配合した場合や、無機充填剤を多量に配合した場合においても、固形状の封止材として充分な流動性を発揮させることが出来る。
また、芳香環を構成する２個以上の隣接する炭素原子にそれぞれ水酸基が結合した化合物（水酸基結合化合物）としては、特に限定されないが、例えば、下記一般式（１５）で表される化合物、下記一般式（１６）で表される化合物等が挙げられる。なお、水酸基結合化合物中には、水酸基以外の置換基を有していてもよい。
［式（１５）中、Ｒ１６、Ｒ２０は、いずれか一方が水酸基であり、一方が水酸基の場合、他方は水素原子、水酸基または水酸基以外の置換基から選ばれる基である。Ｒ１７、Ｒ１８、Ｒ１９は、水素原子、水酸基または水酸基以外の置換基から選ばれる基であり、互いに同一であっても、異なっていてもよい。］
［式（１６）中、Ｒ２１、Ｒ２７は、いずれか一方が水酸基であり、一方が水酸基の場合、他方は水素原子、水酸基または水酸基以外の置換基から選ばれる基である。Ｒ２２、Ｒ２３、Ｒ２４、Ｒ２５、Ｒ２６は水素原子、水酸基または水酸基以外の置換基から選ばれる基であり、互いに同一であっても、異なっていてもよい。］
なお、一般式（１５）で表される化合物の具体例としては、例えば、下記式（１７）で表されるカテコール、ピロガロール、没食子酸、没食子酸エステル及びこれらの誘導体が挙げられる。また、一般式（１６）で表される化合物の具体例としては、例えば、１，２−ジヒドロキシナフタレン、下記式（１８）で表される２，３−ジヒドロキシナフタレン及びこれらの誘導体が挙げられる。これらの化合物は１種単独であっても２種以上の組み合わせであってもよい。これらのうち、流動性と硬化性の制御のしやすさ、低揮発性の点から、主骨格がナフタレン環である化合物（すなわち、１、２−ジヒドロキシナフタレン、２、３−ジヒドロキシナフタレンおよびその誘導体）が好ましい。
さらに、固形状の封止材に含有される硬化促進剤としては、特に限定されないが、例えば、１，８−ジアザビシクロ（５，４，０）ウンデセン−７等のジアザビシクロアルケンおよびその誘導体；トリブチルアミン、ベンジルジメチルアミン等のアミン系化合物；２−メチルイミダゾール等のイミダゾール化合物；トリフェニルホスフィン、メチルジフェニルホスフィン等の有機ホスフィン類；テトラフェニルホスホニウム・テトラフェニルボレート、テトラフェニルホスホニウム・テトラ安息香酸ボレート、テトラフェニルホスホニウム・テトラナフトイックアシッドボレート、テトラフェニルホスホニウム・テトラナフトイルオキシボレート、テトラフェニルホスホニウム・テトラナフチルオキシボレート等のテトラ置換ホスホニウム・テトラ置換ボレート；ベンゾキノンをアダクトしたトリフェニルホスフィン等が挙げられ、これらは１種単独であっても２種以上の組み合わせであってもよい。
また、固形状の封止材は、上記の構成材料の他に、さらに必要に応じて、カーボンブラック等の着色剤；カルナバワックス等の天然ワックス、合成ワックス、高級脂肪酸またはその金属塩類、パラフィン、酸化ポリエチレン等の離型剤；シリコーンオイル、シリコーンゴム等の低応力剤；ハイドロタルサイト等のイオン捕捉剤；水酸化アルミニウム等の難燃剤；酸化防止剤等の各種添加剤を含有していてもよい。
そして、封止材をトランスファーモールド、コンプレッションモールド、インジェクションモールド等の成形方法で成形させる。成形方法としては、特に限定されないが、電子部品の位置ずれ、剥離を防止する観点から、コンプレッションモールドが好ましい。
封止材層形成工程を行った後の工程は、本発明の電子部品の製造方法（１）と、本発明の電子部品の製造方法（２）とでは異なる。
＜本発明の電子部品の製造方法（１）の場合＞
［５］次に、本発明の電子部品の製造方法（１）、例えば、本発明の電子部品の製造方法（１Ａ）、（１Ｂ）、（１Ｃ）では、封止材層７０を加熱し硬化させることにより、電子部品４０が配置された電子部品配置封止材硬化物８０を得る（図３（ｅ１）、図４（ｅ２）、封止材硬化工程）。なお、本発明の電子部品の製造方法（１Ｂ）及び（１Ｃ）の封止材硬化工程及び剥離工程では、封止材を加熱して、次いで、活性エネルギー線を照射し、次いで、固定樹脂層を加熱するという操作手順は同じなので、本発明の電子部品の製造方法（１Ｂ）及び（１Ｃ）の封止材硬化工程及び剥離工程を、いずいれも図４で示した。
