TWI502659B - 電子裝置之製造方法及電子裝置封裝之製造方法 - Google Patents

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Junya Kusunoki
Etsu Takeuchi
Hiromichi Sugiyama
Toshiharu Kuboyama
Masakazu Kawata
Hiroki Nikaido
Masakatsu Maeda
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Sumitomo Bakelite Co
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Description

電子裝置之製造方法及電子裝置封裝之製造方法
本發明係關於電子裝置之製造方法、電子裝置、電子裝置封裝之製造方法及電子裝置封裝。
近年來，搭載積體電路之半導體晶片等的電子零件，被使用於各種用途上，而被要求涵括多方面的機能。又，由於資訊處理量之增大及處理能力之高速化的要求，而半導體晶片之高密度化進展，半導體晶片之配線數正增加著，但配線間距有其限度，且輸出入之配線數存在於半導體晶片面積，而配線數有其限度。
為了解決此種問題而實現高密度安裝，已提案有將半導體晶片電性積層的COC(chip on chip)技術，但有發生積層半導體晶片時之產率惡化之問題或連接可靠性惡化之問題的情形。
有鑑於此種問題，提案有一種再配置型之電子裝置，係於支撐基板上形成接黏層，接著，於接黏層上隔著間隔配置並固定經個片化的半導體晶片等電子零件，其次，將由電子零件所配置之密封材之硬化物自接黏層剝離，再於與電子零件之接黏層所接觸之面上，利用再配線技術，在較電子零件之外徑更外側牽引配線，使輸出入之配線數增大而對應高密度化(例如參照專利文獻1)。
此再配置型之電子裝置中所使用的接黏層，係具有將電子零件固定於支撐基板上的機能，使其在藉密封材進行密封之溫度下電子零件不發生位移；再者，尚要求在使密封材熱硬化後，配置有電子零件之密封材硬化物可容易自設有接黏層之支撐基板上被剝離。又，在此剝離時，較佳係配置有電子零件之密封材硬化物上不附著接黏層的殘渣。
另一方面，習知提案的接黏層因為屬於熱可塑性之接黏層或熱發泡型之接黏層，故難以兼顧到不發生電子零件位移而予以固定的機能、使密封材硬化物容易從支撐基板被剝離的機能、進而不附著殘渣的機能(例如參照專利文獻2、3)。
若電子零件發生位移，則其後的再配線製程中無法正確地進行再配線，且若無法容易剝離密封材之硬化物，則在密封材或電子零件上發生龜裂等而成為破損原因，再者，若接黏層之殘渣附著於電子零件所配置的密封材硬化物上，則產生電子裝置之可靠性降低的問題。
專利文獻1：日本專利特開2006-287235號公報
專利文獻2：日本專利特開2005-191296號公報
專利文獻3：日本專利特開2005-243702號公報
本發明之目的在於提供一種於再配置型之電子裝置之製造步驟中，電子零件不發生位移，且密封材或電子零件不易發生破損，再者，即使在附著有殘渣的情況仍可予以簡便去除的電子裝置之製造方法、依此種電子裝置之製造方法所製作之高可靠性電子裝置、含有此種電子裝置之製造方法的電子裝置封裝之製造方法、以及依此種電子裝置封裝之製造方法所製造的高可靠性電子裝置封裝。
此種目的係藉由下述(1)~(22)記載之本發明所達成。
(1)一種電子裝置之製造方法，係具有下述步驟者：於支撐基材之表面設置固定樹脂層之固定樹脂層形成步驟；於該固定樹脂層上，依在相鄰之電子零件之間形成間隙之方式配置複數之電子零件，經由該固定樹脂層於該支撐基材上固定複數之該電子零件的電子零件固定步驟；藉密封材被覆該電子零件，於該固定樹脂層及該電子零件上形成密封材層的密封材層形成步驟；藉由加熱該密封材而使該密封材硬化，得到由該支撐基材所支撐著，且配置有該電子零件之電子零件配置密封材硬化物的密封材硬化步驟；與將由該支撐基材所支撐之該電子零件配置密封材硬化物從該支撐基材予以剝離的剝離步驟；其中，於該剝離步驟中，使該固定樹脂層所含有之樹脂低分子化，將該電子零件配置密封材硬化物從該支撐基材予以剝離。
(2)如(1)之電子裝置之製造方法，其中，上述剝離步驟中，藉由將上述固定樹脂層加熱並使其熱分解，而將上述電子零件配置密封材硬化物從上述支撐基材剝離。
(3)如(1)之電子裝置之製造方法，其中，上述剝離步驟中，對上述固定樹脂層照射活性能量射線後，藉由將上述固定樹脂層加熱並使其熱分解，而將上述電子零件配置密封材硬化物從上述支撐基材剝離。
(4)如(1)之電子裝置之製造方法，其中，上述剝離步驟中，對上述固定樹脂層照射活性能量射線後，藉由將上述固定樹脂層加熱並使其熔融，而將上述電子零件配置密封材硬化物從上述支撐基材剝離。
(5)如(1)至(4)中任一項之電子裝置之製造方法，其中，上述密封材硬化步驟中將上述密封材加熱的溫度，係較上述剝離步驟中將上述固定樹脂層加熱的溫度低。
(6)如(3)或(4)之電子裝置之製造方法，其中，上述剝離步驟中將上述固定樹脂層加熱的溫度為130~200℃。
(7)如(4)之電子裝置之製造方法，其中，照射上述活性能量射線後之上述固定樹脂層於180℃下的熔融黏度為0.01~100Pa‧s。
(8)一種電子裝置之製造方法，係具有下述步驟者：於支撐基材之表面設置固定樹脂層之固定樹脂層形成步驟；於該固定樹脂層上，依在相鄰之電子零件之間形成間隙之方式配置複數之電子零件，並經由該固定樹脂層於該支撐基材上固定複數之該電子零件的電子零件固定步驟；藉密封材被覆該電子零件，於該固定樹脂層及該電子零件上形成密封材層的密封材層形成步驟；與藉由加熱該密封材而使該密封材硬化，得到由該支撐基材所支撐著，且配置有該電子零件之電子零件配置密封材硬化物，並將該電子零件配置密封材硬化物從該支撐基材予以剝離的密封材硬化兼剝離步驟；其中，於該密封材硬化兼剝離步驟中，藉由使該固定樹脂層所含有之樹脂低分子化，而將該電子零件配置密封材硬化物從該支撐基材予以剝離。
(9)如(8)之電子裝置之製造方法，其中，上述密封材硬化兼剝離步驟中，藉由將上述固定樹脂層加熱並使其熱分解，而將上述電子零件配置密封材硬化物從上述支撐基材剝離。
(10)如(8)之電子裝置之製造方法，其中，上述密封材硬化兼剝離步驟中，對上述固定樹脂層照射活性能量射線後，藉由將上述固定樹脂層加熱並使其熱分解，而將上述電子零件配置密封材硬化物從上述支撐基材剝離。
(11)如(8)之電子裝置之製造方法，其中，上述密封材硬化兼剝離步驟中，對上述固定樹脂層照射活性能量射線後，藉由將上述固定樹脂層加熱並使其熔融，而將上述電子零件配置密封材硬化物從上述支撐基材剝離。
(12)如(10)或(11)之電子裝置之製造方法，其中，上述密封材硬化兼剝離步驟中對上述密封材及上述固定樹脂層加熱的溫度為130~200℃。
(13)如(11)之電子裝置之製造方法，其中，照射上述活性能量射線後之上述固定樹脂層於180℃下的熔融黏度為0.01~100Pa‧s。
(14)如(1)~(13)中任一項之電子裝置之製造方法，其中，進一步具有配線層形成步驟，係在上述電子零件配置密封材硬化物之上述電子零件所配置的面形成配線層，而得到形成有該配線層之電子零件配置密封材硬化物。
(15)如(14)之電子裝置之製造方法，其中，進一步具有個片化步驟，係藉由將形成有上述配線層之上述電子零件配置密封材硬化物予以分割，而使形成有上述配線層之上述電子零件配置密封材硬化物個片化，得到經個片化之上述電子零件配置密封材硬化物。
(16)如(3)或(10)之電子裝置之製造方法，其中，上述固定樹脂層係含有：於酸或鹼之存在下，熱分解溫度降低的樹脂；與藉活性能量射線之照射而發生酸之光酸產生劑或發生鹼之光鹼產生劑。
(17)如(4)或(11)之電子裝置之製造方法，其中，上述固定樹脂層係含有：於酸或鹼之存在下，熔融溫度降低的樹脂；與藉活性能量射線之照射而發生酸之光酸產生劑或發生鹼之光鹼產生劑。
(18)如(16)或(17)之電子裝置之製造方法，其中，上述樹脂為聚碳酸酯系樹脂。
(19)如(18)之電子裝置之製造方法，其中，上述聚碳酸酯系樹脂係由具有至少2個環狀構造之碳酸酯構成單位所構成者。
(20)一種電子裝置，其特徵為藉(1)至(19)項中任一項之電子裝置之製造方法所製作。
(21)一種電子裝置封裝之製造方法，其特徵為，具有將(15)之經個片化之上述電子零件配置密封材硬化物安裝於基板上的安裝步驟。
(22)一種電子裝置封裝，其特徵為藉(21)之電子裝置封裝之製造方法所製作。
根據本發明之電子裝置之製造方法，可提供一種於再配置型之電子裝置之製造步驟中，不發生電子零件位移，且密封材或電子零件不易發生破損，再者，即使在附著有殘渣的情況下仍可予以簡便去除的電子裝置之製造方法、藉此種電子裝置之製造方法所製造之高可靠性的電子裝置、含有此種電子裝置之製造方法的電子裝置封裝之製造方法、以及藉此種電子裝置封裝之製造方法所製造的高可靠性之電子裝置封裝。
以下，根據圖式所示之較佳實施形態，詳細說明本發明之電子裝置之製造方法、本發明之電子裝置、本發明之電子裝置封裝之製造方法及電子裝置封裝。
圖1為表示藉本發明之電子裝置之製造方法所製造的電子裝置、電子裝置封裝之一的縱剖面圖。又，以下說明中，將圖1中之上側為「上」，下側稱為「下」。
圖1所示之電子裝置封裝10，係具有形成有配線電路19之插入件(interposer)20、與配置於插入件20上之電子裝置30。插入件20與電子裝置30係藉由凸塊18而與各自的配線電路電性連接著。
另外，電子裝置30設有半導體晶片11與被覆半導體晶片11之密封部13，又，在半導體晶片11之機能面12下設有與半導體晶片11之端子(未圖示)連結的導電性通孔15，且於導電性通孔15周邊設有第1絕緣層14；又，於導電性通孔15下設有與導電性通孔15連結之導體層16及第2絕緣層17；再者，導體層16下設有與導體層16連結之凸塊18。
插入件(基板)20係支撐電子裝置30之基板，其俯視形狀通常設為正方形、長方形等之四角型。又，插入件20係由聚醯亞胺、環氧、氰酸酯、雙順丁烯二醯亞胺三(BT樹脂)等各種樹脂材料所構成。
插入件20之上面(其中一面)係依既定形狀設有例如由銅等之導電性金屬材料所構成的配線電路19。
導電性之通孔15係將半導體晶片11之端子(未圖示)與導體層16電性連接者，可僅於通孔15之壁面形成導電層16，亦可於通孔15整體形成導電層16。在僅於通孔15之壁面形成導電層16的情況，較佳係以絕緣性物質填充通孔15。
導電層16係將導電性之通孔15與凸塊18電性連接者，例如由銅等之導電性金屬材料所構成。
凸塊18係將導電層16與插入件20上之配線電路19電性連接，由電子裝置30突出的部分係呈大致球形狀(Ball狀)。又，此凸塊18係例如以焊焬、銀焊料、銅焊料、磷銅焊料般之焊料材作為主材料而構成。
圖1所示之電子裝置30係例如藉本發明之電子裝置之製造方法所製造。
<電子裝置之製造方法>
本發明之第1形態之電子裝置之製造方法(以下亦記載為本發明之電子裝置之製造方法(1))係具有：於支撐基材之表面設置固定樹脂層之固定樹脂層形成步驟；於該固定樹脂層上，依在相鄰之電子零件之間形成間隙之方式配置複數之電子零件，經由該固定樹脂層於該支撐基材上固定該電子零件的電子零件固定步驟；藉密封材被覆該電子零件，於該固定樹脂層及該電子零件上形成密封材層的密封材層形成步驟；藉由加熱該密封材而使該密封材硬化，得到由該支撐基材所支撐著，且配置有該電子零件之電子零件配置密封材硬化物的密封材硬化步驟；與將由該支撐基材所支撐之該電子零件配置密封材硬化物從該支撐基材予以剝離的剝離步驟；其中，於該剝離步驟中，使該固定樹脂層所含有之樹脂低分子化，將該電子零件配置密封材硬化物從該支撐基材予以剝離。