封止材層７０を硬化させる条件は、特に限定されるわけではないが、加熱温度としては、固定樹脂層６０が熱分解又は溶融する温度、すなわち、固定樹脂層６０に含有されている樹脂の熱分解温度又は溶融温度よりも低い。これにより、電子部品配置封止材硬化物８０の位置ずれを防止することができる。封止材層７０を硬化させる際の加熱温度は、具体的には、好ましくは１００〜２００℃、特に好ましくは１２０〜１９０℃である。また、封止材層７０を硬化させる際の加熱時間は、特に限定されるわけではないが、好ましくは３０分〜８時間、特に好ましくは１〜６時間である。封止材層７０を硬化させる際の加熱温度及び加熱時間を上記範囲とすることで、固定樹脂層６０が熱分解又は溶融してしまうことを防止することができるとともに、信頼性の高い電子装置３０を得ることができる。そして、封止材層７０を硬化温度以上の温度で加熱することにより、封止材を硬化させると、封止材層７０は、封止材硬化物層７１となる。つまり、封止材を硬化することにより、封止材硬化物で、電子部品４０間の隙間４２及び電子部品４０が覆われ、電子部品４０及び固定樹脂層６０上に、封止材硬化物層７１が形成される。
[６]次に、電子部品配置封止材硬化物８０を支持基材から剥離する剥離工程を行う。ここで、本発明の電子装置の製造方法（１Ａ）に係る剥離工程では、固定樹脂層６０を加熱することにより熱分解させ、電子部品配置封止材硬化物８０を支持基材から剥離する（図３（ｆ１）、剥離工程）。
本発明の電子装置の製造方法（１Ａ）に係る剥離工程では、固定樹脂層６０の加熱温度は、特に限定されるわけではないが、好ましくは２００〜４００℃、特に好ましくは２２０〜３５０℃である。固定樹脂層６０の加熱時間は、特に限定されるわけではないが、好ましくは３０秒〜６０分、特に好ましくは１〜３０分である。固定樹脂層６０の加熱温度及び加熱時間を上記範囲とすることで、固定樹脂層６０を確実に熱分解させることと電子部品４０および封止材層７０が熱劣化してしまうことを効果的に防止することができる。
また、本発明の電子装置の製造方法（１Ｂ）に係る剥離工程では、先に、固定樹脂層６０に活性エネルギー線を照射し（図４（ｆ２））、次いで、活性エネルギー線が照射された固定樹脂層６０を加熱することにより熱分解させ、電子部品配置封止材硬化物８０を支持基材から剥離する（図４（ｇ２））。
本発明の電子装置の製造方法（１Ｂ）に係る剥離工程では、先ず、支持基材５０側から、固定樹脂層６０に活性エネルギー線を照射する。活性エネルギー線としては、特に限定されないが、例えば、波長２００〜５００ｎｍ程度の光線が好ましく、波長３５０〜４００ｎｍ程度の光線が特に好ましい。また、活性エネルギー線の照射量は、特に限定されないが、１〜２０００ｍｊ／ｃｍ２程度が好ましく、１０〜１０００ｍｊ／ｃｍ２程度が特に好ましい。
本発明の電子装置の製造方法（１Ｂ）に係る剥離工程では、次いで、固定樹脂層６０を加熱するが、固定樹脂層６０の加熱温度は、特に限定されるわけではないが、好ましくは１００〜２００℃、特に好ましくは１２０〜１９０℃である。また、固定樹脂層６０の加熱時間は、特に限定されるわけではないが、好ましくは３０秒〜６０分、特に好ましくは１〜３０分である。固定樹脂層６０の加熱温度及び加熱時間を上記範囲とすることで、固定樹脂層６０を確実に熱分解させることと電子部品４０及び封止材硬化物層７１が熱劣化してしまうことを効果的に防止することができる。本発明の電子装置の製造方法（１Ｂ）に係る剥離工程において、活性エネルギー線を照射された後の固定樹脂層６０が、好ましくは１００〜２００℃、特に好ましくは１２０〜１９０℃で熱分解するように、固定樹脂層６０に含有される酸又は塩基の存在下で熱分解温度が低下する熱分解性樹脂を選択する。
また、本発明の電子装置の製造方法（１Ｃ）に係る剥離工程では、先に、固定樹脂層６０に活性エネルギー線を照射し（図４（ｆ２））、次いで、活性エネルギー線が照射された固定樹脂層６０を加熱することにより溶融させ、電子部品配置封止材硬化物８０を支持基材から剥離する（図４（ｇ２））。なお、図４（ｇ２）では、電子部品配置封止材硬化物８０及び支持基材５０には、固定樹脂層６０が付着していない記載となっているが、この図４（ｇ２）では、電子部品配置封止材硬化物８０と支持基材５０とが離れていることを示すために、電子部品配置封止材硬化物８０及び支持基材５０のみを記載している。実際の剥離工程では、加熱による剥離直後は、電子部品配置封止材硬化物８０及び支持基材５０の表面に固定樹脂層６０の溶融物が付着しており、後述する残渣の除去方法により、電子部品配置封止材硬化物８０及び支持基材５０の表面の付着物を除去すれば、図４（ｇ２）に示すような電子部品配置封止材硬化物８０及び支持基材５０となる。
本発明の電子装置の製造方法（１Ｃ）に係る剥離工程では、先ず、支持基材５０側から、固定樹脂層６０に活性エネルギー線を照射する。活性エネルギー線としては、特に限定されないが、例えば、波長２００〜５００ｎｍ程度の光線が好ましく、波長３５０〜４００ｎｍ程度の光線が特に好ましい。また、活性エネルギー線の照射量は、特に限定されないが、１〜２０００ｍｊ／ｃｍ２程度が好ましく、１０〜１０００ｍｊ／ｃｍ２程度が特に好ましい。
本発明の電子装置の製造方法（１Ｃ）に係る剥離工程では、次いで、固定樹脂層６０を加熱するが、固定樹脂層６０の加熱温度は、特に限定されるわけではないが、好ましくは１００〜２００℃、特に好ましくは１２０〜１９０℃である。また、固定樹脂層６０の加熱時間は、特に限定されるわけではないが、好ましくは３０秒〜６０分、特に好ましくは１〜３０分である。固定樹脂層６０の加熱温度及び加熱時間を上記範囲とすることで、固定樹脂層６０を確実に溶融させることと電子部品４０及び封止材硬化物層７１が熱劣化してしまうことを効果的に防止することができる。本発明の電子装置の製造方法（１Ｃ）に係る剥離工程において、活性エネルギー線を照射された後の固定樹脂層６０が、好ましくは１００〜２００℃、特に好ましくは１２０〜１９０℃で溶融するように、固定樹脂層６０に含有される酸又は塩基の存在下で溶融温度が低下する熱溶融性樹脂を選択する。
また、電子部品配置封止材硬化物８０を支持基材から剥離する方法としては、特に限定されるわけではないが、支持基材の表面に対して垂直に剥離する方法、支持基材の表面に対して水平方向にスライドさせて剥離する方法、支持基材から電子部品配置封止材硬化物８０を浮かして剥離する方法等が挙げられる。剥離工程後、電子部品配置封止材硬化物８０又は支持基材５０表面に固定樹脂層６０が付着する場合でも、プラズマ処理、薬液処理、研磨処理等の手法により簡便に残渣を除去することができる。残渣の除去方法としては、酸素プラズマ処理、環境に対する負荷の小さいＩＰＡ、アセトン、γ―ブチロラクトン、ＰＥＧＭＥＡ等の薬液処理が特に好ましい。
＜本発明の電子部品の製造方法（２）の場合＞
［５］次に、本発明の電子部品の製造方法（２）、例えば、本発明の電子部品の製造方法（２Ａ）、（２Ｂ）、（２Ｃ）では、封止材層７０を加熱し硬化させることにより、電子部品４０が配置された電子部品配置封止材硬化物８０を得ると共に、電子部品配置封止材硬化物８０を支持基材から剥離する。本発明の電子部品の製造方法（２）では、封止材の硬化と共に、剥離を行うことにより、電子装置パッケージ１０の製造工程を短縮することができるため、生産性を向上することができる、また、電子装置パッケージ１０を廉価に製造することができる。なお、封止材の硬化と共に剥離を行うということは、封止材層７０を加熱して硬化させる工程中に、固定樹脂層６０を加熱して熱分解又は溶融を行うことを言う。
本発明の電子装置の製造方法（２Ａ）に係る封止材硬化兼剥離工程では、先に、固定樹脂層６０に活性エネルギー線を照射することなく、封止材層７０及び固定樹脂層６０を加熱して、電子部品配置封止材硬化物８０を得ると共に、電子部品配置封止材硬化物８０を支持基材から剥離する（図５（ｅ３））。封止材層７０及び固定樹脂層６０を加熱する温度は、好ましくは１００〜２００℃、特に好ましくは１２０〜１９０℃である。また、封止材層７０及び固定樹脂層６０を加熱する時間は特に限定されるわけではないが、好ましくは３０分〜８時間、特に好ましくは１〜６時間である。封止材層７０及び固定樹脂層６０の加熱温度および加熱時間を上記範囲とすることで、封止材層７０の硬化と固定樹脂層６０の熱分解を確実に行うことができる。本発明の電子装置の製造方法（２Ａ）に係る封止材硬化兼剥離工程において、固定樹脂層６０が、封止材層７０を硬化させる温度で、好ましくは１００〜２００℃で、特に好ましくは１２０〜１９０℃で、熱分解するように、固定樹脂層６０に含有される熱分解性樹脂を選択する。