本發明之第2形態之電子裝置之製造方法(以下亦記載為本發明之電子裝置之製造方法(2))係具有：於支撐基材之表面設置固定樹脂層之固定樹脂層形成步驟；於該固定樹脂層上，依在相鄰之電子零件之間形成間隙之方式配置複數之電子零件，經由該固定樹脂層於該支撐基材上固定該電子零件的電子零件固定步驟；藉密封材被覆該電子零件，於該固定樹脂層及該電子零件上形成密封材層的密封材層形成步驟；藉由加熱該密封材而使該密封材硬化，得到由該支撐基材所支撐著，且配置有該電子零件之電子零件配置密封材硬化物，並將該電子零件配置密封材硬化物從該支撐基材予以剝離的密封材硬化兼剝離步驟；其中，於該密封材硬化兼剝離步驟中，使該固定樹脂層所含有之樹脂低分子化，將該電子零件配置密封材硬化物從該支撐基材予以剝離。
亦即，本發明之電子裝置之製造方法(1)中，係於進行密封材硬化步驟後，再進行剝離步驟；另一方面，本發明之電子裝置之製造方法(2)中，係在密封材硬化之同時進行剝離，亦即於進行密封材硬化兼剝離步驟的點不同，此以外的點，本發明之電子裝置之製造方法(1)與本發明之電子裝置之製造方法(2)係相同。
而且，本發明之電子裝置之製造方法(1)中，係在剝離步驟中，使固定樹脂層所含有之樹脂低分子化，將電子零件配置密封材硬化物從支撐基材予以剝離。又，本發明之電子裝置之製造方法(2)中，係在密封材硬化兼剝離步驟中，使固定樹脂層所含有之樹脂低分子化，將電子零件配置密封材硬化物從支撐基材予以剝離。
在本發明之電子裝置之製造方法(1)中之剝離步驟及本發明之電子裝置之製造方法(2)中之密封材硬化兼剝離步驟中，作為使固定樹脂層所含之樹脂低分子化的方法，並無特別限制，可舉例如以下所示之第1~第3實施形態。
本發明之電子裝置之製造方法(1)之第1實施形態(以下稱為本發明之電子裝置之製造方法(1A))，係使用熱分解性之固定樹脂層(以下亦記載為固定樹脂層(A))作為固定樹脂層，於剝離步驟中，藉由依固定樹脂層所含有之熱分解性樹脂之熱分解溫度以上的溫度將固定樹脂層加熱而使其熱分解，使固定樹脂層所含有之熱分解性樹脂低分子化，進而揮發，俾將電子零件配置密封材硬化物從支撐基材予以剝離的實施形態。本發明之電子裝置之製造方法(1A)係不先對固定樹脂層照射活性能量射線，而是將固定樹脂層加熱使其熱分解的實施形態。又，本發明之電子裝置之製造方法(2)之第1實施形態(以下稱為本發明之電子裝置之製造方法(2A))，係使用熱分解性之固定樹脂層(固定樹脂層(A))作為固定樹脂層，於密封材硬化兼剝離步驟中，依固定樹脂層所含有之熱分解性樹脂之熱分解溫度以上的溫度，將固定樹脂層加熱，使固定樹脂層所含有之熱分解性樹脂低分子化，進而揮發，俾將電子零件配置密封材硬化物從支撐基材予以剝離的實施形態。亦即，本發明之電子裝置之製造方法(2A)係不先對固定樹脂層照射活性態量射線，而是將固定樹脂層加熱使其熱分解的實施形態。
所謂固定樹脂層(A)，係指藉由依熱分解溫度以上之溫度進行加熱，使固定樹脂層進行熱分解，詳而言之，係指使固定樹脂層所含之熱分解性樹脂熱分解，而可使電子零件配置密封材硬化物從支撐基材予以剝離的固定樹脂層。
尚且，本發明中，所謂固定樹脂層之熱分解溫度，係指固定樹脂層所含有之熱分解性樹脂之5%重量減少溫度。
本發明之電子裝置之製造方法(1)之第2實施形態(以下稱為電子裝置之製造方法(1B))，係使用藉由活性能量射線照射而熱分解溫度降低之熱分解性固定樹脂層(以下亦記載為固定樹脂層(B))作為固定樹脂層，於剝離步驟中，先對固定樹脂層(B)照射活性能量射線後，依活性能量射線照射後之熱分解性固定樹脂層(B)之熱分解性溫度以上的溫度將固定樹脂層加熱而使其熱分解，藉此將電子零件配置密封材硬化物從支撐基材予以剝離的實施形態。另外，本發明之電子裝置之製造方法(2)之第2實施形態(以下稱為本發明之電子裝置之製造方法(2B))，係使用藉由活性能量射線照射而熱分解溫度降低之熱分解性固定樹脂層(固定樹脂層(B))作為固定樹脂層，於密封材硬化兼剝離步驟中，先對固定樹脂層(B)照射活性能量射線後，依活性能量射線照射後之熱分解性固定樹脂層(B)之熱分解溫度以上的溫度將固定樹脂層(B)加熱使其熱分解，藉此將電子零件配置密封材硬化物從支撐基材予以剝離的實施形態。由於固定樹脂層(B)係含有藉由活性能量射線之照射而產生酸之光酸產生劑或產生鹼之光鹼產生劑、與藉由在酸或鹼之存在下進行加熱予以低分子化而熱分解溫度降低的熱分解性樹脂，故本發明之電子裝置之製造方法(1B)及(2B)中，係先對固定樹脂層(B)照射活性能量射線，於固定樹脂層(B)中產生酸或鹼，接著，於酸或鹼之存在下對固定樹脂層(B)加熱，使固定樹脂層(B)所含有之熱分解性樹脂低分子化，進而使經低分子化之熱分解性樹脂進行熱分解或揮發，藉此將電子零件配置密封材硬化物從支撐基材予以剝離。
所謂固定樹脂層(B)，係指依熱分解溫度以上之溫度進行加熱，藉此使固定樹脂層熱分解，而可將電子零件配置密封材硬化物從支撐基材予以剝離的固定樹脂層，藉由對固定樹脂層照射活性能量射線，而於固定樹脂層(B)中產生酸或鹼，接著，於酸或鹼之存在下加熱固定樹脂層(B)，藉此使固定樹脂層(B)所含有之熱分解性樹脂低分子化，進而使經低分子化之熱分解性樹脂進行熱分解或揮發，而可將電子零件配置密封材硬化物從支撐基材予以剝離的固定樹脂層。
本發明之電子裝置之製造方法(1)之第3實施形態(以下稱為本發明之電子裝置之製造方法(1C))，係使用藉活性能量射線之照射而熔融溫度降低之熱熔融性固定樹脂層(以下亦記載為固定樹脂層(C))作為固定樹脂層，於剝離步驟中，先對固定樹脂層(C)照射活性能量射線後，依活性能量射線照射後之熱熔融性固定樹脂層(C)之熔融溫度以上之溫度對固定樹脂層加熱而使其熔融，藉此將電子零件配置密封材硬化物從支撐基材予以剝離的實施形態。又，本發明之電子裝置之製造方法(2)之第3實施形態(以下稱為本發明之電子裝置之製造方法(2C))，係使用藉活性能量射線之照射而熔融溫度降低之熱熔融性固定樹脂層(固定樹脂層(C))作為固定樹脂層，於密封材硬化兼剝離步驟中，先對固定樹脂層(C)照射活性能量射線後，依活性能量射線照射後之熱熔融性固定樹脂層(C)之熔融溫度以上之溫度對固定樹脂層(C)加熱而使其熔融，藉此將電子零件配置密封材硬化物從支撐基材予以剝離的實施形態。固定樹脂層(C)由於含有藉活性能量射線之照射而產生酸之光酸產生劑或產生鹼之光鹼產生劑、與於酸或鹼之存在下予以加熱而低分子化以使熔融溫度降低的熱熔融性樹脂，故本發明之電子裝置之製造方法(1C)及(2C)，係先對固定樹脂層(C)照射活性能量射線，於固定樹脂層(C)中產生酸或鹼，接著，於酸或鹼之存在下加熱固定樹脂層(C)，而使固定樹脂層(C)所含有之熱熔融性樹脂低分子化，使熔融黏度降低，藉此將電子零件配置密封材硬化物從支撐基材剝離。
所謂固定樹脂層(C)，係指藉由依熔融溫度以上之溫度進行加熱，使固定樹脂層熔融，可使電子零件配置密封材硬化物從支撐基材剝離的固定樹脂層；藉由對固定樹脂層照射活性能量射線，於固定樹脂層(C)中產生酸或鹼，接著，於酸或鹼之存在下使固定樹脂層(C)加熱，而使固定樹脂層(C)所含有之熱熔融性樹脂低分子化，且熔融黏度降低，藉此可使電子零件配置密封材硬化物從支撐基材剝離的固定樹脂層。
尚且，本發明中，所謂固定樹脂層之熔融溫度，係指固定樹脂層所含有之熱熔融性樹脂之熔融黏度成為100Pa‧s以下的溫度。
本發明之電子裝置之製造方法(1B)、(1C)、(2B)及(2C)，係於剝離步驟或密封材硬化兼剝離步驟中進行加熱而將電子零件配置密封材硬化物從支撐基材予以剝離時，先照射活性能量射線，而可使熱分解溫度或熔融溫度降低，故藉由依較低溫度進行加熱，即可將電子零件配置密封材硬化物從支撐基材予以剝離，因此，可減低對電子零件配置密封材硬化物的損傷，並可確實防止於電子零件或密封材發生龜裂等破損的情形。
以下，針對本發明之電子裝置之製造方法(1)及(2)，參照圖2~圖8進行說明。圖2~圖8係用於說明在俯視電子裝置30之情況(由圖2之紙面上側觀看時)，在較電子零件40外緣更外側牽引配線的再配置型電子裝置30之製造方法的縱剖面圖。將圖2~圖8之紙面上側稱為「上」、下側稱為「下」。又，本發明之電子裝置之製造方法(1)與本發明之電子裝置之製造方法(2)，係於進行密封材硬化步驟後再進行剝離步驟、或與密封材硬化一起進行剝離的點不同，而其他步驟則共通。
[1]首先，如圖2(a)所示般，準備電子零件40與具有平坦性、剛直性及耐熱性的支撐基板50。
作為電子零件40，並無特別限定，可舉例如半導體晶片等之主動元件、電容器、濾光片等之被動元件等。
作為支撐基板50，若為具有平坦性、剛直性及耐熱性者則無特別限定，可舉例如矽晶圓、陶瓷板、不鏽鋼板、銅板等之金屬板等。此等之中，較佳係於後述之密封材層形成步驟或配線層形成步驟中之作業性及可利用現有設備之便利性優越的矽晶圓。又，於剝離步驟或密封材硬化兼剝離步驟中，在先照射活性能量射線的情況，作為支撐基材50，若為具有平坦性、剛直性及耐熱性且活性能量射線可穿透之材料，則無特別限定，可舉例如石英玻璃、鈉玻璃等之玻璃材料，聚對苯二甲酸乙二醇、聚萘二甲酸乙二酸、聚丙烯、環烯烴聚合物、聚醯胺、聚碳酸酯等之樹脂材料。
[2]接著，於支撐基材50上形成用以固定電子零件40的固定樹脂層60(圖2((b)，固定樹脂層形成步驟)。
此固定樹脂層60係為了在後述之配線層形成步驟中可精度良好地形成配線，最好使膜厚均勻形成。作為形成固定樹脂層60之方法，並無特別限定，可舉例如將液狀之固定樹脂組成物藉旋塗法、印刷法、分注(dispense)法予以成形，而形成固定樹脂層60的方法；將薄膜狀之固定樹脂組成物層合而形成固定樹脂層60的方法等；將液狀之固定樹脂組成物進行旋塗的方法及將薄膜狀之固定樹脂組成物層合的方法係由於固定樹脂層60之膜厚均勻性優越，故較佳。
作為將液狀之固定樹脂組成物藉旋塗法、印刷法、分注法進行成形而形成固定樹脂層60的方法，並無特別限定，可舉例如將使於室溫下呈液狀之固定樹脂組成物或於室溫下呈固狀之固定樹脂組成物溶解於溶劑或稀釋劑中的清漆狀固定樹脂組成物，使用公知之旋塗器、印刷機、分注器形成固定樹脂層60的方法。
另外，作為將薄膜狀之固定樹脂組成物層合的方法，並無特別限定，可舉例如將清漆狀之固定樹脂組成物塗佈於聚乙烯、聚丙烯、聚對苯二甲酸乙二酯等之基材薄膜並乾燥，藉此製作薄膜狀之固定樹脂組成物，接著使用公知之層合機等，而形成固定樹脂層60的方法。
於此，針對本發明之電子裝置之製造方法(1A)、(1B)、(1C)、(2A)、(2B)及(2C)所使用的固定樹脂層60進行說明。又，以下所示之固定樹脂層為例示，可視使固定樹脂層所含有之樹脂低分子化的方法予以適當選擇。
本發明之電子裝置之製造方法(1A)中，固定樹脂層60為熱分解性之固定樹脂層(A)，其含有藉由依熱分解溫度以上之溫度予以加熱而進行熱分解的熱分解性樹脂。於此，固定樹脂層(A)所含之熱分解性樹脂之5%重量減少溫度較佳為400℃以下、特佳為350℃以下。藉由使固定樹脂層(A)所含之熱分解性樹脂之5%重量減少溫度為上述範圍，在對固定樹脂層60進行熱分解時，可減少對電子零件40或密封材硬化物層71的熱影響。亦即，藉由使固定樹脂層(A)所含之熱分解性樹脂之5%重量減少溫度為上述範圍，並調整加熱時間，則可不進行超過400℃的加熱，而使固定樹脂層(A)熱分解。因此，在將固定樹脂層(A)熱分解時，可減少對電子零件40或密封材硬化物層71的熱影響。
尚且，為了使固定樹脂層(A)所含之熱分解性樹脂之5%重量減少溫度為上述範圍，例如可選擇不具有脂環族及芳香族骨架之直鏈或分枝狀的熱分解性樹脂作為樹脂。