本発明の電子装置の製造方法（２Ｂ）では、先に、固定樹脂層６０に活性エネルギー線を照射し（図６（ｅ４））、次いで、封止材層７０及び固定樹脂層６０を加熱して、電子部品配置封止材硬化物８０を得ると共に、電子部品配置封止材硬化物８０を支持基材から剥離する（図６（ｆ４））。本発明の電子装置の製造方法（２Ｂ）に係る封止材硬化兼剥離工程において、固定樹脂層６０に活性エネルギー線を照射する方法は、本発明の電子装置の製造方法（１Ｂ）に係る剥離工程において、固定樹脂層６０に活性エネルギー線を照射する方法と同様である。本発明の電子装置の製造方法（２Ｂ）に係る封止材硬化兼剥離工程において、封止材層７０及び固定樹脂層６０を加熱する温度は、好ましくは１００〜２００℃、特に好ましくは１１０〜１９０℃である。また、封止材層７０及び固定樹脂層６０を加熱する時間は、特に限定されるわけではないが、好ましくは３０分〜８時間、特に好ましくは１〜６時間である。封止材層７０及び固定樹脂層６０の加熱温度及び加熱時間を上記範囲とすることで、封止材層７０の硬化と固定樹脂層６０の熱分解を確実に行うことができる。本発明の電子装置の製造方法（２Ｂ）に係る封止材硬化兼剥離工程において、活性エネルギー線を照射した後の固定樹脂層６０が、封止材層７０を硬化させる温度で、好ましくは１００〜２００℃で、特に好ましくは１１０〜１９０℃で、熱分解するように、固定樹脂層６０に含有される酸又は塩基の存在下において熱分解温度が低下する熱分解性樹脂を選択する。なお、本発明の電子部品の製造方法（２Ｂ）及び（２Ｃ）の封止材硬化兼剥離工程では、活性エネルギー線を照射し、次いで、封止材層及び固定樹脂層を加熱するという操作手順は同じなので、本発明の電子部品の製造方法（２Ｂ）及び（２Ｃ）の封止材硬化兼剥離工程を、いずいれも図６で示した。
本発明の電子装置の製造方法（２Ｃ）では、先に、固定樹脂層６０に活性エネルギー線を照射し（図６（ｅ４））、次いで、封止材層７０及び固定樹脂層６０を加熱して、電子部品配置封止材硬化物８０を得ると共に、電子部品配置封止材硬化物８０を支持基材から剥離する（図６（ｆ４））。封止材層７０及び固定樹脂層６０を加熱する温度は、好ましくは１００〜２００℃、特に好ましくは１１０〜１９０℃である。また、封止材層７０及び固定樹脂層６０を加熱する時間は、特に限定されるわけではないが、好ましくは３０分〜８時間、特に好ましくは１〜６時間である。封止材層７０及び固定樹脂層６０の加熱温度及び加熱時間を上記範囲とすることで、封止材層７０の硬化と固定樹脂層６０の溶融を確実に行うことができる。本発明の電子装置の製造方法（２Ｃ）に係る封止材硬化兼剥離工程において、活性エネルギー線を照射した後の固定樹脂層６０が、封止材層７０を硬化させる温度で、好ましくは１００〜２００℃で、特に好ましくは１１０〜１９０℃で、溶融するように、固定樹脂層６０に含有される酸又は塩基の存在下において溶融温度が低下する熱溶融性樹脂を選択する。なお、図６（ｆ４）では、電子部品配置封止材硬化物８０及び支持基材５０の表面には、固定樹脂層６０が付着していない記載となっているが、この図６（ｆ４）では、電子部品配置封止材硬化物８０と支持基材５０とが離れていることを示すために、電子部品配置封止材硬化物８０及び支持基材５０のみを記載している。実際の封止材硬化兼剥離工程では、加熱による剥離直後は、電子部品配置封止材硬化物８０及び支持基材５０の表面に固定樹脂層６０の溶融物が付着しており、後述する残渣の除去方法により、電子部品配置封止材硬化物８０及び支持基材５０の表面の付着物を除去すれば、図６（ｆ４）に示すような電子部品配置封止材硬化物８０及び支持基材５０となる。
また、電子部品配置封止材硬化物８０を支持基材から剥離する方法としては、特に限定されるわけではないが、支持基材の表面に対して垂直に剥離する方法、支持基材の表面に対して水平方向にスライドさせて剥離する方法、支持基材から電子部品配置封止材硬化物８０を浮かして剥離する方法等が挙げられる。封止材硬化兼剥離工程後、電子部品配置封止材硬化物８０または支持基材５０表面に固定樹脂層６０が付着する場合でも、プラズマ処理、薬液処理、研磨処理等の手法により簡便に残渣を除去することができる。前記残渣の除去方法としては、酸素プラズマ処理、環境に対する負荷の小さいＩＰＡ、アセトン、γ―ブチロラクトン、ＰＥＧＭＥＡ等の薬液処理が特に好ましい。
このようにして、本発明の電子装置の製造方法（１）及び（２）では、電子部品配置封止材硬化物８０を得る。
次に、本発明の電子装置の製造方法（１）又は（２）で得られた電子部品配置封止材硬化物８０に配線層を形成する配線層形成工程について、図７（ａ）〜（ｆ）および図８（ａ）〜（ｃ）を利用して説明する。
［７］先ず、得られた電子部品配置封止材硬化物８０を、電子部品４０が端子を有する面（固定樹脂層６０と接していた面）４１を上に向けて配置する（図７（ａ））。
［８］次に、電子部品配置封止材硬化物８０の端子を有する面４１に、第１の絶縁層９０を形成する（図７（ｂ））。