另外，依固定樹脂層(A)之加熱溫度進行加熱時之固定樹脂層(A)所含之熱分解性樹脂的重量減少量，較佳為1%以上、特佳為5%以上。藉由使依固定樹脂層(A)之加熱溫度進行加熱時之固定樹脂層(A)所含之熱分解性樹脂的重量減少量為上述範圍，則可減低附著於電子零件配置密封材硬化物的固定樹脂層(A)的殘渣。亦即，藉由使加熱固定樹脂層(A)之溫度下的重量減少為上述範圍以上，則可藉由調整加熱時間而使固定樹脂層(A)熱分解。
本發明中，將固定樹脂層加熱之溫度下的熱分解性樹脂之重量減少量，係依TG/DTA(熱重量/示差熱分析，環境：氮，溫度：至固定樹脂層之加熱溫度為止係依10℃/分鐘進行升溫，到達固定樹脂層之加熱溫度後則固定為該溫度)所測定之值。另外，精秤約10mg之樹脂，藉TG/DTA(精工儀器公司製)進行測定(環境：氮，溫度：至固定樹脂層之加熱溫度為止係依10℃/分鐘進行升溫，到達固定樹脂層之加熱溫度後則固定為該溫度)，藉此可進行TG/DTA測定。
另外，固定樹脂層(A)所含有之熱分解性樹脂之5%重量減少溫度較佳為50℃以上、特佳為100℃以上。藉由使固定樹脂層(A)所含之熱分解性樹脂之5%重量減少溫度為上述範圍，則在形成密封材層70、進而使密封材層70硬化的製程中，可抑制固定樹脂層(A)之不必要的熱分解。
尚且，為了使固定樹脂層(A)所含有之熱分解性樹脂之5%重量減少溫度成為50℃以上，例如可調整樹脂之分子量。
本發明中，所謂熱分解性樹脂之5%重量減少溫度，係指依TG/DTA(熱重量/示差熱分析)測定時之失去5%重量的溫度。另外，精秤約10mg之樹脂，藉TG/DTA(精工儀器公司製)進行測定(環境：氮，升溫速度：5℃/分鐘)，藉此可進行TG/DTA測定。
作為固定樹脂層(A)所含有之熱分解性樹脂，可舉例如聚碳酸酯系樹脂、聚酯系樹脂、聚醯胺系樹脂、聚醯亞胺系樹脂、聚醚系樹脂、聚胺基甲酸酯系樹脂等。此等樹脂之中，較佳為可有效縮短固定樹脂層(A)之熱分解時間的聚碳酸酯系樹脂。又，固定樹脂層(A)所含之熱分解性樹脂可為1種，亦可為2種以上。
於此，所謂聚碳酸酯系樹脂，係指至少於主鏈上具有碳酸酯基(-O-(C=O)-O-)作為構造單位的樹脂，亦可具有其他構造單位。
另外，所謂聚酯系樹脂，係指至少於主鏈上具有酯基(-(C=O)-O-)作為構造單位的樹脂，亦可具有其他構造單位。
另外，所謂聚醯胺系樹脂，係指至少於主鏈上具有醯胺鍵(-NH-(C=O)-)作為構造單位的樹脂，亦可具有其他構造單位。
另外，所謂聚醯亞胺系樹脂，係指至少於主鏈上具有醯亞胺鍵(-(C=O)-NR-(C=O)-)作為構造單位的樹脂，亦可具有其他構造單位。於此，R表示有機基。
另外，所謂聚醚系樹脂，係指至少於主鏈上具有醚基(-O-)作為構造單位的樹脂，亦可具有其他構造單位。
另外，所謂聚胺基甲酸酯系樹脂，係指至少於主鏈上具有胺基甲酸乙酯鍵(-O-(C=O)-NH-)作為構造單位的樹脂，亦可具有其他構造單位。
作為固定樹脂層(A)所含有之熱分解性樹脂的聚碳酸酯系樹脂，並無特別限定，可舉例如聚丙烯碳酸酯樹脂、聚乙烯碳酸酯樹脂、1,2-聚丁烯碳酸酯樹脂、1,3-聚丁烯碳酸酯樹脂、1,4-聚丁烯碳酸酯樹脂、順-2,3-聚丁烯碳酸酯樹脂、反-2,3-聚丁烯碳酸酯樹脂、α,β-聚異丁烯碳酸酯樹脂、α,γ-聚異丁烯碳酸酯樹脂、順-1,2-聚環丁烯碳酸酯樹脂、反-1,2-聚環丁烯碳酸酯、順-1,3-聚環丁烯碳酸酯樹脂、反-1,3-聚環丁烯碳酸酯樹脂、聚己烯碳酸酯樹脂、聚環丙烯碳酸酯樹脂、聚環己烯碳酸酯樹脂、1,3-聚環己烷碳酸酯樹脂、聚(甲基環己烯碳酸酯)樹脂、聚(乙烯基環己烯碳酸酯)樹脂、聚二氫萘碳酸酯樹脂、聚六氫苯乙烯碳酸酯樹脂、聚環己烷丙烯碳酸酯樹脂、聚苯乙烯碳酸酯樹脂、聚(3-苯基丙烯碳酸酯)樹脂、聚(3-三甲基矽烷氧基丙烯碳酸酯)樹脂、聚(3-甲基丙烯醯氧基丙烯碳酸酯)樹脂、聚全氟丙烯碳酸酯樹脂、聚降烯碳酸酯樹脂、聚降烷碳酸酯樹脂及此等的組合。
作為固定樹脂層(A)所含有之熱分解性樹脂之聚碳酸酯系樹脂，進一步可舉例如聚丙烯碳酸酯/聚環己烯碳酸酯共聚物、1,3-聚環己烷碳酸酯/聚降烯碳酸酯共聚物、聚[(氧基羰氧基-1,1,4,4-四甲基丁烷)-alt-(氧基羰氧基-5-降烯-2-內-3-內-二甲烷)]樹脂、聚[(氧基羰氧基-1,4-二甲基丁烷)-alt-(氧基羰氧基-5-降烷-2-內-3-內-二甲烷)]樹脂、聚[(氧基羰氧基-1,1,4,4-四甲基丁烷)-alt-(氧基羰氧基-對二甲苯)]樹脂及聚[(氧基羰氧基-1,4-二甲基丁烷)-alt-(氧基羰氧基-對二甲苯)]樹脂等。
屬於固定樹脂層(A)所含有之熱分解性樹脂之聚碳酸酯系樹脂的重量平均分子量(Mw)較佳為1000~1,000,000，特佳為5,000~800,000。藉由將固定樹脂層(A)所含有之熱分解性樹脂之聚碳酸酯系樹脂的重量平均分子量設為上述下限以上，則可得到提升對電子零件40及支撐基板50之濕潤性、進而提升成膜性的效果；又，藉由設為上述上限值以下，則可得到提升對各種溶劑之溶解性、進而提升固定樹脂層60之熱分解性的效果。
固定樹脂層(A)所含有之熱分解性樹脂之聚碳酸酯系樹脂的聚合方法，並無特別限定，可舉例如光氣法(溶劑法)或酯交換法(熔融法)等之公知聚合方法。
固定樹脂層(A)中之熱分解性樹脂之含量，較佳為固定樹脂層(A)之總量的30~100重量%、特佳為50~100重量%、更佳為60~100重量%。藉由使固定樹脂層(A)中之熱分解性樹脂之含量為上述範圍，則有可減低使固定樹脂層(A)熱分解後之殘渣的效果。
作為固定樹脂層(A)所含有之熱分解性樹脂，由在將密封材層70熱硬化之溫度下難以發生熱分解、且在使密封材層70熱硬化之溫度以上時之熱分解性優越的觀點而言，特佳為聚丙烯碳酸酯、1,4-聚丁烯碳酸酯、1,3-聚環己烷碳酸酯/聚降烯碳酸酯共聚物。
本發明之電子裝置之製造方法(1B)中，固定樹脂層60係藉由照射活性能量射線而使熱分解溫度降低的固定樹脂層(B)。作為固定樹脂層(B)，可舉例如含有在酸或鹼之存在下而熱分解溫度降低的熱分解性樹脂、與藉由照射活性能量射線而產生酸之光酸產生劑或產生鹼之光鹼產生劑的固定樹脂層。
在固定樹脂層(B)含有在酸或鹼之存在下而熱分解溫度降低的熱分解性樹脂、與藉由照射活性能量射線而產生酸之光酸產生劑或產生鹼之光鹼產生劑的情況，若對固定樹脂層(B)照射活性能量射線，則於固定樹脂層(B)內產生酸或鹼，另外，在所產生之酸或鹼之存在下，藉由使因酸或鹼之存在而熱分解溫度降低的熱分解性樹脂被加熱，則將樹脂之分子鏈切斷，使樹脂低分子化。因此，藉由對固定樹脂層(B)照射活性能量射線，係使固定樹脂層(B)之熱分解溫度降低。
作為因酸或鹼之存在而熱分解溫度降低的熱分解性樹脂，可舉例如於固定樹脂層(A)所說明之屬於熱分解性樹脂的聚碳酸酯系樹脂、聚酯系樹脂、聚醯胺系樹脂、聚醯亞胺系樹脂、聚醚系樹脂、聚胺基甲酸酯系樹脂等。
另外，在使用固定樹脂層(B)作為固定樹脂層60的情況，藉由對固定樹脂層(B)照射活性能量射線，可使固定樹脂層(B)之熱分解溫度降低，故由在支撐基材50上形成固定樹脂層(B)後，藉由照射活性能量射線使熱分解溫度降低而可防止電子裝置之熱損傷的觀點而言，屬較佳。
以在固定樹脂層(B)為含有屬於聚碳酸酯系樹脂之聚丙烯碳酸酯樹脂作為因酸或鹼之存在而熱分解溫度降低的熱分解樹脂的情況為例，說明熱分解溫度降低的機制。如下式(1)所示般，首先，來自上述光酸產生劑之H+ 使聚丙烯碳酸酯樹脂之羰基氧質子化，再使其轉移至極性過渡狀態而產生不穩定之互變異性中間體[A]及[B]。接著，中間體[A]因為發生斷片化成丙酮及CO2 之熱切斷，故低分子化而熱分解溫度降低。又，中間體[B]產生碳酸丙烯，碳酸丙烯係形成斷片化成CO2 及環氧丙烷的熱閉環構造，故低分子化而熱分解溫度降低。
[化1]
光酸產生劑若為藉由照射活性能量射線而產生酸之化合物，則無特別限定，可舉例如求核鹵化物、錯金屬鹵化物陰離子等。作為光酸產生劑，更具體可舉例如肆(五氟苯基)硼酸鹽-4-甲基苯基[4-(1-甲基乙基)苯基]錪(DPI-TPFPB)、參(4-第三丁基苯基)鋶肆-(五氟苯基)硼酸鹽(TTBPS-TPFPB)、參(4-第三丁基苯基)鋶六氟磷酸鹽(TTBPS-HFP)、三苯基鋶三氟甲烷磺酸鹽(TPS-Tf)、雙(4-第三丁基苯基)錪三氟甲烷磺酸鹽(DTBPI-Tf)、三(TAZ-101)、三苯基鋶六氟銻酸鹽(TPS-103)、三苯基鋶雙(全氟甲烷磺醯基)醯亞胺(TPS-N1)、二(對第三丁基)苯基錪、雙(全氟甲烷磺醯基)醯亞胺(DTBPI-N1)、三苯基鋶、參(全氟甲烷磺醯基)甲基化合物(TPS-C1)、二(對第三丁基苯基)錪參(全氟甲烷磺醯基)甲基化合物(DTBPI-C1)等。此等可為單獨1種，亦可為2種以上之組合。
作為光鹼產生劑，並無特別限定，可舉例如5-苄基-1,5-二吖雙環(4.3.0)壬烷、1-(2-硝基苯甲醯基胺甲醯基)咪唑等。此等可為單獨1種，亦可為2種以上之組合。此等之中，作光鹼產生劑，由可使樹脂之熱分解溫度或後述之熔融溫度有效降低的觀點而言，較佳為5-苄基-1,5-二吖雙環(4.3.0)壬烷及其衍生物。
固定樹脂層(B)中之光酸產生劑或光鹼產生劑之含量，係相對於因固定樹脂層(B)中之酸或鹼之存在而熱分解溫度降低之熱分解性樹脂100重量份，較佳為0.1~15重量份、特佳為0.5~10重量份。藉由固定樹脂層(B)中之光酸產生劑或光鹼產生劑之含量為上述範圍，則可有效地藉由活性能量射線之照射降低熱分解溫度，進而可減低熱分解後之殘渣。
作為固定樹脂層(B)，較佳係經照射活性能量射線後之熱分解溫度、亦即在經照射活性能量射線後之固定樹脂層(B)中所含有之酸或鹼之存在下，熱分解溫度降低之熱分解性樹脂的5%重量減少溫度為100~200℃、特佳為120~190℃。
固定樹脂層(B)中除了光酸產生劑或光鹼產生劑，亦可同時含有具有使對特定類型或波長之光的光酸產生劑或光鹼產生劑之反應性表現或增大之功能之成分的增感劑。
作為固定樹脂層(B)所含有之增感劑並無特別限定，可舉例如蒽、菲、(chrysene)、苯芘、(fluoranthene)、紅螢烯、芘、酮、陰丹士林、硫-9-酮、2-異丙基-9H-硫-9-酮、4-異丙基-9H-硫-9-酮、1-氯-4-丙氧基硫及此等之混合物等。固定樹脂層(B)中之增感劑的含量，係相對於光酸產生劑或光鹼產生劑100重量份，較佳為100重量份以下、特佳為50重量份以下。
本發明之電子裝置之製造方法(1C)中，固定樹脂層60係藉由照射活性能量射線而熔融溫度降低之固定樹脂層(C)。作為固定樹脂層(C)，可舉例如含有於酸或鹼之存在下而熔融溫度降低之熱熔融性樹脂、與藉由活性能量射線之照射而產生酸之光酸產生劑或產生鹼之光鹼產生劑的固定樹脂層。
在固定樹脂層(C)為含有於酸或鹼之存在下而熔融溫度降低之熱熔融性樹脂、與藉由活性能量射線之照射而產生酸之光酸產生劑或產生鹼之光鹼產生劑的情況，若對固定樹脂層(C)照射活性能量射線，則於固定樹脂層(C)內產生酸或鹼，另外，於所產生之酸或鹼之存在下，藉由對在酸或鹼之存在下而熔融溫度降低之熱熔融性樹脂進行加熱，則樹脂之分子鏈被切斷，樹脂低分子化，故固定樹脂層(C)中之熱熔融性樹脂之熔融溫度降低。因此，藉由對固定樹脂層(C)照射活性能量射線，則使固定樹脂層(C)之熔融溫度降低。
作為固定樹脂層(C)所含有之因酸或鹼之存在而熔融溫度降低之熱熔融性樹脂，若為在酸或鹼之存在下而熔融溫度降低者即可，並無特別限定，可舉例如聚碳酸酯系樹脂、聚酯系樹脂、聚醯胺系樹脂、聚醚系樹脂、聚胺基甲酸酯系樹脂、乙烯基系樹脂、(甲基)丙烯酸酯系樹脂等，此等可為單獨1種或2種以上之組合。此等之中，作為熱熔融性樹脂，由在酸或鹼之存在下熔融溫度之降低顯著的觀點而言，較佳為聚碳酸酯系樹脂、乙烯基系樹脂及(甲基)丙烯酸系樹脂，特佳為聚碳酸酯系樹脂。
作為固定樹脂層(C)所含有之因酸或鹼之存在而熔融溫度降低之屬於熱熔融性樹脂的乙烯基系樹脂，並無特別限制，可舉例如聚苯乙烯、聚-α-甲基苯乙烯般之苯乙烯衍生物之聚合物，聚(乙基乙烯基醚)、聚(丁基乙烯基醚)、聚乙烯基縮甲醛般之聚乙烯基醚類或其衍生物等；此等可為單獨1種或2種以上之組合。此等之中，作為乙烯基系樹脂，由作業性優越之觀點而言，較佳為聚-α-甲基苯乙烯。
作為固定樹脂層(C)所含有之因酸或鹼的存在而熔融溫度降低之屬於熱熔融性樹脂的(甲基)丙烯酸系樹脂，並無特別限定，可舉例如從(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸正丙酯、(甲基)丙烯酸正丁酯、(甲基)丙烯酸、2-羥基乙基(甲基)丙烯酸酯般之各種(甲基)丙烯酸系單體所選出之共聚物等。此等之中，作為(甲基)丙烯酸樹脂，由作業性優越的觀點而言，較佳為聚甲基丙烯酸甲酯或聚甲基丙烯酸乙酯。
作為固定樹脂層(C)所含有之因酸或鹼之存在而熔融溫度降低的屬於熱熔融性樹脂的聚碳酸酯系樹脂，並無特別限制，可舉例如聚丙烯碳酸酯、聚乙烯碳酸酯、聚丁烯碳酸酯般之由具有直鏈狀化學構造之碳酸酯構成單位所構成的聚碳酸酯系樹脂，於碳酸酯構造單位中具有環狀化學構造的樹脂等；此等之中，由作業性優越的觀點而言，較佳為由具有環狀化學構造之碳酸酯構造單位所構成的聚碳酸酯系樹脂。以下，針對此於碳酸酯構造單位中具有環狀化學構造的聚碳酸酯系樹脂進行詳述。
由具有環狀化學構造之碳酸酯構造單位所構成的聚碳酸酯系樹脂，若為於碳酸酯構造單位中具有環狀之化學構造(以下有時稱為「環狀體」)者，則可為任意構成者；較佳為由具有至少2個環狀體之碳酸酯構造單位所構成的聚碳酸酯樹脂。由具有環狀化學構造之碳酸酯構造單位所構成的聚碳酸酯系樹脂，係藉由適當選擇環狀體之數量或種類，利用因活性能量射線之照射而從光酸產生劑或光鹼產生劑所產生之酸或鹼的作用，即可輕易使活性能量射線照射後之樹脂於180℃下的熔融黏度設定於後述範圍內。
另外，由具有環狀化學構造之碳酸酯構造單位所構成之碳酸酯系樹脂中，碳酸酯構造單位1單位中的環狀體之數量，較佳為2~5、特佳為2或3、更佳為2。藉由使碳酸酯構成單位具有此種數量的環狀體，則在活性能量射線之照射前，固定樹脂層(C)在將電子零件30接合至支撐基板50時的密黏性優越。
另外，由具有環狀化學構造之碳酸酯構造單位所構成之聚碳酸酯系樹脂中，在碳酸酯構造單位1單位中之環狀體數量為2以上的情況，複數之環狀體可形成為使各自頂點彼此相互連結的連結多環系構造，但較佳係形成為使各自所具有之一邊彼此相互連結的縮合多環系構造。藉此，由於提升碳酸酯構造單位的平面性，故可使活性能量射線照射前後的熔融溫度之差增大。
再者，由具有環狀化學構造之碳酸酯構造單位所構成之聚碳酸酯系樹脂中，環狀體較佳為5員環或6員環。藉此，由於更加保持碳酸酯構成單位的平面性，故可使活性能量射線照射前後之熔融溫度的差增大，並可使其對後述溶媒之溶解性更加穩定。
由具有環狀化學構造之碳酸酯構造單位所構成的聚碳酸酯系樹脂中，環狀體較佳為脂環式構造。在各環狀體為脂環式構造的情況，可使上述效果更顯著地發揮。
若考慮此等情況，則於由具有環狀化學構造之碳酸酯構造單位所構成之聚碳酸酯系樹脂中，作為碳酸酯構造單位，特佳為例如下述化學式(2)所示之碳酸酯構造單位。
[化2]
尚且，具有上述化學式(2)所示之碳酸酯構成單位的聚碳酸酯，可藉由十氫萘二醇與碳酸二苯基酯等之碳酸二酯間的聚縮合反應而獲得。
另外，上述化學式(2)所示之碳酸酯構成單位中，較佳係來自十氫萘二醇所具有之二個羥基的2個氧原子，分別直接鍵結至構成十氫萘(亦即，形成縮合多環系構造的2個環狀體)的碳原子上，且於此等二個氧原子所鍵結之碳原子之間介存著3個以上原子。藉此，可保持聚碳酸酯系樹脂之直線性，其結果可更確實地增大活性能量射線照射前後的熔融溫度差，進而可使其對後述溶媒之溶解性更加穩定。
作為此種碳酸酯構成單位，可舉例如下述化學式(2A)、(2B)所示者。
[化3]
再者，由具有環狀化學構造之碳酸酯構造單位所構成的聚碳酸酯系樹脂中，碳酸酯構造單位所具有之複數之環狀體，係除了上述脂環式構造以外，亦可為複合脂環式構造。即使是在各環狀體為複合脂環式構造的情況，仍可使上述效果更顯著地發揮。
此時，由具有環狀化學構造之碳酸酯構造單位所構成的聚碳酸酯系樹脂中，作為碳酸酯構成單位，特佳為例如下述化學式(3X)所示之碳酸酯構造單位。
[化4]
尚且，具有上述化學式(3X)所示之碳酸酯構成單位的聚碳酸酯系樹脂，可藉由下述化學式(3a)所示之環狀醚二醇與碳酸二苯基酯般之碳酸二酯間的聚縮合反應而獲得。
[化5]
另外，上述化學式(3X)所示之碳酸酯構成單位中，來自上述化學式(3a)所示之環狀醚二醇所具有之羥基的2個氧原子，較佳係分別鍵結於構成上述環狀醚(亦即，構成縮合多環系構造的2個環狀體)之碳原子上，且於此等2個氧原子所鍵結之碳原子之間介存著3個以上原子。藉此，可控制聚碳酸酯之分解性，其結果，可將活性能量射線照射前後之熔融溫度之差更確實地設定為較大，進而可使其對後述溶媒之溶解性更穩定。
作為此種碳酸酯構成單位，可舉例如下述化學式(3A)所示之1,4：3,6-二去水-D-山梨醇(異山梨醇)型者，或下述化學式(3B)所示之1,4：3,6-二去水-D-甘露醇(異甘露醇)型者。
[化6]
固定樹脂層(C)所含有之於酸或鹼之存在下熔融溫度降低之熱熔融性樹脂的重量平均分子量(Mw)較佳為1,000~1,000,000、特佳為5,000~800,000。藉由使固定樹脂層(C)所含有之聚碳酸酯系樹脂之重量平均分子量成為上述下限以上，則可得到使用於形成固定樹脂層(C)之樹脂組成物之支撐基板50的濕潤性提升的效果，進而得到使固定樹脂層(C)之成膜性提升的效果。
於固定樹脂層(C)中之酸或鹼之存在下熔融溫度降低之熱熔融性樹脂的含量，較佳為固定樹脂層(C)總量之10~100重量%、特佳為30~100重量%。藉由使固定樹脂層(C)中之於酸或鹼之存在下熔融溫度降低之熱熔融性樹脂的含量設為上述下限值以上，則於後述剝離步驟後，可確實減低固定樹脂層對電子零件配置密封材硬化物80的密黏性。
另外，在固定樹脂層(B)所含有之酸或鹼之存在下熱分解溫度降低的熱分解性樹脂(固定樹脂層(A)所說明的聚碳酸酯系樹脂、聚酯系樹脂、聚醯胺系樹脂、聚醚系樹脂、聚胺基甲酸酯系樹脂等)，由於亦因酸或鹼之存在使樹脂之分子鏈被切斷而低分子化，故亦可使用作為於固定樹脂層(C)所含有之酸或鹼之存在下熔融溫度降低的熱熔融性樹脂。
固定樹脂層(C)所含有之光酸產生劑及光鹼產生劑，係與固定樹脂層(B)所含有之光酸產生劑及光鹼產生劑相同。
固定樹脂層(C)中之光酸產生劑及光鹼產生劑的含量，較佳為固定樹脂層(C)之總量的0.01~50重量%左右，特佳為0.1~30重量%左右。藉由使固定樹脂層(C)中之光酸產生劑及光鹼產生劑之含量設為上述範圍，則可使樹脂之熔融溫度穩定地降低至目標範圍內。
作為固定樹脂層(C)，活性能量射線照射後之熔融溫度、亦即活性能量射線照射後之固定樹脂層(C)所含有之於酸或鹼之存在下熔融溫度降低的熱熔融性樹脂之熔融溫度，較佳為100~200℃、特佳為120~190℃。
另外，作為固定樹脂層(C)，活性能量射線照射後之固定樹脂層(C)於180℃下的熔融黏度較佳為0.01~100Pa‧s。
另外，固定樹脂層60(例如固定樹脂層(A)、固定樹脂層(B)、固定樹脂層(C)等)亦可含有抗氧化劑。抗氧化劑係具有防止不需要之酸發生或固定樹脂層60之自然氧化的機能。
作為抗氧化劑並無特別限定，可適合使用例如可由紐約州Tarrytown之Ciba Fine Chemical公司取得的Ciba IRGANOX(註冊商標)1076或Ciba IRGAFOS(註冊商標)168。
另外，作為其他之抗氧化劑，可使用例如Ciba Irganox(註冊商標)129、Ciba Irganox 1330、Ciba Irganox 1010、Ciba cyanox(註冊商標)1790、Ciba Irganox 3114、Ciba Irganox 3125等。
固定樹脂層60中之抗氧化劑之含量，係相對於固定樹脂層60所含有之樹脂100重量份，較佳為0.1~10重量份、特佳為0.5~5重量份。
另外，固定樹脂層60(例如固定樹脂層(A)、固定樹脂層(B)、固定樹脂層(C)等)視需要亦可含有丙烯酸系、聚矽氧系、氟系、乙烯基系等之均平劑(leveling agent)、矽烷偶合劑等之添加劑等。
固定樹脂層60所含有之矽烷偶合劑，並無特別限定，可舉例如3-環氧丙氧基丙基三甲氧基矽烷、3-環氧丙氧基丙基甲基二乙氧基矽烷、3-環氧丙氧基丙基三乙氧基矽烷、對苯乙烯基三甲氧基矽烷、3-甲基丙烯醯氧基丙基甲基二甲氧基矽烷、3-甲基丙烯醯氧基丙基三甲氧基矽烷、3-甲基丙烯醯氧基丙基甲基二乙氧基矽烷、3-甲基丙烯醯氧基丙基三乙氧基矽烷、3-丙烯醯氧基丙基三甲氧基矽烷、N-2-(胺基乙基)-3-胺基丙基甲基二甲氧基矽烷、N-2-(胺基乙基)-3-胺基丙基三甲氧基矽烷、N-2-(胺基乙基)-3-胺基丙基三乙氧基矽烷、3-胺基丙基三甲氧基矽烷、3-胺基丙基三乙氧基矽烷、N-苯基-3-胺基丙基三甲氧基矽烷、3-巰基丙基甲基二甲氧基矽烷、3-巰基丙基三甲氧基矽烷、雙(三乙氧基丙基)四硫化物、3-異氰酸酯丙基三乙氧基矽烷等；此等可為單獨1種或2種以上之組合。藉由使固定樹脂層60含有矽烷偶合劑，則有使固定樹脂層60對電子零件40或支撐基材50之密黏性提升的效果。
[3]接著，於固定樹脂層60上配置電子零件40，經由固定樹脂層60將電子零件40固定於支撐基材50上(圖2(c)，電子零件固定步驟)。
在配置電子零件40時，係將電子零件40之具有端子(未圖示)的面朝下(與固定樹脂層60接觸之面)，並配置複數之電子零件40。此時，依在彼此相鄰之電子零件40之間形成間隙42的方式配置複數之電子零件40。換言之，係隔著間隙42之間隔而排列配置複數之電子零件40。又，圖2中，雖然依在左右方向上形成固定間隙之方式配置複數之電子零件40，但由於電子零件40亦在前後方向(圖2之紙面的表背方向)上配置複數之電子零件40，故於前後方向上亦依使彼此相鄰之電子零件40之間形成間隙之方式配置複數之電子零件40。又，在配置電子零件40時，為了可在後述之配線層形成步驟中精度良好地形成配線層，故必須精密地配置電子零件40。
作為配置電子零件40之方法並無特別限定，可藉由應用覆晶黏晶機而精密地配置電子零件40。
電子零件40對固定樹脂層60的固定並無特別限定，在固定樹脂層60為液狀的情況，可藉由加壓(包括僅依電子零件40本身重量進行加壓的情況)將電子零件40固定於固定樹脂層60。又，在固定樹脂層60為固形的情況，視需要藉由適當加熱及加壓，可將電子零件40固定於固定樹脂層60。作為將電子零件40固定於固定樹脂層60時之加熱溫度，並無特別限定，較佳為50~200℃、特佳為80~180℃。將電子零件40固定於固定樹脂層60時之加壓力，較佳為0.05~1MPa、特佳為0.1~0.8MPa。再者，將電子零件40固定於固定樹脂層60時之加熱及加壓時間，較佳為0.1~30秒、特佳為1~15秒。藉由將電子零件40固定於固定樹脂層60時之加熱及加壓條件設為上述範圍，則可兼顧到確實固定電子零件40及防止電子零件40之破損或變形。
[4]接著，依藉由密封材被覆電子零件40間之間隙42及電子零件40的方式，於電子零件40及固定樹脂層60上形成密封材層70(圖2(d)，密封材層形成步驟)。
於此，所謂被覆電子零件40，係包括完全被覆電子零件40的情況與被覆一部分電子零件40的情況，而完全被覆電子零件40者因電子裝置30之可靠性良好，故較佳。