前記第１の絶縁層９０としては、特に限定されるわけではないが、有機樹脂組成物が好ましく、例えば、ポリイミド樹脂、ポリベンゾオキサゾール樹脂等のポリアミド樹脂、ポリベンゾシクロブテン樹脂、ポリノルボルネン樹脂等を主成分とする感光性樹脂組成物が挙げられる。これらのうち、露光、現像する際の感度、解像度、また、ガラス転移温度、弾性率等の機械特性、さらには、電子部品配置封止材硬化物８０に対する密着性に優れるポリイミド樹脂、ポリベンゾオキサゾール樹脂等のポリアミド樹脂を主成分とするポジ型感光性樹脂組成物が好ましい。
有機樹脂組成物を電子部品配置封止材硬化物８０の端子を有する面４１に形成する方法は、特に限定されるわけではないが、スピンナーを用いた回転塗布法、スプレーコーターを用いた噴霧塗布法、浸漬法、印刷法、ロールコーティング法等を用いることにより塗布し、有機樹脂組成物をプリベークし、有機樹脂組成物に含まれる溶剤を揮散させることにより形成する方法が挙げられる。この時、有機樹脂組成物を、適宜溶剤等により希釈されることにより、有機樹脂組成の粘度を調整することができる。
有機樹脂組成物の塗布量は、特に限定されるわけではないが、最終膜厚が０．１〜３０μｍになるよう塗布することが好ましい。膜厚が下限値未満であると、電子部品配置封止材硬化物８０の絶縁膜としての機能を十分に発揮することが困難となり、また、上限値を越えると、微細な加工パターンを得ることが困難となるばかりでなく、加工に時間がかかりスループットが低下する。また、有機樹脂組成物のプリベーク温度は、特に限定されるわけではないが、５０〜１５０℃が好ましく、６０〜１３０℃が好ましい。
［９］次に、第１の絶縁層９０への露光及び現像することにより、電子部品４０の端子（図示しない）に対応する位置に、開口部９１を形成する（図７（ｃ））。
ここで、ポジ型感光性樹脂組成物を露光及び現像することにより、開口部９１を形成するメカニズムについて説明する。電子部品配置封止材硬化物８０上の塗膜に、ステッパー等の露光装置でマスクの上から化学線を照射（露光）することにより、露光された部分（以下露光部）と露光されていない部分（以下、未露光部）が出来る。この未露光部中に存在するジアゾキノン化合物は現像液に不溶であり、またポリイミド樹脂、ポリベンゾオキサゾール樹脂等のポリアミド樹脂がジアゾキノン化合物と相互作用することで、さらに、現像液に対し耐性を持つようになる。一方、露光部に存在していたジアゾキノン化合物は化学線の作用によって化学変化を起こし、現像液に可溶となり、樹脂の溶解を促進させる。この露光部と未露光部との溶解性の差を利用し、露光部を溶解除去することにより開口部９１の作製が可能となる。
前記露光する方法としては、特に限定されるわけではないが、開口部９１に対応する位置に開口を有するマスクを第１の絶縁層９０に位置合わせし、Ｘ線、電子線、紫外線、可視光線等の化学線を照射する方法が挙げられる。前記化学線の波長としては、２００〜５００ｎｍであることが好ましく、具体的には、ｉ線またはｇ線が好ましい。
次に、露光部を現像液で溶解除去することにより開口部９１を得ることができる。前記現像液としては、特に限定されるわけではないが、溶剤、アルカリ水溶液が挙げられ、環境に対する負荷の少ないアルカリ水溶液が好ましい。前記アルカリ水溶液としては、特に限定されるわけではないが、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム、ケイ酸ナトリウム、メタケイ酸ナトリウム、アンモニア水等の無機アルカリ類、エチルアミン、ｎ−プロピルアミン等の第１アミン類、ジエチルアミン、ジ−ｎ−プロピルアミン等の第２アミン類、トリエチルアミン、メチルジエチルアミン等の第３アミン類、ジメチルエタノールアミン、トリエタノールアミン等のアルコールアミン類、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、テトラエチルアンモニウムヒドロキシド等の第４級アンモニウム塩等のアルカリ類の水溶液およびこれにメタノール、エタノールのごときアルコール類等の水溶性有機溶媒や界面活性剤を適当量添加した水溶液が好適に使用される。また、現像方法としては、スプレー、パドル、浸漬、超音波等の方式が可能である。
［１０］次に、第１の絶縁層９０、開口部９１の壁面及び電子部品４０の端子に連結するように、導電層９２を形成する（図７（ｄ））。
導電層９２を形成する方法としては、特に限定されるわけではないが、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｃｕ等の金属をスパッタリング法等により形成することができる。
［１１］次に、導電体９３を形成する部分に開口部を有するレジスト層１００を形成する（図７（ｅ））。
レジスト層１００を形成するレジストとしては、特に限定されるわけではないが、液状またはフィルム状の感光性レジストが挙げられる。液状の感光性レジストの場合、導電層９２の全面を覆うように、スクリーン印刷等の手法により液状の感光性レジストを形成、次いで、導電体９３を形成する部分に開口を有するマスクを介して露光し、次いで、現像液により現像することによりレジスト１００を形成する。フィルム状の感光性レジストの場合、導電層９２の全面を覆うように、ラミネート等の手法によりフィルム状の感光性レジストを形成、あとは、液状のレジストの場合と同様にレジスト１００を形成する。
［１２］次に、レジスト１００の開口部に、メッキにより導電体９３を形成する（図７（ｆ））。
導電体９３を構成する金属としては、特に限定されるわけではなく、電気抵抗が小さく信号の高速化に対応することができる銅が好ましい。
［１３］次に、レジスト１００を除去し、さらに、導電体９３を形成している部分以外の導体層９２を除去する（図８（ａ））。
導電層９２を除去する方法としては、特に限定されるわけではないが、導電体９３を形成しない部分に導電層９２の残渣が残り難い、反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）等の手法により除去することができる。反応性イオンエッチング等の手法により除去する際に、導電体９３も若干膜減りを起こすが、導電層９２よりも導電体９３の厚みの方が十分に厚く形成されているため、導電体９３が全て除去されてしまうことはない。
［１４］次に、導電体９３を覆うように、第２の絶縁層１１０を形成する（図８（ｂ））。
第２の絶縁層１１０を構成する材料および第２の絶縁層１１０の形成方法は、特に限定されるわけではないが、第１の絶縁層９０の場合と同様のものが用いられる。
［１５］次に、第２の絶縁層１１０のうち、バンプ１２０を形成する部分に開口部１１１を形成する（図８（ｃ））。
第２の絶縁層１１０に開口部１１１を形成する方法としては、特に限定されるわけではないが、第１の絶縁層９０を形成する場合と同様の方法が挙げられる。
［１６］次に、第２の絶縁層１１０の開口部１１１にバンプ１２０を形成する（図８（ｄ））。
バンプ１２０の材質としては、特に限定されるわけではないが、錫（Ｓｎ）、鉛（Ｐｂ）、銀（Ａｇ）、ビスマス（Ｂｉ）、インジウム（Ｉｎ）、亜鉛（Ｚｎ）、ニッケル（Ｎｉ）、アンチモン（Ｓｂ）、鉄（Ｆｅ）、アルミニウム（Ａｌ）、金（Ａｕ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）および銅（Ｃｕ）からなる群から選択される少なくとも２種以上の金属の合金、または錫単体からなることが好ましい。これらのうち、溶融温度および機械的物性を考慮すると、Ｓｎ−Ｐｂの合金、鉛フリー半田であるＳｎ−Ｂｉの合金、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕの合金、Ｓｎ−Ｉｎの合金、Ｓｎ−Ａｇの合金などのＳｎを含む合金からなることがより好ましい。
バンプ１２０を形成する方法としては、特に限定されるわけではないが、前記Ｓｎを含む合金とフラックスを主成分とするペーストを、第２の絶縁膜１１０の開口部１１１にスクリーン印刷等の手法により塗布、次いで、半田リフロー装置を通すことにより形成する方法、また、第２の絶縁層１１０の開口部１１１に前記Ｓｎを含む合金からなる半田ボールを載置し、次いで、半田ボールにフラックスを塗布し、次いで、半田リフロー装置を通すことにより形成する方法等が挙げられる。
次に、配線層が形成された電子部品配置封止材硬化物８０を分割する工程について図８（ｄ）及び（ｅ）を利用して説明する。
［１７］上記電子部品配置封止材硬化物８０を分割する工程は、バンプ１２０を形成した電子部品配置封止材硬化物８０を分割することにより、電子装置３０を得る工程である（図８（ｄ）及び（ｅ））。
電子部品配置封止材硬化物８０の分割は、各電子部品４０毎に分割しても、複数の電子部品４０単位で分割してもよい。複数の電子部品４０単位で分割することにより、一つの電子装置３０に複数の機能を有する電子部品４０を配置することができるため、電子装置３０の高機能化を実現することができる。
電子部品配置封止材硬化物８０を分割する方法としては、特に限定されるわけではないが、レーザーやダイシングソー等の手法により分割することができる。これらの中でも、簡便に分割することができるダイシングソーによる方法が好ましい。