藉密封材形成密封材層70之方法並無特別限定，可舉例如轉移成形法、壓縮成形法、射出成形法等，較佳為所固定之電子零件40難以發生位移的壓縮成形法。又，使密封材成形時之成形溫度並無特別限定，較佳為50~200℃、特佳為80~180℃。又，使密封材成形時之成形壓力並無特別限定，較佳為0.5~12MPa、特佳為1~10MPa。再者，使密封材成形時之成形時間，較佳為30秒~15分鐘、特佳為1~10分鐘。藉由將使密封材成形時之成形溫度、壓力、時間設為上述範圍，則可防止密封材之末充填部分之發生與電子零件40位移。
作為密封材並無特別限定，可使用液狀之密封材、固形狀之密封材。作為密封材，較佳係以環氧樹脂、硬化劑與無機填充材為主材料而構成者。由此種構成材料所構成之密封材，可依優越的密封性密封電子零件40，並可較容易地調整熱膨脹係數。
以下，針對液狀之密封材進行詳細說明，但液狀之密封材並不限定於此。
作為本發明之液狀密封材，並無特別限制，較佳為以環氧樹脂、酸酐、無機填充材及硬化促進劑作為必要成分的液狀密封材。又，硬化促進劑較佳為鏻鹽型硬化促進劑。
構成液狀之密封材的環氧樹脂並無特別限定，若為於一分子中具有2個以上環氧基者，且於常溫下呈液狀，則分子量或構造並無特別限定。
作為構成液狀密封材之環氧樹脂，可舉例如酚酚醛清漆型環氧樹脂、甲酚酚醛清漆型環氧樹脂等之酚醛清漆型環氧樹脂，雙酚F型環氧樹脂、N,N-二環氧丙基苯胺、N,N-二環氧丙基甲苯胺、二胺基二苯基甲烷型環氧丙基胺、胺基酚型環氧丙基胺般之芳香族環氧丙基胺型環氧樹脂，氫醌型環氧樹脂、聯苯型環氧樹脂、茋型環氧樹脂、三酚甲烷型環氧樹脂、三酚丙烷型環氧樹脂、烷基改質三酚甲烷型環氧樹脂、含三核環氧樹脂、二環戊二烯改質酚型環氧樹脂、萘酚型環氧樹脂、萘型環氧樹脂、具有伸苯基及/或伸聯苯基骨架之酚芳烷基型環氧樹脂、具有伸苯基及/或伸聯苯基骨架之萘酚芳烷基型環氧樹脂等之芳烷基型環氧樹脂等之環氧樹脂，乙烯基環己烯二氧化物、二環戊二烯氧化物、脂環化二環氧基-己二酸酯等之脂環式環氧基等之脂肪族環氧樹脂。
作為構成液狀之密封材的環氧樹脂，由耐熱性、機械特性、耐濕性等觀點而言，較佳為具有於芳香族環上鍵結有環氧丙基醚構造或環氧丙基胺構造者。又，於使用脂肪族或脂環式環氧樹脂作為構成液狀之密封材的環氧樹脂的情況，由可靠性、尤其是接黏性的觀點而言，較佳係限定脂肪族或脂環式環氧樹脂的含量。此等可為單獨1種或2種以上之組合。構成密封材之環氧樹脂較佳係於常溫(25℃)下呈液狀，但即使是常溫下呈固體之環氧樹脂仍可藉由使其於常溫下溶解於液狀之環氧樹脂中，使密封材呈液狀之狀態即可。
作為構成液狀密封材之酸酐，可舉例如酞酸酐、順丁烯二酸酐、偏苯三酸酐、均苯四酸酐、六氫酞酸酐、3-甲基-六氫酞酸酐、4-甲基-六氫酞酸酐、3-甲基-六氫酞酸酐與4-甲基-六氫酐之混合物、四氫酞酸酐、那迪克酸酐(nadic anhydride)、或甲基那迪克酸酐等。此等係因於低溫下的硬化較快、密封材之硬化物的玻璃轉移溫度變高，故較佳；四氫酞酸酐因於常溫下呈液狀且黏度較低，故特別適合作為構成液狀密封材的酸酐。此等可為單獨1種，亦可為2種以上之組合。
另外，密封材中之酸酐的調配量，係相對於總液狀密封材，較佳為2~10重量%、特佳為5~7重量%。若密封材中之酸酐調配量未滿上述下限值，則硬化性變差、生產性降低。若密封材中之酸酐調配量超過上述上限值，則耐濕可靠性降低。
液狀之密封材亦可含有酸酐以外之硬化劑，作為與酸酐併用之酸酐以外的硬化劑，可舉例如於1分子內具有與環氧基進行反應之官能基的所有單體、寡聚物、聚合物。作為酸酐以外之硬化劑，可舉例如酚酚醛清漆樹脂、甲酚酚醛清漆樹脂、二環戊二烯改質酚樹脂、萜改質酚樹脂、三酚甲烷型樹脂、酚芳烷基樹脂(具有伸苯基骨架、聯苯基骨架等)等的酚類。
作為構成液狀之密封材的無機填充材，可舉例如一般密封材所使用者。作為無機填充劑，可舉例如熔融二氧化矽、結晶二氧化矽、滑石、氧化鋁、氮化矽等，此等可為單獨1種或2種以上之組合。此等之中，由可提升密封材之硬化物的耐熱性、耐濕性、強度等而言，較佳係以熔融二氧化矽、結晶二氧化矽、合成二氧化矽粉末作為無機填充材。
無機填充材之形狀並無特別限定，從黏度特性與流動特性之觀點而言，形狀以球狀為佳。
在無機填充材為熔融二氧化矽時，密封材中之熔融二氧化矽的含量，係由成形性與耐焊裂性之均衡而言，相對於總液狀密封材，較佳為30~90重量%、特佳為40~85重量%。在密封材中之熔融二氧化矽之含量為未滿上述下限值的情況，則有隨著吸水率上升而耐焊裂性降低的可能；若超過上述上限值，則有於液狀密封材之分注性能方面發生問題的可能性。又，在無機填充劑為熔融二氧化矽以外之無機填充材的情況，密封材中之無機填充材的含量，係相對於總液狀密封材，較佳為30~90體積%、特佳為40~85體積%。
構成液狀之密封材的硬化促進劑並無特別限定，較佳為鏻鹽型硬化促進劑。作為鏻鹽型硬化促進劑，可舉例如具有一般式(4)或(5)所示構造的鏻鹽型硬化促進劑，但並不限定於此等。
[化7]
[化8]
(其中，R7、R8、R9、R10為具有芳香族或雜環之1價有機基或1價脂肪族基，此等中之至少一者係使至少具有1個可釋出至分子外之質子的質子供給體釋出一個質子而成的基，此等彼此可為相同或相異。又，Ar表示取代或無取代之芳香族基，同一分子內的二個氧原子係位於芳香族碳位的鄰接。n表示2~12之整數。)
藉由使用具有一般式(4)或(5)之構造的鏻鹽型硬化促進劑，則可提升液狀之密封材硬化物與所密封之電子零件間的密黏性，並可提升與固定樹脂層60的密黏性。
作為具有上述一般式(4)所示構造的硬化促進劑，可舉例如下式(6)、式(7)及式(8)所示之鏻鹽型硬化促進劑。
[化9]
[化10]
[化11]
另外，作為具有一般式(5)所示構造的硬化促進劑，可舉例如下式(9)、式(10)及式(11)所示的鏻鹽型硬化促進劑。
[化12]
[化13]
[化14]
此等鏻鹽型硬化促進劑中，由硬化性與密黏性之均衡優越的觀點而言，較佳為式(7)或式(11)所示的鏻鹽型硬化促進劑。
液狀密封材中之硬化促進劑的調配量，係相對於總液狀密封材，較佳為0.1~1.0重量%、特佳為0.3~0.8重量%。在液狀密封材中之硬化促進劑之調配量未滿上述下限值時，則硬化變慢而生產性降低，在超過上述上限值時，則保存性惡化。
再者，液狀密封材中之酸酐與硬化促進劑的調配比[(酸酐調配量)/(硬化促進劑調配量)]較佳為3~35、特佳為5~30、更佳為10~20。液狀密封材中之酸酐與硬化促進劑的調配比未滿上述下限值時，則保存性惡化，超過上述上限值時，則硬化變慢而生產性變差。
上述以外，作為液狀密封材所含有之成分，可舉例如作為消泡劑之聚矽氧化合物或蠟等之脫模劑、聚矽氧橡膠等之低應力劑。
本發明之液狀密封材之製造方法並無特別限定，可舉例如將環氧樹脂、酸酐、無機填充材、硬化促進劑、添加劑等，使用行星型混合機、三輥、雙熱輥、粉碎機等裝置予以分散混練後，於真空下進行脫泡處理的製造方法。
以下詳細說明固形狀之密封材，但固形狀之密封材並不限定於此。
作為構成固形狀之密封材之環氧樹脂，可舉例如雙酚型環氧樹脂、雙酚A型環氧樹脂、雙酚F型環氧樹脂、茋型環氧樹脂、氫醌型環氧樹脂等之結晶性環氧樹脂；甲酚酚醛清漆型環氧樹脂、酚酚醛清漆型環氧樹脂、萘酚酚醛清漆型環氧樹脂等之酚醛清漆型環氧樹脂；含有伸苯基骨架之酚芳烷基型環氧樹脂、含有伸聯苯基骨架之酚芳烷基型環氧樹脂、含有伸苯基骨架之萘酚芳烷基型環氧樹脂等之酚芳烷基型環氧樹脂；三酚甲烷型環氧樹脂、烷基改質三酚甲烷型環氧樹脂等之3官能型環氧樹脂；二環戊二烯改質酚型環氧樹脂、萜改質酚型環氧樹脂等之改質酚型環氧樹脂；含三核環氧樹脂等之含雜環環氧樹脂等；此等可為單獨1種或2種以上之組合。
此等之中，作為構成固形狀之密封材的環氧樹脂，較佳為下述一般式(12)所示環氧樹脂。由於下述一般式(12)所示之環氧樹脂為2官能，故含有其之密封材的硬化物可將交聯密度抑制得較低、熱膨脹係數低，適合在迴焊步驟時、亦即電子裝置30之加熱時的應力緩和，故可使此種步驟時之曲翹程度變小。又，下述一般式(12)所示之環氧樹脂因呈結晶性且為低分子量之樹脂，故熔融黏度低，含有其之密封材的流動性優越。
[化15]
[式(12)中，X為選自單鍵、-O-、-S-、-R12CR12-的基。R11為碳數1~6之烷基，彼此可為相同或相異。又，a為0~4之整數。R12為氫原子或碳數1~4之烷基，彼此可為相同或相異。]
上述一般式(12)所示之環氧樹脂中，4,4’-二環氧丙氧基聯苯、3,3’,5,5’-四甲基-4,4’-二環氧丙氧基聯苯或此等之熔融混合物，係由作業性及實用性之均衡優越，且可將密封材硬化物層17之熱膨脹係數設定得較低的觀點而言，屬較佳。
本發明之固形狀之密封材，較佳係例如以環氧樹脂、硬化劑與無機填充材作為必要成分的固形狀密封材。
作為構成固形狀密封材之硬化劑，可舉例如乙二胺、三甲二胺、四甲二胺、六甲二胺等之碳數2~20之直鏈脂肪族二胺，甲基苯二胺、對苯二胺、對二甲苯二胺、4,4’-二胺基二苯基甲烷、4,4’-二胺基二苯基丙烷、4,4’-二胺基二苯基醚、4,4’-二胺基二苯基碸、4,4’-二胺基二環己烷、雙(4-胺基苯基)苯基甲烷、1,5-二胺基萘、甲基二甲苯二胺、對二甲苯二胺、1,1-雙(4-胺基苯基)環己烷、二氰基二醯胺等之胺類；苯胺改質可溶酚醛樹脂或二甲基醚可溶酚醛樹脂等之可溶酚醛型酚樹脂；酚酚醛清漆樹脂、甲酚酚醛清漆樹脂、第三丁基酚酚醛清漆樹脂、壬酚酚醛清漆樹脂等之酚醛清漆型酚樹脂；含有伸苯基骨架之酚芳烷基樹脂、含有伸聯苯基骨架之酚芳烷基樹脂等之酚芳烷基樹脂；具有萘骨架或蒽骨架般之縮合多環構造的酚樹脂；聚對氧基苯乙烯等之聚氧基苯乙烯；包括六氫酞酸(HHPA)、甲基四氫酞酸(MTHPA)等之脂環族酸酐，偏苯三酸酐(TMA)、均苯四酸酐(PMDA)、二苯基酮四羧酸(BTDA)等之芳香族酸酐等之酸酐等；多硫化物、硫酯、硫醚等之聚巰化合物；異氰酸酯預聚物、嵌段化異氰酸酯等之異氰酸酯化合物；含有羧酸之聚酯樹脂等之有機酸類；此等可為單獨1種或2種以上之組合。
此等之中，作為構成固形狀密封材的硬化劑，較佳為於1分子內具有至少2個酚性羥基的化合物；作為此種硬化劑，可舉例如酚酚醛清漆樹脂、甲酚酚醛清漆樹脂、第三丁基酚酚醛清漆樹脂、壬酚酚醛清漆樹脂等之酚醛清漆型酚樹脂；可溶酚醛型酚樹脂；聚對氧基苯乙烯等之聚氧基苯乙烯；含有伸苯基骨架之酚芳烷基樹脂、含有伸聯苯基骨架之酚芳烷基樹脂等。藉由使構成固定密封材的硬化材為此種化合物，則可將密封材硬化物層71之熱膨脹係數設定得較低，且耐濕性、可靠性等亦優越。
再者，作為於1分子內具有至少2個酚性羥基的硬化劑，特佳為下述一般式(13)所示之酚樹脂。下述一般式(13)所示之酚樹脂中，其基本骨架係使酚醛清漆型酚樹脂與三酚甲烷型酚樹脂構造組合者，由於具有酚醛清漆型酚樹脂作為基本骨架，故於構造面上，樹脂骨架之交聯點間距較短，具有發揮良好之硬化性、成形性的效果；又，因為具有三酚甲烷型酚樹脂作為基本骨架，故屬於在1分子中具有3個以上羥基，因此交聯密度變高，而有硬化物之Tg高、線膨脹係數小、強度變高的效果。因此，含有下述一般式(13)所示酚樹脂的固形狀密封材，係硬化性良好並具有優越成形性，且成形及硬化後及熱處理後之熱膨脹及熱收縮較小，故可於電子裝置30中使曲翹量減小。
[化16]
[式(13)中，R13、R14、R15為選自碳數1~4之烷基的基，彼此可為相同或相異。b為0~3之整數，c為0~4之整數，d為0~3之整數。m、n表示莫耳比，0<m<1，0<n<1，m+n=1。]
另外，上述一般式(13)中之m與n之莫耳比(m/n)，較佳為1/5~5/1，更佳為1/2~2/1。藉此，可使因含有酚醛清漆型酚樹脂及酚醛清漆型酚樹脂之雙方而得的效果相乘性地發揮。
尚且，作為上述一般式(13)所示酚樹脂的具體例，可舉例如下式(14)所示者。
[化17]
[其中，式(14)中，m、n表示莫耳比，0<m<1，0<n<1，m+n=1。]
另外，作為構成固形狀密封材的無機填充材，可舉例如熔融破碎二氧化矽、熔融球狀二氧化矽、結晶二氧化矽、2次凝集二氧化矽等之二氧化矽；氧化鋁；鈦白；氫氧化鋁；滑石；黏土；雲母；玻璃纖維等；此等可為單獨1種或2種以上之組合。此等之中，作為無機填充材，由可將密封材硬化物層71之熱膨脹係數設定得較低的觀點而言，較佳為熔融球狀二氧化矽。
尚且，無機填充材之粒子形狀並無限定，較佳為真球狀。再者，藉由併用粒子大小不同的無機填充材，則可增加填充量。若考慮到對電子零件40之間隙的填充性，無機填充材之粒徑較佳為0.01~150μm。
再者，固形狀密封材中，除了環氧樹脂、硬化劑及無機填充材以外，亦可含有矽烷偶合劑、於構成芳香環之2個以上相鄰接的碳原子上分別鍵結有羥基的化合物、硬化促進劑。
作為固形狀密封材中之矽烷偶合劑，並無特別限定，可舉例如環氧基矽烷、胺基矽烷、脲矽烷、巰基矽烷等，此等可為單獨1種或2種以上之組合。藉由使此種矽烷偶合劑含於固形狀密封材中，則由於在環氧樹脂與無機填充劑之間發生反應，故可提升環氧樹脂與無機填充劑間的界面強度。
作為環氧基矽烷，可舉例如γ-環氧丙氧基丙基三乙氧基矽烷、γ-環氧丙氧基丙基三甲氧基矽烷、γ-環氧丙氧基丙基甲基二甲氧基矽烷及β-(3,4-環氧基環己基)乙基三甲氧基矽烷等。作為胺基矽烷，可舉例如γ-胺基丙基三乙氧基矽烷、γ-胺基丙基三甲氧基矽烷、N-β(胺基乙基)γ-胺基丙基三甲氧基矽烷、N-β(胺基乙基)γ-胺基丙基甲基二甲氧基矽烷、N-苯基γ-胺基丙基三乙氧基矽烷、N-苯基γ-胺基丙基三甲氧基矽烷、N-β(胺基乙基)γ-胺基丙基三乙氧基矽烷、N-6-(胺基己基)3-胺基丙基三甲氧基矽烷及N-(3-(三甲氧基矽烷基丙基)-1,3-苯二甲烷等。又，作為脲矽烷，可舉例如γ-脲丙基三乙氧基矽烷、六甲基二矽氮烷等；作為巰基矽烷，可舉例如γ-巰基丙基三甲氧基矽烷。
尚且，固形狀密封材中之矽烷偶合劑，由於藉由與後述之在構成芳香環之2個以上相鄰接之碳原子上分別鍵結了羥基的化合物(以下有時將此化合物稱為「羥基鍵結化合物」)間的相乘效果，而具有使樹脂組成物之黏度降低、提升流動性的效果，故在於密封材中含有羥基鍵結化合物的情況下，為了使藉由添加羥基鍵結化合物而得的效果充分發揮，最好設為亦含有矽烷偶合劑的構成。藉此，即使在多量調配有黏度較高之樹脂的情況、或多量調配有無機填充劑的情況，均可揮發作為固形狀密封材的充分流動性。
另外，作為在構成芳香環之2個以上相鄰接之碳原子上分別鍵結有羥基的化合物(羥基鍵結化合物)，並無特別限定，可舉例如下述一般式(15)所示之化合物、下述一般式(16)所示之化合物等。又，羥基鍵結化合物中亦可具有羥基以外的取代基。
[化18]
[式(15)中，R16、R20係其中一者為羥基，在一者為羥基時，另一者為選自氫原子、羥基或羥基以外之取代基的基。R17、R18、R19為選自氫原子、羥基或羥基以外之取代基的基，彼此可為相同或相異。]
[化19]
[式(16)中，R21、R27係其中一者為羥基，在一者為羥基的情況，另一者為選自氫原子、羥基或羥基以外之取代基的基。R22、R23、R24、R25、R26為選自氫原子、羥基或羥基以外之取代基的基，彼此可為相同或相異。]
尚且，作為一般式(15)所示化合物的具體例，可舉例如下式(17)所示之鄰苯二酚、五倍子酚、沒食子酸、沒食子酸酯及此等的衍生物。又，作為一般式(16)所示之化合物的具體例，可舉例如1,2-二羥基萘、下式(18)所示之2,3-二羥基萘及此等的衍生物。此等化合物可為單獨1種或2種以上之組合。此等之中，由流動性與硬化性之控制容易度、低揮發性的觀點而言，較佳為主骨架為萘環的化合物(1,2-二羥基萘、2,3-二羥基萘及其衍生物)。
[化20]
[化21]
再者，作為固形狀密封材所含有之硬化促進劑，並無特別限定，可舉例如1,8-二吖雙環(5,4,0)十二烯-7等之二吖雙環烯及其衍生物；三丁基胺、苄基二甲基胺等之胺系化合物；2-甲基咪唑等之咪唑化合物；三苯基膦、甲基二苯基膦等之有機膦類；四苯基鏻‧二苯基硼酸酯、四苯基鏻‧四苯甲酸硼酸酯、四苯基鏻‧四萘酸硼酸酯、四苯基鏻‧四萘氧基硼酸酯、四苯基鏻‧四萘氧基硼酸酯等之四取代鏻‧四取代硼酸酯；加成了苯醌之三苯基膦等。此等可為單獨1種或2種以上之組合。
另外，固形狀密封材係除了上述構成材料以外，視需要亦可含有：碳黑等之著色劑；棕櫚蠟等之天然蠟、合成蠟、高級脂肪酸或其金屬鹽類，石蠟、氧化聚乙烯等之脫模劑；聚矽氧油、聚矽氧橡膠等之低應力劑；水滑石等之離子捕捉劑；氫氧化鋁等之難燃劑；抗氧化劑等之各種添加劑。
然後，將密封材依轉移成形、壓塑成形、噴出成形等之成形方法予以成形。作為成形方法並無特別限定，由防止電子零件之位移、剝離的觀點而言，較佳為壓塑成形。
進行密封材層形成步驟後的步驟，係於本發明之電子零件之製造方法(1)與本發明之電子零件之製造方法(2)有所不同。
<於本發明之電子零件之製造方法(1)的情況>
[5]接著，於本發明之電子零件之製造方法(1)、例如本發明之電子零件之製造方法(1A)、(1B)、(1C)中，係藉由將密封材層70加熱使其硬化，而得到配置有電子零件40的電子零件配置密封材硬化物80(圖3(e1)、圖4(e2)，密封材硬化步驟)。又，於本發明之電子零件之製造方法(1B)及(1C)之密封材硬化步驟及剝離步驟中，係將密封材加熱、接著照射活性能量射線、其次將固定樹脂層加熱的操作順序相同，故將本發明之電子零件之製造方法(1B)及(1C)之密封材硬化步驟及剝離步驟均示於圖4。
使密封材層70硬化的條件並無特別限定，作為加熱溫度，係較固定樹脂層60進行熱分解或熔融之溫度、亦即固定樹脂層60所含有之樹脂之熱分解溫度或熔融溫度低。藉此，可防止電子零件配置密封材硬化物80之位移。使密封材層70硬化時之加熱溫度，具體而言，較佳為100~200℃、特佳為120~190℃。又，在使密封材層70硬化時的加熱時間並無特別限定，較佳為30分鐘~8小時、特佳為1~6小時。藉由將在使密封材層70硬化時的加熱溫度及加熱時間設為上述範圍，則可防止固定樹脂層60的熱分解或熔融，並可得到高可靠性的電子裝置30。而且，藉由將密封材層70依硬化溫度以上之溫度加熱，使密封材硬化時，則密封材層70成為密封材硬化物層71。亦即，藉由使密封材硬化，則可藉密封材硬化物被覆電子零件40間之間隙42及電子零件40，而於電子零件40及固定樹脂層60上形成密封材硬化物層71。
[6]其次，進行將電子零件配置密封材硬化物80從支撐基材予以剝離的剝離步驟。於此，本發明之電子裝置之製造方法(1A)中之剝離步驟，係藉由對固定樹脂層60加熱使其熱分解，而將電子零件配置密封材硬化物80從支撐基材予以剝離(圖3(f1)，剝離步驟)。
本發明之電子裝置之製造方法(1A)之剝離步驟中，固定樹脂層60之加熱溫度並無特別限定，較佳為200~400℃、特佳為220~350℃。固定樹脂層60之加熱時間並無特別限定，較佳為30秒~60分鐘、特佳為1~30分鐘。藉由將固定樹脂層60之加熱溫度及加熱時間設為上述範圍，則可使固定樹脂層60確實熱分解，並有效防止電子零件40及密封材層70的熱劣化。
另外，本發明之電子裝置之製造方法(1B)之剝離步驟，首先係對固定樹脂層60照射活性能量射線(圖4(f2))，接著將經照射活性能量射線之固定樹脂層60加熱使其熱分解，而將電子零件配置密封材硬化物80從支撐基材予以剝離(圖4(g2))。
本發明之電子裝置之製造方法(1B)中之剝離步驟，首先係從支撐基材50側對固定樹脂層60照射活性能量射線。作為活性能量射線並無特別限定，例如較佳為波長200~500nm左右的光線，特佳為波長350~400nm左右的光線。又，活性能量射線之照射量並無特別限定，較佳為1~2000mj/cm2 左右，特佳為10~1000mj/cm2 左右。
本發明之電子裝置之製造方法(1B)之剝離步驟中，接著係將固定樹脂層60加熱，固定樹脂層60之加熱溫度並無特別限定，較佳為100~200℃、特佳為120~190℃。又，固定樹脂層60之加熱時間並無特別限定，較佳為30秒~60分鐘、特佳為1~30分鐘。藉由將固定樹脂層60之加熱溫度及加熱時間設為上述範圍，則可使固定樹脂層60確實地熱分解，並有效防止電子零件40及密封材硬化物層71的熱劣化。本發明之電子裝置之製造方法(1B)之剝離步驟中，係依使經照射活性能量射線後的固定樹脂層60於較佳為100~200℃、特佳為120~190℃下進行熱分解的方式，選擇在固定樹脂層60所含有之酸或鹼之存在下熱分解溫度降低的熱分解性樹脂。
另外，本發明之電子裝置之製造方法(1C)之剝離步驟中，首先係對固定樹脂層60照射活性能量射線(圖4(f2))，接著將照射活性能量射線之固定樹脂層60加熱使其熔融，而將電子零件配置密封材硬化物80從支撐基材予以剝離(圖4(g2))。又，圖4(g2)中，雖記載在電子零件配置密封材硬化物80及支撐基材50上未附著固定樹脂層60，但此圖4(g2)中，係為了表示電子零件配置密封材硬化物80與支撐基材50呈分離，而僅記載電子零件配置密封材硬化物80及支撐基材50。於實際的剝離步驟中，係在加熱所進行的剝離即刻後，於電子零件配置密封材硬化物80及支撐基材50的表面仍附著著固定樹脂層60之熔融物，若藉由後述之殘渣去除方法，將電子零件配置密封材硬化物80及支撐基材50表面的附著物去除，則成為圖4(g2)所示的電子零件配置密封材硬化物80及支撐基材50。
本發明之電子裝置之製造方法(1C)之剝離步驟中，首先係由支撐基材50側對固定樹脂層60照射活性能量射線。作為活性能量射線並無特別限定，例如較佳為波長200~500nm左右的光線，特佳為波長350~400nm左右的光線。又，活性能量射線之照射量並無特別限定，較佳為1~2000mj/cm2 左右、特佳為10~1000mj/cm2 左右。
本發明之電子裝置之製造方法(1C)中之剝離步驟，接著係對固定樹脂層60加熱，而固定樹脂層60之加熱溫度並無特別限定，較佳為100~200℃、特佳為120~190℃。又，固定樹脂層60之加熱時間並無特別限定，較佳為30秒~60分鐘、特佳為1~30分鐘。藉由將固定樹脂層60之加熱溫度及加熱時間設為上述範圍，則可使固定樹脂層60確實地熔融，並有效防止電子零件40及密封材硬化層71的熱劣化。本發明之電子裝置之製造方法(1C)之剝離步驟中，係依使經照射活性能量射線後的固定樹脂層60於較佳為100~200℃、特佳為120~190℃下進行熔融的方式，選擇在固定樹脂層60所含有之酸或鹼之存在下熔融溫度降低的熱熔融性樹脂。
另外，作為將電子零件配置密封材硬化物80從支撐基材剝離的方法，並無特別限定，可舉例如：相對於支撐基材表面垂直地進行剝離的方法；相對於支撐基材表面呈水平方向滑動而進行剝離的方法；使電子零件配置密封材硬化物80從支撐基材浮起而予以剝離的方法等。剝離步驟後，即使在電子零件配置密封材硬化物80或支撐基材50表面附著固定樹脂層60的情況，仍可藉由電漿處理、藥液處理、研磨處理等手法予以簡便地去除殘渣。作為殘渣之去除方法特佳為氧電漿處理、對環境負擔小的IPA、丙酮、γ-丁內酯、PEGMEA等之藥液處理。
<本發明之電子零件之製造方法(2)的情況>
[5]接著，於本發明之電子零件之製造方法(2)、例如本發明之電子零件之製造方法(2A)、(2B)、(2C)中，係藉由將密封材層70加熱使其硬化，而得到配置有電子零件40的電子零件配置密封材硬化物80，並將電子零件配置密封材硬化物80從支撐基材予以剝離。又，於本發明之電子零件之製造方法(2)中，係藉由在密封材硬化的同時，進行剝離，而可縮短電子裝置封裝10之製造步驟故可提升生產性，並廉價製造電子裝置封裝10。又，所謂在密封材硬化的同時進行剝離，係指在對密封材層70加熱使其硬化的步驟中，對固定樹脂層60加熱而進行熱分解或熔融。