このようにして得られた電子装置３０は、電子部品４０の外縁の外側に配線を引きまわし、入出力の配線数を増大させることができるため、電子装置３０の高機能化を実現することができる。また、支持基材５０に電子部品４０を固定する際に、熱分解性の固定樹脂層６０を適用しているため、電子部品４０の端子を有する面４１に固定樹脂層６０の残渣が付着し難く、信頼性の高い電子装置３０を提供することができる。
＜電子装置パッケージの製造方法＞
次に、分割された電子装置３０を基板に実装する工程について図１を利用して説明する。
［１８］上記電子装置３０を基板に実装する工程は、電子装置３０のバンプ１８とインターポーザ２０の上に形成された配線回路１９を接続する工程である（図１）。
前記バンプ１８と配線回路１９の接続する方法は、特に限定されるわけではないが、バンプ１８の少なくとも表面に半田層を有する場合、バンプ１８にフラックスを塗布し、次いで、バンプ１８と配線回路１９が対応するように電子装置３０をインターポーザ２０に載置し、次いで、半田リフロー装置を通すことにより電子装置３０を作製することができる。この時、電子装置３０とインターポーザ２０はバンプ１８と配線回路１９が金属結合することにより、電気的に接続されている。
このようにして、電子装置パッケージ１０を得る。
（実施例１）
＜ポリカーボネートの合成＞
１，３−シクロヘキサンジオール３０．４３ｇ（０．２６２モル）、ｅｎｄｏ，ｅｎｄｏ−２，３−ノルボルナンジメタノール２３．０２ｇ（０．１４７モル）、炭酸ジフェニル８４．６３ｇ（０．３９５モル）、炭酸リチウム０．０１６３ｇ（０．００２１モル）を反応容器に入れた。反応の第１工程として、窒素雰囲気下で、１２０℃に加熱した加熱槽に反応容器を浸し、攪拌し、原料を溶解させ、２時間攪拌を続けた。反応の第２工程として、反応容器内を１０ｋＰａに減圧し、１２０℃で１時間攪拌を続けた。反応の第３工程として、反応容器内を０．５ｋＰａ以下に減圧し、１２０℃で１．５時間攪拌を続けた。反応の第４工程として、反応容器内を０．５ｋＰａ以下に減圧したまま、約３０分かけて加熱槽の温度を１８０℃に昇温した後、１８０℃で１時間攪拌を続けた。なお、反応の第２〜４工程で生じたフェノールを反応容器外へ留去した。
反応容器内の圧力を常圧に戻した後、テトラヒドロフラン６００ｍｌを加え、生成物を溶解させた。イソプロパノール／水＝９／１（ｖ／ｖ）の混合溶液６．０Ｌを攪拌させた状態で、生成物を溶解した溶液を滴下した。析出した沈殿を吸引濾過で回収し、回収した沈殿をイソプロパノール／水＝９／１（ｖ／ｖ）の混合溶液３．０Ｌで洗浄した後、吸引濾過で回収した。
回収した沈殿を真空乾燥機で６０℃／１８時間乾燥し、ポリカーボネート樹脂の粉末（１，３−ポリシクロヘキサンカーボネート樹脂／ｅｎｄｏ−ポリノルボルネンカーボネート樹脂）４９．２７ｇを得た。
＜仮固定材の調整＞
得られたポリカーボネート樹脂１００．０ｇ及び光酸発生剤としてＧＳＩＤ２６−１（ＢＡＳＦジャパン社製）２．０ｇを、γ−ブチロラクトン１９８．０ｇに溶解し、樹脂成分濃度３３重量％の仮固定剤を調製した。
＜電子部品の製造方法＞
上記で調製した仮固定剤をスピンコート法で２００ｍｍφのガラスウエハ上に塗布し、大気中で１２０℃で５分間、２２０℃で５分間の条件で加熱してソフトベークし、厚み５μｍの仮固定剤層を得た。その後、仮固定剤層上に縦１０．５ｍｍ×横１０．５ｍｍ×厚み７２５μｍのベアシリコンチップをフリップチップボンダー（型番ＦＣＢ３、パナソニック社製）を用い、１４０℃で１ｋｇｆの荷重を３秒間かけて固定した。その後、配置したチップが完全に覆われるようにチップと仮固定材層上に封止樹脂（ＥＭＥ−７７３０、住友ベークライト社製）を圧縮成型機で成形した。成形条件は、１２５℃で３．９ＭＰａの圧力で７分間加圧の条件であった。その後、封止樹脂を１７５℃で８時間、大気雰囲気下で硬化させ、封止樹脂硬化物を得た。
次いで、上記で作成したガラスウエハ、仮固定材及び封止樹脂硬化物の積層体に対し、ガラス側から２０００ｍｊ／ｃｍ２（ｉ線換算）の条件でｉ線を照射し、次いで、上下１５０℃の熱板ではさみ、真空吸着させた後、封止樹脂硬化物を３分間かけて水平方向にスライドさせることにより、ガラスから剥離させた。また、封止樹脂硬化物及びガラス上の残渣を、γ−ブチロラクトンに揺動させながら、５分間浸漬することにより除去した。