本發明之電子裝置之製造方法(2A)之密封材硬化步驟兼剝離步驟中，首先係不對固定樹脂層60照射活性能量射線，而對密封材層70及固定樹脂層60加熱，得到電子零件配置密封材硬化物80，同時將電子零件配置密封材硬化物80從支撐基材予以剝離(圖5(e3))。將密封材層70及固定樹脂層60加熱的溫度，較佳為100~200℃、特佳為120~190℃。又，將密封材層70及固定樹脂層60加熱的時間並無特別限定，較佳為30分鐘~8小時、特佳為1~6小時。藉由將密封材層70及固定樹脂層60之加熱溫度及加熱時間設為上述範圍，則可確實進行密封材層70及固定樹脂層60的熱分解。本發明之電子裝置之製造方法(2A)中之密封材硬化兼剝離步驟中，係依使固定樹脂層60於使密封材層70硬化的溫度(較佳為100~200℃、特佳為120~190℃)下進行熱分解的方式，選擇固定樹脂層60所含有的熱分解性樹脂。
本發明之電子裝置之製造方法(2B)，係先對固定樹脂層60照射活性能量射線(圖6(e4))，接著將密封材層70及固定樹脂層60加熱，得到電子零件配置密封材硬化物80，並同時將電子零件配置密封材硬化物80從支撐基材予以剝離(圖6(f4))。本發明之電子裝置之製造方法(2B)中之密封材硬化兼剝離步驟中，對固定樹脂層60照射活性能量射線的方法，係與於本發明之電子裝置之製造方法(1B)的剝離步驟中，對固定樹脂層60照射活性能量射線的方法相同。本發明之電子裝置之製造方法(2B)之密封材硬化兼剝離步驟中，將密封材層70及固定樹脂層60加熱的溫度，較佳為100~200℃、特佳為110~190℃。又，將密封材層70及固定樹脂層60加熱的時間並無特別限定，較佳為30分鐘~8小時、特佳為1~6小時。藉由將密封材層70及固定樹脂層60之加熱溫度及加熱時間設為上述範圍，則可確實進行密封材層70之硬化與固定樹脂層60之熱分解。本發明之電子裝置之製造方法(2B)中之密封材硬化兼剝離步驟中，係依使經照射活性能量射線之固定樹脂層60於使密封材層70硬化的溫度(較佳為100~200℃、特佳為110~190℃)下進行熱分解的方式，選擇於固定樹脂層60所含有酸或鹼之存在下熱分解溫度降低的熱分解性樹脂。又，本發明之電子裝置之製造方法(2B)及(2C)之密封材硬化兼剝離步驟中，照射活性能量射線、接著將密封材層及固定樹脂層加熱的操作順序相同，故將本發明之電子裝置之製造方法(2B)及(2C)之密封材硬化兼剝離步驟均示於圖6。
本發明之電子裝置之製造方法(2C)，係先對固定樹脂層60照射活性能量射線(圖6(e4))，接著將密封材層70及固定樹脂層60加熱，得到電子零件配置密封材硬化物80，並同時將電子零件配置密封材硬化物80從支撐基材予以剝離(圖6(f4))。將密封材層70及固定樹脂層60加熱的溫度，較佳為100~200℃、特佳為110~190℃。又，將密封材層70及固定樹脂層60加熱的時間並無特別限定，較佳為30分鐘~8小時、特佳為1~6小時。藉由將密封材層70及固定樹脂層60之加熱溫度及加熱時間設為上述範圍，則可確實進行密封材層70之硬化與固定樹脂層60之熔融。本發明之電子裝置之製造方法(2C)中之密封材硬化兼剝離步驟中，係依使經照射活性能量射線後之固定樹脂層60於使密封材層70硬化的溫度(較佳為100~200℃、特佳為110~190℃)下進行熔融的方式，選擇於固定樹脂層60所含有酸或鹼之存在下熔融溫度降低的熱熔融性樹脂。又，於圖6(f4)中，雖記載在電子零件配置密封材硬化物80及支撐基材50表面未附著固定樹脂層60，但在此圖6(f4)中，係為了表示電子零件配置密封材硬化物80與支撐基材50呈分離，而僅記載電子零件配置密封材硬化物80及支撐基材50。在實際的密封材硬化兼剝離步驟中，係於加熱所進行的剝離即刻後，在電子零件配置密封材硬化物80及支撐基材50表面附著著固定樹脂層60的熔融物，若藉由後述之殘渣去除方法，去除電子零件配置密封材硬化物80及支撐基材50之表面附著物，而成為圖6(f4)所示之電子零件配置密封材硬化物8及支撐基材50。
另外，作為將電子零件配置密封材硬化物80從支撐基材剝離的方法，並無特別限定，可舉例如：相對於支撐基材表面垂直地進行剝離的方法；相對於支撐基材表面呈水平方向滑動而進行剝離的方法；使電子零件配置密封材硬化物80從支撐基材浮起而予以剝離的方法等。密封材硬化兼剝離步驟後，即使在電子零件配置密封材硬化物80或支撐基材50表面附著固定樹脂層60的情況，仍可藉由電漿處理、藥液處理、研磨處理等手法予以簡便地去除殘渣。作為上述殘渣之去除方法特佳為氧電漿處理、對環境負擔小的IPA、丙酮、γ-丁內酯、PEGMEA等之藥液處理。
如此，本發明之電子裝置之製造方法(1)及(2)，可得到電子零件配置密封材硬化物80。
接著，針對在由本發明之電子裝置之製造方法(1)或(2)所得的電子零件配置密封材硬化物80上形成配線層的配線層形成步驟，利用圖7(a)~(f)及圖8(a)~(c)進行說明。
[7]首先，將所得之電子零件配置密封材硬化物80配置成電子零件40之具有端子的面(與固定樹脂層60接觸的面)41朝上(圖7(a))。
[8]接著，於電子零件配置密封材硬化物80之具有端子的面41上形成第1絕緣層90(圖7(b))。
作為上述第1絕緣層90，並無特別限定，較佳為有機樹脂組成物，可舉例如以聚醯亞胺樹脂、聚苯并唑樹脂等之聚醯胺樹脂、聚苯環丁烯樹脂、聚降烯樹脂等作為主成分的感光性樹脂組成物。此等之中，較佳為進行曝光顯影時之感度、解析度或玻璃轉移溫度、彈性係數等之機械特性，進而對電子零件配置密封材硬化物80之密黏性優越的以聚醯亞胺樹脂、聚苯并唑樹脂等之聚醯胺樹脂作為主成分的正型感光性樹脂組成物。
於電子零件配置密封材硬化物80之具有端子的面41上形成有機樹脂組成物的方法，並無特別限定，可舉例如藉由使用利用旋塗機之旋轉塗佈法、利用噴塗機之噴霧塗佈法、浸漬法、印刷法、輥塗法等進行塗佈，對有機樹脂組成物進行預烘烤，使有機樹脂組成物所含之溶劑揮發而藉此形成的方法。此時，藉由適當溶劑等稀釋有機樹脂組成物，可調整有機樹脂組成的黏度。
有機樹脂組成物的塗佈量並無特別限定，較佳係依最終膜厚成為0.1~30μm之方式進行塗佈。若膜厚未滿下限值，則難以充分發揮電子零件配置密封材硬化物80作為絕緣膜的機能；又，若超過上限值，則除了難以得到細微的加工圖案以外，加工亦耗時而產率降低。又，有機樹脂組成物之預烘烤溫度並無特別限定，較佳為50~150℃、更佳為60~130℃。
[9]接著，藉由對第1絕緣層90進行曝光及顯影，而在電子零件40之對應於端子(未圖示)的位置上形成開口部91(圖7(c))。
於此，針對藉由對正型感光性樹脂組成物進行曝光及顯影，形成開口部91的機制進行說明。藉由在電子零件配置密封材硬化物80上之塗膜，依步進機等曝光裝置從遮罩上方照射化學射線(曝光)，則可形成經曝光之部分(以下稱為曝光部)與未曝光之部分(以下稱為未曝光部)。存在於此未曝光部中之重氮醌化合物係對顯影液呈不溶，且因聚醯亞胺樹脂、聚苯并唑樹脂等之聚醯亞胺樹脂與重氮醌化合物間的相互作用，而進一步使其對顯影液具有耐性。另一方面，存在於曝光部中之重氮醌化合物因化學射線的作用而發生化學變化，變得可溶於顯影液中，促進樹脂的溶解。利用此曝光部與未曝光部間之溶解性的差，而可藉由將曝光部予以溶解去除以製作開口部91。
作為上述進行曝光的方法，並無特別限定，可舉例如將在對應至開口部91之位置上具有開口的遮罩定位至第1絕緣層90上，再照射X射線、電子射線、紫外線、可見光等之化學射線的方法。作為上述化學射線之波長，較佳為200~500nm，具體而言，較佳為i射線或g射線。
其次，藉顯影液將曝光部溶解去除而可得到開口部91。作為上述顯影液並無特別限定，可舉例如溶劑、鹼水溶液，較佳為對環境負擔少的鹼水溶液。作為上述鹼水溶液並無特別限定，適合使用：氫氧化鈉、氫氧化鉀、碳酸鈉、矽酸鈉、甲矽酸鈉、氨水等無機鹼類；乙基胺、正丙基胺等之一級胺類；二乙基胺、二正丙等之二級胺類；三乙基胺、甲基二乙基胺等之三級胺類；二甲基乙醇胺三乙醇胺等之醇胺類；四甲基氫化銨、四乙基氫化銨等之四級銨鹽等之鹼類水溶液，及於此等中適當添加了甲醇、乙醇般之醇類等之水溶性有機溶媒或界面活性劑的水溶液。另外，作為顯影方法，可為噴霧、槳式、浸漬、超音波等方式。
[10]接著，依連結至第1絕緣層90、開口部91之壁面及電子零件40之端子的方式，形成導電層92(圖7(d))。
作為形成導電層92之方法並無特別限定，可將Cr、Ti、Cu等金屬藉濺鍍法等予以形成。
[11]接著，於形成導電體93之部分上形成具有開口部的光阻層100(圖7(e))。
作為形成光阻層100之光阻劑，並無特別限定，可舉例如液狀或薄膜狀之感光性光阻劑。在液狀之感光性光阻劑的情況，係依被覆導電層92整面之方式，藉網版印刷等手法形成液狀之感光性光阻劑，接著經由於形成導電體93之部分上具有開口的遮罩進行曝光，再藉顯影液進行顯影，而形成光阻100。在薄膜狀之感光性光阻的情況係依被覆導電層92整面之方式，藉層合等手法形成薄膜狀之感光性光阻，其後如同液狀光阻劑的情況形成光阻100。
[12]接著，於光阻100之開口部，藉鍍敷形成導電體93(圖7(f))。
作為構成導電體93之金屬並無特別限定，較佳為電阻小並可對應信號高速化的銅。
[13]接著，去除光阻100，再將形成有導電體93之部分以外的導體層92去除(圖8(a))。
作為去除導電層92之方法並無特別限定，可藉由在未形成導電體93之部分難以殘留導電層92殘渣的反應性離子蝕刻(RIE)等手法予以去除。在藉由反應性離子蝕刻等手法進行去除時，導電體93雖亦發生些許膜減少，但由於相較於導電層92，導電體93之厚度形成為具有充分厚度，故導電體93不致於被全部去除。
[14]接著，依被覆導電體93之方式，形成第2絕緣層110(圖8(b))。
構成第2絕緣層110之材料及第2絕緣層110之形成方法並無特別限定，可使用與第1絕緣層90之情況相同者。
[15]接著，於第2絕緣層110中，形成凸塊120的部分上形成開口部111(圖8(c))。
作為在第2絕緣層110上形成開口部111之方法，並無特別限定，可舉例如與形成第1絕緣層90之情況相同的方法。
[16]其次，於第2絕緣層110之開口部111上形成凸塊120(圖8(d))。
作為凸塊120之材質並無特別限定，較佳為由選自錫(Sn)、鉛(Pb)、銀(Ag)、鉍(Bi)、銦(In)、鋅(Zn)、鎳(Ni)、銻(Sb)、鐵(Fe)、鋁(Al)、金(Au)、鍺(Ge)及銅(Cu)所組成群之至少2種以上金屬的合金、或錫單體所構成者。此等之中，若考慮到熔融溫度及機械物性，更佳為Sn-Pb之合金、無鉛焊錫之Sn-Bi之合金、Sn-Ag-Cu之合金、Sn-In合金、Sn-Ag之合金等之含Sn的合金所構成。
作為形成凸塊120的方法並無特別限定，可舉例如：將以上述含Sn之合金與助焊劑為主成分的錫膏，藉由網版印刷等手法塗佈於第2絕緣膜110之開口部111上，接著通過迴焊裝置而予以形成的方法；又，將由上述含Sn之合金所構成的焊球載置於第2絕緣層110之開口部111上，接著於焊球上塗佈助焊劑，再通過迴焊裝置而予以形成的方法等。
接著，針對對形成有配線層之電子零件配置密封材硬化物80進行分割的步驟，利用圖8(d)及(e)進行說明。
[17]對上述電子零件配置密封材硬化物80進行分割的步驟，係藉由對形成有凸塊120的電子零件配置密封材硬化物80進行分割，而得到電子裝置30的步驟(圖8(d)及(e))。
電子零件配置密封材硬化物80之分割可為分割成各別的電子零件40，亦可依複數之電子零件40單位進行分割。藉由依複數之電子零件40單位進行分割，由於可於一個電子裝置30上配置具有複數機能的電子零件40，故可實現電子裝置30的高機能化。
作為分割電子零件配置密封材硬化物80的方法並無特別限定，可藉由雷射或切割鋸等手法進行分割。此等之中，較佳為可簡便分割之切割鋸。
如此所得之電子裝置30，係在電子零件40之外緣之外側牽引配線，可增大輸出入的配線數，故可實現電子裝置30的高機能化。又，在支撐基材50上固定電子零件40時，由於應用熱分解性之固定樹脂層60，故在電子零件40之具有端子的面41上難以附著固定樹脂層60，可提供高可靠性的電子裝置30。
<電子裝置封裝之製造方法>
接著，針對將經分割之電子裝置30安裝於基板上的步驟，利用圖1進行說明。
[18]將上述電子裝置30安裝於基板上的步驟，係將電子裝置30之凸塊18與於插入件20上所形成的配線電路19予以連接的步驟(圖1)。
上述凸塊18與配線電路19之連接方法並無特別限定，在凸塊18之至少表面具有焊錫層的情況，可將助焊劑塗佈至凸塊18，接著依使凸塊18與配線電路19相對應的方式將電子裝置30載置於插入件20上，再通過迴焊裝置即可製作電子裝置30。此時，電子裝置30與插入件20係藉由將凸塊18與配線電路19金屬接合，而電性連接著。
如此，得到電子裝置封裝10。
(實施例) (實施例1) <聚碳酸酯之合成>
將1,3-環己烷二醇30.43g(0.262莫耳)、內，內-2,3-降烷二甲醇23.02g(0.147莫耳)、碳酸二苯基酯84.63g(0.395莫耳)、碳酸鋰0.0163g(0.0021莫耳)置入反應容器中。作為反應之第1步驟，係於氮環境下，將反應容器浸入至加熱成120℃的加熱槽中，進行攪拌使原料溶解，並持續攪拌2小時。作為反應之第2步驟，係將反應容器內減壓為10kPa，於120℃下持續攪拌1小時。作為反應之第3步驟，係將反應容器內減壓為0.5kPa以下，於120℃下持續攪拌1.5小時。作為反應之第4步驟，係在將反應容器內減壓為0.5kPa以下的狀態下，歷時約30分鐘將加熱槽溫度升溫至180℃後，於180℃下持續攪拌1小時。又，在反應之第2~4步驟所產生之酚係餾除至反應容器外。
將反應容器內之壓力回復成常壓後，加入四氫呋喃600ml，使生成物溶解。於攪拌異丙醇/水=9/1(v/v)之混合溶液6.0L的狀態下，滴下溶解有生成物的溶液。將析出之沉澱物藉吸引過濾予以回收，將所回收之沉澱物以異丙醇/水=9/1(v/v)之混合溶液3.0L洗淨後，藉吸引過濾予以回收。
將所回收之沉澱物以真空乾燥機依60℃/18小時進行乾燥，得到聚碳酸酯樹脂之粉末(1,3-聚環己烷碳酸酯樹脂/內-聚降烯碳酸酯樹脂)49.27g。
<暫固定材的調整>
將所得之聚碳酸酯樹脂100.0g及作為光酸產生劑之GSID26-1(BASF Japan公司製)2.0g，溶解於γ-丁內酯198.0g中，調製樹脂成分濃度33重量%的暫固定劑。
<電子零件之製造方法>
將上述調製之暫固定劑依旋塗法塗佈至200mmΦ 玻璃晶圓上，於大氣中依120℃5分鐘、220℃5分鐘之條件進行加熱予以軟烘烤，得到厚5μm之暫固定劑層。其後，於暫固定劑層上，使用覆晶黏晶機(型號FCB3，Panasonic公司製)，將縱10.5mm×橫10.5mm×厚725μm的支撐矽晶片於140℃下負加1kgf負重3秒鐘予以固定。其後，依完全被覆所配置之晶片的方式，於晶片與暫固定材層上藉壓縮成型機形成密封樹脂(EME-7730，住友Bakelite公司製)。成形條件為125℃、3.9MPa之壓力下加壓7分鐘的條件。其後，將密封樹脂依175℃、8小時、大氣環境下使其硬化，得到密封樹脂硬化物。
接著，對上述所作成之玻璃晶圓、暫固定材及密封樹脂硬化物的積層體，從玻璃側依2000mj/cm2 (i射線換算)的條件照射i射線，再以上下150℃之熱板予以挾持，使其真空吸黏後，對密封樹脂硬化物歷時3分鐘朝水平方向使其滑動，藉此將其從玻璃剝離。又，將密封樹脂硬化物及玻璃上之殘渣，一邊於γ-丁內酯中搖動、一邊浸漬5分鐘而予以去除。
(產業上之可利用性)
根據本發明，由於可不致發生電子零件之位移，並製作在配置有電子零件之密封材硬化物上未附著接黏層殘渣的再配置型電子裝置，故可得到高可靠性的電子裝置。
10‧‧‧電子裝置封裝
11‧‧‧半導體晶片
12‧‧‧機能面
13‧‧‧密封部
14‧‧‧第1絕緣膜
15‧‧‧通孔
16‧‧‧導體層
17‧‧‧第2絕緣膜
18‧‧‧凸塊
19‧‧‧配線電路
20‧‧‧插入件
30‧‧‧電子裝置
40‧‧‧電子零件
41‧‧‧具有端子之面
42‧‧‧彼此相鄰之電子零件間所形成的間隙
50‧‧‧支撐基板(支撐基材)
60‧‧‧固定樹脂層
70．．．密封材層
71．．．密封材硬化物層
80．．．電子零件配置密封材硬化物
90．．．第1絕緣層
91．．．開口部
92．．．導電層
93．．．導電體
100．．．光阻層
110．．．第2絕緣層
111．．．開口部
120．．．凸塊
圖1為表示本發明之電子裝置封裝之一實施形態的概略性縱剖面圖。
圖2(a)~(d)為表示本發明之電子裝置之製造方法中，固定樹脂層形成步驟至密封材層形成步驟為止之形態例的概略性縱剖面圖。
圖3(e1)、(f1)為表示本發明之電子裝置之製造方法中，密封材硬化步驟及剝離步驟之形態例的概略性縱剖面圖。
圖4(e2)、(f2)及(g2)為表示本發明之電子裝置之製造方法中，密封材硬化步驟及剝離步驟之形態例的概略性縱剖面圖。
圖5(e3)為表示本發明之電子裝置之製造方法中，密封材硬化兼剝離步驟之形態例的概略性縱剖面圖。
圖6(e4)、(f4)為表示本發明之電子裝置之製造方法中，密封材硬化兼剝離步驟之形態例的概略性縱剖面圖。
圖7(a)~(f)為表示本發明之電子裝置之製造方法中，配線層形成步驟之形態例的概略性縱剖面圖。
圖8(a)~(e)為表示本發明之電子裝置之製造方法中，配線層形成步驟及個片化步驟之形態例的概略性縱剖面圖。
40．．．電子零件
50．．．支撐基板(支撐基材)
60．．．固定樹脂層
71．．．密封材硬化物層
80．．．電子零件配置密封材硬化物

Claims (22)

  1. 一種電子裝置之製造方法，係具有下述步驟者：固定樹脂層形成步驟，係於支撐基材之表面設置固定樹脂層，上述固定樹脂層係含有：於酸或鹼之存在下，熔融溫度降低的樹脂；與藉由活性能量射線之照射而發生酸之光酸產生劑或發生鹼之光鹼產生劑；電子零件固定步驟，係於該固定樹脂層上，依在相鄰之電子零件之間形成間隙之方式配置複數之電子零件，經由該固定樹脂層而於該支撐基材上固定複數之該電子零件；密封材層形成步驟，係藉由密封材被覆該電子零件，於該固定樹脂層及該電子零件上形成密封材層；密封材硬化步驟，係藉由加熱該密封材而使該密封材硬化，俾得到由該支撐基材所支撐著，並配置有該電子零件之電子零件配置密封材硬化物；以及剝離步驟，係將由該支撐基材所支撐之該電子零件配置密封材硬化物從該支撐基材予以剝離；其中，於該剝離步驟中，對上述固定樹脂層照射活性能量射線後，藉由將上述固定樹脂層加熱並使其熔融，將該電子零件配置密封材硬化物從該支撐基材予以剝離。
  2. 如申請專利範圍第1項之電子裝置之製造方法，其中，上述密封材硬化步驟中將上述密封材加熱的溫度，係較上述剝離步驟中將上述固定樹脂層加熱的溫度低。
  3. 如申請專利範圍第1項之電子裝置之製造方法，其中，上述剝離步驟中將上述固定樹脂層加熱的溫度為130~200℃。
  4. 如申請專利範圍第1項之電子裝置之製造方法，其中，照射上述活性能量射線後之上述固定樹脂層於180℃下的熔融黏度為0.01~100Pa‧s。
  5. 如申請專利範圍第1至4項中任一項之電子裝置之製造方法，其中，進一步具有配線層形成步驟，係在上述電子零件配置密封材硬化物之上述電子零件所配置的面形成配線層，而得到形成有該配線層之電子零件配置密封材硬化物。
  6. 如申請專利範圍第5項之電子裝置之製造方法，其中，進一步具有個片化步驟，係藉由將形成有上述配線層之上述電子零件配置密封材硬化物予以分割，而使形成有上述配線層之上述電子零件配置密封材硬化物個片化，得到經個片化之上述電子零件配置密封材硬化物。
  7. 如申請專利範圍第1項之電子裝置之製造方法，其中，上述熔融溫度降低之樹脂為聚碳酸酯系樹脂。
  8. 如申請專利範圍第7項之電子裝置之製造方法，其中，上述聚碳酸酯系樹脂係由具有至少2個環狀構造之碳酸酯構成單位所構成者。
  9. 一種電子裝置封裝之製造方法，其特徵為，具有將申請專利範圍第6項之經個片化之上述電子零件配置密封材硬 化物安裝於基板的安裝步驟。
  10. 一種電子裝置之製造方法，係具有下述步驟者：固定樹脂層形成步驟，係於支撐基材之表面設置固定樹脂層；電子零件固定步驟，係於該固定樹脂層上，依在相鄰之電子零件之間形成間隙之方式配置複數之電子零件，經由該固定樹脂層而於該支撐基材上固定該電子零件；密封材層形成步驟，係藉密封材被覆該電子零件，於該固定樹脂層及該電子零件上形成密封材層；以及密封材硬化兼剝離步驟，係藉由加熱該密封材而使密封材硬化，俾得到由該支撐基材所支撐著，並配置有該電子零件之電子零件配置密封材硬化物，並將該電子零件配置密封材硬化物從該支撐基材予以剝離；其中，於該密封材硬化兼剝離步驟中，使該固定樹脂層所含有之樹脂低分子化，而將該電子零件配置密封材硬化物從該支撐基材予以剝離。
  11. 如申請專利範圍第10項之電子裝置之製造方法，其中，上述密封材硬化兼剝離步驟中，藉由將上述固定樹脂層加熱並使其熱分解，而將上述電子零件配置密封材硬化物從上述支撐基材剝離。
  12. 如申請專利範圍第10項之電子裝置之製造方法，其中，上述密封材硬化兼剝離步驟中，對上述固定樹脂層照射 活性能量射線後，藉由將上述固定樹脂層加熱並使其熱分解，而將上述電子零件配置密封材硬化物從上述支撐基材剝離。
  13. 如申請專利範圍第10項之電子裝置之製造方法，其中，上述密封材硬化兼剝離步驟中，對上述固定樹脂層照射活性能量射線後，藉由將上述固定樹脂層加熱並使其熔融，而將上述電子零件配置密封材硬化物從上述支撐基材剝離。
  14. 如申請專利範圍第12或13項之電子裝置之製造方法，其中，上述密封材硬化兼剝離步驟中，將上述密封材及上述固定樹脂層加熱的溫度為130~200℃。
  15. 如申請專利範圍第13項之電子裝置之製造方法，其中，照射上述活性能量射線後之上述固定樹脂層於180℃下的熔融黏度為0.01~100Pa‧s。
  16. 如申請專利範圍第10項之電子裝置之製造方法，其中，進一步具有配線層形成步驟，係在上述電子零件配置密封材硬化物之上述電子零件所配置的面形成配線層，而得到形成有該配線層之電子零件配置密封材硬化物。
  17. 如申請專利範圍第16項之電子裝置之製造方法，其中，進一步具有個片化步驟，係藉由將形成有上述配線層之上述電子零件配置密封材硬化物予以分割，而使形成有上述配線層之上述電子零件配置密封材硬化物個片化，得到經個 片化之上述電子零件配置密封材硬化物。
  18. 如申請專利範圍第12項之電子裝置之製造方法，其中，上述固定樹脂層係含有：於酸或鹼之存在下，熱分解溫度降低的樹脂；與藉由活性能量射線之照射而發生酸之光酸產生劑或發生鹼之光鹼產生劑。
  19. 如申請專利範圍第13項之電子裝置之製造方法，其中，上述固定樹脂層係含有：於酸或鹼之存在下，熔融溫度降低的樹脂；與藉由活性能量射線之照射而發生酸之光酸產生劑或發生鹼之光鹼產生劑。
  20. 如申請專利範圍第18或19項之電子裝置之製造方法，其中，上述樹脂為聚碳酸酯系樹脂。
  21. 如申請專利範圍第20項之電子裝置之製造方法，其中，上述聚碳酸酯系樹脂係由具有至少2個環狀構造之碳酸酯構成單位所構成者。
  22. 一種電子裝置封裝之製造方法，其特徵為，具有將申請專利範圍第17項之經個片化之上述電子零件配置密封材硬化物安裝於基板的安裝步驟。
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