本発明によれば、電子部品の位置ずれが発生せず、また、電子部品が配置された封止材の硬化物に接着層の残渣が付着しない再配置型の電子装置を作製することができるため、信頼性の高い電子装置を得ることができる。
１０ 電子装置パッケージ
１１ 半導体チップ
１２ 機能面
１３ 封止部
１４ 第１の絶縁膜
１５ ビア
１６ 導体層
１７ 第２の絶縁膜
１８ バンプ
１９ 配線回路
２０ インターポーザ
３０ 電子装置
４０ 電子部品
４１ 端子を有する面
４２ 隣同士の電子部品間に形成される隙間
５０ 支持基板
６０ 固定樹脂層
７０ 封止材層
７１ 封止材硬化物層
８０ 電子部品配置封止材硬化物
９０ 第１の絶縁層
９１ 開口部
９２ 導電層
９３ 導電体
１００ レジスト層
１１０ 第２の絶縁層
１１１ 開口部
１２０ バンプ

Claims (13)

  1. 支持基材の表面に固定樹脂層を設ける固定樹脂層形成工程と、
    該固定樹脂層上に、隣同士の電子部品の間に隙間が形成されるように複数の電子部品を配置し、該固定樹脂層を介して該支持基材上に該電子部品を固定する電子部品固定工程と、
    封止材で該電子部品を覆い、該固定樹脂層及び該電子部品上に封止材層を形成させる封止材層形成工程と、
    該封止材を加熱することにより封止材を硬化し、該支持基材に支持されており、該電子部品が配置された電子部品配置封止材硬化物を得ると共に、該電子部品配置封止材硬化物を該支持基材から剥離させる封止材硬化兼剥離工程と、
    を有する電子装置の製造方法であり、
    該封止材硬化兼剥離工程において、該固定樹脂層に含有されている樹脂を低分子化させて、該電子部品配置封止材硬化物を該支持基材から剥離することを特徴とする電子装置の製造方法。
  2. 前記封止材硬化兼剥離工程において、前記固定樹脂層を加熱して熱分解させることにより、前記電子部品配置封止材硬化物を前記支持基材から剥離することを特徴とする請求項１記載の電子装置の製造方法。
  3. 前記封止材硬化兼剥離工程において、前記固定樹脂層に活性エネルギー線を照射した後、前記固定樹脂層を加熱して熱分解させることにより、前記電子部品配置封止材硬化物を前記支持基材から剥離することを特徴とする請求項１記載の電子装置の製造方法。
  4. 前記封止材硬化兼剥離工程において、前記固定樹脂層に活性エネルギー線を照射した後、前記固定樹脂層を加熱して溶融させることにより、前記電子部品配置封止材硬化物を前記支持基材から剥離することを特徴とする請求項１記載の電子装置の製造方法。
  5. 前記封止材硬化兼剥離工程で前記封止材及び前記固定樹脂層を加熱する温度が１３０〜２００℃である請求項３又は４に記載の電子装置の製造方法。
  6. 前記活性エネルギー線を照射した後の前記固定樹脂層の１８０℃での溶融粘度が、０．０１〜１００Ｐａ・ｓである請求項４記載の電子装置の製造方法。
  7. さらに、前記電子部品配置封止材硬化物の前記電子部品が配置されている面に配線層を形成し、該配線層が形成された電子部品配置封止材硬化物を得る配線層形成工程を有する請求項１〜６いずれか１項記載の電子装置の製造方法。
  8. さらに、前記配線層が形成された前記電子部品配置封止材硬化物を分割することにより、前記配線層が形成された前記電子部品配置封止材硬化物を個片化し、個片化された前記電子部品配置封止材硬化物を得る個片化工程を有する請求項７記載の電子装置の製造方法。
  9. 前記固定樹脂層は、酸又は塩基の存在下において熱分解温度が低下する樹脂と、活性エネルギー線の照射により、酸を発生する光酸発生剤又は塩基を発生する光塩基発生剤と、を含有することを特徴とする請求項３記載の電子装置の製造方法。
  10. 前記固定樹脂層は、酸又は塩基の存在下において溶融温度が低下する樹脂と、活性エネルギー線の照射により、酸を発生する光酸発生剤又は塩基を発生する光塩基発生剤と、を含有することを特徴とする請求項４記載の電子装置の製造方法。
  11. 前記樹脂が、ポリカーボネート系樹脂であることを特徴とする請求項９又は１０いずれか１項記載の電子装置の製造方法。
  12. 前記ポリカーボネート系樹脂が、少なくとも２つの環状構造を有するカーボネート構成単位からなるポリカーボネート樹脂であることを特徴とする請求項１１に記載の電子装置の製造方法。
  13. 請求項８に記載の個片化された前記電子部品配置封止材硬化物を基板に実装する実装工程を有することを特徴とする電子装置パッケージの製造方法。
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